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CN102656674A - 电子装置的制造方法、电子装置、电子装置封装的制造方法和电子装置封装 - Google Patents

电子装置的制造方法、电子装置、电子装置封装的制造方法和电子装置封装 Download PDF

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CN102656674A
CN102656674A CN2010800570185A CN201080057018A CN102656674A CN 102656674 A CN102656674 A CN 102656674A CN 2010800570185 A CN2010800570185 A CN 2010800570185A CN 201080057018 A CN201080057018 A CN 201080057018A CN 102656674 A CN102656674 A CN 102656674A
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CN
China
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resin layer
encapsulant
fixing resin
electronic unit
electronic
Prior art date
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CN2010800570185A
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English (en)
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楠木淳也
竹内江津
杉山广道
久保山俊治
川田政和
二阶堂广基
前田将克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Publication date
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Abstract

一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括：固定树脂层形成工序，在支承基材表面设置固定树脂层；电子部件固定工序，在该固定树脂层上，以使相邻电子部件之间形成有间隙的方式配置多个电子部件，并通过所述固定树脂层将所述电子部件固定在所述支承基材上；密封材料层形成工序，通过密封材料覆盖所述电子部件，在所述固定树脂层和所述电子部件上，形成密封材料层；密封材料固化工序，通过对所述密封材料进行加热，使所述密封材料发生固化并被支承于所述支承基材上，获得配置有所述电子部件的电子部件配置密封材料固化物；以及剥离工序，将被支承于所述支承基材上的所述电子部件配置密封材料固化物，从所述支承基材剥离，并且在所述剥离工序中，通过使所述固定树脂层所含的树脂发生低分子化，将所述电子部件配置密封材料固化物从所述支承基材剥离。

Description

电子装置的制造方法、电子装置、电子装置封装的制造方法和电子装置封装
技术领域
本发明涉及电子装置的制造方法、电子装置、电子装置封装的制造方法和电子装置封装。
背景技术
近年来，对搭载集成电路的半导体芯片等的电子部件而言，已应用于各种用途上，并要求具有多方面的功能。另外，还有信息处理量的提高和处理能力高速化的要求，虽然导体芯片的高密度化在不断发展、半导体芯片的布线数在不断增多，但在布线间距方面有界限，并且输入输出的布线数取决于半导体芯片的面积，在布线数方面有界限。
为了解决上述问题并实现高密度安装，有人提出了将半导体芯片进行电层叠的COC(Chip on Chip，叠层芯片)技术，但时常发生层叠半导体芯片时的成品率差的问题、连接可靠性差的问题。
鉴于上述问题，有人提出了基于下述操作形成的再配置型电子装置：在支承基板上形成粘接层，接着，在粘接层上以一定间隔配置并固定单片化的半导体芯片等电子部件，接着，采用半导体密封材料等密封材料覆盖电子部件而进行密封，接着将配置有电子部件的密封材料的固化物从粘接层剥离，接着，在电子部件的曾经与粘接层相接触的面上，通过再布线技术，将布线进行至电子部件外径的外侧，由此增加输入输出的布线数目并应对高密度化(例如，参照专利文献1)。
对该再配置型电子装置中所用的粘接层而言，要求其具有将电子部件固定于支承基板上的功能以使电子部件在用密封材料进行密封的温度下不发生位置偏移的功能，并且，要求在对密封材料热固化后，能够容易地将配置有电子部件的密封材料的固化物，从设置有粘接层的支承基板上剥离。并且，优选在上述剥离时粘接层的残渣不附着在配置有电子部件的密封材料的固化物上。
另一方面，以往所提出的粘接层是一种热塑性粘接层或热发泡型粘接层，因此，难以兼备使电子部件固定而不发生位置偏移的功能、容易将密封材料的固化物从支承基板剥离的功能以及残渣不附着的功能(例如，参照专利文献2、3)。
若电子部件发生位置偏移，则在此后的再布线工艺中无法准确地进行再布线；另外，若不能容易地剥离密封材料的固化物，则在密封材料、电子部件上产生龟裂等并成为破损的原因；并且，若粘接层的残渣附着于配置有电子部件的密封材料的固化物上，则发生电子装置的可靠性降低的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-287235号公报
专利文献2：日本特开2005-191296号公报
专利文献3：日本特开2005-243702号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明的目的在于，提供一种电子装置的制造方法、采用该电子装置的制造方法制作的可靠性高的电子装置、包括该电子装置的制造方法的电子装置封装的制造方法以及采用该电子装置封装的制造方法所制作的可靠性高的电子装置封装，其中，所述电子装置的制造方法在再配置型电子装置的制造工序中不发生电子部件的位置偏移，且在密封材料、电子部件上难以产生破损，并且，即使附着了残渣的情况下也可简易地进行去除。
解决课题的方法
本发明的上述目的可通过下列(1)～(22)中所记载的技术方案来实现。
(1)一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括：
固定树脂层形成工序，该工序在支承基材表面设置固定树脂层；
电子部件固定工序，该工序在该固定树脂层上，以使相邻电子部件之间形成有间隙的方式配置多个电子部件，并通过该固定树脂层将多个该电子部件固定在该支承基材上；
密封材料层形成工序，该工序通过密封材料覆盖该电子部件，在该固定树脂层和该电子部件上形成密封材料层；
密封材料固化工序，该工序通过对该密封材料进行加热，使该密封材料发生固化并被支承于该支承基材上，获得配置有该电子部件的电子部件配置密封材料固化物；以及
剥离工序，该工序将被支承于该支承基材上的该电子部件配置密封材料固化物，从该支承基材剥离，
并且，在该剥离工序中，通过使该固定树脂层所含的树脂发生低分子化，将该电子部件配置密封材料固化物从该支承基材剥离。
(2)如(1)的电子装置的制造方法，其特征在于，在前述剥离工序中，通过对前述固定树脂层进行加热以使其发生热分解，从而将前述电子部件配置密封材料固化物从前述支承基材剥离。
(3)如(1)的电子装置的制造方法，其特征在于，在前述剥离工序中，通过对前述固定树脂层照射活性能量线后对前述固定树脂层进行加热以使其发生热分解，从而将前述电子部件配置密封材料固化物从前述支承基材剥离。
(4)如(1)的电子装置的制造方法，其特征在于，在前述剥离工序中，通过对前述固定树脂层照射活性能量线后对前述固定树脂层进行加热以使其熔融，从而将前述电子部件配置密封材料固化物从前述支承基材上剥离。
(5)如(1)～(4)中任一项所述的电子装置的制造方法，其中，在前述密封材料固化工序中加热前述密封材料的温度，低于前述剥离工序中加热前述固定树脂层的温度。
(6)如(3)或(4)所述的电子装置的制造方法，其中，在前述剥离工序中，加热前述固定树脂层的温度为130～200℃。
(7)如(4)的电子装置的制造方法，其中，照射前述活性能量线后的前述固定树脂层在180℃下的熔融粘度为0.01～100Pa·s。
(8)一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括：
固定树脂层形成工序，该工序在支承基材表面设置固定树脂层；
电子部件固定工序，该工序在该固定树脂层上，以使相邻电子部件之间形成有间隙的方式配置多个电子部件，并通过该固定树脂层将该电子部件固定在该支承基材上；
密封材料层形成工序，该工序通过密封材料覆盖该电子部件，在该固定树脂层和该电子部件上形成密封材料层；以及
密封材料固化兼剥离工序，该工序通过对该密封材料进行加热，使密封材料发生固化并被支承于该支承基材上，获得配置有该电子部件的电子部件配置密封材料固化物的同时，将该电子部件配置密封材料固化物从该支承基材剥离，
并且在该密封材料固化兼剥离工序中，通过使该固定树脂层所含的树脂发生低分子化，将该电子部件配置密封材料固化物从该支承基材剥离。
(9)如(8)的电子装置的制造方法，其特征在于，在前述密封材料固化兼剥离工序中，通过对前述固定树脂层进行加热以使其发生热分解，从而将前述电子部件配置密封材料固化物从前述支承基材剥离。
(10)如(8)的电子装置的制造方法，其特征在于，在前述密封材料固化兼剥离工序中，通过对前述固定树脂层照射活性能量线后对前述固定树脂层进行加热以使其发生热分解，从而将前述电子部件配置密封材料固化物从前述支承基材剥离。
(11)如(8)的电子装置的制造方法，其特征在于，在前述密封材料固化兼剥离工序中，通过对前述固定树脂层照射活性能量线后对前述固定树脂层进行加热以使其溶融，从而将前述电子部件配置密封材料固化物从前述支承基材剥离。
(12)如(10)或(11)所述的电子装置的制造方法，其中，在前述密封材料固化兼剥离工序中，加热前述密封材料和前述固定树脂层的温度为130～200℃。
(13)如(11)的电子装置的制造方法，其中，照射前述活性能量线后的前述固定树脂层在180℃下的熔融粘度为0.01～100Pa·s。
(14)如(1)～(13)中任一项所述的电子装置的制造方法，其中，还包括布线层形成工序，该工序在前述电子部件配置密封材料固化物的配置有前述电子部件的面上形成布线层，获得形成有该布线层的电子部件配置密封材料固化物。
(15)如(14)的电子装置的制造方法，其中，还包括单片化工序，该工序通过对形成有前述布线层的前述电子部件配置密封材料固化物进行分割，使形成有前述布线层的前述电子部件配置密封材料固化物单片化，获得单片化的前述电子部件配置密封材料固化物。
(16)如(3)或(10)中任一项所述的电子装置的制造方法，其特征在于，前述固定树脂层含有：在酸或碱的存在下热分解温度降低的树脂；以及在活性能量线的照射下产生酸的光产酸剂或者产生碱的光产碱剂。
(17)如(4)或(11)中任一项所述的电子装置的制造方法，其特征在于，前述固定树脂层含有：在酸或碱的存在下熔融温度降低的树脂；以及在活性能量线的照射下产生酸的光产酸剂或者产生碱的光产碱剂。
(18)如(16)或(17)中任一项所述的电子装置的制造方法，其特征在于，前述树脂为聚碳酸酯类树脂。
(19)如(18)的电子装置的制造方法，其特征在于，前述聚碳酸酯类树脂为由至少具有两个环状结构的碳酸酯结构单元构成的聚碳酸酯树脂。
(20)一种电子装置，其特征在于，采用(1)～(19)中任一项所述的电子装置的制造方法制作而成。
(21)一种电子装置封装的制造方法，其特征在于，包括安装工序，该工序将(15)的单片化的前述电子部件配置密封材料固化物安装于基板上。
(22)一种电子装置封装，其特征在于，采用(21)的电子装置封装的制造方法制作而成。
发明的效果
基于本发明的电子装置的制造方法，能够提供一种在再配置型电子装置的制造工序中，电子部件不发生位置偏移而且在密封材料、电子部件上难以产生破损，并且即使在附着了残渣的情况下也能够简易地进行去除的电子装置的制造方法，并提供采用该电子装置的制造方法制作的可靠性高的电子装置、包含该电子装置的制造方法的电子装置封装的制造方法以及采用该电子装置封装的制造方法制作的可靠性高的电子装置封装。
附图说明
图1是表示本发明的电子装置封装的一实施方式的示意性纵向剖面图。
图2是表示本发明电子装置的制造方法中从固定树脂层形成工序至密封材料层形成工序的实施例的示意性纵向剖面图。
