CN103325949A - 一种有机发光二极管封装结构及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种有机发光二极管的封装结构，包括基板、盖板和位于基板上的有机发光二极管，基板和盖板通过位于基板边缘的粘结材料粘结形成封装结构，有机发光二极管包括设置于基板上表面的阳极和依次叠加在阳极上面的有机层和阴极，盖板的内表面上设有物理间隙柱，阴极和有机层上设有形状、大小与物理间隙柱相应的空白区域，所述物理间隙柱正好位于所述空白区域内，所述物理间隙柱的高度大于有机发光二极管阴极和有机层厚度之和；本发明还公开了该封装结构的制备方法。当所述有机发光二极管封装结构在外力作用下变形时，盖板首先接触的是物理间隙柱，避免有机发光二极管被破坏，延长其使用寿命。

Description

一种有机发光二极管封装结构及其制备方法

技术领域

本发明属于有机电致发光显示技术领域，具体涉及一种有机发光二极管的封装结构及其制备方法。

背景技术

有机电致发光二极管（OLED），也叫有机发光二极管，其发光原理是给特定的有机材料施加电流，使电能转化为光能，从而发光，有机发光二极管具有全固态、主动发光、高亮度、高对比度、超薄超轻、低功耗、无视角限制、工作温度范围广等特性，被认为是下一代的平面显示的主力军。然而，OLED显示器，尤其是位于其中的电极和有机材料对于诸如氧气和湿气的外部环境因素极敏感，随着使用时间的增加，环境中的水气与氧气很容易渗入器件内部，使得金属电极与有机材料之间剥离、材料裂解和电极氧化，进而产生暗点，并且黑点随时间的增加会迅速扩大，这会大幅降低显示器件的发光强度和发光均匀度等发光品质，最终会导致整个器件损坏，大大缩短器件的寿命。因此，对OLED器件良好的封装是延长OLED器件寿命的最重要方式。

传统的OLED封装工艺采用粘结剂粘结基板和封装盖板构成一气密空间形成对OLED器件保护的方法，此方法工艺成熟、简单并且坚固但，对于大尺寸器件的封装，由于盖板容易受重力等外力因素而变形，使盖板碰触到器件而使器件受到损坏；同时针对柔性器件，在采用柔性高分子薄膜作为盖板封装的时候，在器件弯曲、折叠的时候很容易造成封装薄膜于器件发光区域碰触而损坏器件。针对盖板封装的缺陷，人们开始把目光转向薄膜封装，薄膜封装是在OLED器件阴极表面沉积多层薄膜，其中以Vitex System的Barix封装技术为代表，这事一种基于复合物的途径来密封OLED的方法，在器件阴极表面制备有机、无机交替的多层薄膜，但是薄膜封装还是会有针孔产生，设备投资高，生产效率低，目前工艺不成熟。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中的上述问题，提供一种适用于大面积盖板封装和薄膜封装结构且在封装结构变形情况下仍能保护有机发光二极管器件不受损坏的有机发光二极管封装结构及其制备方法。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

一种有机发光二极管封装结构，包括基板、盖板和位于基板上的有机发光二极管，所述基板和盖板通过设置于基板边缘的粘结材料粘结形成有机发光二极管的密封结构，所述有机发光二极管包括设置于基板上的阳极和依次叠加在阳极上面的有机层和阴极，其特征在于：所述盖板的内表面上设有物理间隙柱，所述阴极和有机层上设有形状、大小与物理间隙柱对应的空白区域，所述物理间隙柱正好位于所述空白区域内，所述物理间隙柱的高度大于有机发光二极管阴极和有机层厚度之和。

进一步地，有机发光二极管阴极和有机层上设置的空白区域可以延伸至基板的上表面，即空白区域贯穿有机发光二极管的阴极、有机层及阳极，相应的，所述物理间隙柱的高度大于有机发光二极管阴极、有机层与阳极厚度之和。

