CN101740303B - 等离子体处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种等离子体处理装置。其对被处理体进行面内均匀性高的等离子体处理。以隔着电介质窗部件(3)与载置台(27)相对的方式设置天线(5)。该天线(5)，由各个长度相等、相互横向平行排列的直线状的多个天线部件(51)构成。该天线(5)的一端侧通过电源侧电路(61)连接至高频电源部(6)，并且其另一端侧通过接地侧电路(62)连接至接地点。在上述电源侧电路(61)和接地侧电路(62)的至少一方，设置有用于调整天线(5)的电位分布的电位分布调整用的电容器(7)，从所述高频电源部(6)通过各天线部件(51)至接地点的各高频路径的阻抗被设定为相互相等。

Description

等离子体处理装置

技术领域

本发明涉及对例如FPD(平板显示器)制造用的玻璃基板等的被处理体等进行规定的等离子体处理的技术。

背景技术

在FPD的制造工序中，存在对LCD(液晶显示器)基板等的被处理体实施蚀刻处理、成膜处理等的规定的等离子体处理的工序。作为进行这些工序的等离子体处理装置，例如利用感应耦合等离子体(ICP)的等离子体处理装置，由于能够生成高密度的等离子体而受到关注。该感应耦合等离子体处理装置例如能够按照如下所述方式构成：通过电介质部件将处理容器上下划分，在其下方侧的处理空间设置基板的载置台，并且在其上方侧的空间配置高频(RF)天线，通过对该天线供给高频电力，在上述处理空间内形成感应耦合等离子体，由此将供给至该处理空间内的处理气体等离子体化，从而进行规定的等离子体处理。

作为在这样的感应耦合等离子体处理装置中使用的天线，通常使用天线线平面地卷成环状的螺旋天线。而且对于大型的被处理体，天线的阻抗变大，因此进行将多个螺旋天线组合使用。但是FPD基板用的玻璃基板越来越大型化，因此每一根的螺旋天线也变长，所以使得阻抗增大，与此相应地高频电流减少，有可能无法得到高密度的等离子体。

因此，为了使阻抗降低，存在增加天线的分支数、使每一根螺旋天线变短、在天线的终端或中间部插入电容器的方法，但在这种情况下天线的结构复杂化，操作变难，而且被处理体的面方向上的天线电位的调整作业也变得烦杂，其结果是，存在难以获得均匀性较高的等离子体的问题。

因此本发明的发明者们，对于将天线形成为直线形状缩短天线的长度，由此使阻抗降低的结构进行了研究。但是使用直线形状的天线构成大型的天线时，需要排列多个天线，该情况例如如图27所示，在只是将多个同样长度的天线11相互平行地隔开规定的间隔排列，将各天线11的两端与导线12、13连接，将一方的导线12与具备高频电源和匹配器的高频电源部14连接，并且将另一方的导线13接地的结构中，因为从供电点经各天线11至接地点的路径的阻抗在各天线11间不同，在各天线11中流通的电流的大小不同，相对于被处理体的面方向难以产生均匀性较高的等离子体。

另一方面，在专利文献1中记载有，在使用直线形状的天线生成感应耦合等离子体的装置中，具备将8个直线状的金属导体元件51～58相互平行地配置的平面线圈34的结构。在这些元件51～58中，中央的两根元件54、55，被设定为分别到与电缆67、72连接的端子62、64的电长度相等。

但是在该装置中，随着朝向平面线圈34的外侧，从电缆67经由元件51～58至电缆72的路径的电长度的变化变大，其结果是在平面线圈34的面内不能够得到均匀的阻抗。此外在该装置中，例如以对具有一边为75cm×85cm大小的平面矩形构造的液晶显示器进行处理为目的，将上述各导体元件51～58的长度，设定为从高频源38被感应的频率(13.56MHz)的波长(22.53m)的约1/16，即1.41m左右，由此使各导体元件51～58的电流和电压的变动不变大。

但是近年基板有越来越大型化的趋势，也有对一边为2m左右的更大的玻璃基板进行处理的情况，对于专利文献1的金属导体元件51～58的长度，相对于这样大的玻璃基板难以进行均匀性较高的等离子体处理。此外，如果将金属导体元件51～58增长至2m以上，则阻抗增加，因此，从这一方面来看解决本发明的课题也是困难的。

专利文献1：特表2001-511945号公报(图2)

发明内容

本发明鉴于上述的状况而完成，其目的是提供在利用天线使感应耦合等离子体生成，对被处理体进行等离子体处理的装置中，能够抑制天线的阻抗的增加，并且调整被处理体的面方向的电场分布，由此能够调整等离子体密度分布的等离子体处理装置。

因此本发明的等离子体处理装置，其使被供有处理气体的处理容器内产生感应电场，将处理气体等离子体化并且对被载置于处理容器内的载置台的被处理体进行等离子体处理，该等离子体处理装置的特征在于，包括：

天线，其以隔着处理气氛与上述载置台相对的方式被设置于该处理气氛之外，并且包括各个长度相等的、相互横向平行地排列而构成的多个直线状的天线部件；

用于将高频电力供给至上述天线的高频电源部；

用于将上述天线的一端侧与上述高频电源部连接的电源侧电路；

用于将上述天线的另一端侧与接地点连接的接地侧电路；和

电位分布调整用的电容器，其被设置在上述电源侧电路和接地侧电路的至少一方、并且用于对天线的电位分布进行调整，

从上述高频电源部通过各天线部件至接地点的各高频路径的阻抗被设定为相互相等。

另外，本发明的等离子体处理装置，其使被供有处理气体的处理容器内产生感应电场，将处理气体等离子体化并且对被载置于处理容器内的载置台的被处理体进行等离子体处理，该等离子体处理装置的特征在于，包括：

天线，其以隔着处理气氛与上述载置台相对的方式被设置于该处理气氛之外，并且包括各个长度相等的、相互横向平行地排列而构成的多个直线状的天线部件；

用于将高频电力供给至上述天线的高频电源部；

用于将上述天线的一端侧与上述高频电源部连接的电源侧电路；

用于将上述天线的另一端侧与接地点连接的接地侧电路；

电位分布调整用的电容器，其被设置在上述电源侧电路和接地侧电路的至少一方、并且用于对天线的电位分布进行调整；和

阻抗调整用的电容器，其被设置在上述电源侧电路和接地侧电路的至少一方、并且用于对从上述高频电源部通过各天线部件到上述接地点的高频路径的阻抗进行调整。

也可以构成为天线部件彼此之间的间隔能够自由调整，在该情况下，也可以例如上述天线部件的一端侧和另一端侧，与在天线部件的排列方向上自由移动的移动部连接。

此外，也可以例如各个长度相等的多个直线状的天线部件形成相互相邻并且相互并联连接而成的节段，该节段被配置有多个，在此，优选配置有偶数个上述节段，上述电源侧电路和接地侧电路，按照在各节段之间上述高频路径的物理长度相等的方式，将相互相邻的节段彼此之间连线，并台阶状地配线为决定线路的组合的线图状。进一步，优选在任意一个节段中上述天线部件的排列间隔都相等。