图3是表示本发明电子装置的制造方法中的密封材料固化工序和剥离工序的实施例的示意性纵向剖面图。
图4是表示本发明电子装置的制造方法中的密封材料固化工序和剥离工序的实施例的示意性纵向剖面图。
图5是表示本发明电子装置的制造方法中的密封材料固化兼剥离工序的实施例的示意性纵向剖面图。
图6是表示本发明电子装置的制造方法中的密封材料固化兼剥离工序的实施例的示意性纵向剖面图。
图7是表示本发明电子装置的制造方法中的布线层形成工序的实施例的示意性纵向剖面图。
图8是表示本发明电子装置的制造方法中的布线层形成工序和单片化工序的实施例的示意性纵向剖面图。
具体实施方式
下面，基于附图所示的优选实施方式，详细说明本发明的电子装置的制造方法、本发明的电子装置、本发明的电子装置封装的制造方法和本发明的电子装置封装。
图1是表示采用本发明的电子装置的制造方法制造的电子装置、电子装置封装的实例之一的纵向剖面图。此外，在下面的说明中，将图1中的上侧称为“上”、下侧称为“下”。
图1中所示的电子装置封装10具有：形成有布线电路19的内插板20、以及在内插板20上配置的电子装置30。通过各自的布线电路和凸块18来电连接内插板20和电子装置30。
另外，电子装置30上设置有半导体芯片11以及覆盖半导体芯片11的密封部13，在半导体芯片11的功能面12的下面设置有与半导体芯片11的端子(未图示)相连结的导电性通孔15，以及在导电性通孔15周围设置有第一绝缘层14，另外，在导电性通孔15的下面设置有与导电性通孔15相连结的导体层16以及第二绝缘层17，而且在导体层16的下面设置有与导体层16相连结的凸块18。
内插板(基板)20是支承电子装置30的基板，其俯视形状通常为正方形、长方形等四边形。另外，通过聚酰亚胺、环氧树脂、氰酸酯、双马来酰亚胺三嗪(BT树脂)等各种树脂材料来构成内插板20。
在内插板20的上面(一侧面)上，例如，以规定形状设置有由铜等导电性金属材料构成的布线电路19。
导电性通孔15是用于对半导体芯片11的端子(未图示)与导体层16进行电连接，既可以仅在通孔15的壁面形成有导电层16，也可以在整个通孔15上形成有导电层16。若仅在通孔15的壁面形成有导电层16，则优选通过绝缘性物质填充通孔15的空隙。
导体层16是用于将导电性通孔15与凸块18电连接的层，例如由铜等导电性金属材料来构成。
凸块18是用于使导体层16与内插板20上的布线电路19电连接，其从电子装置30突出的部分形成为大致球(Ball)状。此外，例如，通过以焊锡、银钎料、铜钎料、磷铜钎料等钎料作为主要材料来构成该凸块18。
图1所示的电子装置30，例如，能够采用本发明电子装置的制造方法进行制造。
<电子装置的制造方法>
本发明第一方式的电子装置的制造方法(下面也记作“本发明的电子装置的制造方法(1)”)，其特征在于，包括：
固定树脂层形成工序，在支承基材表面设置固定树脂层；
电子部件固定工序，在该固定树脂层上以使相邻电子部件之间形成有间隙的方式配置多个电子部件，通过该固定树脂层将该电子部件固定在该支承基材上；
密封材料层形成工序，通过密封材料覆盖该电子部件，在该固定树脂层和该电子部件上形成密封材料层；
密封材料固化工序，通过对该密封材料进行加热，使该密封材料发生固化并被支承于该支承基材上，获得配置有该电子部件的电子部件配置密封材料固化物；以及
剥离工序，将被支承于该支承基材上的该电子部件配置密封材料固化物从前述支承基材剥离，
并且，在该剥离工序中，通过使该固定树脂层所含的树脂发生低分子化，从而将该电子部件配置密封材料固化物从该支承基材剥离。
本发明第二方式的电子装置的制造方法(下面也记作“本发明的电子装置的制造方法(2)”)，其特征在于，包括：
固定树脂层形成工序，在支承基材表面设置固定树脂层；
电子部件固定工序，在该固定树脂层上以使相邻电子部件之间形成有间隙的方式配置多个电子部件，通过该固定树脂层将该电子部件固定在该支承基材上；
密封材料层形成工序，通过密封材料覆盖该电子部件，在该固定树脂层和该电子部件上形成密封材料层；以及
密封材料固化兼剥离工序，通过对该密封材料进行加热，使密封材料发生固化并被支承于该支承基材上，获得配置有该电子部件的电子部件配置密封材料固化物，并同时将该电子部件配置密封材料固化物从该支承基材剥离，
而且，在该密封材料固化兼剥离工序中，通过使该固定树脂层所含的树脂发生低分子化，从而将该电子部件配置密封材料固化物从该支承基材剥离。
即，在本发明的电子装置的制造方法(1)中，在施行密封材料固化工序后施行剥离工序；另一方面，在本发明的电子装置的制造方法(2)中，在对密封材料进行固化的同时施行剥离。即，在进行密封材料固化兼剥离工序的方面不同，除此以外，本发明电子装置的制造方法(1)与本发明电子装置的制造方法(2)相同。
另外，在本发明的电子装置的制造方法(1)中，通过在剥离工序中使固定树脂层所含的树脂发生低分子化，将电子部件配置密封材料固化物从支承基材剥离。另外，在本发明的电子装置的制造方法(2)中，通过在密封材料固化兼剥离工序中使固定树脂层所含的树脂发生低分子化，从而将电子部件配置密封材料固化物从支承基材剥离。
在本发明电子装置的制造方法(1)的剥离工序以及本发明电子装置的制造方法(2)的密封材料固化兼剥离工序中，作为使固定树脂层所含的树脂发生低分子的方法并没有特别限制，例如，可以举出如下所示的第一～第三实施方式。
本发明电子装置的制造方法(1)的第一实施方式(下面也记作“本发明的电子装置的制造方法(1A)”)，是如下所述的实施方式：作为固定树脂层使用热分解性固定树脂层(下面也记作“固定树脂层(A)”)，通过在剥离工序中，在固定树脂层所含热分解性树脂的热分解温度以上的温度下，加热固定树脂层而使其发生热分解，由此使固定树脂层所含的热分解性树脂发生低分子化、进而使其挥发，从而将电子部件配置密封材料固化物从支承基材剥离。本发明电子装置的制造方法(1A)，是在没有先对固定树脂层照射活性能量线的情况下加热固定树脂层来使其热分解的实施方式。另外，本发明电子装置的制造方法(2)的第一实施方式(下面也记作“本发明的电子装置的制造方法(2A)”)，是如下所述的实施方式：作为固定树脂层使用热分解性固定树脂层(固定树脂层(A))，在密封材料固化兼剥离工序中，通过在固定树脂层所含热分解性树脂的热分解温度以上的温度下加热固定树脂层，由此使固定树脂层所含的热分解性树脂发生低分子化、进而使其挥发，从而将电子部件配置密封材料固化物从支承基材剥离。即，本发明电子装置的制造方法(2A)，是在没有先对固定树脂层照射活性能量线的情况下加热固定树脂层来使其热分解的实施方式。
固定树脂层(A)是指：通过在热分解温度以上的温度下进行加热，使固定树脂层发生热分解，详细而言使固定树脂层所含的热分解性树脂发生热分解，从而可将电子部件配置密封材料固化物从支承基材剥离的固定树脂层。
此外，在本发明中，固定树脂层的热分解温度是指：固定树脂层所含的热分解性树脂的重量减少5％的温度。
本发明电子装置的制造方法(1)的第二实施方式(下面记作“本发明的电子装置的制造方法(1B)”)，是如下所述的实施方式：作为固定树脂层使用在活性能量线的照射下热分解温度降低的热分解性固定树脂层(下面也记作“固定树脂层(B)”)，并且，在剥离工序中，首先向固定树脂层(B)照射活性能量线，然后在活性能量线照射后的热分解性固定树脂层(B)的热分解温度以上的温度下，加热固定树脂层来使其发生热分解，由此将电子部件配置密封材料固化物从支承基材剥离。另外，本发明电子装置的制造方法(2)的第二实施方式(下面记作“本发明的电子装置的制造方法(2B)”)，是如下所述的实施方式：作为固定树脂层使用在活性能量线的照射下热分解温度降低的热分解性固定树脂层(固定树脂层(B))，并且，在密封材料固化兼剥离工序中，首先向固定树脂层(B)照射活性能量线，然后在活性能量线照射后的热分解性固定树脂层(B)的热分解温度以上的温度下，加热固定树脂层(B)来使其发生热分解，由此将电子部件配置密封材料固化物从支承基材剥离。由于固定树脂层(B)含有在活性能量线的照射下产生酸的光产酸剂或产生碱的光产碱剂、以及通过在酸或碱的存在下加热而发生低分子化来降低热分解温度的热分解性树脂，因此，在本发明电子装置的制造方法(1B)和(2B)中，首先对固定树脂层(B)照射活性能量线，以使在固定树脂层(B)中产生酸或碱，接着在酸或碱的存在下加热固定树脂层(B)，由此使固定树脂层(B)所含的热分解性树脂发生低分子化，进而通过使低分子化的热分解性树脂热分解或挥发，将电子部件配置密封材料固化物从支承基材剥离。
固定树脂层(B)是指：通过在热分解温度以上的温度下进行加热，使固定树脂层发生热分解，从而能够将电子部件配置密封材料固化物从支承基材剥离的固定树脂层，其中，通过对固定树脂层照射活性能量线，在固定树脂层(B)中产生酸或碱，接着，通过在酸或碱的存在下加热固定树脂层(B)，使固定树脂层(B)所含的热分解性树脂发生低分子化，进而通过使低分子化的热分解性树脂发生热分解或挥发，能够将电子部件配置密封材料固化物从支承基材剥离。
本发明电子装置的制造方法(1)的第三实施方式(下面记作“本发明电子装置的制造方法(1C)”)，是如下所述的实施方式：作为固定树脂层使用在活性能量线的照射下熔融温度降低的热熔性固定树脂层(下面也记作“固定树脂层(C)”)，并且，在剥离工序中，首先对固定树脂层(C)照射活性能量线，然后在活性能量线照射后的热熔性固定树脂层(C)的熔融温度以上的温度下，加热固定树脂层来使其熔融，由此将电子部件配置密封材料固化物从支承基材剥离。另外，本发明电子装置的制造方法(2)的第三实施方式(下面记作“本发明电子装置的制造方法(2C)”)，是如下所述的实施方式：作为固定树脂层使用在活性能量线的照射下熔融温度降低的热熔性固定树脂层(固定树脂层(C))，并且，在密封材料固化兼剥离工序中，首先向固定树脂层(C)照射活性能量线，然后在活性能量线照射后的热熔性固定树脂层(C)的熔融温度以上的温度下，加热固定树脂层(C)来使其熔融，由此将电子部件配置密封材料固化物从支承基材剥离。由于固定树脂层(C)含有在活性能量线的照射下产生酸的光产酸剂或产生碱的光产碱剂、以及通过在酸或碱的存在下加热而发生低分子化来降低熔融温度的热熔性树脂，因此，在本发明电子装置的制造方法(1C)和(2C)中，首先对固定树脂层(C)照射活性能量线，以使在固定树脂层(C)中产生酸或碱，接着在酸或碱的存在下加热固定树脂层(C)，使固定树脂层(C)所含的热熔性树脂发生低分子化，从而使熔融粘度降低，由此将电子部件配置密封材料固化物从支承基材剥离。
固定树脂层(C)是指：通过在熔融温度以上的温度下进行加热，使固定树脂层熔融，从而能够将电子部件配置密封材料固化物从支承基材剥离的固定树脂层，其中，通过对固定树脂层照射活性能量线，使在固定树脂层(C)中产生酸或碱，接着，通过在酸或碱的存在下加热固定树脂层(C)，使固定树脂层(C)所含的热熔性树脂发生低分子化并降低熔融粘度，从而能够将电子部件配置密封材料固化物从支承基材剥离。
此外，在本发明中，固定树脂层的熔融温度是指：使固定树脂层所含的热熔性树脂的熔融粘度达到100Pa·s以下的温度。
对本发明电子装置的制造方法(1B)、(1C)、(2B)和(2C)而言，在剥离工序或密封材料固化兼剥离工序中通过加热来将电子部件配置密封材料固化物从支承基材剥离时，能够先照射活性能量线来降低热分解温度或熔融温度，因此，能够通过低温下的加热，即可实现电子部件配置密封材料固化物从支承基材的剥离，从而能够减少对电子部件配置密封材料固化物的损伤，并且能够可靠地防止电子部件、密封材料上产生裂纹等破损。
下面，参照图2～图8来说明本发明电子装置的制造方法(1)和(2)。图2～图8用于来说明俯视电子装置30时(从图2的纸面上侧观察时)将布线进行至电子部件40外缘的外侧的再配置型电子装置30的制造方法的纵向剖面图。将图2～图8的纸面的上侧称为“上”、下侧称为“下”。此外，对本发明电子装置的制造方法(1)和本发明电子装置的制造方法(2)而言，其不同点在于，是在进行密封材料固化工序后再施行剥离工序还是同时施行密封材料固化和剥离，而其它工序则是通用的。
[1]首先，准备如图2(a)所示的电子部件40以及具有平坦性、刚性和耐热性的支承基板50。
作为电子部件40并没有特别限制，可以举出：半导体芯片等有源元件，电容器、过滤器等无源元件等。
作为支承基板50，只要具有平坦性、刚性和耐热性即可，并没有特别限定，可以举出硅片、陶瓷板、不锈钢板、铜板等金属板等。其中，优选在后述密封材料层形成工序中或者在布线层形成工序中操作性优良和可利用现有设备的便利性优良的硅片。另外，当在剥离工序或密封材料固化兼剥离工序中先照射活性能量线时，作为支承基材50，只要具有平坦性、刚性和耐热性并且使活性能量线透过的材料即可，并没有特别限定，例如，可以举出：石英玻璃、钠玻璃等玻璃材料，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、环烯烃聚合物、聚酰胺、聚碳酸酯等树脂材料。
