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CN114170922A - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

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CN114170922A
CN114170922A CN202111490556.XA CN202111490556A CN114170922A CN 114170922 A CN114170922 A CN 114170922A CN 202111490556 A CN202111490556 A CN 202111490556A CN 114170922 A CN114170922 A CN 114170922A
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cholesteric liquid
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陈兴武
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TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
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TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

本申请提供一种显示面板及其制造方法。显示面板包括第一基板。第一基板包括第一衬底。多个发光元件以及反射部。多个发光元件设置于第一衬底的一侧。反射部设置于相邻两个发光元件之间，反射部包括胆甾相液晶。本申请通过在相邻发光元件之间设置反射部，反射部采用反射性胆甾相液晶，能够有效降低横向光串扰，并提高光利用率。

Description

显示面板及其制造方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制造方法。
背景技术
随着显示技术的快速发展，液晶显示(Liquid Dislay，LCD)目前成为了主流显示方案。但，微发光二极管(Micro Light-emitting Diode，Micro-LED)显示和次毫米发光二极管(Mini Light-emitting Diode，Mini-LED)(以下，将Micro-LED和Mini-LED统称为MLED)直显产品也逐渐兴起。
MLED相比LCD具有高对比、高亮度等优点。然而，在MLED显示中，由于MLED发光芯片横向发光，不同颜色的子像素之间串扰严重。通常为了降低串扰，会在MLED发光芯片两侧凃黑胶或者白胶。但白胶对光线的吸收有限，无法改善串扰，黑胶吸收光，降低MLED的发光利用率。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种可有效降低串扰，同时提高发光利用率的显示面板及其制造方法。
本申请提供一种显示面板，其包括第一基板，所述第一基板包括：
第一衬底；
多个发光元件，设置于所述第一衬底的一侧；以及
反射部，设置于相邻两个所述发光元件之间，所述反射部包括胆甾相液晶。
在一种实施方式中，所述反射部包括聚合物基质和分散于所述聚合物基质中的液晶微胶囊，所述胆甾相液晶位于所述液晶微胶囊内。
在一种实施方式中，所述胆甾相液晶为平面态胆甾相液晶。
在一种实施方式中，所述胆甾相液晶的反射波长范围为380nm-780nm。
在一种实施方式中，所述发光元件为蓝色发光元件，所述胆甾相液晶的反射波长范围为400nm-500nm。
在一种实施方式中，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述非显示区位于所述显示区的至少一侧，多个所述发光元件设置于所述显示区，所述反射部设置于所述非显示区。
在一种实施方式中，多个所述发光元件包括第一发光元件和第二发光元件，所述第一发光元件与所述第二发光元件发出的光的颜色不同，所述第一发光元件与所述第二发光元件之间设置有第一反射部，所述第一反射部包括第一胆甾相液晶和第二胆甾相液晶，所述第一胆甾相液晶用于反射所述第一发光元件发出的光，所述第二胆甾相液晶用于反射所述第二发光元件发出的光。
在一种实施方式中，多个所述发光元件还包括第三发光元件，所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件发出的光的颜色不同，所述第二发光元件与所述第三发光元件之间设置有第二反射部，所述第二反射部包括第二胆甾相液晶和第三胆甾相液晶，所述第二胆甾相液晶用于反射所述第二发光元件发出的光，所述第三胆甾相液晶用于反射所述第三发光元件发出的光。
在一种实施方式中，多个所述发光元件包括第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件发出的光的颜色不同，所述反射部包括第一胆甾相液晶、第二胆甾相液晶和第三胆甾相液晶，所述第一胆甾相液晶用于反射所述第一发光元件发出的光，所述第二胆甾相液晶用于反射所述第二发光元件发出的光，所述第三胆甾相液晶用于反射所述第三发光元件发出的光。
