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CN101935455A - 一种led封装用有机硅材料及其制备方法 - Google Patents

一种led封装用有机硅材料及其制备方法 Download PDF

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CN101935455A CN 201010239022 CN201010239022A CN101935455A CN 101935455 A CN101935455 A CN 101935455A CN 201010239022 CN201010239022 CN 201010239022 CN 201010239022 A CN201010239022 A CN 201010239022A CN 101935455 A CN101935455 A CN 101935455A
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华西林
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Abstract

本发明涉及一种LED封装用有机硅材料及其制备方法。本发明需要解决的技术问题是,使产品的光学、机械力学性能,与支架的粘结力有较大提高。本发明有机硅材料,其特征在于由A组分为乙烯基聚硅氧烷,B组分为含氢聚硅氧烷,按照质量比0.3:1~1:30混合,然后加入D组分乙烯基MQ树脂、E组分为乙烯基三甲氧基硅烷、钛酸正丁酯、KH-560中一种或几种的混合物和催化剂C组分,混合均匀后制备而成。本发明需要解决的另一技术问题是,使制备方法清洁无污染,本发明制备方法,按照比例将各组分混合均匀后,经室温真空脱泡5~30min,硫化温度为20~150℃下硫化成型。

Description

一种LED封装用有机硅材料及其制备方法
技术领域
 本发明涉及一种高分子化合物的组合物,具体是一种LED封装用有机硅材料及其制备方法。
背景技术
发光二极管(LED)照明消耗的电能仅是传统光源的1/10,具有不使用严重污染环境的汞、体积小、寿命长等特点,首先进入工业设备、仪器仪表、交通信号灯、汽车、背光源等特种照明领域。随着LED性能的改进,LED有望取代白炽灯、荧光灯等传统光源而成为第四代照明光源。
目前,用于LED封装多是一些热塑性树脂如聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、光学尼龙和热固性环氧树脂等。然而,随着LED亮度的提高和功率的加大,这些材料因耐热性不好,易产生色变,导致光衰,以至严重影响LED的使用性能,并大大缩减产品的使用寿命。因此,需要寻求新的替代材料。有机硅材料因具有良好的耐热性、耐候性、抗潮性、耐冷热冲击性等,受到研究者的青睐。国外从事这方面研究较早,已经成功开发出一系列产品。
而国内目前只有少数人从事这类材料的研究工作,主要是通过有机硅改性环氧树脂(见中国专利文献CN1978526、CN101085855、CN101525466和CN101525467),虽然性能有所改善,但与国外产品相比,差距很大。而对于纯有机硅产品的研究,还处于起步阶段,还没有同类产品上市。目前有专利报道的是中国科学院成都有机化学有限公司的刘白玲等(中国发明专利CN101619170A)用含乙烯基硅烷与含氯硅烷共水解制备乙烯基基础聚合物,然后用含氢硅烷与含氯硅烷共水解制备含氢交联剂,然后将量组分按照一定比例混合均匀,在铂络合物催化剂催化下通过硅氢加成工艺硫化获得无色、透明、耐热、低吸水率、无色变的LED封装用材料。该方法需要经水洗-中和工序,会产生大量的废酸,污染环境,腐蚀设备,劳动强度较大。成都硅宝科技股份有限公司的熊婷等(CN 101544881A)用α,ω-二羟基聚二甲基硅氧烷为主要原料,在钛酸酯络合物、二丁基月桂酸锡等催化下制备了缩合型LED封装材料。通常,缩合型硅橡胶收缩率较大,容易因缩合反应释放出小分子化合物而产生气泡。
