CN102132393A - 基材处理设备和在该设备中转移基材的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基材处理设备，其包括多个处理室、缓冲单元和转移件。该转移件在该处理室和该缓冲单元之间转移基材，并收集在同时完成处理的至少两个处理室中处理过的基材，从而将处理过的基材一次转移到该缓冲单元。因此，该转移件转移基材期间的时间长短减小，使得该基材处理设备缩短了处理时间并提高了生产性。

Description

基材处理设备和在该设备中转移基材的方法

技术领域

本发明涉及一种制造半导体基材的设备，更具体而言，涉及处理半导体基材的基材处理设备和在该基材处理设备中转移基材的方法。

背景技术

在基材制造过程中，绝缘体和金属材料的沉积和蚀刻、光致抗蚀剂的涂布和显影、灰化处理等被重复多次，从而实现精细的图案结构排列。然而，虽然进行了包括蚀刻或灰化处理的这些处理，但是在基材中仍然存在杂质。除去这些杂质的处理包括使用去离子水或化学品的清洁处理。

进行清洁处理的基材清洁设备分为成批基材清洁设备和单个基材清洁设备。成批基材清洁设备包括尺寸能够一次处理25片基材或50片基材的化学浴、冲洗浴和干燥浴。成批基材清洁设备通过将基材浸入各个浴中预定时间而除去杂质。这种成批基材清洁设备同时清洁基材的上部和下部，并同时处理大量的基材。然而，随着基材直径的增大，各个浴的尺寸也要增大，这增大了设备的尺寸和化学品的用量。另外，从邻近的基材上分离的杂质会附在正在化学浴中清洁的基材上。

近来，由于基材直径的增大，单个基材清洁设备被广泛使用。在单个基材清洁设备中，基材被固定在适用于处理单个基材的具有较小尺寸的腔室中的基材卡盘上，然后由电机转动，接着经由位于基材上方的喷嘴向基材提供化学品或去离子水。基材的旋转使化学品或去离子水在基材的上部上扩散，以便从基材除去杂质。单个基材清洁设备的尺寸小于成批基材清洁设备的尺寸，并且可以实现均匀的清洁效果。

一般而言，单个基材清洁设备从其一侧开始包括装载/卸载单元、分度自动装置、缓冲单元、处理室和主转移自动装置。分度自动装置在缓冲单元和装载/卸载单元之间转移基材，主转移自动装置在缓冲单元和处理室之间转移基材。在缓冲单元中，将要清洁的基材等待被插入处理室中，或者已被清洁的基材等待被转移到装载/卸载单元。

主转移自动装置包括转移将要清洁的基材的手和转移清洁后基材的手，使得主转移自动装置可以转移一个将要清洁的基材和一个清洁后基材。因此，当基材已经分别在两个处理室中被清洁时，从缓冲单元到处理室转移将要清洁的基材的操作进行两次，并且从处理室到缓冲单元转移清洁后基材的操作也进行两次。

同样地，主转移自动装置具有用于不同目的的两个手，因此主转移自动装置一次仅在一个处理室和缓冲单元之间转移基材。这样延长了在主转移自动装置移动期间的时间长短和基材的转移，并且降低了生产性。

发明内容

技术问题

本发明提供一种提高装载和卸载基材效率的基材处理设备。

本发明还提供一种在该基材处理设备中转移基材的方法。

技术方案

本发明的实施例提供了一种基材处理设备，其包括多个处理室、缓冲单元和转移件。

在每个处理室中处理基材。所述缓冲单元储存将要在所述处理室中装载的基材和在所述处理室中处理过的基材。所述转移件包括多个水平可动的拾取手，基材分别放置在各拾取手上。所述转移件在所述处理室和所述缓冲单元之间转移基材，并且收集在同时完成处理的至少两个处理室中处理过的基材，从而将处理过的基材一次转移到所述缓冲单元。

在一些实施例中，所述各拾取手可以沿垂直方向彼此间隔面对，并且每个拾取手可以与一个或多个邻近的拾取手间隔第一距离。所述缓冲单元可以包括沿垂直方向间隔的多个支撑件，各支撑件可以支撑基材的端部，并且沿垂直方向顺次配置的至少两个支撑件可以间隔第一距离。