在一种实施方式中，所述显示面板还包括第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对设置，
其中，所述第二基板包括第二衬底和滤色层，所述滤色层设置于所述第二衬底靠近所述第一基板的一侧，所述滤色层包括第一滤色部、第二滤色部和第三滤色部，所述第一滤色部包括第一彩膜块和第一色转换块，所述第一彩膜块设置于所述第二基板靠近所述第一基板的一侧，所述第一色转换块设置于所述第一彩膜块靠近所述第一基板的一侧，所述第二滤色部包括第二彩膜块和第二色转换块，第二彩膜块设置于第二基板靠近第一基板的一侧，第二色转换块设置于第二彩膜块靠近第一基板的一侧，所述第三滤色部包括第三彩膜块和透光块，第三彩膜块设置于第二基板靠近第一基板的一侧，所述透光块设置于第三彩膜块靠近第一基板的一侧。
在一种实施方式中，所述发光元件为次毫米发光二极管芯片或者微发光二极管芯片。
本申请提供一种显示面板的制造方法，所述显示面板包括第一基板，所述显示面板的制造方法包括：
提供第一衬底；
在所述第一衬底的一侧形成多个发光元件；以及
在相邻两个所述发光元件之间形成反射部，所述反射部包括胆甾相液晶，得到第一基板。
在一种实施方式中，所述在相邻两个所述发光元件之间形成反射部，所述反射部包括胆甾相液晶包括：
将向列相液晶、液晶性紫外可聚合单体、手性化合物、紫外光引发剂混合获得反射液晶材料；
将所述反射液晶材料制成液晶微胶囊；
将所述液晶微胶囊与可聚合单体、光引发剂、分散剂、溶剂混合获得反射光阻材料；
将所述反射光阻材料涂布在相邻两个所述发光元件之间，固化所述反射光阻材料得到反射部。
在一种实施方式中，所述反射液晶材料中各组分的配比为：60wt％-98wt％向列相液晶、0wt％-30wt％的液晶性紫外可聚合单体、0.05wt％-11wt％的手性化合物，0.05wt％-2.5wt％的紫外光引发剂。
本申请通过在相邻发光元件之间设置反射部，反射部包含反射性胆甾相液晶，能够反射发光元件发出的光线，有效降低光串扰，并提高光利用率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请第一实施方式的显示面板的俯视示意图。
图2为图1的显示面板沿A-A线的剖视图。
图3为本申请第一实施方式中使用的胆甾相液晶的不同波长下的反射率示意图。
图4为本申请第二实施方式的显示面板的俯视示意图。
图5为图4的显示面板沿A-A线的剖视图。
图6为本申请第三实施方式的显示面板的俯视示意图。
图7为图6的显示面板沿A-A线的剖视图。
图8为本申请第四实施方式的显示面板的俯视示意图。
图9为图8的显示面板沿A-A线的剖视图。
图10为本申请的显示面板的制造方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接，也可以包括第一和第二特征不是直接连接而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。
本申请提供一种显示面板以及显示面板的制造方法。本申请实施例中的显示面板可以用于手机、平板电脑、电子阅读器、电子展示屏、笔记本电脑、手机、增强现实(augmented reality，AR)\虚拟现实(virtual reality，VR)设备、媒体播放器、可穿戴设备、数码相机、车载导航仪等。
本申请提供的显示面板可以为微发光二极管(Micro Light-emitting Diode，Micro-LED)显示面板或次毫米发光二极管(Mini Light-emitting Diode，Mini-LED)显示面板。请参考图1和图2，显示面板100包括第一基板10和第二基板20。第一基板10与第二基板20相对设置。其中，第一基板10为发光基板，第二基板20为彩膜基板。
第一基板10包括第一衬底11，设置于第一衬底11上的多个发光元件12和设置于相邻两个发光元件12之间的反射部13。
第一衬底11可以是玻璃、塑料或者柔性基板。
多个发光元件12可以呈矩阵状排列在第一衬底11上。发光元件12可以为Micro-LED芯片或者Mini-LED芯片。可选的，多个发光元件12可以为同一颜色或者不同颜色的发光芯片。优选的，多个发光元件12均为蓝色发光芯片。
反射部13用于反射发光元件12发出的光线，从而防止相邻两个发光元件12之间发出的光产生串扰。进一步，显示面板100包括显示区DA和非显示区NDA，非显示区NDA位于显示区DA的至少一侧。在一个具体的实施方式中，非显示区NDA围绕显示区DA设置。多个发光元件12设置于显示区DA，反射部13可以位于显示区DA内。在其他实施方式中，反射部13也可以同时位于显示区DA和非显示区NDA。需要说明的是，本申请将围绕发光元件12构成的矩阵的区域定义为非显示区NDA。发光元件12构成的矩阵以及发光元件12之间的区域定义为显示区DA。图1中反射部13所占据的区域为本申请的显示区DA。
反射部13包括胆甾相液晶131。胆甾相液晶131是一类具有周期性螺旋超结构的软光子晶体，能够选择性地反射不同波长的光产生结构色。胆甾相液晶131可以通过在向列相液晶中掺杂光响应手性分子来制备。在外界光源的刺激下，光响应手性分子的空间结构改变，诱导螺旋超结构的螺距发生变化，从而调控胆甾相液晶131反射光的波长。胆甾相液晶131的反射光的波长λ满足晶体衍射的布拉格公式：
