CN101584053B - 载体和基于这种载体的光学半导体器件 - Google Patents

Abstract

一种用于在载体(40)上提供绝缘间隔层(26)的方法，该绝缘间隔层被图案化从而形成腔(27)，这使得能够在预期的导体结构(22)被放置在腔(27)内时将光学半导体元件(41)连接到预期的导体结构(22)。该腔(27)形成为使得，通过其形状、延伸和/或深度，准确地限定光学元件(45；61)相对于光学半导体元件(41)的位置。通过提供这种图案化绝缘间隔层，可以基于这种载体大量生产紧凑且成本有效的光学半导体器件，而不需要新型昂贵的制造设备的长期开发或获取。

Description

载体和基于这种载体的光学半导体器件

技术领域

本发明涉及一种载体以及用于制造这种载体的方法，所述载体用于实现光学元件相对于要连接到载体上的光学半导体元件的准确定位。

本发明还涉及基于这种载体的光学半导体器件和用于制造这种光学半导体器件的方法。

背景技术

最近，包括半导体照明器件(例如单色或多色LED)和感测器件(例如各类图像传感器)的光学半导体器件越来越多地被合并到大量销售的消费类产品(诸如移动电话、计算机、汽车等)中。为了满足要包括在这些产品中的任何部件所需的关于成本、尺寸和可靠性的非常严格的要求，已经花费了很多努力来发展光学半导体器件。特别地，发展包含在这种光学半导体器件中的光学半导体元件的封装体是重要的发展领域。对于各类光学半导体器件，还期望封装成本相对于成本变得占主导地位。

由于与光学半导体器件的固有周围环境的光学交互的必要需求，标准电子封装技术一般不能用于这种光学半导体器件。例如，比如透镜或漫射体的光学元件典型地需要相对于包含在光学半导体器件中的光学半导体元件(例如，光源或传感器)准确定位。此外，光学半导体器件应该这样制作，使得它可以承受各种环境条件，如温度的周期变化而不丧失功能性。

在WO 2004/023522中，公开了一种发光管芯封装，参考图1，该发光管芯封装包括衬底1、反射器板2和透镜3。在衬底1上安装了发光二极管(LED)组件4之后，反射器板2被接合到衬底1上，从而它围绕LED组件4。该反射器板具有用于支撑透镜3的突出部5。在将反射器板2接合到衬底上之后，利用软密封材料来密封LED组件4，之后将透镜3定位在突出部5上并且使其粘附到密封材料上。

尽管提供了用于相对于LED组件定位透镜的装置，WO 2004/023522中公开的光学半导体器件封装看起来并不适用于非常紧凑且成本有效的光学半导体器件的大量生产。由于其大的置着区(footprint)和不协调设置的连接器焊盘，将其连接到电路板上看起来非常麻烦。

因此，需要改进的光学半导体器件，而且特别地需要更紧凑且价廉的光学半导体器件。

发明目的

鉴于现有技术的上述及其他缺点，本发明的总体目的是提供改进的光学半导体器件。

本发明的进一步目的是能够生产更紧凑且价廉的光学半导体器件。

发明内容

根据本发明的第一方面，通过一种用于制造载体的方法实现这些和其他目的，所述载体能够使光学元件相对于要连接到载体的光学半导体元件准确定位，所述方法包括以下步骤：提供导电多层载体基片，该导电多层载体基片具有上部载体层、下部载体层和处于上部载体层与下部载体层之间的中间载体层；在上部载体层和中间载体层中形成上部导体结构；以及在载体基片的上部载体层侧提供图案化的绝缘间隔层，其中绝缘间隔层被图案化从而形成至少一个腔，在该腔中光学半导体元件能够连接到上部导体结构，当光学半导体元件被连接到载体时，腔的深度大于光学半导体元件的高度；以及腔被形成为限定光学元件相对于光学半导体元件的位置。

在本申请的上下文中，“光学元件”应该被理解为与光(包括红外(IR)和紫外(UV)以及可见电磁辐射)相互作用的任何元件。

例如，这些元件包括透镜、准直器、反射器、漫射器、滤光器、开诺全息照片(kinoform)、遮蔽掩模(shadowmask)和波长转换元件。这样的元件可以设置为固体的、预先形成的结构或者设置为液体，其具有光学特性或者被制成为采用这样的形状，通过该形状其获得某些光学特性。

