CN102560429A

CN102560429A - 金属有机气相沉积装置

Info

Publication number: CN102560429A
Application number: CN2012100657635A
Authority: CN
Inventors: 周宁; 何乃明; 范文远
Original assignee: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Current assignee: Medium and Micro Semiconductor Equipment (Shanghai) Co., Ltd.
Priority date: 2012-03-13
Filing date: 2012-03-13
Publication date: 2012-07-11
Anticipated expiration: 2032-03-13
Also published as: CN102560429B; TW201337032A; TWI494462B

Abstract

一种金属有机气相沉积装置，包括：反应腔；位于所述反应腔底部的基座；位于所述反应腔顶部的喷淋组件，所述喷淋组件包括中心进气装置和包围所述中心进气装置的外围进气装置，所述中心进气装置将第一气体以第一通量分配至中心进气装置与基座之间的区域，所述外围进气装置将第二气体以第二通量分配至所述反应腔的外围区域，所述第一气体和第二气体为载气、III族金属有机源气体和V族氢化物源气体，所述第一气体和第二气体中的III族金属有机源气体和V族氢化物源气体分别具有第一流量比和第二流量比，且所述第二流量比与第一流量比不同。所述金属有机气相沉积装置能够提高薄膜的均匀性及形成速率。

Description

金属有机气相沉积装置

技术领域

本发明涉及化学气相沉积技术领域，特别涉及一种金属有机气相沉积装置。

背景技术

化学气相沉积(Chemical vapor deposition，简称CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术，其通过化学气相沉积装置得以实现。具体地，CVD装置通过进气装置将反应气体通入反应室中，并控制反应室的压强、温度等反应条件，使得反应气体发生反应，从而完成沉积工艺步骤。为了沉积所需薄膜，一般需要向反应室中通入多种不同的反应气体，且还需要向反应室中通入载气或吹扫气体等其他非反应气体，因此在CVD装置中需要设置多个进气装置。

金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)装置主要用于氮化镓、砷化镓、磷化铟、氧化锌等III-V族，II-VI族化合物及合金的薄层单晶功能结构材料的制备，随着上述功能结构材料的应用范围不断扩大，MOCVD装置已经成为化学气相沉积装置的重要装置之一。MOCVD一般以II族或III族金属有机源和VI族或V族氢化物源等作为反应气体，用氢气或氮气作为载气，以热分解反应方式在基板上进行气相外延生长，从而生长各种II-VI化合物半导体、III-V族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。由于II族或III族金属有机源和VI族或V族氢化物源的传输条件不同，因此需要通过不同的进气装置分别将II族或III族金属有机源和VI族或V族氢化物源传输至基板上方。

现有技术中的金属有机化学气相沉积装置一般包括：

反应腔；

位于所述反应腔顶部的喷淋组件，所述喷淋组件包括两个进气装置，所述两个进气装置分别将II族或III族金属有机源和VI族或V族氢化物源传输至基板上方；

与所述喷淋组件相对设置的基座，所述基座具有加热单元，所述基座用于支撑和加热基板。

更多关于金属有机化学气相沉积装置请参考公开号为US2009/0250004A1的美国专利。

然而，以现有的金属有机化学气相沉积装置所形成的薄膜存在不均匀，且形成薄膜速率低的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种金属有机气相沉积装置，提高所述金属有机气相沉积装置形成的膜的均匀性，同时提高薄膜的形成速率。

为解决上述问题，本发明提供一种金属有机气相沉积装置，包括：

一种金属有机气相沉积装置，其特征在于，包括：

用于进行金属有机气相沉积的反应腔；

位于所述反应腔底部的基座，所述基座用于承载待沉积基底；

位于所述反应腔顶部的喷淋组件，所述喷淋组件用于将反应气体分配至所述反应腔内，所述喷淋组件包括中心进气装置和包围所述中心进气装置的外围进气装置，其中，所述中心进气装置用于将第一气体以第一通量分配至中心进气装置与基座之间的区域，所述第一气体为III族金属有机源气体、V族氢化物源气体和载气，其中，所述第一气体中的III族金属有机源气体和V族氢化物源气体具有第一流量比，所述外围进气装置用于将第二气体以第二通量分配至所述反应腔的外围区域，从而减弱第一气体分配的热对流涡旋，所述第二气体为载气、III族金属有机源气体和V族氢化物源气体，其中，所述第二气体中的III族金属有机源气体和V族氢化物源气体具有第二流量比，且所述第二流量比与第一流量比不同。