在本发明的其他实施例中，转移基材的方法包括：利用转移件从缓冲单元取出将要处理的基材，并将基材供应到在其内处理基材的多个处理室；利用所述转移件从所述处理室取出处理过的基材；和利用所述转移件将处理过的基材装载到所述缓冲单元。

所述转移件收集在同时完成处理的至少两个处理室中处理过的基材，并将处理过的基材一次转移到所述缓冲单元。

在一些实施例中，所述转移件可以将至少一个处理过的基材一次装载到所述缓冲单元。

有益效果

根据本发明，所述转移件从同时完成处理的处理室中取出处理过的基材，并将处理过的基材一次转移到所述缓冲单元。因此，所述转移件移动期间的时间长短减小，使得所述基材处理设备缩短了处理时间并提高了生产性。

附图说明

附图用于进一步理解本发明，且被并入说明书中构成说明书的一部分。附图显示本发明的示例性实施例，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1是根据本发明实施例的基材处理系统的示意图；

图2是图1的缓冲单元的立体图；

图3是图2的缓冲单元的侧视图；

图4是示出图3的部分′A′的放大图；

图5是示出图1的主转移自动装置的立体图；

图6是示出图1的主转移自动装置转移晶片的过程的流程图；

图7是示出将晶片装载到图2的缓冲单元的过程的示意图；

图8是示出放置在图7的缓冲单元上的晶片的部分示意图；

图9是示出交通线的示意图，图7的主转移自动装置沿着交通线转移晶片；和

图10是示出图1的主转移自动装置从处理室取出晶片的过程的流程图。

具体实施方式

下面参照附图更详细地说明本发明的优选实施例。然而，本发明可以体现为多种不同形式，并且不应当认为本发明受限于在此提出的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本发明的公开内容清楚和完整，并向本领域技术人员全面地表达本发明的范围。

下面，将结合附图对本发明的示例性实施例进行描述。

图1是根据本发明实施例的基材处理系统1000的示意图。

参照图1，基材处理系统1000可以包括装载/卸载单元110、分度自动装置200、缓冲单元300、主转移自动装置500、多个处理室610、620、630、640、650和660和控制单元700。

装载/卸载单元110包括多个装载口110a、110b、110c和110d。尽管在本实施例中装载/卸载单元110包括四个装载口110a、110b、110c和110d，但是装载口110a、110b、110c和110d的数量可以根据基材处理系统1000的处理效率和占地面积条件增大或减小。

前开式晶片盒(FOUP)120a、120b、120c和120d安置在装载口110a、110b、110c和110d上。晶片储存在各个FOUP 120a、120b、120c和120d中。各FOUP 120a、120b、120c和120d相对于地面水平地设有用于储存晶片的多个狭槽。FOUP 120a、120b、120c和120d储存被装载并已经在处理室610、620、630、640、650和660中处理后晶片或者将要装载并在处理室610、620、630、640、650和660中处理的晶片。下面，为便于说明，已经在基材处理系统1000中处理后晶片被称作处理后晶片，而尚未被处理的晶片被称作原始晶片。

分度自动装置200设置在装载/卸载单元110和缓冲单元300之间，第一转移轨20设置在分度自动装置200下方。分度自动装置200包括在其上分别装载晶片的多个分度臂220。分度自动装置200沿着第一转移轨20移动并转移晶片。

分度臂220可以独立地被驱动，并从置于装载口110a、110b、110c和110d中任一个上的FOUP 120a、120b、120c和120d之一拾取原始晶片，并将原始晶片供应到缓冲单元300。

分度自动装置200一次从FOUP 120a、120b、120c和120d拾取至少一个原始晶片。例如，分度自动装置200包括垂直排列并且彼此平行的4个分度臂220，每个分度臂拾取一个晶片。

分度自动装置200使用4个分度臂220中的邻近两个从FOUP 120a、120b、120c和120d中的对应FOUP同时拾取两个原始晶片。分度自动装置200可以在缓冲单元300上装载一个原始晶片，或可同时装载多个原始晶片。

也就是说，分度自动装置200一次从FOUP 120a、120b、120c和120d拾取两个原始晶片，然后在缓冲单元300上同时装载两个原始晶片。由分度自动装置200在缓冲单元300上同时装载的原始晶片的数量取决于从FOUP120a、120b、120c和120d同时取出的原始晶片的数量。

