CN103826765B

CN103826765B - 滚轧铜箔

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Publication number: CN103826765B
Application number: CN201280047253.3A
Authority: CN
Inventors: 中室嘉一郎; 千叶喜宽; 大久保光浩; 鲛岛大辅; 冠和树; 青岛一贵
Original assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Current assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date: 2011-09-27
Filing date: 2012-08-28
Publication date: 2016-05-11
Anticipated expiration: 2032-08-28
Also published as: JP5758254B2; TWI462787B; KR20140061453A; KR101586594B1; CN103826765A; WO2013047053A1; JP2013071139A; TW201315549A

Abstract

提供一种滚轧铜箔，其使铜箔表面适度地变粗糙以提高处理性，而且弯曲性优秀，并且表面蚀刻特性良好。为一种滚轧铜箔，其中，沿滚轧平行方向测定的表面的60度光泽度(G60_RD)为100以上且300以下，在以200℃加热30分钟并调质为再结晶组织的状态下，滚轧面的通过X射线衍射求得的200衍射强度(I)相对于微粉末铜的通过X射线衍射求得的200衍射强度(I₀)为20≤I/I₀≤40，在于铜箔表面处沿滚轧平行方向长度为175μm，且沿滚轧直角方向分别间隔50μm以上的3条直线上，与油坑的最大深度相当的各直线的厚度方向的最大高度与最小高度之差的平均值(d)与所述铜箔的厚度(t)的比率(d/t)为0.1以下，沿滚轧平行方向测定的表面的60度光泽度(G60_RD)与沿滚轧直角方向测定的表面的60度光泽度(G60_TD)的比率(G60_RD/G60_TD)小于0.8。

Description

滚轧铜箔

技术领域

本发明涉及适宜用于要求弯曲性的FPC的滚轧铜箔。

背景技术

弯曲用FPC(柔性印刷电路板)所使用的铜箔要求高弯曲性。作为对铜箔赋予弯曲性的方法，已知对铜箔滚轧面提高(200)面的结晶方位的取向度的技术(专利文献1)、提高沿铜箔的板厚方向贯通的结晶粒的比例的技术(专利文献2)、将与铜箔的油坑(oilpit)的深度相当的表面粗糙度Ry(最大高度)降低到2.0μm以下的技术(专利文献3)。

一般的FPC制造工序如下。首先将铜箔与树脂膜接合。在接合中，有通过对涂布在铜箔上的胶液(varnish)实施热处理来亚胺化(イミド化)的方法、将带粘接剂的树脂膜和铜箔重叠并层叠的方法。将通过这些工序接合的带树脂膜的铜箔称为CCL(覆铜层叠板)。通过该CCL制造工序中的热处理，铜箔再结晶。

另外，在使用铜箔制造FPC时，若为了提高与覆盖层膜(coverlayfilm)的紧贴性而蚀刻铜箔表面，则有时在表面发生直径数10μm左右的凹陷(碟陷(dishdown))，且尤其容易发生于高弯曲铜箔。其原因是因为，为了赋予高弯曲性，以再结晶退火后的立方体组织发达的方式控制铜箔的结晶方位。即，可以认为，这是因为，即使进行此种控制，结晶的方位也不会全部一致，均匀的组织中局部地存在结晶方位不同的结晶粒。此时，蚀刻速度因被蚀刻的结晶面而异，因而该结晶粒与周围相比被局部较深地蚀刻，成为凹陷。该凹陷成为降低电路的蚀刻性，或者在外观检查中被判定为不良而降低成品率的原因。

另外，根据蚀刻液，立方体组织与随机组织相比，蚀刻速度存在变快的情况和变慢的情况。因而，若再结晶退火后的立方体组织过于发达，则该立方体组织的蚀刻速度变慢，故生产率降低，或者电路形成时在电路之间残留铜，蚀刻性劣化。另一方面，若立方体组织的蚀刻速度变快，则容易蚀刻至电路部，蚀刻性还是会劣化。

