CN101842514A - 用以密封工艺腔室的开口的方法与装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种用以密封一工艺腔室的一开口的方法与设备。在一实施例中，本发明大致上提供一闭合构件用以密封腔室的壁内的开口，该闭合构件被整合在工艺腔室的壁中。在另一实施例中，本发明提供一闭合构件，其用以从腔室内侧来密封工艺腔室的壁中的开口。
Description
技术领域
本发明的实施例大致上关于电子组件制造，并且特别是关于用以改善等离子工艺腔室中一开口的密封的方法与设备。
背景技术
在制造平面面板显示器、电视或计算机屏幕、太阳能电池阵列等，各种介电质、半导体与导电层是依序地被沉积在基材的表面上。这些基材可以由玻璃、聚合物、金属或其它适当的具有电子组件形成于其上的基材材料所制成。为了增加制造效率与/或更低的生产成本，欲被处理的基材的尺寸持续增大。故，用以在基材表面上形成多个层的工艺腔室的尺寸亦持续增大。
典型地，基材工艺腔室是经由一可密封的开口与基材传送腔室连通，其中该开口是宽且相当短以容纳水平方位的基材的插入与移除。可以在邻近工艺腔室处设置一腔室隔离阀(亦被称为狭缝阀)以密封这样的开口。
例如，隔离阀可以接附到工艺腔室，从而使隔离阀的一密封板(亦被称为门)得以被延伸以密封该门，且得以被缩回以允许基材经由该开口的通过。
不幸地，随着基材尺寸以及工艺腔室中所需要的开口的尺寸持续增加，与目前密封系统有关的等离子均匀性、气流、微粒污染和温度均匀性的问题也持续增加。因此，需要能改善工艺腔室的密封的方法与设备。
发明内容
本发明的实施例大致上提供一种用以密封工艺腔室的开口的改善方法与设备，其中该工艺腔室可以被用在一丛集型式(cluster-type)的基材处理系统中。
在本发明的一实施例中，一种用以密封一工艺腔室的一壁中开口的设备，包含：一闭合构件，至少部分地设置在该壁的一前板与一后板之间，该前板是邻近一处理空间；一导电凸块，设置在该闭合构件与该壁的该前板之间；以及一布置机构，用以相对于该开口垂直地且水平地移动该闭合构件。在一实施例中，该闭合构件具有垂直地延伸远离该开口的一延伸部。
在另一实施例中，一种用以密封一工艺腔室的一壁中开口的方法，包含：引动一布置机构以经由一闭合构件的一延伸部而相对于该开口移动该闭合构件，其中该闭合构件至少部分地设置在该壁的一前板与一后板之间；以及移动一门构件使其接触该前板，以密封该腔室壁中的该开口。在一实施例中，该闭合构件具有一门构件与一托持构件。
在另一实施例中，一种工艺腔室，包含：一壁，具有一前板、一后板以及一延伸穿过该壁的开口，该前板邻近一处理空间；一闭合构件，位于该前板与该后板之间；以及一布置机构，用以相对于该开口移动该闭合构件。
在本发明的另一实施例中，一种工艺腔室，包含：一腔室主体，具有一底部与一壁，其中一开口延伸穿过该壁；一闭合构件，设置在该腔室主体内；以及一布置机构，用以相对于该开口移动该闭合构件。在一实施例中，该闭合构件具有至少一导电密封构件设置在其上。
在本发明的又另一实施例中，一种用以密封一工艺腔室的一壁中开口的方法，包含：引动一布置机构以经由一闭合构件的一延伸部而相对于该开口移动该闭合构件，其中该闭合构件设置在该工艺腔室内；移动该工艺腔室内的该闭合构件的一门构件使其接触该壁，以密封该腔室壁中的该开口；以及在该门构件与该腔室壁之间建立电气接触。
附图说明
本发明之前述特征、详细说明可以通过参照实施例而更加了解，其中一些实施例是绘示在附图中。然而，应了解，附图仅绘示本发明的典型实施例，因而不会限制本发明范围，本发明允许其它等效的实施例。
图1为受益自本发明的一示范性基材处理系统的平面图。
图2A为一习知的其内产生有等离子的工艺腔室的截面图，其中该工艺腔室是邻近相关的腔室隔离阀。
图2B为图2A的腔室隔离阀的部分放大图。
图3A为根据本发明一实施例的其内产生有等离子的工艺腔室的截面图。
图3B为图3A的腔室的壁的部分放大图。
图4为根据本发明另一实施例的其内产生有等离子的工艺腔室的截面图。
图5为根据本发明的迷宫密封(labyrinth seal)的一实施例的截面图。
图6为根据本发明的迷宫密封(labyrinth seal)的另一实施例的截面图。
具体实施方式