按相同方式，分度自动装置200一次从缓冲单元300拾取至少一个处理后晶片。也就是说，分度自动装置200从缓冲单元300同时拾取两个处理后晶片，然后在装载口110a、110b、110c和110d的对应装载口上同时装载拾取的两个处理后晶片。

在进行处理的同时，由分度自动装置200一次拾取或装载的晶片的数量取决于目前在缓冲单元300上装载的处理后晶片和原始晶片的各自数量。

分度自动装置200的分度臂220可以分为转移原始晶片的臂和转移处理后晶片的臂。例如，4个分度臂220中的下面两个可以用作转移原始晶片的臂，4个分度臂220中的上面两个可以用作转移处理后晶片的臂。

在本实施例中，当同时处理多个晶片时，分度自动装置200拾取或装载两个晶片，但是由分度自动装置200同时拾取或装载的晶片的数量可以根据分度自动装置200设置的分度臂220的数量增大。

缓冲单元300设置在配置分度自动装置200的区域与配置处理室610、620、630、640、650和660和主转移自动装置500的区域之间。缓冲单元300接收由分度自动装置200转移的原始晶片和在处理室610、620、630、640、650和660中处理过的晶片。

图2是图1的缓冲单元300的立体图。图3是图2的缓冲单元300的侧视图。图4是示出图3的部分′A′的放大图。

参照图1和图3，缓冲单元300包括主体310、第一支撑部320和第二支撑部330。

特别地，主体310可以包括下表面311、从下表面311垂直延伸的第一侧壁312和第二侧壁313以及与第一侧壁312和第二侧壁313的上端连接的上表面314。

为了存取晶片，主体310具有面对分度自动装置200的敞开前壁和面对主转移自动装置500的敞开后壁。因此，有利于分度自动装置200和主转移自动装置500将晶片插入缓冲单元300和取出晶片。

第一侧壁312和第二侧壁313彼此面对，上表面314被部分除去，从而具有开口314a。

第一支撑部320和第二支撑部330设置在主体310中。第一支撑部320与第一侧壁312连接，第二支撑部330与第二侧壁313连接。第一支撑部320和第二支撑部330中的每一个包括多个支撑件。第一支撑部320的支撑件与第二支撑部330的支撑件一一对应。缓冲单元300接收各晶片，各晶片的端部由第一支撑部320的支撑件和第二支撑部330的支撑件支撑，其中各晶片面朝下表面311。

在本实施例中，第一支撑部320的支撑件和第二支撑部330的支撑件具有相同的构造，因此第一支撑部320作为说明支撑件构造的示例。

参照图3和图4，第一支撑部320的各支撑件彼此垂直隔开，根据位置不同，邻近对支撑件可以间隔第一距离D1或可以间隔大于第一距离D1的第二距离D2。第一距离D1与分度自动装置200的分度臂220(图1)之间的间隙相同。

特别地，第一支撑部320的第(2×N)个支撑件(其中N是至少为1的自然数)与第((2×N)-1)个支撑件间隔第一距离D1并且与第((2×N)+1)个支撑件间隔第二距离D2。

也就是说，偶数的支撑件与正好设置在该偶数支撑件上方的奇数支撑件间隔第一距离D1并且与正好设置在该偶数支撑件下方的奇数支撑件间隔第二距离D2。

例如，第一支撑部320的第一支撑件321和第二支撑件322彼此间隔第一距离D1，第二支撑件322与第三支撑件323间隔第二距离D2。第三支撑件323与第四支撑件324间隔第一距离D1。

下面，为便于说明，间隔第一距离D1并顺次设置的支撑件被称作单元组。在第一支撑部320，彼此邻近的两个单元组彼此间隔第二距离D2。也就是说，第一支撑件321和第二支撑件322形成一个单元组，第三支撑件323和第四支撑件324形成一个单元组。由于第二支撑件322第三支撑件323间隔第二距离D2，所以邻近单元组之间的距离为第二距离D2。

单元组的各支撑件之间的第一距离D1被设置成与各分度臂220之间的间隙相同。因此，分度自动装置200从缓冲单元300同时拾取在每个单元组中的两个晶片或向其中装载两个晶片。

各分度臂220之间的间隙被设置成等于FOUP 120a、120b、120c和120d(图1)的狭槽间隙。因此，分度自动装置200从FOUP 120a、120b、120c和120d同时拾取多个晶片或向其中装载多个晶片。