此外，进一步，也可以上述天线包括：多个天线部件相互以第一间隔排列而成的多个密部区域；和设置在这些密部区域彼此之间的、并且多个天线部件相互以比第一间隔更大的第二间隔排列而成的疏部区域。在此，上述第一间隔能够为构成上述节段的天线部件的间隔，上述第二间隔能够为相互相邻的节段彼此之间的间隔。构成为上述节段彼此之间的间隔能够自由调整。此外，上述节段的一端侧和另一端侧，与例如在上述节段的排列方向上自由移动的移动部连接。

此外，进一步，也可以构成为具备用于划定上述处理气氛而设置在上述载置台和天线之间的电介质窗部件，该电介质窗部件包括：以与上述载置台相对的方式设置的多个板状的电介性部件；和用于支承该电介性部件，沿上述电介性部件的长度方向，以与上述天线部件正交的方式设置的多个分隔部。

在此，优选在上述分隔部的内部形成有处理气体室，并且在分隔部的下表面，形成有用于将处理气体供给至上述处理容器而与上述处理气体室连通的气体供给孔。此外，优选上述多个分隔部分别以通过悬挂支承部从上述处理容器的顶部被悬吊的方式设置，在该悬挂支承部的内部，形成有与上述分隔框部的处理气体室连通的处理气体的流通路。进一步，上述电位分布调整用的电容器，用于进行阻抗的调整使上述天线部件的长度方向中央部位的电位成为零。

依据本发明，在使用天线生成感应耦合等离子体，对被处理体进行等离子体处理的装置中，将直线状的长度相同的天线部件排列构成天线，因此能够抑制天线部件的阻抗的增加，能够生成高密度的等离子体。另外，依据本发明的第一方面，从高频电源部通过各天线部件至接地点的各高频路径的阻抗被设定为相互相等，因此被处理体的面方向的电场的均匀性提高，由此能够生成均匀性高的等离子体，能够对被处理体进行面内均匀性高的等离子体处理。

进一步，依据本发明的第二方面，通过阻抗调整用的电容器，能够对天线部件分别调整上述高频路径的阻抗，因此该高频路径的阻抗的调整的自由度提高。例如，在提高被处理体的面方向的电场的均匀性、或在天线部件设置有多个的情况下，能够在天线部件的排列方向的内侧和外侧之间进行使电场分布变化的电场分布的调整，因此，其结果是，能够使对被处理体进行等离子体处理的均匀性提高。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式的等离子体处理装置的纵截面图。

图2是表示上述等离子体处理装置的一部分的概略立体图。

图3是表示在上述等离子体处理装置中设置的天线和电介质窗部件的平面图、和电介质窗部件的截面图。

图4是表示在上述等离子体处理装置中设置的天线和电介质窗部件的平面图、和电路的连接图。

图5是表示天线的电位与高频路径上的位置之间的关系的特性图，以及表示等离子体密度与高频路径上的位置之间的关系的特性图。

图6是表示天线的电位与高频路径上的位置之间的关系的特性图，以及表示等离子体密度与高频路径上的位置之间的关系的特性图。

图7是表示天线的电位的时间变化的特性图。

图8是表示天线部件的排列的方法与等离子体密度的关系的特性图。

图9是表示天线的其他的结构例的平面图。

图10是表示天线的其他例子的平面图。

图11是表示天线的其他例子的立体图。

图12是表示构成上述天线的天线部件的详细情况的立体图。

图13是表示上述天线的电路的概略图。

图14是表示上述天线部件的配置与所形成的等离子体密度分布的关系的说明图。

图15是表示上述天线部件的配置与所形成的等离子体密度分布的关系的说明图。

图16是表示上述天线部件的配置与所形成的等离子体密度分布的关系的说明图。

图17是表示上述天线部件的配置与所形成的等离子体密度分布的关系的说明图。

图18是表示上述天线部件的配置与所形成的等离子体密度分布的关系的说明图。

图19是表示天线的另一其他例子的立体图。

图20是表示上述天线的电路的概略图。

图21是表示天线的又一其他例子的平面图和侧面图。

图22是包括上述天线的等离子体处理装置的概略结构图。

图23是表示上述等离子体处理装置的方案的一例的说明图。

图24是表示评价试验的灰化速率的分布的曲线图。

图25是表示评价试验的灰化速率的分布的曲线图。

图26是表示评价试验的灰化速率的分布的曲线图。

图27是表示现有的直线状的天线部件的与高频电源部的连接关系的平面图。

符号说明

2     处理容器

21    天线室

22    等离子体生成室

3     电介质窗部件

31    梁部

32    电介质部件

33    外框部

34    分隔部

4     悬挂支承部

41    流通路

42    处理气体室

43     气体供给孔

5、100 天线

51、101天线部件

52     节段

53     疏部区域

54     水平区域

6      高频电源部

61     电源侧电路

62     接地侧电路

7、71  容量可变电容器

131    驱动部

140    控制部

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的等离子体处理装置的实施方式进行说明。图1是上述等离子体处理装置的纵截面图，图1中2为例如构成为角筒状的气密的结构，并且被接地的处理容器。该处理容器2由导电性材料例如铝构成，并且由透过高频的电介质窗部件3将其内部气密地上下划分，上述电介质窗部件3的上方侧作为天线室21，下方侧作为等离子体生成室22而构成。在上述等离子体生成室22的内部，设置有用于载置作为基板的玻璃基板G的载置台27。作为上述玻璃基板G，使用例如FPD制造用的形成为一边为2m的矩形状的角型的玻璃基板。

上述载置台27，其侧周部和底部的周边侧由绝缘部件28包围，通过该绝缘部件28以相对于处理容器2的底壁被绝缘的状态被支承。另外在载置台27连接有具备偏置用高频电源和匹配器的偏置用高频电源部29，上述偏置用高频电源用于对该载置台27供给偏置用的高频电力例如频率为3.2MHz的高频电力。另外在载置台27，内置有用于与外部的搬送单元之间进行玻璃基板G的交接的未图示的升降销。

