Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

CN101498994B - 一种固态硬盘控制器 - Google Patents

一种固态硬盘控制器 Download PDF

Info

Publication number
CN101498994B
CN101498994B CN2009100607776A CN200910060777A CN101498994B CN 101498994 B CN101498994 B CN 101498994B CN 2009100607776 A CN2009100607776 A CN 2009100607776A CN 200910060777 A CN200910060777 A CN 200910060777A CN 101498994 B CN101498994 B CN 101498994B
Authority
CN
China
Prior art keywords
flash memory
data
address
queue
read
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2009100607776A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101498994A (zh
Inventor
周功业
陈进才
侯冰剑
李涛
卢萍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huazhong University of Science and Technology
Original Assignee
Huazhong University of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huazhong University of Science and Technology filed Critical Huazhong University of Science and Technology
Priority to CN2009100607776A priority Critical patent/CN101498994B/zh
Publication of CN101498994A publication Critical patent/CN101498994A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101498994B publication Critical patent/CN101498994B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

一种固态硬盘控制器,属于硬盘存储技术领域。硬盘控制器包括命令队列模块和闪存并行存储模块,命令队列优化模块获取命令地址队列,将其分离为写地址队列和读地址队列,依据写地址队列从硬盘缓冲区提取数据并写入闪存并行存储模块,依据读地址队列从闪存并行存储模块读取数据并输出给硬盘缓冲区。所述闪存并行存储模块包括一个以上的闪存通道,闪存通道内的闪存芯片采用位扩展方式。本发明对写操作和读操作分别进行处理,并通过闪存通道并行结构实现数据并行传输,从而有效提高了固态硬盘读写效率。