可选的，所述中心进气装置的半径大于基座半径15～25mm。

可选的，所述中心进气装置到所述基座的距离为20～30mm。

可选的，所述第二通量为第一通量的2～10倍。

可选的，所述第二流量比大于9或小于1/9。

可选的，所述基座的旋转速度为900RPM～1500RPM。

可选的，所述外围进气装置包括第三进气装置和冷却装置。

可选的，所述第三进气装置包括若干子进气装置。

可选的，所述若干子进气装置分别将III族金属有机源气体和载气，以及V族氢化物源气体和载气传输至反应腔的外围区域。

可选的，所述外围进气装置具有外围进气口，所述外围进气口位于与反应腔相接触的一侧。

可选的，所述外围进气口的数量为1～4个。

可选的，所述III族金属有机源包括Ga(CH3)3、In(CH3)3、Al(CH3)3、Ga(C2H5)3、Zn(C2H5)3气体中的一种或多种。

可选的，所述V族氢化物源包括NH3、PH3、AsH3气体中的一种或多种。

可选的，所述载气为氮气、氢气中的一种或两种。

可选的，所述中心进气装置包括第一进气装置、第二进气装置和冷却装置。

可选的，所述第一进气装置将III族金属有机源气体和载气传输至中心进气装置与基座之间的区域，所述第一进气装置包括第一进气口。

可选的，所述第二进气装置将V族氢化物源气体和载气传输至中心进气装置与基座之间的区域，所述第二进气装置包括第二进气口。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

本发明实施例提供一种金属有机气相沉积装置，通过在中心进气装置外包围外围进气装置，且所述外围进气装置用于将第二气体以第二通量分配至所述反应腔的外围区域，能够抑制反应腔的外围区域的热对流；为了改善基座中心所形成的薄膜的均匀性，需要提高基座的转速，然而当基座转速提高后，外围区域的热对流更为严重，导致基座边缘区域所形成的薄膜的均匀性降低；因此在基座高转速的状态下，外围进气装置向反应腔的外围区域补充第二气体能够抑制反应腔外围区域的热对流，使基座边缘区域形成的薄膜的均匀度提高；进而，使得所述金属有机气相沉积装置的基座在高转速的状态下，自基座中心区域至边缘区域形成的薄膜整体均匀度提高。

进一步的，基座的旋转速度为900RPM～1500RPM时，属于高转速状态；基座的高转速能够减小第一气体分配时热对流涡旋的影响，使基座中心所形成的薄膜均匀性提高，从而以所述金属有机气相沉积装置在高转速的状态下自基座中心区域至边缘区域形成的薄膜整体均匀度提高；同时，基座的高转速使薄膜的形成速率也同时提高。

进一步的，所述第二通量为第一通量的2～10倍，使第二气体能够有效地抵冲第一气体因受热对流涡旋影响而在外围区域向上的流动，从而消除热对流涡旋对于形成薄膜的均匀性的影响。

进一步的，所述中心进气装置的半径大于基座半径15～25mm，使第二气体的分配的位置恰好抵冲第一气体因受热对流涡旋影响而在外围区域向上的流动，从而消除热对流涡旋，提高形成薄膜的均匀性。

进一步的，所述第二气体为载气、III族金属有机源气体和V族氢化物源气体，使第二气体能够参与反应形成薄膜，从而修饰基座边缘的待沉积基底表面形成的薄膜的不均匀性。

附图说明

图1是本发明金属有机气相沉积装置的剖面结构示意图；

图2是本发明金属有机气相沉积装置的喷淋组件沿AA’方向上的俯视结构示意图。

具体实施方式

以现有的金属有机化学气相沉积装置进行薄膜沉积工艺时，基座的旋转速率无法提高，处于小于500RPM的低转速状态，薄膜的形成速率低，且在基座中心区域形成的薄膜不均匀。

