CN101553937B - 光学元件、发射辐射的组件和用于制造光学元件的方法 - Google Patents
光学元件、发射辐射的组件和用于制造光学元件的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101553937B CN101553937B CN2007800359489A CN200780035948A CN101553937B CN 101553937 B CN101553937 B CN 101553937B CN 2007800359489 A CN2007800359489 A CN 2007800359489A CN 200780035948 A CN200780035948 A CN 200780035948A CN 101553937 B CN101553937 B CN 101553937B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- matrix
- optical element
- packing material
- described optical
- assembly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 86
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 70
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 56
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims description 8
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 3
- 238000004512 die casting Methods 0.000 claims description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 241000931705 Cicada Species 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L33/58—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H01L2933/005—
-
- H01L33/54—
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
说明了一种光学元件(1)，其具有包括基本材料(13)的基体(2)和包括填充材料(7)的填充体(3)，其中该填充体附着在基体(2)上。此外，还说明了一种发射辐射的组件(10)和用于制造光学元件(1)的方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种光学元件和一种具有光学元件的发射辐射的组件。此外，本发明还涉及一种用于制造光学元件的方法。
背景技术
本专利申请要求德国专利申请102006046301.3的优先权，该申请的公开内容通过回引被结合于此。
由公开文献DE 199 45 675 A1已知了一种可表面安装的LED壳体，在该壳体中布置有LED芯片。在该芯片的后面布置有包括热塑性材料的透镜。
在热塑性材料的情况下，例如在焊接过程期间出现热负荷时，存在透镜变形的危险，此外还存在透镜变模糊的危险。这些影响会对透镜的光学特性产生负面作用。
发明内容
本发明的任务在于，说明一种光学元件，该光学元件尽管有热负荷仍具有比较稳定的光学特性。该任务通过一种根据本发明的光学元件来解决。
此外，本发明的任务在于，说明一种发射辐射的组件，该发射辐射的组件尽管有热负荷仍具有比较稳定的光学特性。该任务通过一种根据本发明的发射辐射的组件来解决。
另一任务在于，说明一种方法，借助该方法可以以简单的方式来制造所述光学元件。该任务通过一种根据本发明的方法来解决。
该光学元件和该发射辐射的组件的有利的改进方案以及该方法的有利的扩展方案在从属权利要求中予以说明。
根据本发明的光学元件具有包括基本材料的基体和包括填充材料的填充体，其中该填充体附着在该基体上，以及所述基体具有开口区以便用所述填充材料进行填充，所述开口区与所述基体的包围所述开口区的表面一起形成所述光学元件的辐射穿透面。
优选地，该光学元件被设置用于辐射的成形。例如所述光学元件可以是投影光学系统。
特别优选地，该基体形成该光学元件的外部区域，而填充体则形成该光学元件的内部区域。
进一步优选地，该基本材料与该填充材料不同。这具有的优点是，根据对基体和填充体所提出的不同要求，可以使用合适的材料。
在该光学元件的一种特殊的变型方案中，该基体具有用填充材料填充的空腔，其中该填充体的形状通过该空腔来确定。有利地，借助于对该基体的填充可以提供一种光学元件，其基体和填充体以不可逆的方式相互连接。借助于该基体和该填充体，该光学元件具有光学特性可以不同的两个区域。
在该光学元件的一种优选的变型方案中，该基体具有旋转体的形状。尤其是该填充体也可以具有旋转体的形状。例如，该光学元件的轮廓可以是近似圆拱顶式的。在此，该基体的轮廓可以至少逐段地类似于球缺(Kugelsegment)或者椭圆缺。例如，该基体可以大致按照球壳段(Kugelschalensegment)的方式成形。该基体尤其是可以具有带有开口区的半球壳的形状，所述开口区用于用填充材料填充该基体。该填充体于是大致具有半球内部的形状。替代地，该填充体的形状可以近似地对应于被该基体环形包围的倒截锥。
