CN102246371A

CN102246371A - Esd保护器件

Info

Publication number: CN102246371A
Application number: CN2009801500473A
Authority: CN
Inventors: 足立淳; 浦川淳; 鹫见高弘; 北爪贵大
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2008-12-10
Filing date: 2009-10-19
Publication date: 2011-11-16
Anticipated expiration: 2029-10-19
Also published as: JPWO2010067503A1; KR20110091749A; EP2357709A4; KR101254212B1; EP2357709A1; CN102246371B; EP2357709B1; US8432653B2; WO2010067503A1; US20110227196A1

Abstract

本发明提供一种容易调整和稳定ESD特性的ESD保护器件。ESD保护器件(10)包括：(a)陶瓷多层基板(12)；(b)形成于陶瓷多层基板(12)、设置有间隔而彼此相对的至少一对放电电极(16、18)；以及(c)形成于陶瓷多层基板(12)的表面、与放电电极(16、18)相连接的外部电极(22、24)。ESD保护器件(10)在将一对放电电极(16、18)之间连接的区域，包括分散有金属材料(34)和半导体材料而成的辅助电极(14)。

Description

ESD保护器件

技术领域

本发明涉及ESD保护器件，具体而言，涉及使在陶瓷多层基板的空洞部内将放电电极相对配置的ESD保护器件中、防止因陶瓷多层基板的裂纹等而导致破坏、变形的技术。

背景技术

所谓ESD(Electro-Static Discharge：静电放电)，是指当带电的导电性物体(人体等)与其他导电性物体(电子设备等)接触或充分接近时、产生剧烈放电的现象。电子设备因ESD而产生损伤、误动作等问题。为了防止这种情况，需要使放电时产生的过大电压不会施加到电子设备的电路上。使用于这种用途的是ESD保护器件，也称为浪涌吸收元件、浪涌吸收器(surgeabsorber)。

ESD保护器件例如配置在电路的信号线路与接地(ground)之间。由于ESD保护器件采用将一对放电电极隔开而相对的结构，因此，在正常的使用状态下，具有高电阻，信号不会流入接地侧。对此，例如像从便携式电话等的天线施加静电的情况那样，若施加过大电压，则在ESD保护器件的放电电极之间产生放电，能将静电导入接地侧。由此，对ESD器件的后级电路不会被施加静电所产生的电压，能保护电路。

例如，图5的分解立体图、图6的剖视图所示的ESD保护器件在层叠绝缘性陶瓷片材2而成的陶瓷多层基板7内形成有空洞部5，与外部电极1导通的放电电极6在空洞部5内相对配置，将放电气体封闭在空洞部5内。若对放电电极6之间施加导致绝缘破坏的电压，则在空洞部5内，在放电电极6之间产生放电，通过该放电将过剩电压导向接地，能保护后级的电路(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本专利特开2001-43954号公报

发明内容

但是，这种ESD保护器件存在以下问题。

在图5、图6所示的ESD保护器件中，由于放电电极之间的间隔偏差，ESD响应性容易变动。此外，虽然需要通过放电电极相对的区域的面积来调整ESD响应性，但由于该调整被产品尺寸等所限制，因此，有时会难以实现所希望的ESD响应性。

本发明有鉴于上述实际情况，希望提供一种容易调整和稳定ESD特性的ESD保护器件。

本发明为了解决上述问题，提供具有以下结构的ESD保护器件。

ESD保护器件包括：(a)陶瓷多层基板；(b)形成于所述陶瓷多层基板、设置有间隔而彼此相对的至少一对放电电极；以及(c)形成于所述陶瓷多层基板的表面、与所述放电电极相连接的外部电极。在将所述一对放电电极之间连接的区域，ESD保护器件包括分散有金属材料和半导体材料而成的辅助电极。

在上述结构中，若对外部电极之间施加规定以上大小的电压，则在相对的放电电极之间产生放电。该放电沿着将一对放电电极之间连接的区域产生。由于在产生该放电的区域，包括分散有金属材料、以及半导体材料或电阻材料的辅助电极，因此，容易引起电子的移动，能更有效地产生放电现象，提高ESD响应性。因此，能减小因放电电极之间的间隔偏差而引起的ESD响应性的变动。因而，容易调整和稳定ESD特性。