进一步地，空白区域占有机发光二极管的阴极和有机层表面积的20～70%。

进一步地，全部或部分有机发光二极管的阴极和有机层上设有形状、大小与物理间隙柱对应的空白区域。

进一步地，全部或部分有机发光二极管的阴极、有机层和阳极上设有形状、大小与物理间隙柱对应的空白区域。

进一步地，所述物理间隙柱的材质为光敏感树脂、无机绝缘材料或其他种类绝缘材料。

进一步地，所述物理间隙柱的材质为丙烯酸环氧丙酯、甲基丙烯酸环氧丙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基聚丙烯酸6，7-环氧庚酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯等单体的均聚物或共聚物、三氧化二铝、氮化硅或二氧化硅。

进一步地，所述有机层包括至少一层发光层。

进一步地，所述有机发光二极管还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层或电子注入层。

进一步地，对于阴极和有机层上设置空白区域的有机发光二极管封装结构的制备方法，包括以下步骤：

步骤1将盖板通过UV清洗或等离子清洗，烘干备用；

步骤2对于材质为光敏感树脂的物理间隙柱的制备，包括分步骤211至214：

步骤211在盖板表面均匀涂布光敏感树脂，然后安装掩模板；所述掩模板上的镂空区域与盖板上所设置物理间隙柱的大小、形状和位置一一对应；

步骤212曝光：用光束照射步骤211所得盖板，镂空区域的光敏感树脂受光照射发生固化，而被掩模板遮蔽的区域内的光敏感树脂未受光照射也不发生固化；

步骤213显影：将步骤212所得基板浸入显影溶液，被掩模板遮蔽的区域内的未固化光敏感树脂溶于显影液而被除去，固化的光敏感树脂则不溶，形成物理间隙柱；

步骤214对步骤213所得物理间隙柱进行烘烤以使其进一步硬化；

对于材质为无机材料的物理间隙柱的制备，包括分步骤221至226：

步骤221采用溅射镀膜法在阳极表面沉积无机膜；

步骤222在无机膜表面均匀涂布光刻胶并烘烤，然后安装掩模板；如果所涂光刻胶为负性光刻胶，则掩模板上的镂空区域与阳极上所设置物理间隙柱的位置、形状一一对应；如果所涂光刻胶为正性光刻胶，则掩模板上的遮蔽区域与阳极上所设置物理间隙柱的位置、形状一一对应；