该填充体和该基体尤其是具有共同的对称轴。优选地，该开口区也具有该对称轴。特别优选地，该开口区与该基体的包围该开口区的表面一起形成该光学元件的辐射穿透面。
此外，该辐射穿透面可以具有凹入弯曲的或者平的部分区域和凸出弯曲的部分区域，所述凸出弯曲的部分区域至少部分地包围与光轴具有一定间距的所述凹入弯曲的部分区域，其中该光轴延伸穿过该凹入弯曲的部分区域。特别地，该开口区可以是凹入弯曲的，且包围的表面可以是凸出弯曲的。
根据一种优选的实施方式，该填充材料对于要成形的辐射来说是可穿透的。这具有的优点是，辐射可以穿过该填充体且该填充体可以因此有助于辐射成形。
优选地，该填充材料包括透明的填料或者树脂。例如，该填充材料可以包括硅材料。此外，可以使用硅胶，其在循环稳定性、在焊接过程中的加热、老化稳定性和辐射稳定性方面尤其是在热负荷或者机械负荷的情况下被证明是有利的。在热作用下，该开口区允许该填充材料膨胀。因为该基体形成该光学元件的光学临界区，所以该填充体的变形导致该光学元件的光学特性的可以忽略不计的变化。
其它合适的填充材料例如为混合材料，比如环氧树脂和硅树脂的混合物，因为它们相对于硅树脂所具有的优点是完全硬化时间较短和可脱模性较好，且相对于环氧树脂所具有的优点是UV稳定性被提高。
根据另一扩展方案，该基本材料对于要成形的辐射来说是可穿透的。因此辐射可以穿过该基体且该基体可以因此有助于辐射成形。基本材料例如可以包括玻璃。优选地使用玻璃材料，该玻璃材料在高于300℃的温度下是稳定的，也就是说，在这些温度下既不必担心例如变模糊(Trübung)或者褪色的材料变化，也不必担心变形。这些温度可以存在数小时。
此外，该基本材料可以包括塑料材料。优选地，该基本材料是热塑性塑料。例如聚碳酸酯(PC)或者聚均苯四甲酰亚胺(Polymethacrylmethylimide(PMMI))适合作为热塑性塑料。
根据本发明的光学元件可以是折射、衍射或色散元件。
优选地，例如为发射辐射的半导体组件的一部分的该光学元件可在200℃与300℃之间的温度下被焊接。在该温度范围内，既不必担心例如变模糊或者褪色的材料变化，也不必担心变形。这些温度典型地出现几分钟。
根据本发明的发射辐射的组件具有如到目前为止所述的光学元件和至少一个嵌入到填充体中的发射辐射的半导体本体。
有利地，借助该填充体不仅可以获得光学作用，而且此外可以获得对该半导体本体的保护作用。该填充体可以充当填料。
根据一种特殊的扩展方案，该半导体本体具有基于氮化物化合物半导体的半导体材料。“基于氮化物化合物半导体”在此意味着，有源外延层序列或者所述有源外延层序列的至少一层包括氮化物III/V化合物半导体材料、优选地AlnGamIn1-n-mN，其中，0≤n≤1，0≤m≤1且n+m≤1。在此，该材料不一定必须具有按照上述公式的数学上精确的组成。更确切地说，该材料可以具有一种或者多种掺杂材料以及基本上不改变AlnGamIn1-n-mN材料的表征物理特性的附加成分。但是为了简便起见，上述公式仅包含晶格(Al、Ga、In、N)的主要成分，即使这些成分可以部分地被微量的其他材料替代。
优选地，该填充材料的折射率与该基本材料的折射率相匹配，并且进而与该半导体材料的折射率相匹配。该填充材料尤其是具有1.3至1.7的折射率。
根据另一扩展方案，该半导体本体是薄膜发光二极管芯片。该薄膜发光二极管芯片的特征特别是在于下列表征特征中的至少一个：
-在产生辐射的外延层序列的朝向载体元件的第一主面上施加或者构造反射层，该反射层将在该外延层序列中产生的电磁辐射的至少一部分反射回该外延层序列中；
-该外延层序列具有在20μm或者更小的范围内的厚度、尤其是在10μm的范围内的厚度；以及
-该外延层序列包括至少一个具有至少一个面的半导体层，所述至少一个面具有混合结构(Durchmischungsstruktur)，该混合结构在理想情况下导致光近似各态历经地分布在外延的外延层序列中，也就是说，它具有尽可能各态历经随机的散射特性。
薄膜发光二极管芯片的基本原理例如在I.Schnitzer等人于1993年10月18日发表在Appl.Phys.Lett.63(16)第2174-2176上的文献中被加以说明，其就此而言的公开内容通过回引结合于此。
薄膜发光二极管芯片非常近似地是朗伯特表面辐射器，并且因此特别好地适合在探照灯中使用。
在根据本发明的发射辐射的组件中，发射辐射的半导体本体适宜地被布置在载体上。该载体例如可以是包括譬如陶瓷材料的板。该载体尤其是可以具有用于给该半导体本体供电的电连接区。
在该发射辐射的组件的一种优选的变型方案中，该基体被施加在载体上。例如，该基体的轮廓可以类似于两个朝向彼此的“S”，也就是说，该轮廓线具有两个拐点。在此，只有该基体的边缘侧末端位于载体上，而剩余基体在载体上凸起。替代地，该基体的轮廓可以类似于两个朝向彼此的圆弓、尤其是两个四分之一圆。
在一种特别优选的变型方案中，该基体借助于该填充材料与载体相连接。该基体尤其是借助于该填充材料而附着在载体上。有利地，由此能够节省粘合剂或省去粘合剂的施加。
根据另一实施方式，该基体在朝向载体的一侧上具有至少一个用于固定该光学元件的凸起的固定元件。该固定元件例如可以按照销钉的方式来构造。该固定元件可以用于将该光学元件固定在载体或者被布置在该载体之后的另一元件(例如散热片)中。该载体或该另一元件尤其是具有用于机械固定所述固定元件的合适的插入装置。
此外，在该光学元件与该载体之间可以布置间隔垫片(Abstandshalter)，该间隔垫片优选地环形包围该半导体本体。该间隔垫片能够防止该光学元件的过度的加热。同时，环形的间隔垫片可以充当用于将该半导体本体嵌入填充材料内的填充框架。