此外，通过调整辅助电极所含有的金属材料、以及半导体材料或电阻材料的量和种类等，能将放电开始电压设定在所希望的值。由此，与仅通过改变放电电极之间的间隔来调整放电开始电压的情况相比，能高精度地设定放电开始电压。

在优选的一个方式中，半导体材料是碳化硅(SiC)。

在优选的其他方式中，半导体材料是硅。

优选在所述辅助电极中，还分散有陶瓷材料，该陶瓷材料含有构成所述陶瓷多层基板的材料作为成分。

在该情况下，通过使含有与构成陶瓷多层基板的材料相同的成分的陶瓷材料分散在辅助电极中，提高辅助电极与陶瓷多层基板的密接性，辅助电极在烧成时不易发生剥离。此外，还提高了抗ESD重复特性。

优选在所述辅助电极中，含有所述金属材料的比例为10vol％以上且为50vol％以下。

若在辅助电极中，金属材料的含有比例为10vol％以上，则能使辅助电极在烧成时的收缩开始温度成为放电电极的收缩开始温度与陶瓷多层基板的收缩开始温度的中间值。另一方面，若在辅助电极中，金属材料的含有比例为50vol％以下，则能使放电电极之间不产生短路。

优选在所述陶瓷多层基板的内部具有空洞部，所述放电电极沿所述空洞部的内表面形成。

在该情况下，对外部电极之间施加规定以上的大小的电压而在放电电极之间产生的放电主要是沿空洞部与陶瓷多层基板的边界产生的沿面放电。由于沿该沿面、即空洞部的内表面形成辅助电极，因此，容易引起电子的移动，能更有效地产生放电现象，提高ESD响应性。因此，能减小因放电电极之间的间隔偏差而引起的ESD响应性的变动。因而，容易调整和稳定ESD特性。

优选所述陶瓷多层基板将实质上未烧结的第一陶瓷层、和完成烧结的第二陶瓷层交替层叠而成。

在该情况下，陶瓷多层基板是在烧成时通过第一陶瓷层来抑制第二陶瓷层在平面方向上的收缩的所谓无收缩基板。由于无收缩基板基本不产生翘曲和平面方向上的尺寸偏差等问题，因此，若对陶瓷多层基板使用无收缩基板，则能高精度地形成相对的放电电极之间的间隔，能减少放电开始电压等的特性偏差。

本发明的ESD保护器件容易调整和稳定ESD特性。

附图说明

图1是ESD保护器件的剖视图。(实施例1)

图2是ESD保护器件的主要部分放大剖视图。(实施例1)

图3是沿图1的直线A-A切断的剖视图。(实施例1)

图4是ESD保护器件的剖视图。(实施例2)

图5是ESD保护器件的分解立体图。(现有例)

图6是ESD保护器件的剖视图。(现有例)

具体实施方式

作为本发明的具体实施方式，以下将参照图1～图4对实施例进行说明。

<实施例1>参照图1～图3，说明实施例1的ESD保护器件10。图1是ESD保护器件10的剖视图。图2是示意性表示图1中用点划线示出的区域11的主要部分放大剖视图。图3是沿图1的线A-A切断的剖视图。

如图1所示，ESD保护器件10在陶瓷多层基板12的内部形成有空洞部13和一对放电电极16、18。放电电极16、18包含沿空洞部13的内表面形成的相对部17、19。放电电极16、18从空洞部13延伸至陶瓷多层基板12的外周面，与在陶瓷多层基板12的外侧即陶瓷多层基板12的表面形成的外部电极22、24连接。外部电极22、24用于安装ESD保护器件10。

如图3所示，放电电极16、18的相对部17、19的前端17k、19k设置间隔15而彼此相对。若从外部电极22、24施加规定值以上的电压，则在放电电极16、18的相对部17、19之间产生放电。