总体而言,目前国内使用的LED封装用有机硅材料主要靠进口,价格昂贵,生产受到国外专利限制,这严重制约了LED产业的发展。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是,使产品的光学、机械力学性能,与支架的粘结力有较大提高。
本发明需要解决的另一技术问题是,使制备方法清洁无污染。
本发明的LED封装用有机硅材料,其特征在于由A组分和B组分按照质量比0.3 : 1 ~ 1 : 30混合,然后加入D组分、E组分和催化剂C组分,混合均匀后制备而成;所述的A组分为乙烯基聚硅氧烷,所述的B组分为含氢聚硅氧烷,所述的C组分为铂络合物和抑制剂的混合物,C组分的用量按铂络合物的用量是铂金属元素质量为所有组分的1~60ppm(优选为1~30ppm,更优选为2~10ppm),且抑制剂与铂原子的摩尔比为2~150 :1(优选为15~50:1)。本发明有机硅材料的强度和硬度,可以通过添加D组分(用于增加封装材料的机械强度和硬度)和E组分(用于增加封装材料与LED封装支架的粘结力)进行调节。
所述的D组分是结构式为(Me3SiO)e(MeViSiO)fSiO2的乙烯基MQ树脂,式中(e+f)=0.55~1.65(优选为0.75~1.25),f/(e+f)=0.0005~0.45(优选为0.005~0.25),其用量为除E组分外所有组分的0~60wt%(优选为5~40wt%)。
所述的E组分是正硅酸乙酯、乙烯基三甲氧基硅烷、硼酸正丁酯、硼酸异丙酯、异辛酸钛、异辛酸锆、钛酸正丁酯、钛酸异丙酯、KH-171、KH-560和KH-570中的一种或者几种的混合物,或者一种或几种的水解物(优选为乙烯基三甲氧基硅烷、硼酸异丙酯、异辛酸钛、钛酸正丁酯、KH-560和KH-570中的一种或者几种的混合物,或者一种或几种的水解物,最优为乙烯基三甲氧基硅烷、钛酸正丁酯、KH-560中一种或几种的混合物,或者它们的水解物);E组分用量为所有其它组分的0~8.0wt%(优选为0.05~2.0wt%);
所述的A组分乙烯基硅油,是八甲基环四硅氧烷、四甲基四乙烯基环四硅氧烷和封头剂按照摩尔比3~550:0~90:1,在催化剂作用下,于70~150℃下聚合0.5~12h,聚合完毕后去除催化剂而得,乙烯基硅油分子结构式为Me2R1SiO(Me2SiO)a(MeViSiO)bSiR1Me2,式中a=12~2200的正数,b=0~360的正数,R1为-CH3或-CH=CH2
所用催化剂为四甲基氢氧化铵、四甲基氢氧化铵硅醇盐、NaOH、KOH中的一种或几种的混合物(优选为四甲基氢氧化铵硅醇盐);所用封头剂为1,1,3,3,-四甲基-1,3-二乙烯基二硅氧烷(即乙烯基双封头)、二甲基乙烯基硅氧烷(即乙烯基单封头)、六甲基二硅氧烷、十甲基四硅氧烷、 1,3-二甲基-1,1,3,3-四苯基-二硅氧烷中的一种或几种的混合物(优选为乙烯基双封头);当催化剂为四甲基氢氧化铵、四甲基氢氧化铵硅醇盐时,需加热至135~180℃分解催化剂直至尾气为中性,当催化剂为NaOH、KOH时,需用中和剂——稀硫酸、稀磷酸或稀盐酸进行中和至中性。
