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CN101540546A - 功率因素校正电路与其电源供应装置 - Google Patents

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CN101540546A
CN101540546A CN200810087905A CN200810087905A CN101540546A CN 101540546 A CN101540546 A CN 101540546A CN 200810087905 A CN200810087905 A CN 200810087905A CN 200810087905 A CN200810087905 A CN 200810087905A CN 101540546 A CN101540546 A CN 101540546A
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Abstract

本发明公开了一种功率因素校正电路，包括升压转换器、第一电容、第一电阻与升压控制单元。升压控制单元包括信号产生器与频率控制器。升压转换器用以依据脉宽调制信号而将一整流电压转换成一校正电压。第一电容与第一电阻相互串接在升压转换器的输入端与接地端之间。升压控制单元用以产生脉宽调制信号，并依据流经第一电阻的电流、整流电压以及校正电压来调整脉宽调制信号的工作周期与频率。其中，信号产生器用以产生斜波信号，并依据一充电电流来调整斜波信号的斜率。频率控制器用以依据整流电压来调整充电电流。

Description

功率因素校正电路与其电源供应装置
技术领域
本发明是有关于一种功率因素校正电路与其电源供应装置，且特别是有关于一种可以降低电磁干扰(electromagnetic interference，EMI)的功率因素校正电路与其电源供应装置。
背景技术
在各种电子装置的评估标准中，电磁相容性(ElectromagneticCompatibility，EMC)是一关键的品质指标。电磁相容性的评估包括电磁干扰(Electromagnetic Interference，EMI)以及抗电磁干扰(ElectromagneticSusceptibility，EMS)。因为，现行电子装置的信号传输速度愈来愈快，所以配备于电子装置内部的电子元件所造成的电磁干扰会愈来愈严重，进而影响电子装置中其他电子元件的正常运作。
一般来说，电磁干扰主要透过电源供应器传入电路中。因此，在伺服器中，为了要通过相应的标准，则电源供应器的电磁干扰测试也是一个很关键的测试专案。另外，现在的电源供应器通常会配置至少一个开关元件，并通过控制此开关元件的导通与截止来产生所欲输出的电压。
然而，随着开关反复的切换，电源供应器可能会造成的电磁干扰也随之增加。虽然，现有的电源供应器利用不断变化其内部脉宽调制(Power Width Modulation，PWM)信号的频率来降低电磁干扰。但是，如何让脉宽调制信号的频率产生变化，并且同时保持电源输出的稳定则是一个重要的课题。
发明内容
本发明提供一种功率因素校正电路，可以对脉宽调制信号的频率进行调整，以达到降低电磁干扰的现象。
本发明提供一种电源供应装置，通过调整其内部的脉宽调制信号的频率，以降低电磁干扰的现象。
本发明提出一种功率因素校正电路，其包括升压转换器、第一电容、第一电阻与升压控制单元。升压转换器具有输入端、输出端以及接地端，用以依据脉宽调制信号而将输入端所传送的整流电压转换成输出端所传送的校正电压。第一电容的第一端耦接至输入端。第一电阻的第一端耦接至第一电容的第二端，其第二端耦接至接地端。升压控制单元耦接至第一电阻的第一端与第二端、输入端以及输出端，此升压控制单元以一斜波信号为基准来产生脉宽调制信号，并依据流经第一电阻的电流、整流电压以及校正电压来调整脉宽调制信号的工作周期与频率。
另外，升压控制单元包括信号产生器与频率控制器。信号产生器用以产生斜波信号，并依据一充电电流来调整斜波信号的斜率。频率控制器耦接至信号产生器与输入端，用以依据整流电压来调整充电电流。
