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CN103676353A - 像素结构、阵列基板及显示装置 - Google Patents

像素结构、阵列基板及显示装置 Download PDF

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CN103676353A CN201310646412.8A CN201310646412A CN103676353A CN 103676353 A CN103676353 A CN 103676353A CN 201310646412 A CN201310646412 A CN 201310646412A CN 103676353 A CN103676353 A CN 103676353A
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Abstract

本发明的像素结构、阵列基板及显示装置，其中，本发明的像素结构，包括第一电极和第二电极，第一电极包括多个第一电极部以及位于相邻的第一电极部之间的多个第一缝隙，第二电极包括多个条状且平行等距排列的第二电极部以及位于相邻的第二电极部之间的多个第二缝隙，第一电极部的向下垂直投影与第二电极部的向下垂直投影存在交叠，第二电极包括第三电极部，每个第二电极部与相邻的第二电极部通过一个第三电极部连接。本发明的阵列基板，包括本发明的像素结构。本发明的显示装置，包括本发明的阵列基板。本发明的技术方案减小了存储电容，将第二电极进行狭缝图案化的设计，在减小存储电容的基础上，保持了较高的透过率、工艺良率。

Description

像素结构、阵列基板及显示装置
技术领域
本发明属于液晶显示技术领域，具体涉及一种像素结构、阵列基板及显示装置。
背景技术
随着薄膜场效应晶体管液晶显示（Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，TFT-LCD）技术的发展和工业技术的进步，液晶显示器件生产成本降低、制造工艺的日益完善，TFT-LCD已经取代了阴极射线管显示成为平板显示领域的主流技术。
由于生活水平的日益提高，客户对显示器件的要求也进一步提高，高刷新频率，高显示品质的显示器件成为主流，同时为加强产品竞争力，降低显示器件成本也成为广大生产厂商的必然选择。
LCD显示分为扭曲向列型（TN）、垂直场切换型（VA）、平面场切换型（IPS）、高级超维场切换型（ADS）等显示方式。其中TN、VA利用垂直电场驱动液晶转动，以实现对灰阶的控制，通常需要在下基板（阵列基板）和上基板（彩色滤光片基板）的表面加垂直电场，液晶在垂直电场的作用下进行旋转并呈现为我们需要的状态。然而，垂直电场驱动的LCD显示视角较窄，即在不同的方向观察时，不同灰阶下的画面会发生反转现象，例如当客户在侧方向观看时，会发现画面中的人物的面部颜色发生显著的色偏变化，此时灰阶翻转现象的发生严重的影响了客户的视觉体验，无法实现更高的产品附加值。
为解决这一问题，先后开发出了平面场切换型显示器件和高级超维场切换型显示器件，平面场切换型显示技术利用处于同一水平面上的电极产生水平方向的电场驱动液晶旋转，由于该模式下液晶主要沿水平方向进行取向，故在其他各个方向观看时光学延迟量较小，即不容易产生灰阶反转，实现更好的色彩品质；高级超维场切换型在平面电场的基础上增加了一部分垂直方向的电场，从而驱动更多的液晶进行旋转，提高了面板透过率，降低了背光模组生产成本。高级超维场切换型显示器件的像素结构中，需要存在一个较大的存储电容。为进一步提高产品品质特别是动态画面的成像质量，高频驱动显示器件受到更多生产厂商的青睐，由于高级超维场切换型显示器件的像素结构中存在较大的存储电容（storage capacitance）,故其在高频驱动时其扫描线需要更高的负载，由此需要增加扫描线的宽度，但这样势必将减小开口率，进而引起背光模组成本上升。
发明内容
本发明的目的在于提供一种存储电容较小，同时保持了较高的透过率、工艺良率的像素结构、阵列基板及显示装置。
本发明的像素结构，包括第一电极和位于第一电极下方的第二电极，第一电极与第二电极之间不导通，所述第一电极包括多个条状且平行等距排列的第一电极部以及位于相邻的第一电极部之间的多个第一缝隙，所述第二电极包括多个条状且平行等距排列的第二电极部以及位于相邻的第二电极部之间的多个第二缝隙，所述第一电极的第一电极部的向下垂直投影与第二电极的第二电极部的向下垂直投影存在交叠，所述第二电极包括多个条状且平行等距排列的第三电极部，每个第二电极部的一端与相邻的第二电极部的一端通过一个所述第三电极部连接。
本发明的像素结构，其中，所述第三电极部与所述第一电极的第一电极部平行。
本发明的像素结构，其中，所述第一电极的第一电极部的向下垂直投影与第二电极的第二电极部的向下垂直投影之间的夹角的取值范围为大于3度且小于21度。
本发明的像素结构，其中，所述第一电极的第一电极部的向下垂直投影与第二电极的第二电极部的向下垂直投影之间的夹角为11度。
本发明的像素结构，其中，所述第一电极的所有第一电极部通过第一连接条并联，第二电极部的所有第三电极部和第二电极部通过第二连接条并联。
本发明的像素结构，其中，第一缝隙的宽度在3-6um之间，第一缝隙与第二缝隙等宽。
本发明的像素结构，其中，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。
本发明的像素结构，其中，所述第二电极为像素电极，所述第一电极为公共电极。
本发明的阵列基板，包括本发明的像素结构。
本发明的显示装置，包括本发明的阵列基板。
本发明的技术方案减小了存储电容，将第二电极进行狭缝图案化的设计，在减小存储电容的基础上，保持了较高的透过率、工艺良率。
附图说明