如图1所示，在空洞部13的边缘形成有辅助电极14，该辅助电极4与放电电极16、18的相对部17、19及形成有相对部17、19之间的间隔15的部分邻接。即，辅助电极14形成于将放电电极16、18之间连接的区域。辅助电极14与放电电极16、18的相对部17、19和陶瓷多层基板12相接。如图2中示意性所示，辅助电极14含有金属材料34、未图示的半导体材料、以及陶瓷材料。金属材料34、半导体材料、以及陶瓷材料各自分散，辅助电极14整体具有绝缘性。

辅助电极14所含有的陶瓷材料的成分中也可以含有与构成陶瓷多层基板12的材料部分相同或全部相同的材料。若含有相同的材料，则容易使烧成时的辅助电极14的收缩举动等与陶瓷多层基板12相匹配，提高辅助电极14与陶瓷多层基板12的密接性，辅助电极14在烧成时不易发生剥离。此外，还提高了抗ESD重复特性。此外，能减少所使用的材料的种类。

特别是，在辅助电极14所含有的陶瓷材料与陶瓷多层基板12的陶瓷材料相同且无法区别的情况下，可视为辅助电极14仅由金属材料34和半导体材料形成。

辅助电极14所含有的金属材料34既可以是与放电电极16、18相同的材料，也可以是不同的材料。若采用相同的材料，则容易使辅助电极14的收缩举动等与放电电极16、18相匹配，能减少所使用的材料的种类。

由于辅助电极14含有金属材料34和陶瓷材料，因此，能使辅助电极14在烧成时的收缩举动处于包含相对部17、19的放电电极16、18与陶瓷多层基板12的中间状态。由此，能用辅助电极14来缓解放电电极16、18的相对部17、19与陶瓷多层基板12在烧成时的收缩举动的差异。其结果是，能减小因放电电极16、18的相对部17、19的剥离等而导致的不良和特性偏差。此外，由于在放电电极16、18的相对部17、19之间，间隔15的偏差也变小，因此，能减小放电开始电压等的特性偏差。

此外，能使辅助电极14的热膨胀率成为放电电极16、18与陶瓷多层基板12的中间值。由此，能用辅助电极14来缓解放电电极16、18的相对部17、19与陶瓷多层基板12的热膨胀率的差异。其结果是，能减小因放电电极16、18的相对部17、19的剥离等而导致的不良、和特性随使用年数的变化。

此外，通过调整辅助电极14所含有的金属材料34和半导体材料的量和种类等，能将放电开始电压设定在所希望的值。由此，与仅通过放电电极16、18的相对部17、19之间的间隔15来调整放电开始电压的情况相比，能更高精度地设定放电开始电压。

此外，在本实施方式中，由于在辅助电极14中不仅含有金属材料34，还含有半导体材料，因此，即使金属材料的含量较少，也能得到所希望的ESD响应性。而且，能抑制金属材料彼此之间接触而产生短路。

接下来，说明ESD保护器件10的制作例。

(1)准备材料

对于作为陶瓷多层基板12的材料的陶瓷材料，利用组分以Ba、Al、Si为主的材料。将各原材料进行调和、混合以成为规定的组分，在800-1000℃下进行预烧制。用氧化锆球磨机将所得到的预烧粉末粉碎12个小时，得到陶瓷粉末。对该陶瓷粉末，添加甲苯、燃料乙醇等有机溶剂以进行混合。进一步添加粘合剂、增塑剂以进行混合，得到浆料。利用刮刀法将这样得到的浆料成形，得到厚度为50μm的陶瓷生片。

此外，制作用于形成放电电极16、18的电极糊料。通过对由平均粒子直径约为1.5μm的Cu粉80wt％和乙基纤维素等构成的粘合树脂添加溶剂，利用轧辊进行搅拌、混合，从而得到电极糊料。