“光学半导体元件”是一种半导体元件，其功能以任何方式与光相关。例如，它可以是光源(诸如发光二极管或激光器)或对光敏感的检测器。

对于导体结构，在本文中应该理解为可以是整体的或者包括多个机械和/或电分离的导体的传导结构。例如，导体图案为导体结构，该导体图案比如是通常在电路板的一层中出现的导体图案。

本发明基于以下认识：用于制造非常紧凑的常规半导体器件的易于大量生产的方法可以适用于通过以下过程来制造光学半导体器件，即在载体上提供绝缘间隔层，该绝缘间隔层被图案化从而形成腔，该腔在预期导体结构被放置在腔内时能够使光学半导体元件连接到该预期导体结构。该腔形成为使得通过其形状、延伸和/或深度，其准确限定光学元件相对于光学半导体元件的位置。

通过提供这种图案化的绝缘间隔层，可以基于根据本发明的载体来大量生产光学半导体器件，而不需要长期开发或获取新的昂贵的制造设备。

此外，提供图案化的绝缘层以便限定光学元件相对于要连接到载体的光学半导体元件的位置，这有助于制造包括大量载体的面板，因为图案化的绝缘间隔层可以同时被提供给包含在这种面板中的大量载体。在提供图案化层之后，该面板可以用于制造相应的多个光学半导体器件，或者它可以根据所完成的光学半导体器件的制造商的需求而被单独化(singulate)成单个的多个载体或多个载体块。

此外，通过基于多层导电基载体板生产载体，可以获得非常紧凑的封装，其具有仅仅比包含在光学半导体器件中的光学元件和/或光学半导体元件所需的稍大的置着区(foot-print)。

另外，图案化的绝缘层可以适于执行双重功能，即，能够使光学元件准确定位并向载体提供稳定性和完整性。此外，图案化的绝缘间隔层可以被有利地图案化，从而使各个载体或基于这些载体的光学半导体器件可以仅通过切入绝缘膜而彼此充分分离。换句话说，可以仅通过切透塑料而不是塑料和金属的组合来实现单独化。以这种方式，可以减少由单独化导致的光学半导体器件上的应力，这导致增加的产量和可靠性以及由此带来的比通过现有技术可获得的更低成本和更高质量。优选地，绝缘间隔层由稍微具有弹性的材料制成，以便吸收包含在基于当前载体的光学半导体器件中的其他部件的移动。例如，这种移动可能是由环境的变化(如温度的周期变化)引起的。

根据用于制造所述载体的方法的一个实施例，提供绝缘间隔层的步骤可以包括以下步骤：在载体基片的上部载体层侧提供绝缘间隔层，以及图案化绝缘间隔层从而形成(一个或多个)腔。

由此，使得能够同时形成大量腔，每个腔相对于载体的上部导体结构精确定位。特别地，本实施例能够利用载体上的现存图案(比如导体结构和/或当形成上部导体结构时所使用的对准标记)以便在图案化步骤中相对于现存的上部导体结构获得非常高的容差。此外，为大量载体同时形成多个腔仅需要一次包括对准的图案化，每个腔以高精确度相对于各自的相应导体结构定位。

绝缘间隔层可以有利地是被层压到载体基片的上部载体层侧的绝缘间隔片。

作为替代，绝缘间隔层可以由液体材料形成，该液体材料分布在载体或载体的面板之上并随后固化。这种液体材料可以有利地借助于常规旋涂进行分布。

此外，绝缘间隔层可以由可光成像(photoimageable)的材料制成，而且图案化步骤可以包括以下步骤：将掩模定位在光源与绝缘间隔层之间；借助于光源通过掩模曝光绝缘间隔层；以及显影由曝光限定的图案。

通过选择诸如丙烯酸、聚酰亚胺(如

)等可光成像的材料，或者诸如苯并环丁烯(BCB)等可光成像的旋涂材料，可以通过非常少的和简单的处理步骤来提供图案化的绝缘间隔层。为了曝光，可以根据材料的类型使用接触掩模或遮蔽掩模，技术人员熟知这一处理步骤和其他处理步骤。