步骤223曝光：光束经过掩模板照射至无机膜表面的光刻胶，对于负性光刻胶，镂空区域光刻胶受光照射发生固化，对于正性光刻胶，镂空区域光刻胶受光照射而发生分解；

步骤224显影：将步骤223所得基板浸入显影溶液，未固化或已分解的光刻胶溶解而被除去，剩余光刻胶则覆盖在无机膜上；

步骤225刻蚀：将步骤224所得基板浸入刻蚀液，被除去光刻胶区域内的无机薄膜没有保护被刻蚀掉，光刻胶覆盖区域的无机膜则被留下；

步骤226剥离：将步骤225所得基板浸入剥离液，移除覆盖在无机膜上的光刻胶，得到物理间隙柱；

步骤3采用溅射镀膜工艺在基板上制备有机发光二极管的阳极；

步骤4将步骤3所得基板与蒸镀掩模板精确对位，蒸镀掩模板的遮蔽区域与有机发光二极管有机层和阴极上设置的空白区域的形状、大小和位置一一对应；

步骤5在步骤4所得基板表面依次蒸镀有机层和阴极，蒸镀完成后取下蒸镀掩模板，获得具有空白区域的基板；

步骤6将步骤5所得的基板与步骤2所得的盖板精确对位，用粘结材料粘接基板和盖板形成有机发光二极管的封装结构。

进一步地，对于阳极、阴极和有机层上设置空白区域的有机发光二极管封装结构的制备方法，包括以下步骤：

步骤1将盖板通过UV清洗或等离子清洗，烘干备用；

步骤2对于材质为光敏感树脂的物理间隙柱的制备，包括分步骤211至214：

步骤211在盖板表面均匀涂布光敏感树脂，并安装掩模板，所述掩模板上的镂空区域与盖板上所设置物理间隙柱的大小、形状和位置一一对应；

步骤212曝光：用光束照射步骤211所得盖板，镂空区域的光敏感树脂受光照射发生固化，而被掩模板遮蔽的区域内的光敏感树脂未受光照射也不发生固化；

步骤213显影：将步骤212所得基板浸入显影溶液，被掩模板遮蔽的区域内的未固化光敏感树脂溶于显影液而被除去，固化的光敏感树脂形成物理间隙住；

步骤214对步骤213所得物理间隙柱进行烘烤使其进一步硬化；

对于材质为无机材料的物理间隙柱的制备，包括分步骤221至226：

步骤221采用溅射镀膜法在阳极表面沉积无机膜；

步骤222在无机膜表面均匀涂布光刻胶并烘烤，然后安装掩模板；如果所涂光刻胶为负性光刻胶，则掩模板上的镂空区域与盖板上所设置物理间隙柱的位置、形状一一对应；如果所涂光刻胶为正性光刻胶，则掩模板上的遮蔽区域与盖板上所设置物理间隙柱的位置、形状一一对应；

步骤223曝光：光束经过掩模板照射至无机膜表面的光刻胶，对于负性光刻胶，镂空区域光刻胶受光照射发生固化，对于正性光刻胶，镂空区域光刻胶受光照射而发生分解；

步骤224显影：将步骤223所得基板浸入显影溶液，未固化或已分解的光刻胶溶解而被除去，剩余光刻胶则覆盖在无机膜上；

步骤225刻蚀：将步骤224所得基板浸入刻蚀液，被除去光刻胶区域内的无机薄膜没有保护被刻蚀掉，光刻胶覆盖区域的无机膜则被留下；

步骤226剥离：将步骤225所得基板浸入剥离液，移除覆盖在无机膜上的光刻胶，得到物理间隙柱；

步骤3采用溅射镀膜工艺在基板上制备一层导电膜；

步骤4在导电膜表面均匀涂布正性光刻胶并烘烤，然后，将涂布正性光刻胶的基板与掩模板精确对位，所述掩膜板上的遮蔽区域与基板上所设置阳极的大小、形状和位置一一对应，所述掩膜板上的镂空区域与基板上除阳极以外的区域一一对应，还包括与有机发光二极管阳极、有机层和阴极上设置的空白区域的形状、大小和位置一一对应的区域；

步骤5曝光：用光束照射步骤4所得基板，被掩模板遮蔽的区域，所涂正性光刻胶不发生分解，镂空区域内的光刻胶则受光束照射发生分解；

步骤6显影：将步骤5所得基板浸入显影液中，发生分解反应的正性光刻胶溶于显影液中，未发生分解反应的光刻胶覆盖在导电膜表面；

步骤7刻蚀：将步骤6所得基板浸入刻蚀液中，表面没有正性光刻胶保护的导电膜被刻蚀掉，表面有正性光刻胶保护的导电膜则被留下；

步骤8剥离：将步骤7所得基板浸入剥离液中，除去导电膜表面的正性光刻胶，剩余导电膜即为阳极；

步骤9将步骤8所得基板与蒸镀掩模板精确对位，蒸镀掩模板的遮蔽区域与有机发光二极管有机层和阴极上设置的空白区域的形状、大小和位置一一对应；

步骤10在步骤9所得基板表面依次蒸镀有机层和阴极，蒸镀完成后取下蒸镀掩模板，获得具有空白区域的基板；

步骤11将步骤10所得的基板与步骤2所得的盖板精确对位，用粘结材料粘接基板和盖板形成有机发光二极管的封装结构。

进一步地，盖板内物理间隙柱的制备过程中可将步骤2重复若干次以获得规定高度的物理间隙柱。

与现有技术相比，本发明的有益效果之一是：

首先，本发明所述的有机发光二极管封装结构在盖板内表面上设置高度大于有机发光二极管阴极和有机层高度之和的物理间隙柱，当封装结构的盖板受外力作用发生变形时，物理间隙柱通过有机发光二极管阴极和有机层上的空白区域抵住有机发光二极管的阳极或基板，避免变形的盖板直接作用于有机发光二极管的阴极和有机层致使其破坏，提高有机发光二极管的使用寿命；