[2]接着，在支承基材50上形成用于固定电子部件40的固定树脂层60(图2(b)，固定树脂层形成工序)。
优选将该固定树脂层60形成为具有均匀的膜厚，以使在后述的布线层形成工序中能够形成精度良好的布线。作为形成固定树脂层60的方法，并没有特别限制，可以举出：采用旋涂法、印刷法、分散法(dispense)对液状的固定树脂组合物进行成型以形成固定树脂层60的方法；层压膜状的固定树脂组合物来形成固定树脂层60的方法等，但优选能够使固定树脂层60的膜厚均匀性优良的、旋涂液状的固定树脂组合物的方法以及层压膜状的固定树脂组合物的方法。
作为通过采用旋涂法、印刷法、分散法对液状的固定树脂组合物进行成型以形成固定树脂层60的方法，并没有特别限制，可以举出：采用公知的旋转涂布机、印刷机、分散机来将清漆状固定树脂组合物形成为固定树脂层60的方法，其中，所述清漆状固定树脂组合物，是通过将室温下为液状的固定树脂组合物或者室温下为固体的固定树脂组合物溶解于溶剂、稀释剂中来形成。
并且，作为层压膜状的固定树脂组合物的方法并没有特别限制，可以举出下述方法：通过将清漆状的固定树脂组合物涂布于聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等的基材膜上并进行干燥，制作膜状的固定树脂组合物，接着，采用公知的层压机等，形成固定树脂层60。
在此，说明在本发明电子装置的制造方法(1A)、(1B)、(1C)、(2A)、(2B)和(2C)中所用的固定树脂层60。此外，下面所示的固定树脂层是示例，可根据使固定树脂层所含的树脂发生低分子化的方法，进行适当的选择。
在本发明电子装置的制造方法(1A)中，固定树脂层60是热分解性固定树脂层(A)，含有通过在热分解温度以上的温度下进行加热而引起热分解的热分解性树脂。在此，优选固定树脂层(A)所含的热分解性树脂的重量减少5％的温度为400℃以下，特别优选为350℃以下。通过使固定树脂层(A)所含的热分解性树脂的重量减少5％的温度在上述范围，能够在热分解固定树脂层60时，减少热量对电子部件40和密封材料固化物层71的影响。即，通过使固定树脂层(A)所含的热分解性树脂的重量减少5％的温度成为上述范围并且调节加热时间，能够在不施行超过400℃的加热的情况下，使固定树脂层(A)发生热分解。因此，在对固定树脂层(A)进行热分解时，能够减少热量对电子部件40和密封材料固化物层71的影响。
此外，为了使固定树脂层(A)所含的热分解性树脂的重量减少5％的温度在上述范围，例如，作为树脂选择不具有脂环族和芳香族的骨架的直链或支链状的热分解性的树脂即可。
另外，优选在固定树脂层(A)的加热温度下进行加热时固定树脂层(A)所含热分解性树脂的重量减少量为1％以上，特别优选为5％以上。通过使在固定树脂层(A)的加热温度下加热时固定树脂层(A)所含热分解性树脂的重量减少量处于上述范围，能够减少在电子部件配置密封材料固化物上附着的固定树脂层(A)的残渣。即，通过将加热固定树脂层(A)的温度下的重量减少量调整为上述范围以上，能够通过调节加热时间来使固定树脂层(A)发生热分解。
在本发明中，热分解性树脂在加热固定树脂层的温度下的重量减少量，是通过TG/DTA(热重-差热分析法，气体环境：氮，温度：以10℃/分钟升温至固定树脂层的加热温度并在到达固定树脂层的加热温度后固定在该温度上)所测定的值。并且，通过精确称量约10mg树脂，并采用TG/DTA装置(日本精工株式会社制造)进行测定(气体环境：氮，温度：以10℃/分钟升温至固定树脂层的加热温度并在到达固定树脂层的加热温度后固定在该温度上)，能够施行TG/DTA测定。
并且，优选固定树脂层(A)所含的热分解性树脂的重量减少5％的温度为50℃以上，特别优选为100℃以上。通过使固定树脂层(A)所含的热分解性树脂的重量减少5％的温度处于上述范围，能够在形成密封材料层70进而使密封材料层70固化的工艺中抑制固定树脂层(A)发生不需要的热分解。
此外，为了使固定树脂层(A)所含的热分解性树脂的重量减少5％的温度为50℃以上，例如，调节树脂的分子量即可。
在本发明中，热分解性树脂的重量减少5％的温度是指：通过TG/DTA(热重-差热分析法)测定时失去5％重量的温度。并且，通过精确称量约10mg树脂，并采用TG/DTA装置(日本精工株式会社制造)进行测定(气体环境：氮，升温速度：5℃/分钟)，能够施行TG/DTA测定。
作为固定树脂层(A)所含的热分解性树脂，例如，可以举出：聚碳酸酯类树脂、聚酯类树脂、聚酰胺类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚醚类树脂、聚氨酯类树脂等。这些树脂中，优选能有效缩短固定树脂层(A)的热分解时间的聚碳酸酯类树脂。此外，固定树脂层(A)所含的热分解性树脂既可以是一种也可以是两种以上。
在此，聚碳酸酯类树脂是至少在主链上作为结构单元具有碳酸酯基(-O-(C＝O)-O-)的树脂，也可以具有其它结构单元。
另外，聚酯类树脂是至少在主链上作为结构单元含有酯基(-(C＝O)-O-)的树脂，也可以含有其它结构单元。
在此，聚酰胺类树脂是至少在主链上作为结构单元含有酰胺键(-NH-(C＝O)-)的树脂，也可以含有其它结构单元。
并且，聚酰亚胺类树脂是至少在主链上作为结构单元含有酰亚胺键(-(C＝O)-NR-(C＝O)-)的树脂，也可以含有其它结构单元。在此，R表示有机基。
另外，聚醚类树脂是至少在主链上作为结构单元含有醚基(-O-)的树脂，也可以含有其它结构单元。
另外，聚氨酯类树脂是至少在主链上作为结构单元含有氨基甲酸酯键(-O-(C＝O)-NH-)的树脂，也可以含有其它结构单元。
作为固定树脂层(A)所含的热分解性树脂的聚碳酸酯类树脂，并没有特别限制，例如，可以举出：聚碳酸丙烯酯树脂、聚碳酸乙烯酯树脂、1，2-聚碳酸丁烯酯树脂、1，3-聚碳酸丁烯酯树脂、1，4-聚碳酸丁烯酯树脂、顺式-2，3-聚碳酸丁烯酯树脂、反式-2，3-聚碳酸丁烯酯树脂、α，β-聚碳酸异丁烯酯树脂、α，γ-聚碳酸异丁烯酯树脂、顺式-1，2-聚碳酸环丁烯酯树脂、反式-1，2-聚碳酸环丁烯酯树脂、顺式-1，3-聚碳酸环丁烯酯树脂、反式-1，3-聚碳酸环丁烯酯树脂、聚碳酸己烯酯树脂、聚碳酸环丙烯酯树脂、聚碳酸环己烯酯树脂、1，3-聚碳酸环己酯树脂、聚(甲基环己烯碳酸酯)树脂、聚(乙烯环己烯碳酸酯)树脂、聚二氢萘碳酸酯树脂、聚六氢苯乙烯碳酸酯树脂、聚环己烷丙烯碳酸酯树脂、聚苯乙烯碳酸酯树脂、聚(3-苯基丙烯碳酸酯)树脂、聚(3-三甲基甲硅氧基丙烯碳酸酯)树脂、聚(3-甲基丙烯酰氧基丙烯碳酸酯)树脂、聚全氟丙烯碳酸酯树脂、聚降冰片烯碳酸酯树脂、聚降冰片基碳酸酯树脂，以及它们的组合。
作为固定树脂层(A)所含的热分解性树脂的碳酸酯类树脂，例如，还可以举出：聚碳酸丙烯酯-聚碳酸环己烯酯共聚物、1，3-聚碳酸环己酯-聚碳酸降冰片烯酯共聚物、聚[(氧羰基氧-1，1，4，4-四甲基丁烷)-alt-(氧羰基氧-5-降冰片烯-2-内型(endo)-3-内型-二甲烷)]树脂、聚[(氧羰基氧-1，4-二甲基丁烷)-alt-(氧羰基氧-5-降冰片烯-2-内型-3-内型-二甲烷)]树脂、聚[(氧羰基氧-1，1，4，4-四甲基丁烷)-alt-(氧羰基氧-对二甲苯)]树脂、和聚[(氧羰基氧-1，4-二甲基丁烷)-alt-(氧羰基氧-对二甲苯)]树脂等。
作为固定树脂层(A)所含的热分解性树脂的聚碳酸酯类树脂的重均分子量(Mw)，优选为1000～1000000，特别优选为5000～800000。通过设定作为固定树脂层(A)所含的热分解性树脂的聚碳酸酯类树脂的重均分子量为上述下限以上，能够获得提高对电子部件40和支承基板50的湿润性进而提高成膜性的效果；另外，通过设定为上述上限值以下，能够获得提高对各种溶剂的溶解性进而提高固定树脂层60的热分解性的效果。
作为固定树脂层(A)所含的热分解性树脂的聚碳酸酯类树脂的聚合方法，并没有特别限制，例如，可以举出：光气法(溶剂法)或酯交换法(熔融法)等公知的聚合方法。
优选固定树脂层(A)中的热分解性树脂的含量为固定树脂层(A)总量的30～100重量％，特别优选为50～100重量％，更优选为60～100重量％。通过使固定树脂层(A)中的热分解性树脂的含量处于上述范围，则具有能够减少对固定树脂层(A)进行热分解后的残渣的效果。
作为固定树脂层(A)中所含的热分解性树脂，从在对密封材料层70进行热固化的温度下难以发生热分解、并且在对密封材料层70进行热固化的温度以上的温度下的热分解性优良的观点出发，特别优选为聚碳酸丙烯酯、1，4-聚碳酸丁烯酯、1，3-聚碳酸环己酯树脂-聚碳酸降冰片烯酯共聚物。
在本发明的电子装置的制造方法(1B)中，固定树脂层60是在活性能量线的照射下热分解温度降低的固定树脂层(B)。作为固定树脂层(B)，可以举出含有：在酸或碱的存在下热分解温度降低的热分解性树脂；以及在活性能量线的照射下产生酸的光产酸剂或者产生碱的光产碱剂的固定树脂层。
当固定树脂层(B)含有在酸或碱的存在下热分解温度降低的热分解性树脂、以及在活性能量线的照射下产生酸的光产酸剂或者产生碱的光产碱剂时，若对固定树脂层(B)照射活性能量线，则在固定树脂层(B)内产生酸或碱，并且在所产生的酸或碱的存在下，对因酸或碱的存在引起热分解温度降低的热分解性树脂进行加热，由此切断树脂的分子链，以使树脂发生低分子化。因此，通过对固定树脂层(B)照射活性能量线，使固定树脂层(B)的热分解温度降低。
作为在酸或碱的存在下热分解温度降低的热分解性树脂，可以举出在固定树脂层(A)中所说明的作为热分解性树脂的聚碳酸酯类树脂、聚酯类树脂、聚酰胺类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚醚类树脂、聚氨酯类树脂等。
并且，当使用固定树脂层(B)作为固定树脂层60时，通过对固定树脂层(B)照射活性能量线，能够降低固定树脂层(B)的热分解温度，因此，基于能够防止电子装置的热损伤的观点出发，优选在支承基材50上形成固定树脂层(B)后，通过照射活性能量线使热分解温度降低。
以固定树脂层(B)作为在酸或碱的存在下热分解温度降低的热分解性树脂含有聚碳酸酯类树脂即聚碳酸丙烯酯树脂时为例，说明热分解温度降低的机理。如下式(1)所示，首先，来自前述光产酸剂的H+，使聚碳酸丙烯酯树脂的羰基氧发生质子化、进而使极性迁移状态转移，从而生成不稳定的互变异构性中间体[A]和[B]。接着，中间体[A]发生热切断，从而片段化成为丙酮和CO2，因此发生低分子化而降低热分解温度。另外，中间体[B]生成碳酸丙烯酯，而碳酸丙烯酯形成能够作为CO2和环氧丙烷片段化的热闭环结构，因此发生低分子化而降低热分解温度。
Figure BPA00001564770100171
对光产酸剂而言，只要是通过照射活性能量线能够产生酸的化合物即可，并没有特别限制，例如，可以举出亲核卤化物、金属络合卤化物阴离子等。更具体而言，作为光产酸剂可以举出：四(五氟苯基)硼酸酯-4-甲基苯基[4-(1-甲基乙基)苯基]碘鎓(DPI-TPFPB)、三(4-叔丁基苯基)锍四(五氟苯基)硼酸酯(TTBPS-TPFPB)、三(4-叔丁基苯基)锍六氟磷酸酯(TTBPS-HFP)、三苯基锍三氟甲烷磺酸盐(TPS-Tf)、双(4-叔丁基苯基)碘鎓三氟甲烷磺酸盐(DTBPI-Tf)、三嗪(TAZ-101)、三苯基锍六氟锑酸盐(TPS-103)、三苯基锍双(全氟甲磺酰基)酰亚胺(TPS-N1)、二-(对叔丁基)苯基碘鎓、双(全氟甲磺酰基)酰亚胺(DTBPI-N1)、三苯基锍、三(全氟甲磺酰基)甲基化物(TPS-C 1)、二-(对叔丁基苯基)碘鎓三(全氟甲磺酰基)甲基化物(DTBPI-C 1)它们既可以使用单独一种，也可以使用两种以上的组合。
作为光产碱剂并没有特别限制，例如，可以举出5-苄基-1，5-二氮杂双环(4.3.0)王烷、1-(2-硝基苯甲酰基氨甲酰基)咪唑等。它们既可以是单独使用一种也可以是两种以上的组合使用。其中，从能够有效降低树脂的热分解温度或者后述的熔融温度的观点出发，作为光产碱剂优选为5-苄基-1，5-二氮杂双环(4.3.0)壬烷及其衍生物。
对固定树脂层(B)中的光产酸剂或者光产碱剂的含量而言，优选相对于100重量份固定树脂层(B)中在酸或碱的存在下热分解温度降低的热分解性树脂为0.1～15重量份，特别优选为0.5～10重量份。通过使固定树脂层(B)中的光产酸剂或光产碱剂的含量处于上述范围，能够在活性能量线的照射下更有效地降低热分解温度，而且能够减少热分解后的残渣。