作为减轻此种凹陷的方法，报告有在滚轧前或滚轧后对铜箔的表面进行机械研磨以施加成为加工变质层的应变之后再结晶的技术(专利文献4)。根据该技术，利用加工变质层在再结晶后使不均匀的结晶粒群发于表面，使结晶方位不同的结晶粒不单独存在。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第3009383号公报；

专利文献2：日本特开2006－117977号公报；

专利文献3：日本特开2001-058203号公报；

专利文献4：日本特开2009-280855号公报。

发明内容

本发明要解决的问题

然而，在专利文献4记载的技术的情况下，存在如下问题，即，不均匀的结晶粒较多，铜箔表面的结晶不沿(100)面取向，因而弯曲性降低。

另一方面，为了确保铜箔的制造时与辊的紧贴性，或者使铜箔制品的处理容易，使最终冷滚轧中的辊粗糙度变大以使铜箔表面粗糙，但是明白了，若使铜箔表面粗糙，则铜箔表面的结晶的取向度降低故弯曲性变差，或者容易产生碟陷。

即，本发明为解决上述问题而完成，其目的在于提供一种滚轧铜箔，其使铜箔表面适度地变粗糙以提高处理性，而且弯曲性优秀，并且表面蚀刻特性良好。

解决问题的方案

本发明进行了各种研究，结果发现了：在最终冷滚轧的最终轧道(pass)近前不使铜箔的表面过于粗糙，在最终冷滚轧的最终轧道中使铜箔的表面粗糙，从而使最终的铜箔表面粗糙，并且减少剪切变形带，维持弯曲性，并且碟陷变少，基于蚀刻液的蚀刻速度差变小，因而成为蚀刻性优秀的铜箔。

为了实现上述目的，在本发明的滚轧铜箔中，沿滚轧平行方向测定的表面的依照JIS-Z8741的60度光泽度G60_RD为100以上且300以下，在以200℃加热30分钟并调质为再结晶组织的状态下，滚轧面的通过X射线衍射求得的200衍射强度(I)相对于微粉末铜的通过X射线衍射求得的200衍射强度(I₀)为20≤I/I₀≤40，在于铜箔表面处沿滚轧平行方向长度为175μm，且沿滚轧直角方向分别间隔50μm以上的3条直线上，与油坑的最大深度相当的各直线的厚度方向的最大高度与最小高度之差的平均值d与所述铜箔的厚度t的比率d/t为0.1以下，沿滚轧平行方向测定的表面的60度光泽度G60_RD与沿滚轧直角方向测定的表面的依照JIS-Z8741的60度光泽度G60_TD的比率G60_RD/G60_TD小于0.8。

理想的是，在电解研磨之后利用EBSD观察上述200℃×30分钟热处理后的铜箔表面的情况下，滚轧面的结晶方位与[100]方位的角度差为15度以上的结晶粒的面积率为30～70%

理想的是，在将铸块热滚轧之后，重复冷滚轧和退火，最后进行最终冷滚轧来制造，在该最终冷滚轧工序中，在最终轧道的1个轧道前的阶段中沿滚轧平行方向测定的表面的60度光泽度G60_RD超过300。

发明的效果

根据本发明，能够获得一种滚轧铜箔，其使铜箔表面适度地变粗糙以提高处理性，而且弯曲性优秀，并且表面蚀刻特性良好。

附图说明

图1是示出油坑与光泽度的关系的图。

图2是示出与油坑的最大深度相当的平均值d的测定方法的图。

图3是示出利用弯曲试验装置进行弯曲疲劳寿命的测定的方法的图。

具体实施方式

以下，说明本发明的实施方式所涉及的滚轧铜箔。此外，在本发明中，只要不特别声明，则%表示质量%。

首先，说明本发明的技术思想。若使最终冷滚轧中的辊粗糙度变大以使铜箔表面粗糙，则铜箔的处理性提高，但是变得容易产生碟陷，蚀刻性降低。可以认为，这是因为，利用最终冷滚轧中的粗糙的辊，在铜箔的厚度方向上产生剪切变形带，滚轧进一步继续因而剪切变形带发达。

