CN103311444A - 电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明属于电致发光器件领域，其公开了一种电致发光器件及其制备方法；该电致发光器件包括依次层叠的阳极导电玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层、电子注入层和阴极层。本发明提供的电致发光器件，通过加入第二电子传输层，增强电子传输速率，简化了工序难度，而第二层采用有机材料，避免了不同类型的材料由于稳定性不一致而导致的器件老化现象，另外，不同类型的材料可能会互相影响，使电子的传输受到一定的制约，本发明通过制备第二电子传输层，可有效避免这些现象的出现，提高电子传输速率，增强了发光效率。

Description

电致发光器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及电致发光器件，尤其涉及一种电致发光器件及其制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层电致发光器件(OLED)。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。

OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

在传统的发光器件中，一般是制备一层电子传输层来提高电子的传输速率，再制备一层电子注入层来提高电子的注入效率，而电子的传输速率通常比空穴的传输速率要低两三个数量级，因此，通常都是将电子传输层进行n掺杂，也即是将电子传输层进行金属掺杂，如Cs盐掺杂到Bphen中，Li盐掺杂到TPBi中，来提高电子传输速率，这种方法采用较多，且可有效提高电子传输速率，但是，由于是掺杂，工艺上较难控制，由于金属的蒸发温度与有机物的蒸发温度相差较大，如Li盐蒸发温度一般为800℃，而有机物，如Bphen、TPBi蒸发温度为200-300左右℃，蒸发温度的差异使得两者共蒸的速率不一样，这就使得共蒸物的比例难以控制，最终难以精确达到目标比例，结果的重现性较差，使器件的发光效率得不到提高。

发明内容

本发明所要解决的问题之一在于提供一种发光率较高的电致发光器件。

一种电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层、电子注入层和阴极层。

所述电致发光器件中，各功能层的材质如下：

所述阳极导电玻璃基底选自铟锡氧化物玻璃、掺铝的氧化锌玻璃或掺铟的氧化锌玻璃；

所述空穴注入层的材质选自三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒；

所述空穴传输层的材质选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺；

所述发光层的材质为掺杂材料按照质量百分比1～20％的比例掺杂到主体材料中组成的混合材料；其中，掺杂材料选自双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C²)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱)；主体材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺；

所述第一电子传输层的材质选自4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；

所述第二电子传输层的材质选自C₆₀或C₇₀的富勒烯、或者富勒烯的丁酸甲酯衍生物；

所述电子注入层的材质选自碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或者氟化锂；

所述阴极层的材质选自银、铝、铂或金。

本发明所要解决的问题之二在于提供上述电致发光器件的制备方法，包括如下步骤；

S1、将阳极导电玻璃基底进行光刻处理，随后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除有机污染物；

S2、将清洗干净后对阳极导电玻璃基底上的阳极层进行氧等离子处理，处理时间为5-15min，功率为10-50W；

S3、采用蒸镀工艺，在阳极导电玻璃基底的阳极层表面依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层、电子注入层和阴极层；

上述工艺步骤完成后，制得电致发光器件。

本发明提供的电致发光器件，通过加入第二电子传输层，增强电子传输速率，简化了工序难度，而第二层采用有机材料，避免了不同类型的材料由于稳定性不一致而导致的器件老化现象，另外，不同类型的材料可能会互相影响，使电子的传输受到一定的制约，本发明通过制备第二电子传输层，可有效避免这些现象的出现，提高电子传输速率，增强了发光效率。

本发明提供的电致发光器件的制备方法，其制备工艺简单、加工成本低，适合商业化生产。

附图说明

图1为具体实施的电致发光器件结构示意图；

图2为实施例1制得的电致发光器件与对比例的电致发光器件之间的亮度与电压关系图。

具体实施方式

本具体实施方式提供的电致发光器件，如图1所示，包括依次层叠的阳极导电玻璃基底11、空穴注入层12、空穴传输层13、发光层14、第一电子传输层15、第二电子传输层16、电子注入层17和阴极层18；其中，阳极导电玻璃基底11包括阳极层112和玻璃基底111。

上述所述的电致发光器件，各功能层的材质及厚度如下：

阳极导电玻璃基底11选自铟锡氧化物玻璃、掺铝的氧化锌玻璃或掺铟的氧化锌玻璃，其阳极层112分别为铟锡氧化物(ITO)、掺铝的氧化锌(AZO)、掺铟的氧化锌(IZO)；因此，铟锡氧化物玻璃、掺铝的氧化锌玻璃、掺铟的氧化锌玻璃分别简称ITO玻璃、AZO玻璃、IZO玻璃；

