CN103887321A - 发光显示装置及其制造方法 - Google Patents
发光显示装置及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103887321A CN103887321A CN201310418200.4A CN201310418200A CN103887321A CN 103887321 A CN103887321 A CN 103887321A CN 201310418200 A CN201310418200 A CN 201310418200A CN 103887321 A CN103887321 A CN 103887321A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- insulation film
- electrode
- layer
- luminescent
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 123
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 217
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 197
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 70
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 59
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 22
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 5
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 claims description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 218
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 3
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 3
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C\C(O)=C\C(C)=O.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N 0.000 description 1
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004534 enameling Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种发光显示装置及其制造方法。发光显示装置，包括：基板；第一电极，布置在基板上；第一绝缘薄膜，布置在基板上且包括暴露第一电极的一部分的第一开口；第二绝缘薄膜，布置在第一绝缘薄膜上且包括暴露第一开口的第二开口；发光层，包括发光材料，发光层布置在第一电极的暴露部分上，且还与第一绝缘薄膜接触；及第二电极，布置在发光层上，其中第一电极相对于发光材料的润湿和第一绝缘薄膜相对于发光材料的润湿之间的差异低于第一电极相对于发光材料的润湿和第二绝缘薄膜相对于发光材料的润湿之间的差异。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光显示装置及其制造方法。
背景技术
典型地，平板显示装置可分为光发射型和光接收型。光发射型显示装置可以是扁平阴极射线管、等离子体显示面板、电致发光装置或发光二极管。光接收型显示装置可以是液晶显示器。其中，电致发光装置具有宽视角、出众的对比度和高响应速度的优点，从而被视为下一代显示装置。依据形成发光层的材料，这种电致发光装置分为无机发光装置和有机发光装置。
有机发光装置具有由在阳极和阴极之间配置的有机材料制成的发光层。如果阳极电压和阴极电压分别施加到这些电极上，从阳极注入的空穴穿过空穴注入层和空穴传输层移动到发光层，而电子穿过电子注入层和电子传输层移动到发光层。在发光层内，电子和空穴复合。通过这种复合，产生激子，且由于激子从激发状态转化为基态，发光层发光得以显示图像。
这样的有机发光装置包括具有暴露阳极的开口的像素限定膜，并且发光层形成在通过像素限定膜的开口而暴露的阳极上。
另一方面，发光层可借由喷墨印刷技术在通过像素限定膜开口暴露的阳极上印刷发光材料形成。
然而，由于阳极和像素限定膜之间材料的差异，在像素限定膜开口内的阳极相对于发光材料的润湿与像素限定膜的润湿是不同的。因此，发光层会以不均匀的厚度形成在像素限定膜开口内的阳极区域和像素限定膜区域。
进一步地，当发光材料借由喷墨印刷技术印刷在通过像素限定膜的开口暴露的阳极上时，发光材料可逃脱像素限定膜的开口。
因此，在借由喷墨印刷技术在通过像素限定膜的开口暴露的阳极上印刷发光材料的情况下，难以以均匀厚度在像素限定膜的开口内部形成发光层，并在开口内部精确定位发光层。
发明内容
因此，本发明要解决的一个问题是提供一种发光显示装置，所述发光显示装置通过在期望空间内以均匀厚度精确定位发光层能够实现均匀发光。
本发明要解决的另一个问题是提供一种用于制造发光显示装置的方法，所述发光显示装置通过在期望空间内以均匀厚度精确定位发光层能够实现均匀发光。
本发明的另外的优点、主题和特征的一部分将在下面的描述中说明，其他部分对于本领域的技术人员将经下面的检验或从本发明的实践中学习。
根据本发明的一个方面，提供了一种发光显示装置，包括：基板；第一电极，布置在基板上；第一绝缘薄膜，布置在基板上且包括暴露第一电极的一部分的第一开口；第二绝缘薄膜，布置在第一绝缘薄膜上且包括暴露第一开口的第二开口；发光层，包括发光材料，发光层布置在第一电极被第一开口暴露的部分上，且还与第一绝缘薄膜接触；及第二电极，布置在发光层上，其中第一电极相对于发光材料的润湿和第一绝缘薄膜相对于发光材料的润湿之间的差异可低于第一电极相对于发光材料的润湿和第二绝缘薄膜相对于发光材料的润湿之间的差异。
第一绝缘薄膜相对于发光材料的润湿可基本上与第一电极相对于发光材料的润湿相同。第一电极和第一绝缘薄膜相对于发光材料的接触角可等于或低于10°，且第二绝缘薄膜相对于发光材料的接触角可等于或高于50°。第一电极可包括ITO（氧化铟锡），且第一绝缘薄膜可包括二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。第一绝缘薄膜可包括选自由二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中的材料，且第二绝缘薄膜可包括选自由双对氯甲基苯（BCB）、聚酰亚胺（PI）、聚酰胺（PA）、丙烯酸树脂和酚醛树脂组成的组中的材料。发光层可包括包含Se的无机材料、包含Zn的无机材料、低分子有机材料和高分子有机材料中的一种或多种材料。第二绝缘薄膜可包括感光材料。
基板可包括多个像素，且第一绝缘薄膜可以是限定多个像素中每个像素的像素限定膜。多个像素可包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，发光层可包括：红色有机发光层，布置在红色像素区域内；绿色有机发光层，布置在绿色像素区域内；及蓝色有机发光层，布置在蓝色像素区域内。发光层可包括白色有机层。白色有机层可包括红色有机层、绿色有机层和蓝色有机层。白色有机层可替代包括黄色有机层和蓝色有机层。
根据本发明的另一个方面，提供了一种制造发光显示装置的方法，包括：在基板上形成第一电极；在基板上形成第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜，第一绝缘薄膜可具有暴露第一电极的一部分的第一开口且第二绝缘薄膜可具有对应于第一开口的第二开口；在第一电极的暴露部分形成发光层，发光层包括发光材料且接触第一绝缘薄膜；及在发光层上形成第二电极，第一电极相对于发光材料的润湿和第一绝缘薄膜相对于发光材料的润湿之间的差异可低于第一电极相对于发光材料的润湿和第二绝缘薄膜相对于发光材料的润湿之间的差异。
形成第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜可包括：在基板的整个表面上沉积第一绝缘材料以覆盖第一电极；在第一绝缘材料的整个表面上沉积第二绝缘材料；在第二绝缘材料的上部分上布置掩膜，掩膜可具有对应于第一电极的一部分的开口；用光曝光第二绝缘材料；通过使用显影剂显影第二绝缘材料形成具有第二开口的第二绝缘薄膜；及通过使用第二绝缘薄膜作为蚀刻掩膜蚀刻第一绝缘材料形成具有第一开口的第一绝缘薄膜。