发明人经研究发现，造成基座在低转速状态下，在中心区域形成的薄膜不均匀是由热对流涡旋引起的，所述热对流涡旋是由于喷淋组件和基座之间的温度差，导致气体发生热对流形成涡旋，使反应气体自基座边缘回落至基座中心区域，从而造成薄膜的不均匀。

现有的金属有机化学气相沉积装置，喷淋组件到基座的距离根据具体工艺要求不同而有所不同，当工艺要求喷淋组件到基座的距离小于20mm时，由于所述喷淋组件到基座的过小而难以在所述喷淋组件到基座之间的区域产生热对流涡旋，因此基座中心区域的薄膜沉积均匀，基座可以以小于500RPM的低转速状态形成薄膜，然而，由于转速低，薄膜的形成速率也相应较低；当喷淋组件到基座的距离大于20mm时，所述喷淋组件到基座的距离容易引起热对流涡旋，反应气体会自基座边缘区域回落至基座中心区域，从而使基座中心区域的薄膜沉积不均匀。

为了提高金属有机化学气相沉积装置基座的转速，从而使所形成的薄膜自基座中心至边缘整体均匀，同时提高形成薄膜的速率，本发明的发明人提供了一种化学气相沉积装置，包括：

用于进行金属有机气相沉积的反应腔；

位于所述反应腔顶部的喷淋组件，所述喷淋组件用于将反应气体分配至所述反应腔内，所述喷淋组件包括中心进气装置和包围所述中心进气装置的外围进气装置，其中，所述中心进气装置用于将第一气体以第一通量分配至中心进气装置与基座之间的区域，所述第一气体为III族金属有机源气体、V族氢化物源气体和载气，所述外围进气装置用于将第二气体以第二通量分配至所述反应腔的外围区域，从而减弱第一气体分配的热对流涡旋，所述第二气体为载气和III族金属有机源气体或V族氢化物源气体中的一种。

本发明实施例提供一种金属有机气相沉积装置，通过在中心进气装置外包围外围进气装置，且所述外围进气装置用于将第二气体以第二通量分配至所述反应腔的外围区域，能够抑制反应腔的外围区域的热对流；为了改善基座中心所形成的薄膜的均匀性，需要提高基座的转速，然而当基座转速提高后，外围区域的热对流更为严重，导致基座边缘区域所形成的薄膜的均匀性降低；因此在基座高转速的状态下，外围进气装置向反应腔的外围区域补充第二气体能够抑制反应腔外围区域的热对流，使基座边缘区域形成的薄膜的均匀度提高；进而，使得所述金属有机气相沉积装置的基座在高转速的状态下，自基座中心区域至边缘区域形成的薄膜整体均匀度提高。另一方面，基座的高转速还能使薄膜的形成速率提高。

以下将结合具体实施例对所述金属有机气相沉积装置进行详细说明，请参考图1和图2，其中，图1为本实施例金属有机气相沉积装置的剖面结构示意图，图2为图1所示金属有机气相沉积装置的喷淋组件在AA’方向上的俯视结构示意图，包括：

用于进行金属有机气相沉积的反应腔100；

位于所述反应腔100底部的基座101，所述基座101用于承载待沉积基底102。

位于所述反应腔100顶部的喷淋组件103，所述喷淋组件103用于将反应气体分配至所述反应腔100内，所述喷淋组件103包括中心进气装置110和包围所述中心进气装置110的外围进气装置111，其中，所述中心进气装置110用于将第一气体以第一通量分配至中心进气装置110与基座101之间的区域，所述第一气体为III族金属有机源气体、V族氢化物源气体和载气，其中，所述第一气体中的III族金属有机源气体和V族氢化物源气体具有第一流量比，所述外围进气装置用于将第二气体以第二通量分配至所述反应腔的外围区域，从而减弱第一气体分配的热对流涡旋，所述第二气体为载气、III族金属有机源气体和V族氢化物源气体，其中，所述第二气体中的III族金属有机源气体和V族氢化物源气体具有第二流量比，且所述第二流量比与第一流量比不同。