用于形成辅助电极14的混合糊料通过如下方式得到：将作为金属材料的平均粒子直径约为3μm的Cu粉、和作为半导体材料的平均粒子直径为1μm的碳化硅(SiC)以规定比例进行调和，添加粘合树脂和溶剂，利用轧辊进行搅拌、混合。在混合糊料中，使粘合树脂和溶剂为20wt％，剩余的80wt％为Cu粉和碳化硅。

在下表1中示出各混合糊料的碳化硅/Cu粉的比率。

[表1]

碳化硅/Cu粉体积比率

^*标记：本发明的范围外

此外，用于形成空洞部13的树脂糊料也通过相同的方法来制作。树脂糊料仅由树脂和溶剂构成。对于树脂材料，利用在烧成时分解、消失的树脂。例如PET、聚丙烯、乙基纤维素、丙烯酸树脂等。

(2)利用丝网印刷涂布混合糊料、电极糊料、树脂糊料

在陶瓷生片上，为了形成辅助电极14，利用丝网印刷涂布混合糊料以成为规定的图案。在混合糊料的厚度较厚等情况下，也可以在预先设置于陶瓷生片的凹部填充碳化硅/Cu粉的混合糊料。

利用丝网印刷在其上涂布电极糊料，在相对部17、19之间形成具有成为放电间隙的间隔15的放电电极16、18。在制作例中，形成放电电极16、18，使得放电电极16、18的粗细为100μm，放电间隙宽度(相对部17、19之间的间隔15的尺寸)为30μm。然后，在其上，为了形成空洞部13，利用丝网印刷涂布树脂糊料。

(3)层叠、压接

与通常的陶瓷多层基板同样地对陶瓷生片进行层叠、压接。在制作例中，进行层叠，使得厚度为0.3mm，在其中央配置有放电电极16、18的相对部17、19、空洞部13。

(4)切割、涂布端面电极

与LC滤波器之类的芯片型电子元器件同样地利用微型切割机进行切割，分割成各芯片。在制作例中，进行切割，以成为1.0mm×0.5mm。之后，在端面上涂布电极糊料，形成外部电极22、24。

(5)烧成

接下来，与通常的陶瓷多层基板同样地在N₂气氛中进行烧成。此外，为了降低对ESD的响应电压，将Ar、Ne等稀有气体导入空洞部13，在此情况下，在陶瓷材料进行收缩、烧结的温度区域和Ar、Ne等稀有气体气氛中进行烧成即可。对于不氧化的电极材料(Ag等)的情况，也可以在大气气氛中进行烧成。

通过烧成，树脂糊料消失，形成空洞部13。此外，通过烧成，陶瓷生片中的有机溶剂、混合糊料中的粘合树脂及溶剂也消失。

(6)镀敷

与LC滤波器之类的芯片型电子元器件同样地在外部电极上进行电解Ni-Sn镀敷。

通过以上步骤，完成剖面像图1～图3那样构成的ESD保护器件10。

另外，半导体材料并不特别限于上述材料。例如，可以利用硅、锗等金属半导体、碳化硅、碳化钛、碳化锆、碳化钼、碳化钨等碳化物、氮化钛、氮化锆、氮化铬、氮化钒、氮化钽等氮化物、硅化钛、硅化锆、硅化钨、硅化钼、硅化铬、硅化铬等硅化物、硼化钛、硼化锆、硼化铬、硼化镧、硼化钼、硼化钨等硼化物、氧化锌、钛酸锶等氧化物。特别是，由于硅、碳化硅相对便宜、且市面上有各种粒子直径的变种出售，因此，特别优选硅、碳化硅。这些半导体材料可以适当地单独使用或将两种以上混合使用。此外，半导体材料可以适当地与氧化铝、BAS材等电阻材料混合使用。

金属材料并不特别限于上述材料。也可以是Cu、Ag、Pd、Pt、Al、Ni、W、Mo、或它们的合金、或它们的组合。

此外，虽然涂布了树脂糊料以形成空洞部13，但也可以不是树脂，而是碳等在烧成中消失的材料，此外，也可以不糊料化并通过印刷来形成，而配置成将树脂薄膜等仅粘贴在规定的位置。