形成第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜可替代包括：在基板的整个表面上沉积第一绝缘材料以覆盖第一电极；在所述第一绝缘材料的整个表面上沉积光刻胶膜；在所述光刻胶膜的上部分上布置第一掩膜，所述第一掩膜具有对应于第一电极的一部分的第一开口；通过使用光曝光光刻胶膜；通过使用显影剂显影光刻胶膜形成光刻胶图案；通过使用光刻胶图案作为蚀刻掩膜蚀刻第一绝缘材料形成具有第一开口的第一绝缘薄膜；移除光刻胶图案；沉积第二绝缘材料，第二绝缘材料包括在第一绝缘薄膜上和在通过第一绝缘材料的蚀刻暴露的第一电极的部分上的感光材料；在第二绝缘材料的上部分上布置第二掩膜，第二掩膜具有对应于第一开口的第二开口；用光曝光第二绝缘材料；及通过使用显影剂显影第二绝缘材料形成具有第二开口的第二绝缘薄膜。
形成发光层可包括借由喷墨印刷技术在第一电极的暴露部分上印刷发光材料。形成第一电极可包括在基板上的每个红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域布置第一电极。形成发光层可包括：在红色像素区域形成红色有机发光层；在绿色像素区域形成绿色有机发光层；及在蓝色像素区域形成蓝色有机发光层。发光层的形成可包括在每个红色、绿色和蓝色像素区域内形成白色有机发光层。
附图说明
当结合附图考虑时，通过参考下面的详细描述，本发明的更完整的理解及其许多随之产生的优点将会显而易见，并变得更好理解，在附图中相似的附图标记表示相同或相似的部件，其中：
图1是根据本发明的第一实施例的发光显示装置的剖视图；
图2是说明图1中例示的在发光层的发光材料和第一电极之间的接触角、和在发光层的发光材料和第一绝缘薄膜之间的接触角的剖视图；
图3是说明在发光层的发光材料和第二绝缘薄膜之间的接触角的剖视图；
图4是根据本发明的实施例的制造发光显示装置的方法的流程图；
图5示出了根据本发明的第一实施例的形成在基板上的第一电极；
图6示出了根据本发明的第一实施例的形成在图5所示的结构上的第一绝缘材料；
图7示出了根据本发明的第一实施例的形成在图6所示的结构上的包含感光材料的第二绝缘材料；
图8例示了根据本发明的第一实施例的曝光工艺，其中掩膜被用于图案化第二绝缘材料；
图9例示了根据本发明的第一实施例的通过显影工艺图案化后的第二绝缘薄膜；
图10例示了根据本发明的第一实施例的图案化的第一绝缘薄膜，其中第二绝缘薄膜充当蚀刻掩膜；
图11例示了根据本发明的第一实施例的借由喷墨印刷技术在第一电极的暴露部分之上的发光材料的应用；
图12例示了根据本发明的第一实施例的完全形成的发光层；
图13例示了根据本发明的第一实施例在发光层顶部第二电极的形成；
图14例示了根据本发明的第二实施例的在第一绝缘薄膜之上光刻胶膜的应用；
图15例示了根据本发明的第二实施例的曝光工艺，其中掩膜用于对布置在第一绝缘材料上的光刻胶膜进行图案化；
图16例示了根据本发明的第二实施例的显影后的光刻胶图案；
图17例示了根据本发明的第二实施例的蚀刻工艺和剥离工艺后的布置在完成的第一绝缘薄膜上的第一开口；
图18例示了根据本发明的第二实施例的在图17的结构之上的包含感光材料的第二绝缘材料的应用；
图19例示了根据本发明的第二实施例的用于图案化第二绝缘材料的曝光工艺，其中使用第二曝光掩膜；
图20例示了根据本发明的第二实施例的显影后具有开口的完成的第二绝缘薄膜；
图21是根据本发明的第二实施例的发光显示装置的剖视图；
图22是根据本发明的第三实施例的发光显示装置的剖视图；
图23是例示了在图22所示的发光显示装置内白色有机发光层的一个结构的剖视图；及
图24是例示了在图22所示的发光显示装置内白色有机发光层的另一个结构的剖视图。
具体实施方式
通过参照优选实施例和附图的以下详细描述，可以更容易地理解本发明及实现本发明的方法的优点和特征。然而，本发明可以实施为很多不同的形式，不应该被解释为限于在此提出的各实施例。相反，这些实施例被提供为以使本公开全面和完整，并将本发明的思想充分传达给本领域技术人员，并且本发明仅由随附的权利要求书限定。
还应理解，当层被提及为在另一层或基板“上”，其可直接在其他层或基板上，或者可存在中间层。在整个说明书中，相同的参考标记表示相同的部件。
将理解，尽管术语第一、第二、第三等在此可被用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区别开。因此，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不背离本发明的教导。
以下，参考附图描述本发明的实施例。
现在转向图1-3，图1是根据本发明的第一实施例的发光显示装置的剖视图；图2是说明图1中例示的在发光层的发光材料和第一电极之间的接触角、和在发光层的发光材料和第一绝缘薄膜之间的接触角的剖视图；且图3是说明在发光层的发光材料和第二绝缘薄膜之间的接触角的剖视图。
现在参考图1，根据本发明的一个实施例的发光显示装置100包括基板110、第一电极120、第一绝缘薄膜130、第二绝缘薄膜140、发光层150和第二电极160。
基板110可包括绝缘基板。绝缘基板可由将SiO2作为主要成分的透明玻璃材料制成。在一些实施例中，绝缘基板可由不透明材料或塑料材料制成。进一步地，绝缘基板可以是柔性基板。
尽管未被例示，基板110可进一步包括形成在绝缘基板上的其他结构。其他结构的实例可以是电线、电极、绝缘薄膜等等。在一些实施例中，基板110可包括多个形成在绝缘基板上的薄膜晶体管。多个薄膜晶体管的至少一部分的漏电极可被电连接到第一电极120。薄膜晶体管可包括有源区，有源区由非晶硅、多晶硅或单晶硅组成。在其他实施例中，薄膜晶体管可包括由氧化物半导体制成的有源区。
第一电极120形成在基板110上。第一电极120可以是接收施加到薄膜晶体管漏电极的信号并向发光层150提供空穴的阳极，或接收信号并向发光层150提供电子的阴极。第一电极120可用作透明电极或反射电极。在第一电极120用作透明电极的情况下，其可由ITO（氧化铟锡）、IZO（氧化铟锌）、ZnO（氧化锌）或In2O3制成。在第一电极120用作反射电极的情况下，其可通过用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物形成反射薄膜后在反射薄膜上形成ITO、IZO、ZnO或In2O3形成。
第一绝缘薄膜130形成在第一电极120上以限定暴露第一电极120的空间。即，第一绝缘薄膜130形成在第一电极120上以提供暴露第一电极120的第一开口131。因此，第一绝缘薄膜130允许发光层150通过第一开口131形成在第一电极120上。
第二绝缘薄膜140形成在第一绝缘薄膜130上以提供暴露第一开口131的第二开口141。第二绝缘薄膜140允许发光层150通过暴露第一开口131的第二开口141形成在第一电极120上。
第一绝缘薄膜130和第二绝缘薄膜140由绝缘材料制成。第一绝缘薄膜130和第二绝缘薄膜140分别由不同的绝缘材料制成，因此当发光层150的发光材料150a借由喷墨印刷技术印刷在第一电极120上时，第一电极120相对于发光材料150a的润湿和第一绝缘薄膜130相对于发光材料150a的润湿之间的差异变得低于第二绝缘薄膜140相对于发光材料150a的润湿和第一电极120相对于发光材料150a的润湿之间的差异。即，第一绝缘薄膜130由具有润湿的绝缘材料制成，所述润湿基本上相同或相似于第一电极120相对于发光材料150a的润湿，但基本上不同于第二绝缘薄膜140的润湿。
这是因为，如果第一绝缘薄膜的润湿基本上相同或相似于第一电极120相对于发光材料150a的润湿，则当发光层150借由喷墨印刷技术在通过第一绝缘薄膜130的第一开口131暴露的第一电极120上印刷发光材料150a形成时，发光层150不仅能够以均匀厚度形成在第一电极120上，而且能够形成在第一绝缘薄膜130上。如果发光层150以均匀厚度形成在第一绝缘薄膜130的第一开口131内部，则能够实现通过发光层150的均匀发光，并因此能够改善发光显示装置100的显示质量。进一步地，如果第一绝缘薄膜130的润湿不同于第二绝缘薄膜140相对于发光材料150a的润湿，则当发光材料150a借由喷墨印刷技术印刷在通过第一绝缘薄膜130的第一开口131暴露的第一电极120上时，发光材料150a被阻止从第一绝缘薄膜130的第一开口131逃脱。这里，第二绝缘薄膜140可充当屏障以在期望空间内容纳发光层150的发光材料150a并阻止发光层150的发光材料150a逃脱到不期望的区域。
第一电极120、第一绝缘薄膜130和第二绝缘薄膜140相对于发光材料150a的润湿可由针对发光材料150a的接触角表示。接触角是当液体在固体表面热力学平衡时的角度。
如图2例示的，第一电极120和第一绝缘薄膜130相对于发光材料150a的接触角θ1可等于或低于10°。例如，在第一电极120由ITO制成的情况下，第一绝缘薄膜130可由二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅制成。这里，由于第一电极120和第一绝缘薄膜130相对于发光材料150a的接触角θ1等于或小于10°，第一电极120和第一绝缘薄膜130相对于发光材料150a的润湿是出众的。出众的润湿意味着小接触角，以使液体广泛地涂在固体表面，以使液体接触固体表面的程度高。
