CN102833929A - 一种自镇流荧光灯及其开路保护电路 - Google Patents
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Abstract
本发明适用于电子照明领域,提供了一种自镇流荧光灯及其开路保护电路。在本发明实施例中,自镇流荧光灯开路保护电路在自镇流荧光灯空载时,使得镇流器电路停振,而起到开路保护的作用,该开路保护电路具有结构简单、工作可靠、保护响应快以及成本低廉的优点。
Description
技术领域
本发明属于电子照明领域,尤其涉及一种自镇流荧光灯及其开路保护电路。
背景技术
目前市场上很多自镇流荧光灯,因其电路简单,成本低廉而广泛应用。当未接入荧光灯管或者荧光灯管遭损坏时,自镇流荧光灯的开路电压是正常工作电压的数倍,可达数百伏。
为解决输出高压的危险,现在已经设计了开路保护电路,以确保自镇流荧光灯开路安全输出,但现有的开路保护电路存在结构复杂、工作不可靠、保护响应慢以及成本高的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种自镇流荧光灯开路保护电路,旨在解决现有的开路保护电路存在结构复杂、工作不可靠、保护响应慢以及成本高的问题。
本发明实施例是这样实现的,一种自镇流荧光灯开路保护电路,与镇流器电路连接,所述自镇流荧光灯开路保护电路包括:
取样整流管D5、滤波电容C4、分压电阻R3、分压电阻R9、分压电阻R12、双向触发二极管DB2、触发晶闸管D1和开关管;
所述取样整流管D5的阳极接镇流器电路的输出端,所述取样整流管D5的阴极接分压电阻R9的第一端,所述滤波电容C4连接在取样整流管D5的阴极与地之间,所述分压电阻R9的第二端接双向触发二极管DB2的第一端,所述分压电阻R12连接在分压电阻R9的第二端与地之间,所述双向触发二极管DB2的第二端接触发晶闸管D1的触发端,所述触发晶闸管D1的阳极接电源,同时所述触发晶闸管D1的阳极通过镇流器电路中的电容C2接地,所述触发晶闸管D1的阴极接开关管的控制端,所述分压电阻R3连接在开关管的控制端与地之间,所述开关管的低电位端接地,所述开关管的高电位端接镇流器电路的双向触发二极管DB1和三极管Q3的基极的公共连接端。
本发明实施例的另一目的在于提供一种自镇流荧光灯,包括LED灯和镇流器电路,所述自镇流荧光灯还包括开路保护电路,所述开路保护电路包括:
取样整流管D5、滤波电容C4、分压电阻R3、分压电阻R9、分压电阻R12、双向触发二极管DB2、触发晶闸管D1和开关管;
所述取样整流管D5的阳极接镇流器电路的输出端,所述取样整流管D5的阴极接分压电阻R9的第一端,所述滤波电容C4连接在取样整流管D5的阴极与地之间,所述分压电阻R9的第二端接双向触发二极管DB2的第一端,所述分压电阻R12连接在分压电阻R9的第二端与地之间,所述双向触发二极管DB2的第二端接触发晶闸管D1的触发端,所述触发晶闸管D1的阳极接电源,同时所述触发晶闸管D1的阳极通过镇流器电路中的电容C2接地,所述触发晶闸管D1的阴极接开关管的控制端,所述分压电阻R3连接在开关管的控制端与地之间,所述开关管的低电位端接地,所述开关管的高电位端接镇流器电路的双向触发二极管DB1和三极管Q3的基极的公共连接端。
在本发明实施例中,自镇流荧光灯开路保护电路在自镇流荧光灯空载时,使得镇流器电路停振,而起到开路保护的作用,该开路保护电路具有结构简单、工作可靠、保护响应快以及成本低廉的优点。
附图说明
图1为本发明第一实施例提供的自镇流荧光灯开路保护电路的电路结构图;
图2为本发明第二实施例提供的自镇流荧光灯开路保护电路的电路结构图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
图1示出了本发明第一实施例提供的自镇流荧光灯开路保护电路的电路结构,为了便于说明,仅示出了与本发明实施例相关的部分,详述如下。
自镇流荧光灯开路保护电路100与镇流器电路200连接,自镇流荧光灯开路保护电路100包括:
取样整流管D5、滤波电容C4、分压电阻R3、分压电阻R9、分压电阻R12、双向触发二极管DB2、触发晶闸管D1和开关管101;
取样整流管D5的阳极接镇流器电路200的输出端,取样整流管D5的阴极接分压电阻R9的第一端,滤波电容C4连接在取样整流管D5的阴极与地之间,分压电阻R9的第二端接双向触发二极管DB2的第一端,分压电阻R12连接在分压电阻R9的第二端与地之间,双向触发二极管DB2的第二端接触发晶闸管D1的触发端,触发晶闸管D1的阳极接电源Vbus+,同时触发晶闸管D1的阳极通过镇流器电路中的电容C2接地,触发晶闸管D1的阴极接开关管101的控制端,分压电阻R3连接在开关管101的控制端与地之间,开关管101的低电位端接地,开关管101的高电位端接镇流器电路200的双向触发二极管DB1和三极管Q3的基极的公共连接端,双向触发二极管DB1的另一端接电容C2的正极。