优选地，散热片被设置为另一元件，其用于从该组件中运走热量并且例如包括Al。这减少该光学元件变形或者材料变化的危险，并因此减少例如辐射特性或者耦合输出效率(Auskoppeleffizienz)的光学特性受损害的危险。
优选地，该发射辐射的组件具有SMT(Surface Mounted Technologie(表面安装技术))结构。这使得能够比较简单地安装该组件。
可以设想，该组件具有至少三个半导体本体，它们分别发射红光、绿光和蓝光。所产生的光可以借助于该光学元件被混合。
根据本发明的发射辐射的组件适于背景照明目的和照明目的。
根据本发明的光学元件可以以简单的方式来制造。优选地，首先使具有可填充的空腔的基体成形。借助于该基体的开口区，可以将例如包括凝胶的填充材料填入到该空腔中，由此形成填充体。
该基体例如可以借助于深冲法由玻璃材料成形。
有利地，由于该玻璃材料的热稳定性，光学临界基体的光学特性即使在强输热的情况下也基本上被保持。
此外，该基体可以借助于压铸法或者压力铸造法由塑料材料来制造。例如，该基体可以由热塑性材料来制造，而该填充体由硅材料形成。
在加热的情况下，该填充材料能够有利地向开口区的方向膨胀。
根据用于制造根据本发明的发射辐射的组件的一种优选的变型方案，将已经制成的基体施加在载体上。该开口区的尺寸可以与所要安装的半导体本体的数目相匹配，使得所述半导体本体能够穿过开口区被安装。
附图说明
根据本发明的光学元件或发射辐射的组件的其它优选特征、有利的扩展方案和改进方案以及优点从下面结合图1和2被更详细阐述的实施例中得出。其中：
图1示出根据本发明的发射辐射的组件的第一实施例的示意性横截面图；
图2示出根据本发明的发射辐射的组件的第二实施例的示意性横截面图。
具体实施方式
在图1中示意性示出的发射辐射的组件10中，以横截面示出一个光学元件1和两个发射辐射的半导体本体4。半导体本体4被嵌入到具有填充材料7的填充体3中。填充体3仅部分地被基体2包围。在半导体本体4的区域中，基体2具有开口区6。由此半导体本体4在基体2被安装后能够穿过开口区6而被布置在载体5上。此外，开口区6用于用填充材料7填充基体2，该填充材料在填充时优选地为凝胶(gelartig)。在此，基体2是形状稳定的。基体2和载体5限定填满填充材料7的空腔。由此形成填充体3。填充体3对由半导体本体4产生的辐射来说是可穿透的。
在该实施方式中，布置在基体2与载体5之间的填充材料7具有附着作用并因此可以充当将基体2或光学元件1与载体5结合的粘合剂。
填充材料7优选地包括硅胶。
光学元件10的辐射穿透面由基体2的包围开口区6的表面和填充体3的布置在开口区6之内的表面组成。
在该实施例中，基体2具有玻璃材料并可以借助于深冲法来制造。该玻璃材料特别适于光学临界区，因为该材料本身在温度大于300℃的情况下是形状稳定和材料稳定的。该温度在制造和安装发射辐射的组件10时可以出现多达数小时。
在所示的情况下，载体5是优选地具有陶瓷材料的板，所述陶瓷材料具有用于充分地冷却组件10的有利的热特性。光学元件10在载体5上圆拱顶式地凸起。基体2的轮廓尤其是类似于两个朝向彼此的“S”，也就是说，该轮廓线具有两个拐点。仅基体2的边缘侧末端接触载体5。
载体5可以具有电连接区以便给与所述电连接区导电连接的半导体本体4供电。
有利地，根据该实施例的填充体3具有保护作用并因此可以充当半导体本体4的填料(Verguss)。
图2示出具有载体5和光学元件1的发射辐射的组件10，该光学元件在朝向载体5的一侧具有固定元件11。这些固定元件被设置用于将光学元件1固定在另一元件9内。该另一元件9具有凹陷部，销钉式成形的固定件11嵌接到该凹陷部内。固定元件11优选地与基体2整体地构成。该制造例如可以借助于压铸来进行，其中基体2和固定元件11优选地由热塑性材料来制造。
因为与玻璃材料相比，热塑性材料在加热的情况下更容易变形，所以发射辐射的组件10有利地具有散热片以便排出热量。特别是其上布置有载体5的所述另一元件9为散热片。如所示的那样，该散热片可以为优选地包括金属(例如Al)的板。
光学元件1可以借助于间隔垫片12与载体5隔开。替代地，光学元件1可以位于载体5上，其中于是基体2在圆周侧包围半导体本体4。间隔垫片12与由基体2在内侧限定的空腔一样用填充材料7填满。在该实施例中，填充材料7也可以包括硅胶。除了光学作用外，还可以借助于其中布置有半导体本体4的填充体3来获得对半导体本体4的保护作用。
填充材料7的折射率优选地与基本材料13的折射率相匹配并与用于半导体本体4的半导体材料的折射率相匹配。
尽管对组件10进行冷却，但是在图2中所示的实施例中，光学元件1仍会发生变形。有利地，填充体3可以穿过开口区6向上膨胀。
本发明不受借助实施例所作的说明的限制。更确切地说，本发明包括任何新的特征以及特征的任何组合，这尤其包括权利要求中的特征的任何组合，即使该特征或者该组合本身未在权利要求或者实施例中予以明确说明。
Claims (32)
1.一种光学元件(1)，具有包括基本材料(13)的基体(2)和包
括填充材料(7)的填充体(3)，其中
-所述填充体附着在所述基体(2)上，以及
-所述基体(2)具有开口区(6)以便用所述填充材料(7)进行填充，所述开口区(6)与所述基体(2)的包围所述开口区(6)的表面一起形成所述光学元件(1)的辐射穿透面(8)。
2.按照权利要求1所述的光学元件(1)，其中所述光学元件(1)被设置用于使辐射成形。