另一方面，一直以来已知为了获得铜箔的弯曲性而提高光泽度(表面粗糙度)的手法。可以认为，这是因为，通过利用粗糙度低的辊进行最终冷滚轧，变得难以在铜箔的厚度方向上产生剪切变形带。但是，若提高铜箔的光泽度(降低表面粗糙度)，则铜箔的处理性降低。

与此相对，本发明人发现了，在最终冷滚轧的最终轧道近前不使铜箔的表面过于粗糙(例如，利用粗糙度低的辊进行滚轧)，在最终冷滚轧的最终轧道中使铜箔的表面粗糙(例如，利用粗糙的辊进行滚轧)，从而使最终的铜箔表面粗糙，并且减少剪切变形带，提高弯曲性，并且表面蚀刻特性变得良好。

即知道了，以往，一直认为铜箔的取向性仅仅依赖于铜箔表面的粗糙度，但是实际上材料内部的剪切变形带的规模影响蚀刻性以及取向度(以及碟陷)。而且，在最终冷滚轧中，若能够在最终轧道以前的轧道中充分地抑制剪切带的发达，则即使在最终轧道中粗糙地精加工铜箔表面，也能够获得使蚀刻性良好的取向度。

另外，仅凭一直以来使用的光泽度的值，不能够明确地掌握上述剪切带的发达度。即，虽然认为若使最终的铜箔表面粗糙，并且减少剪切变形带，则油坑浅且具有某程度的宽度，而且油坑的发生频度变少(参照图1(a))，但是这难以表现于与油坑的方向垂直的滚轧平行方向RD的光泽度。另一方面，若从滚轧直角方向TD看，则由于油坑具有某程度的宽度，故易于从平行方向掌握油坑的形状、频度的变化。

参照图1说明此种油坑与光泽度的关系。

首先，图1(a)是表示本发明例的油坑与光泽度的关系的图，若沿滚轧平行方向RD测定光泽度G_RD，则在油坑处反射光的方向变化而不被检测到，光泽度变低。另一方面，在沿滚轧直角方向TD测定光泽度G_TD的情况下，由于油坑沿TD延伸，故虽然在油坑处反射光的方向向旁边(RD方向)偏移但也被检测到，光泽度变高。即，与G_RD相比，G_TD相对变高，若测定后述60度光泽度，则满足G60_RD/G60_TD＜0.8的关系。

接着，图1(b)是表示铜箔表面粗糙的情况下的现有例的油坑与光泽度的关系的图，铜箔表面变得过度粗糙且油坑的深度以及长度(发生频度)增加，不管沿滚轧平行方向RD以及滚轧直角方向TD中的任一者测定光泽度，在油坑处反射光的都变化因而不被检测到，光泽度变低。在该情况下，与G_RD相比，G_TD相对变低，若测定后述60度光泽度，则满足G60_RD/G60_TD＞1的关系。

另一方面，图1(c)是表示铜箔表面平滑的情况下的现有例的油坑与光泽度的关系的图，由于铜箔表面变得过于平滑因而油坑变得过浅，故即使沿滚轧平行方向RD测定光泽度G_RD，在油坑处反射光的方向也变得难以变化，光泽度变高。即，与G_TD相比，G_RD相对变高，若测定后述60度光泽度，则G60_RD/G60_TD的关系接近1(即，RD和TD的各向异性变小)。但是，铜箔表面不像铜箔表面粗糙的现有例的图1(b)那样粗糙，因而为G60_RD/G60_TD＜1。