尽管在本实施例中第一支撑部320的两个支撑件形成一个单元组，但是形成一个单元组的支撑件的数量可以根据分别由分度自动装置200和主转移自动装置500一次装载到缓冲单元300和从其中拾取的晶片的数量增大。

由于两上邻近单元组间隔大于第一距离D1的第二距离D2，因此分度自动装置200和主转移自动装置500能够在缓冲单元300中有效地操作。

由于各支撑件之间的距离D1和D2减小，因此当分度臂220和拾取手部520拾取或装载晶片然后移动时，分度臂220和拾取手部520与设置在上下部分上的晶片碰撞的可能性增大。利用各单元组将装载晶片到缓冲单元300或从其中拾取晶片，且各单元组间隔相对较宽的第二距离D2，从而提供分度臂220和主转移自动装置500的拾取手部520移动所需的足够空间。

例如，第一距离D1可以设置为大约10mm，第二距离D2可以设置为20mm。

第一支撑部320和第二支撑部330的各支撑件可以设有引导晶片位置的导引部31。导引部31突出于支撑件的上表面并支撑晶片的侧面。

如上所述，缓冲单元300的顺次设置的支撑件之间的距离D1和D2与同时拾取或装载晶片的各分度臂220之间的间隙相同。因此，分度自动装置200一次从缓冲单元300取出多个晶片和向其中装载多个晶片，从而提高了可操作性和生产性并缩短了处理时间。

参照图1，主转移自动装置500将位于缓冲单元300中的原始晶片转移到各处理室610、620、630、640、650和660。主转移自动装置500设置在转移通道400上并沿着设置在转移通道400上的第二转移轨30移动。转移通道400与处理室610、620、630、640、650和660连接。

主转移自动装置500从缓冲单元300拾取原始晶片，然后沿着第二转移轨30移动，并将原始晶片供应到处理室610、620、630、640、650和660中的对应处理室中。此外，主转移自动装置500将在处理室610、620、630、640、650和660中处理过的晶片装载到缓冲单元300上。

图5是示出图1的主转移自动装置500的立体图。

参照图1和图4，主转移自动装置500可以包括手驱动部510、拾取手部520和转动部540。

特别地，手驱动部510水平移动各拾取手521、522、523和524。各拾取手521、522、523和524由手驱动部510独立地驱动。

手驱动部510的上部设有拾取手部520。各拾取手521、522、523和524沿垂直方向彼此面对，晶片被装载在每个拾取手521、522、523和524上。在本实施例中，主转移自动装置500设有四个拾取手521、522、523和524，但是拾取手521、522、523和524的数量可以根据基材处理系统1000的处理效率增大。

转移原始晶片的拾取手521、522可被称作装载拾取手，转移处理后晶片的拾取手523、524可被称作卸载拾取手。在这种情况下，装载拾取手521、522和卸载拾取手523、524独立地设置，而不是交替地设置。例如，卸载拾取手523、524可以设置在装载拾取手521、522的上方。因此，在转移原始晶片和处理后晶片的同时，主转移自动装置500防止处理后晶片被原始晶片所污染，从而提高产品产量。

各装载拾取手521、522从缓冲单元300取出原始晶片并向处理室610、620、630、640、650和660中未利用的处理室供应处理后晶片。装载拾取手521、522间隔第一距离D1(参照图4)，象缓冲单元300的每个单元组中的支撑件那样。因此，装载拾取手521、522可以从缓冲单元300同时取出各原始晶片。

各卸载拾取手523、524从处理室610、620、630、640、650和660取出已经完成处理的处理后晶片，然后将处理后晶片装载到缓冲单元300。卸载拾取手523、524间隔第一间隙。因此，卸载拾取手523、524可以将从处理室610、620、630、640、650和660取出的处理后晶片同时装载到缓冲单元300。

在本实施例中，装载拾取手521、522的数量和卸载拾取手523、524的数量分别为两个，但是其数量可以根据基材处理系统1000的处理效率增大。

例如，缓冲单元300的每个单元组中的支撑件的数量、一次从缓冲单元300取出多个晶片或向其中装载多个晶片的分度自动装置200中分度臂220的最大数量、以及一次从缓冲单元300取出多个晶片或向其中装载多个晶片的主转移自动装置500中拾取手521、522、523和524的最大数量相等。