如图3例示的，第二绝缘薄膜140相对于发光材料150a的接触角θ2可等于或高于50°。例如，在第一绝缘薄膜130由二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅制成的情况下，第二绝缘薄膜140可由双对氯甲基苯（BCB）、聚酰亚胺（PI）、聚酰胺（PA）、丙烯酸树脂和酚醛树脂中的至少一种制成。这里，由于第二绝缘薄膜140相对于发光材料150a的接触角θ2等于或高于50°，第二绝缘薄膜140相对于发光材料150a的润湿是低的。具有低润湿的结构能够充当屏障。
在一些实施例中，第二绝缘薄膜140可形成为包括感光材料。在这种情况下，当具有第一开口131的第一绝缘薄膜130通过光刻工艺形成时，第二绝缘薄膜140可充当掩膜薄膜。因此，第二绝缘薄膜140不单独要求光刻胶膜，并因此制造发光显示装置100的工艺能够被简化。另一方面，在第二绝缘薄膜140不包括感光材料的情况下，具有第一开口131的第一绝缘薄膜130使用单独的掩膜形成。
发光层150形成在通过第一绝缘薄膜130的第一开口131暴露的第一电极120上，且在第一绝缘薄膜130的第一开口131内与第一绝缘薄膜130接触。发光层150通过第一电极120提供的空穴与第二电极160提供的电子的复合发光。更具体地，如果空穴和电子被提供到发光层150，则它们复合形成激子，而发光层150随着激子从激活状态迁移到基态发光。发光层150可由包含Se或Zn的无机材料、低分子有机材料或高分子有机材料制成。
第二电极160形成在发光层150上，且可以是提供电子到发光层150的阴极或提供空穴到发光层150的阳极。以与第一电极120相同的方式，第二电极160可用作透明电极或反射电极。
尽管未被例示，发光显示装置100可进一步包括布置在第二电极160上部分上的密封基板。密封基板可以是绝缘基板。隔离物可配置在第二绝缘薄膜140上的第二电极160和密封基板之间。在本发明的一些实施例中，可省略密封基板。在这种情况下，由绝缘材料制成的密封薄膜可覆盖整个结构以保护结构。
如上所述，发光显示装置100包括分别由不同的绝缘材料制成的第一绝缘薄膜130和第二绝缘薄膜140，因此第一电极120相对于发光材料150a的润湿和第一绝缘薄膜130相对于发光材料150a的润湿之间的差异变得低于第二绝缘薄膜140相对于发光材料150a的润湿和第二电极120相对于发光材料150a的润湿之间的差异。
根据本发明的第一实施例的发光显示装置100，当发光层150借由喷墨印刷技术在通过第一绝缘薄膜130的第一开口131暴露的第一电极120上印刷发光材料150a形成时，发光材料150a被阻止从第一绝缘薄膜130的第一开口131逃脱，从而发光层150以均匀厚度不仅形成在第一电极120上而且形成在第一绝缘薄膜130上。
因此，由于发光层150能够精确定位在期望空间内并能够以均匀厚度形成，能够实现通过发光层150的均匀发光，并因此能够改善发光显示装置100的显示质量。
下一步，对根据本发明的第一实施例的制造发光显示装置100的方法进行描述。
现在转向图4至图13，图4是根据本发明的实施例的制造发光显示装置的方法的流程图，且图5至图13是说明根据本发明的一个实施例的制造发光显示装置的第一方法的剖视图。
参考图4，根据本发明的一个实施例的制造发光显示装置100的方法包括第一电极形成步骤S10、第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜形成步骤S20、发光层形成步骤S30及第二电极形成步骤S40。
参考图5，第一电极形成步骤S10是在基板110上形成第一电极120的步骤。具体地，在第一电极形成步骤S10中，透明电极材料或反射材料沉积在基板110上，在该基板110上形成有薄膜晶体管，且第一电极120通过图案化形成在基板110上。
参考图6至图10，在第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜形成步骤S20中，具有第一开口131的第一绝缘薄膜130形成在基板110上以限定暴露第一电极120的空间，而具有暴露第一开口131的第二开口141的第二绝缘薄膜140形成在第一绝缘薄膜130上。
首先，在第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜形成步骤S20中，如图6例示的，第一绝缘材料130a通过沉积技术沉积在基板110的整个表面以覆盖第一电极120。第一绝缘材料130a是形成第一绝缘薄膜130的材料，且与上述第一绝缘薄膜130的绝缘材料是相同的。
进一步地，在第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜形成步骤S20中，如图7例示的，第二绝缘材料140a通过沉积技术沉积在第一绝缘材料130a的整个表面上。第二绝缘材料140a是形成第二绝缘薄膜140的材料，且与第二绝缘薄膜140的绝缘材料是相同的，且可包括感光材料。
进一步地，在第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜形成步骤S20中，如图8例示的，具有开口11的掩膜10以开口11对应于第一电极120的位置的状态布置在第二绝缘材料140a的上部分上，且用光曝光并用显影剂显影第二绝缘材料140a。因此，如图9例示的，形成具有布置在对应于第一电极120的位置的第二开口141的第二绝缘薄膜140。
进一步地，在第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜形成步骤S20中，如图10例示的，第一绝缘材料130a用第二绝缘薄膜140作为蚀刻掩膜蚀刻，并因此，形成具有布置在对应于第一电极120的位置的第一开口131的第一绝缘薄膜130。
现在参考图11和图12，发光层形成步骤S30是在通过第一开口131暴露的第一电极120上形成发光层150的步骤。具体地，在发光层形成步骤S30中，如图11例示的，发光材料150a借由喷墨印刷技术排出到通过第一开口131暴露的第一电极120上。因此，如图12例示的，形成发光层150。
现在参考图13，第二电极形成步骤S40是通过沉积技术沉积透明电极材料或反射材料到发光层150上形成第二电极160的步骤。
尽管未被例示，根据本发明的第一实施例的制造发光显示装置100的方法可进一步包括在第二电极160的上部分上布置密封基板的步骤。进一步地，根据本发明的实施例的制造发光显示装置100的方法可进一步包括在第二电极160和密封基板之间的布置隔离物的步骤。
下一步，对根据本发明的实施例的制造发光显示装置100的第二方法进行描述。根据本发明的实施例的制造发光显示装置100的第二方法包括图4的流程图所示的步骤。然而，根据本发明的实施例的制造发光显示装置100的第二方法，仅第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜形成步骤S20不同于根据本发明的第一实施例。因此，在下文中仅对用于制造根据本发明的实施例的发光显示装置100的根据第二方法的第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜形成步骤S20进行描述，但省略对第一电极形成步骤S10、发光层形成步骤S30及第二电极形成步骤S40的重复描述。
现在参考图14-20，根据第二方法，在第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜形成步骤S20中，在沉积第二绝缘材料140a之前图案化第一绝缘材料130a以产生第一开口131，因此需要两张掩膜来完成工艺。因此，一在第二绝缘材料140a内形成第二开口141，第一开口131与第一电极120的部分就会暴露。
首先，在第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜形成步骤S20中，如图14例示的，第一绝缘材料130a通过沉积技术沉积在基板110的整个表面上以覆盖第一电极120。第一绝缘材料130a是形成第一绝缘薄膜130的材料，且与上述第一绝缘薄膜130的绝缘材料是相同的。进一步地，在第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜形成步骤S20中，光刻胶膜20a通过沉积技术沉积在第一绝缘材料130a的整个表面上。
进一步地，在第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜形成步骤S20中，如图15例示的，具有第一开口31的第一掩膜30布置在光刻胶膜20a的上部分，第一开口31布置在对应于第一电极120的位置，且用光曝光并用显影剂显影光刻胶膜20a。因此，如图16例示的，形成具有布置到对应于第一电极120的开口21的光刻胶图案20。
进一步地，在第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜形成步骤S20中，第一绝缘材料130a使用光刻胶图案20作为蚀刻掩膜蚀刻，并且如图17例示的，第一绝缘薄膜130产生并具有布置在对应于第一电极120的位置的第一开口131。其后，移除光刻胶图案20。
进一步地，在第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜形成步骤S20中，如图18例示的，第二绝缘材料140a通过沉积技术沉积在第一绝缘薄膜130和第一电极120上。第二绝缘材料140a是形成第二绝缘薄膜140的材料，且与上述第二绝缘薄膜140的绝缘材料是相同的，且可包括感光材料。