作为对可光成像的材料的替换，绝缘间隔层可以由非可光成像的材料制成，随后可以使用以下常规步骤图案化该材料：施加光致抗蚀剂，图案化光致抗蚀剂，蚀刻绝缘间隔层以及去除光致抗蚀剂。然而，优选使用可光成像的材料。

根据本发明的另一个实施例，提供图案化的绝缘间隔层的步骤可以包括以下步骤：提供在其中预先形成腔的预先图案化的绝缘间隔片；以及层压预先图案化的绝缘间隔片到载体基片的上部载体层侧，从而使预先形成的腔的位置对应于要连接到载体的光学半导体元件的预期位置。

另外，制造所述载体的方法可以进一步包括以下步骤：在上部载体层与图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层，其中中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构与设置在所述光学半导体元件上的连接器凸块之间的电连接，其中所述凸块面向所述中间膜并且所述凸块的位置对应于所述导体结构。

通过以热塑性合成树脂提供这种中间绝缘层，该中间绝缘层可以制成当在所述凸块与导体结构之间加热和加压时在光学半导体元件凸块与相应导体结构之间的位置局部地液化，由此能够通过中间绝缘层实现局部电连接。中间绝缘层的厚度优选相对于凸块进行选择，从而使中间绝缘层起到部件底部填料(underfill)的作用。通过添加这种中间绝缘层，进一步提高了载体的整体性。

此外，中间绝缘层有利地由在非可光成像的材料中选择的材料制成。

因此，可以容易地在上覆的绝缘间隔层中制作一个或多个腔，而不影响中间绝缘层。

作为对提供中间绝缘层的替代，绝缘间隔层可以被图案化，从而使腔未穿透(through going)，而是仍然保留适当厚度的层，光学半导体元件可以通过该层连接到相应的导体结构。

另外，中间载体层可以由与上部载体层和下部载体层不同的金属制成，所述金属被选择为使得所述中间载体层能够被蚀刻剂蚀刻，所述蚀刻剂使所述上部载体层和所述下部载体层基本保持原样，由此能够钻蚀(under-etch)所述上部载体层，从而在所述导体结构中形成凹槽，能够改善随后施加的密封剂的锚固。

制造所述载体的方法可以进一步包括以下步骤：在下部载体层中形成下部导体结构，从而形成能够将光学半导体元件电连接到外部器件的引线，这些引线彼此电隔离。

另外，根据本发明的当前第一方面的方法步骤可以被包括在制造光学半导体器件的方法中，该光学半导体器件使得光学元件相对于包含在半导体器件中的光学半导体元件准确定位，所述方法进一步包括以下步骤：将光学半导体元件连接到上部导体结构，该上部导体结构处于由图案化的绝缘间隔层形成的腔中；以及在由图案化的绝缘间隔层限定的位置处提供光学元件。

在下面结合本发明的第二方面描述这一方法的更多特征和优点。

根据本发明的第二方面，上述及其他目的还通过一种制造光学半导体器件的方法来实现，该光学半导体器件使得光学元件相对于包含在半导体器件中的光学半导体元件准确定位，该方法包括以下步骤：提供载体，所述载体包括导电多层载体基片和被布置在载体基片的上部载体层侧的图案化的绝缘间隔层，所述导电多层载体基片具有上部载体层、下部载体层和处于上部载体层与下部载体层之间的中间载体层，上部载体层与中间载体层具有形成于其中的上部导体结构；其中绝缘间隔层被图案化，从而形成至少一个腔，在该腔中光学半导体元件能连接到上部导体结构，当光学半导体元件连接到载体时，腔的深度大于光学半导体元件的高度；且该腔形成为限定光学元件相对于光学半导体元件的位置；将光学半导体元件连接到在由图案化的绝缘间隔层形成的腔中的上部导体结构；以及在由图案化的绝缘间隔层限定的位置提供光学元件。

光学半导体元件可以借助于任何手段连接到载体的上部导体结构，比如通过引线接合、带自动接合(TAB)或倒装芯片法。在倒装芯片式连接的情况下，设置在光学半导体元件上的连接器凸块被连接到相应的上部导体结构，该上部导体结构通常以相应焊盘的形式设置。例如，凸块可以通过焊接或借助于导电粘合剂(可以是各向异性导电的)的胶粘连接到焊盘。