Description

一种固态硬盘控制器
技术领域
本发明属于硬盘存储技术领域,特别涉及固态硬盘控制器。
背景技术
固态硬盘(Solid State Disk)简称SSD,采用Flash(闪存)芯片作为存储介质,由控制单元和存储单元(Flash芯片)两部分组成。控制单元主要功能是读取、写入数据,存储单元主要功能是存储数据。由于固态硬盘没有普通硬盘的机械结构,采用半导体材料作为存储介质,和常规硬盘相比,具有低功耗、无噪音、抗震动、低热量、传输速度快等优势。
固态硬盘以NAND型闪存为存储介质。NAND型闪存基本操作有:读取,编程,擦除。读写操作的基本单位是页,擦除操作的基本单位是块。目前大容量闪存采用2KB页时,每个块包含256个页,容量512KB。读取步骤分为:发送命令和寻址信息,将数据传向页面寄存器(随机读稳定时间),数据传出。写步骤分为:发送寻址信息,将数据传向页面寄存器,发送命令信息,数据从寄存器写入页面。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数据,必须先擦除后写入。NAND型闪存的读写速度有较大差异,擦除操作的一个块包含多个页,每个块的最大擦写次数是约一百万次。另外,闪存可能出现坏块。
在传统硬盘的读写过程中,硬盘磁头的寻址时间通常限制了整个硬盘的性能,指令队列技术的发展使得当硬盘设备执行命令时,硬盘内部的控制器根据硬盘磁头的物理位置,对队列中的命令重新排序,优先读写距离当前硬盘磁头的位置最近的扇区。由于固态硬盘的特殊性,在其设计中需要对传统硬盘的管理和数据传输方法进行改进,充分发挥闪存的优势,使固态硬盘更好地支持接口技术和提供更高的内部数据传输率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种固态硬盘控制器,使得固态硬盘具有较快的存储和读取速度。
一种固态硬盘控制器,包括命令队列模块104和闪存并行存储模块105,命令队列优化模块104获取命令地址队列,将其分离为写地址队列和读地址队列,依据写地址队列从硬盘缓冲区提取数据并写入闪存并行存储模块105,依据读地址队列从闪存并行存储模块105读取数据并输出给硬盘缓冲区;所述闪存并行存储模块105包括一个以上的闪存通道,闪存通道内的闪存芯片采用位扩展方式。
所述命令队列优化模块104在分离命令地址队列前,按照命令地址高低对其排序。
所述命令队列优化模块104包括队列控制单元1041)、闪存转译层1043和写闪存转译层1045、写入数据队列1046和读出数据队列1047,
队列控制单元1041获取命令地址队列,根据命令类型将命令地址队列分离为读地址队列1042和写地址队列1044;按照写地址队列1044中的当前写地址并以自定义页大小提取硬盘缓冲区的待写入数据,将其添加到写入数据队列1046;调用写闪存转译层1045将当前写地址转换为当前写物理地址,将其和写入数据队列1046中的当前待写入数据一起传送给闪存并行存储模块105;所述自定页大小依据闪存通道内的闪存芯片位扩展方式确定;以及
队列控制单元1041调用读闪存转译层1043将读地址队列1042的当前读地址转换为当前读物理地址,将其传送给闪存并行存储模块105;接收闪存并行存储模块105的待读出数据,将其添加到读出数据队列1047;按照当前读地址并以扇区容量大小为单位将读出数据队列1047中的当前待读出数据向外输出。
所述闪存并行存储模块105包括闪存阵列控制器801、多端口数据分配器802和一个以上的闪存通道,
闪存阵列控制器801接收队列控制单元1041的当前写物理地址,多端口数据分配器802依据当前写物理地址将来自队列控制单元1041的当前待写入数据存入闪存通道;
闪存阵列控制器801还接收队列控制单元1041的当前读物理地址,端口数据分配器802依据当前读物理地址从闪存通道读取当前待读出数据,将其添加到所述读出数据队列1047。
本发明的技术效果体现在:
(1)本发明对命令队列进行排序优化,将一段地址区间内的多次小块操作聚合,实现在一次闪存操作中完成多次小块操作请求;对命令队列进行分离,分别对分离得到的写操作队列和读操作队列进行操作,提高了固态硬盘读写效率。
(2)本发明设计合理的闪存芯片阵列并行结构和数据管理方法,实现数据并行传输,提高固态硬盘内部数据传输速度。
(3)由于固态硬盘读与写操作的逻辑和物理地址转换机制不同,本发明将闪存转译层分离为读闪存转译层和写闪存转译层,分别对读操作队列和写操作队列进行译址,这样的模块设计使得写读操作均能实现流水线行执行,提高闪存转移层的处理速度。
附图说明
图1为本发明的固态硬盘结构示意图。
图2为本发明的命令队列优化结构示意图。
图3为指令流水线执行示意图。
图4为本发明的命令队列优化流程图。
图5为本发明的数据组织示意图。
图6为本发明的闪存通道位扩展结构示意图。
图7为本发明的数据并行传输示意图。
图8为本发明的数据并行存储控制器结构示意图。
具体实施方式