所述的B组分含氢硅油,是八甲基环四硅氧烷D4、四甲基四氢环四硅氧烷D4 H和封头剂按照摩尔比1.25~212.5 : 0.75~100 : 1,在催化剂作用下,在20~100℃下聚合0.5~24h,聚合完毕后除去催化剂而得,其分子结构为Me2R2SiO(Me2SiO)c(MeHSiO)dSiR2Me2, 式中c=5~850的正数,d=3~400的正数,R2为-CH3或H;
所用催化剂为大孔径阳离子交换树脂、SO4 2-/MxOy型固体超强酸、SO4 2-/MxOy/Ln3+型稀土固体超强酸、酸性白土、98%浓硫酸、70%浓硫酸、50%浓硫酸等中的一种或几种的混合物,优选为大孔径阳离子交换树脂或稀土固体超强酸;封端剂为1,1,3,3-四甲基-1,3-二氢二硅氧烷、α,ω-二硅氢基含氢硅油、α,ω-三硅甲基含氢硅油、α,ω-二甲基苯基硅基含氢硅油、α,ω-三硅苯基含氢硅油、六甲基二硅氧烷、十甲基四硅氧烷、1,3-二甲基-1,1,3,3-四苯基-二硅氧烷、α,ω-二硅氢基聚硅氧烷、α,ω-三硅甲基聚硅氧烷、α,ω-二甲基苯基硅基聚硅氧烷、α,ω-三硅苯基聚硅氧烷中的一种或几种的混合物(优选为1,1,3,3-四甲基-1,3-二氢二硅氧烷);当催化剂为大孔径阳离子交换树脂、SO4 2-/MxOy型固体超强酸、SO4 2-/MxOy/Ln3+型稀土固体超强酸、酸性白土中的一种或几种时,只需过滤即可除去催化剂,当催化剂为98%浓硫酸、70%浓硫酸、50%浓硫酸时,用水洗至中性,或用中和剂——碳酸钠、碳酸氢钠、磷酸氢钠或磷酸二氢钠进行中和至中性。
所述的C组分中的铂络合物为氯铂酸、 H2PtCl6 的异丙醇溶液, H2PtCl6的四氢呋喃溶液、Pt(PPh3)4、Cp2PtCl2、甲基乙烯基硅氧烷配位的铂络合物、邻苯二甲酸二乙酯配位的铂络合物、双环戊二烯二氯化铂、二氯双(三苯基膦)的铂络合物中的一种或几种的混合物,铂络合物优选为氯铂酸 、 H2PtCl6 的异丙醇溶液, H2PtCl6的四氢呋喃溶液、甲基乙烯基硅氧烷配位的铂络合物中的一种或几种,更优选为甲基乙烯基硅氧烷配位的铂络合物;C组分中的抑制剂为喹啉、吡啶、叔丁基过氧化氢、丙炔醇、四甲基丁炔醇中的一种或几种的混合物,抑制剂优选为丙炔醇、四甲基丁炔醇中的一种或两种的混合物;最优为四甲基丁炔醇。
本发明的制备方法,按照比例将各组分混合均匀后,真空脱泡时间为5~30min,硫化温度为20~150℃。
与现有技术相比,本发明的有益效果如下:
(1)本发明采用环硅氧烷开环共聚合的方法制备乙烯基聚硅氧烷和含氢聚硅氧烷,清洁无污染,劳动强度低,便于产业化;
(2)通过加入D组分补强填料MQ树脂,提高产品的机械力学性能的同时,有利于提高封装材料与支架的粘结力;
(3)加入E组分,在不影响产品的透光率、硫化速率和存储时间的前提下,改善了封装材料与支架的粘结力。
本发明方法得到的有机硅材料,折光率可达1.41,硬度0-80 shore A,透光率>98%,可操作时间>24h,硫化温度为20~150℃,非常适合于LED的灌封、贴片式封装等,还可以应用于光学透镜、太阳能电池基板、触摸屏等领域。
具体实施方式
本发明可通过如下的实施例进一步说明,但实施例不是对本发明保护范围的限制。
实施例1
1)向250ml干净的三口瓶中加入150g D4,5.16g D4 Vi在-0.096MPa/35~40℃下脱除水分,然后加入2.79g 乙烯基双封头和3.16g四甲基氢氧化铵硅醇盐,在100℃聚合3h,然后升温至145~160℃之间分解催化剂约3h,然后在-0.096MPa/180℃下脱低分子化合物,得到120g A组分Me2ViSiO(Me2SiO)135.1(MeViSiO)4SiViMe2