本发明的实施例大致上包含一种用以密封工艺腔室的开口的改善方法与设备，其中该工艺腔室可以被用在一丛集型式的基材处理系统中。
图1为受益自本发明的一示范性基材处理系统100的平面图。基材处理系统100包括一负载闭锁腔室120、一传送腔室130、一传送机械手臂140和多个基材工艺腔室150。
负载闭锁腔室120可以允许使一或更多基材被引入基材处理系统100的真空环境，而不需要将整个系统加压到大气压力。
基材在工艺腔室150中被处理。工艺腔室150可以是等离子增强化学气相沉积(PECVD)腔室。基材工艺腔室150也可以是其它型式的工艺腔室，例如物理气相沉积(PVD)腔室。典型地，这些基材工艺腔室150是彼此隔开，以为了将不兼容的工艺气体的渗透减到最小以及这是因为不同的工艺需要明显不同的真空程度。
位在传送腔室130内的传送机械手臂140是在基材工艺腔室150与负载闭锁腔室120之间传送基材。基材处理系统100的各腔室150得以通过一或多个腔室隔离阀160与所有其它腔室隔开。这些腔室隔离阀160是被设置在传送腔室130与结合的工艺腔室150或负载闭锁腔室120之间。
图2A为工艺腔室(诸如被设置在邻近相关的腔室隔离阀160处的工艺腔室150)的一实施例的截面图。例如，工艺腔室150可以是一等离子增强化学气相沉积(PECVD)腔室。适当的等离子增强化学气相沉积腔室可从美国加州圣大克劳拉市(Santa Clara)的应用材料公司(Applied Materials，Inc.)获得。图2B为隔离阀160的部分放大图。
腔室150大致上包括多个壁202、一壁230、一底部204、一喷头210以及一基材支撑件230，其共同地界定一处理空间206。处理空间206经由一开口208来存取，因此基材102可以被传送进出腔室150。腔室隔离阀160被设置在邻近腔室150处，以在基材被传送时得以允许存取开口208，且在基材不被传送时得以密封开口208。这样的设置形成了与腔室开口208和腔室隔离阀160相关的一长通道209。在典型的腔室组态中，长通道209的长度为约20cm或更大。
腔室隔离阀160是对邻近的工艺腔室150密封开口208，因而能允许工艺腔室150的加压以处理其内的基材。典型地，传统的腔室隔离阀不是被设计用来容纳与大面积基材(诸如平面面板)的等离子处理相关的大压力差。已经发展一种改善的设备与方法，其并入一可移动的托持构件到腔室隔离阀内，其中该托持构件是在腔室阀门被关闭时能施加一支撑托持力量在该腔室阀门上。此种并入托持构件与托持力量到腔室隔离阀内的方法与设备是在下文与美国专利案号7,086,638(其在公元2006年8月8日授予Kurita等人)中详细地被讨论，其中该专利被并入本文以作为参考。
参照图2A和2B，腔室隔离阀160可以包括一闭合构件263以用于密封腔室开口208。腔室隔离阀160也可以包括一阀外壳265，闭合构件263的至少一部分是可移动地被设置在阀外壳265内。为了允许腔室隔离阀160与工艺腔室150的开口208联结使用，腔室隔离阀160的阀外壳265可以被置放抵靠该工艺腔室150，从而在密封开口208时能在阀外壳265与工艺腔室160之间形成一密封。
闭合构件263可以包括一腔室隔离阀门267以用于密封腔室开口208。闭合构件263可以再包括一托持构件269，托持构件269是可以相对于腔室隔离阀门267移动。例如，托持构件269可以延伸远离腔室隔离阀门267，或缩回朝向腔室隔离阀门267。此外，托持构件269可以托持或支撑腔室隔离阀门267，例如当腔室隔离阀门267位于前述欲密封腔室开口208的位置时。
阀外壳265可以界定一封围273，一对于封围273的第一开口275、以及一对于封围273的第二开口277。第一开口275是邻近传送腔室150的内部，并且可以存取腔室150的内部。如图2所示，第二开口277和封围273是沿着与第一开口275和封围273的共同轴对准，并且当封围263位于开启位置时，第二开口277和封围273的尺寸是允许基材得以通过阀外壳265且进出工艺腔室150。第一开口275相应地形成了长通道209的延伸。