进一步地，在第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜形成步骤S20中，如图19例示的，具有第二开口41的第二掩膜40布置在第二绝缘材料140a的上部分上以使第二开口41布置在对应于第一电极120的位置，且用光曝光并用显影剂显影第二绝缘材料140a。因此，如图20例示的，具有第二开口141的第二绝缘薄膜140布置在对应于第一电极120的位置。
下一步，现在对根据本发明的第二实施例的发光显示装置进行描述。现在转向图21，图21是根据本发明的第二实施例的发光显示装置的剖视图。参考图21，根据本发明的第二实施例的发光显示装置200包括基板110，第一电极220，第一绝缘薄膜130，第二绝缘薄膜140，发光层250R、250G和250B，及第二电极160。发光显示装置200实现了分别通过发光层250R、250G和250B发射红光、绿光和蓝光的有机发光显示装置。
第一电极220类似于图1所示的第一电极120。然而，第一电极220为基板110上的每个像素形成。这里，基板110包括多个像素，而多个像素包括红色像素区域I、绿色像素区域II和蓝色像素区域III。在每个红色像素区域I、绿色像素区域II和蓝色像素区域III内形成第一电极220。
发光层250R、250G和250B类似于图1例示的发光层150。然而，发光层250R、250G和250B具体包括红色有机发光层250R、绿色有机发光层250G和蓝色有机发光层250B。
红色有机发光层250R形成在通过在红色像素区域I的第一绝缘薄膜130的开口暴露的第一电极220上。在第一电极220是阳极且第二电极160是阴极的情况下，红色有机发光层250R通过第一电极220提供的空穴与第二电极160提供的电子的复合发射红光。
红色有机发光层250R可具体包括依次层压在第一电极220上的空穴注入层251、红色有机层252R和电子注入层253。空穴注入层251有助于使第一电极220提供的空穴容易地注入红色有机层252R内。空穴注入层251可由有机化合物构成，例如，MTDATA（4，4'，4''-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺）、CuPc（酞菁铜）或PEDOT/PSS（聚3，4-乙撑二氧噻吩，聚磺苯乙烯），但并不限于此。
红色有机层252R基本上通过第一电极220提供的空穴与第二电极160提供的电子的复合发射红光。红色有机层252R可包括一种有机发光材料，或可形成为包括主体和呈红色的掺杂物。主体的实例可以是Alq3、CBP（4，4'-N，N'-二咔唑基联苯）、PVK（聚（N-乙烯基咔唑））、ADN（9，10-二（2-萘基）蒽）、TCTA（4，4'，4''-三（N-咔唑基）三苯胺）、TPBI（1，3，5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯）、TBADN（3-叔丁基-9，10-二（萘-2-基）蒽）、E3（三芴）和DSA（双芪类），但不限于此。另一方面，作为红色掺杂物，可使用PtOEP、Ir（piq）3或Btp2Ir（acac），但不限于此。
电子注入层253有助于使第二电极160提供的电子容易地注入红色有机层252R内。电子注入层253的实例可以是LiF和CsF，但不限于此。
尽管未被例示，红色有机发光层250R可进一步包括空穴传输层和电子传输层，空穴传输层插入在空穴注入层251和红色有机层252R之间以达到空穴的流畅传输，电子传输层插入在电子注入层253和红色有机层252R之间以达到电子的流畅传输。
另一方面，在第一电极220是阴极且第二电极160是阳极的情况下，红色有机发光层250R可包括依次层压在第一电极220上的电子注入层、红色有机层和空穴注入层。即使在这种情况下，红色有机发光层250R可进一步包括形成在电子注入层和红色有机层之间的电子传输层、和形成在空穴注入层和红色有机层之间的空穴传输层。
绿色有机发光层250G形成在通过在绿色像素区域II内的第一绝缘薄膜130的开口暴露的第一电极220上。在第一电极220是阳极且第二电极160是阴极的情况下，绿色有机发光层250G通过第一电极220提供的空穴和第二电极160提供的电子的复合发射绿光。
绿色有机层250G可具体包括依次层压在第一电极220上的空穴注入层251、绿色有机层252G和电子注入层253。绿色有机发光层250G与红色有机发光层250R仅在其具有绿色有机层252G这点上是不同的。因此，对于绿色有机发光层250G，仅对绿色有机层252G进行描述。
绿色有机层252G基本上通过第一电极220提供的空穴和第二电极160提供的电子的复合发射绿光。绿色有机层252G可包括一种有机发光材料，或可形成为包括主体和呈绿色的掺杂物。主体的实例可以是Alq3、CBP（4，4'-N，N'-二咔唑基联苯）、PVK（聚（N-乙烯基咔唑））、ADN（9，10-二（2-萘基）蒽）、TCTA（4，4'，4''-三（N-咔唑基）三苯胺）、TPBI（1，3，5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯）、TBADN（3-叔丁基-9，10-二（萘-2-基）蒽）、E3（三芴）和DSA（双芪类），但不限于此。另一方面，作为绿色掺杂物，可使用Ir（ppy）3、Ir（ppy）2（acac）或Ir（mpyp）3，但不限于此。
蓝色有机发光层250B形成在通过在蓝色像素区域III内的第一绝缘薄膜130的开口暴露的第一电极220上。在第一电极220是阳极且第二电极160是阴极的情况下，蓝色有机发光层250B通过第一电极220提供的空穴和第二电极160提供的电子的复合发射蓝光。
蓝色有机发光层250B可具体包括依次层压在第一电极220上的空穴注入层251、蓝色有机层252B和电子注入层253。蓝色有机发光层250B与红色有机发光层250R仅在其具有蓝色有机层252B这点上是不同的。因此，对于蓝色有机发光层250B，仅对蓝色有机层252B进行描述。
蓝色有机层252B基本上通过第一电极220提供的空穴和第二电极160提供的电子的复合发射蓝光。蓝色有机层252B可包括一种有机发光材料，或可形成为包括主体和呈蓝色的掺杂物。主体的实例可以是Alq3、CBP（4，4'-N，N'-二咔唑基联苯）、PVK（聚（N-乙烯基咔唑））、ADN（9，10-二（2-萘基）蒽）、TCTA（4，4'，4''-三（N-咔唑基）三苯胺）、TPBI（1，3，5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯）、TBADN（3-叔丁基-9，10-二（萘-2-基）蒽）、E3（三芴）和DSA（双芪类），但不限于此。另一方面，作为蓝色掺杂物，可使用F2Irpic、（F2ppy）2Ir（tmd）、Ir（dfppz）3、三芴、DPAVBi（4，4'-双（4-二苯胺基苯乙烯基）联苯）或TBPe（2，5，8，11-四叔丁基苝），但不限于此。
另一方面，在图21中，当发光层250R、250G和250B借由喷墨印刷技术在通过第一绝缘薄膜130的第一开口131暴露的第一电极220上印刷发光层250R、250G和250B的发光材料形成时，第一绝缘薄膜130可充当限定像素的像素限定膜，并且也有助于以均匀厚度在第一电极220和第一绝缘薄膜130的区域都形成发光层250R、250G和250B。
进一步地，在图21中，当发光层250R、250G和250B的发光材料借由喷墨印刷技术印刷在通过第一绝缘薄膜130的第一开口131暴露的第一电极220上时，第二绝缘薄膜140可充当阻止发光材料从第一绝缘薄膜130的第一开口131逃脱的屏障。进一步地，当具有第一开口131的第一绝缘薄膜130通过光刻工艺形成时，在第二绝缘薄膜140包括感光材料的情况下，第二绝缘薄膜140可充当掩膜薄膜。
尽管未被例示，发光显示装置200可进一步包括布置在第二电极160的上部分上的密封基板。密封基板可以是绝缘基板。隔离物可配置在第二绝缘薄膜140上的第二电极160和密封基板之间。在本发明的一些实施例中，可省略密封基板。在这种情况下，由绝缘材料制成的密封薄膜可覆盖整个结构以保护结构。
如上所述，根据本发明的第二实施例的发光显示装置200包括发光层250R、250G和250B以实现有机发光显示装置，并且包括分别由不同的绝缘材料制成的第一绝缘薄膜130和第二绝缘薄膜140，因此第一电极220相对于发光材料的润湿和第一绝缘薄膜130相对于发光材料的润湿之间的差异变得低于第二绝缘薄膜140相对于发光材料的润湿和第二电极220相对于发光材料的润湿之间的差异。
根据本发明的其他实施例的发光显示装置200，当发光层250R、250G和250B借由喷墨印刷技术在通过第一绝缘薄膜130的第一开口131暴露的第一电极220上印刷发光层250R、250G和250B的发光材料形成时，发光层250R、250G和250B的发光材料被阻止从第一绝缘薄膜130的第一开口131逃脱，从而发光层250R、250G和250B以均匀厚度形成在第一电极220和第一绝缘薄膜130两者上。
因此，由于发光层250R、250G和250B精确定位在期望空间内且以均匀厚度形成，能够实现通过发光层250R、250G和250B的均匀发光，并因此能够改善发光显示装置200的显示质量。
