CN103033975B - 一种掩膜板以及利用掩膜板构图的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种掩膜板以及利用掩膜板构图的方法，涉及显示技术领域，解决了现有技术中无法制作大尺寸彩膜基板的问题。一种掩膜板，包括至少一个掩膜单元组，每一个所述掩膜单元组为一排，包括位于一端的一个第一掩膜单元，位于另一端的一个第二掩膜单元，以及位于两端之间的至少一个第三掩膜单元；每一所述掩膜单元设置有掩膜图案；每一所述掩膜单元的掩膜图案在靠近其相邻的掩膜单元的一边，在掩膜图案轮廓下包括多个微小图案和空隙，且相邻的两个掩膜单元的掩膜图案在相互靠近的两边上的微小图案和空隙相吻合。本发明适用于液晶显示装置的制造领域。

Description

一种掩膜板以及利用掩膜板构图的方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜板以及利用掩膜板构图的方法。

背景技术

现有技术，彩膜基板上形成有黑矩阵膜层、彩色膜层、保护膜层以及隔垫物膜层。其中，黑矩阵膜层包括：黑矩阵图案；彩色膜层包括：像素图案；隔垫物膜层包括：隔垫物。黑矩阵图案、像素图案以及隔垫物在形成过程中均要通过一次曝光，但由于受曝光机曝光尺寸的大小限制，经过一次曝光只能形成一定尺寸大小的图案。想要制作更大尺寸的彩膜基板，对于像素图案和隔垫物，由于其不是一体的，可以通过多次曝光完成。但黑矩阵是一体的，经过多次曝光形成黑矩阵图案之间存在拼接缝，从而容易发生漏光现象，严重影响显示质量。因此现有技术中，经过一次曝光形成的黑矩阵图案多大，那么彩膜基板就可以做相应大小的尺寸。例如，现有的玻璃基板尺寸可以为2200*2500mm，但由于受曝光机曝光区域的大小限制，经过一次曝光最大形成1120*1300mm大小的彩膜基板。

按照传统的做法，要实现制造大尺寸的彩膜基板，需要扩大掩膜板以及曝光区域，即要制造具有更大曝光区域的曝光机，其制造成本巨大，且在技术上也不能设计无限大的曝光机。

发明内容

本发明的实施例提供一种掩膜板以及利用掩膜板构图的方法，通过利用所述掩膜板对基板进行多次曝光可形成一体的大尺寸图案，应用于彩膜基板制造领域，可用于形成一体的黑矩阵图案，进而可用于制作大尺寸的彩膜基板。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供了一种掩膜板，包括至少一个掩膜单元组，每一个所述掩膜单元组为一排，包括位于一端的一个第一掩膜单元，位于另一端的一个第二掩膜单元，以及位于两端之间的至少一个第三掩膜单元；

每一所述掩膜单元设置有掩膜图案；每一所述掩膜单元的掩膜图案在靠近其相邻的掩膜单元的一边，在掩膜图案轮廓下包括多个微小图案和空隙，且相邻的两个掩膜单元的掩膜图案在相互靠近的两边上的微小图案和空隙相吻合；所述至少一个第三掩膜单元包括：靠近所述第一掩膜单元的第一边和靠近所述第二掩膜单元的第二边，且所述第一边、第二边上的微小图案和空隙相吻合。

可选的，同一掩膜单元组中，第三掩膜单元的面积之和大于第一掩膜单元的面积，并大于第二掩膜单元的面积。

可选的，所述掩膜板包括两个以上掩膜单元组；若其中一个掩膜单元组中两个掩膜单元相邻的两个顶角靠近另一个掩膜单元组，且对应所述另一个掩膜单元组中一个掩膜单元的一边，则所述其中一个掩膜单元组中两个掩膜单元相邻的两个顶角与所述另一个掩膜单元组中一个掩膜单元的一边，三者相对应部分的微小图案和空隙相吻合；或者，

若其中一个掩膜单元组中两个掩膜单元相邻的两个顶角靠近另一个掩膜单元组，且对应所述另一个掩膜单元组中两个掩膜单元相邻的两个顶角，则相对应的四个顶角的微小图案和空隙相吻合。

可选的，所述掩膜板包括两个以上掩膜单元组，且每个掩膜单元组包括的掩膜单元的个数相同。

可选的，不同掩膜单元组中的相同掩膜单元在第一方向上的长度相同，所述第一方向为与所述排平行的方向。

可选的，各个所述掩膜单元为矩形，且同一掩膜单元组中，各个掩膜单元在第二方向上的宽度相同，所述第二方向为与所述排垂直的方向。

可选的，所述掩膜板包括三个以上掩膜单元组，按照其排列顺序依次为：位于第一排的第一掩膜单元组、位于最后一排的第二掩膜单元组以及位于第一排和最后一排之间的至少一个第三掩膜单元组；

其中每一个第三掩膜单元组的掩膜单元包括：靠近第一掩膜单元组的第三边和靠近第二掩膜单元组的第四边，且所述第三边、第四边上的微小图案和空隙相吻合。

可选的，所述第三掩膜单元组中第三掩膜单元的面积之和大于第一掩膜单元组中第三掩膜单元的面积之和，并大于第二掩膜单元组中第三掩膜单元的面积之和。

本发明实施例提供了一种利用掩膜板构图的方法，所述掩膜板为本发明实施例提供的任一所述的掩膜板，利用所述掩模板构图的方法包括：

利用所述掩膜板中任一掩膜单元组中的第一掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第一掩膜单元中的掩膜图案相应的第一图案；