Figure BDA0003399151430000061
式中，λ是反射光的波长，n是平均折射率，p是胆甾相液晶131的螺距，
Figure BDA0003399151430000062
是入射光与液晶表面的夹角。螺距P为当不同层的指向矢沿螺旋方向旋转360°后，又回到初始方向的层间距。
胆甾相液晶131具有平面态和焦锥态。平面态和焦锥态的胆甾相液晶131都能反射，平面态的胆甾相反射效果更好。在本实施方式中，优选胆甾相液晶131为平面态胆甾相液晶131。由于平面态的选择性反射现象对于液晶的螺距非常敏感，所以可以通过调节温度或电场来改变胆甾相液晶131的螺距，从而控制反射式胆甾相液晶131器件发射不同颜色的光。
可选的，为了控制胆甾相液晶131的配向方向，可以将胆甾相液晶131分散于聚合物基质132中形成液晶微胶囊130。反射部13包括聚合物基质132和分散于聚合物基质132中的液晶微胶囊130。具体地，聚合物基质132可以选自聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯乙烯(PS)、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚酰胺(PA)、聚碳酸酯(PC)中的一种或多种。胆甾相液晶131位于液晶微胶囊130内。液晶微胶囊130可以做出圆形或者椭圆形，可以反射不同方向的光，并且可以省略对胆甾相液晶131配向的步骤。另一方面，均匀配向的液晶透光率较大，做成液晶微胶囊130后，在液晶微胶囊130的反射和散射作用下，透光可以忽略不计。
可以理解，在本申请中也可以在第一衬底11上形成用于控制胆甾相液晶131的配向方向的配向层，配向层位于需要形成反射部13的位置，例如相邻的发光元件12之间，然后在配向层上方设置胆甾相液晶131，形成具有胆甾相液晶131的反射部13。
可选的，胆甾相液晶131的反射波长范围为380nm-780nm。即，胆甾相液晶131可以反射可见光范围内的所有光线。由于本实施方式的发光元件12为蓝色发光元件12，反射部13可以反射发光元件12反射出的光。优选的，由于本实施方式的发光元件12为蓝色发光元件12，胆甾相液晶131的反射波长范围可以为400nm-500nm。即，胆甾相液晶131可以反射蓝色光。请参考图3，图3为本申请第一实施方式中使用的一种胆甾相液晶131的不同波长下的反射率示意图。其中，横坐标为入射光波长，单位为nm，纵坐标为反射率，单位为％。
第二基板20包括第二衬底21和设置于第二衬底21上的滤色层22。滤色层22包括第一滤色部22G、第二滤色部22R和第三滤色部22B。第一滤色部22G、第二滤色部22R和第三滤色部22B在第一方向D1上依次间隔排列设置。相邻滤色部之间还设置有防止串扰的遮光层23。每一遮光层23对应于一个反射部13设置。由于反射部13有可能会因为反射波长而产生结构色，因此，通过在反射部13的出光侧设置遮光层23，不仅能够防止相邻子像素之间串扰，还能挡住反射部13的结构色。每一滤色部分别对应一个发光元件12设置。具体地，第一滤色部22G为绿色滤色部。第二滤色部22R为红色滤色部。第三滤色部22B为蓝色滤色部。具体地，第一滤色部22G包括第一彩膜块222G和第一色转换块221G，第一彩膜块222G设置于第二基板20靠近第一基板10的一侧，第一色转换块221G设置于第一彩膜块222G靠近第一基板10的一侧。第一彩膜块222G为绿色彩膜块，第一色转换块221G包括第一透明基质2211G和分散于第一透明基质2211G中的绿色量子点2212G。第二滤色部22R包括第二彩膜块222R和第二色转换块221R，第二彩膜块222R设置于第二基板20靠近第一基板10的一侧，第二色转换块221R设置于第二彩膜块222R靠近第一基板10的一侧。第二彩膜块222R为红色彩膜块，第二色转换块221R包括第二透明基质2211R和分散于第二透明基质2211R中红色量子点2212R。第三滤色部22B包括第三彩膜块222B和第二透明基质2211R，第三彩膜块222B设置于第二基板20靠近第一基板10的一侧，第三透明基质221B设置于第三彩膜块222B靠近第一基板10的一侧。第三彩膜块222B为蓝色彩膜块。第三透明基质221B中可以不添加量子点。第一滤色部22G和第二滤色部22R也可以被称为QDCF膜。可以理解，色转换块中的色转换粒子也可以是其他材料，例如，荧光粉等。