对于上述制作例的ESD保护器件10的100个试料，通过观察内部剖面来评价放电电极16、18之间的短路、烧成后有无脱层。另外，所谓脱层，意味着辅助电极与放电电极之间、或者辅助电极与陶瓷多层基板之间的剥离。将短路不良率在40％以下的试料判定为短路特性良好(○标记)，将短路不良率超过40％的试料判定为短路特性不良(×标记)。将完全没有看到脱层产生的试料判定为合格(○标记)，将即使只看到一层脱层产生的试料也判定为不合格(×标记)。

此外，评价了对ESD的放电响应性。对ESD的放电响应性通过由IEC标准IEC61000-4-2所确定的抗静电放电性试验来进行测试。通过接触放电施加8kV，调查在试料的放电电极之间是否产生放电。将在保护电路侧检测出的峰值电压超过700V的试料判定为放电响应性不良(×标记)，将峰值电压为500V～700V的试料判定为放电响应性良好(○标记)，将峰值电压小于500V的试料判定为放电响应性特别好(◎标记)。

此外，评价了抗ESD重复特性。通过接触放电施加10次2kV、10次3kV、10次4kV、10次6kV、10次8kV，接着，评价了上述对ESD的放电响应性。将在保护电路侧检测出的峰值电压超过700V的试料判定为抗ESD重复特性不良(×标记)，将峰值电压为500V～700V的试料判定为抗ESD重复特性良好(○标记)，将峰值电压小于500V的试料判定为抗ESD重复特性特别好(◎标记)。

在下表2中示出碳化硅粉/Cu粉的混合糊料的条件和评价结果。

[表2]

^*标记：本发明的范围外

从表2可知，Cu粉的体积比率为10％～50％的试料No.2～No.6的ESD保护器件没有产生脱层，并且，短路特性、ESD放电响应性、抗ESD重复特性优良。

另一方面，试料No.1的ESD器件由于仅由碳化硅粉来形成辅助电极，因此，放电电极与辅助电极的接合不充分，在放电电极与辅助电极之间产生脱层，是难以供实用的ESD保护器件。

试料N0.7～11的ESD保护器件由于Cu粉的含量较高，因此，辅助电极与多层陶瓷基板之间的烧结定时不一致，产生脱层，而且，因Cu粉彼此之间的接触而导致短路不良率极高，是难以供实用的ESD保护器件。

<实施例2>参照图4，说明实施例2的ESD保护器件10s。图4是ESD保护器件10s的剖视图。

实施例2的ESD保护器件10s的结构与实施例1的ESD保护器件10大体相同。下面，对与实施例1相同的结构部分使用相同的标号，以与实施例1的ESD保护器件10的不同点为中心进行说明。

如图4所示，实施例2的ESD保护器件10s与实施例1的ESD保护器件10的不同点在于：没有空洞部13。即，实施例2的ESD保护器件10s在陶瓷多层基板12s的上表面12t形成有彼此相对的一对放电电极16s、18s，该放电电极16s、18s由树脂42覆盖。

与实施例1的ESD保护器件10同样地形成有放电电极16s、18s，使其设置有间隔15s而彼此相对。在陶瓷多层基板12s的上表面12t侧，与形成有放电电极16s、18s之间的间隔15s的部分及其附近相邻接，即在将放电电极16s、18s之间连接的区域，形成分散有金属材料34和未图示的半导体材料的辅助电极14s。放电电极16s、18s与形成于陶瓷多层基板12s的表面的外部电极22、24相连接。

接下来，说明实施例2的制作例。虽然实施例2的ESD保护器件通过与实施例1的ESD保护器件大体相同的方法来制作，但由于实施例2的ESD保护器件没有空洞部，因此，不涂布树脂糊料。

在下表3中示出碳化硅粉/Cu粉的混合糊料的条件和评价结果。

[表3]