3.按照权利要求1或2所述的光学元件(1)，其中所述基本材料(13)与所述填充材料(7)不同。
4.按照权利要求1或2所述的光学元件(1)，其中所述基体(2)具有用所述填充材料(7)填充的空腔，其中所述填充体(3)的形状通过该空腔确定。
5.按照权利要求1或2所述的光学元件(1)，其中所述基体(2)具有旋转体的形状。
6.按照权利要求1或2所述的光学元件(1)，其中所述填充体(3)具有旋转体的形状。
7.按照权利要求5所述的光学元件(1)，其中所述填充体(3)具有旋转体的形状。
8.按照权利要求7所述的光学元件(1)，其中所述填充体(3)和所述基体(2)具有共同的对称轴。
9.按照权利要求2所述的光学元件(1)，其中所述填充材料(7)对于要成形的辐射来说是可穿透的。
10.按照权利要求9所述的光学元件(1)，其中所述填充材料(7)包括硅材料。
11.按照权利要求2所述的光学元件(1)，其中所述基本材料(13)对于要成形的辐射来说是可穿透的。
12.按照权利要求1或2所述的光学元件(1)，其中所述基本材料 (13)包括玻璃。
13.按照权利要求1或2所述的光学元件(1)，其中所述基本材料(13)包括塑料材料。
14.按照权利要求13所述的光学元件(1)，其中所述基本材料(13)包括热塑性材料。
15.按照权利要求1或2所述的光学元件(1)，其中所述基体(2)按照球壳段的方式来构造。
16.按照权利要求1或2所述的光学元件(1)，其中所述基体(2)被构造为环形。
17.按照权利要求1或2所述的光学元件(1)，该光学元件(1)为折射、衍射或者色散元件。
18.按照权利要求1或2所述的光学元件(1)，该光学元件(1)能够在200℃与300℃之间的温度下被焊接。
19.一种发射辐射的组件(10)，其具有按照权利要求1所述的光学元件(1)和至少一个发射辐射的半导体本体(4)。
20.按照权利要求19所述的发射辐射的组件(10)，其中所述发射辐射的半导体本体(4)被嵌入到所述填充体(3)中。
21.按照权利要求19或20所述的发射辐射的组件(10)，其中所述填充材料(7)的折射率与所述基本材料(13)的折射率相匹配。
22.按照权利要求19或20所述的发射辐射的组件(10)，其中所述填充材料(7)的折射率与用于所述半导体本体(4)的半导体材料的折射率相匹配。
23.按照权利要求19或20所述的发射辐射的组件(10)，其中所述发射辐射的半导体本体(4)被布置在载体(5)上。
24.按照权利要求23所述的发射辐射的组件(10)，其中所述基体(2)被施加在所述载体(5)上。
25.按照权利要求24所述的发射辐射的组件(10)，其中所述基体(2)借助于所述填充材料(7)与所述载体(5)相连接。
26.按照权利要求24所述的发射辐射的组件(10)，其中所述基体(2)借助于所述填充材料(7)附着在所述载体(5)上。
27.按照权利要求25所述的发射辐射的组件(10)，其中所述基体(2)借助于所述填充材料(7)附着在所述载体(5)上。
28.按照权利要求19或20所述的发射辐射的组件(10)，其中所述基体(2)在朝向所述载体(5)的一侧具有至少一个凸起的固定元件(11)。
29.按照权利要求28所述的发射辐射的组件(10)，其中所述固定元件(11)被设置用于将所述光学元件(1)与所述载体(5)或者与布置在所述载体(5)之后的另一元件(9)相连接。
30.一种用于制造按照权利要求1所述的光学元件(1)的方法，该方法具有以下步骤：
用对于要成形的辐射来说可穿透的基本材料(13)来构造基体(2)，
将填充材料(7)填入所述基体(2)中，由此形成填充体(3)。
31.按照权利要求30所述的方法，其中所述基体(2)由基本材料(13)借助于深冲法来制造。
32.按照权利要求30所述的方法，其中所述基体(2)由基本材料(13)借助于压铸来制造。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102006046301A DE102006046301A1 (de) | 2006-09-29 | 2006-09-29 | Optisches Element, strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements |
| DE102006046301.3 | 2006-09-29 | ||
| PCT/DE2007/001736 WO2008040317A2 (de) | 2006-09-29 | 2007-09-26 | Optisches element, strahlungsemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines optischen elements |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101553937A CN101553937A (zh) | 2009-10-07 |
| CN101553937B true CN101553937B (zh) | 2012-06-20 |
Family
ID=39134331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2007800359489A Expired - Fee Related CN101553937B (zh) | 2006-09-29 | 2007-09-26 | 光学元件、发射辐射的组件和用于制造光学元件的方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100025707A1 (zh) |