在本发明一实施例中，上述升压转换器包括电感、第一晶体管、二极管与第二电容。电感的第一端耦接至升压转换器的输入端。第一晶体管的栅极端接收脉宽调制信号，其漏极端耦接至电感的第二端，其源极端耦接至升压转换器的接地端。二极管的阳极端耦接至第一晶体管的漏极端，其阴极端耦接至升压转换器的输出端。第二电容C2的第一端耦接至二极管的阴极端，其第二端耦接至升压转换器的接地端。另外，上述第一晶体管为NMOS晶体管。
在本发明一实施例中，上述信号产生器包括第二电阻、第二晶体管、第三晶体管、第三电容、第四晶体管与比较器。第二电阻的第一端接收充电电流，其第二端耦接至地端。第二晶体管的发射极端接收第一电压，其基极端与集电极端耦接至第二电阻的第一端。第三晶体管的发射极端耦接至第二晶体管的发射极端，其基极端耦接至第四晶体管的基极端。第三电容的第一端耦接至第三晶体管的集电极端，其第二端耦接至地端。第四晶体管的漏极端耦接至第三晶体管的集电极端，其源极端耦接至地端。比较器的第一输入端耦接至第四晶体管的漏极端，其第二输入端接收第二电压，其输出端耦接至第四晶体管的栅极端。
在本发明一实施例中，上述第二晶体管与第三晶体管为PNP双极性晶体管。另外，上述第四晶体管为NMOS晶体管。
在本发明一实施例中，上述频率控制器包括第三电阻、第五晶体管、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第四电容、第六晶体管、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第五电容C5与第十二电阻。第三电阻的第一端耦接至信号产生器，其第二端耦接至地端。第五晶体管的集电极端耦接至第三电阻的第一端。第四电阻的第一端耦接至第五晶体管的发射极端，其第二端耦接至地端。第五电阻的第一端接收整流电压。第六电阻的第一端耦接至第五电阻的第二端。
承上述，第七电阻的第一端耦接至第六电阻的第二端，其第二端耦接至第五晶体管的基极端。第八电阻的第一端耦接至第七电阻的第二端，其第二端耦接至地端。第四电容的第一端耦接至第八电阻的第一端，其第二端耦接至地端。第六晶体管的集电极端耦接至第四电容的第一端。第九电阻的第一端耦接至第六晶体管的发射极端，其第二端耦接至地端。第十电阻的第一端接收正比于整流电压的一直流电压，其第二端耦接至第六晶体管的基极端。第十一电阻的第一端耦接至第十电阻的第二端，其第二端耦接至地端。第五电容的第一端耦接至第十电阻的第一端，其第二端耦接至地端。第十二电阻的第一端耦接第五电容的第一端，其二端耦接至地端。
在本发明一实施例中，上述第五晶体管与第六晶体管为NPN双极性晶体管。另外，上述第九电阻的电阻值小于第八电阻的电阻值。
本发明提出一种电源供应装置，其包括滤波器、整流器、功率因素校正电路与直流变化器。滤波器用以接收一交流电压，并滤除交流电压的高频成分。整流器耦接滤波器，用以对滤波后的交流电压进行整流，以产生一整流电压。功率因素校正电路耦接滤波器，用以依据一脉宽调制信号而将整流电压转换成校正电压，其中功率因素校正电路包括升压转换器、第一电容、第一电阻、升压控制单元。
升压转换器具有输入端、输出端以及接地端，用以依据脉宽调制信号而将输入端所传送的整流电压转换成输出端所传送的校正电压。第一电容的第一端耦接至输入端。第一电阻的第一端耦接至第一电容的第二端，其第二端耦接至接地端。升压控制单元耦接至第一电阻的第一端与第二端、输入端以及输出端，升压控制单元以斜波信号为基准来产生脉宽调制信号，并依据流经第一电阻的电流、整流电压以及校正电压来调整脉宽调制信号的工作周期与频率。
另外，此升压控制单元包括信号产生器与频率控制器。信号产生器用以产生斜波信号，并依据一充电电流来调整斜波信号的斜率。频率控制器耦接至信号产生器与输入端，用以依据整流电压来调整充电电流。直流变化器耦接功率因素校正电路，用以将校正电压转换成输出电压。