2)向250ml干净的三口瓶中加入150g D4在-0.096MPa/35~40℃下脱除水分,然后加入4.32g D4 H ,1.98g 含氢双封头和7.82 g大孔径阳离子交换树脂,在70℃聚合5h,然后过滤,将清液在-0.096MPa/180℃下脱低分子化合物,得到125g B组分Me2HSiO(Me2SiO)137.1(MeHSiO)4.9SiHMe2
3)取上述所得A组分和B组分各10g,加入0.030g(约8ppm)的铂络合物催化剂,混合均匀后,经真空脱泡15min,于100℃下硫化2h,得产品折光率1.41,硬度为0,用紫外分光光度计测得透光率96.5%。
实施例2
取实施例1中所得A组分Me2ViSiO(Me2SiO)135.1(MeViSiO)4SiViMe10g和B组分Me2HSiO(Me2SiO)137.1(MeHSiO)4.9SiHMe2 11.8 g,加入结构式为(Me3SiO)0.97(MeViSiO)0.03 SiO2  的D 组分4.36g,加入10ml甲苯溶解完毕后,用旋转蒸发仪除去甲苯,再加入0.033g(约10ppm)的铂络合物催化剂,混合均匀后,经真空脱泡20 min,于100℃下硫化2.5h,折光率1.41,硬度为40 shore A组分,拉伸强度2.39MPa,伸长率75%,用紫外分光光度计测得透光率94.8%。
实施例3
取实施例1中所得A组分Me2ViSiO(Me2SiO)135.1(MeViSiO)4SiViMe10g和B组分Me2HSiO(Me2SiO)137.1(MeHSiO)4.9SiHMe2 11.8 g,加入结构式为(Me3SiO)0.97(MeViSiO)0.03 SiO2  的D组分4.36g,加入10ml甲苯溶解完毕后,用旋转蒸发仪除去甲苯,再加入0.033g(约10ppm)的铂络合物催化剂,0.2616g乙烯基三甲氧基硅烷(1.0 wt%)混合均匀后,经真空脱泡20 min,于100℃下硫化2.5h,折光率1.41,硬度为40 shore A,拉伸强度2.89MPa,伸长率88%,用紫外分光光度计测得透光率95.0%。
实施例4
取实施例1中所得A组分Me2ViSiO(Me2SiO)135.1(MeViSiO)4SiViMe10g和B组分Me2HSiO(Me2SiO)137.1(MeHSiO)4.9SiHMe2 11.8 g,加入结构式为(Me3SiO)0.97(MeViSiO)0.03 SiO2  的D组分 4.36g,加入10ml甲苯溶解完毕后,用旋转蒸发仪除去甲苯,再加入0.033g(约10ppm)的铂络合物催化剂, 0.1308g乙烯基三甲氧基硅烷(0.5wt%)和0.1308g(0.5wt%)钛酸正丁酯,混合均匀后,经真空脱泡20 min,于100℃下硫化2 h,折光率1.41,硬度为42 shore A,拉伸强度2.95 MPa,伸长率95 %,用紫外分光光度计测得透光率94.5%。
实施例5
取实施例1中所得A组分Me2ViSiO(Me2SiO)135.1(MeViSiO)4SiViMe10g和B组分Me2HSiO(Me2SiO)137.1(MeHSiO)4.9SiHMe2 11.8 g,加入结构式为(Me3SiO)0.97(MeViSiO)0.03 SiO2  的D组分 4.36g,加入10ml甲苯溶解完毕后,用旋转蒸发仪除去甲苯,再加入0.033g(约10ppm)的铂络合物催化剂。将0.0872g乙烯基三甲氧基硅烷(0.33wt%)、0.0872g(0.33wt%)钛酸正丁酯和0.0872g KH-560在80℃下共水解5h,除去水分和副产物后加入到胶料中,混合均匀后,经真空脱泡20 min,于100℃下硫化2 h,折光率1.41,硬度为38 shore A,拉伸强度3.25 MPa,伸长率110 %,用紫外分光光度计测得透光率98.0%。
实施例6
