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CN114078913A - 显示面板和包括该显示面板的显示装置 - Google Patents

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CN114078913A
CN114078913A CN202110880103.1A CN202110880103A CN114078913A CN 114078913 A CN114078913 A CN 114078913A CN 202110880103 A CN202110880103 A CN 202110880103A CN 114078913 A CN114078913 A CN 114078913A
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CN
China
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display panel
area
bottom metal
metal layer
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Application number
CN202110880103.1A
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English (en)
Inventor
崔庆铉
李圣俊
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Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
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Publication date
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Abstract

提供了一种显示面板和包括该显示面板的显示装置，所述显示面板包括：主显示区域；组件区域，具有透射区域；外围区域，在主显示区域外部；基底；底部金属层，在基底上，并且限定对应于透射区域的开口；谷部分，同底部金属层与透射区域之间的边界相邻；以及薄膜封装层，在谷部分上，并且包括无机层和有机层。

Description

显示面板和包括该显示面板的显示装置
本申请要求于2020年8月12日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0101409号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及显示面板并且涉及包括该显示面板的显示装置，该显示面板包括扩大的显示区域，从而即使在其中布置有诸如电子元件的组件的区域中也显示图像。
背景技术
最近，显示装置的使用已经多样化。另外，显示装置已经变得更薄和更轻，因此，其用途已经扩大。
由于显示装置以各种方式使用，因此可以存在用于设计各种形状的显示装置的各种方法，并且与显示装置组合或链接到显示装置的功能的数量已经增加。
发明内容
一个或更多个实施例提供了一种显示面板和包括该显示面板的显示装置，该显示面板包括扩大的显示区域，从而即使在布置有诸如电子元件的组件的区域中也显示图像。然而，这仅是示例，并且公开不限于此。
附加的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或者可以通过公开的所呈现的实施例的实践来获知。
根据一些实施例，一种显示面板包括：主显示区域；组件区域，具有透射区域；外围区域，在主显示区域外部；基底；底部金属层，在基底上，并且限定对应于透射区域的开口；谷部分，同底部金属层与透射区域之间的边界相邻；以及薄膜封装层，在谷部分上，并且包括无机层和有机层。
谷部分可以沿着底部金属层的边缘形成，并且可以布置在透射区域中。
基底可以包括基体层和在基体层上方的阻挡层，其中，谷部分在阻挡层上方。
谷部分的下表面和基体层的上表面可以隔开至少约2000埃
Figure BDA0003191865170000021
谷部分可以具有相对于阻挡层约5000埃
Figure BDA0003191865170000022
或更大且约7000埃
Figure BDA0003191865170000023
或更小的高度。
无机层可以在谷部分中。
谷部分可以至少部分地与底部金属层叠置。
谷部分的下表面和底部金属层的上表面可以隔开约1000埃
Figure BDA0003191865170000024
或更大。
显示面板还可以包括在基底上方的缓冲层，其中，谷部分具有相对于缓冲层约5000埃
Figure BDA0003191865170000025
至约10000埃
Figure BDA0003191865170000026
的高度。
谷部分可以包括：第一谷部分，沿着底部金属层的边缘形成并且布置在透射区域中；以及第二谷部分，至少部分地与底部金属层叠置。
无机层可以在第一谷部分中且在第二谷部分中。
底部金属层的限定开口的边缘可以包括第一凸形部分。
谷部分可以沿着底部金属层的边缘形成，并且布置在透射区域中。
谷部分可以包括与第一凸形部分对应的第二凸形部分。
谷部分可以在透射区域中，并且具有孤立形状。
根据一些实施例，一种显示装置包括显示面板，该显示面板包括主显示区域、具有透射区域的组件区域、在主显示区域外部的外围区域、基底、在基底上并且限定对应于透射区域的开口的底部金属层、同底部金属层与透射区域之间的边界相邻的谷部分以及在谷部分上并且包括无机层和有机层的薄膜封装层，显示装置还包括布置在显示面板下方以与组件区域对应的组件。
组件可以包括成像装置或传感器。
谷部分可以沿着底部金属层的边缘形成，并且可以布置在透射区域中。
谷部分可以至少部分地与底部金属层叠置。
谷部分可以包括：第一谷部分，沿着底部金属层的边缘形成并且布置在透射区域中；以及第二谷部分，至少部分地与底部金属层叠置。
除了上面描述的方面之外的方面通过用于实现下面的实施例的详细内容、权利要求和附图将变得明显。
附图说明
根据下面结合附图的描述，公开的一些实施例的上面和其它方面将更加明显，在附图中：
图1是示意性地示出根据一些实施例的显示装置的透视图；
图2是示意性地示出根据一些实施例的显示装置的一部分的剖视图；
图3是示意性地示出根据一些实施例的可以包括在图1的显示装置中的显示面板的平面图；
图4和图5是根据一些实施例的用于驱动子像素的像素电路的等效电路图；
图6是示意性地示出根据一些实施例的主显示区域中的像素布置结构的布局图；
图7和图8是各自示意性地示出根据实施例的组件区域中的像素布置结构的布局图；
图9是示出根据一些实施例的显示面板的包括主显示区域和组件区域的部分的剖视图；
图10是示出根据一些实施例的显示面板的一部分(即，组件区域)的布局图；
图11是示出根据一些实施例的显示面板的一部分(即，组件区域)的剖视图；
图12是根据一些实施例的图11的区域A的放大图；
图13是示出根据一些实施例的显示面板的一部分(即，组件区域)的布局图；
图14是示出根据一些实施例的显示面板的一部分(即，组件区域)的剖视图；
图15是根据一些实施例的图14的区域B的放大图；
图16是示出根据一些实施例的显示面板的一部分(即，组件区域)的布局图；
图17是示出根据一些实施例的显示面板的一部分(即，组件区域)的剖视图；
图18是示出根据一些实施例的显示面板的一部分(即，组件区域)的布局图；
图19是根据一些实施例的图18的区域C的放大图；以及
图20是示出根据一些实施例的显示面板的一部分(即，组件区域)的布局图。
具体实施方式
通过参照实施例的详细描述和附图，本公开的一些实施例的方面及实现其的方法可以更容易地理解。在下文中，将参照附图更详细地描述实施例。然而，所描述的实施例可以以各种不同的形式实施，并且不应该被解释为仅限于在此所示出的实施例。相反，这些实施例被提供为示例，使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的方面。因此，可以不描述本领域普通技术人员为了完全理解本公开的方面而不是必需的工艺、元件和技术。
除非另外说明，否则在整个附图和书面描述中，同样的附图标记、符号或其组合表示同样的元件，因此，将不再重复其描述。此外，为了使描述清楚，可能未示出与实施例的描述无关的部分。在附图中，为了清楚起见，可以夸大元件、层和区域的相对尺寸。此外，通常提供附图中的交叉影线和/或阴影的使用以使相邻元件之间的边界清楚。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在和不存在都不传达或表示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、所示出的元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或需求。
在此参照作为实施例和/或中间结构的示意图的剖视图描述了各种实施例。如此，将预期由例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。此外，出于描述根据本公开的构思的实施例的目的，在此公开的特定结构或功能性描述仅是说明性的。因此，在此公开的实施例不应该被解释为限于区域的特定示出形状，而是包括由例如制造引起的形状的偏差。
例如，示出为矩形的注入区域将通常在其边缘处具有圆形或弯曲特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样地，通过注入形成的埋入区域可以导致埋入区域与通过其发生注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，附图中所示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出装置的区域的实际形状，也不旨在成为限制。此外，如本领域技术人员将认识到的，在都不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。
在详细描述中，出于解释的目的，阐述了许多特定细节以提供对各种实施例的透彻理解。然而，明显的是，可以在没有这些特定细节或具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种实施例。在其它实例中，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免使各种实施例不必要地模糊。
将理解的是，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该被这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
为了易于解释，在此可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语，以描述如附图中所示出的一个元件或特征与另一(另一些)元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语旨在涵盖除了附图中所描绘的方位之外装置在使用或操作中的不同的方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件将随后被定位“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以涵盖上方和下方两种方位。装置可以另外定位(例如，旋转90度或处于其它方位)，并且在此使用的空间相对描述语应该被相应地解释。类似地，当第一部分被描述为布置“在”第二部分“上”时，这表示基于重力方向，第一部分布置在第二部分的上侧或下侧处，而不限于其上侧。