根据本发明用于制造光学半导体器件的该方法可以进一步包括以下步骤：在下部载体层中形成下部导体结构，从而形成能够将光学半导体元件电连接到外部器件的引线，这些引线彼此电隔离。

载体可以设有或没有下部导体结构，其中不具有下部导体结构的载体一般比具有下部导体结构的载体更刚硬。

根据一个实施例，可以通过利用液体光学活性物质填充腔来提供光学元件，该液体光学活性物质在覆盖光学半导体元件时适于用作光学元件，如漫射器。

作为替代，提供光学元件的步骤可以包括以下步骤：将光学元件定位在由图案化的绝缘间隔层限定的位置；和利用弹性光学化合物填充由腔和光学元件限定的空间，用于降低半导体器件上的应力，该应力可能来源于由变化的温度所导致的膨胀和收缩。

可以在定位光学元件之后注入这一弹性光学化合物，或者在将光学元件定位在其限定位置上之前在腔中分配该弹性光学化合物。

根据本发明的第三方面，上述及其他目的还通过一种载体来实现，该载体能够使光学元件相对于要连接到载体的光学半导体元件准确定位，所述载体包括：导电多层载体基片，其具有上部载体层、下部载体层和处于上部载体层与下部载体层之间的中间载体层，上部载体层和中间载体层具有在其中形成的上部导体结构；和图案化的绝缘间隔层，其被布置在载体基片的上部载体层侧，其中绝缘间隔层被图案化从而形成至少一个腔，在该腔中光学半导体元件能够连接到上部导体结构，当光学半导体元件被连接到载体时，腔的深度大于光学半导体元件的高度；且腔被形成为限定光学元件相对于光学半导体元件的位置。

此外，根据本发明的载体可以有利地被包括在光学半导体器件中，该光学半导体器件进一步包括：光学半导体元件，其被连接到在由图案化的绝缘间隔层形成的腔中的上部导体结构；和光学元件，其被设置在由图案化的绝缘间隔层限定的位置处。

光学元件的延伸可以由腔确定。

本发明的这一第三方面的更多特征和有利效果在很大程度上类似于上面结合本发明的第一和第二方面所述的内容。

附图说明

现在将通过参考附图更详细地描述本发明的这些和其他方面，这些附图示出本发明的当前优选实施例，其中：

图1是现有技术的光学半导体器件的分解图；

图2是示意性图示说明根据本发明的优选实施例的用于制造载体的方法的流程图；

图3以遵循相应方法步骤的状态示意性图示说明根据图2的方法制造的载体；

图4是示意性图示说明根据本发明的用于制造光学半导体器件的第一实施例的方法的流程图；

图5以遵循相应方法步骤的状态示意性图示说明根据图4的方法制造的光学半导体器件；

图6是示意性图示说明根据本发明的用于制造光学半导体器件的第二实施例的方法的流程图；

图7以遵循相应方法步骤的状态示意性图示说明根据图6的方法制造的光学半导体器件。

具体实施方式

在下面的说明书中，通过参考载体来描述本发明，在该载体中通过将可光成像(photoimageable)的箔层压到载体基片(base sheet)并且随后图案化该箔来提供图案化的绝缘间隔层。应该注意到，这绝不限制本发明的范围，其还包括作为预先图案化的箔或者随后被图案化的旋涂层而提供图案化的绝缘间隔层。

此外，在下述的载体和光学半导体器件中，载体基片是由具有下部Cu层、上部Cu层以及在下部和上部Cu层之间的Ni层的多层基片制成的。随后，在上部和下部载体层上生长对应于上部和下部导体结构的不同的另外的金属层。本领域技术人员易于理解的是，这些不同层的材料可以由各种其他材料替代，所述其他材料能够形成具有导体结构的载体，并且能够实现导体结构与要连接于其上的元件之间的良好连接。

现在将通过参考图2和图3来描述根据本发明的载体的优选实施例以及用于制造这种载体的方法，图2是示意性图示说明这种方法的流程图，图3示意性地图示说明遵循图2的相应方法步骤的状态下的载体。