在显示面板100工作时，蓝色的发光元件12发出蓝光，对应于第一滤色部22G设置的发光元件12发出的蓝光可以被第一色转换块221G中的绿色量子点2212G转换成绿色，再经过彩膜块发射出去。对应于第二滤色部22R设置的发光元件12发出的蓝光可以被第二色转换块221R中的红色量子点2212R转换成红色，再经过彩膜块发射出去。对应于第三滤色部22B设置的发光元件12发出的蓝光通过第三透明基质221B，再经过第三透明基质221B发射出去。当对应于第一滤色部22G的发光元件12开启，对应于第二滤色部22R和第三滤色部22B的发光元件12也开启时，同理，对应于第二滤色部22R和第三滤色部22B的发光元件12发出的光线被反射至各自对应的滤色部中，从而避免了相邻子像素之间发生串扰。当对应于第一滤色部22G的发光元件12开启，对应于第二滤色部22R和第三滤色部22B的发光元件12关闭时，第一滤色部22G第二滤色部22R对应于第一滤色部22G的发光元件12发出的蓝光不仅超竖直方向射出，斜向或者横向发出。这里的竖直方向是指垂直于第一衬底11的方向。斜向是与竖直方向相交但不垂直的方向，横向是指平行于第一衬底11的方向。由于相邻两个发光元件12之间设置有反射部13，对应于第一滤色部22G的发光元件12发出的蓝光中斜向或者横向发出的光线反射到反射部13中，被反射部13中的胆甾相液晶131反射射入与发光元件12对应的第一滤色部22G中，从而避免了蓝光发射至第二滤色部22R和第三滤色部22B中，使第二滤色部22R和第三滤色部22B漏光。
现有技术中使用的白胶对光线，特别是蓝光的吸收不好，本实施方式可以设置对蓝光进行选择性反射的胆甾相液晶，能够提高光线的反射率，降低相邻子像素之间的串扰和漏光。而被反射部反射的光最后还能进入对应的滤色部中，从而提高了发光利用率。
请参考图4和图5，在本申请的第二实施方式的显示面板100中，反射部13还设置于非显示区NDA。通过在围绕显示区设置的非显示区NDA设置含有胆甾相液晶131的反射部13，能够将发光元件12发射至非显示区NDA的光线反射至显示区中，提升发光效率。
请参考图6和图7，在本申请的第三实施方式的显示面板100中，多个发光元件12也可以为不同颜色的发光芯片。优选的，多个发光元件12包括蓝色发光芯片，绿色发光芯片和红色发光芯片。或者，多个发光元件12包括蓝色发光芯片，绿色发光芯片、红色发光芯片和第四种颜色的发光芯片。第四种颜色的发光芯片可以为白色发光芯片或者黄色发光芯片。根据不同的发光芯片，本申请的反射部13也可以对应设置。
具体地，多个发光元件12包括第一发光元件121、第二发光元件122以及第三发光元件123。第一发光元件121、第二发光元件122和第三发光元件123三者发出的光的颜色各不相同。第一发光元件121与第二发光元件122之间设置有第一反射部13A，第一反射部13A包括第一胆甾相液晶1311和第二胆甾相液晶1312，第一胆甾相液晶1311用于反射第一发光元件121发出的光，第二胆甾相液晶1312用于反射第二发光元件122发出的光。第二发光元件122与第三发光元件123之间设置有第二反射部13B，第二反射部13B包括第二胆甾相液晶1312和第三胆甾相液晶1313，第二胆甾相液晶1312用于反射第二发光元件122发出的光，第三胆甾相液晶1313用于反射第三发光元件123发出的光。可以理解，第一胆甾相液晶1311、第二胆甾相液晶1312和第三胆甾相液晶1313均以液晶微胶囊130的方式存在于反射部13中。如图所示，第一胆甾相液晶1311、第二胆甾相液晶1312和第三胆甾相液晶1313可以分别制作成不同的液晶微胶囊130，也可以两两位于同一个液晶微胶囊130中。
请参考图8和图9，在本申请的第四实施方式的显示面板100中，多个发光元件12包括第一发光元件121、第二发光元件122和第三发光元件123，第一发光元件121、第二发光元件122和第三发光元件123三者发出的光的颜色各不相同，反射部13包括第一胆甾相液晶1311、第二胆甾相液晶1312和第三胆甾相液晶1313，第一胆甾相液晶1311用于反射第一发光元件121发出的光，第二胆甾相液晶1312用于反射第二发光元件122发出的光，第三胆甾相液晶1313用于反射第三发光元件123发出的光。如图所示，第一胆甾相液晶1311、第二胆甾相液晶1312和第三胆甾相液晶1313可以在同一个液晶微胶囊130，也可以分别制作成不同的液晶微胶囊130。第一胆甾相液晶1311、第二胆甾相液晶1312和第三胆甾相液晶1313可以分别制作成不同的液晶微胶囊130，也可以位于同一个液晶微胶囊130中。
请参考图10，本申请还提供一种显示面板的制造方法，显示面板包括第一基板，显示面板的制造方法包括：
101：提供第一衬底。
其中，第一衬底可以是玻璃、塑料或者柔性基板。
102：在第一衬底的一侧形成多个发光元件。
其中，多个发光元件可以呈矩阵状排列在第一衬底上。发光元件可以为Micro-LED芯片或者Mini-LED芯片。可选的，多个发光元件可以为同一颜色或者不同颜色的发光芯片。优选的，多个发光元件可以为蓝色发光芯片。
103：在相邻两个发光元件之间形成反射部，反射部包括胆甾相液晶，得到第一基板。
在相邻两个发光元件之间形成反射部的具体方法可以是旋涂、压印或打印等。反射部用于反射发光元件发出的光线，从而防止相邻两个发光元件之间发出的光产生串扰。进一步，显示面板包括显示区和非显示区，非显示区位于显示区的至少一侧。在一个具体的实施方式中，非显示区围绕显示区设置。多个发光元件设置于显示区，反射部可以位于显示区内。反射部也可以同时位于显示区和非显示区。
步骤103具体可以包括：
1031：将向列相液晶、液晶性紫外可聚合单体、手性化合物、紫外光引发剂混合获得反射液晶材料。