此外，在本说明书中，短语“在平面上”或“平面图”意味着从顶部观看目标部分，并且短语“在剖面上”意味着从侧面观看通过竖直切割目标部分而形成的剖面。
将理解的是，当元件、层、区域或组件被称为“形成在”另一元件、层、区域或组件“上”、“在”另一元件、层、区域或组件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件、层、区域或组件时，该元件、层、区域或组件可以直接形成在所述另一元件、层、区域或组件上、直接在所述另一元件、层、区域或组件上、直接连接到或直接结合到所述另一元件、层、区域或组件，或者间接形成在所述另一元件、层、区域或组件上、间接在所述另一元件、层、区域或组件上、间接连接到或间接结合到所述另一元件、层、区域或组件，使得可以存在一个或更多个中间元件、层、区域或组件。例如，当层、区域或组件被称为“电连接”或“电结合”到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接电连接到或直接电结合到所述另一层、区域和/或组件，或者可以存在中间层、区域或组件。然而，“直接连接/直接结合”指一个组件直接连接或直接结合另一组件而没有中间组件。另外，描述组件之间的关系的其它表达(诸如“在……之间”、“直接在……之间”或“与……相邻”和“与……直接相邻”)可以被类似地解释。此外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或层。
出于本公开的目的，诸如“……中的至少一个(种/者)”的表达在一列元件之后时，修饰整列元件而不修饰该列中的个别元件。例如，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z、X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合(诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例)或其任何变型。类似地，诸如“A和B中的至少一个(种/者)”的表达可以包括A、B或A和B。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。例如，诸如“A和/或B”的表达可以包括A、B或A和B。
在示例中，x轴、y轴和/或z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的含义解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。这适用于第一方向、第二方向和/或第三方向。
在此使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，并不旨在限制本公开。如在此所使用的，除非上下文另外清楚地表示，否则单数形式“一”和“一个(种/者)”也旨在包括复数形式。还将理解的是，术语“包含”及其变型、“具有”及其变型、“包括”及其变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
如在此所使用的，术语“基本上”、“约”、“近似”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。如在此所使用的，“约”或“近似”包括所陈述的值，并且意味着：考虑到被谈及的测量以及与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，在如由本领域普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以意味着在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。此外，“可以”的使用在描述本公开的实施例时指“本公开的一个或更多个实施例”。
另外，在此公开和/或叙述的任何数值范围旨在包括包含在所叙述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所叙述的最小值1.0与所叙述的最大值10.0之间(并且包括所叙述的最小值1.0和所叙述的最大值10.0)(即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值(诸如以2.4至7.6为例))的所有子范围。在此所叙述的任何最大数值限度旨在包括其中包含的所有较低数值限度，并且本说明书中所叙述的任何最小数值限度旨在包括其中包含的所有较高数值限度。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确叙述此处明确叙述的范围内包含的任何子范围。所有这样的范围旨在在本说明书中固有地描述，使得用于明确叙述任何这样的子范围的修改将符合要求。
当可以不同地实现一个或更多个实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
根据在此描述的本公开的实施例的电子装置或电气装置和/或任何其它相关装置或组件可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或软件、固件和硬件的组合来实现。例如，这些装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或分开的IC芯片上。此外，这些装置的各种组件可以实现在柔性印刷电路膜、载带封装件(TCP)、印刷电路板(PCB)上，或者形成在一个基底上。
此外，这些装置的各种组件可以是在一个或更多个计算装置中的一个或更多个处理器上运行的进程或线程，执行计算机程序指令并与其它系统组件交互以执行在此描述的各种功能。计算机程序指令存储在存储器中，该存储器可以使用标准存储器装置(诸如以随机存取存储器(RAM)为例)在计算装置中实现。计算机程序指令还可以存储在其它非暂时性计算机可读介质(诸如以CD-ROM、闪存驱动器等为例)中。另外，本领域技术人员应该认识到的是，在不脱离本公开的实施例的精神和范围的情况下，各种计算装置的功能可以组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以分布遍及一个或更多个其它计算装置。
除非另外限定，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中限定的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，并且不应该以理想化或过于形式化的含义来解释，除非在此明确地如此定义。
在下面的公开中，将理解的是，当线被称为“在第一方向或第二方向上延伸”时，它不仅可以以线性形状延伸，而且还可以以之字形或曲线在第一方向或第二方向上延伸。
在下面的公开中，“平面图”表示从上方看到目标物体的一部分，并且“剖视图”表示竖直切割目标物体的一部分并且从侧面观看剖面。在下面的公开中，术语“叠置”包括平面图和剖视图中的叠置。
现在将参照附图更全面地描述公开，在附图中示出了公开的实施例。
图1是示意性地示出根据一些实施例的显示装置的透视图。
参照图1，显示装置1可以包括显示区域DA和显示区域DA外部的外围区域DPA。显示区域DA可以包括组件区域CA和至少部分地围绕组件区域CA的主显示区域MDA。也就是说，组件区域CA和主显示区域MDA中的每个可以单独显示图像，或者组件区域CA和主显示区域MDA可以一起显示图像。外围区域DPA可以是一种其中未布置显示元件的非显示区域。显示区域DA可以完全被外围区域DPA围绕。
在图1中，一个组件区域CA在主显示区域MDA中。在其它实施例中，显示装置1可以包括两个或更多个组件区域CA，并且多个组件区域CA的形状和尺寸可以彼此不同。当从基本上垂直于显示装置1的上表面的方向(例如，在平面图中)观看时，组件区域CA可以具有各种形状，诸如圆形、椭圆形、多边形(诸如正方形、星形形状或菱形形状)。在图1中，当从近似垂直于显示装置1的上表面的方向观看时，组件区域CA在具有基本上矩形形状的主显示区域MDA的上中心(+y方向)中，但是组件区域CA可以在矩形主显示区域MDA的一侧上(例如，在右上部或左上部上)。
显示装置1可以通过使用主显示区域MDA中的多个主子像素Pm和组件区域CA中的多个辅助子像素Pa来提供图像。
在组件区域CA中，如稍后将在下面参照图2描述的，作为电子元件的组件40可以在显示面板下方以对应于组件区域CA。组件40可以是使用红外光或可见光的相机，并且可以是成像装置。可选择地，组件40可以是太阳能电池、闪光灯、照度传感器、接近传感器和/或虹膜传感器。可选择地，组件40可以具有接收声音的功能。为了减小或最小化对组件40的功能的限制，组件区域CA可以包括透射区域TA，从组件40向外部输出或从外部朝向组件40行进的光和/或声音等可以穿过透射区域TA。在根据一些实施例的显示面板中以及在包括显示面板的显示装置中，当光透射通过组件区域CA时，组件区域CA或透射区域TA的透光率可以为约10％或更大，例如，约40％或更大、约25％或更大、约50％或更大、约85％或更大或者约90％或更大。
多个辅助子像素Pa可以在组件区域CA中。多个辅助子像素Pa可以发射光以提供特定图像。显示在组件区域CA中的图像是辅助图像，其可以具有比显示在主显示区域MDA中的图像的分辨率低的分辨率。也就是说，组件区域CA包括光和声音可以穿过其的透射区域TA，并且当子像素未布置在透射区域TA中时，在组件区域CA中每单位面积可以布置的辅助子像素Pa的数量可以小于在主显示区域MDA中每单位面积布置的主子像素Pm的数量。
可选择地，在组件区域CA中每单位面积布置的线可以不如在主显示区域MDA中每单位面积布置的线密集。
图2是示意性地示出根据一些实施例的显示装置的一部分的剖视图。
参照图2，显示装置1可以包括显示面板10和与显示面板10叠置的组件40。用于保护显示面板10的盖窗50可以进一步布置在显示面板10上方。
显示面板10可以包括与组件40叠置的组件区域CA和其中显示主图像的主显示区域MDA。显示面板10可以包括基底100、基底100上方的显示层DISL、触摸屏层TSL、光学功能层OFL和基底100下方的面板保护构件PB。
显示层DISL可以包括电路层PCL、显示元件层EDL和封装构件ENCM(诸如薄膜封装层TFEL，或者在其它实施例中，密封基底)，电路层PCL包括薄膜晶体管TFT和TFT'，显示元件层EDL包括作为显示元件的有机发光二极管OLED和OLED'。绝缘层IL和IL'可以位于基底100与显示层DISL之间和/或显示层DISL内。
基底100包括绝缘材料(诸如聚合物树脂)，并且可以是可弯曲的、可折叠的或可卷曲的柔性基底。
主薄膜晶体管TFT和连接到其的主有机发光二极管OLED可以在显示面板10的主显示区域MDA中以实现主子像素Pm。辅助薄膜晶体管TFT'和连接到其的辅助有机发光二极管OLED'可以在组件区域CA中以实现辅助子像素Pa。组件区域CA中的其中布置有辅助子像素Pa的区域可以被称为辅助显示区域。
在组件区域CA中，可以布置其中未布置显示元件的透射区域TA。透射区域TA可以是从对应于组件区域CA的组件40发射的光/信号透射通过其的区域，或者是入射到组件40的光/信号透射通过其的区域。辅助显示区域和透射区域TA可以交替地布置在组件区域CA中。
