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CN102780199A - 一种过流保护电路及灯具 - Google Patents

一种过流保护电路及灯具 Download PDF

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CN102780199A CN2011101242432A CN201110124243A CN102780199A CN 102780199 A CN102780199 A CN 102780199A CN 2011101242432 A CN2011101242432 A CN 2011101242432A CN 201110124243 A CN201110124243 A CN 201110124243A CN 102780199 A CN102780199 A CN 102780199A
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周明杰
孙占民
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Abstract

本发明适用于保护电路领域,尤其涉及一种过流保护电路及灯具。在本发明实施例中,本过流保护电路采用分立元件构成,当负载电流大于设计的过流保护电流值时,能够迅速切断负载供电回路,达到负载过流保护的目的,且该过流保护电路的结构简单、成本低廉。

Description

一种过流保护电路及灯具
技术领域
本发明属于保护电路领域,尤其涉及一种过流保护电路及灯具。
背景技术
电能与我们的生活息息相关,电子设备、电子仪器等各种电子产品的正常运行均离不开电能,但是每种电子产品都有额定的工作电流,如果工作电流过大,那么就处于非正常的工作状态,需要电路进行保护,否则会损坏设备、仪器等电子产品。
目前的过流保护电路普遍采用单片机采样电流并输出控制,尽管采用单片机控制具有效率高、运用灵活等优点,但是单片机需要配合基准源、采样电路等多种器件才能工作,因此具有占用空间大、结构复杂、成本高昂等诸多缺点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种过流保护电路,旨在解决现在的过流保护电路存在结构复杂、成本高昂的问题。
本发明是这样实现的,一种过流保护电路,连接在电源和用电负载之间,所述过流保护电路包括:
稳压管D1、分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、分压电阻R5、采样电阻R6、P型MOS管Q2、第一开关管和第二开关管;
所述P型MOS管Q2的源极为过流保护电路的输入端接所述电源正极,所述P型MOS管Q2的漏极为过流保护电路的输出端接用电负载,所述分压电阻R1的第一端接电源正极,所述分压电阻R1的第二端通过分压电阻R2接地,所述第一开关管的控制端接分压电阻R1和分压电阻R2的公共连接端,所述第一开关管的低电位端接地,所述第一开关管的高电位端接P型MOS管Q2的栅极,所述分压电阻R3连接在电源正极与第一开关管的高电位端之间,所述采样电阻R6的第一端接用电负载,所述采样电阻R6的第二端接地,所述稳压管D1的阴极接采样电阻R6的第一端,所述稳压管D1的阳极接分压电阻R5的第一端,所述分压电阻R5的第二端通过分压电阻R4接地,所述第二开关管的控制端接分压电阻R4和分压电阻R5的公共连接端,所述第二开关管的低电位端接地,所述第二开关管的高电位端接第一开关管的控制端。
本发明的另一目的在于提供一种灯具,包括连接在电源和灯具电路之间的过流保护电路,所述过流保护电路包括:
稳压管D1、分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、分压电阻R5、采样电阻R6、P型MOS管Q2、第一开关管和第二开关管;
所述P型MOS管Q2的源极为过流保护电路的输入端接所述电源正极,所述P型MOS管Q2的漏极为过流保护电路的输出端接用电负载,所述分压电阻R1的第一端接电源正极,所述分压电阻R1的第二端通过分压电阻R2接地,所述第一开关管的控制端接分压电阻R1和分压电阻R2的公共连接端,所述第一开关管的低电位端接地,所述第一开关管的高电位端接P型MOS管Q2的栅极,所述分压电阻R3连接在电源正极与第一开关管的高电位端之间,所述采样电阻R6的第一端接用电负载,所述采样电阻R6的第二端接地,所述稳压管D1的阴极接采样电阻R6的第一端,所述稳压管D1的阳极接分压电阻R5的第一端,所述分压电阻R5的第二端通过分压电阻R4接地,所述第二开关管的控制端接分压电阻R4和分压电阻R5的公共连接端,所述第二开关管的低电位端接地,所述第二开关管的高电位端接第一开关管的控制端。