上述电介质窗部件3是为了划定处理气氛，以构成等离子体生成室22的顶部的方式，与上述载置台27相对设置的大致板状体，具备例如由铝等的金属材料构成的梁部31和其侧部被该梁部31支承的板状的电介质部件32。上述电介质部件32由例如石英、氧化铝(Al₂O₃)等的陶瓷等构成。另外，当对玻璃基板G进行等离子体处理时，等离子体生成室22内部的压力被设定为真空状态，由于要求规定的强度，其厚度设定为例如约30mm左右。

如图2的概略立体图和图3的平面图所示，上述梁部31具备：从处理容器2的侧壁向内部凸出的、构成天线室21的底部的外框部33；和在该外框部33的内侧，与图中Y方向相互平行地延伸的多根例如4根的分隔部34。通过该分隔部34在外框部33的内侧形成与上述Y方向平行的5个分割区域，在这些分割区域的各自中配置有上述电介质部件32。如图1所示，例如在外框部33和分隔部34形成有用于支承电介质部件32的台阶部35，并且在上述电介质部件32也形成有与该台阶部35卡合的台阶部36，在梁部31嵌入有电介质部件32，构成电介质窗部件3。

这样的电介质窗部件3，处于通过图1中沿Z方向延伸的悬挂支承部4从处理容器2的顶部被悬吊的状态，按照该电介质窗部件3成为水平的方式将其设置于处理容器2。上述悬挂支承部4的内部形成有处理气体的流通路41，其一端侧连接于分隔部34的上表面，另一端侧连接于处理容器2的顶部20。

另外，如图3(b)的电介质窗部件3的A-A′截面图所示，在分隔部34的内部沿其长度方向(图中Y方向)，以与上述悬挂支承部4的流通路41连通的方式形成有处理气体室42，并且在分隔部34的下表面多个气体供给孔43沿其长度方向并且隔开规定间隔地被贯穿设置。

进一步，在处理容器2的顶部20，以与上述悬挂支承部4的流通路41连通的方式形成有气体流路44，在该气体流路44连接有处理气体供给系统45。该处理气体供给系统45，具备与气体流路44连接的气体供给通路45a、流量调整部45b、和处理气体供给源45c。这样的电介质窗部件3，兼用作将处理气体供给至等离子体生成室22内的气体供给单元，从处理气体供给系统45经悬挂支承部4供给至分隔部34的处理气体，经分隔部34的下表面的气体供给孔43供给至等离子体生成室22内。

在像这样通过电介质窗部件3形成的上述天线室21中，在电介质窗部件3的附近，以与该电介质窗部件3相对的方式设置有直线状的天线部件51被平面地排列的天线5。该天线5是将多个节段52横向平行配置而构成，上述节段52是将各个长度相等的多个直线状的天线部件51相互横向平行地排列并且相互并联连接而构成。在该例子中，上述天线部件51，以与电介质窗部件3的分隔部34正交的方式沿图中X方向延伸地排列。此外在附图中，为了避免图示的混乱，天线部件51以一根黑线表示。

该例的节段52按照如下所述方式构成：将相同直径且物理长度相等的多根例如4根的天线部件51相互横向平行地、并且等间隔地排列，其长度方向(X方向)的两端侧通过分别沿图中Y方向延伸的天线部件50被连接，各天线部件51相互被并联连接。

并且在天线5中，配置有偶数个节段52，在该例中设置有2n个例如为22个(4个)节段52。这些节段52(52A～52D)按照下述方式排列：相互相邻的节段52的天线部件51彼此之间相互平行地设置，并且与构成一个节段52的天线部件51彼此之间的间隔L1相比，相互相邻的节段52彼此之间的间隔L2较大。

由此，天线5中，多个天线部件51相互之间以第一间隔紧密地排列的密部区域52(节段52)、和多个天线部件51相互之间以第二间隔排列的疏部区域53(相互相邻的节段52彼此之间)，沿上述Y方向交替地被设置。并且上述电介质窗部件3的悬挂支承部4，以不与多个被排列的天线部件51相互干涉的方式，设置于上述相互相邻的节段52彼此之间的、上述疏部区域53。

如图2所示，这样的节段52具备与载置台27相对地沿上述X方向延伸的水平区域54，节段52的长度方向(上述X方向)上的上述水平区域54的两外侧区域55，即节段52的长度方向的两端部向各自上方侧、例如垂直地立起。如图1～图3所示，上述节段52的水平区域54，设定为覆盖载置于载置台27上的玻璃基板G的X方向的长度的大小。另外，节段52以覆盖玻璃基板G的Y方向的长度的方式，遍及处理容器2的全体被排列。在该例中，按照等离子体生成室22的X方向的长度的中央部位，与载置于载置台27的玻璃基板G的X方向的长度的中央部位一致，并且与上述节段52的上述水平区域54的长度方向的中央部位一致的方式，设定等离子体生成室22、载置台27、节段52的各自的尺寸、设置位置。

这样的天线5的一端侧，通过电源侧电路61与具备等离子体生成用高频电源和匹配器的等离子体生成用的高频电源部6连接，上述等离子体生成用高频电源用于将感应耦合等离子体生成用的高频电力、例如频率为13.56MHz的高频电力供给至上述天线5。在此，如图2和图4所示，上述电源侧电路61，从与各节段52的连接部到上述高频电源部6的路径的电长度按照针对每个节段52都相等的方式被设定。在此，电长度相等是指从高频电源部6到各节段52的连接部的电路61的阻抗相等，除电路61的物理长度相等的情况以外，也包括即使物理长度不同但电路61的截面积不同，结果从高频电源部6到上述连接部的电路61的阻抗相等的情况，或者也包括如后文所述将调整阻抗的元件也包含在内而使阻抗相等的情况。

在该例中，电源侧电路61以从与各节段52的连接部至上述高频电源部6的物理长度相等的方式被设定。具体地，参照图2和图4进行说明，电源侧电路61构成为：从天线部件51的排列方向(图中Y方向)的一端侧开始，相互相邻的节段52A、52B通过第一段电路61a连接，接着相互相邻的节段52C、52D通过第一段电路61b连接，并且这些第一段电路61a、61b的中间点彼此之间通过第二段电路61c连接，该第二段电路61c的中间点与高频电源部6通过终端电路61d连接。