底部金属层BML可以在组件区域CA中。底部金属层BML可以布置为对应于辅助薄膜晶体管TFT'的下部。例如，底部金属层BML可以在辅助薄膜晶体管TFT'与基底100之间。底部金属层BML可以减少或防止外部光到达辅助薄膜晶体管TFT'。根据一些实施例，静电压或信号施加到底部金属层BML，因此，底部金属层BML可以降低或防止由于静电放电而损坏像素电路的可能性。
显示元件层EDL可以被薄膜封装层TFEL或密封基底覆盖。在一些实施例中，薄膜封装层TFEL可以如图2中所示出的包括至少一个无机层和至少一个有机层。在一些实施例中，薄膜封装层TFEL可以包括第一无机膜层131、第二无机膜层133和它们之间的有机膜层132。
第一无机膜层131和第二无机膜层133可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的一种或更多种无机绝缘材料。有机膜层132可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
在其它实施例中，当显示元件层EDL被密封基底密封时，密封基底可以布置为面对基底100且显示元件层EDL在它们之间。密封基底与显示元件层EDL之间可以存在间隙。密封基底可以包括玻璃。由玻璃料等制成的密封剂可以在基底100与密封基底之间，并且密封剂可以在上面描述的外围区域DPA中。外围区域DPA中的密封剂可以围绕显示区域DA并且减少或防止湿气穿透侧面，否则湿气穿透侧面。
触摸屏层TSL可以根据外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。触摸屏层TSL可以包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸线。触摸屏层TSL可以根据自电容方法或互电容方法感测外部输入。
触摸屏层TSL可以在薄膜封装层TFEL上。可选择地，触摸屏层TSL可以单独形成在触摸基底上，然后可以通过粘合层(诸如光学透明粘合剂(OCA))结合到薄膜封装层TFEL上。作为一些实施例，触摸屏层TSL可以直接形成在薄膜封装层TFEL上方，并且在这种情况下，粘合层可以不在触摸屏层TSL与薄膜封装层TFEL之间。
光学功能层OFL可以是为了提高可视性而设置的层。光学功能层OFL可以包括抗反射层。抗反射层可以降低从外部朝向显示装置1入射的光(外部光)的反射率。
在一些实施例中，抗反射层可以设置为偏振膜。偏振膜可以包括线性偏振片和相位延迟膜(诸如四分之一波(λ/4)片)。相位延迟膜可以在触摸屏层TSL上方，并且线性偏振片可以在相位延迟膜上方。
根据一些实施例，抗反射层可以包括滤光器层，该滤光器层包括黑矩阵和滤色器。可以考虑由显示装置1的像素分别发射的光束的颜色来布置滤色器。例如，滤光器层可以包括红色、绿色或蓝色的滤色器。
根据一些实施例，抗反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括布置在彼此不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此干涉，因此，可以降低外部光的反射率。
盖窗50可以在显示面板10上方以保护显示面板10。光学功能层OFL可以利用光学透明粘合剂附着到盖窗50，或者可以利用光学透明粘合剂附着到触摸屏层TSL。
面板保护构件PB可以附着在基底100下方以支撑和保护基底100。面板保护构件PB可以包括与组件区域CA对应的开口PB_OP。在面板保护构件PB中包括开口PB_OP可以提高组件区域CA的透光率。面板保护构件PB可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)。
组件区域CA可以具有比布置有组件40的面积大的面积。因此，设置在面板保护构件PB中的开口PB_OP的面积可以不与组件区域CA的面积匹配。
此外，在一些实施例中，多个组件40可以在组件区域CA中。多个组件40可以具有彼此不同的功能。例如，多个组件40可以包括相机(成像装置)、太阳能电池、闪光灯、接近传感器、照度传感器和虹膜传感器中的至少两个。
图3是示意性地示出可以包括在图1的显示装置中的显示面板的平面图。
参照图3，包括在显示面板10中的各种组件在基底100上方。基底100可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA的外围区域DPA。显示区域DA可以包括主显示区域MDA和组件区域CA，其中，主显示区域MDA显示主图像，并且其中，组件区域CA显示辅助图像并具有透射区域TA。辅助图像可以与主图像一起形成一个完整图像，或者可以是独立于主图像的图像。
多个主子像素Pm可以在主显示区域MDA中。多个主子像素Pm中的每个可以实现为显示元件(诸如主有机发光二极管OLED)。多个主子像素Pm中的每个可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。主显示区域MDA可以被封装构件覆盖并且被保护免受环境空气、湿气等影响。
如上面所描述的，组件区域CA可以在主显示区域MDA的一侧上，或者可以在显示区域DA内并被主显示区域MDA围绕。多个辅助子像素Pa可以在组件区域CA中。多个辅助子像素Pa中的每个可以实现为显示元件(诸如辅助有机发光二极管OLED')。多个辅助子像素Pa中的每个可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。组件区域CA可以被封装构件覆盖并且被保护免受环境空气、湿气等影响。
另外，组件区域CA可以包括透射区域TA。透射区域TA可以布置为围绕多个辅助子像素Pa。可选择地，透射区域TA可以与多个辅助子像素Pa一起以格子构造布置。
因为组件区域CA具有透射区域TA，所以组件区域CA可以具有比主显示区域MDA的分辨率低的分辨率。例如，组件区域CA的分辨率可以是主显示区域MDA的分辨率的约1/2、约3/8、约1/3、约1/4、约2/9、约1/8、约1/9或约1/16。例如，主显示区域MDA的分辨率可以是约400ppi或更大，并且组件区域CA的分辨率可以是约200ppi或约100ppi。
可选择地，组件区域CA的分辨率可以近似等于主显示区域MDA的分辨率。在这种情况下，组件区域CA中的线的密度可以降低以确保组件区域CA的透光率。也就是说，通过使组件区域CA中每单位面积布置的线的密度低于主显示区域MDA中每单位面积布置的线的密度，可以确保组件区域CA的透光率。
驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路中的每个可以电连接到外围区域DPA中的外部电路。第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2、端子单元PAD、驱动电压供应线11和共电压供应线13可以在外围区域DPA中。
第一扫描驱动电路SDRV1可以经由扫描线SL向驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路中的每个施加扫描信号。第一扫描驱动电路SDRV1可以通过发射控制线EL向每个像素电路提供发射控制信号。第二扫描驱动电路SDRV2可以在第一扫描驱动电路SDRV1的相对于主显示区域MDA的相对侧上，并且可以近似平行于第一扫描驱动电路SDRV1。主显示区域MDA的主子像素Pm的一些像素电路可以电连接到第一扫描驱动电路SDRV1，并且主子像素Pm的其余像素电路可以电连接到第二扫描驱动电路SDRV2。组件区域CA的辅助子像素Pa的一些像素电路可以电连接到第一扫描驱动电路SDRV1，辅助子像素Pa的其余像素电路可以电连接到第二扫描驱动电路SDRV2。在其它实施例中，可以省略第二扫描驱动电路SDRV2。
端子单元PAD可以在基底100的一侧上。端子单元PAD未被绝缘层覆盖，并且可以被暴露以连接到显示电路板30。显示驱动器32可以在显示电路板30上。
显示驱动器32可以产生待传输到第一扫描驱动电路SDRV1和待传输到第二扫描驱动电路SDRV2的控制信号。显示驱动器32可以产生数据信号，并且所产生的数据信号可以通过相应的扇出布线FW和连接到扇出布线FW的相应的数据线DL传输到子像素Pm和Pa的像素电路。
显示驱动器32可以向驱动电压供应线11施加驱动电压ELVDD(见图4)，并且可以向共电压供应线13施加共电压ELVSS(见图4)。驱动电压ELVDD可以通过连接到驱动电压供应线11的驱动电压线PL施加到子像素Pm和Pa的像素电路，并且共电压ELVSS可以连接到共电压供应线13并施加到显示元件的对电极。
驱动电压供应线11可以设置为从主显示区域MDA下方在x方向上延伸。共电压供应线13可以具有其一侧开口的环形形状，并且可以围绕主显示区域MDA的一部分。
在图3中，存在一个组件区域CA。然而，在其它实施例中，可以设置多个组件区域CA。在这种情况下，多个组件区域CA可以彼此隔开，第一相机可以布置为对应于一个组件区域CA，并且第二相机可以布置为对应于另一组件区域CA。可选择地，相机可以布置为对应于一个组件区域CA，并且红外传感器可以布置为对应于另一组件区域CA。多个组件区域CA的形状和尺寸可以彼此不同地设置。
另外，组件区域CA可以以多边形形状设置。例如，组件区域CA可以以八边形形状设置。组件区域CA可以以各种多边形(诸如正方形或六边形)设置。组件区域CA可以被主显示区域MDA围绕。
图4和图5是根据一些实施例的用于驱动子像素的像素电路的等效电路图。图4和图5的像素电路PC可以对应于其它附图(例如图9)的主像素电路PC和/或辅助像素电路PC'。图4和图5的有机发光二极管OLED可以对应于其它附图(例如图9)的主有机发光二极管OLED和/或辅助有机发光二极管OLED'。图4和图5的存储电容器Cst可以对应于其它附图(例如图9)的主存储电容器Cst和/或辅助存储电容器Cst'。
参照图4，像素电路PC可以连接到有机发光二极管OLED，并且可以实现子像素的发光。像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL并连接到数据线DL，并且可以根据经由扫描线SL接收的扫描信号Sn将经由数据线DL接收的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst可以连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压与施加到驱动电压线PL的电压之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以根据存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有特定亮度的光。
尽管图4示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是本公开不限于此。
参照图5，像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。
尽管图5示出了每个像素电路PC设置有信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL，但是本公开不限于此。根据其它实施例，信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL和初始化电压线VL中的至少一条可以与邻近的像素电路共用。