按照所述掩膜单元组中掩膜单元的排列方向，利用所述掩膜单元组中的至少一个第三掩膜单元对所述形成有薄膜的基板进行至少两轮曝光，形成至少两组与所述第三掩膜单元的掩膜图案一一对应的第三图案；每两个第三图案相邻的边相吻合；

利用所述掩膜单元组中的第二掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第二掩膜单元中的掩膜图案相应的第二图案；其中，所述至少两组第三图案中位于一端的一个与所述第一图案的边相吻合，位于另一端的一个与所述第二图案相吻合。

可选的，若所述掩模板包含至少两个掩膜单元组，则利用相邻两个掩膜单元组，在所述基板上形成的两组图案相邻的边相吻合。

可选的，若所述掩膜板包括三个以上掩膜单元组，按照其排列顺序依次为：位于第一排的第一掩膜单元组、位于最后一排的第二掩膜单元组以及位于第一排和最后一排之间的至少一个第三掩膜单元组；则所述方法还包括：

在垂直于所述掩膜单元组中掩膜单元的排列方向上，利用所述至少一个第三掩膜单元组对所述形成有薄膜的基板进行至少两轮曝光，对应形成至少两组图案；且该至少两组图案相邻的边相吻合。

本发明实施例提供的一种掩膜板以及利用掩膜板构图的方法，所述掩膜板包括第一掩膜单元、第二掩膜单元以及至少一个第三掩膜单元，相邻掩膜单元的掩膜图案的相邻边分别设置有微小图案和空隙，且相邻的两边的微小图案和空隙吻合，至少一个第三掩膜单元靠近第一掩膜单元的一边与靠近第二掩膜单元的一边相吻合，这样通过所述掩膜板对基板进行曝光，在基板上形成的图案通过各边的微小图案和空隙对应吻合可形成一体的图案，且可重复利用所述第三掩膜单元进行多次曝光，在所述基板上形成一体的大尺寸图案，应用于彩膜基板制造领域，可用于形成一体的黑矩阵图案，进而可用于制作大尺寸的彩膜基板。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种掩膜板示意图；

图2为图1所示的掩膜板的局部放大示意图；

图3为图1所示的掩膜板的局部吻合示意图；

图4为本发明实施例提供的一种第三掩膜单元示意图；

图5为本发明实施例提供的另一种掩膜板示意图；

图6为本发明实施例提供的另一种掩膜板示意图；

图7为图6所示的掩膜板的局部放大示意图；

图8为图6所示的掩膜板的局部吻合示意图；

图9为本发明实施例提供的另一种掩膜板示意图；

图10为本发明实施例提供的一种利用掩膜板构图的方法示意图；

图11为本发明实施例提供的一种利用掩膜板构图的方法示意图；

图12为利用图1所示的掩膜板进行构图的拼接示意图；

图13为本发明实施例提供的一种利用掩膜板构图的方法示意图；

图14为利用图9所示的掩膜板进行构图的拼接示意图。

附图标记：

1-掩膜板；10-掩膜单元组；101-第一掩膜单元；102-第二掩膜单元；103-第三掩膜单元；1031-第一边；1032-第二边；1033-第三边；1034-第四边；101′-第一图案；102′-第二图案；103′-第三图案；d1-相邻掩膜单元的距离；d2-相邻掩膜单元组的距离。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

参照图1，本发明实施例提供了一种掩膜板1，包括至少一个掩膜单元组10，每一个所述掩膜单元组10为一排，包括位于一端的一个第一掩膜单元101，位于另一端的一个第二掩膜单元102，以及位于两端之间的至少一个第三掩膜单元103；

每一所述掩膜单元设置有掩膜图案；每一所述掩膜单元的掩膜图案在靠近其相邻的掩膜单元的一边，在掩膜图案轮廓下包括多个微小图案和空隙，且相邻的两个掩膜单元的掩膜图案在相互靠近的两边上的微小图案和空隙相吻合；所述至少一个第三掩膜单元包括：靠近所述第一掩膜单元的第一边1031和靠近所述第二掩膜单元的第二边1032，且所述第一边1031、第二边1032上的微小图案和空隙相吻合。

需要说明的是，在本发明实施例中，所述掩膜单元为包括一个掩膜图案的独立的整体。每一个所述掩膜单元组10为一排可以是如图1所示，第一掩膜单元101、第二掩膜单元102以及至少一个第三掩膜单元103在1001方向上成一排，也可以是第一掩膜单元101、第二掩膜单元102以及至少一个第三掩膜单元103在1002方向上成一排。所述微小图案和空隙构成掩膜图案的边缘。可参照图2，即图1中a的局部放大图，相邻的第一掩膜单元101和第三掩膜单元103在相互靠近的两边上，包括多个微小图案和空隙，所述微小图案可以是任意形状的，对应的形成的空隙也可以是任意形状的，本发明实施例以微小图案为矩形为例。