其次，本发明所述的有机发光二极管封装结构尤其适用于大尺寸有机发光二极管面板和柔性有机发光二极管面板；

最后，本发明所述有机发光二极管封装结构的制备方法，仅需在封装盖板上设置物理间隙柱或在阳极形成工艺中改变掩模板形状，通用性好。

附图说明

图1为本发明一种实施例的有机发光二极管封装机构的侧剖视图；

图2为本发明另一实施例中的有机发光二极管封装机构的侧剖视图。

具体实施方式

为了使本实发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例1

如图1所示，本实施例中的一种有机发光二极管封装结构，包括基板1、盖板3和位于基板1上的有机发光二极管2，设置于基板1边缘的粘结材料4将基板1和盖板3粘结起来形成有机发光二极管2的封装结构，这里的有机发光二极管包括设置于基板上的阳极21和依次叠加在阳极21上面的有机层22和阴极23；盖板3的内表面上还设有物理间隙柱5，阴极23和有机层22上设有形状、大小与物理间隙柱对应的空白区域6，物理间隙柱5正好位于此空白区域6内，物理间隙柱5的高度大于有机发光二极管2阴极23和有机层22厚度之和。当封装结构的盖板3受外力作用发生变形时，物理间隙柱5通过有机发光二极管2的阴极23和有机层22上的空白区域6抵住有机发光二极管2的阳极21，避免变形的盖板3直接作用于有机发光二极管2的阴极23和有机层22致使其破坏，提高有机发光二极管2的使用寿命。

为了保证封装结构的发光亮度和视角，空白区域6占有机发光二极管2的阴极23和有机层22表面积的20%。

本实施例中全部有机发光二极管2的阴极23和有机层22上均设有形状、大小与物理间隙柱5对应的空白区域6。

本实施例中的物理间隙柱5的材质为丙烯酸环氧丙酯、甲基丙烯酸环氧丙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基聚丙烯酸6,7-环氧庚酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯等单体的均聚物或共聚物等光敏感树脂。

本实施例中的有机发光二极管的有机层22可以只包括至少一层发光层，也可以包括至少一层发光层和空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层，即该有机发光二极管封装结构适用于各种有机发光二极管。

本实施例所述有机发光二极管封装结构的制备方法，包括以下步骤：

步骤1将盖板3通过UV清洗或等离子清洗，烘干备用；

步骤2在盖板3内表面涂布光敏感树脂，并将内表面涂布光敏感树脂的盖板3与掩模板精确对位，所述掩模板的镂空区域与所设置物理间隙柱的形状、大小和位置一一对应；

步骤3曝光：用光束照射步骤2所得盖板3，光束透过镂空区域照射到光敏感树脂使被照射的光敏感树脂固化，被掩模板遮蔽的区域没有光照射，区域内的光敏感树脂不发生固化；

步骤4显影：经过曝光的盖板3浸泡在显影液中，固化的光敏感树脂形成物理间隙柱5，未固化的树脂则被显影液溶解而除去；

步骤5将步骤4所得物理间隙柱5进行烘烤使其进一步硬化；

步骤6采用溅射镀膜工艺在基板1上制备有机发光二极管2的阳极21；

步骤7将步骤6所得基板1与蒸镀掩模板精确对位，并依次蒸镀有机层22和阴极23，其中，蒸镀掩模板的遮蔽区域与有机发光二极管有机层和阴极上设置的空白区域的形状、大小和位置一一对应；