驱动薄膜晶体管T1的漏电极可以经由发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED。驱动薄膜晶体管T1可以通过根据开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm来向有机发光二极管OLED供应驱动电流。
开关薄膜晶体管T2的栅电极可以连接到扫描线SL，并且开关薄膜晶体管T2的源电极可以连接到数据线DL。开关薄膜晶体管T2的漏电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极，并且经由操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。
开关薄膜晶体管T2可以根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，并且可以执行用于将传输到数据线DL的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的源电极的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的栅电极可以连接到扫描线SL。补偿薄膜晶体管T3的源电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极，并且经由发射控制薄膜晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极。补偿薄膜晶体管T3的漏电极可以连接到存储电容器Cst的任何一个电极、第一初始化薄膜晶体管T4的源电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。补偿薄膜晶体管T3根据经由扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，并且可以将驱动薄膜晶体管T1的栅电极和漏电极彼此连接，从而实现驱动薄膜晶体管T1的二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的栅电极可以连接到前一扫描线SL-1。第一初始化薄膜晶体管T4的漏电极可以连接到初始化电压线VL。第一初始化薄膜晶体管T4的源电极可以连接到存储电容器Cst的任何一个电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。第一初始化薄膜晶体管T4可以根据通过前一扫描线SL-1接收的前一扫描信号Sn-1而导通，并且可以被构造为向驱动薄膜晶体管T1的栅电极传输初始化电压Vint，以执行初始化驱动薄膜晶体管T1的栅电极的电压的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的栅电极可以连接到发射控制线EL。操作控制薄膜晶体管T5的源电极可以连接到驱动电压线PL。操作控制薄膜晶体管T5的漏电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极并连接到开关薄膜晶体管T2的漏电极。
发射控制薄膜晶体管T6的栅电极可以连接到发射控制线EL。发射控制薄膜晶体管T6的源电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极并连接到补偿薄膜晶体管T3的源电极。发射控制薄膜晶体管T6的漏电极可以电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6可以根据通过发射控制线EL接收的发射控制信号En而同步或基本上同时导通，并且驱动电压ELVDD可以传输到有机发光二极管OLED以允许驱动电流流过有机发光二极管OLED。
第二初始化薄膜晶体管T7的栅电极可以连接到后一(或后续)扫描线SL+1。第二初始化薄膜晶体管T7的源电极可以连接到有机发光二极管OLED的像素电极。第二初始化薄膜晶体管T7的漏电极可以连接到初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7可以根据通过后一扫描线SL+1接收的后一(或后续)扫描信号Sn+1而导通，并且可以初始化有机发光二极管OLED的像素电极。
尽管图5示出了第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7分别连接到前一扫描线SL-1和后一扫描线SL+1，但是本公开不限于此。在其它实施例中，第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7都可以连接到前一扫描线SL-1并根据前一扫描信号Sn-1而驱动。
存储电容器Cst的任何一个电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的栅电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和第一初始化薄膜晶体管T4的源电极。存储电容器Cst的另一电极可以连接到驱动电压线PL。
有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极电极)接收共电压ELVSS。有机发光二极管OLED从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流以发射光。
像素电路PC不限于参照图4和图5描述的薄膜晶体管和存储电容器的数量和电路设计，并且其数量和电路设计可以各种改变。
驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路PC可以相同地设置，或者可以不同地设置。例如，驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路PC可以设置为图5中所示的像素电路PC。根据其它实施例，图5的像素电路PC可以用作驱动主子像素Pm的像素电路PC，并且图4的像素电路PC可以用作驱动辅助子像素Pa的像素电路PC。
图6是示意性地示出根据一些实施例的主显示区域中的像素布置结构的布局图。
多个主子像素Pm可以在主显示区域MDA中。在本说明书中，子像素是用来实现图像的最小单元，指发光区域。当有机发光二极管用作显示元件时，发光区域可以由像素限定层中的开口限定。这稍后将在下面描述。
如图6中所示，主显示区域MDA中的主子像素Pm可以以
Figure BDA0003191865170000171
布置结构(
Figure BDA0003191865170000172
是韩国三星显示有限公司的注册商标)布置。该像素布置结构可以被称为RGBG矩阵结构(例如，
Figure BDA0003191865170000173
矩阵结构或RGBG结构(例如，
Figure BDA0003191865170000174
结构))。主子像素Pm可以包括第一子像素Pr、第二子像素Pg和第三子像素Pb，并且第一子像素Pr、第二子像素Pg和第三子像素Pb可以分别实现红色、绿色和蓝色。
多个第一子像素Pr和多个第三子像素Pb交替地布置在第一行1N中，多个第二子像素Pg以预设间隔布置在与第一行1N相邻的第二行2N中，多个第三子像素Pb和多个第一子像素Pr交替地布置在与第二行2N相邻的第三行3N中，并且多个第二子像素Pg以预设间隔布置在与第三行3N相邻的第四行4N中。重复该像素布置直到第N行。在这种情况下，第一子像素Pr和第三子像素Pb中的每个可以设置为大于第二子像素Pg。
布置在第一行1N中的多个第一子像素Pr和多个第三子像素Pb以及布置在第二行2N中的多个第二子像素Pg以交错的方式布置。因此，多个第一子像素Pr和多个第三子像素Pb交替地布置在第一列1M中，多个第二子像素Pg以预设间隔布置在与第一列1M相邻的第二列2M中，多个第三子像素Pb和多个第一子像素Pr交替地布置在与第二列2M相邻的第三列3M中，并且多个第二子像素Pg以预设间隔布置在与第三列3M相邻的第四列4M中。重复该像素布置直到第M列。
当像素布置结构被不同地表示时，在具有在第二子像素Pg的中心点处的其中心点的虚拟四边形VS的顶点之中，第一子像素Pr分别布置在彼此面对的第一顶点和第三顶点处，并且第三子像素Pb分别在第二顶点和第四顶点处。虚拟四边形VS可以是矩形、菱形、正方形等。
该像素布置结构被称为
Figure BDA0003191865170000175
矩阵结构或
Figure BDA0003191865170000176
结构(
Figure BDA0003191865170000177
是韩国三星显示有限公司的注册商标)。通过应用渲染(其中像素的颜色通过共用其相邻的像素的颜色来表示)，可以经由少量像素获得高分辨率。
在图6中，多个主子像素Pm以
Figure BDA0003191865170000178
矩阵结构(
Figure BDA0003191865170000179
是韩国三星显示有限公司的注册商标)布置，但是本公开不限于此。例如，多个主子像素Pm可以以诸如条结构、马赛克布置结构和三角布置结构的各种构造布置。
图7和图8是各自示意性地示出根据实施例的组件区域中的像素布置结构的布局图。
参照图7，多个辅助子像素Pa可以在组件区域CA中。辅助子像素Pa中的每个可以发射红色、绿色、蓝色和白色中的任何一种的光。
组件区域CA可以包括像素组PG和透射区域TA，像素组PG包括至少一个辅助子像素Pa。像素组PG和透射区域TA在x方向和y方向上交替地布置，并且可以例如以格子形状布置。在这种情况下，组件区域CA可以包括多个像素组PG和多个透射区域TA。
像素组PG可以限定为其中多个辅助子像素Pa成组为预设单元的子像素集合。例如，如图7中所示，一个像素组PG可以包括以
Figure BDA0003191865170000186
结构(
Figure BDA0003191865170000187
是韩国三星显示有限公司的注册商标)布置的八个辅助子像素Pa。也就是说，一个像素组PG可以包括两个第一子像素Pr'、四个第二子像素Pg'和两个第三子像素Pb'。
在组件区域CA中，其中合适或预设数量的像素组PG和合适或预设数量的透射区域TA一起成组的基本单元U可以在x方向和y方向上重复布置。在图7中，基本单元U可以具有其中两个像素组PG和布置在其周围的两个透射区域TA以四边形形状成组的形状。基本单元U是重复形状的划分，并不意味着组成的断裂。
可以设定或选择设置在主显示区域MDA中的具有面积等于基本单元U的面积的对应单元U'。在这种情况下，包括在对应单元U'中的主子像素Pm的数量可以大于包括在基本单元U中的辅助子像素Pa的数量。也就是说，包括在基本单元U中的辅助子像素Pa的数量可以是约16，而包括在对应单元U'中的主子像素Pm的数量可以是约32，并且每相同面积布置的辅助子像素Pa的数量和主子像素Pm的数量可以以约1:2的比率设置。
如图7中所示，其中辅助子像素Pa的布置结构是
Figure BDA0003191865170000181
结构(
Figure BDA0003191865170000182
是韩国三星显示有限公司的注册商标)并且其分辨率是主显示区域MDA的分辨率的约1/2的组件区域CA的像素布置结构被称为1/2
Figure BDA0003191865170000183
结构(
Figure BDA0003191865170000184
是韩国三星显示有限公司的注册商标)。可以根据组件区域CA的分辨率来修改和设计包括在像素组PG中的辅助子像素Pa的数量或布置。
参照图8，组件区域CA的像素布置结构可以以1/4
Figure BDA0003191865170000185
结构(