其中，所述相邻的两个掩膜单元的掩膜图案在相互靠近的两边上的微小图案和空隙相吻合，参照图2、图3，以第一掩膜单元101和第三掩膜单元103相邻的两边为例进行说明。第一掩膜单元101中的微小图案和空隙与三掩膜单元103中的微小图案和空隙相吻合，即第三掩膜单元103中的微小图案插入到第一掩膜单元101中的空隙中，取代所述第一掩膜单元101中的空隙部分，第一掩膜单元101的图案刚好可以插入到第三掩膜单元103的空隙中，形成如图3所述的一个完整的图案。这样，依次利用所述掩膜板上的掩膜单元对形成有薄膜的基板进行曝光，每次曝光之前移动所述基板或掩膜板，使基板上形成的图案的一边的微小图案和空隙与掩膜板上待利用的掩膜单元的一边的微小图案和空隙相吻合，这样在基板上形成的新的图案与基板上的原图案吻合，可以在所述基板上形成一个完整的图案。

其中，所述掩膜单元组中，可以只包括一个第三掩膜单元103，如图1所示，且所述第三掩膜单元103的第一边1031和所述第二边1032上的微小图案和空隙相吻合。也可以包括两个以上第三掩膜单元，如图4所示，相邻的两个第三掩膜单元在相互靠近的两边上的微小图案和空隙相吻合，且所述第一边1031和所述第二边1032上的微小图案和空隙相吻合。本发明实施例以每一掩膜单元组包括一个第三掩膜单元为例进行说明。

又由于所述至少一个第三掩膜单元包括：靠近所述第一掩膜单元的第一边和靠近所述第二掩膜单元的第二边，且所述第一边、第二边上的微小图案和空隙相吻合。这样，可以重复利用所述第三掩膜单元对形成有薄膜的基板进行曝光，在基板上形成的多个第三图案，且这些第三图案吻合在一起，则可以在1001方向上扩大图案的尺寸，进而在所述基板上形成一体的大尺寸图案。

本发明实施例提供了一种掩膜板，包括至少一个掩膜单元组，所述每一掩膜单元组包括一个第一掩膜单元、一个第二掩膜单元以及至少一个第三掩膜单元，其中每相邻的两个掩膜单元的掩膜图案在靠近其相邻的掩膜单元的一边上包括多个微小图案和空隙，且相邻的两个掩膜单元的掩膜图案在相互靠近的两边上的微小图案和空隙相吻合。这样，分别利用所述三个掩膜单元对形成有薄膜的基板进行曝光，通过移动所述基板或掩膜板，使在基板上形成的图案相互吻合，可以在所述基板上形成一个一体的完整的图案；又由于，所述至少一个第三掩膜单元包括：靠近所述第一掩膜单元的第一边和靠近所述第二掩膜单元的第二边，且所述第一边、第二边上的微小图案和空隙相吻合。这样可以重复利用所述第三掩膜单元对所述基板进行曝光，通过多轮曝光可在所述基板上形成多组第三图案，这些第三图案吻合在一起，最终在所述基板上形成一体的大尺寸图案。应用于彩膜基板制造领域，可用于形成一体的黑矩阵图案，进而可用于制作大尺寸的彩膜基板。

优选的，如图1所示，同一掩膜单元组中，第三掩膜单元103的面积之和大于第一掩膜单元101的面积，并大于第二掩膜单元102的面积。这样在利用所述掩膜板对形成有薄膜的基板进行曝光时，由于第三掩膜单元的面积之和最大，重复利用所述第三掩膜单元对基板进行曝光可在所述基板上形成更大尺寸的图案。

优选的，如图1所示，每一所述掩膜单元组10中，相邻的两个掩膜单元之间有一定距离d1。进一步优选的，相邻的两个掩膜单元之间的距离相等。具体的参照图1，第一掩膜单元101与第三掩膜单元103之间的距离为d1，且第三掩膜单元103与第二掩膜单元102之间的距离也为d1。由于在利用所述掩膜板对形成有薄膜的基板进行曝光时，一次只能利用一个掩膜单元，其他的掩膜单元可以通过遮光板将其遮住。相邻的两个掩膜单元之间有一定距离，有利于遮光板将待使用的掩膜单元与需要遮住的掩膜单元更好的区分出来，通过遮光板使光线仅通过待使用的掩膜单元。而利用一个掩膜单元对基板进行曝光完成之后，要进行下一次曝光则需要移动所述基板或移动所述掩膜板，使在基板上形成的掩膜图案的一边上的微小图案和空隙与掩膜板上的相应的掩膜单元的一边的微小图案和空隙吻合，再对基板进行曝光，形成一体的图案。此时，所述对应掩膜板上的相应的掩膜单元可以是形成所述基板上图案的掩膜单元的相邻掩膜单元，也可以是重复利用第三掩膜单元。且相邻的两个掩膜单元之间的距离相等，则有利于更方便的移动所述基板或所述掩膜单元。具体的，可以通过设定掩膜单元一边上的微小图案和空隙，使每次基板或掩膜板的移动的距离相等。

可选的，如图5所示，所述掩膜板包括两个以上掩膜单元组10；若其中一个掩膜单元组10中两个掩膜单元相邻的两个顶角靠近另一个掩膜单元组，且对应所述另一个掩膜单元组中一个掩膜单元的一边，则所述其中一个掩膜单元组中两个掩膜单元相邻的两个顶角与所述另一个掩膜单元组中一个掩膜单元的一边，三者相对应部分的微小图案和空隙相吻合。如图5所示的b区域，位于第一排的掩膜单元组的第一掩膜单元101的一边对应第二排掩膜单元组的第一掩膜单元101以及第三掩膜单元103。这样，通过三者相对应部分的微小图案和空隙相吻合，在利用所述掩膜板对形成有薄膜的基板进行曝光时，在所述基板上形成一体的图案。或者，