本发明通过频率控制器控制充电电流的大小，使得信号产生电路对应的调整斜波信号的斜率。由于斜波信号的斜率改变，进而调整脉宽调制信号的频率，以便于降低电源供应装置所产生的电磁干扰的现象。另外，本发明的电源供应装置可以在调整脉宽调制信号的过程中，仍可提供稳定的电压源。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。
附图说明
图1绘示为本发明一实施例的电源供应装置的方块图。
图2绘示为图1的功率因素校正电路的电路方块图。
图3绘示为图2的功率因素校正电路的详细电路图。
具体实施方式
在以下说明中，为呈现对本发明说明的一贯性，故在不同的图式中，若有功能与结构相同或相似的元件会用相同的元件符号与名称。
图1绘示为本发明一实施例的电源供应装置的方块图。请参照图1，电源供应装置100包括滤波器110、整流器120、功率因素校正电路130与直流变化器(DC toDC Converter)140。
滤波器110用以接收交流电压VAC，并滤除交流电压VAC的高频成分。整流器120耦接滤波器110，并用以对滤波后的交流电压VAC进行整流，以产生整流电压VREC。在本实施例中，整流器120可用一桥式整流器实施之。
功率因素校正电路130耦接整流器120。一般来说，功率因素校正电路130会调整输入电流的波形，以致使输入电流与整流电压VREC的相位差趋近于0。如此一来，电源供应装置100将可利用功率因素校正电路130来降低功率消耗的问题。
直流变化器140耦接功率因素校正电路130，用以对校正电压VC进行转换，以便于产生电源供应装置100所欲提供的输出电压VO。
值得一提的是，在本实施例中，功率因素校正电路130更可降低电磁干扰的现象。为了使熟悉此技术者能轻易了解本实施例的技术内容，以下将针对功率因素校正电路130做进一步的说明。
图2绘示为图1的功率因素校正电路130的电路方块图。请参照图2，功率因素校正电路130包括升压转换器210、电容C1、电阻R1以及升压控制单元230。其中，升压转换器210具有输入端211、输出端212以及接地端213。并且，此升压转换器210用以依据脉宽调制信号VPWM而将输入端211所传送的整流电压VREC转换成输出端212所传送的校正电压VC。电容C1的第一端耦接至输入端211。电阻R1的第一端耦接至电容C1的第二端，其第二端耦接至接地端213。
升压控制单元230耦接至电阻R1的第一端与第二端、输入端211以及输出端212。升压控制单元230会以一斜波信号VR为基准来产生脉宽调制信号VPWM，并依据流经电阻R1的电流I1、整流电压VREC以及校正电压VC来调整脉宽调制信号VPWM的工作周期(Duty Cycle)与频率。
在本实施例中，升压控制单元230包括信号产生器231与频率控制器232。信号产生器231用以产生斜波信号VR，并依据充电电流IC来调整斜波信号VR的斜率。频率控制器232耦接至信号产生器231与输入端211，用以依据整流电压VREC来调整充电电流IC。
值得一提的是，功率因素校正电路130通过频率控制器232先行调整充电电流IC。之后，信号产生器231便利用充电电流IC的电流值的改变，调整斜波信号VR的频率，使得升压控制单元230对应地调整脉宽调制信号VPWM的频率，以达到降低电磁干扰的现象。
以下将提供功率因素校正电路130的电路图，以进一步的说明功率因素校正电路130是如何调整充电电流IC以及斜波信号VR的斜率。
图3绘示为图2的功率因素校正电路130的详细电路图。请参照图3，升压转换器210包括电感L、晶体管M1、二极管D与电容C2。电感L的第一端耦接至升压转换器210的输入端211。晶体管M1的栅极端接收脉宽调制信号VPWM，晶体管M1的漏极端耦接至电感L的第二端，晶体管M1的源极端耦接至升压转换器210的接地端213。二极管D的阳极端耦接至晶体管M1的漏极端，二极管D的阴极端耦接至升压转换器210的输出端212。电容C2的第一端耦接至二极管D的阴极端，电容C2的第二端耦接至升压转换器210的接地端213。在本实施例中，晶体管M1例如为NMOS晶体管。
信号产生器231包括电阻R2、晶体管Tr1与Tr2、晶体管M2、电容C3与比较器310。电阻R2的第一端接收充电电流IC，且其第二端耦接至地端。晶体管Tr1的发射极端接收第一电压V1，晶体管Tr1的基极端与集电极端耦接至电阻R2的第一端。晶体管Tr2的发射极端耦接至晶体管Tr1的发射极端，晶体管Tr2的基极端耦接至晶体管Tr1的基极端。