在用以密封存在大压力差的工艺腔室的腔室隔离阀160的实施例中，阀外壳265可以更包括一后板279，其中第二开口277形成在该后板279内。后板279适于允许托持构件269接触后板279且推抵后板279，以在密封期间能托持闭合构件263的腔室隔离阀门267。可以在托持构件269与后板279之间设置一弹性体的O-环266，以在托持构件269与后板279之间提供一压力紧密密封。此外，也可以在托持构件269与后板279之间设置一导电凸块268。阀外壳265可以更包含一前板281，其中第一开口275形成在该前板281内。前板281适于允许闭合构件的腔室隔离阀门267接触前板281且密封第一开口275周围。阀门267可以包括O-环266，以在阀门267与阀外壳265之前板281之间提供一压力密封。
图2A和2B进一步显示由邻近隔离阀160的工艺腔室150所产生的等离子201的截面示意图。在处理期间，一射频(RF)返回路径沿着工艺腔室150的内表面被建立，其中该工艺腔室150含有等离子201。因此，可以通过隔离阀160建立一RF返回路径，以在开口208包含等离子201。经由导电接触件，可以在隔离阀外壳265与工艺腔室壁203之间建立此返回路径。此外，经由透过导电凸块268所提供的托持构件269与阀外壳265之间的导电接触件，返回路径可以延续穿过隔离阀160的第二开口277。
然而，尽管可以实质地包含等离子201，此组态相关的问题是存在。第一，如图2所示，产生的等离子201对于基材102不是均匀的。实际上，由于开口208形成的长通道209的长度，等离子201会延伸一显著距离到开口208内。由于此显著距离，这情况会发生，而使等离子201行进到达前述隔离阀160。此非均匀等离子产生会导基材102上实质不均匀的沉积。
又，工艺腔室150中的气流在开口208处会被抑制，这是因为气体倾向于会在腔室开口208相关的长通道209内被捕获。此种在腔室开口208处的“穿隧效应(tunneling effect)”也似乎会沿着工艺腔室壁203导致非均匀的温度分布，其中开口208位在该工艺腔室壁203上。此两情形也会造成基材102上的非均匀的材料沉积。
与前述组态相关的另一问题是在腔室开口208处长通道209中会产生残余的工艺膜。长通道209中过量的残余工艺膜会在通道209中的腔室表面上导致过量的材料沉积。相应地，在传送期间，这些沉积物会脱落到基材上，造成了基材102的污染。
相对地，通过去除开口208处的长通道209而缩短到隔离阀160的RF返回路径的距离，本发明的实施例得以显著地改善前述组态。图3A通过可产生等离子301的工艺腔室350的截面来显示本发明的一实施例。
类似前述腔室150，工艺腔室350大致上包括多个壁302、一壁303、一底部304、一喷头310以及一基材支撑件330，其共同地界定一处理空间306。基材支撑件330可以包括一用以支撑基材102的基材接收表面332，以及一耦接到举升系统336用以升高与降低基材支撑件330的杆334。多个举升销338是可移动地被设置穿过基材支撑件330，以移动基材到基材接收表面332且从基材接收表面332移动基材。基材支撑件330也可以包括多个RF返回带331，以在基材支撑件330的周围与壁302之间提供一RF路径，其缩短了到RF功率源322的RF返回路径。RF返回带的实例被揭示在公元2000年2月15日授予Law等人的美国专利案号6,024,044以及Park等人在公元2006年12月20日申请的美国专利申请案号11/613,934，该两案整体被并入本文以作为参考。
喷头310可以在其周围通过一悬挂件314耦接到一背板312。喷头310也可以通过一或多个中心支撑件316耦接到背板312，以避免喷头310的下垂与/或控制喷头310的笔直性/弯曲性。一气体源320可以耦接到背板312，以经由背板312与经由喷头310提供气体到基材接收表面332。一真空泵309可以耦接到腔室350，以控制处理空间306于期望的压力。RF功率源322可以耦接到背板312与/或耦接到喷头310，以提供RF功率予喷头310，因此喷头与基材支撑件之间得以建立一电场，以从气体在喷头310与基材支撑件330之间生成等离子。可以使用各种RF频率，例如介于约0.3MHz与约200MHz之间的频率。在一实施例中，在13.56MHz的频率下提供RF功率源。喷头的实例是被揭示在公元2002年11月12日授予White等人的美国专利案号6,477,980、Choi等人申请而在公元2006年11月17日公开的美国专利公开案号2005/0251990、以及Keller等人申请而在公元2006年3月23日公开的美国专利公开案号2006/0060138中，其皆整体被并入本文以作为参考。