^*标记：本发明的范围外

根据表2及表3的比较，可以看出，虽然Cu粉的体积比率为10％～50％的、实施例2的没有空洞部的ESD保护器件(表3的试料No.2～No.6)能供实用，但与具有空洞部的实施例1的ESD保护器件(表2的试料No.2～No.6)相比，ESD放电响应性有下降的趋势。该原因可推测为，对于具有空洞部的实施例1的ESD保护器件，由于在施加ESD时，在放电电极的辅助电极中能产生沿面放电，因此，ESD放电响应性变好。

另外，根据与实施例1中说明了的理由相同的理由，表3中的试料No.1、试料No.7～11的ESD保护器件是难以供实用的ESD保护器件。

<实施例3>说明实施例3的ESD保护器件。

在实施例3的ESD保护器件的制作例中，利用硅粉代替作为半导体材料的碳化硅，通过与实施例1的ESD保护器件的制作例相同的方法，来制作ESD保护器件。另外，使用了粒子直径约为1μm的硅粉。

在下表4中示出碳化硅粉/硅粉的混合糊料的条件和评价结果。

[表4]

^*标记：本发明的范围外

从表4可知，混合糊料中的Cu粉的体积比率为10％～50％的试料No.2～No.6的ESD保护器件没有产生脱层，并且，短路特性、ESD放电响应性、抗ESD重复特性优良。

另外，根据与实施例1中说明了的理由相同的理由，试料No.1、试料No.7～11的ESD保护器件是难以供实用的ESD保护器件。

<实施例4>说明实施例4的ESD保护器件。

实施例4的ESD保护器件与实施例1的ESD保护器件的不同点仅在于：辅助电极中还含有陶瓷材料。

在实施例4的ESD保护器件的制作例中，作为混合糊料，利用了与实施例1的制作例相同的、由BAS材预烧后陶瓷粉末、碳化硅粉、Cu粉构成的混合糊料，除此以外，通过与实施例1的制作例相同的方法，来制作ESD保护器件。另外，使用了平均粒子直径约为1μm的BAS材预烧后陶瓷粉末、平均粒子直径约为1μm的碳化硅粉、平均粒子直径约为3μm的Cu粉末。

在表5中示出BAS材预烧后陶瓷粉末/碳化硅粉/硅粉的混合糊料的条件和评价结果。

[表5]

^*标记：本发明的范围外

从表5可知，由于试料No.2～4及试料No.6～9的ESD保护器件添加了BAS材预烧后陶瓷粉末，因此，作为半导体材料的碳化硅和作为导体材料的Cu粉牢靠地固接于陶瓷多层基板，从而，能提高抗ESD重复特性。

另外，对于试料No5及试料No.10的ESD保护器件，由于在烧成过程中，从BAS材预烧后陶瓷粉末形成大量玻璃成分，Cu粉彼此之间因该玻璃成分而部分发生液相烧结，经常发生短路不良，因此，是难以供实用的ESD保护器件。

另外，电阻材料并不特别限定于上述材料，也可以是对镁橄榄石添加玻璃后的材料、对CaZrO₃添加玻璃后的材料等，也可以添加其他材料。从抑制脱层的观点、及抗ESD重复特性的观点出发，优选与形成上述陶瓷多层基板的至少一层的陶瓷材料相同。

<实施例5>说明实施例5的ESD保护器件。

实施例5的ESD保护器件与实施例1的ESD保护器件的不同点仅在于：将交替层叠有收缩抑制层和基材层的所谓无收缩基板用于陶瓷多层基板。

在实施例5的ESD保护器件的制作例中，在通过与实施例1的ESD保护器件的制作例相同的方法来制作的陶瓷生片上，利用丝网印刷将收缩抑制层用糊料(例如，由Al₂O₃粉末、玻璃料、以及有机媒介物构成)涂布于整个表面。然后，在其上，为了形成辅助电极14，利用丝网印刷涂布混合糊料以成为规定的图案。然后，在其上涂布电极糊料，在相对部17、19之间形成具有成为放电间隙的间隔15的放电电极16、18。在此，形成放电电极16、18，使得放电电极16、18的粗细为100μm，放电间隙宽度(相对部17、19之间的间隔15的尺寸)为30μm。然后，在其上，为了形成空洞部13，涂布树脂糊料。然后，利用丝网印刷在其上涂布上述收缩抑制用糊料。在其上，将陶瓷生片进行层叠、压接。其后，与实施例1的制作例同样地进行切割、涂布端面电极、烧成、镀敷。