另一方面，与根据本发明的图5至图20的制造发光显示装置100的方法相同的步骤被应用于根据本发明的其他实施例的制造发光显示装置200的方法。然而，根据本发明的第二实施例的制造发光显示装置200的方法，在第一电极形成步骤S10中，第一电极220在基板110上按像素布置在红色像素区域I、绿色像素区域II和蓝色像素区域III内。
进一步地，发光层形成步骤S30包括在通过红色像素区域I内的第一绝缘薄膜130的第一开口131暴露的第一电极220上形成红色有机发光层250R，在通过绿色像素区域II内的第一绝缘薄膜130的第一开口131暴露的第一电极220上形成绿色有机发光层250G，和在通过蓝色像素区域III内的第一绝缘薄膜130的第一开口131暴露的第一电极220上形成蓝色有机发光层250B。
下一步，对根据本发明的第三实施例的发光显示装置进行描述。现在转向图22至图24，图22是根据本发明的第三实施例的发光显示装置的剖视图，图23是例示了在图22所示的发光显示装置内的白色有机发光层的一个结构的剖视图，且图24是例示了在图22所示的发光显示装置内的白色有机发光层的另一个结构的剖视图。
现在参考图22，根据本发明的第三实施例的发光显示装置300包括基板110、第一电极320、第一绝缘薄膜130、第二绝缘薄膜140、发光层350、第二电极160及彩色滤光片370。发光显示装置300实现了通过发光层350发射白光的有机发光显示装置。
第一电极320类似于图1所示的第一电极120，然而第一电极320具体为在基板110上的每个像素形成。这里，基板110包括多个像素，且多个像素包括红色像素区域I、绿色像素区域II和蓝色像素区域III。第一电极320形成在红色像素区域I、绿色像素区域II和蓝色像素区域III内。发光层350类似于图1例示的发光层150，然而发光层350具体发射白光。
发光层350形成在通过在红色像素区域I、绿色像素区域II和蓝色像素区域III内的第一绝缘薄膜130的第一开口131暴露的第一电极320上。在第一电极320是阳极且第二电极160是阴极的情况下，发光层350通过第一电极320提供的空穴和第二电极160提供的电子的复合发射白光。
具体地，发光层350可包括依次层压在第一电极320上的空穴注入层351、白色有机层352和电子注入层353。由于空穴注入层351和电子注入层353与图21的空穴注入层251和电子注入层252是相同的，在此省略重复的描述。
白色有机层352具体通过第一电极320提供的空穴与第二电极160提供的电子的复合发射白光。
如图23例示的，通过层压发射红光的红色有机层352R、发射绿色的绿色有机层352G和发射蓝光的蓝色有机层352B可具体配置白色有机层352。白色有机层352发射混合红光、绿光和蓝光的白光。另一方面，在图23中，以举例说明了绿色有机层352G层压在红色有机层352R上，且蓝色有机层352B层压在绿色有机层352G上。然而，本发明并不限于任何这样的层压顺序。由于红色有机层352R、绿色有机层352G和蓝色有机层352B的构造可与红色有机层252R、绿色有机层252G和蓝色有机层252B的构造相同，省略重复的描述。
进一步地，如图24例示的，通过层压发射黄光的黄色有机层352Y和发射蓝光的蓝色有机层352B可具体配置白色有机层352。该白色有机层352发射混合黄光和蓝光的的白光。
彩色滤光片370布置在第二电极160的上部分上，且包括布置在红色像素区域I内的红色滤光片370R、布置在绿色像素区域II内的绿色滤光片370G和布置在蓝色像素区域III内的蓝色滤光片370B。彩色滤光片370通过过滤发光层350发射的白光可发射红光、绿光和蓝光。
在图22中，举例说明了顶部发射型有机发光显示装置，然而在底部发射型有机发光显示装置的情况下，彩色滤光片可被安装在基板的底部表面上。作为另一个实例，可在装置内以有机薄膜如COA（阵列上彩色滤光片）结构的形式提供彩色滤光片。
另一方面，在图22中，当发光层350借由喷墨印刷技术印刷发光材料形成时，第一绝缘薄膜130可充当限定像素的像素限定膜，并且也有助于以均匀厚度在第一电极320和第一绝缘薄膜130的区域上形成发光层350。
进一步地，在图22中，当发光层350的发光材料借由喷墨印刷技术印刷时，第二绝缘薄膜140可充当阻止发光材料从第一绝缘薄膜130的第一开口131逃脱的屏障。进一步地，在第二绝缘薄膜140包括感光材料的情况下，第二绝缘薄膜140可充当图案化第一绝缘薄膜130以产生第一开口131的蚀刻掩膜。
尽管未被例示，发光显示装置300可进一步包括布置在第二电极160的上部分上的密封基板。密封基板可以是绝缘基板。隔离物可配置在第二绝缘薄膜140上的第二电极160和密封基板之间。在本发明的一些实施例中，可省略密封基板。在这种情况下，由绝缘材料制成的密封薄膜可覆盖整个结构以保护结构。
如上所述，根据本发明的第三实施例的发光显示装置300包括产生白光的发光层350，且包括分别由不同的绝缘材料制成的第一绝缘薄膜130和第二绝缘薄膜140，因此第一电极320相对于发光材料的润湿和第一绝缘薄膜130相对于发光材料的润湿之间的差异变得低于第二绝缘薄膜140相对于发光材料的润湿和第一电极320相对于发光材料的润湿之间的差异。
根据本发明的第三实施例的发光显示装置300，当发光层350借由喷墨印刷技术在通过第一绝缘薄膜130的第一开口131暴露的第一电极320上印刷发光层350的发光材料产生时，发光层350的发光材料被阻止从第一绝缘薄膜130的第一开口131逃脱，从而发光层350在第一电极320和第一绝缘薄膜130上都以均匀厚度形成。因此，由于发光层350定位在期望空间内且以均匀厚度形成，能够实现通过发光层350的均匀发光，并因此能够改善发光显示装置300的显示质量。
另一方面，与根据图5至图20的制造发光显示装置100的方法相同的步骤也能够应用于根据本发明的第三实施例的制造发光显示装置300的方法。然而，根据本发明的第三实施例的制造发光显示装置300的方法，在第一电极形成步骤S10中，第一电极320在基板110上按像素布置在红色像素区域I、绿色像素区域II和蓝色像素区域III上。进一步地，在发光层形成步骤S30中，发光层350包括发射白光的白色有机层352，且形成在通过在每个红色像素区域I、绿色像素区域II和蓝色像素区域III内的第一绝缘薄膜130的第一开口131暴露的第一电极320上。
在详细描述的结语部分中，本领域的技术人员将会理解在基本上不背离本发明的原理的前提下可对优选实施例进行很多变形和修改。因此，所公开的本发明的优选实施例只用于一般性的和描述性的理解而非限制性目的。
Claims (19)
1.一种发光显示装置，包括：
基板；
第一电极，布置在所述基板上；
第一绝缘薄膜，布置在所述基板上且包括暴露所述第一电极的一部分的第一开口；
第二绝缘薄膜，布置在所述第一绝缘薄膜上且包括暴露所述第一开口的第二开口；
发光层，包括发光材料，所述发光层布置在所述第一电极被所述第一开口暴露的部分上，且还与所述第一绝缘薄膜接触；及
第二电极，布置在所述发光层上，其中所述第一电极相对于所述发光材料的润湿和所述第一绝缘薄膜相对于所述发光材料的润湿之间的差异低于所述第一电极相对于所述发光材料的润湿和所述第二绝缘薄膜相对于所述发光材料的润湿之间的差异。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中所述第一绝缘薄膜相对于所述发光材料的润湿与所述第一电极相对于所述发光材料的润湿相同。
3.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中所述第一电极和所述第一绝缘薄膜相对于所述发光材料的接触角等于或低于10°，且所述第二绝缘薄膜相对于所述发光材料的接触角等于或高于50°。
4.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中所述第一电极包括ITO，且所述第一绝缘薄膜包括选自由二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中的材料。
5.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中所述第一绝缘薄膜包括选自由二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中的材料，且所述第二绝缘薄膜包括选自由双对氯甲基苯、聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂和酚醛树脂组成的组中的材料。
6.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中所述发光层包括选自由包含Se的无机材料、包含Zn的无机材料、低分子有机材料和高分子有机材料组成的组中的材料。
7.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中所述第二绝缘薄膜包括感光材料。
8.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中所述基板包括多个像素，且所述第一绝缘薄膜是限定多个像素中每个像素的像素限定膜。