接着，说明本发明的滚轧铜箔的规定以及组成。

(1)光泽度G60_RD

使沿滚轧平行方向RD测定的表面的60°光泽度G60_RD为100以上且300以下。若G60_RD超过300，则铜箔表面变得过于平滑，铜箔制造时的与辊的紧贴性降低，或者难以处理铜箔制品。另一方面，若G60_RD小于100，则铜箔表面变得过于粗糙，在材料内部，剪切变形带发达，因而变得容易产生碟陷，蚀刻性降低。

(2)G60_RD/G60_TD

如上所述，在最终冷滚轧的最终轧道近前不使铜箔的表面过于粗糙，在最终冷滚轧的最终轧道中使铜箔的表面粗糙，从而使最终的铜箔表面粗糙，并且减少剪切变形带，维持弯曲性，并且碟陷变少。而且，通过本发明人的实验(后述实施例)而明白的是，在此种剪切变形带较少的表面中，G60_RD/G60_TD＜0.8。因而，将沿滚轧平行方向测定的表面的60°光泽度G60_RD与沿滚轧直角方向测定的表面的60°光泽度G60_TD的比率G60_RD/G60_TD规定为小于0.8。此外，采用比是为了抵消整体的光泽度的影响。

若G60_RD/G60_TD≥0.8，则像上述图1(b)那样，铜箔表面变得过于平滑，铜箔的制造时的与辊的紧贴性降低，或者难以处理铜箔制品。另外，若如上述图1(c)那样变为G60_RD/G60_TD＞1，则铜箔表面变得过于粗糙，剪切变形带发达因而弯曲性降低，或者变得易于产生碟陷。

此外，作为使G60_RD/G60_TD＜0.8的方法，如上所述地，在最终冷滚轧中，在最终轧道以前的轧道中抑制剪切带的发达，即在最终冷滚轧的最终轧道以前的轧道中使用粗糙度(表面粗糙度Ra为例如0.5μm以下)比较小的辊进行滚轧即可。另一方面，另一方面，在最终冷滚轧的最终轧道中，使用粗糙度(表面粗糙度Ra为例如0.6μm以上)比较大的辊进行滚轧，使最终获得的铜箔表面粗糙即可。

在此，在最终冷滚轧中，若使在最终轧道的1个轧道前的阶段中沿滚轧平行方向测定的表面的光泽度G60_RD超过300，则在最终冷滚轧的最终轧道以前的轧道中，铜箔表面变得比较平滑，难以导入剪切变形带，因而是理想的。

(3)d/t

若铜箔的厚度t变薄，则即使是相同的表面粗糙度，表面凹凸占据铜箔厚度的比例也变大，因而不能够充分进行基于上述G60_RD/G60_TD的铜箔表面的评价。因此在本发明中，通过规定为d/t≤0.1，能够不根据铜箔的厚度进行铜箔表面的评价。

在此，d是在三条直线L₁～L₃上与油坑的最大深度相当的各直线L₁～L₃的厚度方向的最大高度H_M与最小高度H_S之差di的平均值，直线L₁～L₃如图2所示地在铜箔表面处沿滚轧平行方向RD长度为175μm，并且沿滚轧直角方向TD分别间隔50μm以上。具体而言，根据接触式粗糙度，测定L₁～L₃上的厚度方向的廓线并求最大高度H_M和最小高度H_S，将各直线L₁～L₃的di平均即可。

铜箔(或铜合金箔)的厚度不特别限制，但是能够适宜地使用例如5～50μm的铜箔。

(4)I/I₀

为了对本发明的铜箔赋予高弯曲性，在以200℃加热30分钟并调质为再结晶组织的状态下，将滚轧面的通过X射线衍射求得的200衍射强度(I)相对于微粉末铜的通过X射线衍射求得的200衍射强度(I₀)规定为20≤I/I₀≤40。由此，(200)面的取向度成为适度的值，获得弯曲性以及蚀刻性的平衡优秀的铜箔。在该情况下，由于具有(200)面的结晶方位的再结晶集合组织不过于发达，故(200)面以外的方位的组织某种程度上分散，因该组织被局部地蚀刻而引起的碟陷也变小。另外，为了对本发明的铜箔赋予更高的弯曲性，理想的是在以200℃加热30分钟并调质为再结晶组织的状态下，使25≤I/I₀≤40。