图1为本发明的固态硬盘结构示意图,固态硬盘工作过程具体为:队列控制器1041从接口101获取命令地址队列102,按照命令地址高低对其排序,按命令类型将排序后的命令队列分离成读地址队列1042和写地址队列1044。写操作中,队列控制器1041调用写闪存转译层(WFTL)1045对写地址队列1044进行坏块管理和磨损平衡处理获得写地址队列的物理地址队列,队列控制器1041按照写地址队列1044依序通过接口101获得数据缓冲区103中的数据,并以自定义页502为单位提取到写入数据队列1046中,队列控制器1041将物理地址队列顺序传送给数据并行存储控制器1051,并行存储控制器1051将从写入数据队列1046获取的数据以自定义页为数据块单位写入到闪存阵列1052中。读操作中,读操作队列1042经过读闪存转译层(RFTL)1043处理,获得操作的物理地址,数据并行存储控制器1051根据由读闪存转译层(RFTL)1043发出的读命令和物理地址,将数据以自定义页为单位从闪存阵列1052中读出传输到读出数据队列1047中,队列控制器1041以扇区为单位将读出数据队列1047的数据传输到数据缓冲区103。
如图2所示,队列优化模块104处理的对象是队列命令202,核心是队列机制。主机适配器与固态硬盘控制器通过接口总线交换数据,通过帧信息结构FIS(Frame Information Structure)来交换逻辑块地址LBA(LogicalBlock Addressing)、地址偏移、命令和状态信息。其中,标记Tag是一个重要的元素,在固态硬盘接口控制器中有一个含有Tag的命令队列,在主机适配器缓存中有与它对应的Tag标志位表,其值域为[0,n],其中n是队列的深度,每一条命令都有唯一的标记值,应用于队列化命令的数据操作。本发明的队列控制器1041主要完成读写命令的分离、处理读出/写入数据队列管理和与数据缓冲区的数据交互、返回命令执行状态等功能。如果固态硬盘在很短的时间内完成多条命令(这在工作负荷繁重时经常出现),队列控制器可以将多个中断聚合起来,这样主机控制器只需处理一次中断就可以了。本发明的队列控制器采用第一方直接内存访问(DMA)技术,使硬盘能够在没有主机软件干预的情况下,为数据传输设置直接内存访问(DMA)操作。硬盘通过向主机控制器发送一个DMA配置帧信息结构(DMA Setup FIS)来选择DMA内容。这一FIS为被设置的DMA指定了命令标记。主机控制器根据标记值,为该命令向DMA引擎内装载定时器周期寄存器(PRD)表指针,然后,数据传输就可以在没有主机干预情况下进行,硬盘由于可以自己选择所传送数据的缓冲区,就能够更有效地对命令重新排序。
如图3和图4所示,在建立读/写操作队列后,由于每个队列完成读或写之中单一的功能,可将读/写操作过程细化为多个功能模块,使指令队列能流水线301操作,这将大大加速指令队列的执行过程。
如图5所示,硬盘接口以扇区(Sector)501为数据传输单位,1个扇区容量为512*8bit。闪存芯片以页(Page)为数据传输单位,目前大容量闪存采用2KB页,1个页有效数据容量为2048*8bit。本发明的每个闪存通道内采取位扩展方式使通道内多块闪存芯片能并行操作,假设单个闪存芯片页(Page)容量为N字节(Byte),一个闪存通道内采取M个闪存芯片进行位扩展,则为了适应并行存储应该采取自定义页为闪存通道数据传输单位,每个自定义页容量为N*(M*8)bit。本发明的闪存数据传输单位为自定义页502,一个自定义页容量为2048*16bit。因此在数据写入时,需要由队列控制器1041将数据缓冲区103中八个连续扇区数据501组织为一个自定义页502放入写入数据队列1046。在数据读出时,需要由队列控制器1041将读出数据队列1047中一个自定义页502分离为八个连续扇区数据501放入数据缓冲区103中。
如图6和图7所示,本发明的数据并行存储方法包括两层并行操作:将闪存阵列划为多个闪存通道601,由数据并行存储控制器1051控制各通道实现并行操作;各通道内的闪存芯片采取位扩展方式,以自定义页502为传输单位,低8位与高8位分别由不用芯片存储,使通道内多块闪存芯片能并行操作。在本发明实施过程中,以8个闪存芯片组成的存储阵列来举例说明:闪存阵列1052的8个闪存芯片组成4个通道,一次I/O数据请求701要写入9个自定义页502的数据,这一个请求被转化为9项操作,其中的每一项操作都对应于一个闪存通道602。原先顺序的自定义页数据701写操作被分散到所有的8块闪存芯片中并行执行。从理论上讲,8块闪存芯片的并行操作使同一时间段内硬盘读写速度提升了8倍。但由于总线带宽等多种因素的影响,实际的提升速率会低于理论值,但是大量数据并行传输与串行传输相比能带来显著的提速效果。
如图7和图8所示,本发明的数据并行存储控制器1051在收到写数据命令后,闪存阵列控制器801根据命令提供的数据信息和地址信息,产生相应通道的写入命令,多端口数据分配器802将数据从写入数据队列1046中取出,以自定义页502为单位将数据分配到相应通道的写先进先出队列(写FIFO)804上,闪存阵列控制器801根据各通道601返回的状态信息控制后续操作,向上层返回该命执行状态信息。在收到读数据命令时,闪存阵列控制器801根据命令提供的数据信息和地址信息产生相应通道601的读出命令,多端口数据分配器802以自定义页502为单位将数据从相应通道601的读先进先出队列(读FIFO)803读出,写入读出数据队列1047。闪存阵列控制器801根据各通道601返回的状态信息控制后续操作,向上层返回该命令执行状态信息。