若其中一个掩膜单元组中两个掩膜单元相邻的两个顶角靠近另一个掩膜单元组，且对应所述另一个掩膜单元组中两个掩膜单元相邻的两个顶角，则相对应的四个顶角的微小图案和空隙相吻合。如图6所示的c区域，位于第一排的掩膜单元组的第一掩膜单元对应位于第二排的掩膜单元组的第一掩膜单元；位于第一排的掩膜单元组的第三掩膜单元对应位于第二排的掩膜单元组的第三掩膜单元，参照图7、图8，则这四个掩膜单元的顶角的微小图案和空隙的吻合，可形成一体的图案。

优选的，所述掩膜板包括两个以上掩膜单元组，且每个掩膜单元组包括的掩膜单元的个数相同。如图5、图6所示，每一掩膜单元组均包括3个掩膜单元，即第一掩膜单元101、第二掩膜单元102以及第三掩膜单元103。当然每一掩膜单元组包括的掩膜单元的个数可以是任意的。

进一步优选的，如图6所示，不同掩膜单元组中的相同掩膜单元在第一方向上的长度相同，所述第一方向为与所述排平行的方向。其中，所述一个掩膜单元组形成一排的方向为1001方向，所述第一方向与所述排平行，为1001方向。所述不同掩膜单元组中的相同掩膜单元在第一方向上的长度相同，即不同掩膜单元组中的第一掩膜单元在1001方向上的长度相同；不同掩膜单元组中的第二掩膜单元在1001方向上的长度相同；不同掩膜单元组中的第三掩膜单元在1001方向上的长度相同。

这样，形成的掩膜板，多个掩膜单元组中的第一掩膜单元101在1002方向上形成一排，第二掩膜单元102在1002方向上形成一排，第三掩膜单元103在1002方向上形成一排。在利用所述掩膜板对形成有薄膜的基板进行曝光时，有利于更加方便的移动所述基板或移动所述掩膜板，使基板上的图案的一边上的微小图案和空隙与掩膜板上掩膜图案的一边上的微小图案和空隙相吻合，进而在所述基板上形成一体的图案。

优选的，各个所述掩膜单元为矩形，且同一掩膜单元组中，各个掩膜单元在第二方向上的宽度相同，所述第二方向为与所述排垂直的方向。如图6所示，所述一个掩膜单元组形成一排的方向为1001方向，则所述第二方向为与所述1001方向垂直的1002方向，每个所述掩膜单元在1002方向上的宽度相同。

优选的，如图9所示，所述掩膜板包括三个以上掩膜单元组，按照其排列顺序依次为：位于第一排的第一掩膜单元组、位于最后一排的第二掩膜单元组以及位于第一排和最后一排之间的至少一个第三掩膜单元组；

其中每一个第三掩膜单元组的掩膜单元包括：靠近第一掩膜单元组的第三边和靠近第二掩膜单元组的第四边，且所述第三边、第四边上的微小图案和空隙相吻合。具体的，第三掩膜单元组中的第一掩膜单元、第二掩膜单元以及第三掩膜单元均包括一个第三边和一个第四边，且所述第三边和第四边上的微小图案和空隙相吻合。图9中仅标识第三掩膜单元的第三边1033和第四边1034。这样，可以重复利用第三掩膜单元组对形成有薄膜的基板进行曝光，可以在1002方向上扩大图案的尺寸，进而在所述基板上形成一体的大尺寸图案。当然在掩膜板上可以设置多个第三掩膜单元组，也可以是一个掩膜单元组，本发明实施例以掩膜板上设置一个第三掩膜单元组为例进行说明。

优选的，如图9所示，所述第三掩膜单元组中第三掩膜单元103的面积之和大于第一掩膜单元组中第三掩膜单元的面积之和，并大于第二掩膜单元组中第三掩膜单元的面积之和。这样重复利用所述第三掩膜单元组可在所述基板上形成更大尺寸的图案。且当每一掩膜单元组中包括的掩膜单元的个数相同时，进一步优选的，第三掩膜单元组中第一掩膜单元的面积大于第一掩膜单元组以及第二掩膜单元组中第一掩膜单元的面积；第三掩膜单元组中第二掩膜单元的面积大于第一掩膜单元组以及第二掩膜单元组中第二掩膜单元的面积。这样，在重复利用所述第三掩膜单元对基板进行多次曝光时，有利于形成大尺寸的图案。

优选的，如图9所示，所述每排掩膜单元组之间有一定距离d2。进一步优选的，所述每排掩膜单元组之间的距离相等。这样，在利用所述掩膜板对形成有薄膜的基板进行曝光时，有利于更加方便的移动所述基板或掩膜板，使基板上的图案的一边上的微小图案和空隙与掩膜板上掩膜图案的一边上的微小图案和空隙相吻合，进而在所述基板上形成一体的图案。