空穴注入层12的材质选自三氧化钼(MoO₃)、三氧化钨(WO₃)或五氧化二钒(V₂O₅)，优选MoO₃，空穴注入层的厚度为20-80nm，优选厚度为40nm；

空穴传输层13的材质选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)优选NPB；空穴传输层的厚度为20-60nm，优选厚度为40nm；

发光层14的材质选自双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C²)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)₂(acac))或三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)₃)；

或者发光层14的材质为掺杂材料按照质量百分比1～20％的比例掺杂到主体材料中组成的混合材料；其中，掺杂材料选自双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C²)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)₂(acac))或三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)₃)；主体材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)；

发光层14的厚度为2-30nm；

发光层14的材料优选为Ir(ppy)₃掺杂到TCTA中，且掺杂质量百分比为10％，此时，发光层的厚度优选为20nm；

第一电子传输层15的材质选自4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如，TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBi)；第一电子传输层15的厚度为20-60nm，优选40nm；

所述第二电子传输层16的材质选自C₆₀或C₇₀的富勒烯、或者富勒烯的丁酸甲酯衍生物(PCBM)；所述第二电子传输层16的厚度为2-10nm；

电子注入层17的材质选自碳酸铯(Cs₂CO₃)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN₃)或者氟化锂(LiF)，优选为Cs₂CO₃；电子注入层的厚度为0.5-10nm，优选厚度为5nm；

阴极层18的材质选自银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)或金(Au)，优选为Ag；阴极层的厚度为80～250nm，优选厚度为150nm。

上述电致发光器件，通过加入第二电子传输层，增强电子传输速率，简化了工序难度，而第二层采用有机材料，避免了不同类型的材料由于稳定性不一致而导致的器件老化现象，另外，不同类型的材料可能会互相影响，使电子的传输受到一定的制约，本发明通过制备第二电子传输层，可有效避免这些现象的出现，提高电子传输速率，增强了发光效率。

上述电致发光器件的制备方法，包括如下步骤；

S1、将阳极导电玻璃基底进行光刻处理，随后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除有机污染物；

S2、将清洗干净后对阳极导电玻璃基底上的阳极层进行氧等离子处理，处理时间为5-15min，功率为10-50W；

S3、采用蒸镀工艺，在阳极导电玻璃基底的阳极层表面依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层、电子注入层和阴极层；

上述工艺步骤完成后，制得电致发光器件。

上述电致发光器件的制备方法，其制备工艺简单、加工成本低，适合商业化生产。

下面结合附图，对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。

以下实施例，其蒸镀工艺均在高真空镀膜设备(沈阳科学仪器研制中心有限公司，压强＜1×10^-3Pa)中进行。

实施例1

先将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除ITO玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对ITO玻璃进行合适的处理：氧等离子处理ITO层，处理时间为5min，功率为30W；依次蒸镀空穴注入层(材质为MoO₃，厚度为40nm)、空穴传输层(材质为NPB，厚度为40nm)、发光层(材质为TCTA:Ir(ppy)₃，Ir(ppy)₃为掺杂材料，TCTA为主体材料，Ir(ppy)₃的掺杂质量百分比为10％；该发光层的厚度为20nm)、第一电子传输层(材质为TPBi，厚度为40nm)；接着热蒸镀第二电子传输层(材料为C₆₀，厚度为5nm)；最后在第二电子传输层上面依次蒸镀电子注入层(材质为Cs₂CO₃，厚度为5nm)和阴极层(材质为Ag，厚度为150nm)。最后得到所需要的电致发光器件，其结构为：ITO玻璃/MoO₃/NPB/TCTA:Ir(ppy)₃/C₆₀/Cs₂CO₃/Ag。

图2为实施例1制得的电致发光器件与对比例的电致发光器件之间的亮度与电压关系图；对比例的电致发光器件结构为：ITO玻璃/MoO₃/NPB/TCTA:Ir(ppy)₃/TPBi/Cs₂CO₃/Ag；其中，曲线1为实施例1的电致发光器件的亮度与电压的关系曲线；曲线2为对比例的电致发光器件的亮度与电压的关系曲线；电流-电压测试仪(美国Keithly公司，型号：2602)、电致发光光谱测试仪(美国photo research公司，型号：PR650)以及屏幕亮度计(北京师范大学，型号：ST-86LA)。

从附图2上可以看到，在不同亮度下，实施例1制得的电致发光器件的亮度都比对比例的要大，实施例1的亮度21621cd/m²，而对比例的仅为14362cd/m²，这都说明，制备第二辅助电子传输层，可有效提高电子传输速率，从而提高空穴和电子的复合几率，最终提高发光效率。