Claims (4)

1.一种固态硬盘控制器,其特征在于,包括命令队列优化模块(104)和闪存并行存储模块(105),命令队列优化模块(104)获取命令地址队列,将其分离为写地址队列和读地址队列,依据写地址队列从硬盘缓冲区提取数据并写入闪存并行存储模块(105),依据读地址队列从闪存并行存储模块(105)读取数据并输出给硬盘缓冲区;所述闪存并行存储模块(105)包括一个以上的闪存通道,闪存通道内的闪存芯片采用位扩展方式。
2.根据权利要求1所述的一种固态硬盘控制器,其特征在于,所述命令队列优化模块(104)在分离命令地址队列前,按照命令地址高低对其排序。
3.根据权利要求2所述的一种固态硬盘控制器,其特征在于,所述命令队列优化模块(104)包括队列控制单元(1041)、读闪存转译层(1043)和写闪存转译层(1045)、写入数据队列(1046)和读出数据队列(1047),队列控制单元(1041)获取命令地址队列,根据命令类型将命令地址队列分离为读地址队列(1042)和写地址队列(1044);按照写地址队列(1044)中的当前写地址并以自定义页大小提取硬盘缓冲区的待写入数据,将其添加到写入数据队列(1046);调用写闪存转译层(1045)将当前写地址转换为当前写物理地址,将其和写入数据队列(1046)中的当前待写入数据一起传送给闪存并行存储模块(105);所述自定义页大小由闪存通道内的闪存芯片位扩展方式确定;以及
队列控制单元(1041)调用读闪存转译层(1043)将读地址队列(1042)的当前读地址转换为当前读物理地址,将其传送给闪存并行存储模块(105);接收闪存并行存储模块(105)的待读出数据,将其添加到读出数据队列(1047);按照当前读地址并以扇区容量大小为单位将读出数据队列(1047)中的当前待读出数据向外输出。 
4.根据权利要求3所述的一种固态硬盘控制器,其特征在于,所述闪存并行存储模块(105)包括闪存阵列控制器(801)、多端口数据分配器(802)和一个以上的闪存通道,
闪存阵列控制器(801)接收队列控制单元(1041)的当前写物理地址,多端口数据分配器(802)依据当前写物理地址将来自队列控制单元(1041)的当前待写入数据存入闪存通道;
闪存阵列控制器(801)还接收队列控制单元(1041)的当前读物理地址,端口数据分配器(802)依据当前读物理地址从闪存通道读取当前待读出数据,将其添加到所述读出数据队列(1047)。 
CN2009100607776A 2009-02-16 2009-02-16 一种固态硬盘控制器 Expired - Fee Related CN101498994B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009100607776A CN101498994B (zh) 2009-02-16 2009-02-16 一种固态硬盘控制器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009100607776A CN101498994B (zh) 2009-02-16 2009-02-16 一种固态硬盘控制器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101498994A CN101498994A (zh) 2009-08-05
CN101498994B true CN101498994B (zh) 2011-04-20

Family

ID=40946085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009100607776A Expired - Fee Related CN101498994B (zh) 2009-02-16 2009-02-16 一种固态硬盘控制器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101498994B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105912307A (zh) * 2016-04-27 2016-08-31 浪潮(北京)电子信息产业有限公司 一种Flash控制器数据处理方法及装置