在第一步骤201，提供三层载体基片10，其具有由Ni制成的中间载体层12以及由Cu制成的上部载体层13和下部载体层14。

优选通过添加工艺来制作基片，由Cu层开始，对其添加Ni层(例如通过沉积及随后流电电镀(galvanic plating))以及随后以相同方式添加第二Cu层。

在接下来的步骤202，分别向上部载体层13和下部载体层14施加光致抗蚀剂层15、16。通过常规的掩蔽、曝光和显影所施加的光致抗蚀剂层来图案化光致抗蚀剂层15、16，如图3b所示。

在接下来的步骤203，在由图案化的光致抗蚀剂层15、16限定的槽中生长NiPdAu层17、18，并且去除光致抗蚀剂。

此后，在步骤204，分别向上部载体层13和下部载体层14施加新的光致抗蚀剂层19、20。图案化上部光致抗蚀剂层19以暴露出在部分上部载体层13上生长的NiPdAu层17，并且留下下部光致抗蚀剂层20不图案化。

在随后的步骤205，在上部载体层13上的NiPdAu层17之上生长Sn层21，以便制备载体，用于随后将光学半导体元件倒装芯片式安装到载体的上侧。

在施加这一Sn层21之后，在步骤206借助于选择性Cu蚀刻来去除上部载体层13的未覆盖部分，在随后的步骤207，借助于选择性Ni蚀刻来去除中间载体层12的未覆盖部分。

通过这两个选择性蚀刻步骤206、207，在上部载体层13和中间载体层12中形成上部导体结构22。通过在中间载体层12和上部载体层13中提供可被选择性蚀刻的不同金属，可以执行钻蚀(under etch)，由此形成凹槽23，如在图3的步骤g中在代表性位置处所示的。这些凹槽23能够改进随后施加的密封剂到载体基体10的锚固。现在通过仍然连续的下部载体层14将载体保持在一起。

在接下来的步骤208，将可光成像的膜24(如聚酰亚胺或丙烯酸箔)层压到载体的上侧。通过遮蔽掩模(shadow mask)或者如在图3的步骤h中所示的情况下通过接触掩模25来掩蔽可光成像的膜24。随后，在步骤209，利用适合于膜材料和厚度的曝光和显影参数，通过曝光和显影膜24的未被掩蔽的部分来图案化膜24，产生如图3的步骤i中所示的载体，该载体具有图案化的绝缘间隔层26，在该绝缘间隔层中形成腔27，在该腔中光学半导体元件可连接到上部导体结构22。该腔被形成为具有大于要被连接于其中的光学半导体元件的高度的深度，并限定光学元件相对于光学半导体元件的位置。

在图2和图3所示的步骤之后，可以通过将光学半导体元件连接到上部导体结构22并且在由图案化的绝缘层26限定的位置处提供光学元件来形成光学半导体器件，这将在下面对于两个替代性实施例分别通过参考图4和图5以及图6和图7来描述。

现在将通过参考图4和图5描述根据本发明的光学半导体器件的第一实施例以及用于制造这种光学半导体器件的方法。

首先参考图4和图5的步骤a，在第一步骤401中提供载体40(如上面结合图2和图3所述的载体)，该载体具有三层载体基片，其中中间载体层12和上部载体层13具有上部导体结构22而下部载体层14是连续的，且图案化的绝缘间隔层26设置在载体的上侧以形成腔27。

在随后的步骤402，光学半导体器件(此处为发光二极管(LED)41的形式)被倒装芯片式连接到在图案化的绝缘间隔层26中形成的腔27中的上部导体结构22。更具体地，设置在LED 41上的凸块(bump)42被连接到包含在导体结构22中的相应焊盘43。为了将LED 41发射的蓝光转换成白光，LED 41还进一步设置有颜色转换板44。