上述提供的任一掩膜板，可用于彩膜基板或阵列基板上薄膜图案的制备，当然还可以用于其他任意具有薄膜图案基板的构图工艺中。本发明实施例中以应用于彩膜基板，制备黑矩阵图案为例进行详细说明。

本发明实施例提供了一种利用掩膜板构图的方法，所述掩膜板为本发明实施例提供的任一所述掩膜板，如图10所示，利用所述掩模板构图的方法包括：

S101、利用所述掩膜板中任一掩膜单元组中的第一掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第一掩膜单元中的掩膜图案相应的第一图案。

需要说明的是，所述第一掩膜单元中的掩膜图案与在基板上曝光形成的第一图案相对应是指，若在所述基板上形成薄膜为光线照射的部分被刻蚀，则利用所述第一掩膜单元对所述基板进行曝光之后，在所述基板上形成的第一图案为与所述掩膜板上掩膜单元的掩膜图案相同的图案；若在所述基板上形成的薄膜为光线未照射的部分被刻蚀，则利用所述第一掩膜单元对所述基板进行曝光之后，在所述基板上形成的第一图案为与所述掩膜板上的掩膜单元的掩膜图案对应的图案。其中，所述对应的图案，即掩膜单元的掩膜图案之外的空隙形成的图案。

S102、按照所述掩膜单元组中掩膜单元的排列方向，利用所述掩膜单元组中的至少一个第三掩膜单元对所述形成有薄膜的基板进行至少两轮曝光，形成至少两组与所述第三掩膜单元的掩膜图案一一对应的第三图案；每两个第三图案相邻的边相吻合。

其中，按照所述掩膜单元组中掩膜单元的排列方向，可以是按照每一掩膜单元组中第一掩膜单元、第二掩膜单元以及第三掩膜单元的排列方向。且每一次对基板进行曝光之前，都需要移动所述基板或移动所述掩膜板，以使得在所述基板上形成的图案的一边的微小图案和空隙与掩膜板上对应的掩膜图案一边的微小图案和空隙相吻合，才能在所述基板上形成一体的图案。所述进行至少两轮曝光是指当所述第三掩膜单元为多个时，一次利用一个第三掩膜单元进行曝光，一轮为利用多个第三掩膜单元分别进行一次曝光。利用所述第三掩膜单元对所述基板进行两轮曝光，即每一个第三掩膜单元的按照排列顺序依次进行一次曝光之后在依次进行一次曝光。当然，可以根据实际需要，选择利用第三掩膜单元对基板进行曝光的次数。至少两组第三图案中每一组第三图案包括利用掩膜板上一个掩膜单元组的第三掩膜单元对基板进行曝光在基板上形成的图案。

S103、利用所述掩膜单元组中的第二掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第二掩膜单元中的掩膜图案相应的第二图案；其中，所述至少两组第三图案中位于一端的一个与所述第一图案的边相吻合，位于另一端的一个与所述第二图案相吻合。

由于掩膜板上第三掩膜单元的掩膜图案在靠近第一掩膜单元的第一边和靠近第二掩膜单元的第二边上分别包括多个微小图案和空隙，且第一掩膜单元靠近第一边的一边上的微小图案和空隙与所述第一边的微小图案和空隙相吻合；第二掩膜单元靠近第二边的一边上的微小图案和空隙与所述第二边的微小图案和空隙相吻合。则利用所述第三掩膜单元对基板进行曝光，在所述基板上形成的第三图案也包括与所述第一边和第二边相对应的两条边，且这两条边分别与第一图案和第二图案的一边对应吻合，这样，在所述基板上形成的图案为一个一体的完整的图案。

需要说明的是，上述步骤S101、S102、S103的顺序不是确定的，也就是说，在利用所述掩膜板构图时，可以先利用所使用掩膜板上的第一掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，也可以是先利用所述掩膜板上的第二掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，或者可以是，先利用所述第三掩膜单元对所述形成有薄膜的基板进行至少两轮曝光，只要使得利用所述掩膜板上的各个掩膜单元对所述基板进行曝光之后，在所述基板上形成一个一体的完整的图案即可。

利用本发明实施例提供的掩膜板对形成有薄膜的基板进行曝光，在所述基板上形成与所述掩膜板掩膜图案对应的图案。可以是黑矩阵图案、数据线图案等，本发明实施例以在基板上形成黑矩阵图案为例进行详细说明。

具体的，以图1所示的掩膜板为例，即掩膜板上包括一个掩膜单元组，且所述掩膜单元组包括一个第一掩膜单元、一个第二掩膜单元和一个第三掩膜单元，如图11所示，利用所述掩膜板对形成有薄膜的基板进行构图，在所述基板上形成黑矩阵图案的方法包括：

S201、利用第一掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第一掩膜单元的掩膜图案相同的第一图案。

其中，所述第一图案可以是黑矩阵图案的一部分。

S202、利用第三掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第三掩膜单元的掩膜图案相同的第三图案。

具体的，参照图12，移动所述基板或移动所述掩膜板，使基板上第一图案101′的一边上的微小图案和空隙与所述第三掩膜单元靠近所述第一掩膜单元的一边的微小图案和空隙相吻合，对所述基板进行一次曝光。此时，所述基板上的形成的第三图案103′的一边与所述第一图案101′的微小图案和空隙吻合，在基板上形成黑矩阵图案，在所述第三图案103′的另一边还包括微小图案和空隙。其中，所述第三图案可以是黑矩阵图案的一部分。