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102063263B (zh) * 2009-11-18 2013-06-26 成都市华为赛门铁克科技有限公司 固态硬盘响应主机读写操作请求的方法、设备及系统
US8429374B2 (en) * 2010-01-28 2013-04-23 Sony Corporation System and method for read-while-write with NAND memory device
CN102236625A (zh) * 2010-04-20 2011-11-09 上海华虹集成电路有限责任公司 一种可同时进行读写操作的多通道NANDflash控制器
CN101916227B (zh) * 2010-08-13 2015-04-01 中兴通讯股份有限公司 一种rldram sio存储器访问控制方法和装置
CN102591816A (zh) * 2011-01-17 2012-07-18 上海华虹集成电路有限责任公司 一种多通道Nandflash存储系统
US20120221767A1 (en) 2011-02-28 2012-08-30 Apple Inc. Efficient buffering for a system having non-volatile memory
CN102654855A (zh) * 2011-03-04 2012-09-05 上海华虹集成电路有限责任公司 一种对Nandflash指令执行进行编程的Nandflash控制器
CN102279825B (zh) * 2011-04-02 2014-11-12 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种固态硬盘控制器的智能dma控制器
CN102298555B (zh) * 2011-08-22 2016-04-27 宜兴市华星特种陶瓷科技有限公司 基于nand技术的模块化闪存管理系统
CN102566939B (zh) * 2011-12-19 2014-12-03 记忆科技(深圳)有限公司 一种固态硬盘及其读-修改-写操作的数据管理方法
CN102567219B (zh) * 2011-12-31 2015-08-05 记忆科技(深圳)有限公司 固态硬盘sata接口的数据传输方法
CN102609218B (zh) * 2012-01-18 2015-06-24 清华大学 并行闪存转换层方法与系统
CN103226528A (zh) * 2012-01-31 2013-07-31 上海华虹集成电路有限责任公司 多通道与非型闪存控制器
CN103226524B (zh) * 2012-01-31 2017-07-04 上海华虹集成电路有限责任公司 对Nandflash的坏块和空块进行统一管理的FIFO系统
CN103064636B (zh) * 2012-12-24 2016-04-13 创新科存储技术有限公司 一种固态硬盘读写方法以及一种固态硬盘
CN103198039A (zh) * 2013-04-19 2013-07-10 无锡云动科技发展有限公司 一种数据传输控制器及其混合存储装置
CN103425438B (zh) * 2013-07-15 2016-08-10 记忆科技(深圳)有限公司 优化固态硬盘写请求的方法及其固态硬盘
KR20160118836A (ko) * 2015-04-03 2016-10-12 에스케이하이닉스 주식회사 호스트 커맨드 큐를 포함하는 메모리 컨트롤러 및 그것의 동작 방법
KR102526104B1 (ko) * 2016-03-25 2023-04-27 에스케이하이닉스 주식회사 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
CN108156823B (zh) 2016-08-31 2020-04-14 华为技术有限公司 一种闪存介质的访问方法及控制器
CN107870736B (zh) * 2016-09-28 2021-08-10 龙芯中科技术股份有限公司 支持大于4gb非线性闪存的方法及装置
JP6677627B2 (ja) * 2016-12-20 2020-04-08 株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント 情報処理装置およびメモリアクセス方法
CN108241585B (zh) * 2016-12-23 2023-08-22 北京忆芯科技有限公司 大容量nvm接口控制器
CN106708441B (zh) * 2016-12-29 2019-06-21 至誉科技(武汉)有限公司 一种用于降低固态存储读延迟的操作方法
KR20180094724A (ko) * 2017-02-16 2018-08-24 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작방법
CN107273304A (zh) * 2017-05-24 2017-10-20 记忆科技(深圳)有限公司 一种提高固态硬盘顺序读性能的方法及固态硬盘
TWI636363B (zh) * 2017-08-08 2018-09-21 慧榮科技股份有限公司 用來於一記憶裝置中進行動態資源管理之方法以及記憶裝置及其控制器
CN108021516B (zh) * 2017-12-19 2020-12-25 联芸科技(杭州)有限公司 一种并行存储介质存储控制器的命令调度管理系统与方法
CN108170380B (zh) * 2017-12-28 2021-02-05 深圳忆联信息系统有限公司 一种固态硬盘提升顺序读性能的方法及固态硬盘
CN108228104B (zh) * 2017-12-29 2021-04-20 深圳忆联信息系统有限公司 数据传输方法及固态硬盘控制器
CN108595110B (zh) * 2018-03-07 2021-12-14 深圳忆联信息系统有限公司 一种利用Nand特性提高读性能的方法及固态硬盘
CN108762674A (zh) * 2018-05-24 2018-11-06 深圳忆联信息系统有限公司 提升ssd响应延迟的方法及装置
CN108920093B (zh) * 2018-05-30 2022-02-18 北京三快在线科技有限公司 数据读写方法、装置、电子设备及可读存储介质
CN108874685B (zh) * 2018-06-21 2021-10-29 郑州云海信息技术有限公司 固态硬盘的数据处理方法以及固态硬盘
CN108959117B (zh) * 2018-06-22 2021-01-19 深圳忆联信息系统有限公司 H2d写操作加速方法、装置、计算机设备及存储介质
CN109683823B (zh) * 2018-12-20 2022-02-11 湖南国科微电子股份有限公司 一种管理存储器多并发请求的方法及装置
CN110134333B (zh) * 2019-05-07 2022-06-07 深圳忆联信息系统有限公司 一种重排写入数据流提升ssd读拼接率的方法及其系统
CN110515859B (zh) * 2019-07-09 2021-07-20 杭州电子科技大学 一种固态硬盘读写请求并行处理方法
WO2021035761A1 (zh) * 2019-08-31 2021-03-04 华为技术有限公司 一种固态硬盘混合读写的实现方法以及装置
CN110633054A (zh) * 2019-09-18 2019-12-31 深圳市硅格半导体有限公司 一种提高sata逻辑写性能的预启动方法及其系统
CN112346665B (zh) * 2020-11-30 2023-05-19 杭州华澜微电子股份有限公司 基于pcie的通信方法、装置、设备、系统及存储介质
CN114461134B (zh) * 2021-11-19 2024-05-14 中航航空电子有限公司 硬盘零碎块读写装置、方法、计算机设备和存储介质
CN114328345B (zh) * 2021-12-10 2024-05-03 北京泽石科技有限公司 控制信息的处理方法、装置以及计算机可读存储介质
CN114356246B (zh) * 2022-03-17 2022-05-13 北京得瑞领新科技有限公司 Ssd内部数据的存储管理方法、装置、存储介质及ssd设备
CN115454330A (zh) * 2022-08-03 2022-12-09 中勍科技股份有限公司 一种并行管理多个ssd读写的方法
CN116755639B (zh) * 2023-08-18 2024-03-08 深圳大普微电子科技有限公司 闪存接口的性能评估方法及相关装置
CN116795735B (zh) * 2023-08-23 2023-11-03 四川云海芯科微电子科技有限公司 固态硬盘空间分配方法、装置、介质及系统
CN117406934B (zh) * 2023-12-13 2024-04-30 深圳市思远半导体有限公司 闪存数据访问方法、电量计算方法、装置及存储介质