具体地，所述喷淋组件103可以为圆盘形、矩形及其他本领域技术人员所共知的结构，在此不作赘述，本实施例中，所中心进气装置110和基座101均为圆盘形，所述外围进气装置111为包围中心进气装置110的圆环形。

所述外围进气装置111包括第三进气装置113和外围进气口120，所述第三进气装置113用于将第二气体以第二通量分配至所述反应腔的外围区域，所述外围进气口120位于与反应腔100相接触的一侧，所述外围进气口120为一个或多个，用于输送第二气体进入第三进气装置113，使第二气体能够均匀分散于第三进气装置113中。在本实施例中，请参考图1和图2，所述第三进气装置113为单一整体的气体腔，载气、III族金属有机源气体和V族氢化物源气体被传输至第三进气装置113后被配置到反应腔100的外围区，由于第二流量比大于9或小于1/9，因此在第三进气装置113中以III族金属有机源气体或以V族氢化物源气体为主体，能够节约装置的材料，简化结构。

在另一实施例中，所述第三进气装置113包括若干子进气装置，所述若干子进气装置分别将III族金属有机源气体和载气、V族氢化物源气体和载气传输至反应腔100的外围区域，能够防止III族金属有机源气体和V族氢化物源气体在第三进气装置113内发生反应，堵塞喷淋口，并造成浪费。

所述外围进气口120的数量较佳的为1～4个，使第二气体能够均匀分散于第三进气装置113中。

在本实施例中，请参考图1和图2，当第三进气装置113为单一整体的气体腔时，III族金属有机源气体和V族氢化物源气体分别通过独立的送气管道输送，再通过支路管道通过4个外围进气口120传输进第三进气装置113。

在另一实施例中，当第三进气装置113包括第一子进气装置和第二子进气装置时，III族金属有机源气体和V族氢化物源气体分别通过独立的送气管道输送，再由支路管道输送到外围进气口，III族金属有机源气体传输进第一子进气装置，V族氢化物源气体传输进第二子进气装置，所述第一子进气装置和第二子进气装置分别包括1～2个外围进气口120。

所述第二气体为载气、III族金属有机源气体和V族氢化物源气体，从而第二气体能够参与薄膜形成的反应，在对冲抵消自基座101边缘向上流动的第一气体的同时，修饰基座101边缘区域的待沉积基底102表面的不均匀。

所述第二气体的第二流量比大于9或小于1/9，使第二气体中以III族金属有机源气体或V族氢化物源气体为主体，使第二气体不会使第二气体影响到第一气体的反应。

所述第一气体的第一流量比由金属有机气相沉积的具体工艺所决定。

请参考图2，所述中心进气装置110包括第一进气装置130和第二进气装置131。

所述第一进气装置130将III族金属有机源气体和载气分配至中心进气装置110与基座101之间的区域，所述第二进气装置131将V族氢化物源气体和载气分配至所述反应腔100的外围区域，所述第一进气装置130和第二进气装置131相互独立隔离；III族金属有机源气体和载气、V族氢化物源气体和载气分别通过第一送气管道133和第二送气管道134分别输送进第一进气装置130和第二进气装置131。

在本实施例中，所述第一进气装置130和第二进气装置131分别为若干扇形结构，且相互间隔形成圆盘状；所述III族金属有机源气体和载气通过第一进气装置130内的扩散装置将所述气体扩散入各扇形第一进气装置130，V族氢化物源气体和载气通过第二进气装置131内的扩散装置将所述气体扩散入各扇形第二进气装置131；此外，本领域技术人员可以根据实际的工艺要求自行调整第一进气装置130和第二进气装置131的形状、结构以及位置关系，在此不应过于限定。