步骤8将步骤7所得的基板1与步骤5所得的盖板3精确对位，用粘结材料4粘接基板1和盖板3形成有机发光二极管2的封装结构。

实施例2

本实施例中的有机二极管的封装结构同实施例1中有机二极管的封装结构，如图1所示。

为了保证封装结构的发光亮度和视角，本实施例中物理间隙柱5的底面积占有机发光二极管2的阴极23和有机层22表面积的40%。

本实施例中仅部分有机发光二极管2的阴极23和有机层22上设有形状、大小与物理间隙柱5对应的空白区域6，因为相比红光和蓝光，绿光的发光效率较高，选择将空白区域6设置于发绿光的有机发光二极管的阴极23和有机层22上，并在盖板3内表面的对应位置设置物理间隙柱5，代替传统调整不同发光颜色二极管像素尺寸来调整不同颜色发光亮度比例的做法。

本实施例中的物理间隙柱5的材质为三氧化二铝、氮化硅或二氧化硅。

本实施例中的有机发光二极管的有机层22可以只包括至少一层发光层，也可以包括至少一层发光层和空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层，即该有机发光二极管封装结构适用于各种有机发光二极管。

本实施例所述有机发光二极管封装结构的制备方法，包括以下步骤：

步骤1将盖板3通过UV清洗或等离子清洗，烘干备用；

步骤2采用溅射镀膜工艺在盖板3表面沉积无机膜；

步骤3在步骤2所得盖板3的无机膜表面均匀涂布负性光刻胶并烘烤，然后，将所得盖板与掩模板精确定位，所述掩模板的镂空区域与所设置物理间隙柱的形状、大小和位置一一对应；

步骤4曝光：用光束照射步骤3所得盖板3，光速透过镂空区域照射到光敏感树脂使被照射的光敏感树脂固化，被掩模板遮蔽的区域没有光照射，区域内的光敏感树脂也不发生固化反应；

步骤5显影：经过曝光的盖板3浸泡在显影液中，固化的负性光刻胶不溶于显影液仍覆盖在无机膜表面，未固化的树脂则溶于显影液被除去，对应区域的无机膜暴露在外；

步骤6刻蚀：将步骤5所得的盖板3浸入蚀刻液中，没有固化负性光刻胶保护的区域的无机薄膜被除去，剩余被光刻胶覆盖的无机膜。

步骤7剥离：将步骤6所得基板3浸入剥离液中，除去覆盖在无机膜上的固化光刻胶得到设有物理间隙柱5的盖板3；

步骤8采用溅射镀膜工艺在基板1上制备有机发光二极管2的阳极21；

步骤9将步骤8所得基板1与蒸镀掩模板精确对位，依次蒸镀有机层22和阴极23，其中，蒸镀掩模板的遮蔽区域与有机发光二极管有机层和阴极上设置的空白区域的形状、大小和位置一一对应；

步骤10将步骤9所得的基板1与步骤7所得的盖板3精确对位，用粘结材料4粘接基板1和盖板3形成有机发光二极管2的封装结构。

实施例3

如图2所示，本实施例中的一种有机发光二极管封装结构，包括基板1、盖板3和位于基板1上的有机发光二极管2，设置于基板1边缘的粘结材料4粘结将基板1和盖板3粘结起来形成有机发光二极管2的封装结构，这里的有机发光二极管包括设置于基板上的阳极21和依次叠加在阳极21上面的有机层22和阴极23；所述盖板3的内表面上设有物理间隙柱5，阴极23、有机层上22和阳极21上设有形状、大小与物理间隙柱对应的空白区域6，物理间隙柱5正好位于空白区域6内，物理间隙柱5的高度大于有机发光二极管2阴极23、有机层22和阳极21的厚度之和。当封装结构的盖板3受外力作用发生变形时，物理间隙柱5通过有机发光二极管2的阴极23、有机层22和阳极21上设置的空白区域6抵住有机发光二极管2的基板1，避免变形的盖板3直接作用于有机发光二极管2的阴极23和有机层22致使其破坏，提高有机发光二极管2的使用寿命。

