CN103715372B - Oled显示面板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种OLED显示面板制作方法，包括：在衬底基板上依次形成包括阳极、有机发光层、阴极及第一光耦合层的步骤，还包括在所述第一光耦合层背离所述阴极的一侧形成由若干表面为弧面的凸起结构排列成的第二光耦合层。本发明还提供一种OLED显示面板，本发明通过第二光耦合层表面为弧面的凸起结构使得原来在第一光耦合层表面将要发生全反射的光线透射出去，从而减少了光的全反射，增加了光的取出率，提高器件的外量子效率。
Description
技术领域
本发明涉及有机光电器件制备领域，特别涉及一种OLED显示面板及其制作方法。
背景技术
OLED（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管）具有自发光、全固态、宽视角、响应快等诸多优点，并且在平板显示中有着巨大的应用前景，OLED被认为是继LCD（Liquid Crystal Display，液晶显示器)、PDP（Plasma Display Panel，等离子显示板）之后的新一代平板显示产品和技术。目前OLED在显示和照明领域都有广泛的应用。为了让半导体发光元件确保较高的功能可靠性及其较低的能耗，需要提高元件本身的外部量子效率（External quantum efficiency）。一般来说，半导体发光元件的外部量子效率取决于其本身的内部量子效率以及光取出效率。其中内量子效率由材料本身的特性所决定，因此在内部量子效率无法有效提升的情况下，增加半导体发光组件的光取出效率尤为重要。
在现有技术中，采用适当厚度且折射率相配的材料作为阴极覆盖层，可以提高顶发射器件的光取出效率。一般采用折射率越大的材料，阴极的透过率越大，越有利于光的取出。因此通常采用高折射率的材料作为增透层，增加顶发射器件的光取出效率。如图1所示，为现有技术提供的OLED显示面板结构示意图，在基板1上依次形成阳极2、有机发光层3及阴极4，在阴极4背离所述基板1的一侧形成一层平面光耦合层5。
然而，由于增透层的折射率大于空气折射率，如图1所示，光在出射到阴极覆盖层的顶端时，部分光发生了全反射，因此，在出光侧会发生全发射，不利于光的取出，损失了部分光。
发明内容
（一）解决的技术问题
本发明解决的技术问题是：如何提供一种OLED显示面板及其制作方法，解决现有技术中在出光侧发生全反射的问题。
（二）技术方案
为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种OLED显示面板制作方法，包括：在衬底基板上依次形成包括阳极、有机发光层、阴极及第一光耦合层的步骤，还包括在所述第一光耦合层背离所述阴极的一侧形成由若干表面为弧面的凸起结构排列成的第二光耦合层。
其中，在所述第一光耦合层背离所述阴极的一侧形成由若干表面为弧面的凸起结构排列成的第二光耦合层的步骤具体包括：
采用第一掩膜板在所述第一光耦合层上进行蒸镀形成所述第二光耦合层；所述第一掩膜板上包括若干用于蒸镀所述第二光耦合层的开孔，且所述开孔的孔壁与所述第一掩膜板表面垂直。
其中，所述第一掩膜板上的开孔为狭缝，且狭缝的放置方向与在形成所述有机发光层时采用的第二掩膜板上的狭缝的放置方向垂直，蒸镀形成的所述表面为弧面的凸起结构为条形的半圆柱。
其中，所述第一掩膜板上的狭缝宽度小于所述第二掩膜板的狭缝宽度。
其中，所述第一掩膜板上的开孔为点状，蒸镀形成的表面为弧面的凸起结构为半球。
其中，圆点状的开孔的孔径宽度小于在形成所述有机发光层时采用的第二掩膜板上的狭缝的宽度。
其中，所述第一光耦合层和第二光耦合层的厚度和为λ/4n，λ为发光峰值波长；n为所述第一光耦合层和第二光耦合层的折射率。
其中，所述n大于等于1.8。
其中，所述第一光耦合层和第二光耦合层的材料包括：ZnSe、TiO2、SiO2、Si3N4、Alq3其中之一或至少两种的混合材料。
本发明还提供了一种OLED显示面板，包括依次形成在衬底基板上的阳极、有机发光层、阴极及第一光耦合层，还包括：形成在所述第一光耦合层背离所述阴极的一侧的由若干表面为弧面的凸起结构排列成的第二光耦合层。
其中，所述表面为弧面的凸起结构为条形的半圆柱。
其中，所述半圆柱的直径小于所述显示面板的亚像素宽度。
其中，所述表面为弧面的凸起结构为半球。
其中，所述半球的孔径宽度小于所述显示面板的亚像素宽度。
其中，所述第一光耦合层和第二光耦合层的厚度和为λ/4n，λ为发光峰值波长；n为所述第一光耦合层和第二光耦合层的折射率。