取实施例1中所得A组分Me2ViSiO(Me2SiO)135.1(MeViSiO)4SiViMe10g和B组分Me2HSiO(Me2SiO)137.1(MeHSiO)4.9SiHMe2 11.0 g,加入结构式为(Me3SiO)0.97(MeViSiO)0.03 SiO2  的D组分 2.1g,加入10ml甲苯溶解完毕后,用旋转蒸发仪除去甲苯,再加入0.0144g(约5ppm)的铂络合物催化剂,混合均匀后,经真空脱泡20 min,于100℃下硫化3 h,折光率1.41,硬度为25 shore A,拉伸强度1.26 MPa,伸长率125 %,用紫外分光光度计测得透光率98.5 %。
实施例7
取实施例1中所得A组分Me2ViSiO(Me2SiO)135.1(MeViSiO)4SiViMe10g和B组分Me2HSiO(Me2SiO)137.1(MeHSiO)4.9SiHMe11.36 g,加入结构式为(Me3SiO)0.97(MeViSiO)0.03 SiO2  的D组分3.20 g,加入10ml甲苯溶解完毕后,用旋转蒸发仪除去甲苯,再加入0.0092g(约3ppm)的铂络合物催化剂,混合均匀后,经真空脱泡20 min,于100℃下硫化4 h,折光率1.41,硬度为31 shore A,拉伸强度1.85 MPa,伸长率118 %,用紫外分光光度计测得透光率96.2 %。
实施例8
取实施例1中所得A组分Me2ViSiO(Me2SiO)135.1(MeViSiO)4SiViMe10g和B组分Me2HSiO(Me2SiO)137.1(MeHSiO)4.9SiHMe12.2 g,加入结构式为(Me3SiO)0.97(MeViSiO)0.03 SiO2  的D 5.55 g,加入10ml甲苯溶解完毕后,用旋转蒸发仪除去甲苯,再加入0.0092g(约3ppm)的铂络合物催化剂,混合均匀后,经真空脱泡20 min,于100℃下硫化4 h,折光率1.41,硬度为45 shore A,拉伸强度2.45 MPa,伸长率70 %,用紫外分光光度计测得透光率94.2 %。
实施例9
取实施例1中所得A组分Me2ViSiO(Me2SiO)135.1(MeViSiO)4SiViMe10g和B组分Me2HSiO(Me2SiO)137.1(MeHSiO)4.9SiHMe 12.67 g,加入结构式为(Me3SiO)0.97(MeViSiO)0.03 SiO2  的D组分 6.80 g,加入10ml甲苯溶解完毕后,用旋转蒸发仪除去甲苯,再加入0.0221 g(约6ppm)的铂络合物催化剂,混合均匀后,经真空脱泡30 min,于100℃下硫化1.5 h,折光率1.41,硬度为52 shore A,拉伸强度2.30 MPa,伸长率55 %,用紫外分光光度计测得透光率93.0 %。
实施例10
取实施例1中所得A组分Me2ViSiO(Me2SiO)135.1(MeViSiO)4SiViMe10g和B组分Me2HSiO(Me2SiO)137.1(MeHSiO)4.9SiHMe13.64 g,加入结构式为(Me3SiO)0.97(MeViSiO)0.03 SiO2  的D组分 9.46 g,加入10ml甲苯溶解完毕后,用旋转蒸发仪除去甲苯,再加入0.012 g(约3ppm)的铂络合物催化剂,混合均匀后,经真空脱泡30 min,于100℃下硫化1.5 h,折光率1.41,硬度为64 shore A,拉伸强度1.85 MPa,伸长率24 %,用紫外分光光度计测得透光率91.0 %。
实施例11