再者，电容C3的第一端耦接至晶体管Tr2的集电极端，其第二端耦接至地端。晶体管M2的漏极端耦接至晶体管Tr2的集电极端，晶体管M2的源极端耦接至地端。比较器310的第一输入端耦接至晶体管M2的漏极端，比较器310的第二输入端接收第二电压V2，比较器310的输出端耦接至晶体管M2的栅极端。在本实施例中，晶体管Tr1与Tr2例如为PNP双极性晶体管，而晶体管M2例如为NMOS晶体管。
请继续参照图3，频率控制器232包括电阻R3～R12、晶体管Tr3与Tr4、以及电容C4与C5。电阻R3的第一端耦接至信号产生器231，且其第二端耦接至地端。晶体管Tr3的集电极端耦接至电阻R3的第一端。电阻R4的第一端耦接至晶体管Tr3的发射极端，其第二端耦接至地端。电阻R5的第一端接收整流电压VREC。电阻R6的第一端耦接至电阻R5的第二端。电阻R7的第一端耦接至电阻R6的第二端，其第二端耦接至晶体管Tr3的基极端。
此外，电阻R8的第一端耦接至电阻R7的第二端，其第二端耦接至地端。电容C4的第一端耦接至电阻R8的第一端，其第二端耦接至地端。晶体管Tr4的集电极端耦接至电容C4的第一端。电阻R9的第一端耦接至晶体管Tr4的发射极端，其第二端耦接至地端。电阻R10的第一端接收正比于整流电压VREC的一直流电压VFF，其第二端耦接至晶体管Tr4的基极端。
再者，电阻R11的第一端耦接至电阻R10的第二端，其第二端耦接至地端。电容C5的第一端耦接至电阻R10的第一端，其第二端耦接至地端。电阻R12的第一端耦接电容C5的第一端，其二端耦接至地端。在本实施例中，晶体管Tr3与Tr4例如为NPN双极性晶体管。
在整体作动上，首先，当频率控制器232中的晶体管Tr3尚未导通时，充电电流IC为流经电阻R2与R3上的电流的总合。由于晶体管Tr1与Tr2形成一电流镜(Current Mirror)，因此晶体管Tr2的集电极端所输出的电流也为充电电流IC。之后，比较器310会控制晶体管M2的导通状态，来致使电容C3进行充电或放电。随着电容C3的充电与放电的反复进行，信号产生器231将据以产生斜波信号VR。
当晶体管Tr3导通时，充电电流IC为流经电阻R2、电阻R3与电阻R4上的电流的总和。因此，充电电流IC的电流值将会改变。由于充电电流IC的改变，则信号控制器231会对斜波信号VR的斜率进行调整。藉此，升压控制单元230也会对应的调整脉宽信号VPWM的频率，进而降低电源供应装置100的电磁干扰的现象。
在本实施例中，频率控制器232可以通过整流电压VREC来决定晶体管Tr3的导通状态。举例来说，由于晶体管Tr3导通与否是取决于其基极端所接收到的电压，也就是压降在电阻R8两端的电压差。而电阻R8上的电压，则是将频率控制器232所接收的整流电压VREC，经由电阻R5～R8进行分压来获得。因此，频率控制器232可以依据整流电压VREC来决定晶体管Tr3的导通状态。而电容C4则是用以滤除高频杂讯。
另外，晶体管Tr4的导通与否，也可以决定晶体管Tr3的导通状态。举例来说，当晶体管Tr4不导通时，则晶体管Tr3的基极端所接收到的电压，即为压降在电阻R8两端的电压差。而当晶体管Tr4导通时，则晶体管Tr3的基极端所接收到的电压，即为电阻R8与R9并联后的电压差。相对地，晶体管Tr3会随着其基极端所接收到的电压的大小，而更动其导通状态。
此外，频率控制器232可以依据直流电压VFF的大小，而决定晶体管Tr4的导通状态。举例来说，首先，直流电压VFF会先经由电阻R12与电容C5所组成的滤波器进行滤波。之后，滤波后的直流电压VFF会经由电阻R10与R11进行分压，以便于产生晶体管Tr4的基极端电压，亦即压降于电阻R11两端的电压差。因此，直流电压VFF可以控制任何因整流电压VREC所引起的电流变化，进而保证脉宽调制信号VPWM的频率可以作为整流电压VREC的函数变化。