一远程等离子源324(诸如一诱导耦合远程等离子源)也可以被耦接在气体源320与背板312之间。在处理多个基材之间，可以提供一清洁气体到远程等离子源324藉此产生且提供远程等离子以清洁腔室部件。清洁气体可以进一步地被提供到喷头的RF功率源322激化。适当的清洁气体包括但不限于NF3、F2与SF6。远程等离子源的实例被揭示在公元1998年8月4日授予Shang等人的美国专利案号5,788,778，其被并入本文以作为参考。
类似于图2A显示的实施例，处理空间306经由腔室303中的一开口208来存取，因此基材102可以被传送进出腔室350。然而，与习知组态不同的是，腔室壁303可以被建构成在基材正被传送时得以整合地存取开口308，且在基材不被传送时得以密封开口308。
图3B为根据本发明一实施例的腔室壁303的部分放大图。参照图3A和3B，腔室壁303包含一前板381与一后板379，其中一闭合构件363的至少一部分能够可移动地设置在前板381与后板379之间用以密封腔室开口308。闭合构件363可以包括一门367用以密封腔室开口308。门367包括一弹性构件366，用以维持腔室开口308处的压力紧密密封。弹性构件366包括一弹性体材料，例如硅基弹性体。此外，门367包括一导电凸块368，导电凸块368可以包含导电弹性体材料(诸如内嵌金属的硅基弹性体)。替代地，导电凸块368可以是一金属凸块，其包含镀铝的不锈钢、高镍合金钢、铬镍合金钢等。替代地，前板381可以包括弹性构件366与/或导电凸块368。
闭合构件363可以进一步包括一托持构件369，托持构件369可以相对于门367移动。例如，托持构件369可以延伸远离门367，或缩回朝向门367。此外，托持构件369可以托持或支撑门367，例如当门367位于欲密封腔室开口308的位置时。又，托持构件369可以包括弹性构件366用以维持压力紧密密封。再者，托持构件369可以也包括导电构件368。替代地，后板379可以包括弹性构件366与/或导电凸块368。
为了使闭合构件363相对于腔室开口308移动，闭合构件363也可以包括一远离门367的延伸部371。在这样的实施例中，延伸部371远离门367的末端可以由设置在腔室壁303的内或的外的一布置机构372来操纵。布置机构372可以是气动的线性致动器。布置机构372可以移动闭合构件363整体，即通过延伸部371来一起移动腔室隔离阀367与托持构件367两者。例如，布置机构372可以通过延伸部371来水平地移动闭合构件363朝向与/或远离腔室开口308。此外，布置机构372可以通过延伸部371来垂直地移动闭合构件363。
工艺腔室壁303可以界定一封围373。被包含在前板381中的腔室开口308是允许处理空间306与封围373之间的存取。一第二腔室开口377是允许封围373与一传送腔室(诸如图1的传送腔室130)之间的存取。如图3所示，第二腔室开口377和封围373是沿着一共同轴与腔室开口308对准，并且当闭合构件363位于开启位置时，其尺寸得以允许基材通过腔室壁303且进出工艺腔室350。
在用以密封存在大压力差的工艺腔室的腔室壁303的实施例中，后板379适于允许托持构件369接触后板379且推抵后板379，以在密封期间能托持闭合构件363的阀门367。前板381适于允许闭合构件363的门367接触前板381且密封腔室开口308周围。
为了使托持构件369相对于门构件367移动，可以在托持构件369内设置一致动器370。致动器370可以是一具有压力室的气动致动器，压力室可经由外部的加压气体源被膨胀以迫使托持构件369抵靠后板379。
腔室底部304、壁302与壁303提供一RF返回路径，其包含等离子301。此外，经由导电凸块368所提供的门构件367与前板381之间的导电接触件，RF返回路径可以持续横越腔室壁303的腔室开口308。相较于习知实施例的组态(诸如图2显示的用以包含相应腔室开口208的等离子201的组态)，此种组态造成了一明显更短的RF返回路径以包含腔室开口308处的等离子。较佳地，前板381的内部腔室表面与门构件367之间的距离为约10cm或更小。