另外，天线5的另一端侧，通过接地侧电路62被接地连接，并且天线5和接地点之间设置有构成电位分布调整用的电容器的容量可变电容器7。如图2和图4所示，上述接地侧电路62，按照从与各节段52的连接部位到上述容量可变电容器7的电长度相对于各节段52相等的方式被设定。在该例中，接地侧电路62按照从与各节段52的连接部到上述容量可变电容器7的物理长度相等的方式被设定。

也就是说，如图2和图4中所示，接地侧电路62构成为：从天线部件51的排列方向(图中Y方向)的一端侧开始，相互相邻的节段52A、52B通过第一段电路62a连接，接着相互相邻的节段52C、52D通过第一段电路62b连接，并且这些第一段电路62a、62b的中间点彼此之间通过第二段电路62c连接，该第二段电路62c的中间点与上述容量可变电容器7通过电路62d连接。而且由于到容量可变电容器7的物理长度相等，因此连结各节段52与上述接地点的电路62的物理长度也相等。于是在该例中，各节段52A～52D的从上述高频电源部6到上述接地点的高频路径的物理长度一致，由此使得上述高频路径的电长度(阻抗)以相互相等的方式被设定。上述高频路径，详细地是指从等离子体生成用的高频电源部6中的匹配器的下游侧通过各节段，至上述接地点的路径。

在此，如图2所示，电源侧电路61a～61c和接地侧电路62a～62c包括水平的电路和立起的电路，简易地表现时，将相互相邻的节段52彼此之间连线，台阶状地配线为决定比赛(tournament)的组合(线路的组合)的线图状，使得在各节段52之间上述高频路径的电长度相等。

上述容量可变电容器7，设置于终端电路62d的各接地侧电路62的合流点和接地点之间，用于通过调整其容量而对天线5的阻抗进行调整，由此调整天线5的长度方向的电位分布。针对该电位分布的调整使用图5～图7进行说明。图5(a)是不设置容量可变电容器7的情况下的结构图，在该情况下，某时刻的天线5的长度方向(图中X方向)的电位分布如图5(b)所示单调上升。

相对于此，当设置容量可变电容器7时，图6(a)中的高频电源部6的出口侧的位置P1和容量可变电容器7的入口侧的位置P2的电位的时间变化，如图7所示成为相互每90°相位偏离的状态，因此天线5的长度方向上的某瞬间的电位V_p(高频的峰值电位)的分布，成为图6(b)所示。即，对应于容量可变电容器7的容量位置P2的电位为负，因此从位置P1到位置P2的电位分布在途中具有零点。从而通过对容量可变电容器7的容量进行调整，能够在天线5的长度方向上将电位V_p的零点位置自由地设定，在该例中按照零点位于天线5的长度方向的中央位置P3的方式进行调整。如此一来，通过对天线5的长度方向的电位分布进行调整，能够对天线的长度方向的等离子体密度进行控制。

返回图1的说明，在处理容器2，在其侧周壁上设置有用于将玻璃基板G相对于处理容器2的等离子体生成室22搬入搬出的开口部23，该开口部23通过闸阀24自由开闭，并且在处理容器2的底部连接有排气通路25，该排气通路25的另一端侧通过排气量调整部26a与构成真空排气单元的真空泵26连接。而且该等离子体处理装置，以通过控制部进行控制的方式构成。该控制部，例如由计算机构成，具备CPU、程序、存储器。在上述程序中按照将控制信号从控制部传送到等离子体处理装置的各部，使规定的等离子体处理进行的方式编入有命令(各步骤)。该程序，被保存于计算机存储介质例如软磁盘、微型光盘、硬盘、MO(光磁盘)等的存储部中，安装于控制部。

接着对上述实施方式的作用进行说明。首先打开闸阀24通过未图示的外部搬送单元，从开口部23将玻璃基板G搬入至等离子体生成室22内，并通过未图示的升降销载置于载置台27上。接着从处理气体供给系统45将处理气体供给至等离子体生成室22内，另一方面通过排气通路25利用真空泵26将等离子体生成室22内真空排气至规定的真空度。此外，天线室21被设定为大气气氛。

接着从高频电源部6将例如为13.56MHz的高频电力供给至天线5。由此在天线5的周围产生感应电场，处理容器2内的处理气体通过该电场的能量被等离子体化(活化)生成等离子体。然后从偏置用高频电源部29将例如3.2MHz的高频电力供给至载置台27，由此等离子体中的离子被引入至载置台27侧，对玻璃基板G进行蚀刻处理。

在此，如上文已述，由天线部件51构成的4个节段52，相对于高频电力的供给点和接地点可以说按照决定比赛组合(线路组合)的线图的方式被相互连线，与各节段52对应的高频路径的阻抗相等，因此从Y方向(天线5的排列方向)观察处理容器2时，各节段52的电位成为同电位。节段52具有多个直线状的天线部件51，在该例中具有4根天线部件51，进行详细观察时，外侧2根天线部件51和内侧2根天线部件51的路径的长度在节段52内不同。因此对于各个节段52，当从上述排列方向观察时不是同电位，存在微小的电位分布，该电位分布的图案在各节段52之间一致。

但是，如果使天线部件51的排列间隔遍及天线5全体都为同样时，等离子体密度如图8(b)中所示成为中央高、两端低的山形分布。即，在全部天线部件51内，成为在设置于中央部的天线部件51的下方侧等离子体密度最高，随着从此处朝向外侧等离子体密度逐渐降低的等离子体密度分布。因此在天线5全体中，等离子体密度的高低差变大，等离子体密度的面内均匀性降低。

对此在本实施方式中，由于相互相邻的节段52彼此之间的间隔L2比节段52内的天线部件51彼此之间的间隔L1更宽，将密部区域52和疏部区域53交替地形成，因此如图8(a)所示，等离子体的密度在每个节段52中都形成为山形的分布，因此沿被处理体的面方向的等离子体密度分布的均匀性变得较高。即，在密部区域52中，在与中央的天线部件51对应的位置等离子体密度变大，但是等离子体密度的变化较小。并且由于将密部区域52和疏部区域53在上述排列方向上交替地排列，因此密度变化较小的等离子体在上述排列方向上连续形成，其结果是等离子体密度的面内均匀性提高。

并且对天线5的长度方向进行观察时，如上述的图6(b)中所示，天线部件51的长度方向的中央部位的电位为零，电位分布相对于该零点成左右对称。在该情况下在天线部件51的周边电容耦合变多感应耦合较小，而且电位分布相对于天线部件51的长度方向的中央部位成左右对称，因此等离子体密度分布如图6(c)所示，结果是中央的等离子体密度变高成为山形的分布。