其中，在一个具体的实施方式中，反射液晶材料中各组分的配比为：60wt％-98wt％向列相液晶、0wt％-30wt％液晶性紫外可聚合单体、0.05wt％-11wt％的手性化合物，0.05wt％-2.5wt％的紫外光引发剂。将以上材料混合加热搅拌获得反射液晶材料；胆甾相液晶的选择性反射波段为蓝色，如图3所示，通过此配比，可以获得反射波长范围为蓝光的胆甾相液晶。由于向列相液晶分子单一配向方向，不会发生旋转，加入手性化合物的作用是诱导液晶分子旋转，从而从向列相液晶转变为胆甾相液晶，手性化合物是有不对称中心的化合物。液晶性紫外可聚合单体的量可以为0wt％，可以通过分子间作用力或者亲疏水性形成液晶微胶囊。但为了提高液晶微胶囊的稳定性，可以加入液晶性紫外可聚合单体。胆甾相液晶具有平面态和焦锥态。平面态和焦锥态的胆甾相液晶都能反射，平面态的胆甾相反射效果更好。在本实施方式中，优选胆甾相液晶为平面态胆甾相液晶。胆甾相液晶的反射波长范围可以为400nm-500nm。可选的，当显示面板的发光元件全部为蓝色发光元件时，胆甾相液晶的反射波长范围为380nm-780nm。
1032：将反射液晶材料制成液晶微胶囊。
在步骤1032中，液晶微胶囊制备方法可以是乳液法、微流控法或其他方法；以乳液法为例，将混配好的反射式液晶材料分散到10wt％的聚乙烯醇(PVA)水溶液中，通过磁力搅拌制备水包液晶乳液，再通过紫外聚合、过滤、清洗等步骤形成液晶微胶囊。
为了控制胆甾相液晶的配向方向，可以利用步骤1031和1032将胆甾相液晶分散于聚合物基质中形成液晶微胶囊。液晶微胶囊可以做出圆形或者椭圆形，可以反射不同方向的光，并且不需要对液晶进行配向。另一方面，均匀配向的液晶透光率较大，做成液晶微胶囊后，在液晶微胶囊的反射和散射作用下，透光可以忽略不计。可以理解，如果不设置液晶微胶囊，在本申请中也可以在第一衬底上形成用于控制胆甾相液晶的配向方向的配向层，配向层位于需要形成反射部的位置，例如相邻的发光元件之间，然后在配向层上方设置液晶，形成具有胆甾相液晶的反射部。
可以理解，根据使用的发光元件的颜色，反射部中的胆甾相液晶的种类可以为一种也可以为多种，用于反射发光元件发出的光。
1033：将液晶微胶囊与可聚合单体、光引发剂、分散剂、溶剂混合获得反射光阻材料。
在步骤1033中，可聚合单体可以选自聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯乙烯(PS)、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚酰胺(PA)、聚碳酸酯(PC)中的一种或多种的单体。
1034：将反射光阻材料涂布在相邻两个发光元件之间，固化反射光阻材料得到反射部。
反射部包括聚合物基质和分散于聚合物基质中的液晶微胶囊胆甾相液晶位于液晶微胶囊内。步骤1033中的聚合物单体发生聚合变成聚合物基质。聚合物基质选自聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯乙烯(PS)、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚酰胺(PA)、聚碳酸酯(PC)中的一种或多种。
另外，在步骤103之后，还可以包括形成第二基板20，以及将第一基板10与第二基板20对位形成显示面板的步骤，第二基板20的结构可以参考上述实施方式，在此省略其说明。
以下，对本申请的实施例的显示面板的制造方法进行具体说明。
请参考图1和图2，本申请第一实施方式的显示面板的制造方法包括以下步骤：
2101：提供第一衬底11。
2102：在第一衬底11的一侧形成多个发光元件12。
在本实施方式中，多个发光元件12均为蓝色发光元件12。
203：在相邻两个发光元件12之间形成反射部13，反射部13包括胆甾相液晶131，得到第一基板10。
在本实施方式中，反射部13仅设置在显示区DA中。胆甾相液晶的反射波长范围可以为400nm-500nm。即，胆甾相液晶131可以反射蓝色光。例如，具有图3所示的反射波长范围的胆甾相液晶。
具体地，步骤203包括：
2031：将向列相液晶、液晶性紫外可聚合单体、手性化合物、紫外光引发剂混合获得反射液晶材料。
2032：将反射液晶材料制成液晶微胶囊。
2033：将液晶微胶囊与可聚合单体、光引发剂、分散剂、溶剂混合获得反射光阻材料。
2034：将反射光阻材料涂布在相邻两个发光元件12之间，固化反射光阻材料得到反射部13。
请参考图4和图5，本申请第二实施方式的显示面板的制造方法与第一实施方式的显示面板的制造方法的不同点在于：反射部13还设置在非显示区NDA。
请参考图6和图7，本申请第三实施方式的显示面板的制造方法与第一实施方式的显示面板的制造方法的不同点在于：
在步骤2102中，多个发光元件12也为不同颜色的发光芯片。优选的，多个发光元件12包括蓝色发光芯片，绿色发光芯片和红色发光芯片。或者，多个发光元件12包括蓝色发光芯片，绿色发光芯片、红色发光芯片和第四种颜色的发光芯片。第四种颜色的发光芯片可以为白色发光芯片或者黄色发光芯片。根据不同的发光芯片，本申请的反射部13也可以对应设置。
具体地，多个发光元件12包括第一发光元件121、第二发光元件122以及第三发光元件123。第一发光元件121、第二发光元件122和第三发光元件123三者发出的光的颜色各不相同。