在接下来的步骤403，在由图案化的绝缘间隔层26限定的位置处提供光学元件(此处为透镜45的形式)，从而在距LED 41受控且准确的距离处定位透镜45，并且使其位于LED 41之上的中心处。之后利用弹性光学化合物填充由腔27和透镜45限定的空间，该弹性光学化合物此处为透明硅树脂(silicone)46，该透明硅树脂同时密封LED 41，吸收包含在光学半导体器件50中的部件由于例如热致膨胀和收缩所致的移动所产生的力，并且将光学半导体器件50保持在一起以便可以蚀刻下部载体层14的未覆盖部分，生成从上部导体结构22到由此形成的下部导体结构47的电分离引线。由于通常在一次运行中在一个面板上制造多个光学半导体器件50，该面板通常最终被单独化(singulate)成各个光学半导体器件。通过在适当位置切割图案化的绝缘间隔层，有利地进行这一最终单独化或分离。因此，不需要切入金属层，否则，切入金属层将可能由于光学半导体元件上的应力而导致降低的成品率。

可以通过毛细管作用经由填充孔来填充由腔27和透镜45限定的空间，直到填充材料从设置在相对侧的溢出孔流出。

作为替代，过剩的液体光学化合物可以首先被分配到腔里。此后，准确地定位透镜并且多余的光学化合物在透镜的周界附近被挤出或者被挤出溢出孔。

现在将通过参考图6和图7描述根据本发明的光学半导体器件的第二实施例以及用于制造这种光学半导体器件的方法。

图6和图7图示说明的光学半导体器件60及制造方法与上述器件和方法的不同之处在于，在步骤601中，通过向形成在图案化的绝缘间隔层26中的腔27填充液体光学活性物质来提供光学元件61，该液体光学活性物质在覆盖LED 41时适于用作光学元件。在当前描述的情况下，光学活性物质是硅树脂，其用作漫射由LED 41发射的光的漫射器。在此，漫射器61的位置由图案化的绝缘间隔层26和形成于其中的腔27限定。

如上面结合步骤403和图5的步骤c所述，形成下部导体结构47并且通过在适当位置切割图案化的绝缘间隔层26来分离面板。

本领域技术人员应认识到，本发明决不局限于上述优选实施例。例如，图案化的绝缘间隔层可以设置为具有至少一个预先形成的腔的预先图案化层，或者可以被旋涂并且随后被图案化。此外，若干光学半导体元件(诸如不同颜色的LED)可以连接到一个腔内的上部导体结构以形成白色的或颜色可变的LED组。另外，本发明除了LED之外还适用于其他光学半导体元件，诸如光传感器、激光器等。

此外，控制(一个或多个)LED所需要的其他部件可以与(一个或多个)LED一起连接到腔中的上部导体结构，这些部件诸如光通量/颜色传感器、用于(一个或多个)LED的闭环控制(驱动器)中的温度传感器以及其他元件，如非易失性存储器(NVM)(以便存储数据)，或其他相关集成驱动器功能。此外，绝缘间隔层也可以被结构化为在带有或不带有附加涂层的情况下用作反射器以在某些方向上引导光。

另外，根据本发明的载体也可以设置有光学和/或机械参考点，以用于二级光学元件(诸如准直器、反射器、混合棒(mixing rod)等)的安置和互连。

Claims (15)

1.一种用于制造载体(40)的方法，所述载体能够使得光学元件(45；61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤：

提供(201)导电多层载体基片(10)，所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12)；

在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22)；以及

在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26)，

其中：

所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27)，在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)，当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度；以及

所述腔(27)形成为限定所述光学元件(45；61)相对于所述光学半导体元件(41)的位置，

其中所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的，所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻，所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样，由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层，

其中，所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件(41)定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件(41)加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构(22；43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接，其中所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(22；43)。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括以下步骤：

在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线，所述引线彼此电隔离。

4.一种制造光学半导体器件(50；60)的方法，所述光学半导体器件使得光学元件(45；61)相对于包括在所述半导体器件(50；60)中的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括根据权利要求1的步骤，并且还包括以下步骤：

将所述光学半导体元件连接(402)到所述上部导体结构(22)，所述上部导体结构处于由所述图案化的绝缘间隔层(26)形成的所述腔(27)中；以及

在由所述图案化的绝缘间隔层(26)限定的所述位置提供(403；601)所述光学元件(45；61)。

5.一种用于制造光学半导体器件(50；60)的方法，所述光学半导体器件使得光学元件(45；61)相对于包括在所述半导体器件(50；60)中的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤：