图4绘示本发明另一实施例，其通过产生等离子401的工艺腔室450的截面图来显示。类似于前述腔室，工艺腔室450包括多个壁402、一壁403、一底部404、一喷头410以及一基材支撑件430，其共同地界定一处理空间406。而且，类似于前述实施例，处理空间406经由腔室壁406中的一开口408来存取，因此基材102可以被传送进出腔室450。然而，与习知组态不同的是，一闭合构件463被设置成当基材正被传送时得以存取开口408，且当基材正被处理时得以密封开口408而与腔室450的内部隔离。
在一实施例中，闭合构件463包括一门467与一延伸部471，延伸部471远离门467。在这样的实施例中，延伸部471远离门467的末端可以由设置在腔室底部404下方的一布置机构472来操纵。布置机构472可以通过延伸部471来垂直地移动闭合构件463。
在一实施例中，门467包括一上表面，该上表面具有一舌构件482、一第一凹部484以及一第二凹部486。第一凹部484与第二凹部486可以各自再包含一设置在其上的弹性构件468以用于维持腔室开口408处的真空密封。弹性构件468可以包含导电弹性体材料，例如内嵌金属的硅基弹性体。替代地，弹性构件468可以是一凸块，其包含镀铝的不锈钢、高镍合金钢、铬镍合金钢等。
在一实施例中，壁403包括一设置在开口408上方的上部451以及一设置在开口408下方的下部456。上部451可以在其内包括一沟槽452。下部456可以包括一唇457。
在一实施例中，当门467位于密封开口408的关闭位置时，舌构件482被插入到沟槽452内。此外，当门467位于密封开口408的关闭位置时，设置在门467的第一凹部484上的弹性构件468可以接触上部451，并且设置在门467的第二凹部486上的弹性构件468可以接触壁403的下部456的唇457。
这样的组态对壁403建立了门467的迷宫密封(labyrinth seal)。也就是，门467的上表面对壁403的上部451的“舌与沟槽”配置对于任何受激化气体欲行进抵达开口408处密封表面造成了一长且困难的路径。这使门467与壁403之间的电气接触区域避免了被涂覆有外来沉积物，其中该些沉积物在门467移动到其开启位置以允许存取开口408时可能会脱落。
前述参照的迷宫密封(labyrinth seal)能够以各种组态来建立，该些组态能被应用到本发明。例如，沟槽452可以通过将一分离构件500、600接附到壁403来形成，如图5和图6所示。在图5中，一内凹510形成在构件500的下表面中，内凹510接着被接附到壁403的内表面。在图6中，一内凹490形成在壁403的内表面中，并且构件600接附到该内凹490。
在图4绘示的实施例中，腔室底部404、壁402以及壁403建立了一RF返回路径用以包含等离子401。此外，经由门467与腔室450内部上的壁403之间的导电接触件，RF返回路径可以持续横越腔室壁403的腔室开口408。相较于习知实施例的组态(诸如图2显示的用以包含相应腔室开口208的等离子201的组态)，这造成了一明显更短的RF返回路径以包含腔室开口408处的等离子401。较佳地，门467的内表面459是与壁403的内侧实质齐平。
如前述，通过去除与开口208、308、408相关的长通道而缩短RF返回路径，本发明的实施例解决了与先前工艺腔室组态相关的问题。实际上，如图3和图4所示，本发明的实施例产生的等离子301、401是对于基材102为实质均匀的。这种实质均匀的等离子产生在基材102上造成了实质均匀的沉积。
相应地，由于去除开口308、408处的长通道，可以实质地改善工艺腔室350、450中的气流。再者，相较于习知实施例，沿着腔室壁303、403的温度分布为实质均匀的。这两情况均对于基材102上的实质均匀沉积有贡献。
本发明也减少了在开口308、408处残余工艺膜的产生。因此，此减少可实质地减少沉积在开口308、408处的材料量，以及在传送期间会污染基材102的潜在可能性。
应了解，尽管前述实施例是绘示一滑动形式的闭合构件，一掀合形式的闭合构件(其并入与掀合形式隔离阀相关的必须的变更)同样可以应用在本发明的某些实施例中。