若变为I/I₀＜20，则(200)面的取向度变少，弯曲性降低。若变为40＜I/I₀，则具有(200)面的结晶方位的组织增加，弯曲性变得良好，但是(200)面的再结晶集合组织过于发达，因而(200)面以外的方位的组织部分地集中产生，该组织变大且易被蚀刻并发生碟陷，蚀刻性差。另外，在(200)面和其以外的方位中蚀刻速度大不相同也会使蚀刻性降低。

上述200℃下30分钟的退火是模仿在CCL制造工序中对铜箔付与的温度历史。

此外，若使铜箔含有从Ag、Sn、In、Au、Pd以及Mg的组中选择的一种或两种以上合计30～300wtppm，则容易管理为20≤I/I₀≤40，因而是理想的。

作为管理为20≤I/I₀≤40的方法，可以例如重复冷滚轧和退火，利用最终退火使平均结晶粒径为10～20μm，之后在滚轧为产品板厚时，使总加工度为90～96%，在最终冷滚轧的最终轧道以前的轧道中抑制剪切带的发达。在该情况下，在最终冷滚轧的最终轧道以前的轧道中能够使用粗糙度比较小(表面粗糙度Ra为例如0.05μm以下)的辊进行滚轧。

(5)基于EBSD的方位差

如上所述，碟陷是一种凹陷，该凹陷是在通过将铜箔与树脂膜接合时的热处理，结晶方位不同的结晶粒在再结晶的均匀组织中单独存在的比例多的情况下，蚀刻时该单独结晶粒与周围相比被较深地蚀刻而形成的。因此，作为上述热处理，在模仿在CCL制造工序中对铜箔赋予的温度历史的热处理条件(200℃下30分钟)下加热铜箔并调质为再结晶组织。而且，作为该状态的结晶方位，理想的是，在电解研磨之后利用EBSD观察铜箔表面的情况下，滚轧面的结晶方位与[100]方位的角度差为15度以上的结晶粒的面积率为30～70%。

若在利用EBSD观察的情况下上述面积率为30～70%，则能够获得弯曲性和蚀刻性均优秀的铜箔。若上述面积率小于30%则蚀刻性差，若超过70%则有时弯曲性降低。此外，为了在利用EBSD观察的情况下使上述面积率为30～70%，理想的是，如上所述地，在最终冷滚轧中，在最终轧道以前的轧道中抑制剪切带的发达，即在最终冷滚轧的最终轧道以前的轧道中使用粗糙度(表面粗糙度Ra为例如0.05μm以下)比较小的辊来进行滚轧。另外，若使铜箔含有从Ag、Sn、In、Au、Pd以及Mg的组中选择的一种或两种以上合计30～300wtppm，则容易将上述面积率管理为30～70%，因而是理想的。

此外，对已经接受热历史并成为CCL的铜箔，也可在200℃下加热30分钟。热处理的铜箔的组织在再结晶一次之前即使进一步加热也几乎不变化，因而在利用EBSD的观察中，不区别接受热历史的铜箔和不接受的铜箔，以200℃加热30分钟。

(6)组成

作为铜箔，能够使用纯度99.9wt%以上的韧铜(タフピッチ銅)、无氧铜、电解铜，而且理想的是含有从Ag、Sn、In、Au、Pd以及Mg的组中选择的一种或两种以上合计30～300wtppm。无氧铜由JIS-H3510(合金编号C1011)以及JIS-H3100(合金编号C1020)规定，韧铜由JIS-H3100(合金编号C1100)规定。