其中，所述n大于等于1.8。
其中，所述第一光耦合层和第二光耦合层的材料包括：ZnSe、TiO2、SiO2、Si3N4、Alq3其中之一或至少两种的混合材料。
（三）有益效果
本发明通过提供一种OLED显示面板及其制作方法，通过第二光耦合层表面为弧面的凸起结构使得原来在第一光耦合层表面将要发生全反射的光线透射出去，从而减少了光的全反射，增加了光的取出率，提高器件的外量子效率。
附图说明
图1是现有技术提供的OLED显示面板结构示意图；
图2是本发明实施例的OLED显示面板制作方法中提供的普通像素的精细掩膜板示意图；
图3是图2中的普通像素的精细掩膜板的沿A-A向的截面示意图；
图4是本发明实施例的OLED显示面板制作方法中提供的精细掩膜板示意图；
图5是图4中的精细掩膜板沿B-B向的截面示意图；
图6是本发明实施例提供的OLED显示面板结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
本发明实施例提供的一种OLED显示面板制作方法，制作如图2所示的OLED显示面板，该方法包括：
步骤S1，在衬底基板1上依次形成包括阳极2、有机发光层3、阴极4及第一光耦合层5的步骤。OLED显示面板每个像素都包括对应的阳极2、有机发光层3及阴极4及第一光耦合层5。该步骤中制作阳极2、有机发光层3及阴极4及第一光耦合层5都是采用现有的普通掩膜板进行制作，可通过该普通掩膜板采用蒸镀的方式将相应的阳极2、有机发光层3、阴极4及第一光耦合层5图形依次蒸镀到衬底基板1上。其中制作有机发光层3的步骤具体包括：在阳极2上依次蒸镀空穴注入层和空穴传输层；在空穴传输层上，分别蒸镀亚像素的R、G、B发光层；在发光层上蒸镀电子传输层；在电子传输层上蒸镀电子注入层。
其中，用于蒸镀亚像素的R、G、B发光层的普通掩膜板（第二掩膜板）的示意图及截面示意图，分别如图3和图4所示。第二掩膜板上的存在若干平行的狭缝，R、G、B发光材料透过狭缝蒸镀在空穴传输层上。为防止每个亚像素中各层的图形蒸镀成为半球状，第二掩膜板上的狭缝的截面如图3所示。其中，第二掩膜板的制作方法与现有技术相同，在此不在赘述。
步骤S2，在第一光耦合层5背离所述阴极4的一侧形成由若干表面为弧面的凸起结构排列成的第二光耦合层6。具体步骤包括：采用第一掩膜板在第一光耦合层5上进行蒸镀形成第二光耦合层6；第一掩膜板上包括若干用于蒸镀第二光耦合层6的开孔，且所述开孔的孔壁与第一掩膜板表面垂直。以使得透过开孔的光耦合层材料形成表面为弧面的凸起结构。
第二光耦合层6的表面为弧面的凸起结构使得原来在第一光耦合层5表面的光发生散射，这样能够将要发生全反射的光线透射出去，从而减少了光的全反射，增加了光的取出率，提高了器件的外量子效率。
如图5和6所示，第一掩膜板上的开孔可以为狭缝，蒸镀形成的表面为弧面的凸起结构为条形的半圆柱。优选使第一掩膜板的狭缝的放置方向与在形成有机发光层5时采用的第二掩膜板上的狭缝的放置方向垂直，这样制作工艺简单且半圆柱可紧密排列，进一步增加光的取出率，提高器件的外量子效率。
进一步地，第一掩膜板上的狭缝宽度小于所述第二掩膜板的狭缝宽度，使得蒸镀的半圆柱的半径小于亚像素宽度，这样在一定程度上更有利于光的取出。如当入射光的亚像素尺寸为40um×120um，则第二掩膜板的开口尺寸L1为46.5um，第一掩膜板的开口尺寸L2为3um；当入射光的亚像素尺寸为200×60um时，则第二掩膜板的开口尺寸L1为70um，第一掩膜板的开口尺寸L2为5um。即使得半圆柱的半径远小于亚像素宽度。
第一掩膜板上的开孔也可以为圆点状，蒸镀形成的表面为弧面的凸起结构为半球。圆点状开孔的孔径宽度小于在形成有机发光层5时采用的第二掩膜板上的狭缝的宽度。
进一步地，所述第一光耦合层5和第二光耦合层6的厚度和为λ/4n，λ为发光峰值波长；n为所述第一光耦合层5和第二光耦合层6的折射率。折射率较高的材料有利于光的取出，为了尽量提高外量子效率，n大于等于1.8。
其中，第一光耦合层5和第二光耦合层6的材料优选折射率较高的材料，包括：ZnSe、TiO2、SiO2、Si3N4、Alq3其中之一或至少两种的混合材料。
进一步地，在制作过程中，使第一掩膜板上的相邻两个狭缝或相邻两个圆孔之间的间距达到适当的距离，使得蒸镀形成的相邻两个条形半圆柱或相邻两个半球之间紧密接触，从而进一步提高外量子效率。
本发明还提供了一种OLED显示面板，如图2所示，包括依次形成在衬底基板1上的阳极2、有机发光层3、阴极4及第一光耦合层5，还包括：形成在所述第一光耦合层5背离所述阴极4的一侧的由若干表面为弧面的凸起结构排列成的第二光耦合层6。