Figure BDA0003191865170000191
是韩国三星显示有限公司的注册商标)设置。在一些实施例中，像素组PG包括以
Figure BDA0003191865170000192
结构(
Figure BDA0003191865170000193
是韩国三星显示有限公司的注册商标)布置的八个辅助子像素Pa，但是基本单元U可以仅包括一个像素组PG。基本单元U的其它区域可以设置为透射区域TA。因此，每相同面积布置的辅助子像素Pa的数量和主子像素Pm的数量可以以约1:4的比率设置。在这种情况下，一个像素组PG可以被透射区域TA围绕。
在图7和图8中，多个辅助子像素Pa以
Figure BDA0003191865170000194
矩阵结构(
Figure BDA0003191865170000195
是韩国三星显示有限公司的注册商标)布置，但是本公开不限于此。例如，多个辅助子像素Pa可以以诸如条结构、马赛克布置结构和三角布置结构的各种构造布置。
此外，图7和图8中的辅助子像素Pa的形状可以与图6中的主子像素Pm的形状相同，但是本公开不限于此。辅助子像素Pa可以以与主子像素Pm的形状不同的形状布置。
在图7和图8中，辅助子像素Pa在尺寸上等于图6中的主子像素Pm，但是本公开不限于此。辅助子像素Pa的尺寸可以大于发射相同颜色的光的主子像素Pm的尺寸。例如，辅助子像素Pa的第三子像素Pb'的尺寸可以大于主子像素Pm的第三子像素Pb的尺寸。可以考虑组件区域CA与主显示区域MDA之间的亮度和/或分辨率的差异来设计尺寸的差异。
图9是示出根据一些实施例的显示面板的一部分的剖视图，并且示意性地示出了主显示区域和组件区域。
参照图9，显示面板10包括主显示区域MDA和组件区域CA。主子像素Pm可以在主显示区域MDA中，并且辅助子像素Pa可以在组件区域CA中。主显示区域MDA可以包括主像素电路PC和主有机发光二极管OLED，主像素电路PC包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst，并且主有机发光二极管OLED是连接到主像素电路PC的显示元件。组件区域CA可以包括辅助像素电路PC'和辅助有机发光二极管OLED'，辅助像素电路PC'包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'，并且辅助有机发光二极管OLED'是连接到辅助像素电路PC'的显示元件。
根据一些实施例，有机发光二极管用作显示元件。然而，根据其它实施例，无机发光器件或量子点发光器件可以用作显示元件。
现在将在下面描述其中堆叠有包括在显示面板10中的组件的结构。显示面板10可以是基底100、缓冲层111、电路层PCL、显示元件层EDL和作为密封构件的薄膜封装层TFEL的堆叠体。
基底100可以包括绝缘材料(诸如聚合物树脂)。基底100可以是可弯曲的、可折叠的或可卷曲的柔性基底。
在一些实施例中，基底100可以包括顺序地堆叠的第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104。
第一基体层101和第二基体层103可以均包括具有高耐热性的聚合物树脂。例如，第一基体层101和第二基体层103可以包括选自由聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素、乙酸丙酸纤维素和聚亚芳基醚砜组成的组中的至少一种。例如，第一基体层101和第二基体层103可以以聚酰亚胺设置。第一阻挡层102和第二阻挡层104可以均包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铝(Al2O3)和氧化锆(Zr2O3)中的一种。第一阻挡层102和第二阻挡层104可以阻挡环境空气的渗透。
缓冲层111可以布置在基底100上方，可以减少或防止异物、湿气或环境空气从基底100的下部渗透，并且可以在基底100上提供平坦表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机-无机复合材料，并且可以具有无机材料或有机材料的单层结构或多层结构。在一些实施例中，缓冲层111可以包括氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。在一些实施例中，可以通过堆叠氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)来设置缓冲层111。
在组件区域CA中，底部金属层BML可以在基底100与缓冲层111之间。底部金属层BML布置在辅助像素电路PC'下方，并且可以减少或防止由于从例如组件发射的光引起的辅助薄膜晶体管TFT'的特性的劣化。底部金属层BML可以减少或防止从组件等发射或朝向组件行进的光通过连接到辅助像素电路PC'的线之间的窄间隙衍射。
偏置电压可以施加到底部金属层BML。由于底部金属层BML接收偏置电压，所以静电放电发生的可能性可以显著地降低。底部金属层BML可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。底部金属层BML可以是包括上述材料中的一种或更多种的单层或多层。
电路层PCL在缓冲层111上方，并且可以包括像素电路PC和PC'、第一绝缘层112、第二绝缘层113、第三绝缘层115和第一平坦化层117。主像素电路PC可以包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst，并且辅助像素电路PC'可以包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'。
主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'可以在缓冲层111上方。主薄膜晶体管TFT可以包括第一半导体层A1、第一栅电极G1、第一源电极S1和第一漏电极D1，并且辅助薄膜晶体管TFT'可以包括第二半导体层A2、第二栅电极G2、第二源电极S2和第二漏电极D2。主薄膜晶体管TFT可以连接到主有机发光二极管OLED以驱动主有机发光二极管OLED。辅助薄膜晶体管TFT'可以连接到辅助有机发光二极管OLED'以驱动辅助有机发光二极管OLED'。
第一半导体层A1和第二半导体层A2在缓冲层111上方，并且可以包括多晶硅。在其它实施例中，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括非晶硅。在其它实施例中，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以均包括选自由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的组中的至少一种材料的氧化物。第一半导体层A1和第二半导体层A2可以均包括沟道区以及掺杂有杂质的源区和漏区。
第二半导体层A2可以与底部金属层BML叠置且缓冲层111在它们之间。在一些实施例中，第二半导体层A2的宽度可以形成为小于底部金属层BML的宽度，因此，当在垂直于基底100的方向上执行投射时，第二半导体层A2可以与底部金属层BML完全叠置。
第一绝缘层112可以设置为覆盖第一半导体层A1和第二半导体层A2。第一绝缘层112可以包括无机绝缘材料(诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx))。并且，氧化锌(ZnOx)可以是氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。第一绝缘层112可以包括均包含上面陈述的无机绝缘材料的单层或多层。
第一栅电极G1和第二栅电极G2可以在第一绝缘层112上方，以分别与第一半导体层A1和第二半导体层A2叠置。第一栅电极G1和第二栅电极G2中的每个可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)，并且可以形成为单层或多层。例如，第一栅电极G1和第二栅电极G2中的每个可以以单个Mo层设置。
第二绝缘层113可以设置为覆盖第一栅电极G1和第二栅电极G2。第二绝缘层113可以包括无机绝缘材料(诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx))。并且，氧化锌(ZnOx)可以是氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。第二绝缘层113可以包括均包含上面陈述的无机绝缘材料中的一种或更多种的单层或多层。
主存储电容器Cst的第一上电极CE2和辅助存储电容器Cst'的第二上电极CE2'可以在第二绝缘层113上方。
在主显示区域MDA中，第一上电极CE2可以与其下方的第一栅电极G1叠置。彼此叠置且第二绝缘层113在它们之间的第一栅电极G1和第一上电极CE2可以形成主存储电容器Cst。根据一些实施例，第一栅电极G1可以是主存储电容器Cst的第一下电极CE1。在其它实施例中，主存储电容器Cst的第一下电极CE1可以是与主薄膜晶体管TFT的第一栅电极G1分开的独立组件。
在组件区域CA中，第二上电极CE2'可以与其下方的第二栅电极G2叠置。彼此叠置且第二绝缘层113在它们之间的第二栅电极G2和第二上电极CE2'可以形成辅助存储电容器Cst'。在一些实施例中，第二栅电极G2可以是辅助存储电容器Cst'的第二下电极CE1'。在其它实施例中，辅助存储电容器Cst'的第二下电极CE1'可以是与辅助薄膜晶体管TFT'的第二栅电极G2分开的独立组件。
第一上电极CE2和第二上电极CE2'可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以是包括上述材料中的一种或更多种的单层或多层。
第三绝缘层115可以设置为覆盖第一上电极CE2和第二上电极CE2'。第三绝缘层115可以包括无机绝缘材料(诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx))。并且，氧化锌(ZnOx)可以是氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。
数据线DL、源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可以在第三绝缘层115上方。数据线DL、源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可以均包括包含Mo、Al、Cu或Ti的导电材料，并且可以形成包括上面材料中的一种或更多种的单层或多层。例如，数据线DL、源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第一平坦化层117可以布置为覆盖数据线DL、源电极S1和S2以及漏电极D1和D2。第一平坦化层117可以包括有机材料或无机材料，并且可以具有单层结构或多层结构。第一平坦化层117可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的商用聚合物、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物等。第一平坦化层117可以包括无机绝缘材料(诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx))。并且，氧化锌(ZnOx)可以是氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。在形成第一平坦化层117之后，可以对层执行化学抛光和机械抛光以提供平坦的上表面。