为了保证封装结构的发光亮度和视角，本实施例中物理间隙柱5的底面积占有机发光二极管2的阴极23、有机层22和阳极表面积的70%。

本实施例中的部分有机发光二极管2的阳极21、阴极23和有机层22上设有形状、大小与物理间隙柱5对应的空白区域6。

本实施例中的物理间隙柱5的材质为丙烯酸环氧丙酯、甲基丙烯酸环氧丙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基聚丙烯酸6，7-环氧庚酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯等单体的均聚物或共聚物等光敏感树脂。

本实施例中的有机发光二极管的有机层22可以只包括至少一层发光层，也可以包括至少一层发光层和空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层，即该有机发光二极管封装结构适用于各种有机发光二极管。

本实施例所述有机发光二极管封装结构的制备方法，包括以下步骤：

步骤1将盖板3通过UV清洗或等离子清洗，烘干备用；

步骤2在盖板3内表面涂布光敏感树脂，并将内表面涂布光敏感树脂的盖板3与掩模板精确对位，所述掩模板的镂空区域与所设置物理间隙柱的形状、大小和位置一一对应；

步骤3曝光：用光束照射步骤2所得盖板3，光束透过镂空区域照射到光敏感树脂使被照射的光敏感树脂固化，被掩模板遮蔽的区域没有光照射，区域内的光敏感树脂也不发生固化；

步骤4显影：经过曝光的盖板3浸泡在显影液中，未固化的树脂则被显影液溶解而除去，固化的光敏感树脂形成物理间隙柱5；

步骤5将步骤4所得物理间隙柱5进行烘烤以使其进一步硬化，得到设有物理间隙柱的盖板3；

步骤6采用溅射镀膜工艺在基板1上制备一层导电层；

步骤7将步骤6所得基板的导电层表面均匀涂布正性光刻胶并烘烤，然后，将所得基板与掩模板精确对位，所述掩膜板上的遮蔽区域与基板上所设置阳极的大小、形状和位置一一对应，所述掩膜板上的镂空区域与基板1上除阳极21以外的区域一一对应，镂空区域还包括与有机发光二极管阳极21、有机层22和阴极21上设置的空白区域6的形状、大小和位置一一对应的区域；

步骤8曝光：用光束照射步骤7所得基板1，被掩模板遮蔽的区域由于光束照射不到，所涂正性光刻胶不会分解，镂空区域内被照射的光刻胶发生分解反应；

步骤9显影：将步骤8所得基板1浸入显影液中，发生分解反应的正性光刻胶溶于显影液中，未发生分解反应的光刻胶覆盖在导电层表面；

步骤10刻蚀：将步骤9所得基板1浸入刻蚀液中，表面没有正性光刻胶保护的导电层被刻蚀掉，表面有正性光刻胶保护的导电层被留下；

步骤11剥离：将步骤10所得基板1浸入剥离液中，导电层表面的正性光刻胶溶于剥离液中而被除去，剩余导电层即为有机发光二极管的阳极21；

步骤12将步骤11所得基板1与蒸镀掩模板精确对位，蒸镀掩模板的遮蔽区域与有机发光二极管阳极21、有机层22和阴极23上设置的空白区域的形状、大小和位置一一对应；

步骤13在步骤12所得基板1的表面依次蒸镀有机层22和阴极23，蒸镀完成后取下掩模板，获得具有空白区域的基板1；

步骤14将步骤13所得的基板1与步骤6所得的盖板3精确对位，用粘结材料4粘接基板1和盖板3形成有机发光二极管2的封装结构。

进一步地，盖板内物理间隙柱5的制备过程中可将步骤2至5重复若干次以获得规定高度的物理间隙柱。

尽管这里参照本发明的多个解释性实施例对本发明进行了描述，但是，应该理解，本领域技术人员可以设计出很多其他的修改和实施方式，这些修改和实施方式将落在本申请公开的原则范围和精神之内。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管封装结构，包括基板、盖板和位于基板上的有机发光二极管，所述基板和盖板通过设置于基板边缘的粘结材料粘结形成有机发光二极管的密封结构，所述有机发光二极管包括设置于基板上的阳极和依次叠加在阳极上面的有机层和阴极，其特征在于：所述盖板的内表面设有物理间隙柱，所述阴极和有机层上设有形状、大小与物理间隙柱对应的空白区域，所述物理间隙柱位于所述空白区域内，所述物理间隙柱的高度大于有机发光二极管阴极和有机层的厚度之和。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于：有机发光二极管阴极和有机层上设置的空白区域延伸至基板的上表面，相应的，所述物理隙柱的高度大于有机发光二极管阴极、有机层与阳极的厚度之和。