9.根据权利要求8所述的发光显示装置，其中多个像素包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，所述发光层包括：
红色有机发光层，布置在所述红色像素区域内；
绿色有机发光层，布置在所述绿色像素区域内；及
蓝色有机发光层，布置在所述蓝色像素区域内。
10.根据权利要求8所述的发光显示装置，其中所述发光层包括白色有机层。
11.根据权利要求10所述的发光显示装置，其中所述白色有机层包括红色有机层、绿色有机层和蓝色有机层。
12.根据权利要求10所述的发光显示装置，其中所述白色有机层包括黄色有机层和蓝色有机层。
13.一种制造发光显示装置的方法，包括：
在基板上形成第一电极；
在所述基板上形成第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜，所述第一绝缘薄膜具有暴露所述第一电极的一部分的第一开口且所述第二绝缘薄膜具有对应于所述第一开口的第二开口；
在所述第一电极的暴露部分形成发光层，所述发光层包括发光材料且接触所述第一绝缘薄膜；及
在所述发光层上形成第二电极，其中所述第一电极相对于所述发光材料的润湿和所述第一绝缘薄膜相对于所述发光材料的润湿差异低于所述第一电极相对于所述发光材料的润湿和所述第二绝缘薄膜相对于所述发光材料的润湿之间的差异。
14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述第一绝缘薄膜和所述第二绝缘薄膜包括：
在所述基板的整个表面上沉积第一绝缘材料以覆盖所述第一电极；
在所述第一绝缘材料的整个表面上沉积第二绝缘材料；
在所述第二绝缘材料的上部分上布置掩膜，所述掩膜具有对应所述第一电极的一部分的开口；
用光曝光第二绝缘材料；
通过使用显影剂显影所述第二绝缘材料形成具有所述第二开口的所述第二绝缘薄膜；及
通过使用所述第二绝缘薄膜作为蚀刻掩膜蚀刻所述第一绝缘材料形成具有所述第一开口的所述第一绝缘薄膜。
15.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述第一绝缘薄膜和所述第二绝缘薄膜包括：
在所述基板的整个表面上沉积第一绝缘材料以覆盖所述第一电极；
在所述第一绝缘材料的整个表面上沉积光刻胶膜；
在所述光刻胶膜的上部分上布置第一掩膜，所述第一掩膜具有对应于第一电极的一部分的第一开口；
通过使用光曝光光刻胶膜；
通过使用显影剂显影所述光刻胶膜形成光刻胶图案；
通过使用所述光刻胶图案作为蚀刻掩膜蚀刻所述第一绝缘材料形成具有所述第一开口的所述第一绝缘薄膜；
移除所述光刻胶图案；
沉积第二绝缘材料，所述第二绝缘材料包括在所述第一绝缘薄膜上和在通过所述第一绝缘材料的蚀刻暴露的所述第一电极的部分上的感光材料；
在所述第二绝缘材料的上部分上布置第二掩膜，所述第二掩膜具有对应于所述第一开口的第二开口；
用光曝光第二绝缘材料；及
通过使用显影剂显影所述第二绝缘材料形成具有所述第二开口的所述第二绝缘薄膜。
16.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述发光层包括借由喷墨印刷技术在所述第一电极的暴露部分上印刷所述发光材料。
17.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述第一电极包括在所述基板上的每个红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域内布置所述第一电极。
18.根据权利要求17所述的方法，其中形成所述发光层包括：
在所述红色像素区域内形成红色有机发光层；
在所述绿色像素区域内形成绿色有机发光层；及
在所述蓝色像素区域内形成蓝色有机发光层。
19.根据权利要求17所述的方法，其中形成所述发光层包括在每个红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域内形成白色有机发光层。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20120150924A KR20140081314A (ko) | 2012-12-21 | 2012-12-21 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR10-2012-0150924 | 2012-12-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103887321A true CN103887321A (zh) | 2014-06-25 |
Family
ID=50956143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310418200.4A Pending CN103887321A (zh) | 2012-12-21 | 2013-09-13 | 发光显示装置及其制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9490443B2 (zh) |
| KR (1) | KR20140081314A (zh) |
| CN (1) | CN103887321A (zh) |
| TW (1) | TWI628823B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104576694A (zh) * | 2014-12-17 | 2015-04-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示装置及其制造方法 |
| CN105655382A (zh) * | 2016-04-08 | 2016-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板制作方法、显示基板和显示装置 |
| WO2018171238A1 (zh) * | 2017-03-24 | 2018-09-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层、有机电致发光器件及其制备方法和显示装置 |
| WO2019019488A1 (zh) * | 2017-07-24 | 2019-01-31 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示器件及制作方法 |
| CN109515020A (zh) * | 2017-09-18 | 2019-03-26 | 云谷（固安）科技有限公司 | 喷墨打印方法 |
| CN110931613A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-03-27 | 福建中晶科技有限公司 | 一种提高蓝宝石衬底制备效率的方法 |
| CN111048698A (zh) * | 2018-10-11 | 2020-04-21 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 一种有机发光二极管结构的制造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101456023B1 (ko) | 2012-10-31 | 2014-11-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자의 제조 방법 |
| US20230276685A9 (en) * | 2016-08-26 | 2023-08-31 | Najing Technology Corporation Limited | Manufacturing method for light emitting device, light emitting device, and hybrid light emitting device |
| KR102650273B1 (ko) * | 2018-07-31 | 2024-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030076608A1 (en) * | 1998-03-18 | 2003-04-24 | Seiko Epson Corporation | Thin film formation method, display, and color filter |
| CN1832641A (zh) * | 2004-12-15 | 2006-09-13 | 精工爱普生株式会社 | 图形形成基板、光电装置及光电装置的制造方法 |
| US20090015145A1 (en) * | 2007-07-09 | 2009-01-15 | Hongki Park | Organic light emitting device |
| CN101682000A (zh) * | 2007-05-09 | 2010-03-24 | 伊斯曼柯达公司 | 高性能串接式白光oled |