| EP (1) | EP2067180A2 (zh) |
| JP (1) | JP2010505253A (zh) |
| KR (1) | KR101653409B1 (zh) |
| CN (1) | CN101553937B (zh) |
| DE (1) | DE102006046301A1 (zh) |
| TW (1) | TWI378572B (zh) |
| WO (1) | WO2008040317A2 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104154463A (zh) * | 2010-09-27 | 2014-11-19 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发光二极管光源及其制造方法、具有其的背光源 |
| DE102013207111B4 (de) * | 2013-04-19 | 2021-07-01 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement |
| CN111052419B (zh) * | 2017-08-30 | 2023-06-30 | 日机装株式会社 | 发光装置 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000101149A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| US6274924B1 (en) | 1998-11-05 | 2001-08-14 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Surface mountable LED package |
| DE19918370B4 (de) * | 1999-04-22 | 2006-06-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Weißlichtquelle mit Linse |
| DE10020465A1 (de) * | 2000-04-26 | 2001-11-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
| JP4673986B2 (ja) * | 2001-02-23 | 2011-04-20 | 星和電機株式会社 | 表面実装方発光ダイオードの製造方法 |
| CN100477210C (zh) * | 2001-09-13 | 2009-04-08 | 卢西雅股份公司 | 发光板和载板 |
| JP2005158963A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
| TWI241042B (en) * | 2004-03-11 | 2005-10-01 | Chen-Lun Hsingchen | A low thermal resistance LED device |
| JP4686132B2 (ja) * | 2004-03-18 | 2011-05-18 | 株式会社東芝 | 保護カバー付き光半導体装置の製造方法 |
| DE102004047061B4 (de) * | 2004-09-28 | 2018-07-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
| JP2006140281A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Stanley Electric Co Ltd | パワーｌｅｄ及びその製造方法 |
| US7405433B2 (en) * | 2005-02-22 | 2008-07-29 | Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd | Semiconductor light emitting device |
| DE102005036520A1 (de) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisches Bauteil, optoelektronisches Bauelement mit dem Bauteil und dessen Herstellung |
| KR100592508B1 (ko) * | 2005-07-15 | 2006-06-26 | 한국광기술원 | 비콘 모양의 기판을 구비한 고출력 발광 다이오드 패키지 |
-
2006
- 2006-09-29 DE DE102006046301A patent/DE102006046301A1/de not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-09-26 CN CN2007800359489A patent/CN101553937B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-09-26 KR KR1020097008753A patent/KR101653409B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-26 US US12/442,641 patent/US20100025707A1/en not_active Abandoned