第二平坦化层118可以在第一平坦化层117上方。第二平坦化层118可以具有平坦的上表面，使得布置在其上方的第一像素电极121和第二像素电极121'可以形成为基本上平坦的。在一些实施例中，第二平坦化层118可以包括与第一平坦化层117的材料相同的材料。在其它实施例中，第二平坦化层118可以包括与第一平坦化层117的材料不同的材料。在第一平坦化层117上方包括第二平坦化层118可以对高集成度是有利的或合适的。
接触电极CM和CM'可以在第一平坦化层117上方。第一像素电极121和第二像素电极121'可以分别通过布置在第一平坦化层117上方的接触电极CM和CM'分别电连接到主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'。
第一像素电极121和第二像素电极121'可以包括导电氧化物(诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO))。第一像素电极121和第二像素电极121'可以均包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其合金的反射层。例如，第一像素电极121和第二像素电极121'可以均具有其中由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜在上述反射层上方或下方的结构。在这种情况下，第一像素电极121和第二像素电极121'可以具有其中顺序地堆叠有ITO/Ag/ITO的结构。
可以在第二平坦化层118上方的像素限定层119可以覆盖第一像素电极121和第二像素电极121'中的每个的边缘，并且可以包括分别暴露第一像素电极121和第二像素电极121'的至少一部分的第一开口OP1和第二开口OP2。有机发光二极管OLED和OLED'的发光区域(也就是，子像素Pm和Pa)的尺寸和形状可以由第一开口OP1和第二开口OP2限定。
像素限定层119可以通过增加像素电极121和121'的边缘与像素电极121和121'上方的对电极123之间的距离来降低或防止在像素电极121和121'的边缘上发生电弧等的可能性。像素限定层119可以包括有机绝缘材料(诸如PI、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和酚醛树脂)，并且可以通过旋涂等形成。在其它实施例中，间隔件可以进一步设置在像素限定层119上方。
在像素限定层119的第一开口OP1和第二开口OP2内部，第一发射层122b和第二发射层122b'可以布置为分别对应于第一像素电极121和第二像素电极121'。第一发射层122b和第二发射层122b'可以均包括聚合物有机材料或低分子量有机材料，并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
有机功能层122e可以在第一发射层122b和第二发射层122b'上方和/或下方。有机功能层122e可以包括第一功能层122a和/或第二功能层122c。在其它实施例中，可以省略第一功能层122a或第二功能层122c。
第一功能层122a可以在第一发射层122b和第二发射层122b'下方。第一功能层122a可以是包括有机材料的单层或多层。第一功能层122a可以是具有单层结构的空穴传输层(HTL)。可选择地，第一功能层122a可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。第一功能层122a可以一体地设置为对应于分别包括在主显示区域MDA和组件区域CA中的主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'。
第二功能层122c可以在第一发射层122b和第二发射层122b'上方。第二功能层122c可以是包括有机材料的单层或多层。第二功能层122c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层122c可以一体地设置为对应于分别包括在主显示区域MDA和组件区域CA中的有机发光二极管OLED和OLED'。
对电极123可以在第二功能层122c上方。对电极123可以包括具有低功函数的导电材料。例如，对电极123可以包括(半)透明层，该(半)透明层包括例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或那些材料的合金。可选择地，对电极123还可以包括在包括上面描述的材料中的任何材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。对电极123可以一体地设置为对应于分别包括在主显示区域MDA和组件区域CA中的有机发光二极管OLED和OLED'。
在主显示区域MDA中从第一像素电极121到对电极123的层可以形成主有机发光二极管OLED。在组件区域CA中从第二像素电极121'到对电极123的层可以形成辅助有机发光二极管OLED'。
在其它实施例中，包括有机材料的盖层可以形成在对电极123上方。盖层可以设置为保护对电极123，并且还可以提高光提取效率。盖层可以包括具有比对电极123的折射率高的折射率的有机材料。
薄膜封装层TFEL可以作为密封构件布置在显示面板10的显示元件层EDL上方。也就是说，有机发光二极管OLED和OLED'可以被薄膜封装层TFEL密封。薄膜封装层TFEL可以在对电极123上方。薄膜封装层TFEL可以减少或防止外部湿气或异物渗透到有机发光二极管OLED和OLED'中。
薄膜封装层TFEL可以包括至少一个无机膜层和至少一个有机膜层。在这点上，图9示出了其中堆叠有第一无机膜层131、有机膜层132和第二无机膜层133的结构。在其它实施例中，可以改变有机膜层的数量、无机膜层的数量和堆叠顺序。
第一无机膜层131和第二无机膜层133可以均包括至少一种无机绝缘材料(诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx))，并且可以通过化学气相沉积(CVD)等形成。并且，氧化锌(ZnOx)可以是氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。有机膜层132可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括硅树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。
第一无机膜层131、有机膜层132和第二无机膜层133可以一体地形成，以覆盖主显示区域MDA和组件区域CA。
图10是示出根据一些实施例的显示面板的一部分(即，组件区域)的布局图，图11是示出根据一些实施例的显示面板的一部分(即，组件区域)的剖视图，并且图12是图11的区域A的放大图。图11是沿着图10的线I-I’截取的。
参照图10，辅助子像素Pa可以在组件区域CA中。组件区域CA可以包括透射区域TA。辅助子像素Pa可以布置在透射区域TA周围。辅助子像素Pa可以以像素组PG为单位在透射区域TA周围。
透射区域TA可以在像素组PG之间。例如，透射区域TA可以在(例如，在x方向、y方向或倾斜于x方向和y方向的方向上)彼此相邻的两个像素组PG之间。
如图10中所示，透射区域TA可以具有近似十字形形状，并且可以具有其中其边缘具有不规则部的结构。在其它实施例中，透射区域TA可以具有这样的结构：具有总体上圆形(或椭圆形或多边形)形状和不平坦边缘。
底部金属层BML可以在除了透射区域TA之外的组件区域CA中。底部金属层BML可以包括对应于透射区域TA的开口BML_OP。由底部金属层BML限定的开口BML_OP可以具有总体上十字形形状。
谷部分VP可以在底部金属层BML与透射区域TA之间的边界处。谷部分VP可以同底部金属层BML与透射区域TA之间的边界相邻。例如，谷部分VP可以沿着底部金属层BML的边缘形成，并且可以在透射区域TA中。
参照图11，组件区域CA可以包括透射区域TA。基底100、缓冲层111、无机绝缘层IL、第一平坦化层117、第二平坦化层118、像素限定层119和薄膜封装层TFEL可以在组件区域CA中。基底100可以包括第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104。无机绝缘层IL可以包括第一绝缘层112、第二绝缘层113和第三绝缘层115。薄膜封装层TFEL可以包括第一无机膜层131、有机膜层132和第二无机膜层133。
在组件区域CA中，底部金属层BML可以在基底100与缓冲层111之间。底部金属层BML可以不存在于透射区域TA中。通过不在透射区域TA中设置底部金属层BML，可以提高透射区域TA的透光率。
底部金属层BML可以包括对应于透射区域TA的开口BML_OP。例如，透射区域TA可以由底部金属层BML中的开口BML_OP限定。
基底100上方的无机绝缘层IL、第一平坦化层117、第二平坦化层118和像素限定层119可以均包括对应于透射区域TA的孔。无机绝缘层IL可以具有对应于透射区域TA的第一孔ILH。第一孔ILH对应于透射区域TA可以理解为第一孔ILH与透射区域TA叠置。第一孔ILH可以暴露缓冲层111或基底100的上表面的至少一部分。第一孔ILH可以是与透射区域TA对应的第一绝缘层112的开口、第二绝缘层113的开口和第三绝缘层115的开口的叠置的结果。这些开口可以通过分开的工艺单独形成，或者可以通过同一工艺同时形成。当这些开口通过分开的工艺形成时，第一孔ILH的内表面可能不光滑，并且可能具有诸如楼梯形状的台阶。
第一平坦化层117可以具有对应于透射区域TA的第二孔117H。第二孔117H对应于透射区域TA可以理解为第二孔117H与透射区域TA叠置。第二孔117H可以与第一孔ILH叠置。图11示出了大于第一孔ILH的第二孔117H。根据其它实施例，第一平坦化层117可以覆盖无机绝缘层IL的第一孔ILH的边缘，并且第二孔117H可以具有比第一孔ILH的面积小的面积。
第二平坦化层118可以具有对应于透射区域TA的第三孔118H。第三孔118H对应于透射区域TA可以理解为第三孔118H与透射区域TA叠置。第三孔118H可以与第一孔ILH和第二孔117H叠置。图11示出了大于第一孔ILH和第二孔117H的第三孔118H。在其它实施例中，第二平坦化层118设置为覆盖无机绝缘层IL的第一孔ILH的边缘或第一平坦化层117的第二孔117H的边缘，并且第三孔118H的面积可以形成为小于第一孔ILH的面积或第二孔117H的面积。
像素限定层119可以包括对应于透射区域TA的第四孔119H。第四孔119H对应于透射区域TA可以理解为第四孔119H与透射区域TA叠置。第四孔119H可以与第一孔ILH、第二孔117H和第三孔118H叠置。因为第一孔ILH至第四孔119H被限定为对应于透射区域TA，所以可以提高透射区域TA中的透光率。上面描述的有机功能层122e和对电极123的一部分可以在第一孔ILH至第四孔119H的内表面上。
对电极123可以包括对应于透射区域TA的第五孔123H。第五孔123H对应于透射区域TA可以理解为第五孔123H与透射区域TA叠置。在图11中，第五孔123H的面积设置为大于形成在无机绝缘层IL中的第一孔ILH的面积。然而，本公开不限于此。在其它实施例中，第五孔123H的面积可以设置为小于或等于第一孔ILH的面积。