相对于此，在不设置电容器的结构中，如图5(c)所示，成为电位V_p较低的接地点侧的等离子体密度较高，高频电源部6侧的等离子体密度较低的分布，成为天线部件51的长度方向的一方侧的等离子体密度较高，另一方侧的等离子体密度较低的状态，因此均匀性降低。

根据上述内容，在处理容器2中，无论关于X方向(天线部件51的长度方向)，还是关于Y方向(天线部件51的排列方向)，沿被处理体的面方向(X、Y平面中)的电位分布的均匀性较高，所以电场的均匀性提高。因此等离子体密度的面内均匀性变高，能够进行在被处理体的面内均匀性较高的等离子体处理。

在这样的等离子体处理装置中，由于使用直线状的天线部件51构成天线5，所以与螺旋天线相比能够使天线部件51的长度短，能够降低阻抗。因此与使用螺旋天线的情况相比，能够容易地抑制天线电位。

另外，如上文已述，通过：使各节段52的阻抗一致；使用容量可变电容器7按照使天线部件51的长度方向的中央部位的电位V_p为零的方式调整电位分布；和将天线部件51的排列间隔不同的密部区域52和疏部区域53交替地形成，从而使在处理容器2内在天线部件51的排列方向和长度方向上，能够产生均匀性较高的等离子体，能够相对于被处理体进行面内均匀性较高的等离子体处理。进一步，通过将各节段52相对于高频电力的供给点和接地点可以说按照比赛组合的线图的方式相互连线，从而能够以简易的结构，使每个节段52的阻抗一致，是有效的。

并且，在本发明中，电介质窗部件3的分隔部34以与天线5的天线部件51正交的方式设置，因此能够抑制分隔部34中的感应电流的产生，能够抑制来自天线5的感应电场发生无效的衰减而平稳地在等离子体生成室22透过。另外，设置有多个分隔部34形成多个分割区域，在该分割区域的各个中配置有电介质部件32，因此能够使在1个分割区域中设置的电介质部件32小型化。另外由于已被小型化的电介质部件32的周围被由分隔部34和外框部33构成的梁部31支承，因此相当于将真空气氛的等离子体生成室22、与大气气氛的天线室21之间气密地划分，能够确保充分的强度。进一步地，通过电介质窗部件3的分隔部34将处理气体供给至等离子体生成室22，电介质窗部件3兼用作处理气体供给单元，因此等离子体处理装置的构成部件减少，能够实现装置的简易化，能够有助于降低制造成本。

接着针对天线的其他的结构例参照图9进行说明。图9(a)的结构中的天线81构成为：具备2ⁿ个、在该例中为2³个(8个)以直线状地相互平行地延伸的、相同直径且长度相等的2根天线部件80为一组的节段82。在该例中构成2个节段82的4根天线部件80相互以间隔L1等间隔配置，构成天线部件80紧密地排列的密部区域82，2个节段82和与其相邻的2个节段82之间，以比上述间隔L1更大的间隔L2配置天线部件80，构成天线部件80稀疏地排列的疏部区域85。并且将各节段82通过电源侧电路83和接地侧电路84相对于作为上述高频电源部6的输出端的高频电力的供给点和接地点、可以说按照比赛组合的线图的方式相互连线，由此使各节段82的从上述高频电源部6至上述接地点的路径的物理长度被设定为相互相等。

另外，图9(b)的结构中的天线86构成为：具备2ⁿ个、在该例中为2²个以直线状地相互平行地延伸的、物理长度相等的3根天线部件87为一组的节段88，除天线部件87的数量不同以外，其它与上述的天线5是同样的结构。

并且在本发明中，如图10所示，也可以在电源用电路侧设置阻抗调整用的容量可变电容器。在本例的天线9中，例如4个节段91A～91D在Y方向上排列，在天线9的供电侧，外侧的2个节段91A、91D彼此之间通过电源侧电路92a连接，并且通过电路92b连接至高频电源部6，在电路92a和电路92b的合流点与高频电源部6之间，设置有阻抗调整用的容量可变电容器93A。另外，内侧的2个节段91B、91C彼此之间通过电源侧电路92a连接，并且通过电路92d连接至高频电源部6，在电路92c和电路92d的合流点与高频电源部6之间，设置有阻抗调整用的容量可变电容器93B。

另一方面，在天线9的接地侧，外侧的2个节段91A、91D彼此之间通过接地侧电路93a连接，并且通过电路93b被接地，在电路93a和电路93b的合流点与接地点之间，设置有电位分布调整用的容量固定电容器94A。另外，内侧的2个节段91B、91C彼此之间通过接地侧电路93c被连接，并且通过电路93d被接地，在电路93c和电路93d的合流点与接地点之间，设置有电位分布调整用的容量固定电容器94B。

在该例中，上述容量可变电容器93A、93B，以改变通过内侧的节段91B、91C从上述高频电源部6到上述接地点为止的高频路径的阻抗、和通过外侧的节段91A、91D的上述高频路径的阻抗为目的而被使用。例如对容量可变电容器93A、93B的容量进行调整，使与通过内侧的节段91B、91C的上述高频路径的阻抗相比通过外侧的节段91A、91D的上述高频路径的阻抗较大，由此使在内侧的节段91B、91C中流通的高频电流比在外侧的节段91A、91D中流通的高频电流更多，能够进行相对于外侧的节段91A、91D使内侧的节段91B、91C的等离子体密度较大的等离子体密度的面内分布的控制。

另外，也可以例如对容量可变电容器93A、93B进行调整，使与通过内侧的节段91B、91C的上述高频路径的阻抗相比通过外侧的节段91A、91D的上述高频路径的阻抗较小，由此能够调整等离子体的面内分布使相对于外侧的节段91A、91D而内侧的节段91B、91C的等离子体密度较小。

像这样利用容量可变电容器93A、93B，对通过外侧的节段91A、91D和内侧的节段91B、91C的各个上述高频路径的阻抗进行调整，从而能够在基板的面方向上在通过内侧的节段91B、91C产生的等离子体、与通过外侧的节段91A、91D产生的等离子体之间进行等离子体密度的细微的控制，因此能够实现面内分布(均匀性)的进一步的微调整。在此，容量可变电容器93A、93B，在该例中设置于内侧的节段91B、91C和外侧的节段91A、91D的双方，但也可以设置于任意一方。