1)向250ml干净的三口瓶中加入150g D4在-0.096MPa/35~40℃下脱除水分,然后加入2.79g 乙烯基双封头和3.16g四甲基氢氧化铵硅醇盐,在100℃聚合3h,然后升温至145~160℃之间分解催化剂约5h,然后在-0.096MPa/180℃下脱低分子化合物,得到125g A组分Me2ViSiO(Me2SiO)135.1SiViMe2
2)向250ml干净的三口瓶中加入150g D4在-0.096MPa/35~40℃下脱除水分,然后加入4.32g D4 H ,1.98g 含氢双封头和7.82 g大孔径阳离子交换树脂,在70℃聚合5h,然后过滤,将清液在-0.096MPa/180℃下脱低分子化合物,得到125g B组分Me2HSiO(Me2SiO)137.1(MeHSiO)4.9SiHMe2
3)取上述所得A组分Me2ViSiO(Me2SiO)135.1SiViMe2 9g和B组分Me2HSiO(Me2SiO)137.1(MeHSiO)4.9SiHMe2 4g,加入0.0163g(约10ppm)的铂络合物催化剂,混合均匀后,经真空脱泡15min,于100℃下硫化3h,折光率1.41,硬度为0,用紫外分光光度计测得透光率97.2%。
实施例12
1)向250ml干净的三口瓶中加入150g D4在-0.096MPa/35~40℃下脱除水分,然后加入0.558g 乙烯基双封头和3.16g四甲基氢氧化铵硅醇盐,在100℃聚合3h,然后升温至145~160℃之间分解催化剂约5h,然后在-0.096MPa/180℃下脱低分子化合物,得到122g A组分Me2ViSiO(Me2SiO)675.7SiViMe2
2)向250ml干净的三口瓶中加入15g D4在-0.096MPa/35~40℃下脱除水分,然后加入145 g D4 H ,1.98g 含氢双封头和7.82 g大孔径阳离子交换树脂,在70℃聚合2 h,然后过滤,将清液在-0.096MPa/180℃下脱低分子化合物,得到115 g B组分Me2HSiO(Me2SiO)13.7 (MeHSiO)163.5SiHMe2
3)取上述所得A 28.5 g和B 1.0g,加入0.011g(约3ppm)的铂络合物催化剂,混合均匀后,经真空脱泡15min,于150℃下硫化0.5 h,折光率1.41,硬度为25 shore A,伸长率320%,用紫外分光光度计测得透光率98.0%。
实施例13
取实施例12中所得A组分Me2ViSiO(Me2SiO)675.7SiViMe2 28.5g和B组分Me2HSiO(Me2SiO)13.7(MeHSiO)163.5SiHMe1.0 g,加入结构式为(Me3SiO)0.87(MeViSiO)0.03 SiO2  的D组分 5.9 g,加入10ml甲苯溶解完毕后,用旋转蒸发仪除去甲苯,再加入0.0178g(约4ppm)的铂络合物催化剂,0.2616g的E组分乙烯基三甲氧基硅烷(1.0 wt%)混合均匀后,经真空脱泡20 min,于80℃下硫化4 h,折光率1.41,硬度为48 shore A,拉伸强度3.52 MPa,伸长率86%,用紫外分光光度计测得透光率95.5%。
实施例14
取实施例12中所得A组分Me2ViSiO(Me2SiO)675.7SiViMe2 28.5g和B组分Me2HSiO(Me2SiO)13.7(MeHSiO)163.5SiHMe2 1.0 g,加入结构式为(Me3SiO)1.0(MeViSiO)0.10 SiO2  的D组分 5.9 g,加入10ml甲苯溶解完毕后,用旋转蒸发仪除去甲苯,再加入0.0178g(约4ppm)的铂络合物催化剂,0.3540g的E组分乙烯基三甲氧基硅烷(1.0 wt%)混合均匀后,经真空脱泡20 min,于80℃下硫化4 h,折光率1.41,硬度为55 shore A,拉伸强度3.86 MPa,伸长率65%,用紫外分光光度计测得透光率93.5%。