在本发明中,本过流保护电路采用分立元件构成,当负载电流大于设计的过流保护电流值时,能够迅速切断负载供电回路,达到负载过流保护的目的,且该过过流保护电路的结构简单、成本低廉。
附图说明
图1是本发明第一实施例提供的过流保护电路的电路结构图;
图2是本发明第二实施例提供的过流保护电路的电路结构图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
图1示出了本发明第一实施例提供的过流保护电路的电路结构,为了便于说明,仅示出了与本发明实施例相关的部分,详述如下。
过流保护电路,连接在电源和用电负载之间,过流保护电路包括:
稳压管D1、分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、分压电阻R5、采样电阻R6、P型MOS管Q2、第一开关管101和第二开关管102;
P型MOS管Q2的源极为过流保护电路的输入端接所述电源正极,P型MOS管Q2的漏极为过流保护电路的输出端接用电负载,分压电阻R1的第一端接电源正极,分压电阻R1的第二端通过分压电阻R2接地,第一开关管101的控制端接分压电阻R1和分压电阻R2的公共连接端,第一开关管101的低电位端接地,第一开关管101的高电位端接P型MOS管Q2的栅极,分压电阻R3连接在电源正极与第一开关管101的高电位端之间,采样电阻R6的第一端接用电负载,采样电阻R6的第二端接地,稳压管D1的阴极接采样电阻R6的第一端,稳压管D1的阳极接分压电阻R5的第一端,分压电阻R5的第二端通过分压电阻R4接地,第二开关管102的控制端接分压电阻R4和分压电阻R5的公共连接端,第二开关管102的低电位端接地,第二开关管102的高电位端接第一开关管101的控制端。
作为本发明一实施例,第一开关管101采用三极管Q1,三极管Q1的基极为第一开关管101的控制端,三极管Q1的集电极为第一开关管101的高电位端,三极管Q1的发射极为第一开关管101的低电位端。
作为本发明一实施例,第二开关管102采用三极管Q3,三极管Q3的基极为第二开关管102的控制端,三极管Q3的集电极为第二开关管102的高电位端,三极管Q3的发射极为第二开关管102的低电位端。
图2示出了本发明第二实施例提供的过流保护电路的电路结构,为了便于说明,仅示出了与本发明实施例相关的部分,详述如下。
作为本发明一实施例,第一开关管101采用N型MOS管Q4,N型MOS管Q4的栅极为第一开关管101的控制端,N型MOS管Q4的漏极为第一开关管101的高电位端,N型MOS管Q4的源极为第一开关管101的低电位端。
作为本发明一实施例,第二开关管102采用N型MOS管Q5,N型MOS管Q5的栅极为第二开关管102的控制端,N型MOS管Q5的漏极为第二开关管102的高电位端,N型MOS管Q5的源极为第二开关管102的低电位端。
下面以第一开关管101采用三极管Q1,第二开关管102采用三极管Q3为例,对过流保护电路的工作原理进行说明:
当接通电源且用电负载工作电流正常时,电源通过分压电阻R1和分压电阻R2分压,三极管Q1基极电压为高电平且进入开通状态,那么P型MOS管Q2的栅极通过三极管Q1集电极和发射极连接到地,P型MOS管Q2栅极电压为低电平,P型MOS管Q2进入导通状态,那么P型MOS管Q2的源极和漏极直通,电源给用电负载供电,此时用电负载工作电流正常,稳压管D1截止,三极管Q3基极为低电平,处于关断状态。
当用电负载工作电流大于设计的过流保护电流值时,采样电阻R6上的电压升高,稳压管D1被击穿而进入导通状态,三极管Q3基极电平由低变成高且进入导通状态,那么三极管Q1基极电平由高变成低且进入关断状态,那么P型MOS管Q2栅极电平由低变成高,P型MOS管Q2进入关断状态,那么P型MOS管Q2的源极和漏极断开,电源不再给用电负载供电。
如果用电负载工作电流恢复正常,此时稳压管D1由导通转为不导通状态,三极管Q3基极电平由高变成低,三极管Q3进入关断状态,三极管Q1基极电平由低变成高,三极管Q1进入导通状态,那么P型MOS管Q2栅极电平则由高变成低,P型MOS管Q2进入导通状态,那么P型MOS管Q2的源极和漏极导通,电源恢复给用电负载供电。
本发明实施例还提供一种灯具,包括连接在电源和灯具电路之间的过流保护电路,过流保护电路结构如上所述,这里不再赘述。
相对于现有技术,本发明实施例提供的过流保护电路采用分立元件构成,当负载电流大于设计的过流保护电流值时,能够迅速切断负载供电回路,达到负载过流保护的目的,且该过流保护电路的结构简单、成本低廉。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种过流保护电路,连接在电源和用电负载之间,其特征在于,所述过流保护电路包括:
稳压管D1、分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、分压电阻R5、采样电阻R6、P型MOS管Q2、第一开关管和第二开关管;
所述P型MOS管Q2的源极为过流保护电路的输入端接所述电源正极,所述P型MOS管Q2的漏极为过流保护电路的输出端接用电负载,所述分压电阻R1的第一端接电源正极,所述分压电阻R1的第二端通过分压电阻R2接地,所述第一开关管的控制端接分压电阻R1和分压电阻R2的公共连接端,所述第一开关管的低电位端接地,所述第一开关管的高电位端接P型MOS管Q2的栅极,所述分压电阻R3连接在电源正极与第一开关管的高电位端之间,所述采样电阻R6的第一端接用电负载,所述采样电阻R6的第二端接地,所述稳压管D1的阴极接采样电阻R6的第一端,所述稳压管D1的阳极接分压电阻R5的第一端,所述分压电阻R5的第二端通过分压电阻R4接地,所述第二开关管的控制端接分压电阻R4和分压电阻R5的公共连接端,所述第二开关管的低电位端接地,所述第二开关管的高电位端接第一开关管的控制端。
2.如权利要求1所述的过流保护电路,其特征在于,所述第一开关管采用三极管Q1,所述三极管Q1的基极为第一开关管的控制端,所述三极管Q1的集电极为第一开关管的高电位端,所述三极管Q1的发射极为第一开关管的低电位端。
3.如权利要求1所述的过流保护电路,其特征在于,所述第一开关管采用N型MOS管Q4,所述N型MOS管Q4的栅极为第一开关管的控制端,所述N型MOS管Q4的漏极为第一开关管的高电位端,所述N型MOS管Q4的源极为第一开关管的低电位端。
4.如权利要求1所述的过流保护电路,其特征在于,所述第二开关管采用三极管Q3,所述三极管Q3的基极为第二开关管的控制端,所述三极管Q3的集电极为第二开关管的高电位端,所述三极管Q3的发射极为第二开关管的低电位端。
5.如权利要求1所述的过流保护电路,其特征在于,所述第二开关管采用N型MOS管Q5,所述N型MOS管Q5的栅极为第二开关管的控制端,所述N型MOS管Q5的漏极为第二开关管的高电位端,所述N型MOS管Q5的源极为第二开关管的低电位端。
6.一种灯具,包括连接在电源和灯具电路之间的过流保护电路,其特征在于,所述过流保护电路包括:
稳压管D1、分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、分压电阻R5、采样电阻R6、P型MOS管Q2、第一开关管和第二开关管;
所述P型MOS管Q2的源极为过流保护电路的输入端接所述电源正极,所述P型MOS管Q2的漏极为过流保护电路的输出端接用电负载,所述分压电阻R1的第一端接电源正极,所述分压电阻R1的第二端通过分压电阻R2接地,所述第一开关管的控制端接分压电阻R1和分压电阻R2的公共连接端,所述第一开关管的低电位端接地,所述第一开关管的高电位端接P型MOS管Q2的栅极,所述分压电阻R3连接在电源正极与第一开关管的高电位端之间,所述采样电阻R6的第一端接用电负载,所述采样电阻R6的第二端接地,所述稳压管D1的阴极接采样电阻R6的第一端,所述稳压管D1的阳极接分压电阻R5的第一端,所述分压电阻R5的第二端通过分压电阻R4接地,所述第二开关管的控制端接分压电阻R4和分压电阻R5的公共连接端,所述第二开关管的低电位端接地,所述第二开关管的高电位端接第一开关管的控制端。
7.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述第一开关管采用三极管Q1,所述三极管Q1的基极为第一开关管的控制端,所述三极管Q1的集电极为第一开关管的高电位端,所述三极管Q1的发射极为第一开关管的低电位端。
8.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述第一开关管采用N型MOS管Q4,所述N型MOS管Q4的栅极为第一开关管的控制端,所述N型MOS管Q4的漏极为第一开关管的高电位端,所述N型MOS管Q4的源极为第一开关管的低电位端。
9.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述第二开关管采用三极管Q3,所述三极管Q3的基极为第二开关管的控制端,所述三极管Q3的集电极为第二开关管的高电位端,所述三极管Q3的发射极为第二开关管的低电位端。
10.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述第二开关管采用N型MOS管Q5,所述N型MOS管Q5的栅极为第二开关管的控制端,所述N型MOS管Q5的漏极为第二开关管的高电位端,所述N型MOS管Q5的源极为第二开关管的低电位端。
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