| CN102386206A (zh) * | 2010-08-25 | 2012-03-21 | 索尼公司 | 有机电致发光显示单元和电子设备 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3951445B2 (ja) * | 1998-05-15 | 2007-08-01 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ素子、表示装置、光学装置、有機ｅｌ素子の製造方法、表示装置の製造方法、および光学装置の製造方法 |
| US6810919B2 (en) | 2002-01-11 | 2004-11-02 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method for display device, display device, manufacturing method for electronic apparatus, and electronic apparatus |
| JP4611267B2 (ja) | 2002-09-11 | 2011-01-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| JP4163567B2 (ja) * | 2003-07-09 | 2008-10-08 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 発光型表示装置 |
| JP3915806B2 (ja) * | 2003-11-11 | 2007-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| JP4393249B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-01-06 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機発光素子，画像表示装置、及びその製造方法 |
| JP4168999B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2008-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | 発光材料及び有機ｅｌ装置の製造方法 |
| KR101107252B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 일렉트로-루미네센스 표시 패널의 박막 트랜지스터 기판및 그 제조 방법 |
| US7531959B2 (en) * | 2005-06-29 | 2009-05-12 | Eastman Kodak Company | White light tandem OLED display with filters |
| US8148729B2 (en) * | 2007-04-27 | 2012-04-03 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting device |
| KR100896045B1 (ko) * | 2007-06-26 | 2009-05-11 | 엘지전자 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| KR20090037725A (ko) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | 삼성전자주식회사 | 박막트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및 이를 갖는 표시장치 |
| GB0722750D0 (en) * | 2007-11-20 | 2008-01-02 | Cambridge Display Technology O | Organic thin film transistors active matrix organic optical devices and emthods of making the same |
| US7635864B2 (en) * | 2007-11-27 | 2009-12-22 | Lg Electronics Inc. | Organic light emitting device |
| KR100964227B1 (ko) * | 2008-05-06 | 2010-06-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를포함하는 유기 발광 표시 장치, 및 이들의 제조 방법 |
| US20100038689A1 (en) * | 2008-08-13 | 2010-02-18 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Integrating fabrication of photodetector with fabrication of cmos device on a silicon-on-insulator substrate |
| KR101592012B1 (ko) * | 2008-12-01 | 2016-02-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101074788B1 (ko) * | 2009-01-30 | 2011-10-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| JP5126545B2 (ja) | 2009-02-09 | 2013-01-23 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| JP2011040244A (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-24 | Sony Corp | 発光素子 |
| KR101065317B1 (ko) * | 2009-11-13 | 2011-09-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP5463882B2 (ja) * | 2009-12-01 | 2014-04-09 | ソニー株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
| JP2012109213A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-06-07 | Canon Inc | 表示装置 |
| US9117977B2 (en) * | 2010-12-27 | 2015-08-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, display apparatus, and illuminating apparatus |
| KR20120081810A (ko) * | 2011-01-12 | 2012-07-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 커패시터 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR101900954B1 (ko) * | 2012-01-19 | 2018-09-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
| KR101976066B1 (ko) * | 2012-06-08 | 2019-08-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 쇼트 불량 리페어 방법, 상기 리페어 방법에 의해 제조된 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
-
2012
- 2012-12-21 KR KR20120150924A patent/KR20140081314A/ko not_active Application Discontinuation
-
2013
- 2013-09-13 CN CN201310418200.4A patent/CN103887321A/zh active Pending
- 2013-09-24 TW TW102134286A patent/TWI628823B/zh active
- 2013-10-18 US US14/057,280 patent/US9490443B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030076608A1 (en) * | 1998-03-18 | 2003-04-24 | Seiko Epson Corporation | Thin film formation method, display, and color filter |