在本实施例中，升压控制单元230所提供的脉宽调制信号VPWM的频率会20％的改变，另外，为了保持电感最小和损耗最小，在功率因素校正电路130的频率变化，不能超过基频的20％～30％。此外，功率因素校正电路130中工作周期将例如从80％变化到100％。
综上所述，本发明通过频率控制器控制充电电流的大小，使得信号产生电路对应的调整斜波信号的斜率。由于斜波信号的斜率改变，进而调整脉宽调制信号的频率，以降低电源供应装置所产生的电磁干扰的现象。另外，电源供应装置在调整脉宽调制信号的过程中，其将持续输出稳定的电压源。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许更动与润饰，因此本发明的保护范围当以权利要求所界定的为准。

Claims (16)

1.一种功率因素校正电路，包括：
一升压转换器，具有一输入端、一输出端以及一接地端，用以依据一脉宽调制信号而将该输入端所传送的一整流电压转换成该输出端所传送的一校正电压；
一第一电容，其第一端耦接至该输入端；
一第一电阻，其第一端耦接至该第一电容的第二端，其第二端耦接至该接地端；以及
一升压控制单元，耦接至该第一电阻的第一端与第二端、该输入端以及该输出端，该升压控制单元以一斜波信号为基准来产生该脉宽调制信号，并依据流经该第一电阻的电流、该整流电压以及该校正电压来调整该脉宽调制信号的工作周期与频率，其中该升压控制单元包括：
一信号产生器，用以产生该斜波信号，并依据一充电电流来调整该斜波信号的斜率；以及
一频率控制器，耦接至该信号产生器与该输入端，用以依据该整流电压来调整该充电电流。
2.如权利要求1所述的功率因素校正电路，其特征在于，该升压转换器包括：
一电感，其第一端耦接至该升压转换器的该输入端；
一第一晶体管，其栅极端接收该脉宽调制信号，其漏极端耦接至该电感的第二端，其源极端耦接至该升压转换器的该接地端；
一二极管，其阳极端耦接至该第一晶体管的漏极端，其阴极端耦接至该升压转换器的该输出端；以及
一第二电容，其第一端耦接至该二极管的阴极端，其第二端耦接至该升压转换器的该接地端。
3.如权利要求2所述的功率因素校正电路，其特征在于，该第一晶体管为NMOS晶体管。
4.如权利要求1所述的功率因素校正电路，其特征在于，该信号产生器包括：
一第二电阻，其第一端接收该充电电流，其第二端耦接至一地端；
一第二晶体管，其发射极端接收一第一电压，其基极端与集电极端耦接至该第二电阻的第一端；
一第三晶体管，其发射极端耦接至该第二晶体管的发射极端，其基极端耦接至该第二晶体管的基极端；
一第三电容，其第一端耦接至该第三晶体管的集电极端，其第二端耦接至该地端；
一第四晶体管，其漏极端耦接至该第三晶体管的集电极端，其源极端耦接至该地端；以及
一比较器，其第一输入端耦接至该第四晶体管的漏极端，其第二输入端接收一第二电压，其输出端耦接至该第四晶体管的栅极端。
5.如权利要求4所述的功率因素校正电路，其特征在于，该第二晶体管与该第三晶体管为PNP双极性晶体管。
6.如权利要求4所述的功率因素校正电路，其特征在于，该第四晶体管为NMOS晶体管。
7.如权利要求1所述的功率因素校正电路，其特征在于，该频率控制器包括：
一第三电阻，其第一端耦接至该信号产生器，其第二端耦接至一地端；
一第五晶体管，其集电极端耦接至该第三电阻的第一端；
一第四电阻，其第一端耦接至该第五晶体管的发射极端，其第二端耦接至该地端；
一第五电阻，其第一端接收该整流电压；
一第六电阻，其第一端耦接至该第五电阻的第二端；
一第七电阻，其第一端耦接至该第六电阻的第二端，其第二端耦接至该第五晶体管的基极端；
一第八电阻，其第一端耦接至该第七电阻的第二端，其第二端耦接至该地端；
一第四电容，其第一端耦接至该第八电阻的第一端，其第二端耦接至该地端；
一第六晶体管，其集电极端耦接至该第四电容的第一端；
一第九电阻，其第一端耦接至该第六晶体管的发射极端，其第二端耦接至该地端；
一第十电阻，其第一端接收正比于该整流电压的一直流电压，其第二端耦接至该第六晶体管的基极端；
一第十一电阻，其第一端耦接至该第十电阻的第二端，其第二端耦接至地端；
一第五电容，其第一端耦接至该第十电阻的第一端，其第二端耦接至地端；以及
一第十二电阻，其第一端耦接该第五电容的第一端，其二端耦接至地端。