S203、利用第三掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第三掩膜单元的掩膜图案相同的第三图案。

具体的，参照图12，移动所述基板或移动所述掩膜板，使所述基板上第三图案103′的一边的微小图案和空隙与所述第三掩膜单元对应的一边的微小图案和空隙吻合，对基板进行曝光。此时，重复利用所述第三掩膜单元对基板进行曝光，所述基板上的形成的第三图案103′的一边与所述第三图案103′的微小图案和空隙吻合，在基板上形成黑矩阵图案，但在所述基板上形成新的第三图案103′的一边上仍包括多个微小图案和空隙。其中，所述第三图案可以是黑矩阵图案的一部分。

S204、利用第二掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第二掩膜单元的掩膜图案相同的第二图案。

具体的，参照图12，移动所述基板或移动所述掩膜板，使所述基板上第三图案103′的一边的微小图案和空隙与所述第二掩膜单元的一边的微小图案和空隙相吻合，对基板进行曝光。此时，在基板上形成的第二图案102′与所述第三图案103′上的一边的微小图案和空隙吻合，在基板上形成黑矩阵图案，此时，在所述基板上形成一个完整的图案，如图12所示。其中，所述黑矩阵图案是由上述第一图案、第二图案以及两个第三图案拼接形成的。

本发明实施例提供的一种利用掩膜板构图的方法，利用本发明实施例提供的任一种掩膜板对形成有薄膜的基板进行曝光时，利用掩膜板上的一个掩膜单元对基板进行曝光可以在基板上形成与所述掩膜单元相应的图案，每一次进行曝光形成的新的图案与基板上形成的图案的微小图案和空隙相吻合，可以形成一个一体的完整的图案；且利用本发明实施例提供的掩膜板，可以重复利用所述掩膜板上的第三掩膜单元对所述基板进行曝光，通过每次曝光形成的图案的拼合，可在所述基板上形成一体的大尺寸的图案。

可选的，若所述掩模板包含至少两个掩膜单元组，则利用相邻两个掩膜单元组，在所述基板上形成的两组图案相邻的边相吻合。由于，掩膜板上相邻的掩膜单元组，在相邻的两边上的微小图案和空隙相吻合，则利用所述掩膜板在形成有薄膜的基板上进行曝光，在所述基板上形成两组图案，相邻的边相吻合。

具体的，掩膜板上包括两个掩膜单元组，第一掩膜单元组和第二掩膜单元组，所述第一掩膜单元组与第二掩膜单元组相邻的每一个掩膜单元的边上的微小图案和空隙相吻合，那么利用所述第一掩膜单元组在所述基板上进行曝光形成的第一掩膜单元组的图案与利用第二掩膜单元组在所述基板上进行曝光形成的第二掩膜单元组的图案相邻的边相吻合，从而在所述基板上形成一体的图案。

可选的，若所述掩膜板包括三个以上掩膜单元组，按照其排列顺序依次为：位于第一排的第一掩膜单元组、位于最后一排的第二掩膜单元组以及位于第一排和最后一排之间的至少一个第三掩膜单元组；则所述方法还包括：

在垂直于所述掩膜单元组中掩膜单元的排列方向上，利用所述至少一个第三掩膜单元组对所述形成有薄膜的基板进行至少两轮曝光，对应形成至少两组图案；且该至少两组图案相邻的边相吻合。

其中，所述利用所述至少一个第三掩膜单元组对所述形成有薄膜的基板进行至少两轮曝光的方法，可以是重复上述步骤S101至步骤S103。所述至少两组图案中每一组图案包括利用一个掩膜单元组中的每一个掩膜单元对基板进行曝光在基板上形成的图案。

具体的，利用如图9所示的掩膜板对形成有薄膜的基板进行构图，如图13所示，在所述基板上形成黑矩阵图案的方法包括：

S301、利用第一掩膜单元组的第一掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第一掩膜单元的掩膜图案相同的第一图案。

S302、利用第一掩膜单元组的第三掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第三掩膜单元的掩膜图案相同的第三图案。

具体的，利用所述第三掩膜单元对形成有薄膜的基板进行曝光的方法可以参照步骤S202。

S303、利用第一掩膜单元组的第三掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第三掩膜单元的掩膜图案相同的第三图案。

具体的，利用所述第三掩膜单元对形成有薄膜的基板进行曝光的方法可以参照步骤S203。

S304、利用第一掩膜单元组的第二掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第二掩膜单元的掩膜图案相同的第二图案。

具体的，利用所述第二掩膜单元对形成有薄膜的基板进行曝光的方法可以参照步骤S204。

S305、利用第三掩膜单元组的第一掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第一掩膜单元的掩膜图案相同的第一图案。

具体的，移动所述基板或所述掩膜板，使所述第三掩膜单元组的第一掩膜单元与基板上利用第一掩膜单元组的第一掩膜单元在所述基板上形成的第一图案的一边相吻合，对所述基板进行一次曝光。此时，在所述基板上形成位于第二排的第一图案。

S306、利用第三掩膜单元组的第三掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第三掩膜单元的掩膜图案相同的第三图案。