在本实施例中，请参考图2，第一进气装置130和第二进气装置131分别为2组扇形结构，且相互间隔形成圆盘状，能够使气体反应更为均匀，使形成的薄膜均匀性提高。

本实施例所述中心进气装置110到所述基座101的距离的范围为20～40mm，如前文所述，当所述中心进气装置110到所述基座101的距离的范围为20～40mm时，容易引起热对流涡旋使基座101中心区域的待沉积基底102表面的薄膜沉积不均匀，需提高基座101的转速至大于900RPM以消除热对流涡旋的影响，同时，外围进气装置111配置的第二气体可以修饰基座101边缘区域的待沉积基底102表面的沉积薄膜的均匀性，使基座101自中心至边缘表面的待沉积基底102表面形成的薄膜均匀；因此，当中心进气装置110到所述基座101的距离的范围为20～40mm时，可以采用基座101的转速大于900RPM的高转速进行沉积工艺，提高薄膜沉积均匀性的同时，提高薄膜的生长速率。

本实施例所述基座101的转速范围为900RPM～1500RPM，较佳的为900RPM～1200RPM，当基座101的转速大于900RPM时，热对流涡旋引起的基座101中心区域的待沉积基底102表面的薄膜沉积的不均匀得以消除，且当基座转速大于1000RPM时，待沉积基底102表面的薄膜沉积的速率提高。

所述中心进气装置110的半径大于基座101半径15～25mm，当中心进气装置110的半径大于基座101半径15～25mm时，外围进气装置111分配的第二气体能够与第一气体对冲而抵消，其中，所述第一气体在中心进气装置110与基座101边缘区域之间，受中心进气装置110与基座101之间的热对流，以及基座101的高转速的影响自基座101边缘而向上流动。

所述第二通量为第一通量的2～10倍，使第二气体能够完全对冲抵消自基座101边缘向上流动的第一气体，并对基座101边缘区域的待沉积基底102表面的薄膜进行修饰，所述第一通量与具体的金属有机气相沉积工艺以及基座101的半径有关。

本实施例中，所述反应腔100的材料为不锈钢。

所述基座101包括支撑座104和加热单元105，所述支撑座104用于支撑一个或多个待沉积基底102，所述加热单元105在所述支撑座104下方，用于加热待沉积基底102。

所述支撑座104的材料为石墨，较佳的，可在所述石墨表面设置SiC层，使得支撑座具有耐高温、抗氧化和耐酸碱盐及有机试剂等特性，物理化学性能更稳定。

所述加热单元105可以集成于支撑座104内，可以是射频加热器、红外辐射加热器或电阻加热器等，可根据反应腔100的尺寸和材料进行不同的选择。采用在射频加热器时，支撑座104被射频线圈通过诱导耦合加热，这种加热形式在大型的反应腔100中经常采用，但是通常系统过于复杂。为了避免系统的复杂性，在稍小的反应腔100中，通常采用红外辐射加热器，卤钨灯产生的热能被转化为红外辐射能，支撑座吸收这种红外辐射能并将其转化回热能。采用电阻加热器，则通过电阻丝的发热，进而实现对支撑座104的加热。

所述III族金属有机源气体包括Ga(CH₃)₃、In(CH₃)₃、Al(CH₃)₃、Ga(C₂H₅)₃、Zn(C₂H₅)₃气体中的一种或多种；所述V族氢化物源气体包括NH₃、PH₃、AsH₃气体中的一种或多种；所述III族金属有机源气体和V族氢化物源气体受热分解后，在反应腔内进行反应，从而在待沉积基底102表面形成薄膜。

所述载气为氮气、氢气、惰性气体中的一种或多种，所述载气用于分散参与反应的气体，使其在反应腔100内的配置与反应较为均匀且稳定。

所述中心进气装置110和外围进气装置111均具有喷淋口(未示出)，设置于与基座101相对的一侧，所述喷淋口用于将气体分散分配至反应腔100内，所述喷淋口可以为本领域技术人员所公知的任意形状，例如若干圆孔或若干槽孔等，在此不作赘述，在本实施例中，所述喷淋口为若干圆孔。

所述中心进气装置110和外围进气装置111内还包括冷却装置132，所述冷却装置132用于冷却III族金属有机源气体和V族氢化物源气体，使所述气体达到分解温度，所述冷却装置132与所述第一进气装置130、第二进气装置131以及第三进气装置113重叠设置；所述冷却装置132具有冷却通道，用以通入冷却气体或者冷却液体。具体地，所述冷却装置132可以采用水冷冷却，也可以采用风冷冷却，其对应的具体结构对于本领域的技术人员是熟知的，故在此不再赘述。此外，冷却装置132还会使得喷淋组件处于较低的温度，延长了喷淋组件的使用寿命。