虽然前述说明是着重在本发明的实施例，在不脱离本发明的基本范围下，可以构想出本发明的其它与进一步实施例，并且本发明的范围是权利要求所决定。
Claims (15)
1.一种用以密封工艺腔室的一壁中开口的设备，包含：
闭合构件，至少部分地设置在该壁的前板与后板之间，该前板邻近处理空间，其中该闭合构件具有垂直地延伸远离该开口的延伸部；
导电凸块，设置在该闭合构件与该壁的该前板之间；以及
布置机构，用以相对于该开口垂直地且水平地移动该闭合构件。
2.如权利要求1所述的设备，其中该闭合构件包含门构件与托持构件，该门构件适于接触该前板且密封该开口，该托持构件可以相对于该门构件移动且适于接触该后板，并且其中该门构件包含导电弹性构件。
3.如权利要求2所述的设备，更包含致动器，该致动器适于移动该托持构件使其远离该门构件且接触该后板，藉此使该门构件抵靠该前板。
4.一种用以密封工艺腔室的一壁中开口的方法，包含：
引动布置机构以经由闭合构件的延伸部而相对于该开口移动该闭合构件，其中该闭合构件设置在该壁的前板与后板之间，并且其中该闭合构件具有门构件与托持构件；以及
移动该门构件使其接触该前板，以密封该腔室壁中的该开口。
5.如权利要求4所述的方法，更包含在该门构件与该腔室壁的该前板之间建立电气接触，其中该门构件包括导电弹性构件以用于密封该开口。
6.如权利要求5所述的方法，更包含经由致动器相对于该门构件移动该托持构件。
7.如权利要求6所述的方法，更包含引动该致动器以移动该托持构件使其接触该腔室壁的该后板，藉此使该门构件抵靠该前板。
8.一种工艺腔室，包含：
一壁，具有前板、后板以及延伸穿过该壁的开口，该前板邻近处理空间；
闭合构件，位于该前板与该后板之间；以及
布置机构，用以相对于该开口移动该闭合构件。
9.如权利要求8所述的工艺腔室，其中该闭合构件包含门构件与托持构件，该门构件用以接触该前板且密封该开口，该托持构件可以相对于该门构件移动以接触该后板，其中当该门构件接触该前板时，在该门构件与该前板之间建立电气接触。
10.如权利要求9所述的工艺腔室，更包含致动器，该致动器用以移动该托持构件使其远离该门构件且接触该后板，藉此使该门构件抵靠该前板。
11.一种工艺腔室，包含：
腔室主体，具有底部与一壁，其中一开口延伸穿过该壁；
闭合构件，设置在该腔室主体内，其中该闭合构件具有至少一导电密封构件设置在其上；以及
布置机构，用以相对于该开口移动该闭合构件。
12.如权利要求11所述的工艺腔室，其中该壁包含上部与下部，沟槽设置在该上部的下表面中，一唇从该下部延伸出，并且其中该闭合构件具有舌构件与内凹，该舌构件从该闭合构件的上表面延伸出，导电弹性构件设置在该内凹上。
13.一种用以密封工艺腔室的一壁中开口的方法，包含：
引动布置机构以经由闭合构件的延伸部而相对于该开口移动该闭合构件，其中该闭合构件至少部分地设置在该工艺腔室内，并且其中该闭合构件包括门构件，该门构件位在该工艺腔室内；
移动该门构件使其接触该壁，以密封该腔室壁中的该开口；以及
在该门构件与该腔室壁之间建立电气接触。
14.如权利要求13所述的方法，更包含插入该门构件的舌构件至内凹以形成迷宫密封，其中该内凹形成在该壁中。
15.如权利要求14所述的方法，其中该门构件的内表面是与该壁的内表面实质上齐平。
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Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (8)
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Family Cites Families (9)
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|---|---|---|---|---|
| US5324540A (en) * | 1992-08-17 | 1994-06-28 | Tokyo Electron Limited | System and method for supporting and rotating substrates in a process chamber |