作为本发明一实施例,开关管101为三极管Q2,三极管Q2的基极为开关管101的控制端,三极管Q2的集电极为开关管101的高电位端,三极管Q2的发射极为开关管101的低电位端。
图2示出了本发明第二实施例提供的自镇流荧光灯开路保护电路的电路结构,为了便于说明,仅示出了与本发明实施例相关的部分,详述如下。
作为本发明一实施例,开关管101为N型MOS管Q4,N型MOS管Q4的栅极为开关管101的控制端,N型MOS管Q4的漏极为开关管101的高电位端,N型MOS管Q4的源极为开关管101的低电位端。
本发明实施例还提供一种自镇流荧光灯,包括LED灯和镇流器电路200,自镇流荧光灯还包括上述的开路保护电路100。
下面以开关管101采用三极管Q2为例,自镇流荧光灯开路保护电路的工作原理为:
电源输出的电压经整流滤波后,经过电阻向电容C2充电,电容C2两端电压达双向触发二极管DB1触发电压值时,双向触发二极管DB1触发三极管Q3的基极,使镇流器电路200起振。
如镇流器电路200输出端开路,取样整流管D5对镇流器电路200输出电压进行取样整流,并经过滤波电容C4滤波,经分压电阻R9和分压电阻R12分压后触发双向触发二极管DB2去控制触发晶闸管D1,使触发晶闸管D1导通,电源输出的电流,经整流滤波后输出的直流电经过电阻,再经过触发晶闸管D1的阳极和阴极至三极管Q2的基极,因三极管Q2的基极获得基极电流而导通,三极管Q2的导通迫使三极管Q3截止,镇流器电路200停止振动,起到开路保护的作用。
在本发明实施例中,自镇流荧光灯开路保护电路在自镇流荧光灯空载时,使得镇流器电路停振,而起到开路保护的作用,该开路保护电路具有结构简单、工作可靠、保护响应快以及成本低廉的优点。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种自镇流荧光灯开路保护电路,与镇流器电路连接,其特征在于,所述自镇流荧光灯开路保护电路包括:
取样整流管D5、滤波电容C4、分压电阻R3、分压电阻R9、分压电阻R12、双向触发二极管DB2、触发晶闸管D1和开关管;
所述取样整流管D5的阳极接镇流器电路的输出端,所述取样整流管D5的阴极接分压电阻R9的第一端,所述滤波电容C4连接在取样整流管D5的阴极与地之间,所述分压电阻R9的第二端接双向触发二极管DB2的第一端,所述分压电阻R12连接在分压电阻R9的第二端与地之间,所述双向触发二极管DB2的第二端接触发晶闸管D1的触发端,所述触发晶闸管D1的阳极接电源,同时所述触发晶闸管D1的阳极通过镇流器电路中的电容C2接地,所述触发晶闸管D1的阴极接开关管的控制端,所述分压电阻R3连接在开关管的控制端与地之间,所述开关管的低电位端接地,所述开关管的高电位端接镇流器电路的双向触发二极管DB1和三极管Q3的基极的公共连接端。
2.如权利要求1所述的自镇流荧光灯开路保护电路,其特征在于,所述开关管为三极管Q2,所述三极管Q2的基极为开关管的控制端,所述三极管Q2的集电极为开关管的高电位端,所述三极管Q2的发射极为开关管的低电位端。
3.如权利要求1所述的自镇流荧光灯开路保护电路,其特征在于,所述开关管为N型MOS管Q4,所述N型MOS管Q4的栅极为开关管的控制端,所述N型MOS管Q4的漏极为开关管的高电位端,所述N型MOS管Q4的源极为开关管的低电位端。
4.一种自镇流荧光灯,包括LED灯和镇流器电路,其特征在于,所述自镇流荧光灯还包括开路保护电路,所述开路保护电路包括:
取样整流管D5、滤波电容C4、分压电阻R3、分压电阻R9、分压电阻R12、双向触发二极管DB2、触发晶闸管D1和开关管;
所述取样整流管D5的阳极接镇流器电路的输出端,所述取样整流管D5的阴极接分压电阻R9的第一端,所述滤波电容C4连接在取样整流管D5的阴极与地之间,所述分压电阻R9的第二端接双向触发二极管DB2的第一端,所述分压电阻R12连接在分压电阻R9的第二端与地之间,所述双向触发二极管DB2的第二端接触发晶闸管D1的触发端,所述触发晶闸管D1的阳极接电源,同时所述触发晶闸管D1的阳极通过镇流器电路中的电容C2接地,所述触发晶闸管D1的阴极接开关管的控制端,所述分压电阻R3连接在开关管的控制端与地之间,所述开关管的低电位端接地,所述开关管的高电位端接镇流器电路的双向触发二极管DB1和三极管Q3的基极的公共连接端。
5.如权利要求4所述的自镇流荧光灯,其特征在于,所述开关管为三极管Q2,所述三极管Q2的基极为开关管的控制端,所述三极管Q2的集电极为开关管的高电位端,所述三极管Q2的发射极为开关管的低电位端。
6.如权利要求4所述的自镇流荧光灯,其特征在于,所述开关管为N型MOS管Q4,所述N型MOS管Q4的栅极为开关管的控制端,所述N型MOS管Q4的漏极为开关管的高电位端,所述N型MOS管Q4的源极为开关管的低电位端。
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