3.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于：所述空白区域占有机发光二极管的阴极和有机层表面积的20～70%。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于：全部或部分有机发光二极管的阴极和有机层设有形状、大小与物理间隙柱对应的空白区域。

5.根据权利要求2所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于：全部或部分有机发光二极管的阳极、阴极和有机层上设有形状、大小与物理间隙柱对应的空白区域。

6.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于：所述物理间隙柱的材质为光敏感树脂或无机无缘材料。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于：所述物理间隙柱的材质为丙烯酸环氧丙酯、甲基丙烯酸环氧丙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基聚丙烯酸6，7-环氧庚酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯等单体的均聚物或共聚物、三氧化二铝、氮化硅或二氧化硅。

8.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于：所述有机层包括至少一层发光层，还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层或电子注入层。

9.一种权利要求1所述的有机发光二极管封装结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1将盖板通过UV清洗或等离子清洗，烘干备用；

步骤2对于材质为高分子绝缘材料的物理间隙柱的制备，包括分步骤211至214：

步骤211在盖板表面均匀涂布光敏感树脂，然后安装掩模板；所述掩模板上的镂空区域与盖板上所设置物理间隙柱的大小、形状和位置一一对应；

步骤212曝光：用光束照射步骤211所得盖板，镂空区域的光敏感树脂受光照射发生固化，而被掩模板遮蔽的区域内的光敏感树脂未受光照射也不发生固化；

步骤213显影：将步骤212所得基板浸入显影溶液，被掩模板遮蔽的区域内的未固化光敏感树脂溶于显影液而被除去，固化的光敏感树脂则不溶，形成物理间隙柱；

步骤214对步骤213所得物理间隙柱进行烘烤以使其进一步硬化；

对于材质为无机材料的物理间隙柱的制备，包括分步骤221至226：

步骤221采用溅射镀膜法在阳极表面沉积无机膜；

步骤222在无机膜表面均匀涂布光刻胶并烘烤，然后安装掩模板；如果所涂光刻胶为负性光刻胶，则掩模板上的镂空区域与阳极上所设置物理间隙柱的位置、形状一一对应；如果所涂光刻胶为正性光刻胶，则掩模板上的遮蔽区域与阳极上所设置物理间隙柱的位置、形状一一对应；

步骤223曝光：光束经过掩模板照射至无机膜表面的光刻胶，对于负性光刻胶，镂空区域光刻胶受光照射发生固化，对于正性光刻胶，镂空区域光刻胶受光照射而发生分解；

步骤224显影：将步骤223所得基板浸入显影溶液，未固化或已分解的光刻胶溶解而被除去，剩余光刻胶则覆盖在无机膜上；

步骤225刻蚀：将步骤224所得基板浸入刻蚀液，被除去光刻胶区域内的无机薄膜没有保护被刻蚀掉，光刻胶覆盖区域的无机膜则被留下；

步骤226剥离：将步骤225所得基板浸入剥离液，移除覆盖在无机膜上的光刻胶，得到物理间隙柱；

步骤3采用溅射镀膜工艺在基板上制备有机发光二极管的阳极；

步骤4将步骤3所得基板与蒸镀掩模板精确对位，蒸镀掩模板的遮蔽区域与有机发光二极管有机层和阴极上设置的空白区域的形状、大小和位置一一对应；

步骤5在步骤4所得基板表面依次蒸镀有机层和阴极，蒸镀完成后取下蒸镀掩模板，获得具有空白区域的基板；

步骤6将步骤5所得的基板与步骤2所得的盖板精确对位，用粘结材料粘接基板和盖板形成有机发光二极管的封装结构。

10.一种权利要求2所述的有机发光二极管封装结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1将盖板通过UV清洗或等离子清洗，烘干备用；