作为固定树脂层(B)在照射活性能量线后的热分解温度(即，在照射活性能量线后的固定树脂层(B)所含的酸或碱的存在下热分解温度降低的热分解性树脂的重量减少5％的温度)，优选为100～200℃，特别优选为120～190℃。
固定树脂层(B)在含有光产酸剂或光产碱剂的同时，还可以含有增敏剂，所述增敏剂具有表达或增大光产酸剂或光产碱剂对特定类型或波长的光的反应性的功能。
作为固定树脂层(B)中所含的增敏剂并没有特别限制，例如，可以举出蒽、菲、苯并菲、苯并芘、萤蒽、红荧烯、芘、呫吨酮、阴丹士林、硫杂蒽-9-酮、2-异丙基-9H-硫杂蒽-9-酮、4-异丙基-9H-硫杂蒽-9-酮、1-氯-4-丙氧基噻吨酮以及它们的混合物等。对固定树脂层(B)中的增敏剂的含量而言，优选相对于100重量份的光产酸剂或光产碱剂为100重量份以下，特别优选为50重量份以下。
在本发明的电子装置的制造方法(1C)中，固定树脂层60是在活性能量线的照射下熔融温度降低的固定树脂层(C)。作为固定树脂层(C)，例如，可以举出含有：在酸或碱的存在下熔融温度降低的热熔性树脂；以及在活性能量线的照射下产生酸的光产酸剂或者产生碱的光产碱剂的固定树脂层。
当固定树脂层(C)含有在酸或碱的存在下熔融温度降低的热熔性树脂、以及在活性能量线的照射下产生酸的光产酸剂或者产生碱的光产碱剂时，若对固定树脂层(C)照射活性能量线，则在固定树脂层(C)内产生酸或碱；并且，在所产生的酸或碱的存在下，加热在酸或碱的存在下熔融温度降低的热熔性树脂，由此切断树脂的分子链而使树脂发生低分子化，从而固定树脂层(C)中的热熔性树脂的熔融温度降低。由此，通过对固定树脂层(C)照射活性能量线，使固定树脂层(C)的熔融温度降低。
作为固定树脂层(C)所含的在酸或碱的存在下熔融温度降低的热熔性树脂，只要是在酸或碱的存在下熔融温度降低的热熔性树脂即可，并没有特别限制，例如，可以举出，聚碳酸酯类树脂、聚酯类树脂、聚酰胺类树脂、聚醚类树脂、聚氨酯类树脂、乙烯类树脂、(甲基)丙烯酸酯类树脂等，它们可以是单独使用一种或者组合两种以上使用。其中，基于在酸或碱的存在下熔融温度的降低显著的观点，作为热熔性树脂，优选为聚碳酸酯类树脂、乙烯类树脂和(甲基)丙烯酸类树脂，特别优选为聚碳酸酯类树脂。
作为固定树脂层(C)所含的在酸或碱的存在下熔融温度降低的热熔性树脂的乙烯类树脂，并没有特别限制，例如，可以举出聚苯乙烯、聚-α-甲基苯乙烯等苯乙烯衍生物的聚合物，聚(乙基乙烯醚)、聚(丁基乙烯醚)、聚乙烯醇缩甲醛等的聚乙烯醚类或其衍生物等，它们既可以是单独一种也可以是两种以上的组合。其中，从操作性优良的观点出发，作为乙烯类树脂优选为聚-α-甲基苯乙烯。
作为固定树脂层(C)所含的在酸或碱的存在下熔融温度降低的热熔性树脂的(甲基)丙烯酸类树脂，并没有特别限制，例如，可以举出选自(甲基)丙烯酸甲酯，(甲基)丙烯酸乙酯，(甲基)丙烯酸正丙酯，(甲基)丙烯酸正丁酯，(甲基)丙烯酸，(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯等各种(甲基)丙烯酸类单体中的共聚物等。其中，基于操作性优良的观点，作为(甲基)丙烯酸树脂，优选为聚甲基丙烯酸甲酯或聚甲基丙烯酸乙酯。
作为固定树脂层(C)所含的在酸或碱的存在下熔融温度降低的热熔性树脂的聚碳酸酯类树脂，并没有特别限制，但可以举出：由具有聚碳酸丙烯酯、聚碳酸乙烯酯、聚碳酸丁烯酯等的直链状化学结构的碳酸酯树脂结构单元构成的聚碳酸酯类树脂、在碳酸酯结构单元中具有环状化学结构的树脂。其中，基于操作性优良的观点，优选由具有环状化学结构的碳酸酯结构单元构成的聚碳酸酯类树脂。下面，详细说明在碳酸酯结构单元中具有该环状化学结构的聚碳酸酯类树脂。
对由具有环状化学结构的碳酸酯结构单元构成的聚碳酸酯类树脂而言，只要是在碳酸酯结构单元中具有环状化学结构(下面，有时称作“环状体”)既可，可以是任意构成，但优选为由具有至少两个环状体的碳酸酯结构单元构成的聚碳酸酯树脂。在由具有环状化学结构的碳酸酯结构单元构成的聚碳酸酯类树脂中，通过适当选择环状体的数目或种类，可在通过活性能量线照射而由光产酸剂或光产碱剂产生的酸或碱的作用下，容易使活性能量线照射后的树脂在180℃下的熔融粘度设定在后述范围内。
并且，在由具有环状化学结构的碳酸酯结构单元构成的聚碳酸酯类树脂中，优选一单元的碳酸酯结构单元中环状体的数目为2～5，特别优选为2或3，更优选为2。基于碳酸酯结构单元具有上述数目的环状体，在照射活性能量线前，固定树脂层(C)在将电子部件30接合于支承基板50上时的粘合性优良。
并且，在由具有环状化学结构的碳酸酯结构单元构成的聚碳酸酯类树脂中，当一单元的碳酸酯结构单元中的环状体数目为2以上时，多个环状体可以为各顶点相互连结的连结多环类结构，但优选为各自具有的一边相互连结的缩合多环类结构。由此，提高了碳酸酯结构单元的平面性，从而能够增大照射活性能量线前后的熔融温度差。
并且，在由具有环状化学结构的碳酸酯结构单元构成的聚碳酸酯类树脂中，优选环状体为五元环或六元环。由此，能够进一步确保碳酸酯结构单元的平面性，不仅可以增大熔融温度在照射活性能量线前后的差，而且能够进一步稳定对后述溶剂的溶解性。
在由具有环状化学结构的碳酸酯结构单元构成的聚碳酸酯类树脂中，优选环状体为脂环式结构。当各环状体为脂环式结构时，能够更显著地发挥如上所述的效果。
当考虑如上所述的因素时，在由具有环状化学结构的碳酸酯结构单元构成的聚碳酸酯类树脂中，作为碳酸酯结构单元，例如，由下述化学式(2)所示的碳酸酯结构单元为特别优选的结构。
Figure BPA00001564770100211
此外，对具有上述化学式(2)所示的碳酸酯结构单元的聚碳酸酯而言，可通过十氢萘二醇与碳酸二苯酯等碳酸双酯之间的缩聚反应来获得。
另外，在上述化学式(2)所示的碳酸酯结构单元中，优选：来自十氢萘二醇所具有的两个羟基上的两个氧原子，分别直接与构成十氢萘(即，形成缩合多环类结构的两个环状体)的碳原子键合，并且，有3个以上的原子介于这两个氧原子所键合的碳原子之间。由此保持了聚碳酸酯类树脂的直线性，其结果是，能够更可靠地增大熔融温度在照射活性能量线前后的差值，并且能够进一步稳定对后述溶剂的溶解性。
作为上述碳酸酯结构单元，例如，可以举出下列化学式(2A)、(2B)所示的结构单元。
Figure BPA00001564770100212
并且，在由具有环状化学结构的碳酸酯结构单元构成的聚碳酸酯类树脂中，对具有碳酸酯结构单元的多个环状体而言，除了上述脂环式结构之外，还可以是杂脂环式结构。即使是各环状体为杂脂环式结构的情况下，也能够更加显著地发挥如上所述的效果。
此时，在由具有环状化学结构的碳酸酯结构单元构成的聚碳酸酯类树脂中，作为碳酸酯结构单元，例如，由下述化学式(3X)所示的碳酸酯结构单元为特别优选的结构。
此外，对具有上述化学式(3X)所示的碳酸酯结构单元的聚碳酸酯类树脂而言，可通过下列化学式(3a)所示的环醚二醇与碳酸二苯酯等碳酸双酯之间的缩聚反应来获得。
Figure BPA00001564770100222
另外，在由上述化学式(3X)所示的碳酸酯结构单元中，优选：来自上述化学式(3a)所示的环醚二醇所具有的羟基上的两个氧原子，分别与构成上述环醚(即，形成缩合多环类结构的两个环状体)的碳原子键合，并且，有3个以上的原子介于这两个氧原子所键合的碳原子之间。由此能够抑制聚碳酸酯的分解性，其结果是，能够更确实地加大而设定熔融温度在照射活性能量线前后的差值，并且能够进一步稳定对后述溶剂的溶解性。
作为上述碳酸酯结构单元，例如，可以举出由下列化学式(3A)所示的1，4:3，6-二缩水-D-山梨醇(异山梨醇)型结构单元，或者由下列化学式(3B)所示的1，4:3，6-二缩水-D-甘露醇(异甘露醇)型结构单元。
Figure BPA00001564770100223
对固定树脂层(C)所含的在酸或碱的存在下熔融温度降低的热熔性树脂的重均分子量(Mw)而言，优选为1000～1000000，特别优选为5000～800000。通过使固定树脂层(C)所含的聚碳酸酯类树脂的重均分子量成为上述下限以上，能够获得提高用于形成固定树脂层(C)的树脂组合物对支承基板50的湿润性的效果，并且获得提高固定树脂层(C)的成膜性的效果。
对固定树脂层(C)中的、在酸或碱的存在下熔融温度降低的热熔性树脂的含量而言，优选为固定树脂层(C)总量的10～100重量％，特别优选为30～100重量％。通过使固定树脂层(C)中的在酸或碱的存在下熔融温度降低的热熔性树脂的含量为上述下限值以上，能够可靠地减少后述剥离工序后的固定树脂层对电子部件配置密封材料固化物80的粘着性。
并且，固定树脂层(B)所含的在酸或碱的存在下热分解温度降低的热分解性树脂(在固定树脂层(A)中说明的聚碳酸酯类树脂、聚酯类树脂、聚酰胺类树脂、聚醚类树脂、聚氨酯类树脂等)，也在酸或碱的存在下树脂的分子链被切断而发生低分子化，因此，能够作为固定树脂层(C)所含的在酸或碱的存在下熔融温度降低的热熔性树脂来使用。
固定树脂层(C)中所含的光产酸剂和光产碱剂，与固定树脂层(B)中所含的光产酸剂和光产碱剂相同。
对固定树脂层(C)中的光产酸剂和光产碱剂的含量而言，优选为固定树脂层(C)总量的0.01～50重量％左右，特别优选为0.1～30重量％左右。通过使固定树脂层(C)中的光产酸剂和光产碱剂的含量成为上述范围，能够使树脂的熔融温度稳定地下降至目标范围内。
作为固定树脂层(C)在照射活性能量线后的熔融温度(即，照射活性能量线后的固定树脂层(C)所含的在酸或碱的存在下熔融温度降低的热熔性树脂的熔融温度)，优选为100～200℃，特别优选为120～190℃下。
并且，作为固定树脂层(C)，优选照射活性能量线后的固定树脂层(C)在180℃下的熔融粘度为0.01～100Pa·s。
另外，固定树脂层60，例如固定树脂层(A)、固定树脂层(B)、固定树脂层(C)等，可以含有抗氧化剂。抗氧化剂具有防止产生不希望的酸或者防止固定树脂层60的自然氧化的功能。
作为抗氧化剂并没有特别限制，例如，优选使用可从美国纽约州塔里敦(Tarrytown)的Ciba Fine Chemicals公司获得的Ciba IRGANOX(注册商标)1076或者Ciba IRGAFOS(注册商标)168。
并且，作为其它抗氧化剂，例如，可以使用：Ciba Irganox(注册商标)129，Ciba Irganox 1330，Ciba Irganox 1010，Ciba Cyanox(注册商标)1790，Ciba Irganox 3114，Ciba Irganox 3125等。
对固定树脂层60中的抗氧化剂的含量而言，优选相对于固定树脂层60所含的树脂100重量份，为0.1～10重量份，特别优选为0.5～5重量份。
另外，固定树脂层60，例如固定树脂层(A)、固定树脂层(B)、固定树脂层(C)等，根据需要可以含有：丙烯酸类、硅酮类、氟类、乙烯类等流平剂，硅烷偶联剂等添加剂等。
作为固定树脂层60所含的硅烷偶联剂，并没有特别限制，例如，可以举出：3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、对苯乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、双(三乙氧基丙基)四硫化物、3-异氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷等，对它们既可以单独使用一种也可以使用两种以上的组合。通过固定树脂层60含有硅烷偶联剂，具有提高固定树脂层60对电子部件40、支承基材50的粘着性的效果。
[3]接着，在固定树脂层60上配置电子部件40，通过固定树脂层60，将电子部件40固定于支承基材50上(图2(c)，电子部件固定工序)。
当配置电子部件40时，使具有电子部件40的端子(未图示)的面朝下(曾经与固定树脂层60相接触的面)而配置多个电子部件40。此时，以使相邻电子部件40之间形成有间隙42的方式配置多个电子部件40。换言之，以空出间隙42的间隔而排列多个电子部件40的方式进行配置。此外，在图2中，在以左右方向上形成有固定间隙的方式配置了多个电子部件40，但电子部件40在前后方向(图2的纸面的表里方向)上也配置有多个，因此，在前后方向上，也以在相邻电子部件40之间形成有间隙的方式来配置多个电子部件40。另外，在配置电子部件40时，必须精密地配置电子部件40，以在后述的布线层形成工序中能够形成精度良好的布线层。
作为配置电子部件40的方法，并没有特别限制，可通过使用倒装芯片接合机精密地配置电子部件40。