所述金属有机气相沉积装置还包括：由温度传感器和气压传感器组成的检测装置(未示出)；其分别连接各温度传感器和气压传感器的控制装置(未示出)。

所述气压传感器可以为一个，设置在所述中心进气装置110与基座101之间的区域，将检测到的中心进气装置110与基座101之间的区域的当前气压发送给控制装置，控制装置分析得到当前气压和薄膜沉积反应所需的气压之差，进而控制装置实现对反应腔100的气压调整，直至使中心进气装置110与基座101之间的区域的当前气压等于薄膜沉积反应所需的气压。

所述温度传感器可以为多个，可以在第一进气装置130、第二进气装置131、外围进气装置111、冷却装置132和加热单元105上分别设置一个温度传感器，分别用于检测第一进气装置130的当前温度、第二进气装置131的当前温度、外围进气装置111的当前温度、冷却装置132的当前温度以及加热单元105的当前温度，并将检测得到的上述温度发送给控制装置，控制装置通过分析调节各装置温度至所需温度，从而可以更精确地控制薄膜沉积的过程。

所述金属有机气相沉积装置还包括抽气阀106，用于将反应腔100内反应剩余的气体排出。

综上所述，本发明实施例提供一种金属有机气相沉积装置，通过在中心进气装置外包围外围进气装置，且所述外围进气装置用于将第二气体以第二通量分配至所述反应腔的外围区域，能够抑制反应腔的外围区域的热对流；为了改善基座中心所形成的薄膜的均匀性，需要提高基座的转速，然而当基座转速提高后，外围区域的热对流更为严重，导致基座边缘区域所形成的薄膜的均匀性降低；因此在基座高转速的状态下，外围进气装置向反应腔的外围区域补充第二气体能够抑制反应腔外围区域的热对流，使基座边缘区域形成的薄膜的均匀度提高；进而，使得所述金属有机气相沉积装置的基座在高转速的状态下，自基座中心区域至边缘区域形成的薄膜整体均匀度提高。

进一步的，所述中心进气装置的半径大于基座半径，使第二气体的分配的位置恰好抵冲第一气体因受热对流涡旋影响而在外围区域向上的流动，从而消除热对流涡旋，提高形成薄膜的均匀性。

虽本发明实施例如上所述，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims

1.一种金属有机气相沉积装置，其特征在于，包括：

用于进行金属有机气相沉积的反应腔；

2.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述中心进气装置的半径大于基座半径15～25mm。

3.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述中心进气装置到所述基座的距离为20～30mm。

4.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述第二通量为第一通量的2～10倍。

5.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述第二流量比大于9或小于1/9。

6.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述基座的旋转速度为900RPM～1500RPM。

7.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述外围进气装置包括第三进气装置和冷却装置。

8.如权利要求7所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述第三进气装置包括若干子进气装置。

9.如权利要求8所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述若干子进气装置分别将III族金属有机源气体和载气，以及V族氢化物源气体和载气传输至反应腔的外围区域。

10.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述外围进气装置具有外围进气口，所述外围进气口位于与反应腔相接触的一侧。

11.如权利要求10所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述外围进气口的数量为1～4个。

12.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述III族金属有机源包括Ga(CH₃)₃、In(CH₃)₃、Al(CH₃)₃、Ga(C₂H₅)₃、Zn(C₂H₅)₃气体中的一种或多种。

13.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述V族氢化物源包括NH₃、PH₃、AsH₃气体中的一种或多种。

14.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述载气为氮气、氢气中的一种或两种。

15.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述中心进气装置包括第一进气装置、第二进气装置和冷却装置。

16.如权利要求15所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述第一进气装置将III族金属有机源气体和载气传输至中心进气装置与基座之间的区域，所述第一进气装置包括第一进气口。

17.如权利要求15所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述第二进气装置将V族氢化物源气体和载气传输至中心进气装置与基座之间的区域，所述第二进气装置包括第二进气口。