在步骤203中，第一发光元件121与第二发光元件122之间形成第一反射部13A。第一反射部13A包括第一胆甾相液晶1311和第二胆甾相液晶1312，第一胆甾相液晶1311用于反射第一发光元件121发出的光，第二胆甾相液晶1312用于反射第二发光元件122发出的光。在第二发光元件122与第三发光元件123之间形成第二反射部13B，第二反射部13B包括第二胆甾相液晶1312和第三胆甾相液晶1313，第二胆甾相液晶1312用于反射第二发光元件122发出的光，第三胆甾相液晶1313用于反射第三发光元件123发出的光。可以理解，第一胆甾相液晶1311、第二胆甾相液晶1312和第三胆甾相液晶1313均以液晶微胶囊的方式存在于反射部13中。
请参考图8和图9，本申请第四实施方式的显示面板的制造方法与第一实施方式的显示面板的制造方法的不同点在于：
在步骤2102中，多个发光元件12包括第一发光元件121、第二发光元件122和第三发光元件123，第一发光元件121、第二发光元件122和第三发光元件123三者发出的光的颜色各不相同。
在步骤203中，反射部13包括第一胆甾相液晶1311、第二胆甾相液晶1312和第三胆甾相液晶1313，第一胆甾相液晶1311用于反射第一发光元件121发出的光，第二胆甾相液晶1312用于反射第二发光元件122发出的光，第三胆甾相液晶1313用于反射第三发光元件123发出的光。第一胆甾相液晶1311、第二胆甾相液晶1312和第三胆甾相液晶1313均以液晶微胶囊的方式存在于反射部13中。第一胆甾相液晶1311、第二胆甾相液晶1312和第三胆甾相液晶1313，可以分别制作成不同的液晶微胶囊，也可以位于同一个液晶微胶囊中。
以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (14)

1.一种显示面板，其特征在于，包括第一基板，所述第一基板包括：
第一衬底；
多个发光元件，设置于所述第一衬底的一侧；以及
反射部，设置于相邻两个所述发光元件之间，所述反射部包括胆甾相液晶。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述反射部包括聚合物基质和分散于所述聚合物基质中的液晶微胶囊，所述胆甾相液晶位于所述液晶微胶囊内。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述胆甾相液晶为平面态胆甾相液晶。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述胆甾相液晶的反射波长范围为380nm-780nm。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光元件为蓝色发光元件，所述胆甾相液晶的反射波长范围为400nm-500nm。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述非显示区位于所述显示区的至少一侧，多个所述发光元件设置于所述显示区，所述反射部设置于所述非显示区。
7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，多个所述发光元件包括第一发光元件和第二发光元件，所述第一发光元件与所述第二发光元件发出的光的颜色不同，所述第一发光元件与所述第二发光元件之间设置有第一反射部，所述第一反射部包括第一胆甾相液晶和第二胆甾相液晶，所述第一胆甾相液晶用于反射所述第一发光元件发出的光，所述第二胆甾相液晶用于反射所述第二发光元件发出的光。
8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，多个所述发光元件还包括第三发光元件，所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件发出的光的颜色不同，所述第二发光元件与所述第三发光元件之间设置有第二反射部，所述第二反射部包括第二胆甾相液晶和第三胆甾相液晶，所述第二胆甾相液晶用于反射所述第二发光元件发出的光，所述第三胆甾相液晶用于反射所述第三发光元件发出的光。
9.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，多个所述发光元件包括第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件发出的光的颜色不同，所述反射部包括第一胆甾相液晶、第二胆甾相液晶和第三胆甾相液晶，所述第一胆甾相液晶用于反射所述第一发光元件发出的光，所述第二胆甾相液晶用于反射所述第二发光元件发出的光，所述第三胆甾相液晶用于反射所述第三发光元件发出的光。
10.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对设置，
其中，所述第二基板包括第二衬底和滤色层，所述滤色层设置于所述第二衬底靠近所述第一基板的一侧，所述滤色层包括第一滤色部、第二滤色部和第三滤色部，所述第一滤色部包括第一彩膜块和第一色转换块，所述第一彩膜块设置于所述第二基板靠近所述第一基板的一侧，所述第一色转换块设置于所述第一彩膜块靠近所述第一基板的一侧，所述第二滤色部包括第二彩膜块和第二色转换块，第二彩膜块设置于第二基板靠近第一基板的一侧，第二色转换块设置于第二彩膜块靠近第一基板的一侧，所述第三滤色部包括第三彩膜块和透光块，第三彩膜块设置于第二基板靠近第一基板的一侧，所述透光块设置于第三彩膜块靠近第一基板的一侧。