由于第五孔123H，对电极123的一部分不存在于透射区域TA中，并且可以显著地提高透射区域TA中的透光率。具有第五孔123H的对电极123可以以各种方式形成。根据一些实施例，在用于形成对电极123的材料沉积在基底100的整个表面上之后，经由激光剥离去除沉积的材料的对应于透射区域TA的部分，因此，可以形成具有第五孔123H的对电极123。根据其它实施例，可以通过金属自图案化(MSP)形成具有第五孔123H的对电极123。根据其它实施例，可以经由使用精细金属掩模(FMM)的沉积方法形成具有第五孔123H的对电极123。
谷部分VP可以在底部金属层BML与透射区域TA之间的边界处。谷部分VP可以同底部金属层BML与透射区域TA之间的边界相邻。例如，谷部分VP沿着底部金属层BML的边缘形成，并且可以在透射区域TA中。
谷部分VP可以在第二阻挡层104上方。可以通过用干法蚀刻工艺蚀刻第二阻挡层104和缓冲层111的至少一部分来形成谷部分VP。因此，谷部分VP可以在第二基体层103上方。在谷部分VP中，可以布置有机功能层122e的第一功能层122a和第二功能层122c。此外，薄膜封装层TFEL或其一部分可以在谷部分VP中。例如，第一无机膜层131和/或有机膜层132可以在谷部分VP中。
在对电极123的情况下，在对电极123形成在整个基底100上之后，可以经由激光剥离去除对电极123的对应于透射区域TA的部分。在这种情况下，有机功能层122e的上界面可能被热损坏，因为对电极123保留在有机功能层122e上方，或者因为有机功能层122e和薄膜封装层TFEL(例如，第一无机膜层131)可能由于底部金属层BML与透射区域TA之间的台阶差而剥离，所以有机功能层122e与薄膜封装层TFEL(例如，第一无机膜层131)之间的粘合性可能降低。
在一些实施例中，通过在同底部金属层BML与透射区域TA之间的边界相邻的位置中设置谷部分VP，可以提高有机功能层122e与薄膜封装层TFEL(例如，第一无机膜层131)之间的粘合性，因此，可以降低或防止有机功能层122e和薄膜封装层TFEL(例如，第一无机膜层131)剥离或分离的可能性。
参照图12，可以通过蚀刻第二阻挡层104和缓冲层111的至少一部分来形成谷部分VP。谷部分VP可以设置有相对于第二阻挡层104约2000埃
Figure BDA0003191865170000281
或更大且约8000埃
Figure BDA0003191865170000291
或更小的高度h1(谷部分VP通过(例如，用蚀刻)去除第二阻挡层104和缓冲层111的至少一部分而设置)。例如，谷部分VP可以设置有相对于第二阻挡层104约5000埃
Figure BDA0003191865170000292
或更大且约7000埃
Figure BDA0003191865170000293
或更小的高度h1(谷部分VP通过用蚀刻去除第二阻挡层104和缓冲层111的至少一部分而设置)。
第一无机膜层131可以设置有给定厚度或更大厚度，以保护有机发光二极管OLED和OLED'免受外部湿气或异物影响。由于第一无机膜层131的厚度，当谷部分VP的至少一部分具有相对于第二阻挡层104小于约2000埃
Figure BDA0003191865170000294
的高度h1(谷部分VP通过用蚀刻去除第二阻挡层104和缓冲层111的至少一部分而设置)时，可能难以实现提高有机功能层122e与薄膜封装层TFEL(例如，第一无机膜层131)的粘合性的目的。
此外，第二阻挡层104在第二基体层103上方以减少或阻挡异物、湿气或环境空气从底部渗透，并且当第二阻挡层104薄时，可能存在显示面板被损坏的情况。当谷部分VP设置有相对于第二阻挡层104大于约8000埃
Figure BDA0003191865170000295
的高度h1(谷部分VP通过去除第二阻挡层104和缓冲层111的至少一部分而设置)时，第二阻挡层104在第二基体层103与谷部分VP之间的厚度减小，并且可能存在其中显示面板被异物、湿气或环境空气损坏的情况。
因此，当谷部分VP设置有相对于第二阻挡层104约2000埃
Figure BDA0003191865170000296
或更大且约8000埃
Figure BDA0003191865170000297
或更小的高度h1(谷部分VP通过去除第二阻挡层104和缓冲层111的至少一部分而设置)时，提高了有机功能层122e与薄膜封装层TFEL(例如，第一无机膜层131)的粘合性，因此，可以防止有机功能层122e和薄膜封装层TFEL(例如，第一无机膜层131)剥离。
然而，当谷部分VP设置为相对于第二阻挡层104高(谷部分VP通过用蚀刻去除第二阻挡层104和缓冲层111的至少一部分而设置)时，有机功能层122e与薄膜封装层TFEL(例如，第一无机膜层131)之间的接触面积增大，并且可以进一步提高有机功能层122e与薄膜封装层TFEL(例如，第一无机膜层131)之间的粘合性，因此，例如，谷部分VP可以设置有相对于第二阻挡层104约5000埃
Figure BDA0003191865170000298
或更大且约7000埃
Figure BDA0003191865170000299
或更小的高度h1(谷部分VP通过用蚀刻去除第二阻挡层104和缓冲层111的至少一部分而设置)。
第二基体层103和谷部分VP可以彼此隔开预设间隔，以减少或阻挡异物、湿气或环境空气从底部渗透。谷部分VP的下表面VPa和第二基体层103的上表面103a可以隔开约2000埃
Figure BDA0003191865170000301
或更大的距离d1。例如，谷部分VP的下表面VPa和第二基体层103的上表面103a可以隔开约5000埃
Figure BDA0003191865170000302
或更小的距离d1。
图10至图12示出了一个谷部分VP设置为同底部金属层BML与透射区域TA之间的边界相邻，但是本公开不限于此。例如，两个或更多个谷部分VP可以设置在同底部金属层BML与透射区域TA之间的边界相邻的区域中。
图13是示出根据一些实施例的显示面板的一部分(即，组件区域)的布局图，图14是示出根据一些实施例的显示面板的一部分(即，组件区域)的剖视图，并且图15是图14的区域B的放大图。图14是沿着图13的线II-II’截取的。图13至图15的实施例与图10至图12的实施例的不同之处在于：谷部分VP至少部分地与底部金属层BML叠置。在图13至图15中，与图10至图12的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且将省略其冗余描述。
参照图13和图14，谷部分VP可以在底部金属层BML与透射区域TA之间的边界处。谷部分VP可以同底部金属层BML与透射区域TA之间的边界相邻。谷部分VP可以布置为至少部分地与底部金属层BML叠置。
谷部分VP可以在缓冲层111上方。可以通过用干法蚀刻工艺蚀刻缓冲层111和无机绝缘层IL的至少一部分来形成谷部分VP。例如，可以通过干法蚀刻工艺蚀刻缓冲层111、第一绝缘层112、第二绝缘层113和第三绝缘层115的至少一部分来形成谷部分VP。因此，谷部分VP可以在底部金属层BML上方。
在谷部分VP中，可以布置有机功能层122e的第一功能层122a和第二功能层122c。因为谷部分VP至少部分地与底部金属层BML叠置，所以对电极123可以在谷部分VP内。此外，薄膜封装层TFEL或其一部分可以在谷部分VP中。例如，第一无机膜层131和/或有机膜层132可以在谷部分VP中。
在一些实施例中，通过在同底部金属层BML与透射区域TA之间的边界相邻的位置处设置与底部金属层BML至少部分地叠置的谷部分VP，可以降低或防止薄膜封装层TFEL(例如，第一无机膜层131)剥离的可能性。
参照图15，可以蚀刻缓冲层111、第一绝缘层112、第二绝缘层113和第三绝缘层115的至少一部分来形成谷部分VP。谷部分VP可以设置有相对于缓冲层111约2000埃
Figure BDA0003191865170000303
或更大且约10000埃
Figure BDA0003191865170000304
或更小的高度h2(谷部分VP通过用蚀刻去除缓冲层111、第一绝缘层112、第二绝缘层113和第三绝缘层115的至少一部分而设置)。
然而，当通过用蚀刻去除与谷部分VP对应的至少一部分而将谷部分VP设置为相对于缓冲层111较高时，有机功能层122e与薄膜封装层TFEL(例如，第一无机膜层131)之间的接触面积增大，并且可以进一步提高有机功能层122e与薄膜封装层TFEL(例如，第一无机膜层131)之间的粘合性，因此，例如，谷部分VP可以设置有相对于缓冲层111约5000埃
Figure BDA0003191865170000311
或更大且约10000埃
Figure BDA0003191865170000312
或更小的高度h2(谷部分VP在去除缓冲层111、第一绝缘层112、第二绝缘层113和第三绝缘层115的至少一部分的同时设置)。
当底部金属层BML和谷部分VP彼此相邻地布置时，由于谷部分VP中的有机功能层122e和/或对电极123，底部金属层BML中可能发生短路。因此，为了降低或防止在底部金属层BML中发生短路的可能性，底部金属层BML和谷部分VP可以彼此隔开(例如，以预设间隔彼此隔开)。
谷部分VP的下表面VPa和底部金属层BML的上表面BMLa可以隔开约1000埃
Figure BDA0003191865170000313
或更大的距离d2。例如，谷部分VP的下表面VPa和底部金属层BML的上表面BMLa可以隔开约1000埃
Figure BDA0003191865170000314
或更大且约5000埃
Figure BDA0003191865170000315
或更小的距离d2。
图13至图15示出了一个谷部分VP设置为同底部金属层BML与透射区域TA之间的边界相邻，但是本公开不限于此。在其它实施例中，两个或更多个谷部分VP可以设置在同底部金属层BML与透射区域TA之间的边界相邻的区域中。
图16是示出根据一些实施例的显示面板的一部分(即，组件区域)的布局图，并且图17是示出根据一些实施例的显示面板的一部分(即，组件区域)的剖视图。图17是沿着图16的线III-III’截取的。图16和图17的实施例与图10至图15的实施例的不同之处在于：谷部分VP包括第一谷部分VP1和第二谷部分VP2。在图16和图17中，与图10至图15的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且将省略其冗余描述。
参照图16和图17，谷部分VP可以在底部金属层BML与透射区域TA之间的边界处。谷部分VP可以同底部金属层BML与透射区域TA之间的边界相邻。谷部分VP可以包括第一谷部分VP1和第二谷部分VP2。第一谷部分VP1可以沿着底部金属层BML的边缘形成并且布置在透射区域TA中，并且第二谷部分VP2可以布置为至少部分地与底部金属层BML叠置。
第一谷部分VP1可以在第二阻挡层104上方。可以通过用干法蚀刻工艺蚀刻第二阻挡层104和缓冲层111的至少一部分来形成第一谷部分VP1。因此，第一谷部分VP1可以在第二基体层103上方。在第一谷部分VP1中，可以布置有机功能层122e的第一功能层122a和第二功能层122c。此外，薄膜封装层TFEL或其一部分可以在第一谷部分VP1中。例如，第一无机膜层131和/或有机膜层132可以在第一谷部分VP1中。
第二谷部分VP2可以在缓冲层111上方。可以通过用干法蚀刻工艺蚀刻缓冲层111和无机绝缘层IL的至少一部分来形成第二谷部分VP2。例如，可以蚀刻(例如，通过干法蚀刻工艺蚀刻)缓冲层111、第一绝缘层112、第二绝缘层113和第三绝缘层115的至少一部分来形成第二谷部分VP2。因此，第二谷部分VP2可以在底部金属层BML上方。