提供(401)载体(40)，所述载体包括：

导电多层载体基片(10)，所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12)，所述上部载体层与所述中间载体层具有形成于其中的上部导体结构(22)；和

图案化的绝缘间隔层(26)，布置在所述载体基片(10)的上部载体层侧，其中：

所述绝缘间隔层(26)被图案化，从而形成至少一个腔(27)，在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)，当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度；以及

所述腔(27)形成为限定所述光学元件(45；61)相对于所述光学半导体元件(41)的位置；

将所述光学半导体元件(41)连接(402)到所述上部导体结构(22；43)，所述上部导体结构(22；43)处于由所述图案化的绝缘间隔层(26)形成的所述腔(27)中；以及

在由所述图案化的绝缘间隔层(26)限定的所述位置提供(403；601)所述光学元件(45；61)，

其中所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的，所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻，所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样，由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固。

6.根据权利要求4或5所述的方法，还包括以下步骤：

在所述下部载体层(14)中形成(403；601)下部导体结构(47)，从而形成能够将所述光学半导体元件(41)电连接到外部器件的引线，所述引线彼此电隔离。

7.根据权利要求4或5所述的方法，其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。

8.根据权利要求4或5所述的方法，其中通过利用液体光学活性物质(46)填充(601)所述腔(27)来提供所述光学元件(61)，所述液体光学活性物质在覆盖所述光学半导体元件(41)时适合于用作光学元件(61)，如漫射器。

9.根据权利要求4或5所述的方法，其中提供(403)所述光学元件(45)的所述步骤包括以下步骤：

将所述光学元件(45)定位在由所述图案化的绝缘间隔层(26)限定的所述位置处；和

利用弹性光学化合物(46)填充由所述腔(27)和所述光学元件(45)限定的空间，用于降低所述半导体器件(41)上的应力。

10.根据权利要求4或5所述的方法，其中：

所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成多个腔(27)；

至少一个光学半导体元件(41)被连接到在每个所述腔(27)中的所述导体结构(22)；和

在由所述图案化的绝缘间隔层(26)限定的位置处为每个所述腔(27)提供光学元件(45；61)，由此形成包括多个所述光学半导体器件(50；60)的面板，所述方法还包括以下步骤：

将所述面板分离成各个光学半导体器件(50；60)或各光学半导体器件的块。

11.一种载体(40)，能够使得光学元件(45；61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述载体包括：

导电多层载体基片(10)，具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及在所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12)，所述上部载体层(12)和所述中间载体层(12)具有形成在其中的上部导体结构(22)；和

图案化的绝缘间隔层(26)，布置在所述载体基片(10)的上部载体层侧；

其中：

所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27)，在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)，当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度；以及

所述腔(27)形成为限定所述光学元件(45；61)相对于所述光学半导体元件(41)的位置，

其中所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层和所述下部载体层(14，13)不同的金属制成的，所述金属被选择为使得所述中间载体层能够被蚀刻剂蚀刻，所述蚀刻剂使所述上部载体层和所述下部载体层基本保持原样，由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固。

12.根据权利要求11所述的载体(40)，还包括：

中间绝缘层，布置在所述上部载体层(13)与所述图案化的绝缘间隔层(26)之间，

其中，所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述导体结构(22；43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接，其中所述凸块面向所述中间膜并且所述凸块的位置对应于所述导体结构。

13.一种光学半导体器件(50；60)，包括：

根据权利要求11所述的载体(40)；

光学半导体元件(41)，被连接到所述上部导体结构(22；43)，所述上部导体结构(22；43)处于由所述图案化的绝缘间隔层(26)形成的腔(27)中；和

光学元件(45；61)，设置在由所述图案化的绝缘间隔层(26)限定的所述位置处。

14.根据权利要求13所述的光学半导体器件(50；60)，其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。

15.根据权利要求13或14所述的光学半导体器件(50)，其中所述光学元件(45)位于由所述图案化的绝缘间隔层(26)限定的所述位置处；以及

利用弹性光学化合物(46)填充由所述腔(27)和所述光学元件(45)限定的空间，用于降低所述半导体器件(41)上的应力。

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