实施例2

先将IZO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除IZO玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对IZO玻璃进行合适的处理：氧等离子处理IZO层，处理时间为5min，功率为50W；依次蒸镀空穴注入层(材料为WO₃，厚度为20nm)、空穴传输层(材料为TCTA，厚度为60nm)、发光层(材料为NPB:Ir(MDQ)₂(acac)，NPB为主体材料，Ir(MDQ)₂(acac)为掺杂材料，掺杂质量百分百比为1％，发光层厚度为2nm)、第一电子传输层(材料为Bphen，厚度为80nm)；接着热蒸镀第二电子传输层(材料为C₇₀，厚度为2nm)；最后在第二电子传输层上面依次蒸镀电子注入层(材料为LiF，厚度为0.5nm)和阴极层(材料为Al，厚度为100nm)，最后得到所需要的电致发光器件，其结构为：IZO玻璃/WO₃/TCTA/NPB:Ir(MDQ)₂(acac)/Bphen/C₇₀/LiF/Al。

实施例3

先将IZO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除IZO玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对IZO玻璃进行合适的处理：氧等离子处理IZO层，处理时间为15min，功率为10W；依次蒸镀空穴注入层(材料为V₂O₅，厚度为80nm)、空穴传输层(材料为TAPC，厚度为20nm)、发光层(材料为TCTA:Firpic，TCTA为主体材料，Firpic为掺杂材料掺杂质量百分百比为20％，发光层厚度为30nm)、第一电子传输层(材料为TPBi，厚度为80nm)；接着热蒸镀第二电子传输层(材料为C₇₀，厚度为2nm)；最后在第二电子传输层上面依次蒸镀电子注入层(材料为CsF，厚度为10nm)和阴极层(材料为Au，厚度为250nm)，最后得到所需要的电致发光器件，其结构为：IZO玻璃/V₂O₅/TAPC/TCTA:Firpic/TPBi/C₇₀/CsF/Au。

实施例4

先将AZO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除AZO玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对AZO玻璃底进行合适的处理：氧等离子处理AZO层，处理时间为15min，功率为10W；依次蒸镀空穴注入层(材料为V₂O₅，厚度为80nm)、空穴传输层(材料为TAPC，厚度为20nm)、发光层(材料为TAPC:Ir(ppy)₃，TAPC为主体材料，Ir(ppy)₃为掺杂材料，掺杂质量百分百比为12％，发光层厚度为15nm)、第一电子传输层(材料为TAZ，厚度为55nm)；接着热蒸镀第二电子传输层(材料为PCBM，厚度为7nm)；最后在第二电子传输层上面依次蒸镀电子注入层(材料为CsN₃，厚度为7nm)和阴极层(材料为Pt，厚度为80nm)，最后得到所需要的电致发光器件，其结构为：AZO玻璃/V₂O₅/TAPC/TAPC:Ir(ppy)₃/TAZ/PCBM/CsN₃/Pt。

实施例5

先将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除ITO玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对ITO玻璃进行合适的处理：氧等离子处理ITO层，处理时间为12min，功率为15W；依次蒸镀空穴注入层(材料为MoO₃，厚度为40nm)、空穴传输层(材料为NPB，厚度为25nm)、发光层(材料为TAPC:Firpic，TAPC为主体材料，Firpic为掺杂材料，掺杂质量百分百比为15％，发光层厚度为18nm)、第一电子传输层(材料为Bphen，厚度为70nm)；接着热蒸镀第二电子传输层(材料为C₆₀，厚度为7nm)；最后在第二电子传输层上面依次蒸镀电子注入层(材料为LiF，厚度为0.7nm)和阴极层(材料为Ag，厚度为120nm)，最后得到所需要的电致发光器件，其结构为：ITO玻璃/MoO₃/NPB/TAPC:Firpic/Bphen/C₆₀/LiF/Ag。

实施例6

先将AZO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除AZO玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对AZO玻璃底进行合适的处理：氧等离子处理AZO层，处理时间为15min，功率为10W；依次蒸镀空穴注入层(材料为V₂O₅，厚度为80nm)、空穴传输层(材料为TAPC，厚度为20nm)、发光层(材料为NPB:Ir(ppy)₃，NPB为主体材料，Ir(ppy)₃为掺杂材料，掺杂质量百分百比为12％，发光层厚度为20nm)、第一电子传输层(材料为TAZ，厚度为55nm)；接着热蒸镀第二电子传输层(材料为PCBM，厚度为7nm)；最后在第二电子传输层上面依次蒸镀电子注入层(材料为CsN₃，厚度为7nm)和阴极层(材料为Pt，厚度为80nm)，最后得到所需要的电致发光器件，其结构为：AZO玻璃/V₂O₅/TAPC/NPB:Ir(ppy)₃/TAZ/PCBM/CsN₃/Pt。