像这样通过设置阻抗调整用的可变电容器，能够分节段地对上述高频路径的阻抗进行调整，因此该高频路径的阻抗的调整的自由度提高。由此能够提高例如玻璃基板G的面方向的电场的均匀性，能够进行在节段的排列方向的内侧和外侧之间使电场分布产生变化的电场分布的调整，其结果是能够提高对被处理体的等离子体处理的均匀性。

另外，如图10所示，将节段按照比赛的线图的方式连线，使多个节段连接在共同的容量可变电容器，则利用一个容量可变电容器，能够同时对多个节段的上述高频路径的阻抗进行调整，调整变得更容易。

并且，电位分布调整用的电容器，也可以设置在将天线和高频电源部连接的电源侧电路中。而且电位分布调整用的电容器可以使用容量固定电容器或者容量可变电容器中的任意一个。

进一步，本发明的天线，也可以以埋设于电介质窗部件的内部的方式设置。进一步，也可以使相互相邻的节段彼此之间的间隔L2比相同节段内的天线部件彼此之间的间隔L1狭窄，由构成节段的天线部件形成天线部件稀疏排列的疏部区域，由相互相邻的节段彼此的天线部件形成天线部件紧密排列的密部区域。本发明的等离子体处理，能够适用于成膜处理、蚀刻处理、抗蚀剂膜的灰化处理等。

但是，作为在感应耦合等离子体处理装置中使用的天线，如上文所述，通常天线线使用平面地卷成环状的螺旋天线，但在处理大型的基板的装置的情况下，天线的阻抗变大，有可能不能够得到高密度的等离子体，因此为了防止该情况的发生，在已述的各实施方式中使各天线为直线形状，抑制每一根天线的阻抗。但是，存在难以通过直线形状的天线部件的排列间隔控制处理基板的面内均匀性的情况。因此，以下参照图11对能够将天线部件间变更为任意的间隔的实施方式进行说明。在该实施方式中，在由电介质窗部件3形成的天线室21中，代替天线5设置有天线100。

天线100具备在与电介质窗部件3的分隔部34正交的方向上延伸的2根天线部件101。各天线部件101相互平行地被设置，构成为相同形状和相同长度，并且其两端部形成有向上方弯曲的弯曲部102。并且，如图12所示，在各弯曲区域102b贯穿设置有在天线部件101的长度方向上贯通的安装孔103。

而且，在天线室21中在天线部件101的两端侧，设置有与天线部件101的伸长方向正交并水平地延伸的分接头(tap)104a、104b。各分接头104a、104b的结构相同，因此作为代表针对分接头104a进行说明，在各分接头104a沿该分接头104a的伸长方向，设置有螺合各个螺钉106的多个螺钉孔105。

天线部件101，通过将螺钉106经由弯曲部102的安装孔103与分接头104a、104b的螺钉孔105螺合(螺纹固定)，由此能够自如拆装地安装于分接头104a、104b，于是通过选择螺钉孔105，能够对各天线部件101的Y方向(与天线部件101垂直的方向)的设置位置和各天线部件101的间隔进行自由调整。

在安装于分接头104a、104b的天线部件101的一端侧、另一端侧分别连接有电源侧电路111、接地侧电路112。这些电源侧电路111和接地侧电路112，例如与图2的电源侧电路61和接地侧电路62同样地，朝向上方然后弯曲朝向横方向延伸。

图13是天线100的等效电路图，参照该图进行说明，图13中113、114分别表示天线部件101和电源侧电路111的连接点、天线部件101和接地侧电路112的连接点。电源侧电路111由将天线部件101彼此之间连接的第一段的电源侧电路111a、和从电路111a的中间点连接至高频电源部6的第二段的电源侧电路111b构成。像这样构成为从高频电源部6到各连接点113的电路的长度相等，由此使得从高频电源部6到各连接点113的阻抗被设定为分别相等。

另外，电源侧电路112，由将天线部件101相互连接的第一段的电源侧电路112a、和从电路112a的中间点通过容量可变电容器7与接地点连接的第二段的电源侧电路112b构成。像这样构成为从各连接点114到接地点的电路的长度相等，由此使得从上述天线部件101和接地侧电路112的各连接点114到接地点的阻抗被设定为相互相等。进一步，各天线部件101的阻抗按照分别相等的方式被设定，从而由各天线部件101构成的高频路径的电长度被设定为相互相等。

在上述的天线100中，参照图14～图18表述每当改变天线部件101间的距离，在等离子体生成室22中形成的等离子体密度分布8发生变化的情况。在各图中，图编号之后添加有符号(a)的符号，是表示天线室21中的天线部件101的配置的布局的一个例子，在图编号之后表示有(b)的符号，是表示其相同图编号的(a)的布局时的等离子体生成室22内所形成的等离子体密度分布8。在各例子中，天线部件101对称地位于天线室21的Y方向的中间位置，玻璃基板G的Y方向的中间位置和天线室的Y方向的中间位置相互重合。此外，各图14～18(b)的等离子体密度分布8基于在后文叙述的评价试验中已被确认的结果而表示。

首先，针对将天线部件101以比较近的距离设置在天线室21的中央部的、如图14(a)所示的布局的情况进行说明。像这样，天线部件101间的距离较近时，2根天线部件101如同1根粗的天线部件那样发挥作用，如图14(a)所示将2根天线部件101作为1根天线部件，以将其卷绕的方式形成感应磁场110。对于在此形成的感应磁场110，由于可以将天线部件110看作一束，相比于由一根天线部件110形成的感应磁场，具有能够产生较强的磁场的效果。

并且，在等离子体生成室22中，等离子体密度分布8形成为：在天线部件101设置在其上方的中央部等离子体密度为最高，随着从该中央部沿天线部件101的排列方向朝向外侧等离子体密度逐渐降低。但是，图14(b)中的点划线80表示缺少2根天线部件101中的一根，仅设置有另一根的情况下形成的等离子体密度分布。在该例中，如上所述，由于2根天线部件101作为一根天线部件101起作用，因此上述等离子体密度分布8，成为与该点划线所示的仅设置有1根天线部件101的情况大致相同的等离子体密度分布。但是，与仅设置有1根天线部件101的情况相比，如上所述形成较强的感应磁场，因此与像这样仅设置有1根天线部件101的情况相比，等离子体生成室22的中央部的等离子体密度分布8变大。