同样地，主转移自动装置500一次从缓冲单元300取出多个原始晶片或一个原始晶片。此外，主转移自动装置500一次向缓冲单元300装载多个处理后晶片或一个处理后晶片。因此，由于主转移自动装置500缩短了转移晶片的时间，所以基材处理系统1000可以缩短处理时间并提高生产性。

转动部540设置在手驱动部510下方。转动部540与手驱动部510连接并旋转，从而转动手驱动部510。因此，拾取手521、522、523和524一起转动。

尽管图中未显示，但是垂直移动部设置在转动部540下方，水平移动部设置在垂直移动部下方。垂直移动部与转动部540连接并上下移动转动部540，从而调节手驱动部510和拾取手部520的垂直位置。水平移动部与第二转移轨30连接并沿着第二转移轨30移动。因此，主转移自动装置500在缓冲单元300与处理室610、620、630、640、650和660之间移动。

当在处理室610、620、630、640、650和660中同时或几乎同时完成处理时，主转移自动装置500从各处理室610、620、630、640、650和660卸载处理后晶片。具有卸载的晶片的主转移自动装置500移动到缓冲单元300并将晶片装载在缓冲单元300上。

例如，当在处理室610、620、630、640、650和660中的两个处理室中完成处理时，主转移自动装置500从缓冲单元300卸载两个原始晶片，然后移动到处理室610、620、630、640、650和660的两个处理室中被选定的处理室。主转移自动装置500从选定的处理室取出处理后晶片，然后将从缓冲单元300卸载的两个原始晶片中的一个原始晶片供应到处理室610、620、630、640、650和660的被选定处理室。主转移自动装置500具有一个处理后晶片和一个原始晶片并移动到处理室610、620、630、640、650和660的另一个处理室。主转移自动装置500从另一个处理室取出处理后晶片，然后将余下的原始晶片供应到另一个处理室。接下来，主转移自动装置500移动到缓冲单元300并将两个处理后晶片装载到缓冲单元300。

同样地，主转移自动装置500从处理室610、620、630、640、650和660的完成处理的一些处理室取出原始晶片，然后一次将原始晶片转移到缓冲单元300。因此，主转移自动装置500转移晶片的时间长短减小，从而减少了基材处理系统1000的处理时间并提高了生产性。

配置主转移自动装置500的转移通道400的两侧设有处理原始晶片并形成处理后晶片的各处理室610、620、630、640、650和660。在处理室610、620、630、640、650和660中进行的处理包括清洁原始晶片的清洁处理。处理室610、620、630、640、650和660中的每两个处理室彼此面对，转移通道400设置在两个处理室600之间。在转移通道400的两侧中的每一侧设有三个处理室600。

尽管在本实施例中基材处理系统1000包括6个处理室610、620、630、640、650和660，但是处理室610、620、630、640、650和660的数量可以根据基材处理系统1000的处理效率和占地面积条件增大或减小。此外，尽管在本实施例中处理室610、620、630、640、650和660以单层结构设置，但是可以多层结构将12个处理室分成每组6个处理室的两组。

主转移自动装置500与控制单元700连接。当从处理室610、620、630、640、650和660卸载处理后晶片时，控制单元700控制主转移自动装置500的交通线和卸载顺序。也就是说，控制单元700的操作使得已经在处理室610、620、630、640、650和660中的目前处理室中处理过的原始晶片根据原始晶片初始装载在FOUP 120a、120b、120c和120d中的顺序被取出。

例如，当FOUP 120a、120b、120c和120d具有25个狭槽并且第一个狭槽设置在最低位置和第一个至第25个狭槽顺次设置时，配置在第25个狭槽中的原始晶片首先装载到处理室610、620、630、640、650和660。控制单元700储存在处理室610、620、630、640、650和660中装载的晶片的槽位号，并检测在处理室610、620、630、640、650和660中的目前处理室中完成的处理后晶片的槽位号，从而生成晶片列表。控制单元700控制主转移自动装置500，从而根据晶片列表中从处理后晶片中最早的处理后晶片(即，具有最大槽位号的处理后晶片)到具有最小槽位号的处理后晶片的顺序取出处理后晶片。

下面，将结合附图详细说明使分度自动装置200和主转移自动装置500转移多个晶片的方法。

图6是示出在图1的基材处理系统1000中转移多个晶片的过程的流程图。图7是示出将晶片装载到图2的缓冲单元300的过程的示意图。图8是示出放置在图7的缓冲单元300上的晶片的部分示意图。