具体的，移动所述基板或所述掩膜板，使所述第三掩膜单元组的第三掩膜单元与基板上利用第三掩膜单元组的第一掩膜单元在所述基板上形成的第一图案的一边相吻合，对所述基板进行一次曝光。此时，在所述基板上形成位于第二排与所述第二排第一图案相邻且吻合的第三图案，且所述第三图案的一边与基板上第一排的第三图案的一边相吻合。

S307、利用第三掩膜单元组的第三掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第三掩膜单元的掩膜图案相同的第三图案。

具体的，移动所述基板或所述掩膜板，使所述第三掩膜单元组的第三掩膜单元与基板上利用第三掩膜单元组的第三掩膜单元在所述基板上形成的第三图案的一边相吻合，对所述基板进行一次曝光。此时，在所述基板上形成位于第二排与所述第二排第三图案相邻且吻合的第三图案，且所述第三图案的一边与基板上第一排的第三图案的一边相吻合。

S308、利用第三掩膜单元组的第二掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第二掩膜单元的掩膜图案相同的第二图案。

具体的，移动所述基板或所述掩膜板，使所述第三掩膜单元组的第二掩膜单元与基板上利用第三掩膜单元组的第三掩膜单元在所述基板上形成的第三图案的一边相吻合，对所述基板进行一次曝光。此时，在所述基板上形成位于第二排与所述第二排第三图案相邻且吻合的第二图案，且所述第二图案的一边与基板上第一排的第二图案的一边相吻合。

S309、利用第三掩膜单元组的第一掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第一掩膜单元的掩膜图案相同的第一图案。

具体的，移动所述基板或所述掩膜板，使所述第三掩膜单元组的第一掩膜单元与基板上利用第三掩膜单元组形成的第一图案相吻合，对所述基板进行一次曝光。此时，在所述基板上形成位于第三排与所述第二排第一图案相邻且吻合的第一图案，且所述第一图案的一边与基板上第二排的第一图案的一边相吻合。

S310、利用第三掩膜单元组的第三掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第三掩膜单元的掩膜图案相同的第三图案。

具体的，移动所述基板或所述掩膜板，使所述第三掩膜单元组的第三掩膜单元与基板上利用第三掩膜单元组的第一掩膜单元在所述基板上形成的位于第三排的第一图案相吻合，对所述基板进行一次曝光。此时，在所述基板上形成位于第三排与所述第三排第一图案相邻且吻合的第三图案，且所述第三图案的一边与基板上第二排的第三图案的一边相吻合。

S311、利用第三掩膜单元组的第三掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第三掩膜单元的掩膜图案相同的第三图案。

具体的，移动所述基板或所述掩膜板，使所述第三掩膜单元组的第三掩膜单元与基板上利用第三掩膜单元组的第三掩膜单元在所述基板上形成的位于第三排的第三图案相吻合，对所述基板进行一次曝光。此时，在所述基板上形成位于第三排与所述第三排第三图案相邻且吻合的第三图案，且所述第三图案的一边与基板上第二排的第三图案的一边相吻合。

S312、利用第三掩膜单元组的第二掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第二掩膜单元的掩膜图案相同的第二图案。

具体的，移动所述基板或所述掩膜板，使所述第三掩膜单元组的第二掩膜单元与基板上利用第三掩膜单元组的第三掩膜单元在所述基板上形成的位于第三排的第三图案相吻合，对所述基板进行一次曝光。此时，在所述基板上形成位于第三排与所述第三排第三图案相邻且吻合的第二图案，且所述第二图案的一边与基板上第二排的第二图案的一边相吻合。

S313、利用第二掩膜单元组的第一掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第一掩膜单元的掩膜图案相同的第一图案。

具体的，移动所述基板或所述掩膜板，使所述第二掩膜单元组的第一掩膜单元与基板上利用第三掩膜单元组形成的第一图案相吻合，对所述基板进行一次曝光。此时，在所述基板上形成位于第四排与所述第三排第一图案相邻且吻合的第一图案。

S314、利用第二掩膜单元组的第三掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第三掩膜单元的掩膜图案相同的第三图案。

具体的，移动所述基板或所述掩膜板，使所述第二掩膜单元组的第三掩膜单元与基板上利用第二掩膜单元组的第三掩膜单元在所述基板上形成的位于第四排的第三图案相吻合，对所述基板进行一次曝光。此时，在所述基板上形成位于第四排与所述第四排第三图案相邻且吻合的第三图案，且所述第三图案的一边与基板上第三排的第三图案的一边相吻合。

S315、利用第二掩膜单元组的第三掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第三掩膜单元的掩膜图案相同的第三图案。

具体的，移动所述基板或所述掩膜板，使所述第二掩膜单元组的第三掩膜单元与基板上利用第二掩膜单元组的第三掩膜单元在所述基板上形成的位于第四排的第三图案相吻合，对所述基板进行一次曝光。此时，在所述基板上形成位于第四排与所述第四排第三图案相邻且吻合的第三图案。

S316、利用第二掩膜单元组的第二掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第二掩膜单元的掩膜图案相同的第二图案。

具体的，移动所述基板或所述掩膜板，使所述第二掩膜单元组的第二掩膜单元与基板上利用第二掩膜单元组的第三掩膜单元在所述基板上形成的位于第四排的第三图案相吻合，对所述基板进行一次曝光。此时，在所述基板上形成位于第四排与所述第四排第三图案相邻且吻合的第二图案，且所述第二图案的一边与基板上第三排的第二图案的一边相吻合。