接着，说明本发明的滚轧铜箔的制造方法的一例。首先，在将包含铜以及必要的合金元素、以及不可避免杂质的铸块热滚轧之后，重复冷滚轧和退火，最终利用最终冷滚轧精加工为既定厚度。

在此，如上所述，在最终冷滚轧的最终轧道近前不使铜箔的表面过于粗糙，在最终冷滚轧的最终轧道中使铜箔的表面粗糙，从而使最终的铜箔表面粗糙，并且减少剪切变形带，提高弯曲性，并且碟陷变少。而且，在此种剪切变形带较少的表面中，G60_RD/G60_TD＜0.8。

因而，在最终冷滚轧的最终轧道的近前，为了使铜箔表面不过于粗糙，使用粗糙度(表面粗糙度Ra例如为0.5μm以下)比较小的辊进行滚轧，或者加大最终冷滚轧中的1个轧道加工度进行滚轧即可。另一方面，在最终冷滚轧的最终轧道中，使用粗糙度(表面粗糙度Ra为例如0.6μm以上)比较大的辊进行滚轧，或者使用粘度高的滚轧油进行滚轧，使最终获得的铜箔表面粗糙。

此外，为了使最终的铜箔表面粗糙，并且减少剪切变形带，需要在最终冷滚轧的最终2个轧道或者最终轧道中如上所述地使用粗糙的辊或者使用粘度高的滚轧油进行滚轧，但是理想的是调整最终轧道中的滚轧条件，因为易于调整。另一方面，若从最终冷滚轧的最终3个轧道以前开始使辊的粗糙度变粗，则剪切变形带发达。

此外，可调整退火条件下以使利用最终冷滚轧紧前的退火获得的再结晶粒的平均粒径变为10～20μm。另外，可使最终冷滚轧中的滚轧加工度为92～99%。

实施例

对电解铜添加表1所记载的元素，分别在大气中(实施例1～3、5)以及还原气氛中(N2和CO的混合气体)(实施例4、6、7～14)中铸造了坯料(ingot)。此外，比较例1～5在氩气气氛中铸造了坯料。在大气中铸造的坯料含有150～300ppm的氧，在还原氛围中铸造的坯料含有与无氧铜(C1020)相同程度的氧。对所制作的坯料在800℃以上进行热滚轧直到厚度10mm为止，在将表面的氧化皮面削除之后，重复冷滚轧和退火，之后分别在变为0.24mm(实施例1～12)、0.12mm(实施例13)、0.36mm(实施例14)、1.2mm(比较例1～5)的厚度之后退火以使平均结晶粒径为13μm。而且利用最终冷滚轧精加工为厚度0.012m(实施例1～12、比较例1～5)、0.006mm(实施例13)、0.018mm(实施例14)。此外，使实施例1～14的最终冷滚轧的加工度为95%，使比较例1～5的最终冷滚轧的加工度为99%。

此外，最终冷滚轧进行5～15个轧道，如表1所示，改变最终轧道近前之前的辊的表面粗糙度、以及最终轧道的辊的表面粗糙度来进行滚轧。从最终轧道的第1个轧道到最终轧道的近前为止的辊的表面粗糙度全部相同。

对如此获得的各铜箔试料进行了各特性的评价。

(1)光泽度

分别沿滚轧平行方向RD、以及滚轧直角方向TD依照JIS-Z8741测定了铜箔表面的光泽度G60_RD、G60_TD。

(2)立方体集合组织

将试料在200℃下加热30分钟之后，求滚轧面的通过X射线衍射求得的200衍射强度的积分值(I)。将该值除以预先测定的微粉末铜(325mesh，在氢气流中以300℃加热1个小时后使用)的通过X射线衍射求得的200衍射强度的积分值(I0)，计算了I/I0值。

(3)油坑的最大深度(平均值d)