图15～图18表示按照与图14相比使天线部件101远离天线室21的中央部的方式相互分离设置时的等离子体的密度分布8，在像这样天线部件101比较远离的情况下，在各天线部件101的周围分别形成感应磁场110。各图15～18(b)中的点划线80，表示与图14(b)同样地，一根天线部件101单独存在的情况下所形成的等离子体密度分布，在仅设置有一根天线部件101的情况下，如该点划线80所示，形成为天线部件101的下方的等离子体密度较高、而随着从天线部件101向横方向远离等离子体密度降低的等离子体密度分布，但实际上在等离子体生成室22中形成的等离子体密度分布8是这些天线部件101的每一个所形成的等离子体密度分布合成而形成的分布。

并且，如这些图15～图18所示，将天线部件101的安装位置向天线室21的周边部侧偏离，随着天线部件101的间隔扩大，关于等离子体生成室22中所形成的等离子体密度分布8，与生成室22内的中央部的等离子体密度减少相对周边部的等离子体密度变大。例如，在天线部件101设置于相互比较近的位置的图15(a)、图16(a)中，与形成图14(a)的布局时的情况相同，如图15(b)、图16(b)所示等离子体生成室22的中央部侧与周边部侧相比为高密度分布。在那些与图15(a)、图16(a)的布局相比天线部件101的间隔远离的图17(a)的布局中，如图17(b)所示在等离子体生成室22中形成大致均匀的等离子体密度分布8，相比于此，在天线部件101的间隔进一步远离的图18(a)的布局中，如图18(b)所示在等离子体生成室22的周边部侧与中央部侧相比成为高密度分布。

对于像这样能够将天线部件101的间隔改变的天线100，通过调整2根天线部件101的间隔进行处理，能够对在等离子体生成室22内的各部所形成的等离子体密度分布进行控制。例如存在根据气体的种类、气体的供给量等的各处理条件等，等离子体生成室22内的等离子体密度分布发生变化的情况，像这样当改变处理条件时在天线100中，改变天线部件101的位置，能够对玻璃基板G进行均匀性较高的处理，因此是有利的。

另外，当构成为能够改变天线部件的位置的结构时，作为天线部件101的根数，并不仅限定为2根。图19是使天线部件101为4根的情况下的天线120的立体图，图20是将天线部件120以等效电路图表示的图。对于该天线120，从天线部件101的排列方向观察，第一根和第二根天线部件101构成1个节段(密部区域)121，第三根和第四根天线部件构成1个节段121。在图19、图20中，对于与天线100同样地构成的部位标注相同的符号表示。

天线部件101分别通过电源侧电路123与高频电源部6连接、通过接地侧电路124与接地点连接。图20中125是电源侧电路123和各天线部件101的连接点，图中126是接地侧电路124和各天线部件101的连接点。

电源侧电路123和接地侧电路124，与其他的各实施方式同样地将相互相邻的节段121彼此之间连线构成为决定比赛的组合的线图状。具体地，在电源侧电路123中，将相同节段121的天线部件101相互连接的第一段的电路123a的中间点彼此之间通过第二段的电路123b连接，该第二段的电路123b的中间点与高频电源部6通过第三段的电路123c连接。如此进行配线使从高频电源部6到各天线部件101的电路的长度相等，从而各个电路的各自的阻抗被设定为相等。

另外，在接地侧电路124中，将相同节段121的天线部件101相互连接的第一段的电路124a的中间点彼此之间通过第二段的电路124b连接，该第二段电路124b的中间点与高频电源部6通过第三段的电路124c连接。如此进行配线，使从各天线部件101到接地点的电路的长度相等，各个电路的阻抗被设定为相等。通过如此构成各电路，与已述的各实施方式同样地各高频路径的电长度被设定为相互相等。

即使这样构成的天线120中，也能够对构成同一节段121的天线部件101的间隔、和构成相互不同的节段121的天线部件101的间隔进行自由地调整，因此能够控制等离子体生成室22中所形成的等离子体密度分布。另外，如上所述通过使天线部件101靠近，能够增强所形成的感应磁场得到高蚀刻速率，因此在不同的节段121之间和相同节段121内调整天线部件101的位置，能够如上所述得到高蚀刻速率。

另外，也可以形成为天线部件的间隔能够自动地调整。图21(a)(b)分别表示那样的天线130的平面、侧面。对该天线130以与天线100的不同点为中心进行说明，2根天线部件101的两端分别与驱动部131连接。该驱动部131构成为例如在天线室21内沿着在天线部件101的排列方向上延伸的导轨132自由移动。电源侧电路111和接地侧电路112的容量可变电容器7的上游侧，按照不妨碍天线部件101的移动的方式，由具有可挠性的配线构成。

针对在具备该天线130的等离子体处理装置中设置的控制部的结构的一例参照图22进行说明。图中的控制部140具备总线141，总线141与CPU142和方案收纳部143连接。方案收纳部143中存储有关于对处理容器2供给的气体种类、气体的流量等而设定的多个处理方案，这些各处理方案也包括天线部件101的间隔的设定。

例如用户利用由键盘等构成的未图示的选择单元进行处理方案的选择时，通过CPU142从方案收纳单元143读取该被选择的处理方案。然后，从控制部140向等离子体处理装置的驱动部131输出与该被读取的处理方案对应的控制信号。接受到控制信号的驱动部131按照图21(a)中箭头所示的方式移动，按照天线部件101的间隔成为该被选择的处理方案中所设定的间隔的方式进行控制，接着所选择的处理方案中设定的气体，以同样地在该处理方案中所设定的流量被供给，进行处理。

上述等离子体处理装置中，在基板G连续地被搬送至处理容器2的情况下，例如能够针对每批(lot)基板G进行处理方案的选择控制天线部件101的间隔。另外，作为处理方案，也可以如图23所示按照与工艺的时间带对应使天线部件101的间隔改变的方式进行设定，也可以是在1个基板G的处理中，改变天线部件101的间隔而进行等离子体处理的方式。

像这样在天线部件进行移动的情况下也能够如图10所示安装用于对各节段的阻抗进行调整的电容器。

(评价试验)

使用具备天线100的等离子体处理装置进行用于调查等离子体密度分布的评价试验。每次试验中分别改变天线部件101间的距离，对表面涂敷有光致抗蚀剂的基板G进行等离子体处理，观察所形成的等离子体并且在处理后对基板G中天线的排列方向上的光致抗蚀剂的灰化速率进行调查。作为基板G的处理条件，令等离子体生成室22内的压力为10mTorr，令来自高频电源部6的供给电力为2000W。