步骤2对于材质为高分子绝缘材料的物理间隙柱的制备，包括分步骤211至214：

步骤211在盖板表面均匀涂布光敏感树脂，并安装掩模板，所述掩模板上的镂空区域与盖板上所设置物理间隙柱的大小、形状和位置一一对应；

步骤212曝光：用光束照射步骤211所得盖板，镂空区域的光敏感树脂受光照射发生固化，而被掩模板遮蔽的区域内的光敏感树脂未受光照射也不发生固化；

步骤213显影：将步骤212所得基板浸入显影溶液，被掩模板遮蔽的区域内的未固化光敏感树脂溶于显影液而被除去，固化的光敏感树脂形成物理间隙住；

步骤214对步骤213所得物理间隙柱进行烘烤使其进一步硬化；

对于材质为无机材料的物理间隙柱的制备，包括分步骤221至226：

步骤221采用溅射镀膜法在阳极表面沉积无机膜；

步骤222在无机膜表面均匀涂布光刻胶并烘烤，然后安装掩模板；如果所涂光刻胶为负性光刻胶，则掩模板上的镂空区域与盖板上所设置物理间隙柱的位置、形状一一对应；如果所涂光刻胶为正性光刻胶，则掩模板上的遮蔽区域与盖板上所设置物理间隙柱的位置、形状一一对应；

步骤223曝光：光束经过掩模板照射至无机膜表面的光刻胶，对于负性光刻胶，镂空区域光刻胶受光照射发生固化，对于正性光刻胶，镂空区域光刻胶受光照射而发生分解；

步骤224显影：将步骤223所得基板浸入显影溶液，未固化或已分解的光刻胶溶解而被除去，剩余光刻胶则覆盖在无机膜上；

步骤225刻蚀：将步骤224所得基板浸入刻蚀液，被除去光刻胶区域内的无机薄膜没有保护被刻蚀掉，光刻胶覆盖区域的无机膜则被留下；

步骤226剥离：将步骤225所得基板浸入剥离液，移除覆盖在无机膜上的光刻胶，得到物理间隙柱；

步骤3采用溅射镀膜工艺在基板上制备一层导电膜；

步骤4在导电膜表面均匀涂布正性光刻胶并烘烤，然后，将涂布正性光刻胶的基板与掩模板精确对位，所述掩膜板上的遮蔽区域与基板上所设置阳极的大小、形状和位置一一对应，所述掩膜板上的镂空区域与基板上除阳极以外的区域一一对应，还包括与有机发光二极管阳极、有机层和阴极上设置的空白区域的形状、大小和位置一一对应的区域；

步骤5曝光：用光束照射步骤4所得基板，被掩模板遮蔽的区域，所涂正性光刻胶不发生分解，镂空区域内的光刻胶则受光束照射发生分解；

步骤6显影：将步骤5所得基板浸入显影液中，发生分解反应的正性光刻胶溶于显影液中，未发生分解反应的光刻胶覆盖在导电膜表面；

步骤7刻蚀：将步骤6所得基板浸入刻蚀液中，表面没有正性光刻胶保护的导电膜被刻蚀掉，表面有正性光刻胶保护的导电膜则被留下；

步骤8剥离：将步骤7所得基板浸入剥离液中，除去导电膜表面的正性光刻胶，剩余导电膜即为阳极；

步骤9将步骤8所得基板与蒸镀掩模板精确对位，蒸镀掩模板的遮蔽区域与有机发光二极管有机层和阴极上设置的空白区域的形状、大小和位置一一对应；

步骤10在步骤9所得基板表面依次蒸镀有机层和阴极，蒸镀完成后取下蒸镀掩模板，获得具有空白区域的基板；

步骤11将步骤10所得的基板与步骤2所得的盖板精确对位，用粘结材料粘接基板和盖板形成有机发光二极管的封装结构。

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