使用接触式粗糙度计(小坂研究所制SE-3400)，如图2所示，分别求三条直线L₁～L₃上的最大高度H_M与最小高度H_S之差di，直线L₁～L₃在铜箔表面处沿滚轧平行方向长度为175μm，并且沿滚轧直角方向TD分别间隔50μm以上。将各直线L₁～L₃的di平均以作为d。此外，采用d(mm)/t(mm)。

(4)基于EBSD的方位差

在电解研磨之后利用EBSD(后方散射电子线衍射装置，日本电子株式会社JXA8500F，加速电压20kV，电流2e-8A，测定范围1000μm×1000μm，步宽5μm)观察了在(2)中以200℃加热30分钟之后的试料表面。通过图像解析求与[100]方位的角度差为15度以上的结晶粒的面积率。而且，通过目视计算了在试料表面1mm正方的观察范围内结晶粒径超过20μm的个数。

(5)蚀刻性

如下评价了蚀刻性。首先，使用蚀刻液(分别为ADEKATEC(アデカテック)CL-8(株式会社ADEKA(アデカ)制)液、以及DP-200(荏原ユージライト制)液)在常温下进行蚀刻2分钟，将利用光学显微镜对蚀刻后的1mm正方的观察范围的表面摄影的图像明暗二值化，计算了明暗的比例。具有[100]方位的组织由于为与铜箔表面平行的面，故较明亮，在其他方位下，由于在表面产生细小的凹凸，故漫反射导致看起来较暗。

接着，在上述明部和暗部之中，将比例小于50%的一方看作面积率少的一方的组织。由于面积率少的一方的组织被面积率多的一方的组织包围而存在，故利用多边形近似面积率少的一方的组织，计算了该多边形的外接圆的最小直径超过50μm的部位的个数。不管使用ADEKATECCL-8、DP-200的任何一种液体，在观察范围内，该部位都为10以下，并且将最终冷滚轧后且以200℃加热30分钟前的蚀刻量与最终冷滚轧后且以200℃加热30分钟后的蚀刻量之差在±10%以内的试料定为蚀刻性良好(○)，将上述个数多于10个，或者上述蚀刻量之差超过±10%的试料定为蚀刻性差(×)。

在此，利用(蚀刻前的铜箔重量－蚀刻后的铜箔重量)计算蚀刻量，若上述蚀刻量之差在±10%以内，则认为不管最终冷滚轧后有无再结晶，蚀刻量都难以变化，蚀刻性优秀。

此外，在铜箔表面，与明面以及暗面混在一起相比，明面或暗面中的任一者多的情况具有蚀刻性良好的倾向。

(6)表面的伤痕

目视各试料的表面，将在滚轧方向上具有10mm以上的长度的伤痕存在5处/m²以上的情况定为×。

(7)弯曲性

在将试料以200℃加热30分钟并使其再结晶之后，对聚酰亚胺膜(商品名称：Kapton（カプトン）(注册商标)EN)的单面(与铜箔粘接的面)涂布2μm热可塑性PI粘接剂之后干燥，形成了27μm厚的树脂层。将铜箔层叠于该树脂层的粘结剂面并进行真空热冲压，制作了覆铜层叠体。利用图3所示的弯曲试验装置进行了覆铜层叠体的弯曲疲劳寿命的测定。该装置为将振动传递部件3结合于振荡驱动体4的构造，被试验铜箔1在以箭头示出的螺钉2的部分和3的顶端部的共计4点处固定于装置。若振动部3上下地驱动，则铜箔1的中间部以既定的曲率半径r弯曲为发针状。在本试验中，求在以下的条件下重复弯曲时的断裂之前的次数。

此外，试验条件如下：试验片宽度：12.7mm，试验片长度：200mm，试验片提取方向：以试验片的长度方向与滚轧方向平行的方式提取，曲率半径r：2.5mm，振动行程：25mm，振动速度：1500次/分。此外，在弯曲疲劳寿命为50万次以上的情况下，判断为具有优秀的弯曲性。若弯曲疲劳寿命为50万次以上，则具有能够耐受折叠式便携电话的折叠可动部等的严苛弯曲的良好弯曲性。