实施例7

先将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除ITO玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对ITO玻璃进行合适的处理：氧等离子处理ITO层，处理时间为12min，功率为15W；依次蒸镀空穴注入层(材料为WO₃，厚度为40nm)、空穴传输层(材料为NPB，厚度为25nm)、发光层(材料为NPB:Firpic，NPB为主体材料，Firpic为掺杂材料，掺杂质量百分百比为12％，发光层厚度为15nm)、第一电子传输层(材料为TPBi，厚度为70nm)；接着热蒸镀第二电子传输层(材料为C₆₀，厚度为7nm)；最后在第二电子传输层上面依次蒸镀电子注入层(材料为LiF，厚度为0.7nm)和阴极层(材料为Ag，厚度为120nm)，最后得到所需要的电致发光器件，其结构为：ITO玻璃/WO₃/NPB/NPB:Firpic/TPBi/C₆₀/LiF/Ag。

实施例8

先将IZO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除IZO玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对IZO玻璃进行合适的处理：氧等离子处理IZO层，处理时间为5min，功率为50W；依次蒸镀空穴注入层(材料为WO₃，厚度为20nm)、空穴传输层(材料为TCTA，厚度为60nm)、发光层(材料为TAPC:Ir(MDQ)₂(acac)，TAPC为主体材料，Ir(MDQ)₂(acac)为掺杂材料，掺杂质量百分百比为1％，发光层厚度为2nm)、第一电子传输层(材料为TAZ，厚度为80nm)；接着热蒸镀第二电子传输层(材料为C₇₀，厚度为2nm)；最后在第二电子传输层上面依次蒸镀电子注入层(材料为LiF，厚度为1nm)和阴极层(材料为Au，厚度为100nm)，最后得到所需要的电致发光器件，其结构为：IZO玻璃/WO₃/TCTA/TAPC:Ir(MDQ)₂(acac)/TAZ/C₇₀/LiF/Au。

实施例9

先将ITO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除IZO玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对IZO玻璃进行合适的处理：氧等离子处理IZO层，处理时间为5min，功率为50W；依次蒸镀空穴注入层(材料为MoO₃，厚度为20nm)、空穴传输层(材料为TCTA，厚度为60nm)、发光层(材料为NPB:Ir(MDQ)₂(acac)，NPB为主体材料，Ir(MDQ)₂(acac)为掺杂材料，掺杂质量百分百比为2.5％，发光层厚度为5nm)、第一电子传输层(材料为TPBi，厚度为80nm)；接着热蒸镀第二电子传输层(材料为C₆₀，厚度为2nm)；最后在第二电子传输层上面依次蒸镀电子注入层(材料为LiF，厚度为1nm)和阴极层(材料为Au，厚度为100nm)，最后得到所需要的电致发光器件，其结构为：ITO玻璃/MoO₃/TCTA/NPB:Ir(MDQ)₂(acac)/TPBi/C₆₀/LiF/Au。

应当理解的是，上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细，并不能因此而认为是对本发明专利保护范围的限制，本发明的专利保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极导电玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层、电子注入层和阴极层。

2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述阳极导电玻璃选自铟锡氧化物玻璃、掺铝的氧化锌玻璃或掺铟的氧化锌玻璃；所述阴极层的材质选自银、铝、铂或金；所述阴极层的厚度为80～250nm。

3.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质选自三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒；所述空穴注入层的厚度为20-80nm。

4.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材质选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺；所述空穴传输层的厚度为20-60nm。

5.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材质为掺杂材料按照质量百分比1～20％的比例掺杂到主体材料中组成的混合材料；其中，掺杂材料选自双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C²)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱；主体材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺；所述发光层的厚度为2-30nm。

6.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述第一电子传输层的材质选自4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；所述第一电子传输层的厚度为20-60nm。

7.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述第二电子传输层的材质选自C₆₀或C₇₀的富勒烯、或者富勒烯的丁酸甲酯衍生物；所述第二电子传输层的厚度为2-10nm。

8.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层的材质选自碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或者氟化锂；所述电子注入层的厚度为0.5-10nm。

9.权利要求1所述的电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤；

S1、将阳极导电玻璃基底进行光刻处理，随后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除有机污染物；

S2、将清洗干净后对阳极导电玻璃基底上的阳极层进行氧等离子处理，处理时间为5-15min，功率为10-50W；

S3、采用蒸镀工艺，在阳极导电玻璃基底的阳极层表面依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层、电子注入层和阴极层；

上述工艺步骤完成后，制得电致发光器件。

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