参照图1、图6和图7，在操作步骤S110中，分度自动装置200移动到从放置在装载/卸载单元110上的FOUP 120a、120b、120c和120d中被选定的FOUP，分度臂220的第一分度臂221和第二分度臂222插入到选定的FOUP中并拾取原始晶片11和12。因此，原始晶片11和12分别被装载在第一分度臂221和第二分度臂222上，使得分度自动装置200从FOUP 120a、120b、120c和120d中被选定的FOUP一次拾取两个原始晶片11和12。

在操作步骤S120中，分度自动装置200移动到缓冲单元300，第一分度臂221和第二分度臂222插入到缓冲单元300中，将原始晶片11和12同时装载到缓冲单元300上。此时，分度自动装置200将原始晶片11和12装载到缓冲单元300间隔第一距离D1的两个支撑件上。例如，参照图8，第一分度臂221在第一支撑部320和第二支撑部330的第三支撑件323上装载原始晶片12，同时，第二分度臂222在正好设置于第三支撑件323下方的第四支撑件324上装载原始晶片11。

图9是示出交通线的示意图，图7的主转移自动装置500沿着交通线转移晶片。

参照图6和图9，当在处理室610、620、630、640、650和660的至少两个处理室中同时或几乎同时完成处理时，主转移自动装置500移动到缓冲单元300。在操作步骤S130中，主转移自动装置500的装载拾取手521、522(参照图5)插入到缓冲单元300，从而同时拾取原始晶片11和12。因此，原始晶片11和12分别装载在拾取手521和522上，使得主转移自动装置500一次拾取两个原始晶片11和12。

在操作步骤S140中，主转移自动装置500移动到处理室610、620、630、640、650和660的两个处理室(即，处理室610、620、630、640、650和660的未利用的两个处理室)中被选定的处理室，然后从选定的处理室取出处理后晶片，并将原始晶片11和12中的一个原始晶片供应到被选定处理室。在操作步骤S150，主转移自动装置500移动到未利用的两个处理室中的另一个处理室，然后从未利用的两个处理室中的另一个处理室取出处理后晶片，并将原始晶片11和12中的另一个原始晶片供应到未利用的两个处理室中的另一个处理室。因此，处理后晶片分别放置在两个卸载拾取手523、524上。

在操作步骤S160中，主转移自动装置500将拾取的两个处理后晶片转移到缓冲单元300，并将拾取的两个处理后晶片一次装载到缓冲单元300。

例如，如果在邻近的第一处理室610和第二处理室620中同时完成处理，则主转移自动装置500从缓冲单元300取出两个原始晶片。接下来，主转移自动装置500移动到第一处理室610，并从第一处理室610取出处理后晶片，然后将一个原始晶片装载到第一处理室610。接下来，装载有从第一处理室610取出的处理后晶片的主转移自动装置500从第一处理室610移动到第二处理室620。接下来，主转移自动装置500从第二处理室620取出处理后晶片，然后将余下的原始晶片装载到第二处理室620。因此，两个处理后晶片装载在主转移自动装置500上。主转移自动装置500将从第一处理室610和第二处理室620取出的处理后晶片转移到缓冲单元300。

在图9中，参考符号CIM是指主转移自动装置500将原始晶片分别装载到第一处理室610和第二处理室620以及分别从其中取出处理后晶片的交通线，参考符号COM是指主转移自动装置500将从第一处理室610和第二处理室620取出的处理后晶片转移到缓冲单元300的交通线。

参照图6和图7，主转移自动装置500将放置在卸载拾取手523、524上的处理后晶片13和14一次装载缓冲单元300上。也就是说，卸载拾取手523、524插入到缓冲单元300，从而将处理后晶片13和14同时装载到缓冲单元300。例如，如图8所示，卸载拾取手523、524将处理后晶片13和14分别装载到间隔第一距离D1的两个支撑件上，例如，第二支撑件322和第一支撑件321。

当将晶片装载到缓冲单元300和从其中取出晶片时，分度自动装置200和主转移自动装置500可以同时访问缓冲单元300。缓冲单元300中的支撑件的邻近两个单元组间隔大于第一距离D1的第二距离D2，从而提供分度自动装置200和主转移自动装置500在缓冲单元300中操作的足够空间。这样可以防止将基材装载到缓冲单元300或从其中卸载基材的分度自动装置200与将基材装载到缓冲单元300或从其中卸载基材的主转移自动装置500彼此干扰。