11.如权利要求1至10任一项所述的显示面板，其特征在于，所述发光元件为次毫米发光二极管芯片或者微发光二极管芯片。
12.一种显示面板的制造方法，所述显示面板包括第一基板，其特征在于，所述显示面板的制造方法包括：
提供第一衬底；
在所述第一衬底的一侧形成多个发光元件；以及
在相邻两个所述发光元件之间形成反射部，所述反射部包括胆甾相液晶，得到第一基板。
13.如权利要求12所述的显示面板的制造方法，其特征在于，
所述在相邻两个所述发光元件之间形成反射部，所述反射部包括胆甾相液晶包括：
将向列相液晶、液晶性紫外可聚合单体、手性化合物、紫外光引发剂混合获得反射液晶材料；
将所述反射液晶材料制成液晶微胶囊；
将所述液晶微胶囊与可聚合单体、光引发剂、分散剂、溶剂混合获得反射光阻材料；
将所述反射光阻材料涂布在相邻两个所述发光元件之间，固化所述反射光阻材料得到反射部。
14.如权利要求13所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述反射液晶材料中各组分的配比为：60wt％-98wt％向列相液晶、0wt％-30wt％的液晶性紫外可聚合单体、0.05wt％-11wt％的手性化合物，0.05wt％-2.5wt％的紫外光引发剂。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116515340A (zh) * 2023-03-06 2023-08-01 北京印刷学院 一种胆甾相液晶/高分子复合体系微胶囊及其制备方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1992329A (zh) * 2005-12-27 2007-07-04 统宝光电股份有限公司 电致发光显示面板
CN101281317A (zh) * 2007-04-02 2008-10-08 Lg.菲利浦Lcd株式会社 聚合物分散液晶显示器及其制造方法
CN102629063A (zh) * 2011-08-02 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 胆甾液晶显示器及其制备方法
KR20160050848A (ko) * 2014-10-31 2016-05-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN109839776A (zh) * 2017-11-24 2019-06-04 乐金显示有限公司 液晶显示装置
CN110419264A (zh) * 2017-03-28 2019-11-05 索尼公司 显示装置和电子设备
CN111162200A (zh) * 2020-01-03 2020-05-15 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN111341818A (zh) * 2020-03-12 2020-06-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置
CN111710774A (zh) * 2020-07-30 2020-09-25 上海天马微电子有限公司 一种彩膜基板、显示面板和显示装置
CN212675316U (zh) * 2020-05-22 2021-03-09 重庆康佳光电技术研究院有限公司 显示面板以及显示装置
CN112837627A (zh) * 2021-01-12 2021-05-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113641015A (zh) * 2021-07-30 2021-11-12 华南师范大学 一种红外反射器及其制备方法和应用

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6407862B2 (en) * 1999-05-14 2002-06-18 3M Innovative Properties Company Electronic projection system with polymeric film optical components
CN103855193B (zh) * 2014-03-05 2017-02-08 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及其制备方法、显示装置
WO2016204166A1 (ja) * 2015-06-15 2016-12-22 シャープ株式会社 波長変換方式発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器
KR102532304B1 (ko) 2016-02-23 2023-05-15 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP6976972B2 (ja) * 2016-06-10 2021-12-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated マイクロデバイスのマスクレス並列ピックアンドプレース移載