在天线室21中，从天线部件101的排列方向观察，令从基板的中央部到端部的距离为L时，天线部件101间的距离，在评价试验1中约为1/3L，在评价试验2中约为2/3L，在评价试验3中约为L，在评价试验4中约为4/3L，在评价试验5中约为2L。在实施方式中已说明的图14(a)～图19(a)表示各评价试验1～5的天线部件101的布局。作为各基板G的灰化速率的测定位置，是从基板G的中心部，沿Y方向(天线部件的排列方向)朝向基板G的一端侧、另一端侧的任意的位置。

作为对基板G的处理中的等离子体的观察结果：在评价试验1、2中观察到等离子体在等离子体生成室22的中央部较强、在周边部较弱。在评价试验3中，观察到等离子体在等离子体生成室22的中央部比周边部强一些，在评价试验4中观察到在中央部和周边部分别均匀性高。在评价试验5中观察到，等离子体在等离子体生成室22的中央部较弱、在周边部较强。

[表1]

上述表1表示在评价试验1～5中，在基板G的各部测定的灰化速率，图24(a)～图26(e)是以图表表示该表的图。作为测定位置，以基板的中心部为O，分别取从该中心部到基板的一端侧、另一端侧的周边部的距离表示，分别对一端侧的距离附加+符号，对另一端侧的距离附加-符号。该灰化速率越高，就表示其上方的等离子体密度越高。在评价试验1～3中的分布被描绘为基板G的中央部的灰化速率比周边部的灰化速率高的凸形的曲线图，在评价试验4中的分布被描绘为基板G的中央部的灰化速率与周边部的灰化速率大致均匀的平坦形的曲线图。并且，在评价试验5中的分布被描绘为周边部的灰化速率比中央部的灰化速率高的凹形的曲线图分布。

根据评价试验1～5的结果表示：通过控制天线部件101间的距离，而对等离子体生成室22内的等离子体密度分布进行控制，从而能够控制基板的面内的灰化速率。另外，在天线部件101间的距离最近的评价试验1中，该天线部件101的下方的基板中央部的灰化速率特别高，比其他的评价试验的天线部件101的下方侧的灰化速率更高。这种情况表示：在天线部件101接近配置的情况下，能够提高其周围的等离子体密度的分布，得到较高的灰化速率。评价试验1～5对光致抗蚀剂的灰化速率进行了调查，已明确在蚀刻中也是同样地，通过控制天线部件101间的距离，能够对等离子体生成室22内的等离子体密度分布进行控制，能够对基板的面内的蚀刻速率进行控制。以上，针对能够将天线部件间改变为任意的间隔的实施方式进行了说明，但也可以构成为将上述实施方式的天线部件置换为多个天线部件并联连接的节段，能够将这些节段间改变为任意的间隔的结构。

Claims (15)

1.一种等离子体处理装置，其使被供有处理气体的处理容器内产生感应电场，将处理气体等离子体化并且对被载置于处理容器内的载置台的被处理体进行等离子体处理，该等离子体处理装置的特征在于，包括：

天线，其以隔着处理气氛与所述载置台相对的方式被设置于该处理气氛之外，并且包括各个长度相等的、相互横向平行地排列而构成的多个直线状的天线部件；

用于将高频电力供给至所述天线的高频电源部；

用于将所述天线的一端侧与所述高频电源部连接的电源侧电路；

用于将所述天线的另一端侧与接地点连接的接地侧电路；和

电位分布调整用的电容器，其被设置在所述电源侧电路和接地侧电路的至少一方、并且用于对天线的电位分布进行调整，

从所述高频电源部通过各天线部件至接地点的各高频路径的阻抗被设定为相互相等。

2.一种等离子体处理装置，其使供给有处理气体的处理容器内产生感应电场，将处理气体等离子体化并且对被载置于处理容器内的载置台的被处理体进行等离子体处理，该等离子体处理装置的特征在于，包括：

天线，其以隔着处理气氛与所述载置台相对的方式被设置于该处理气氛之外，并且包括各个长度相等的、相互横向平行地排列而构成的多个直线状的天线部件；

用于将高频电力供给至所述天线的高频电源部；

用于将所述天线的一端侧与所述高频电源部连接的电源侧电路；

用于将所述天线的另一端侧与接地点连接的接地侧电路；

电位分布调整用的电容器，其被设置在所述电源侧电路和接地侧电路的至少一方、并且用于对天线的电位分布进行调整；和

阻抗调整用的电容器，其被设置在所述电源侧电路和接地侧电路的至少一方、并且用于对从所述高频电源部通过各天线部件到所述接地点的高频路径的阻抗进行调整。

3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

构成为天线部件彼此之间的间隔能够自由调整。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述天线部件的一端侧和另一端侧，与在天线部件的排列方向上自由移动的移动部连接。

5.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

各个长度相等的多个直线状的天线部件形成相互相邻并且相互并联连接而成的节段，该节段被配置有多个。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述节段被配置有偶数个，所述电源侧电路和接地侧电路，以形成决定比赛的组合的线图状的方式配线为台阶状，使得在各节段之间所述高频路径的阻抗相等，其中，所述决定比赛的组合的线图状是指，将相互相邻的两个节段作为一个组合，并通过第一段电路将成为所述组合的相互相邻的节段彼此之间连线，再通过第二电路将所述第一段电路彼此之间连线。

7.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在任一个节段中所述天线部件的排列间隔都相等。

8.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述天线包括：

多个天线部件相互以第一间隔排列而成的多个密部区域；和

设置在这些密部区域彼此之间的、多个天线部件相互以比第一间隔更大的第二间隔排列而成的疏部区域。

9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一间隔为构成所述节段的天线部件的间隔，所述第二间隔为相互相邻的节段彼此之间的间隔。

10.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

构成为所述节段彼此之间的间隔能够自由调整。

11.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述节段的一端侧和另一端侧，与在所述节段的排列方向上自由移动的移动部连接。

12.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

具备用于划定所述处理气氛而设置在所述载置台和天线之间的电介质窗部件，

该电介质窗部件包括：以与所述载置台相对的方式设置的多个板状的电介性部件；和

用于支承该电介性部件，沿所述电介性部件的长度方向，以与所述天线部件正交的方式设置的多个分隔部。

13.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述分隔部的内部形成有处理气体室，并且在所述分隔部的下表面，形成有用于将处理气体供给至所述处理容器而与所述处理气体室连通的气体供给孔。

14.如权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于：

多个所述分隔部分别以通过悬挂支承部从所述处理容器的顶部被悬吊的方式设置，在该悬挂支承部的内部，形成有与所述分隔部的处理气体室连通的处理气体的流通路。

15.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电位分布调整用的电容器，用于进行阻抗的调整使所述天线部件的长度方向中央部位的电位成为零。

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