实施例15
取实施例12中所得A组分Me2ViSiO(Me2SiO)675.7SiViMe2 28.5g和B组分Me2HSiO(Me2SiO)13.7(MeHSiO)163.5SiHMe2 1.2 g,加入结构式为(Me3SiO)0.8(MeViSiO)0.30 SiO2  的D 6.0 g,加入10ml甲苯溶解完毕后,用旋转蒸发仪除去甲苯,再加入0.0178g(约4ppm)的铂络合物催化剂,0.118g乙烯基三甲氧基硅烷(0.33wt%), 0.118g钛酸异丙酯(0.33wt%)和0.118g KH-560(0.33wt%),混合均匀后,经真空脱泡30 min,于60℃下硫化6h,折光率1.41,硬度为65 shore A,拉伸强度3.92 MPa,伸长率40%,用紫外分光光度计测得透光率91.5%。
实施例16
1)向250ml干净的三口瓶中加入135g D4和15g D4 Vi在-0.096MPa/35~40℃下脱除水分,然后加入0.78g 乙烯基双封头和3.16g四甲基氢氧化铵硅醇盐,在100℃聚合3h,然后升温至145~160℃之间分解催化剂约5h,然后在-0.096MPa/180℃下脱低分子化合物,得到124g A组分Me2ViSiO(Me2SiO)435.4(MeViSiO)41.6SiViMe2
2)向250ml干净的三口瓶中加入35g D4在-0.096MPa/35~40℃下脱除水分,然后加入115 g D4 H ,0.96g 含氢双封头和7.82 g大孔径阳离子交换树脂,在70℃聚合2 h,然后过滤,将清液在-0.096MPa/180℃下脱低分子化合物,得到115 g B组分Me2HSiO(Me2SiO)65.1(MeHSiO)263.6SiHMe2
3)取上述所得A 组分10.5 g和B组分 1.1g,加入结构式为(Me3SiO)0.65(MeViSiO)0.45 SiO2  的D组分 2.1 g,加入10ml甲苯溶解完毕后,用旋转蒸发仪除去甲苯,再加入0.0086g(约5ppm)的铂络合物催化剂,0.137g乙烯基三甲氧基硅烷(1.0wt%),混合均匀后,经真空脱泡30 min,于25℃下硫化24 h,折光率1.41,硬度为76 shore A,拉伸强度2.95 MPa,伸长率80%,用紫外分光光度计测得透光率92.5%。

Claims (7)

1. 一种LED封装用有机硅材料,其特征在于由A组分和B组分按照质量比0.3 : 1 ~ 1 : 30混合,然后加入D组分、E组分和催化剂C组分,混合均匀后制备而成;
所述的A组分为乙烯基聚硅氧烷,所述的B组分为含氢聚硅氧烷,所述的C组分为铂络合物和抑制剂的混合物,C组分的用量按铂络合物的用量是铂金属元素质量为所有组分的1~60ppm,且抑制剂与铂原子的摩尔比为2~150 :1;
所述的D组分是结构式为(Me3SiO)e(MeViSiO)fSiO2的乙烯基MQ树脂,式中(e+f)=0.55~1.65,f/(e+f)=0.0005~0.45,其用量为除E组分外所有组分的0~60wt%;
所述的E组分是正硅酸乙酯、乙烯基三甲氧基硅烷、硼酸正丁酯、硼酸异丙酯、异辛酸钛、异辛酸锆、钛酸正丁酯、钛酸异丙酯、KH-171、KH-560和KH-570中的一种或者几种的混合物,或者一种或几种的水解物,其用量为所有其它组分的0~8.0wt%。
2.根据权利要求1所述的LED封装用有机硅材料,其特征在于所述的A组分乙烯基硅油,是八甲基环四硅氧烷、四甲基四乙烯基环四硅氧烷和封头剂按照摩尔比3~550 : 0~90 :1,在催化剂作用下,于70~150℃下聚合0.5~12h,聚合完毕后去除催化剂获得乙烯基硅油,其分子结构式为Me2R1SiO(Me2SiO)a(MeViSiO)bSiR1Me2,式中a=12~2200的正数,b=0~360的正数,R1为-CH3或-CH=CH2