将获得的结果示于表1。

[表1]

如由表1可知，在G60_RD为100以上且300以下且20≤I/I₀≤40，并且d/t为0.1以下，G60_RD/G60_TD小于0.8的各发明例的情况下，蚀刻性优秀，而且铜箔表面没有伤痕，弯曲性也是良好的。

另一方面，在于最终冷滚轧中，使最终轧道的近前之前的辊的表面粗糙度、以及最终轧道的辊的表面粗糙度均为Ra＝0.05μm以下的比较例1的情况下，铜箔表面的G60_RD超过300，在铜箔表面产生伤痕，处理性差。

在于最终冷滚轧中，使最终轧道的近前之前的辊的表面粗糙度粗糙到Ra＝0.06μm以上，使最终轧道的辊的表面粗糙度为Ra＝0.05μm以下的比较例2的情况下，为I/I₀＞40，碟陷的个数增加故蚀刻性降低，另外，铜箔表面的G60_RD超过300，在铜箔表面产生伤痕，处理性差。

在于最终冷滚轧中，使最终轧道的近前之前的辊的表面粗糙度、以及最终轧道的辊的表面粗糙度均粗糙到Ra＝0.6μm以上的比较例3、4、5的情况下，为I/I₀＞40，碟陷的个数增加故蚀刻性降低。

此外，在比较例3、4的情况下，由于使最终冷滚轧的全部轧道的辊表面粗糙度粗糙，故在材料内部，剪切变形带发达，铜箔表面的结晶的取向度降低，变为I/I₀＞40。

另一方面，在比较例5的情况下，由于使最终轧道的近前之前的辊的粗糙度比比较例3、4平滑，故光泽度变为比比较例3、4高的值，但剪切带的抑制仍不充分，为I/I₀＞40，碟陷的个数增加故蚀刻性降低。此外，为了在使最终轧道的近前之前的辊粗糙度为0.07μm的情况下抑制剪切带，有降低通板速度等方法，但认为在该情况下光泽度超过300，表面伤痕判定为×。

Claims

1.一种滚轧铜箔，其中，沿滚轧平行方向测定的表面的依照JIS-Z8741的60度光泽度G60_RD为100以上且300以下，在以200℃加热30分钟并调质为再结晶组织的状态下，滚轧面的通过X射线衍射求得的200衍射强度I相对于325mesh、在氢气流中以300℃加热1个小时后的微粉末铜的通过X射线衍射求得的200衍射强度I₀为20≤I/I₀≤40，

在3条直线上，与油坑的最大深度相当的各直线的厚度方向的最大高度与最小高度之差的平均值d与所述铜箔的厚度t的比率d/t为0.1以下，所述3条直线在铜箔表面处沿滚轧平行方向长度为175μm，且沿滚轧直角方向分别间隔50μm以上，

沿滚轧平行方向测定的表面的60度光泽度G60_RD与沿滚轧直角方向测定的表面的依照JIS-Z8741的60度光泽度G60_TD的比率G60_RD/G60_TD小于0.8。

2.根据权利要求1所述的滚轧铜箔，其中，在电解研磨之后利用EBSD观察所述200℃×30分钟热处理后的铜箔表面的情况下，滚轧面的结晶方位与[100]方位的角度差为15度以上的结晶粒的面积率为30～70%。

3.根据权利要求1所述的滚轧铜箔，其中，在将铸块热滚轧之后，重复冷滚轧和退火，最后进行最终冷滚轧来制造，在该最终冷滚轧工序中，在最终轧道的1个轧道前的阶段中沿滚轧平行方向测定的表面的60度光泽度G60_RD超过300。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的滚轧铜箔，含有从Ag、Sn、In、Au、Pd以及Mg的组中选择的一种或两种以上合计30～300wtppm。