- 2007-09-26 EP EP07817578A patent/EP2067180A2/de not_active Withdrawn
- 2007-09-26 JP JP2009529529A patent/JP2010505253A/ja active Pending
- 2007-09-26 WO PCT/DE2007/001736 patent/WO2008040317A2/de active Application Filing
- 2007-09-29 TW TW096136505A patent/TWI378572B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20090064472A (ko) | 2009-06-18 |
| TW200840091A (en) | 2008-10-01 |
| US20100025707A1 (en) | 2010-02-04 |
| JP2010505253A (ja) | 2010-02-18 |
| WO2008040317A2 (de) | 2008-04-10 |
| DE102006046301A1 (de) | 2008-04-03 |
| WO2008040317A3 (de) | 2008-06-05 |
| CN101553937A (zh) | 2009-10-07 |
| TWI378572B (en) | 2012-12-01 |
| EP2067180A2 (de) | 2009-06-10 |
| KR101653409B1 (ko) | 2016-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7621658B2 (en) | Light-emitting module | |
| JP4729665B2 (ja) | 照明装置 | |
| US7932523B2 (en) | LED lamp for light source of lighting device | |
| US9224925B2 (en) | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method | |
| WO2007135707A1 (ja) | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 | |
| US20120153345A1 (en) | Optical semiconductor device | |
| JP5262374B2 (ja) | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 | |
| JP2007329219A (ja) | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 | |
| EP2743999A2 (en) | Light emitting device package including phosphor film, method of manufacturing the same, and lighting apparatus using the same | |
| KR20160079973A (ko) | 광원 모듈 | |
| CN101553937B (zh) | 光学元件、发射辐射的组件和用于制造光学元件的方法 | |
| TWI332271B (en) | Radiation-emitting component and its production method | |
| CN104848057A (zh) | 制造光源模块的方法 | |
| US11231149B2 (en) | Light-emitting device, illumination device, and methods for manufacturing same | |
| JP5294741B2 (ja) | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 | |
| JP7044978B2 (ja) | 発光装置及び照明装置、並びに、それらの製造方法 | |
| JP2013138262A (ja) | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 | |
| US9777890B2 (en) | Lighting module and method of manufacturing a lighting module | |
| CN112066335B (zh) | 车辆用照明装置及车辆用灯具 | |
| JP6628752B2 (ja) | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 | |
| JP6149886B2 (ja) | 表面実装型発光装置 | |
| KR20180062842A (ko) | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120620 Termination date: 20190926 |