KR20180049420A (ko) * 2016-11-01 2018-05-11 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
CN108664165B (zh) 2018-05-08 2021-06-11 业成科技（成都）有限公司 显示面板及应用该显示面板的电子装置
TWI663447B (zh) * 2018-05-17 2019-06-21 友達光電股份有限公司 顯示面板
US11975557B2 (en) 2018-06-29 2024-05-07 Zeon Corporation Identification medium, authenticity determination method, and article
US11036082B2 (en) * 2018-07-12 2021-06-15 Apple Inc. Color homogenizing film for displays with direct-lit backlight units
KR102639974B1 (ko) 2018-10-05 2024-02-22 엘지디스플레이 주식회사 자체발광 표시장치
CN110047903B (zh) * 2019-04-30 2022-04-15 京东方科技集团股份有限公司 显示面板以及显示面板的制造方法
CN112151567A (zh) 2019-06-28 2020-12-29 成都辰显光电有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN110676282B (zh) 2019-10-16 2022-07-05 福州大学 一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件及其制造方法
CN113138484A (zh) 2020-01-17 2021-07-20 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板、显示面板和显示装置
CN113281925A (zh) * 2021-05-17 2021-08-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 光线控制膜和显示面板

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1992329A (zh) * 2005-12-27 2007-07-04 统宝光电股份有限公司 电致发光显示面板
CN101281317A (zh) * 2007-04-02 2008-10-08 Lg.菲利浦Lcd株式会社 聚合物分散液晶显示器及其制造方法
CN102629063A (zh) * 2011-08-02 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 胆甾液晶显示器及其制备方法
KR20160050848A (ko) * 2014-10-31 2016-05-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN110419264A (zh) * 2017-03-28 2019-11-05 索尼公司 显示装置和电子设备
CN109839776A (zh) * 2017-11-24 2019-06-04 乐金显示有限公司 液晶显示装置
CN111162200A (zh) * 2020-01-03 2020-05-15 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN111341818A (zh) * 2020-03-12 2020-06-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置
CN212675316U (zh) * 2020-05-22 2021-03-09 重庆康佳光电技术研究院有限公司 显示面板以及显示装置
CN111710774A (zh) * 2020-07-30 2020-09-25 上海天马微电子有限公司 一种彩膜基板、显示面板和显示装置
CN112837627A (zh) * 2021-01-12 2021-05-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113641015A (zh) * 2021-07-30 2021-11-12 华南师范大学 一种红外反射器及其制备方法和应用

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116515340A (zh) * 2023-03-06 2023-08-01 北京印刷学院 一种胆甾相液晶/高分子复合体系微胶囊及其制备方法
CN116515340B (zh) * 2023-03-06 2024-05-03 北京印刷学院 一种胆甾相液晶/高分子复合体系微胶囊及其制备方法

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