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105912307A (zh) * 2016-04-27 2016-08-31 浪潮(北京)电子信息产业有限公司 一种Flash控制器数据处理方法及装置
CN105912307B (zh) * 2016-04-27 2018-09-07 浪潮(北京)电子信息产业有限公司 一种Flash控制器数据处理方法及装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101498994A (zh) 2009-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101498994B (zh) 一种固态硬盘控制器
CN104461393B (zh) 一种闪存存储器的混合映射方法
EP2291746B1 (en) Hybrid memory management
CN103049397B (zh) 一种基于相变存储器的固态硬盘内部缓存管理方法及系统
CN102799534B (zh) 基于固态存储介质的存储系统及方法、冷热数据识别方法
CN102012791B (zh) 基于Flash的数据存储PCIE板卡
CN101571832B (zh) 数据写入方法及使用该方法的快闪存储系统与其控制器
CN101464834B (zh) 闪存数据写入方法及使用此方法的控制器
CN105867840A (zh) 闪存组件及非易失性半导体存储器组件
CN103810113A (zh) 一种非易失存储器和动态随机存取存储器的融合内存系统
CN101634967B (zh) 用于闪存的区块管理方法、储存系统与控制器
CN206557758U (zh) 一种基于fpga可扩展的nand flash存储芯片阵列控制器
JP2011517789A (ja) 直接実行制御機能とストレージ機能が複合された大容量保存装置
CN109164976B (zh) 利用写缓存优化存储设备性能
CN109656833B (zh) 数据储存装置
CN103207846A (zh) 内存控制器及控制方法
CN101661431B (zh) 用于快闪存储器的区块管理方法、快闪储存系统及控制器
CN101436171B (zh) 模块化通信控制系统
CN111475436A (zh) 一种基于pcie交换网络的嵌入式高速sata存储阵列系统
CN109558334A (zh) 垃圾数据回收方法及固态存储设备
CN102999441A (zh) 一种细粒度内存访问的方法
CN102981801A (zh) 一种本地总线数据位宽的转换方法及装置
CN114253461A (zh) 混合通道存储设备
CN102520885A (zh) 一种混合硬盘的数据管理系统
CN102236625A (zh) 一种可同时进行读写操作的多通道NANDflash控制器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110420

Termination date: 20150216

EXPY Termination of patent right or utility model