在第二谷部分VP2中，可以布置有机功能层122e的第一功能层122a和第二功能层122c。因为第二谷部分VP2至少部分地与底部金属层BML叠置，所以对电极123可以在第二谷部分VP2内。此外，薄膜封装层TFEL或其一部分可以在第二谷部分VP2中。例如，第一无机膜层131和/或有机膜层132可以在第二谷部分VP2中。
通过设置同底部金属层BML与透射区域TA之间的边界相邻的第一谷部分VP1和第二谷部分VP2，提高了有机功能层122e与薄膜封装层TFEL(例如，第一无机膜层131)之间的粘合性，因此，可以降低或防止有机功能层122e和薄膜封装层TFEL(例如，第一无机膜层131)剥离的可能性。
图18是示出显示面板的一部分(即，组件区域)的布局图，图19是图18的区域C的放大图。图18的实施例与图10的实施例的不同之处在于：谷部分VP具有不平坦的结构。在图18中，与图10的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且将省略其冗余描述。
参照图18和图19，底部金属层BML可以包括与透射区域TA对应的开口BML_OP。底部金属层BML的限定对应于透射区域TA的开口BML_OP的边缘可以包括第一凸形部分CP1。底部金属层BML的边缘可以包括其中第一凸形部分CP1连续地和/或规则地布置的结构，并且朝向开口BML_OP的中心取向的第一凹形部分PP1可以设置在相邻的第一凸形部分CP1之间。第一凹形部分PP1可以具有如图19中所示的较尖的形状，并且在其它实施例中可以具有较圆的形状。
第一凸形部分CP1可以具有半圆形形状。作为其它实施例，第一凸形部分CP1可以具有各种形状(诸如基本上半椭圆形形状、近似三角形形状或近似正方形形状)。
当底部金属层BML的边缘包括第一凸形部分CP1时，可以减小或最小化向组件行进的光通过开口BML_OP的衍射，因此，可以充分确保由组件接收的光的分辨率。
谷部分VP可以在底部金属层BML与透射区域TA之间的边界处。例如，谷部分VP可以同底部金属层BML与透射区域TA之间的边界相邻。谷部分VP沿着底部金属层BML的边缘形成，并且可以在透射区域TA中。
谷部分VP可以包括与设置在底部金属层BML的边缘处的第一凸形部分CP1对应的第二凸形部分CP2。设置在谷部分VP中的第二凸形部分CP2的形状可以对应于设置在底部金属层BML的边缘处的第一凸形部分CP1的形状。例如，设置在谷部分VP中的第二凸形部分CP2的形状可以与设置在底部金属层BML的边缘处的第一凸形部分CP1的形状相同或类似。
第二凹形部分PP2可以设置在谷部分VP中设置的第二凸形部分CP2之间。如在第二凹形部分PP2的情况下，第二凹形部分PP2的形状可以对应于设置在底部金属层BML的边缘处的第一凹形部分PP1的形状。例如，第二凹形部分PP2的形状可以与设置在底部金属层BML的边缘处的第一凹形部分PP1的形状相同或类似。
当谷部分VP包括第二凸形部分CP2时，可以减小或最小化向组件行进的光的衍射，因此，可以充分确保由组件接收的光的分辨率。
图20是示出根据一些实施例的显示面板的一部分(即，组件区域)的布局图。图20的实施例与图10的实施例的不同之处在于：谷部分VP具有孤立形状。在图20中，与图10的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且将省略其冗余描述。
参照图20，谷部分VP可以在底部金属层BML与透射区域TA之间的边界处。例如，谷部分VP可以同底部金属层BML与透射区域TA之间的边界相邻。谷部分VP可以在透射区域TA中，并且可以具有孤立形状。也就是说，谷部分VP可以不一体地设置，而是可以通过彼此隔开而以多个且以孤立形状设置。
在图20中，谷部分VP被示出为具有点形状或圆形形状，但是本公开不限于此。谷部分VP可以以各种形状(诸如其中线彼此隔开的形状以及其中椭圆彼此隔开的形状)设置。
如上面描述的，根据一些实施例的显示面板和包括显示面板的显示装置可以包括同底部金属层与透射区域之间的边界相邻的谷部分，从而降低或防止薄膜封装层剥离的可能性。
应该理解的是，在此描述的实施例应该仅以描述性含义考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求以及包括在其中的其功能性等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示面板，所述显示面板包括：
主显示区域；
组件区域，具有透射区域；
外围区域，在所述主显示区域外部；
基底；
底部金属层，在所述基底上，并且限定对应于所述透射区域的开口；
谷部分，同所述底部金属层与所述透射区域之间的边界相邻；以及
薄膜封装层，在所述谷部分上，并且包括无机层和有机层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述谷部分沿着所述底部金属层的边缘形成，并且布置在所述透射区域中。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述基底包括基体层和在所述基体层上方的阻挡层，并且
其中，所述谷部分在所述阻挡层上方。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述谷部分的下表面和所述基体层的上表面隔开至少2000埃。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述谷部分具有相对于所述阻挡层5000埃或更大且7000埃或更小的高度。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述无机层在所述谷部分中。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述谷部分至少部分地与所述底部金属层叠置。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述谷部分的下表面和所述底部金属层的上表面隔开1000埃或更大。
9.根据权利要求7所述的显示面板，所述显示面板还包括在所述基底上方的缓冲层，其中，所述谷部分具有相对于所述缓冲层5000埃至10000埃的高度。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述谷部分包括：
第一谷部分，沿着所述底部金属层的边缘形成并且布置在所述透射区域中；以及
第二谷部分，至少部分地与所述底部金属层叠置。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其中，所述无机层在所述第一谷部分中且在所述第二谷部分中。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述底部金属层的限定所述开口的边缘包括第一凸形部分。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述谷部分沿着所述底部金属层的所述边缘形成，并且布置在所述透射区域中。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述谷部分包括与所述第一凸形部分对应的第二凸形部分。
15.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述谷部分在所述透射区域中，并且具有孤立形状。
16.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，所述显示面板包括：主显示区域；组件区域，具有透射区域；外围区域，在所述主显示区域外部；基底；底部金属层，在所述基底上，并且限定对应于所述透射区域的开口；谷部分，同所述底部金属层与所述透射区域之间的边界相邻；以及薄膜封装层，在所述谷部分上，并且包括无机层和有机层；以及
组件，布置在所述显示面板下方以与所述组件区域对应。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述组件包括成像装置或传感器。
18.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述谷部分沿着所述底部金属层的边缘形成，并且布置在所述透射区域中。
19.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述谷部分至少部分地与所述底部金属层叠置。
20.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述谷部分包括：
第一谷部分，沿着所述底部金属层的边缘形成并且布置在所述透射区域中；以及
第二谷部分，至少部分地与所述底部金属层叠置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101367305B1 (ko) * 2008-02-15 2014-02-27 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR102370035B1 (ko) * 2015-02-05 2022-03-07 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 기판, 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법
KR102389622B1 (ko) * 2015-09-17 2022-04-25 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법
KR102315502B1 (ko) * 2017-04-14 2021-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판
KR102394984B1 (ko) 2017-09-04 2022-05-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102527993B1 (ko) 2018-01-05 2023-05-04 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그의 제조방법
KR20200090299A (ko) * 2019-01-18 2020-07-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함한 디스플레이 장치
KR20200102580A (ko) * 2019-02-21 2020-09-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
KR102698884B1 (ko) * 2019-05-13 2024-08-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
KR102698880B1 (ko) * 2019-05-13 2024-08-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
KR20210050058A (ko) * 2019-10-25 2021-05-07 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
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