| CN1832641A (zh) * | 2004-12-15 | 2006-09-13 | 精工爱普生株式会社 | 图形形成基板、光电装置及光电装置的制造方法 |
| CN101682000A (zh) * | 2007-05-09 | 2010-03-24 | 伊斯曼柯达公司 | 高性能串接式白光oled |
| US20090015145A1 (en) * | 2007-07-09 | 2009-01-15 | Hongki Park | Organic light emitting device |
| CN102386206A (zh) * | 2010-08-25 | 2012-03-21 | 索尼公司 | 有机电致发光显示单元和电子设备 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104576694A (zh) * | 2014-12-17 | 2015-04-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示装置及其制造方法 |
| CN105655382A (zh) * | 2016-04-08 | 2016-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板制作方法、显示基板和显示装置 |
| WO2017173874A1 (zh) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板制作方法、显示基板和显示装置 |
| US10084028B2 (en) | 2016-04-08 | 2018-09-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Method for manufacturing display substrate, display substrate and display device |
| CN105655382B (zh) * | 2016-04-08 | 2019-10-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板制作方法、显示基板和显示装置 |
| WO2018171238A1 (zh) * | 2017-03-24 | 2018-09-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层、有机电致发光器件及其制备方法和显示装置 |
| US10879322B2 (en) | 2017-03-24 | 2020-12-29 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Pixel definition layer, organic light-emitting device and manufacturing method thereof, display apparatus |
| WO2019019488A1 (zh) * | 2017-07-24 | 2019-01-31 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示器件及制作方法 |
| CN109515020A (zh) * | 2017-09-18 | 2019-03-26 | 云谷（固安）科技有限公司 | 喷墨打印方法 |
| CN109515020B (zh) * | 2017-09-18 | 2021-03-23 | 云谷（固安）科技有限公司 | 喷墨打印方法 |
| CN111048698A (zh) * | 2018-10-11 | 2020-04-21 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 一种有机发光二极管结构的制造方法 |
| CN110931613A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-03-27 | 福建中晶科技有限公司 | 一种提高蓝宝石衬底制备效率的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201427140A (zh) | 2014-07-01 |
| US20140319478A1 (en) | 2014-10-30 |
| TWI628823B (zh) | 2018-07-01 |
| KR20140081314A (ko) | 2014-07-01 |
| US9490443B2 (en) | 2016-11-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103887321A (zh) | 发光显示装置及其制造方法 | |
| US10854839B2 (en) | Organic el display panel and method of manufacturing organic el display panel | |
| US9252398B2 (en) | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same | |
| US8946687B2 (en) | Organic light emitting display devices and methods of manufacturing organic light emitting display devices | |
| CN101728421B (zh) | 有机电致发光显示器及其制造方法 | |
| CN103515413B (zh) | 有机发光二极管显示设备及其制造方法 | |
| US7355342B2 (en) | Organic EL device and electronic apparatus capable of preventing a short circuit | |
| CN108417600B (zh) | 有机el显示面板以及有机el显示面板的制造方法 | |
| CN104183616B (zh) | 发光显示装置 | |
| CN103872076A (zh) | 显示设备及制造该显示设备的方法 | |
| JP2013168242A (ja) | 有機発光装置の製造方法 | |
| JP2007250244A (ja) | エレクトロルミネッセンス装置、電子機器、およびエレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
| CN105590953A (zh) | 具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法 | |
| US9502684B2 (en) | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same | |
| CN105393642A (zh) | 有机发光元件的制造方法以及显示装置的制造方法 | |
| US7535169B2 (en) | Organic electroluminescent device, method for producing the same, and electronic appliance | |
| JP2010186582A (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| KR20160137825A (ko) | 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 표시 장치 | |
| JP5691167B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| US9917277B2 (en) | Display panel and production method therefor | |
| JP2010056025A (ja) | 発光パネル及び発光パネルの製造方法 | |
| US20140151653A1 (en) | Organic light emitting display and manufacturing method thereof | |
| KR100875423B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| JP2003059663A (ja) | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 | |
| KR100749490B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20140625 |