其中，表面为弧面的凸起结构可以为条形的半圆柱，半圆柱的直径小于所述显示面板的亚像素宽度。
表面为弧面的凸起结构还可以为半球。半球的孔径宽度小于所述显示面板的亚像素宽度。
第一光耦合层和第二光耦合层的厚度和为λ/4n，λ为发光峰值波长；n为所述第一光耦合层和第二光耦合层的折射率。优选地，n大于等于1.8。
第一光耦合层和第二光耦合层优选折射率较高的材料，包括：ZnSe、TiO2、SiO2、Si3N4、Alq3其中之一或至少两种的混合材料。
以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。
Claims (14)
1.一种OLED显示面板制作方法，包括：在衬底基板上依次形成包括阳极、有机发光层、阴极及第一光耦合层的步骤，其特征在于，还包括在所述第一光耦合层背离所述阴极的一侧形成由若干表面为弧面的凸起结构排列成的第二光耦合层；
其中，采用第一掩膜板在所述第一光耦合层上进行蒸镀形成所述第二光耦合层；使所述第一掩膜板上的相邻两个狭缝或相邻两个圆孔之间的间距达到适当的距离，使得蒸镀形成的相邻两个条形半圆柱或相邻两个半球之间紧密接触；
所述第一掩膜板上包括若干用于蒸镀所述第二光耦合层的开孔，且所述开孔的孔壁与所述第一掩膜板表面垂直；
所述第一掩膜板上的开孔为狭缝，且狭缝的放置方向与在形成所述有机发光层时采用的第二掩膜板上的狭缝的放置方向垂直，蒸镀形成的所述表面为弧面的凸起结构为条形的半圆柱。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板制作方法，其特征在于，所述第一掩膜板上的狭缝宽度小于所述第二掩膜板的狭缝宽度。
3.如权利要求1所述的OLED显示面板制作方法，其特征在于，所述第一掩膜板上的开孔为圆点状，蒸镀形成的表面为弧面的凸起结构为半球。
4.如权利要求3所述的OLED显示面板制作方法，其特征在于，圆点状的开孔的孔径宽度小于在形成所述有机发光层时采用的第二掩膜板上的狭缝的宽度。
5.如权利要求1～4中任一项所述的OLED显示面板制作方法，其特征在于，所述第一光耦合层和第二光耦合层的厚度和为λ/4n，λ为发光峰值波长；n为所述第一光耦合层和第二光耦合层的折射率。
6.如权利要求5所述的OLED显示面板制作方法，其特征在于，所述n大于等于1.8。
7.如权利要求1～4中任一项所述的OLED显示面板制作方法，其特征在于，所述第一光耦合层和第二光耦合层的材料包括：ZnSe、TiO2、SiO2、Si3N4、Alq3其中之一或至少两种的混合材料。
8.一种OLED显示面板，包括依次形成在衬底基板上的阳极、有机发光层、阴极及第一光耦合层，其特征在于，还包括：形成在所述第一光耦合层背离所述阴极的一侧的由若干表面为弧面的凸起结构排列成的第二光耦合层；
其中，所述第二光耦合层采用第一掩膜板在所述第一光耦合层上进行蒸镀形成；所述第一掩膜板上的相邻两个狭缝或相邻两个圆孔之间的间距达到适当的距离，使得蒸镀形成的相邻两个条形半圆柱或相邻两个半球之间紧密接触；
所述第一掩膜板上包括若干用于蒸镀所述第二光耦合层的开孔，且所述开孔的孔壁与所述第一掩膜板表面垂直；
所述第一掩膜板上的开孔为狭缝，且狭缝的放置方向与在形成所述有机发光层时采用的第二掩膜板上的狭缝的放置方向垂直，蒸镀形成的所述表面为弧面的凸起结构为条形的半圆柱。
9.如权利要求8所述的OLED显示面板，其特征在于，所述半圆柱的直径小于所述显示面板的亚像素宽度。
10.如权利要求8所述的OLED显示面板，其特征在于，所述表面为弧面的凸起结构为半球。
11.如权利要求10所述的OLED显示面板，其特征在于，所述半球的孔径宽度小于所述显示面板的亚像素宽度。
12.如权利要求8～11中任一项所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一光耦合层和第二光耦合层的厚度和为λ/4n，λ为发光峰值波长；n为所述第一光耦合层和第二光耦合层的折射率。
13.如权利要求12所述的OLED显示面板，其特征在于，所述n大于等于1.8。
14.如权利要求8～11中任一项所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一光耦合层和第二光耦合层的材料包括：ZnSe、TiO2、SiO2、Si3N4、Alq3其中之一或至少两种的混合材料。
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