对将电子部件40固定在固定树脂层60的方法而言，并没有特别限制，当固定树脂层60是液状时，能够通过加压(包括只凭借电子部件40的自重加压的情况)来使电子部件40固定于固定树脂层60上。另外，当固定树脂层60是固体时，可根据需要进行适当加热和加压来使电子部件40固定于固定树脂层60上。作为在固定树脂层60上固定电子部件40时的加热温度，并没有特别限制，但优选为50～200℃，特别优选为80～180℃。作为在固定树脂层60上固定电子部件40时的压力，优选为0.05～1MPa，特别优选为0.1～0.8MPa。并且，在固定树脂层60上固定电子部件40时的加热和加压时间，优选为0.1～30秒，特别优选为1～15秒。通过使在固定树脂层60上固定电子部件40时的加热和加压条件调节为上述范围，能够实现可靠地固定电子部件40并且防止电子部件40的破损、变形的两方面效果。
[4]接着，以覆盖电子部件40之间的间隙42和电子部件40的方式，通过密封材料在电子部件40和固定树脂层60上形成密封材料层70，(图2(d)，密封材料层形成工序)。
在此，覆盖电子部件40的方式是指：包括完全覆盖电子部件40的情况和覆盖电子部件40的一部分的情况的两种情况，但在完全覆盖电子部件40时的电子装置30的可靠性良好，因此优选。
对通过密封材料来形成密封材料层70的方法，并没有特别限制，可以举出传递成型法、挤压成型法、注射成型法等，但优选为难以产生所固定电子部件40的位置偏差的挤压成型法。另外，对成型密封材料时的成型温度而言，并没有特别限制，但优选为50～200℃，特别优选为80～180℃。另外，对成型密封材料时的成型压力而言，并没有特别限制，但优选为0.5～12MPa，特别优选为1～10MPa。并且，优选成型密封材料时的成型时间为30秒～15分钟，特别优选为1～10分钟。通过使成型密封材料时的成型温度、压力、时间设定在上述范围内，不仅能够防止产生密封材料未填充部分，而且能够防止电子部件40发生位置偏移。
作为密封材料并没有特别限制，能够使用液状的密封材料、固状密封材料。作为密封材料，例如，优选为以环氧树脂、固化剂和无机填充材料作为主要材料所构成的密封材料。由该构成材料构成的密封材料，不仅能够以优良的粘着性密封电子部件40，而且能够比较容易地调节热膨胀系数。
下面详细说明液状的密封材料，但液状的密封材料并不局限于这些说明。
作为本发明的液状密封材料，并没有特别限制，优选为以环氧树脂、酸酐、无机填充材料和固化促进剂作为必需成份的液状密封材料。并且，优选固化促进剂为膦盐(phosphonium salt)型固化促进剂。
对构成液状密封材料的环氧树脂而言，并没有特别限制，只要该环氧树脂在一分子中具有两个以上环氧基而且在常温下是液状，就没有在分子量或结构上的特别限制。
作为构成液状密封材料的环氧树脂，例如，可以举出：苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂，双酚F型环氧树脂，N，N-二缩水甘油基苯胺、N，N-二缩水甘油基甲苯胺、二氨基二苯基甲烷型缩水甘油胺、氨基苯酚型缩水甘油胺等芳香族缩水甘油胺型环氧树脂，氢醌型环氧树脂、联苯型环氧树脂、芪型环氧树脂、三酚基甲烷型环氧树脂、三酚基丙烷型环氧树脂、烷基改性三酚基甲烷型环氧树脂、含三嗪核的环氧树脂、双环戊二烯改性苯酚型环氧树脂、萘酚型环氧树脂、萘型环氧树脂、具有亚苯基和/或亚联苯基骨架的苯酚-芳烷基型环氧树脂、具有亚苯基和/或亚联苯基骨架的萘酚-芳烷基型环氧树脂等芳烷基型环氧树脂等环氧树脂，二氧化乙烯基环己烯、氧化双环戊二烯、脂环式二环氧基己二酸酯(alicyclicdiepoxy-adipate、アリサイクリツクジエポキシ一アジペイド)等的脂环式环氧树脂等脂肪族环氧树脂。
从耐热性、机械特性、耐湿性的观点出发，作为构成液状密封材料的环氧树脂，优选具有在芳香族环上结合了缩水甘油醚结构或缩水甘油胺结构的结构。另外，当作为构成液状密封材料的环氧树脂使用脂肪族或脂环式环氧树脂时，从可靠性、特别是粘接性的观点出发，优选对脂肪族或脂环式环氧树脂的含量进行限定。它们既可以是单独一种也可以是两种以上的组合。对构成密封材料的环氧树脂而言，优选在常温(25℃)下为液状，但即使是常温下为固体的环氧树脂，通过溶解于常温下为液状的环氧树脂，从而使密封材料成为液状的状态即可。
作为构成液状密封材料的酸酐，可以举出：邻苯二甲酸酐，马来酸酐，偏苯三甲酸酐，均苯四甲酸酐，六氢苯酐，3-甲基-六氢苯酐，4-甲基-六氢苯酐，3-甲基-六氢苯酐与4-甲基-六氢苯酐的混合物，四氢苯酐，降冰片烯二酸酐或者甲基降冰片烯二酸酐等。上述这些酸酐，从低温下的固化快以及密封材料固化物的玻璃化转变温度变高的角度出发而优选；从常温下为液状并且粘度也低的角度出发，作为构成液状密封材料的酸酐，特别优选为四氢苯酐。它们既可以是单独一种也可以是两种以上的组合。
另外，对密封材料中酸酐的配合量而言，优选为液状密封材料总量的2～10重量％，特别优选为5～7重量％。若密封材料中的酸酐的配合量低于上述下限值，则固化性劣化、生产效率降低。若密封材料中酸酐的配合量超过上述上限值，则耐湿可靠性降低。
液状密封材料也可以含有除酸酐以外的固化剂，作为与酸酐并用的除酸酐以外的固化剂，可以举出所有的在一分子内具有与环氧基发生反应的官能团的单体、低聚物、聚合物。作为除酸酐以外的固化剂，例如，可以举出苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、双环戊二烯改性酚醛树脂、萜烯改性酚醛树脂、三酚基甲烷型树脂、苯酚芳烷基树脂(具有亚苯基骨架、二亚苯基骨架等)等酚类固化剂。
作为构成液状密封材料的无机填充材料，可以举出通常在密封材料中所用的无机填充材料。作为无机填充剂，例如，可以举出熔融二氧化硅、结晶二氧化硅、滑石、氧化铝、氮化硅等，它们既可以是单独一种也可以是两种以上的组合。其中，从能够提高密封材料固化物的耐热性、耐湿性、强度等角度出发，作为无机填充材料，优选为熔融二氧化硅、结晶二氧化硅、合成二氧化硅粉末。
对无机填充材料的形状而言，并没有特别限制，但从粘度特性、流动特性的观点出发，优选形状为球状。
在无机填充材料为熔融二氧化硅时，从成型性和耐焊锡裂纹性的平衡出发，优选密封材料中的熔融二氧化硅的含量为液状密封材料总量的30～90重量％，特别优选为40～85重量％。若密封材料中的熔融二氧化硅的含量低于上述下限值，则耐焊锡裂纹性伴随着吸水率的上升而降低；若超过上述上限值，则有可能在液状密封材料的分散性能上有问题。并且，当无机填充剂为除熔融二氧化硅以外的无机填充材料时，优选密封材料中的无机填充材料的含量为液状密封材料总量的30～90体积％，特别优选为40～85体积％。
对构成液状密封材料的固化促进剂并没有特别限制，但优选为膦盐型固化促进剂。作为膦盐型固化促进剂，例如，可以举出具有通式(4)或(5)所示的结构的膦盐型固化促进剂，但并不局限于这些。
Figure BPA00001564770100281
其中，R7、R8、R9、R10是具有芳香族或杂环的一价有机基或者一价脂肪族基，其中的至少一个，是至少具有一个可向分子外释放的质子的质子给体释放出一个质子而形成的基，它们既可以相同也可以相异。另外，Ar表示取代或未取代的芳香族基，并且同一分子内的两个氧原子位于相邻的芳香碳上。n表示2～12的整数。
通过使用具有通式(4)或(5)所示结构的膦盐型固化促进剂，能够提高液状密封材料固化物与所密封的电子部件之间的粘合性，并能够提高与固定树脂层60之间的粘合性。
作为具有前述通式(4)所示结构的固化促进剂，例如，可以举出下式(6)、式(7)和式(8)所示的膦盐型固化促进剂。
Figure BPA00001564770100291
并且，作为具有通式(5)所示结构的固化促进剂，可以举出下式(9)、式(10)和式(11)所示的膦盐型固化促进剂。
Figure BPA00001564770100292
Figure BPA00001564770100301
基于固化性与粘合性的平衡优良的观点，在这些膦盐型固化促进剂中，优选为式(7)或式(11)所示的膦盐型固化促进剂。
液状密封材料中的固化促进剂的配合量，优选为液状密封材料总量的0.1～1.0重量％，特别优选为0.3～0.8重量％。其原因在于：若液状密封材料中的固化促进剂的配合量低于上述下限值，则固化慢且生产效率降低；若超过上述上限值，则保存性劣化。
并且，对液状密封材料中的酸酐与固化促进剂的配合比[(酸酐配合量)/(固化促进剂配合量)]而言，优选为3～35，特别优选为5～30，更优选为10～20。其原因在于：若液状密封材料中的酸酐与固化促进剂的配合比低于上述下限值，则保存性劣化；若超过上述上限值，则固化慢且生产效率劣化。
除了上述以外，作为液状密封材料中所含的成分，可以举出：作为消泡剂的硅酮化合物，或蜡等脱模剂，硅酮橡胶等低应力剂。
对本发明液状密封材料的制造方法而言，并没有特别限制，可以举出通过采用行星式混合机、三辊式磨机、双热辊式磨机、擂溃机等装置，对环氧树脂、酸酐、无机填充材料、固化促进剂、添加剂等进行分散混炼后，在真空下进行脱泡处理的制造方法。
下面，详细说明固状密封材料，但固状密封材料并不局限于这些说明。
作为构成固状密封材料的环氧树脂，例如，可以举出：联苯型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、芪型环氧树脂、氢醌型环氧树脂等的结晶性环氧树脂；甲酚酚醛清漆型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、萘酚酚醛清漆型环氧树脂等的酚醛清漆型环氧树脂；含有亚苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂、含有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂、含有亚苯基骨架的萘酚芳烷基型环氧树脂等的苯酚芳烷基型环氧树脂；三酚基甲烷型环氧树脂、烷基改性三酚基甲烷型环氧树脂等的三官能型环氧树脂；双环戊二烯改性苯酚型环氧树脂、萜烯改性苯酚型环氧树脂等的改性苯酚型环氧树脂；含有三嗪核的环氧树脂等的含有杂环的环氧树脂等。它们既可以是单独一种也可以是两种以上的组合。
其中，作为构成固状密封材料的环氧树脂，优选为下述通式(12)所示的环氧树脂。由于下述通式(12)所示的环氧树脂是二官能环氧树脂，因此，含有该环氧树脂的密封材料的固化物被抑制为具有低交联密度，且热膨胀系数低，适于在回流焊工序时(即，在加热电子装置30时)的应力松弛，因此，在上述工序时的翘曲量(翘曲大小)变小。并且，由于下述通式(12)所示的环氧树脂具有结晶性且为分子量低的树脂，所以熔融粘度低，因此，含有该环氧树脂的密封材料的流动性优良。
在式(12)中，X是选自单键、-O-、-S-、-R12CR12-中的基。R11是碳原子数为1～6的烷基，并且彼此之间即可以相同也可以相异。另外，a是0～4的整数。R12是氢原子或碳原子数为1～4的烷基，并且彼此之间即可以相同也可以相异。
在前述通式(12)所示的环氧树脂中，基于操作性和实用性的平衡优良并能较低地设定密封材料固化物层71的热膨胀系数的观点，优选4，4′-二环氧丙氧基联苯、3，3′，5，5′-四甲基-4，4′-二环氧丙氧基联苯或者它们的熔融混合物。
对本发明的固状密封材料而言，例如，优选为以环氧树脂、固化剂以及无机填充材料作为必需成份的固体状密封材料。
作为构成固状密封材料的固化剂，例如，可以举出：乙二胺、三亚甲基二胺、四亚甲基二胺、六亚甲基二胺等的碳原子数为2～20的直链脂肪族二胺，甲基苯二胺、对苯二胺、对二甲苯二胺、4，4′-二氨基二苯基甲烷、4，4′-二氨基二苯基丙烷、4，4′-二氨基二苯醚、4，4′-二氨基二苯砜、4，4′-二氨基二环己烷、双(4-氨基苯基)苯甲烷、1，5-二氨基萘、间二甲苯二胺、对二甲苯二胺、1，1-双(4-氨基苯基)环己烷、双氰胺等的胺类，苯胺改性甲阶酚醛树脂或二甲醚甲阶酚醛树脂等的甲阶型(可熔性)酚醛树脂，苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等的酚醛清漆型酚醛树脂，含有亚苯基骨架的苯酚芳烷基树脂、含有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基树脂等的苯酚芳烷基树脂，具有萘骨架、蒽骨架等的缩合多环结构的酚醛树脂，聚对羟基苯乙烯等的聚氧苯乙烯，六氢苯酐(HHPA)、甲基四氢苯酐(MTHPA)等的脂环族酸酐，偏苯三甲酸酐(TMA)、均苯四甲酸酐(PMDA)、二苯甲酮四羧酸(BTDA)等的含有芳香族酸酐等的酸酐等，聚硫化物、硫酯、硫醚等的聚硫醇化合物，异氰酸酯预聚物、嵌段化异氰酸酯等的异氰酸酯化合物，含有羧酸的聚酯树脂等的有机酸类。它们既可以是单独一种也可以是两种以上的组合。