所用催化剂为四甲基氢氧化铵、四甲基氢氧化铵硅醇盐、NaOH、KOH中的一种或几种的混合物;所用封头剂为1,1,3,3,-四甲基-1,3-二乙烯基二硅氧烷、二甲基乙烯基硅氧烷、六甲基二硅氧烷、十甲基四硅氧烷、 1,3-二甲基-1,1,3,3-四苯基-二硅氧烷中的一种或几种的混合物; 当催化剂为四甲基氢氧化铵、四甲基氢氧化铵硅醇盐时,需加热至135~180℃分解催化剂直至尾气为中性,当催化剂为NaOH、KOH时,需用中和剂——稀硫酸、稀磷酸或稀盐酸进行中和至中性。
3.根据权利要求1所述的LED封装用有机硅材料,其特征在于所述的B组分含氢硅油,是八甲基环四硅氧烷、四甲基四氢环四硅氧烷和封头剂按照摩尔比1.25~212.5 : 0.75~100 : 1,在催化剂作用下,在20~100℃下聚合0.5~24h,聚合完毕后除去催化剂所得,其分子结构为Me2R2SiO(Me2SiO)c(MeHSiO)dSiR2Me2, 式中c=5~850的正数,d=3~400的正数,R2为-CH3或H;
所用催化剂为大孔径阳离子交换树脂、SO4 2-/MxOy型固体超强酸、SO4 2-/MxOy/Ln3+型稀土固体超强酸、酸性白土、98%浓硫酸、70%浓硫酸、50%浓硫酸中的一种或几种的混合物;封端剂为1,1,3,3-四甲基-1,3-二氢二硅氧烷、α,ω-二硅氢基含氢硅油、α,ω-三硅甲基含氢硅油、α,ω-二甲基苯基硅基含氢硅油、α,ω-三硅苯基含氢硅油、六甲基二硅氧烷、十甲基四硅氧烷、1,3-二甲基-1,1,3,3-四苯基-二硅氧烷、α,ω-二硅氢基聚硅氧烷、α,ω-三硅甲基聚硅氧烷、α,ω-二甲基苯基硅基聚硅氧烷、α,ω-三硅苯基聚硅氧烷中的一种或几种的混合物;当催化剂为大孔径阳离子交换树脂、SO4 2-/MxOy型固体超强酸、SO4 2-/MxOy/Ln3+型稀土固体超强酸、酸性白土中的一种或几种时,只需过滤即可除去催化剂,当催化剂为98%浓硫酸、70%浓硫酸、50%浓硫酸时,用水洗至中性,或用中和剂——碳酸钠、碳酸氢钠、磷酸氢钠或磷酸二氢钠进行中和至中性。
4.根据权利要求1所述的LED封装用有机硅材料,其特征在于所述的C组分中的铂络合物为氯铂酸、 H2PtCl6 的异丙醇溶液, H2PtCl6的四氢呋喃溶液、Pt(PPh3)4、Cp2PtCl2、甲基乙烯基硅氧烷配位的铂络合物、邻苯二甲酸二乙酯配位的铂络合物、双环戊二烯二氯化铂、二氯双(三苯基膦)的铂络合物中的一种或几种的混合物;C组分中的抑制剂为喹啉、吡啶、叔丁基过氧化氢、丙炔醇、四甲基丁炔醇中的一种或几种的混合物。
5.根据权利要求1-4任一所述的LED封装用有机硅材料,其特征在于所述的C组分的用量按铂络合物的用量是铂金属元素质量为所有组分的1~30ppm,且抑制剂与铂原子的摩尔比为为15~50:1; 所述的D组分结构式中(e+f)=0.75~1.25,f/(e+f)=0.005~0.25,其用量为除E组分外所有组分的5~40wt%;所述的E组分用量为所有其它组分的0.05~2.0wt%。
6. 一种如权利要求1-4任一所述的LED封装用有机硅材料的制备方法,其特征在于,按照比例将各组分混合均匀后,经室温真空脱泡5~30min,硫化温度为20~150℃下硫化成型。
7.根据权利要求5所述的LED封装用有机硅材料的制备方法,其特征在于,按照比例将各组分混合均匀后,经室温真空脱泡5~30min,硫化温度为20~150℃下硫化成型。
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