在缓冲单元300中，原始晶片11和12与处理后晶片13和14隔开。也就是说，如图8所示，可以看到处理后晶片13和14装载在间隔第一距离D1的两个支撑件上，即，在缓冲单元300的单元组上，或者原始晶片11和12装载在间隔第一距离D1的两个支撑件上，即，在缓冲单元300的单元组上。此时，处理后晶片13和14装载在任一个邻近单元组上，并且原始晶片11和12装载在另一个邻近单元组上。

与此不同的是，第一支撑部320和第二支撑部330的所有支撑件可以分成上部和下部，使得处理后晶片13和14装载在上部的一些支撑件上，并且原始晶片11和12装载在下部的一些支撑件上。例如，当第一支撑部320和第二支撑部330中每一个的支撑件的数量为16个时，处理后晶片13和14可以装载在上部的8个支撑件的一些上，原始晶片11和12可以装载在下部的8个支撑件的一些上。

在操作步骤S160后，在操作步骤S170中，分度自动装置200移动到缓冲单元300，并且分度臂221、222、223和224中的两个分度臂插入到缓冲单元300，从而从缓冲单元300同时拾取两个处理后晶片13和14。然后，装载有两个处理后晶片13和14的分度自动装置200移动到FOUP 120a、120b、120c和120d中的对应FOUP。

在操作步骤S180中，分度自动装置200将两个处理后晶片13和14一次装载到对应FOUP。

下面，将结合附图详细说明主转移自动装置500从完成处理的多个处理室取出处理后晶片的顺序，并且以包括三个卸载拾取手的主转移自动装置500作为例子说明。

图10是示出图1的主转移自动装置500从处理室取出晶片的过程的流程图。

参照图1、图5和图10，在操作步骤S210中，控制单元700检测在完成处理的处理室中放置的各处理后晶片的槽位号，从而生成晶片列表。

在操作步骤S220中，控制单元700检测最早的处理后晶片，即，在晶片列表中具有最大槽位号的处理后晶片。

在操作步骤S230中，检测出的处理后晶片被设定为主转移自动装置500的第一卸载拾取手524拾取的处理后晶片，并且主转移自动装置500的第一卸载拾取手524从对应处理室拾取选定的处理后晶片。

在操作步骤S240，控制单元700判断在晶片列表中是否存在第一卸载拾取手524的处理后晶片之后的处理后晶片，即，槽位号顺序挨着第一卸载拾取手524的处理后晶片的处理后晶片。

当在操作步骤S240中判断出存在第一卸载拾取手524的处理后晶片之后的处理后晶片时，在操作步骤S250中，第一卸载拾取手524的处理后晶片之后的处理后晶片被设定为正好设置在第一卸载拾取手524下方的第二拾取手523的处理后晶片，然后第二拾取手523从对应处理室拾取设定的处理后晶片。

当在操作步骤S240中判断出不存在第一卸载拾取手524的处理后晶片之后的处理后晶片时，在操作步骤S260中，除了第一卸载拾取手524的处理后晶片之外的在晶片列表中具有最大槽位号的处理后晶片被设定为第二拾取手523的处理后晶片，并且第二拾取手523从对应处理室拾取设定的处理后晶片。

尽管在图5中主转移自动装置500包括两个卸载拾取手523、524和两个装载拾取手521、522，但是主转移自动装置500可以包括三个卸载拾取手和三个装载拾取手。

当主转移自动装置500包括三个卸载拾取手时，在操作步骤S270中，控制单元700判断在晶片列表中是否存在第二拾取手523的处理后晶片之后的处理后晶片，即，槽位号顺序挨着第二拾取手523的处理后晶片的处理后晶片。

当在操作步骤S270中判断出存在第二卸载拾取手523的处理后晶片之后的处理后晶片时，在操作步骤S280中，第二卸载拾取手523的处理后晶片之后的处理后晶片被设定为正好设置在第二卸载拾取手523下方的第三拾取手(图未示)的处理后晶片，然后第三拾取手从对应处理室拾取设定的处理后晶片。