其中，作为构成固状密封材料的固化剂，优选为一分子内至少含有两个酚羟基的化合物，作为这种固化剂，例如，可以举出：苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、王基苯酚酚醛清漆树脂等的酚醛清漆型酚醛树脂，甲阶型酚醛树脂，聚对羟基苯乙烯等的聚氧苯乙烯，含有亚苯基骨架的苯酚芳烷基树脂、含有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基树脂等。基于构成固状密封材料的固化剂为上述化合物，能够较低地设定密封材料固化物层71的热膨胀系数，并且在耐湿性、可靠性等方面也良好。
并且，作为一分子内至少具有两个酚羟基的固化剂，特别优选为下述通式(13)所示的酚醛树脂。对下述通式(13)所示的酚醛树脂而言，其基本骨架兼具有酚醛清漆型酚醛树脂与三酚基甲烷型酚醛树脂的结构，通过具有酚醛清漆型酚醛树脂作为基本骨架，从而在结构方面，树脂骨架的交联点之间的距离短，具有发挥良好的固化性、成型性的效果；另外，通过具有三酚基甲烷型酚醛树脂作为基本骨架，从而在一分子中具有三个以上羟基，交联密度变高，因此具有固化物的Tg高、线膨胀系数小、强度高的效果。为此，含有下述通式(13)所示的酚醛树脂的固状密封材料，具有良好的固化性且具有优异的成型性，并且在成型和固化后以及热处理后的热膨胀和热收缩较小，因此能够减小电子装置30中的翘曲量。
Figure BPA00001564770100331
在式(13)中，R13、R14、R15是选自碳原子数为1～4的烷基中的基，并且彼此之间即可以相同也可以相异。b为0～3的整数，c为0～4的整数，d为0～3的整数。m、n表示摩尔比，0＜m＜1、0＜n＜1，且m+n＝1。
另外，优选上述通式(13)中m与n的摩尔比(m/n)为1/5～5/1，更优选为1/2～2/1。由此，能够协同发挥通过包含酚醛清漆型酚醛树脂和酚醛清漆型酚醛树脂这两者而获得的效果。
此外，作为前述通式(13)所示的酚醛树脂的具体例子，例如，可以举出下式(14)所示的酚醛树脂。
其中，在式(14)中，m、n表示摩尔比，0＜m＜1、0＜n＜1且m+n＝1。
另外，作为构成固状密封材料的无机填充材料，例如，可以举出：熔融破碎二氧化硅、熔融球状二氧化硅、结晶二氧化硅、二次凝集二氧化硅等的二氧化硅，氧化铝，钛白，氢氧化铝，滑石，粘土，云母，玻璃纤维等。它们既可以是单独一种也可以是两种以上的组合。其中，基于能够较低地设定密封材料固化物层71的热膨胀系数的观点，作为无机填充材料，优选为熔融球状二氧化硅。
此外，无机填充材料的粒子形状，优选为无限圆的正球形。并且，通过并用粒子大小不同的无机填充材料，能够增大填充量。若考虑到对电子部件40的间隙的填充性，则优选无机填充材料的粒径为0.01～150μm。
并且，固状密封材料除了含有环氧树脂、固化剂和无机填充材料之外，还可以含有硅烷偶联剂、在构成芳环的两个以上的邻接的碳原子上分别结合有羟基的化合物、固化促进剂。
作为固状密封材料的硅烷偶联剂，并没有特别限制，例如，可以举出：环氧硅烷、氨基硅烷、酰脲硅烷、巯基硅烷等。它们既可以是单独一种也可以是两种以上的组合。通过在固体状密封材料中包含上述硅烷偶联剂，在环氧树脂与无机填充剂之间发生反应，因此，能够提高环氧树脂与无机填充剂的界面强度。
作为环氧硅烷，例如，可以举出γ-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷和β-(3，4环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷等。作为氨基硅烷，例如，可以举出：γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基三甲氧基硅烷、N-β(氨乙基)γ-氨丙基三甲氧基硅烷、N-β(氨乙基)γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N-苯基γ-氨丙基三乙氧基硅烷、N-苯基γ-氨丙基三甲氧基硅烷、N-β(氨乙基)γ-氨丙基三乙氧基硅烷、N-6-(氨己基)3-氨丙基三甲氧基硅烷和N-(3-(三甲氧基甲硅烷基丙基)-1，3-苯二甲硫醇(N-(3-(trimethoxysilylpropyl))-1，3-benzenedimethane)等。另外，作为酰脲硅烷，例如，可以举出γ-酰脲丙基三乙氧基硅烷、六甲基二硅氮烷等；作为巯基硅烷，例如，可以举出γ-巯基丙基三甲氧基硅烷。
此外，基于网状密封材料中的硅烷偶联剂与、在构成后述芳环的两个以上相邻碳原子上分别结合有羟基的化合物(下面也将这种化合物称作“羟基结合化合物”)的相乘效果，能够达成降低树脂组合物的粘度、提高流动性的效果，因此，当密封材料中包含羟基结合化合物时，为了充分发挥通过添加羟基结合化合物所获得的效果，优选设成也包含硅烷偶联剂的构成。由此，即使大量配合粘度比较高的树脂的情况下或者大量配合无机填充剂的情况下，作为固体状密封材料也能够发挥充分的流动性。
并且，作为在构成芳环的两个以上相邻碳原子上分别结合有羟基的化合物(羟基结合化合物)，并没有特别限制，例如，可以举出下列通式(15)所示的化合物、下列通式(16)所示的化合物等。此外，在羟基结合化合物中，也可以含有除羟基以外的取代基。
Figure BPA00001564770100351
在式(15)中，R16、R20中的任一者为羟基，并且，当一者为羟基时，另一者为选自氢原子、羟基或者羟基以外的取代基中的基团。R17、R18、R19为选自氢原子、羟基或者除羟基以外的取代基中的基团，彼此之间即可以相同也可以相异。
Figure BPA00001564770100352
在式(16)中，R21、R27中的任一者为羟基，并且，当其中一者为羟基时，另一者为选自氢原子、羟基或者羟基以外的取代基中的基团。R22、R23、R24、R25、R26为选自氢原子、羟基或者除羟基以外的取代基中的基团，彼此之间即可以相同也可以相异。
此外，作为通式(15)所示的化合物的具体例子，例如，可以举出：下式(17)所示的邻苯二酚、邻苯三酚、没食子酸、没食子酸酯、以及它们的衍生物。并且，作为通式(16)所示化合物的具体例子，例如，可以举出：1，2-二羟基萘、下式(18)所示的2，3-二羟基萘、以及它们的衍生物。这些化合物既可以是单独一种也可以是两种以上的组合。其中，从控制流动性和固化性的容易度、低挥发性的观点出发，优选主骨架为萘环的化合物(即，1，2-二羟基萘、2，3-二羟基萘及其衍生物)。
另外，作为固状密封材料中所含的固化促进剂，并没有特别限制，例如，可以举出：1，8-二氮杂双环(5，4，0)十一烯-7等的二氮杂双环烯烃及其衍生物，三丁胺、苄基二甲胺等的胺类化合物，2-甲基咪唑等的咪唑化合物，三苯基膦、甲基二苯基膦等的有机膦类，四苯基膦-四苯基硼酸酯、四苯基膦-四苯甲酸硼酸酯、四苯基膦-四萘甲酸硼酸酯、四苯基膦-四萘甲酰氧基硼酸酯、四苯基膦-四萘氧基硼酸酯等的四取代膦-四取代硼酸酯，加成了苯醌的三苯基膦等。它们既可以是单独一种也可以是两种以上的组合。
并且，除含有上述构成材料以外，固状密封材料还可以根据需要含有炭黑等着色剂；巴西棕榈蜡等天然蜡、合成蜡、高级脂肪酸或其金属盐类、石蜡、氧化聚乙烯等脱模剂；硅油、硅酮橡胶等低应力剂；水滑石等离子捕捉剂；氢氧化铝等阻燃剂；抗氧化剂等各种添加剂。
并且，采用传递成型、压缩成型、注射成型等成型方法，使密封材料成型。对成型方法没有特别限制，但从防止电子部件的位置偏移和剥离的观点出发，优选为压缩成型。
对施行密封材料层形成工序后的工序而言，在本发明电子部件的制造方法(1)与本发明电子部件的制造方法(2)中不相同。
<在本发明电子部件的制造方法(1)的情况下>
[5]接着，在本发明电子部件的制造方法(1)中，例如在本发明的电子部件的制造方法(1A)、(1B)、(1C)中，通过加热密封材料层70以使其固化，获得配置有电子部件40的电子部件配置密封材料固化物80(图3(e1)、图4(e2)，密封材料固化工序)。此外，在本发明电子部件的制造方法(1B)和(1C)的密封材料固化工序和剥离工序中，加热密封材料、接着照射活性能量线、接着加热固定树脂层的操作程序是相同的，因此，将本发明电子部件的制造方法(1B)和(1C)的密封材料固化工序和剥离工序均示于图4中。
对固化密封材料层70的条件并没有特别限制，但作为加热温度，低于固定树脂层60发生热分解或熔融的温度，即低于固定树脂层60所含的树脂的热分解温度或熔融温度。由此，能够防止电子部件配置密封材料固化物80的位置偏移。对具体的使密封材料层70发生固化的加热温度而言，优选为100～200℃，特别优选为120～190℃。并且，对使密封材料层70固化时的加热时间并没有特别限制，但优选为30分钟～8小时，特别优选为1～6小时。通过设定密封材料层70固化时的加热温度和加热时间为上述范围，不仅能够防止固定树脂层60发生热分解或熔融，而且能够获得可靠性高的电子装置30。并且，若通过固化温度以上的温度下加热密封材料层70以使密封材料发生固化，则密封材料层70会成为密封材料固化物层71。即，通过固化密封材料，能够由密封材料固化物来覆盖电子部件40之间的间隙42和电子部件40，在电子部件40和固定树脂层60上形成密封材料固化物层71。
[6]接着，施行将电子部件配置密封材料固化物80从支承基材剥离的剥离工序。在此，在本发明电子装置的制造方法(1A)的剥离工序中，通过加热固定树脂层60来使其发生热分解，从而将电子部件配置密封材料固化物80从支承基材剥离(图3(f1)，剥离工序)。
在本发明电子装置的制造方法(1A)的剥离工序中，对固定树脂层60的加热温度并没有特别限制，但优选为200～400℃，特别优选为220～350℃。对固定树脂层60的加热时间并没有特别限制，但优选为30秒～60分钟，特别优选为1～30分钟。通过设定固定树脂层60的加热温度和加热时间为上述范围，能够确实地热分解固定树脂层60并有效防止电子部件40和密封材料层70发生热老化。
并且，在本发明电子装置的制造方法(1B)的剥离工序中，首先对固定树脂层60照射活性能量线(图4(f2))，接着，通过对已照射活性能量线的固定树脂层60进行加热来使其发生热分解，从而将电子部件配置密封材料固化物80从支承基材剥离(图4(g2))。
在本发明电子装置的制造方法(1B)的剥离工序中，首先，从支承基材50侧对固定树脂层60照射活性能量线。作为活性能量线并没有特别限制，但优选例如波长为200～500nm左右的光线，特别优选为波长350～400nm左右的光线。并且，对活性能量线的照射量并没有特别限制，但优选为1～2000mj/cm2左右，特别优选为10～1000mj/cm2左右。
在本发明电子装置的制造方法(1B)的剥离工序中，接着，加热固定树脂层60，对固定树脂层60的加热温度并没有特别限制，但优选为100～200℃，特别优选为120～190℃。另外，对固定树脂层60的加热时间并没有特别限制，但优选为30秒～60分钟，特别优选为1～30分钟。通过设定固定树脂层60的加热温度和加热时间为上述范围，能够确实地热分解固定树脂层60并有效防止电子部件40和密封材料固化物层71发生热老化。选择固定树脂层60所含的、在酸或碱的存在下热分解温度降低的热分解性树脂，以在本发明电子装置的制造方法(1B)的剥离工序中，照射活性能量线后的固定树脂层60优选在100～200℃、特别优选在120～190℃下发生热分解。
并且，在本发明电子装置的制造方法(1C)的剥离工序中，首先对固定树脂层60照射活性能量线(图4(f2))，接着通过对已照射活性能量线的固定树脂层60进行加热来使其熔融，从而将电子部件配置密封材料固化物80从支承基材剥离(图4(g2))。此外，在图4(g2)中，记载了在电子部件配置密封材料固化物80和支承基材50上没有附着固定树脂层60的情况，这是因为在该图4(g2)中，为了表示电子部件配置密封材料固化物80与支承基材50分离的情况，只记载了电子部件配置密封材料固化物80和支承基材50。在实际的剥离工序中，通过加热进行的剥离结束后，固定树脂层60的熔融物附着于电子部件配置密封材料固化物80和支承基材50的表面，采用后述的残渣去除方法来去除电子部件配置密封材料固化物80和支承基材50的表面附着物，则会形成如图4(g2)所示的电子部件配置密封材料固化物80和支承基材50。
在本发明电子装置的制造方法(1C)的剥离工序中，首先，从支承基材50侧对固定树脂层60照射活性能量线。作为活性能量线并没有特别限制，例如，优选波长为200～500nm左右的光线，特别优选为波长350～400nm左右的光线。并且，对活性能量线的照射量并没有特别限制，但优选为1～2000mj/cm2左右，特别优选为10～1000mj/cm2左右。