| US6079693A (en) * | 1998-05-20 | 2000-06-27 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Isolation valves |
| US6192827B1 (en) * | 1998-07-03 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Double slit-valve doors for plasma processing |
| KR20030032034A (ko) * | 2000-09-15 | 2003-04-23 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 처리 장비용 두 개의 이중 슬롯 로드록 |
| US7086638B2 (en) * | 2003-05-13 | 2006-08-08 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for sealing an opening of a processing chamber |
| US20050150452A1 (en) * | 2004-01-14 | 2005-07-14 | Soovo Sen | Process kit design for deposition chamber |
| US7469715B2 (en) * | 2005-07-01 | 2008-12-30 | Applied Materials, Inc. | Chamber isolation valve RF grounding |
| US7845891B2 (en) * | 2006-01-13 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Decoupled chamber body |
| CN101842514B (zh) * | 2007-11-01 | 2013-01-23 | 应用材料公司 | 用以密封处理腔室的开口的方法与装置 |
-
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-
2012
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104109847A (zh) * | 2013-04-16 | 2014-10-22 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种反应腔室及等离子体加工设备 |
| CN105632974A (zh) * | 2014-11-21 | 2016-06-01 | 系统科技公司 | 具有防涡流门扇的基板处理装置及其制造方法 |
| CN106929826A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-07 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 进气装置及半导体加工设备 |
| CN106929826B (zh) * | 2015-12-31 | 2019-04-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 进气装置及半导体加工设备 |
| CN109119320A (zh) * | 2017-06-23 | 2019-01-01 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置 |
| CN113990732A (zh) * | 2017-06-23 | 2022-01-28 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置 |
| US11367595B2 (en) | 2017-06-23 | 2022-06-21 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
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