当在操作步骤S270中判断出不存在第二卸载拾取手523的处理后晶片之后的处理后晶片时，在操作步骤S290中，除了第二卸载拾取手523的处理后晶片之外的在晶片列表中具有最大槽位号的处理后晶片被设定为第三拾取手的处理后晶片，并且第三拾取手从对应处理室拾取设定的处理后晶片。

在操作步骤S310中，主转移自动装置500将放置在第一至第三拾取手部上的处理后晶片转移到缓冲单元300，并将处理后晶片顺次装载在缓冲单元300上。

同样地，当取出在处理室中处理的晶片时，主转移自动装置500根据处理后晶片的槽位号顺次取出处理后晶片。因此，主转移自动装置500依照槽位号顺序将处理后晶片装载到缓冲单元300上，使得分度自动装置200将各处理后晶片一次装载到对应FOUP上。因此，基材处理系统1000有效地转移了晶片，减少了转移晶片所需的时间，并且提高了生产性。

上述公开的主题应被认为是说明性的，而不是限制性的，并且所附权利要求书意图覆盖落入本发明真正精神和范围内的所有修改、增加和其他实施例。因此，在法律允许的最大程度内，本发明的范围应根据所附权利要求和其等同物的最宽可允许解释来确定，而不应受到上述详细说明的约束或限制。

Claims (11)

1.一种基材处理设备，包括：

多个处理室，在每个处理室中处理基材；

缓冲单元，储存将要在所述处理室中装载的基材和在所述处理室中处理过的基材；和

转移件，包括多个水平可动的拾取手，基材分别放置在各拾取手上，所述转移件在所述处理室和所述缓冲单元之间转移基材，所述转移件收集在同时完成处理的至少两个处理室中处理过的基材，从而将处理过的基材一次转移到所述缓冲单元。

2.如权利要求1所述的基材处理设备，其中所述各拾取手沿垂直方向彼此间隔面对，并且每个拾取手与一个或多个邻近的拾取手间隔第一距离，和

所述缓冲单元包括沿垂直方向间隔的多个支撑件，各支撑件支撑基材的端部，并且沿垂直方向顺次配置的至少两个支撑件间隔第一距离。

3.如权利要求2所述的基材处理设备，其中所述支撑件包括多个单元组，每个单元组包括顺次间隔第一距离的支撑件，和

两个邻近的单元组彼此间隔大于第一距离的第二距离。

4.如权利要求2所述的基材处理设备，其中所述转移件从所述缓冲单元一次拾取一个或多个等待处理的基材，并将一个或多个处理过的基材一次装载到所述缓冲单元。

5.如权利要求2所述的基材处理设备，其中所述缓冲单元包括具有用于存取基材的至少一个敞开侧壁并提供用于储存基材的空间的主体，和

多个支撑件分别设置在所述主体内彼此面对的两个内壁上。

6.如权利要求2所述的基材处理设备，包括：

储存容器，储存等待处理的基材或处理过的基材；和

分度自动装置，用于从所述储存容器取出等待处理的基材并将等待处理的基材装载到所述缓冲单元，以及从所述缓冲单元取出处理过的基材并将处理过的基材装载到所述储存容器。

7.如权利要求6所述的基材处理设备，其中所述分度自动装置包括多个分度臂，基材放置在每个分度臂上，和

所述各分度臂沿垂直方向彼此间隔面对，并且每个分度臂与一个或多个邻近的分度臂间隔第一距离。

8.一种转移基材的方法，所述方法包括：

利用转移件从缓冲单元取出将要处理的基材，并将基材供应到在其内处理基材的多个处理室；

利用所述转移件从所述处理室取出处理过的基材；和

利用所述转移件将处理过的基材装载到所述缓冲单元，

其中所述转移件收集在同时完成处理的至少两个处理室中处理过的基材，并将处理过的基材一次转移到所述缓冲单元。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述转移件将至少一个处理过的基材一次装载到所述缓冲单元。

10.如权利要求8所述的方法，还包括：

利用分度自动装置从储存容器取出将要处理的基材，并在所述缓冲单元中装载将要处理的基材；和

利用分度自动装置从所述缓冲单元取出处理过的基材，并在所述储存容器中装载处理过的基材，

其中所述分度自动装置在所述缓冲单元中一次装载至少一个将要处理的基材。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述分度自动装置从所述缓冲单元一次取出至少一个处理过的基材。

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