在本发明电子装置的制造方法(1C)的剥离工序中，接着加热固定树脂层60，对固定树脂层60的加热温度并没有特别限制，但优选为100～200℃，特别优选为120～190℃。并且，对固定树脂层60的加热时间并没有特别限制，但优选为30秒～60分钟，特别优选为1～30分钟。通过设定固定树脂层60的加热温度和加热时间为上述范围，能够确实地熔融固定树脂层60并有效防止电子部件40和密封材料固化物层71的热老化。选择固定树脂层60所含的在酸或碱的存在下熔融温度降低的热熔性树脂，以在本发明电子装置的制造方法(1C)的剥离工序中，照射活性能量线后的固定树脂层60优选在100～200℃下、特别优选在120～190℃发生熔融。
另外，作为将电子部件配置密封材料固化物80从支承基材剥离的方法，并没有特别限制，但可以举出：相对于支承基材表面垂直地进行剥离的方法；相对于支承基材表面在水平方向上滑动来进行剥离的方法；使电子部件配置密封材料固化物80浮离支承基材的方式进行剥离的方法等。即使在剥离工序后固定树脂层60附着于电子部件配置密封材料固化物80或支承基材50表面的情况下，也能够采用等离子体处理、药液处理、研磨处理等方法来简便地去除残渣。作为残渣的去除方法，特别优选为：氧等离子体处理，对环境的负荷小的IPA、丙酮、γ-丁内酯、PEGMEA等的药液处理。
<在本发明电子部件的制造方法(2)的情况下>
[5]接着，在本发明电子部件的制造方法(2)中，例如在本发明电子部件的制造方法(2A)、(2B)、(2C)中，通过对密封材料层70进行加热使其发生固化，由此，在获得配置有电子部件40的电子部件配置密封材料固化物80的同时，将电子部件配置密封材料固化物80从支承基材剥离。在本发明电子部件的制造方法(2)中，在密封材料发生固化的同时进行剥离，由此能够缩短电子装置封装10的制造工序，因此能够提高生产效率并能够廉价地制造电子装置封装10。此外，所谓在密封材料发生固化的同时进行剥离，是指在加热密封材料层70来使其发生固化的工序中通过加热固定树脂层60来进行热分解或熔融。
在本发明电子装置的制造方法(2A)的密封材料固化兼剥离工序中，首先，在没有对固定树脂层60照射活性能量线的情况下，对密封材料层70和固定树脂层60进行加热，由此，在获得电子部件配置密封材料固化物80的通式，将电子部件配置密封材料固化物80从支承基材剥离(图5(e3))。加热密封材料层70和固定树脂层60的温度优选为100～200℃，特别优选为120～190℃。另外，对加热密封材料层70和固定树脂层60的时间并没有特别限制，但优选为30分钟～8小时，特别优选为1～6小时。通过设定密封材料层70和固定树脂层60的加热温度和加热时间为上述范围，能够确实地使密封材料层70发生固化以及使固定树脂层60发生热分解。选择固定树脂层60所含的热分解性树脂，以在本发明电子装置的制造方法(2A)的密封材料固化兼剥离工序中，固定树脂层60能够在密封材料层70固化的温度下，优选在100～200℃下、特别优选在120～190℃下发生热分解。
在本发明电子装置的制造方法(2B)中，首先对固定树脂层60照射活性能量线(图6(e4))，接着，对密封材料层70和固定树脂层60进行加热，从而在获得电子部件配置密封材料固化物80的同时，将电子部件配置密封材料固化物80从支承基材剥离(图6(f4))。在本发明电子装置的制造方法(2B)的密封材料固化兼剥离工序中对固定树脂层60照射活性能量线的方法，相同于本发明电子装置的制造方法(1B)的剥离工序中对固定树脂层60照射活性能量线的方法。在本发明电子装置的制造方法(2B)的密封材料固化兼剥离工序中，加热密封材料层70和固定树脂层60的温度优选为100～200℃，特别优选为110～190℃。另外，对加热密封材料层70和固定树脂层60的时间并没有特别限制，但优选为30分钟～8小时，特别优选为1～6小时。通过设定密封材料层70和固定树脂层60的加热温度和加热时间为上述范围，能够确实地进行密封材料层70的固化以及固定树脂层60的热分解。选择固定树脂层60所含的在酸或碱的存在下热分解温度降低的热分解性树脂，以在本发明电子装置的制造方法(2B)的密封材料固化兼剥离工序中，照射活性能量线后的固定树脂层60能够在密封材料层70固化的温度下、优选在100～200℃下、特别优选在110～190℃下发生热分解。此外，在本发明电子部件的制造方法(2B)和(2C)的密封材料固化兼剥离工序中，在照射活性能量线、接着加热密封材料层和固定树脂层的操作程序上是相同，因此，将本发明电子部件的制造方法(2B)和(2C)的密封材料固化兼剥离工序均示于图6中。
在本发明电子装置的制造方法(2C)中，首先对固定树脂层60照射活性能量线(图6(e4))，接着对密封材料层70和固定树脂层60进行加热，从而在获得电子部件配置密封材料固化物80的同时，将电子部件配置密封材料固化物80从支承基材剥离(图6(f4))。加热密封材料层70和固定树脂层60的温度优选为100～200℃，特别优选为110～190℃。另外，对加热密封材料层70和固定树脂层60的时间并没有特别限制，但优选为30分钟～8小时，特别优选为1～6小时。通过设定密封材料层70和固定树脂层60的加热温度和加热时间为上述范围，能够确实地进行密封材料层70的固化以及固定树脂层60的熔融。选择固定树脂层60所含的在酸或碱的存在下熔融温度降低的热熔性树脂，以在本发明电子装置的制造方法(2C)的密封材料固化兼剥离工序中，照射活性能量线后的固定树脂层60能够在密封材料层70发生固化的温度下、优选为100～200℃下、特别优选为110～190℃下熔融。此外，在图6(f4)中，记载了固定树脂层60未附着在电子部件配置密封材料固化物80和支承基材50表面的的情形，这是因为在该图6(f4)中，为了表示电子部件配置密封材料固化物80与支承基材50分离的情况，只记载了电子部件配置密封材料固化物80和支承基材50。在实际的密封材料固化兼剥离工序中，在加热下刚刚发生剥离后，固定树脂层60的熔融物附着于电子部件配置密封材料固化物80和支承基材50的表面上，通过采用后述的残渣去除方法，去除电子部件配置密封材料固化物80和支承基材50的表面附着物，可形成如图6(f4)所示的电子部件配置密封材料固化物80和支承基材50。
另外，作为将电子部件配置密封材料固化物80从支承基材剥离的方法并没有特别限制，可以举出：相对于支承基材表面垂直地进行剥离的方法；相对于支承基材表面在水平方向上移动来进行剥离的方法；使电子部件配置密封材料固化物80浮离支承基材的方式进行剥离的方法等。即使在密封材料固化兼剥离工序后固定树脂层60附着于电子部件配置密封材料固化物80或支承基材50表面的情况下，也能够采用等离子体处理、药液处理、研磨处理等方法来简便地去除残渣。作为前述残渣的去除方法，特别优选为氧等离子体处理；对环境的负荷小的IPA、丙酮、γ-丁内酯、PEGMEA等的药液处理。
通过如此操作，在本发明电子装置的制造方法(1)和(2)中，获得电子部件配置密封材料固化物80。
接着，利用图7(a)～(f)和图8(a)～(C)，说明对采用本发明电子装置的制造方法(1)或(2)得到的电子部件配置密封材料固化物80形成布线层的布线层形成工序。
[7]首先，以使电子部件40的具有端子的面(曾经与固定树脂层60相接触的面)41朝上的方式，配置所获得的电子部件配置密封材料固化物80(图7(a))。
[8]接着，在电子部件配置密封材料固化物80的具有端子的面41上，形成第一绝缘层90(图7(b))。
作为前述第一绝缘层90并没有特别限制，但优选为有机树脂组合物，例如，可以举出以聚酰亚胺树脂、聚苯并噁唑树脂等聚酰胺树脂、聚苯并环丁烯树脂、聚降冰片烯树脂等为主要成分的感光性树脂组合物。其中，优选以聚酰亚胺树脂、聚苯并噁唑树脂等聚酰胺树脂为主要成分的正型感光性树脂组合物，所述聚酰亚胺树脂、聚苯并噁唑树脂等聚酰胺树脂在曝光、显影时的灵敏度、析像度以及玻璃化转变温度、弹性模量等机械特性进而对电子部件配置密封材料固化物80的粘合性方面优良。
作为将有机树脂组合物形成于电子部件配置密封材料固化物80的具有端子的面41上的方法，并没有特别限制，可以举出：采用后述的涂布方法进行涂布并且对有机树脂组合物进行预烘焙，使有机树脂组合物中所含的溶剂挥发而形成的方法，其中该涂布方法包括：采用旋转器的旋转涂布法、采用喷涂机的喷雾涂布法、浸渍法、印刷法、辊式涂布法等。此时，通过采用适当溶剂等来稀释有机树脂组合物，能够调节有机树脂组成的粘度。
对有机树脂组合物的涂布量并没有特别限制，但优选为能够使最终膜厚成为0.1～30μm的涂布量。若膜厚低于下限值，难以充分发挥作为电子部件配置密封材料固化物80的绝缘膜的功能；另外，若超过上限值，不仅难以获得微细的加工图案，而且耗费工时、生产能力降低。另外，对有机树脂组合物的预烘焙温度并没有特别限制，但优选为50～150℃，更优选为60～130℃。
[9]接着，通过对第一绝缘层90进行曝光和显影，在与电子部件40的端子(未图示)相对应的位置形成开口部91(图7(c))。
在此，说明通过对正型感光性树脂组合物进行曝光和显影来形成开口部91的机理。采用步进式曝光机(stepper)等曝光装置，从掩模的上方对电子部件配置密封材料固化物80上的涂膜照射(曝光)化学射线，由此得到已曝光的部分(下称“曝光部”)与尚未曝光的部分(下称“未曝光部”)。该未曝光部中存在的重氮醌化合物不溶于显影液，并且聚酰亚胺树脂、聚苯并噁唑树脂等聚酰胺树脂与重氮醌化合物相互作用，由此进一步具备了对显影液的耐受性。另一方面，存在于曝光部的重氮醌化合物，在化学射线的作用下发生化学变化，变得可溶于显影液，促进树脂的溶解。利用该曝光部和未曝光部之间的溶解性差异，溶解去除曝光部，由此可制作开口部91。
作为施行前述曝光的方法并没有特别限制，可以举出：将在对应于开口部91的位置具有开口的掩模，对准第一绝缘层90，并且照射X射线、电子射线、紫外线、可见光线等的化学射线的方法。作为前述化学射线的波长，优选为200～500nm，具体而言，优选i线或g线。
接着，通过用显影液溶解去除曝光部，能够获得开口部91。作为前述显影液并没有特别限制，可以举出溶剂、碱性水溶液，优选对环境的负荷少的碱性水溶液。作为前述碱性水溶液并没有特别限制，但优选使用氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、硅酸钠、甲基硅酸钠、氨水等的无机碱类，乙胺、正丙胺等的伯胺类，二乙胺、二正丙胺等的仲胺类，三乙胺、甲基二乙胺等的叔胺类，二甲基乙醇胺、三乙醇胺等的醇胺类，四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵等的季铵盐等的碱类的水溶液，以及向该碱类的水溶液添加适量的诸如甲醇、乙醇等醇类等的水溶性有机溶剂或表面活性剂的水溶液。并且，作为显影方法，可以采用喷雾、水坑(旋覆浸没)式显影(Puddle Development)、浸渍、超声波等的方式。
[10]接着，形成导电层92以连结第一绝缘层90、开口部91的壁面和电子部件40的端子(图7(d))。
作为形成导电层92的方法并没有特别限制，可采用溅射法等来形成Cr、Ti、Cu等金属。
[11]接着，形成抗蚀层100，该抗蚀层100在形成导电体93的部分具有开口部(图7(e))。
作为形成抗蚀层100的抗蚀剂并没有特别限制，可以举出液状或膜状的感光性抗蚀剂。在液状感光性抗蚀剂的情况下，采用丝网印刷等方法，以覆盖导电层92的整个面的方式形成液状感光性抗蚀剂，接着，通过在形成导电体93的部分具有开口的掩模来进行曝光，接着，采用显影液进行显影，由此形成抗蚀层100。在膜状感光性抗蚀剂的情况下，采用层压等方法，以覆盖导电层92的整个面的方式形成膜状感光性抗蚀剂，然后，与液状抗蚀剂的情况同样地形成抗蚀层100。
[12]接着，在抗蚀层100的开口部，通过镀敷形成导电体93(图7(f))。
作为构成导电体93的金属并没有特别限制，优选电阻小且能应对信号高速化的铜。
[13]接着，去除抗蚀层100，进而去除形成导电体93的部分以外的导体层92(图8(a))。
作为去除导电层92的方法并没有特别限制，可采用难以在未形成导电体93的部分残留导电层92的残渣的反应性离子蚀刻(RIE)等方法来进行去除。当采用反应性离子蚀刻等方法来去除时，在导电体93中也会引起少许的膜减少，但与导电层92相比，导电体93在厚度上形成得足够厚，因此不会造成导电体93被全部去除的现象。
[14]接着，以覆盖导电体93的方式形成第二绝缘层110(图8(b))。
对构成第二绝缘层110的材料和形成第二绝缘层110的方法并没有特别限制，可使用与第一绝缘层90的情形相同的材料和方法。
[15]接着，在第二绝缘层110中的要形成凸块120的部分，形成开口部111(图8(c))。