8.如权利要求7所述的功率因素校正电路，其特征在于，该第五晶体管与该第六晶体管为NPN双极性晶体管。
9.一种电源供应装置，包括：
一滤波器，用以接收一交流电压，并滤除该交流电压的高频成分；
一整流器，耦接该滤波器，用以对滤波后的该交流电压进行整流，以产生一整流电压；
一功率因素校正电路，耦接该滤波器，并包括：
一升压转换器，具有一输入端、一输出端以及一接地端，用以依据该脉宽调制信号而将该输入端所传送的该整流电压转换成该输出端所传送的该校正电压；
一第一电容，其第一端耦接至该输入端；
一第一电阻，其第一端耦接至该第一电容的第二端，其第二端耦接至该接地端；以及
一升压控制单元，耦接至该第一电阻的第一端与第二端、该输入端以及该输出端，该升压控制单元以一斜波信号为基准来产生该脉宽调制信号，并依据流经该第一电阻的电流、该整流电压以及该校正电压来调整该脉宽调制信号的工作周期与频率，其中该升压控制单元包括：
一信号产生器，用以产生该斜波信号，并依据一充电电流来调整该斜波信号的斜率；以及
一频率控制器，耦接至该信号产生器与该输入端，用以依据该整流电压来调整该充电电流；
一直流变化器，耦接该功率因素校正电路，用以将该校正电压转换成一输出电压。
10.如权利要求9所述的电源供应装置，其特征在于，该升压转换器包括：
一电感，其第一端耦接至该升压转换器的该输入端；
一第一晶体管，其栅极端接收该脉宽调制信号，其漏极端耦接至该电感的第二端，其源极端耦接至该升压转换器的该接地端；
一二极管，其阳极端耦接至该第一晶体管的漏极端，其阴极端耦接至该升压转换器的该输出端；以及
一第二电容，其第一端耦接至该二极管的阴极端，其第二端耦接至该升压转换器的该接地端。
11.如权利要求10所述的电源供应装置，其特征在于，该第一晶体管为NMOS晶体管。
12.如权利要求9所述的功率因素校正电路，其特征在于，该信号产生器包括：
一第二电阻，其第一端接收该充电电流，其第二端耦接至一地端；
一第二晶体管，其发射极端接收一第一电压，其基极端与集电极端耦接至该第二电阻的第一端；
一第三晶体管，其发射极端耦接至该第二晶体管的发射极端，其基极端耦接至该第二晶体管的基极端；
一第三电容，其第一端耦接至该第三晶体管的集电极端，其第二端耦接至该地端；
一第四晶体管，其漏极端耦接至该第三晶体管的集电极端，其源极端耦接至该地端；以及
一比较器，其第一输入端耦接至该第四晶体管的漏极端，其第二输入端接收一第二电压，其输出端耦接至该第四晶体管的栅极端。
13.如权利要求12所述的电源供应装置，其特征在于，该第二晶体管与该第三晶体管为PNP双极性晶体管。
14.如权利要求12所述的电源供应器，其特征在于，该第四晶体管为NMOS晶体管。
15.如权利要求9所述的电源供应装置，其特征在于，该频率控制器包括：
一第三电阻，其第一端耦接至该信号产生器，其第二端耦接至一地端；
一第五晶体管，其集电极端耦接至该第三电阻的第一端；
一第四电阻，其第一端耦接至该第五晶体管的发射极端，其第二端耦接至该地端；
一第五电阻，其第一端接收该整流电压；
一第六电阻，其第一端耦接至该第五电阻的第二端；
一第七电阻，其第一端耦接至该第六电阻的第二端，其第二端耦接至该第五晶体管的基极端；
一第八电阻，其第一端耦接至该第七电阻的第二端，其第二端耦接至该地端；
一第四电容，其第一端耦接至该第八电阻的第一端，其第二端耦接至该地端；
一第六晶体管，其集电极端耦接至该第四电容的第一端；
一第九电阻，其第一端耦接至该第六晶体管的发射极端，其第二端耦接至该地端；
一第十电阻，其第一端接收正比于该整流电压的一直流电压，其第二端耦接至该第六晶体管的基极端；
一第十一电阻，其第一端耦接至该第十电阻的第二端，其第二端耦接至地端；
一第五电容，其第一端耦接至该第十电阻的第一端，其第二端耦接至地端；以及
一第十二电阻，其第一端耦接该第五电容的第一端，其二端耦接至地端。
16.如权利要求15所述的电源供应装置，其特征在于，该第五晶体管与该第六晶体管为NPN双极性晶体管。
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