在下表6中示出碳化硅粉/Cu粉的混合糊料的条件和评价结果。

[表6]

^*标记：本发明的范围外

从表6可知，通过Cu粉的体积比率为10％～50％的试料No.2～No.6，能得到与实施例1的制作例同样优良的ESD器件。此外，通过采用无收缩基板，能得到尺寸精度高、且翘曲极小的ESD保护器件。

<总结>以上说明的实施例1～5的ESD保护器件通过在将放电电极之间连接的区域中包括至少分散有金属材料和半导体材料而成的辅助电极，容易引起电子的移动，能更有效地产生放电现象，提高ESD响应性。因此，能减小因放电电极之间的间隔偏差而引起的ESD响应性的变动。因而，容易调整和稳定ESD特性。

此外，通过调整辅助电极所含有的金属材料和半导体材料的量和种类等，能将放电开始电压设定在所希望的值。由此，与仅通过改变放电电极之间的间隔来调整放电开始电压的情况相比，能高精度地设定放电开始电压。

本发明的效果如下所述。

(1)若放电电极由金属材料和半导体材料构成，则即使金属材料含量较低，也能得到优良的ESD响应性。

(2)若ESD保护器件具有空洞部，则可期望沿面放电，能进一步提高ESD响应性。

(3)由于通过对包括金属材料和半导体材料的辅助电极添加陶瓷材料，使金属材料和半导体材料牢靠地固接于陶瓷多层基板，因此，能提高抗ESD重复特性。

(4)通过利用碳化硅作为半导体材料，能提供价廉物美的ESD保护器件。

(5)通过利用Cu粉末作为金属材料，能提供价廉物美的ESD保护器件。

另外，本发明并不只限定于上述实施方式，可进行种种变更来实施。

例如，即使在辅助电极中含有金属材料的比例小于10vol％、或超过50vol％，但通过适当选择金属材料的种类和粒子直径、半导体材料的种类和粒子直径等，也能发挥作为ESD保护器件的功能。

此外，虽然在实施例2中，在陶瓷多层基板侧形成辅助电极，但也可以在树脂侧形成辅助电极。

标号说明

10、10s ESD保护器件

12、12s 陶瓷多层基板

13 空洞部

14、14s 辅助电极

15、15s 间隔

16、16s 放电电极

17 相对部

18、18s 放电电极

19 相对部

22 外部电极

24 外部电极

34 金属材料

Claims

1.一种ESD保护器件，其特征在于，该ESD保护器件包括：

陶瓷多层基板；

形成于所述陶瓷多层基板、设置有间隔而彼此相对的至少一对放电电极；以及

形成于所述陶瓷多层基板的表面、与所述放电电极相连接的外部电极，

在将所述一对放电电极之间连接的区域，包括分散有金属材料和半导体材料而成的辅助电极。

2.如权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，

所述半导体材料是碳化硅。

3.如权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，

所述半导体材料是硅。

4.如权利要求1至3的任一项所述的ESD保护器件，其特征在于，

在所述辅助电极中，还分散有陶瓷材料，该陶瓷材料含有构成所述陶瓷多层基板的材料作为成分。

5.如权利要求2或3所述的ESD保护器件，其特征在于，

在所述辅助电极中，含有所述金属材料的比例为10vol％以上且为50vol％以下。

6.如权利要求1至5的任一项所述的ESD保护器件，其特征在于，

在所述陶瓷多层基板的内部具有空洞部，所述放电电极沿所述空洞部的内表面形成。

7.如权利要求1至6的任一项所述的ESD保护器件，其特征在于，

所述陶瓷多层基板将实质上未烧结的第一陶瓷层、和完成烧结的第二陶瓷层交替层叠而成。