图1为本发明的像素结构的实施例中的第一电极和第二电极的俯视图，示出了第一电极和第二电极的结构以及之间的位置关系；
图2为现有技术中的像素结构中第一电极和第二电极的俯视图。
具体实施方式
本发明的技术方案为减小存储电容，将第二电极进行狭缝图案化的设计，该设计在减小存储电容的基础上，保持了较高的透过率、工艺良率。
如图1所示，本发明的像素结构的实施例，包括第一电极1和位于第一电极1下方的第二电极2，第一电极1与第二电极2之间不导通，第一电极1包括多个条状且平行等距排列的第一电极部11以及位于相邻的第一电极部11之间的多个第一缝隙12，第二电极2包括多个条状且平行等距排列的第二电极部21以及位于相邻的第二电极部21之间的多个第二缝隙22，第一电极1的每一第一电极部11的向下垂直投影与第二电极2的第二电极部21的向下垂直投影存在交叠，第二电极2包括多个条状且平行等距排列的第三电极部23，每个第二电极部21的一端与相邻的第二电极部21的一端通过一个第三电极部23连接。
本发明的像素结构的实施例，其中，每个第三电极部23沿一个第二缝隙22的对角线延伸，每个第三电极部23连接一个第二缝隙22的两相对角。
发明的像素结构的实施例，第一电极1的第一电极部11与第二电极2的第二电极部21之间形成存储电容，因为第一电极1、第二电极2均包括缝隙，这样第一电极1的向下垂直投影与第二电极2的向下垂直投影的交叠部分的面积就大大减少，由此较现有技术，存储电容就大大减小，同时每个第二电极部21的一端与相邻的第二电极部21的一端通过一个第三电极部23连接，即本发明的像素结构采用Z型电极设计，得到一个较高的透过率。
发明的像素结构的实施例，其中，第三电极部23与第一电极1的第一电极部11平行。
发明的像素结构的实施例，其中，第一电极1的第一电极部11的向下垂直投影与第二电极2的第二电极部21的向下垂直投影之间的夹角的取值范围为大于3度且小于21度。
优选的，发明的像素结构的实施例，其中，第一电极1的第一电极部11的向下垂直投影与第二电极2的第二电极部21的向下垂直投影之间的夹角是11度。
本发明的像素结构的实施例，其中，第一电极1的所有第一电极部11通过第一连接条13并联，第二电极部2的所有第三电极部23和所有第二电极部21通过第二连接条24并联。
本发明的像素结构的实施例，其中，第一缝隙12的宽度在3-6um之间，第一缝隙12与第二缝隙22等宽。
本发明的像素结构的实施例，其中，第一电极1为像素电极，第二电极3为公共电极。
本发明的像素结构其他实施例中，第二电极2可以为像素电极，第一电极1为公共电极。
本发明的阵列基板，包括本发明的像素结构。
本发明的显示装置，包括本发明的阵列基板。
如图2所示，一种现有技术中的像素结构中，第一电极1的第一电极部11的向下垂直投影与第二电极2的第二电极部21的向下垂直投影之间的夹角是9度。
现有技术中的像素结构透过率较小，本发明的像素结构采用Z型公共电极设计，可以得到一个较高的透过率；同时存储电容降低，工艺能力有所提高。
假设原有的高级超维场切换型显示结构的透过率、电容为100%。工艺偏差允许范围为1um。
根据模拟实验所得数据，上述现有技术中的像素结构，透过率为82%，存储电容为更早的现有技术的像素结构的45%，工艺能力参数为0.4um。
本发明的像素结构，透过率为95%，存储电容为更早的现有技术的像素结构的50%，工艺能力参数为0.4um。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种像素结构，包括第一电极和位于第一电极下方的第二电极，其特征在于，第一电极与第二电极之间不导通，所述第一电极包括多个条状且平行等距排列的第一电极部以及位于相邻的第一电极部之间的多个第一缝隙，所述第二电极包括多个条状且平行等距排列的第二电极部以及位于相邻的第二电极部之间的多个第二缝隙，所述第一电极的第一电极部的向下垂直投影与第二电极的第二电极部的向下垂直投影存在交叠，所述第二电极包括多个条状且平行等距排列的第三电极部，每个第二电极部的一端与相邻的第二电极部的一端通过一个所述第三电极部连接。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第三电极部与所述第一电极的第一电极部平行。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一电极的第一电极部的向下垂直投影与第二电极的第二电极部的向下垂直投影之间的夹角的取值范围为大于3度且小于21度。
4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述第一电极的第一电极部的向下垂直投影与第二电极的第二电极部的向下垂直投影之间的夹角为11度。
5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一电极的所有第一电极部通过第一连接条并联，第二电极部的所有第三电极部和第二电极部通过第二连接条并联。
6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，第一缝隙的宽度在3-6um之间，第一缝隙与第二缝隙等宽。
7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。
8.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第二电极为像素电极，所述第一电极为公共电极。
9.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的像素结构。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的阵列基板。
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