作为在第二绝缘层110形成开口部111的方法并没有特别限制，但可以举出与形成第一绝缘层90时相同的方法。
[16]接着，在第二绝缘层110的开口部111形成凸块120(图8(d))。
作为凸块120的材质并没有特别限制，但优选为由锡(Sn)、铅(Pb)、银(Ag)、铋(Bi)、铟(In)、锌(Zn)、镍(Ni)、锑(Sb)、铁(Fe)、铝(Al)、金(Au)、锗(Ge)和铜(Cu)所组成的组中选出的至少两种以上金属的合金、或由锡单体构成。其中，当考虑到熔融温度和机械物性时，更优选由Sn-Pb合金、作为无铅焊锡的Sn-Bi合金、Sn-Ag-Cu合金、Sn-In合金、Sn-Ag合金等含Sn合金构成。
作为形成凸块120的方法并没有特别限制，可以举出：将以前述含有Sn的合金和焊剂(flux)作为主要成分的浆料，采用丝网印刷等方法涂布于第二绝缘膜110的开口部111上，接着，使其通过回流焊装置，由此形成凸块120的方法；另外，将由前述含有Sn的合金所构成的焊锡球载置于第二绝缘层110的开口部111上，接着将焊剂涂布于焊锡球上，接着使其通过回流焊装置，由此形成凸块120的方法等。
下面，利用图8(d)和(e)，说明对形成有布线层的电子部件配置密封材料固化物80进行分割的工序。
[17]上述对电子部件配置密封材料固化物80进行分割的工序，是通过分割已形成凸块120的电子部件配置密封材料固化物80来获得电子装置30的工序(图8(d)和(e))。
对电子部件配置密封材料固化物80的分割而言，既可以按单个各电子部件40来进行分割，也可以按多个电子部件40为单位来进行分割。通过按多个电子部件40为单位来进行分割，能够在一个电子装置30上配置具有多功能的电子部件40，因此能够实现电子装置30的高性能化。
作为分割电子部件配置密封材料固化物80的方法，并没有特别限制，能够采用激光、切割锯等方法进行分割。其中，优选能够简便地进行分割的采用切割锯的方法。
通过如此操作所获得的电子装置30，可将布线进行至电子部件40外缘的外侧，能够增大输入输出的布线数，因此，能够实现电子装置30的高性能化。并且，在支承基材50上固定电子部件40时，使用了热分解性固定树脂层60，因此，固定树脂层60的残渣难以附着于电子部件40的具有端子的面41上，能够提供可靠性高的电子装置30。
<电子装置封装的制造方法>
下面，利用图1说明在基板上安装已被分割的电子装置30的工序。
[18]上述将电子装置30安装于基板上的工序，是连接电子装置30的凸块18与内插板20上所形成的布线电路19的工序(图1)。
对前述连接凸块18与布线电路19的方法并没有特别限制，当至少在凸块18表面具有焊锡层时，在凸块18上涂布焊剂，接着，在内插板20上配置电子装置30以使凸块18与布线电路19相对应，接着，使其通过回流焊装置，由此能够制作电子装置30。此时，通过凸块18与布线电路19进行金属结合，实现电子装置30与内插板20的电连接。
通过如此操作，获得电子装置封装10。
实施例
(实施例1)
<聚碳酸酯的合成>
在反应容器中，加入30.43g(0.262摩尔)的1，3-环己二醇、23.02g(0.147摩尔)的内型，内型-2，3-降冰片烷二甲醇(endo，endo-2，3-norbornanedimethanol)、84.63g(0.395摩尔)的碳酸二苯酯、0.0163g(0.0021摩尔)的碳酸锂。作为反应的第一工序，在氮气环境下，将反应容器浸于加热至120℃的加热槽中，并进行搅拌以使原料溶解，并继续搅拌2小时。作为反应的第二工序，将反应容器内减压至10kPa，在120℃下继续搅拌1小时。作为反应的第三工序，使反应容器内减压至0.5kPa以下，在120℃下继续搅拌1.5小时。作为反应的第四工序，使反应容器内减压至0.5kPa以下并保持的情况下，经过约30分钟将加热槽的温度升温至180℃，然后在180℃下继续搅拌1小时。此外，将第二～第四工序中生成的苯酚，蒸除至反应容器之外。
将反应容器内的压力恢复至常压后，加入600mL四氢呋喃以使生成物溶解。在搅拌6.0L异丙醇/水＝9/1(v/v)的混合溶液的状态下，滴加了已溶解有生成物的溶液。通过抽吸过滤来回收析出的沉淀，对回收的沉淀用3.0L异丙醇/水＝9/1(v/v)的混合溶液进行清洗后，通过抽吸过滤进行回收。
采用真空干燥机，在60℃下干燥所回收的沉淀18小时，获得49.27g聚碳酸酯树脂粉末(1，3-聚碳酸环己酯树脂/内型-聚碳酸降冰片烯酯树脂)。
<临时固定材料的调节>
将100.0g所获得的聚碳酸酯树脂和2.0g作为光产酸剂的GSID26-1(BASF(巴斯夫)日本公司制造)，溶解于198.0g的γ-丁内酯中，配制树脂成分浓度为33重量％的临时固定材料。
<电子部件的制造方法>
采用旋涂法，将上述所配制的临时固定材料涂布于200mmφ的玻璃晶片上，以在大气中120℃下5分钟、220℃下5分钟的条件进行加热而实施软烤(soft bake)，获得了5μm厚度的临时固定材料层。然后，采用倒装芯片接合机(型号为FCB3，松下(Panasonic)株式会社制造)，并在140℃下施加3秒钟的1kgf的载荷，将长度10.5mm×宽度10.5mm×厚度725μm的裸硅芯片固定在临时固定材料层上。然后，采用压缩成型机，将密封树脂(EME-7730，住友电木株式会社制造)以完全覆盖所配置的芯片的方式成型于芯片和临时固定材料层上。成型条件是：在125℃、3.9MPa的压力下加压7分钟的条件。然后，使密封树脂在175℃的大气环境中固化8小时，获得密封树脂固化物。
接着，从玻璃一侧，对上述所制作的玻璃晶片、临时固定材料和密封树脂固化物的层叠体，以2000mj/cm2(以i线进行换算)的条件照射i线，接着，采用上下150℃的加热板夹持，进行真空吸附，然后使密封树脂固化物在水平方向滑动3分钟，由此使其从玻璃上剥离。另外，边摇动边浸渍于γ-丁内酯中5分钟的方式，去除了密封树脂固化物和玻璃上的残渣。
工业实用性
基于本发明，能够制作出一种不发生电子部件的位置偏移、并且在配置有电子部件的密封材料的固化物上不附着粘接层残渣的再配置型电子装置，因此，能够获得可靠性高的电子装置。
附图标记的说明

Claims (22)

1.一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括：
固定树脂层形成工序，在支承基材表面设置固定树脂层；
电子部件固定工序，在该固定树脂层上，以使相邻电子部件之间形成有间隙的方式配置多个电子部件，并通过该固定树脂层将多个该电子部件固定在该支承基材上；
密封材料层形成工序，通过密封材料覆盖该电子部件，在该固定树脂层和该电子部件上形成密封材料层；
密封材料固化工序，通过对该密封材料进行加热，使该密封材料发生固化并被支承于该支承基材上，获得配置有该电子部件的电子部件配置密封材料固化物；以及
剥离工序，将被支承于该支承基材上的该电子部件配置密封材料固化物，从该支承基材剥离，
并且，在该剥离工序中，通过使该固定树脂层所含的树脂发生低分子化，从而将该电子部件配置密封材料固化物从该支承基材剥离。
2.如权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在所述剥离工序中，通过对所述固定树脂层进行加热以使其发生热分解，从而将所述电子部件配置密封材料固化物从所述支承基材剥离。
3.如权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在所述剥离工序中，通过对所述固定树脂层照射活性能量线后，对所述固定树脂层进行加热以使其发生热分解，从而将所述电子部件配置密封材料固化物从所述支承基材剥离。
4.如权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在所述剥离工序中，通过对所述固定树脂层照射活性能量线后，对所述固定树脂层进行加热以使其熔融，从而将所述电子部件配置密封材料固化物从所述支承基材剥离。
5.如权利要求1～4中任一项所述的电子装置的制造方法，其中，在所述密封材料固化工序中加热所述密封材料的温度，低于在所述剥离工序中加热所述固定树脂层的温度。
6.如权利要求3或4所述的电子装置的制造方法，其中，在所述剥离工序中加热所述固定树脂层的温度为130～200℃。
7.如权利要求4所述的电子装置的制造方法，其中，照射所述活性能量线后的所述固定树脂层在180℃下的熔融粘度为0.01～100Pa·s。
8.一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括：
固定树脂层形成工序，在支承基材表面设置固定树脂层；
电子部件固定工序，在该固定树脂层上，以使相邻电子部件之间形成有间隙的方式配置多个电子部件，并通过该固定树脂层将该电子部件固定在该支承基材上；
密封材料层形成工序，通过密封材料覆盖该电子部件，在该固定树脂层和该电子部件上形成密封材料层；以及
密封材料固化兼剥离工序，通过对该密封材料进行加热，使密封材料发生固化并被支承于该支承基材上，获得配置有该电子部件的电子部件配置密封材料固化物的同时，将该电子部件配置密封材料固化物从该支承基材剥离，
并且，在该密封材料固化兼剥离工序中，通过使该固定树脂层所含的树脂发生低分子化，从而将该电子部件配置密封材料固化物从该支承基材剥离。
9.如权利要求8所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在所述密封材料固化兼剥离工序中，通过对所述固定树脂层进行加热以使其发生热分解，从而将所述电子部件配置密封材料固化物从所述支承基材剥离。
10.如权利要求8所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在所述密封材料固化兼剥离工序中，通过对所述固定树脂层照射活性能量线后，对所述固定树脂层进行加热以使其发生热分解，从而将所述电子部件配置密封材料固化物从所述支承基材剥离。
11.如权利要求8所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在所述密封材料固化兼剥离工序中，通过对所述固定树脂层照射活性能量线后，对所述固定树脂层进行加热以使其溶融，从而将所述电子部件配置密封材料固化物从所述支承基材剥离。
12.如权利要求10或11所述的电子装置的制造方法，其中，在所述密封材料固化兼剥离工序中加热所述密封材料和所述固定树脂层的温度为130～200℃。
13.如权利要求11所述的电子装置的制造方法，其中，照射所述活性能量线后的所述固定树脂层在180℃下的熔融粘度为0.01～100Pa·s。
14.如权利要求1～13中任一项所述的电子装置的制造方法，其中，还包括布线层形成工序，该工序在所述电子部件配置密封材料固化物的配置有所述电子部件的面上形成布线层，获得形成有该布线层的电子部件配置密封材料固化物。
15.如权利要求14所述的电子装置的制造方法，其中，还包括单片化工序，该工序通过对形成有所述布线层的所述电子部件配置密封材料固化物进行分割，使形成有所述布线层的所述电子部件配置密封材料固化物单片化，获得单片化的所述电子部件配置密封材料固化物。
16.如权利要求3或10所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述固定树脂层含有：在酸或碱的存在下热分解温度降低的树脂；以及在活性能量线的照射下产生酸的光产酸剂或者产生碱的光产碱剂。
17.如权利要求4或11中任一项所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述固定树脂层含有：在酸或碱的存在下熔融温度降低的树脂，以及在活性能量线的照射下产生酸的光产酸剂或者产生碱的光产碱剂。
18.如权利要求16或17所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述树脂为聚碳酸酯类树脂。
19.如权利要求18所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述聚碳酸酯类树脂为由至少具有两个环状结构的碳酸酯结构单元构成的聚碳酸酯树脂。
20.一种电子装置，其特征在于，采用权利要求1～19中任一项所述的电子装置的制造方法来制作而成。
21.一种电子装置封装的制造方法，其特征在于，包括安装工序，该工序将权利要求15所述的单片化的所述电子部件配置密封材料固化物安装于基板上。
22.一种电子装置封装，其特征在于，采用权利要求21所述的电子装置封装的制造方法来制作而成。
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