如图14所示，所述黑矩阵图案是由上述多个第一图案、第二图案以及两个第三图案拼接形成的。经上述步骤在所述基板上形成的黑矩阵图案在1001方向上扩大了一个第三掩膜单元的长度，在1002方向上扩大了一个第三掩膜单元组在1002方向上的宽度，在所述基板上形成大于所述掩膜板掩膜图案大小的黑矩阵图案，且所述黑矩阵图案为一个完整的一体的图案。

需要说明的是，利用图9所示的掩膜板对形成有薄膜的基板进行构图的方法也不仅局限于上述步骤，其中各步骤的顺序是不确定的，还可以根据需要多加步骤或者调整步骤的顺序。例如，为了得到更大尺寸的黑矩阵图案，还可以重复三次以上利用第三掩膜单元对基板进行曝光，这样可以扩大在基板1001方向上图案的大小；还可以根据需要重复三次以上利用所述第三掩膜单元组对基板进行曝光，这样可以扩大在基板1002方向上图案的大小。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种掩膜板，其特征在于，包括至少一个掩膜单元组，每一个所述掩膜单元组为一排，包括位于一端的一个第一掩膜单元，位于另一端的一个第二掩膜单元，以及位于两端之间的至少一个第三掩膜单元；

每一所述掩膜单元设置有掩膜图案；每一所述掩膜单元的掩膜图案在靠近其相邻的掩膜单元的一边，在掩膜图案轮廓下包括多个微小图案和空隙，且相邻的两个掩膜单元的掩膜图案在相互靠近的两边上的微小图案和空隙相吻合；所述至少一个第三掩膜单元包括：靠近所述第一掩膜单元的第一边和靠近所述第二掩膜单元的第二边，且所述第一边、第二边上的微小图案和空隙相吻合。

2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，同一掩膜单元组中，第三掩膜单元的面积之和大于第一掩膜单元的面积，并大于第二掩膜单元的面积。

3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括两个以上掩膜单元组；

其中一个掩膜单元组中两个掩膜单元相邻的两个顶角靠近另一个掩膜单元组，且对应所述另一个掩膜单元组中一个掩膜单元的一边，所述其中一个掩膜单元组中两个掩膜单元相邻的两个顶角与所述另一个掩膜单元组中一个掩膜单元的一边，三者相对应部分的微小图案和空隙相吻合；或者，

其中一个掩膜单元组中两个掩膜单元相邻的两个顶角靠近另一个掩膜单元组，且对应所述另一个掩膜单元组中两个掩膜单元相邻的两个顶角，相对应的四个顶角的微小图案和空隙相吻合。

4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括两个以上掩膜单元组，且每个掩膜单元组包括的掩膜单元的个数相同。

5.根据权利要求3所述的掩膜板，其特征在于，不同掩膜单元组中的相同掩膜单元在第一方向上的长度相同，所述第一方向为与所述排平行的方向。

6.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，各个所述掩膜单元为矩形，且同一掩膜单元组中，各个掩膜单元在第二方向上的宽度相同，所述第二方向为与所述排垂直的方向。

7.根据权利要求1-6任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括三个以上掩膜单元组，按照其排列顺序依次为：位于第一排的第一掩膜单元组、 位于最后一排的第二掩膜单元组以及位于第一排和最后一排之间的至少一个第三掩膜单元组；

其中每一个第三掩膜单元组的掩膜单元包括：靠近第一掩膜单元组的第三边和靠近第二掩膜单元组的第四边，且所述第三边、第四边上的微小图案和空隙相吻合。

8.根据权利要求7所述的掩膜板，其特征在于，所述第三掩膜单元组中第三掩膜单元的面积之和大于第一掩膜单元组中第三掩膜单元的面积之和，并大于第二掩膜单元组中第三掩膜单元的面积之和。

9.一种利用掩膜板构图的方法，其特征在于，所述掩膜板为权利要求1-8任一项所述的掩膜板，利用所述掩膜板构图的方法包括：

利用所述掩膜板中任一掩膜单元组中的第一掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第一掩膜单元中的掩膜图案相应的第一图案；

按照所述掩膜单元组中掩膜单元的排列方向，利用所述掩膜单元组中的至少一个第三掩膜单元对所述形成有薄膜的基板进行至少两轮曝光，形成至少两组与所述第三掩膜单元的掩膜图案一一对应的第三图案；每两个第三图案相邻的边相吻合；

利用所述掩膜单元组中的第二掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光，形成与所述第二掩膜单元中的掩膜图案相应的第二图案；其中，所述至少两组第三图案中位于一端的一个与所述第一图案的边相吻合，位于另一端的一个与所述第二图案相吻合。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述掩膜板包含至少两个掩膜单元组，利用相邻两个掩膜单元组，在所述基板上形成的两组图案相邻的边相吻合。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述掩膜板包括三个以上掩膜单元组，按照其排列顺序依次为：位于第一排的第一掩膜单元组、位于最后一排的第二掩膜单元组以及位于第一排和最后一排之间的至少一个第三掩膜单元组；所述方法还包括：

在垂直于所述掩膜单元组中掩膜单元的排列方向上，利用所述至少一个第 三掩膜单元组对所述形成有薄膜的基板进行至少两轮曝光，对应形成至少两组图案；且该至少两组图案相邻的边相吻合。