CN101456222A - Method for cutting wafer - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种晶片的分割方法,其能够沿着呈格子状地形成的间隔道高效率地分割多个晶片。晶片在表面上通过呈格子状地形成的间隔道而划分出多个区域,并在该划分出的区域上形成有多个器件,上述晶片的分割方法沿着间隔道将上述晶片分割成一个个器件,在上述晶片的分割方法中,在将多个光器件晶片粘贴在安装于环状框架的切割带的表面上的状态下,实施以下工序:激光加工槽形成工序,沿着间隔道对多个晶片分别照射激光光线,从而在晶片上沿着间隔道形成激光加工槽;分割工序,将晶片沿着形成有激光加工槽的间隔道分割成一个个器件;和拾取工序,将分割成一个一个的器件从切割带剥离并进行拾取。
The present invention provides a wafer dividing method capable of efficiently dividing a plurality of wafers along grid-shaped lanes. The surface of the wafer is divided into a plurality of regions by grid-shaped partitions, and a plurality of devices are formed on the partitioned regions. For the device, in the method for dividing the above-mentioned wafer, in the state where a plurality of optical device wafers are pasted on the surface of the dicing tape mounted on the ring frame, the following steps are carried out: a laser processing groove forming step, along the interval lanes for multiple The wafers are respectively irradiated with laser light, thereby forming laser processing grooves on the wafer along the interval roads; the dividing process divides the wafer into individual devices along the interval roads formed with the laser processing grooves; The devices are peeled from the dicing tape and picked.
Description
技术领域 technical field
本发明涉及一种晶片的分割方法,晶片在表面上通过呈格子状地形成的间隔道划分出多个区域,并在该划分出的区域上形成有多个器件,该晶片的分割方法沿着间隔道将上述晶片分割成一个个器件。The present invention relates to a method for dividing a wafer. The surface of the wafer is divided into a plurality of regions by grid-shaped spacers, and a plurality of devices are formed on the divided regions. The method for dividing the wafer is along the The lanes divide the wafer into individual devices.
背景技术 Background technique
光器件晶片在蓝宝石基板等的表面上通过呈格子状地形成的被称为间隔道的分割预定线划分出多个区域,在该划分出的区域上层叠有氮化镓类化合物半导体等光器件,该光器件晶片沿着间隔道被分割成一个个发光二极管等光器件,并广泛地应用于电气设备。Optical device wafers are divided into a plurality of regions on the surface of a sapphire substrate or the like by dividing lines called streets formed in a grid pattern, and optical devices such as gallium nitride-based compound semiconductors are stacked on the divided regions. , the optical device wafer is divided into light-emitting diodes and other optical devices along the interval lanes, and is widely used in electrical equipment.
这样的光器件晶片的沿着间隔道的切断通常利用切削刀片高速旋转地进行切削的切削装置来进行。但是,由于蓝宝石基板的莫氏硬度高,是难切削材料,所以需要减慢加工速度,存在生产率差的问题。Cutting of such an optical device wafer along the lanes is generally performed by a cutting device in which a cutting blade rotates at a high speed and cuts. However, since the sapphire substrate has a high Mohs hardness and is a difficult-to-cut material, the processing speed needs to be slowed down, resulting in poor productivity.
近年来,作为沿着间隔道分割光器件晶片的方法,提出了这样的方法:沿着间隔道照射相对于晶片具有吸收性的脉冲激光光线,从而形成激光加工槽,通过沿着该激光加工槽施加外力来割断晶片。(例如参照专利文献1。)In recent years, as a method of dividing an optical device wafer along the lanes, a method has been proposed in which a laser-processed groove is formed by irradiating pulsed laser light having absorption properties with respect to the wafer along the lanes, and by External force is applied to break the wafer. (For example, refer to
专利文献1:日本特开平10-305420号公报Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-305420
然而,形成上述的光器件晶片的蓝宝石基板的直径是50mm左右,比较小。另一方面,激光加工装置的保持晶片的卡盘工作台构成为与直径在200~300mm的半导体晶片对应的大小。因此,为了有效地利用卡盘工作台的保持面,在安装于环状框架的粘胶带上粘贴多个光器件晶片,将粘贴在该粘胶带上的多个光器件晶片保持在卡盘工作台上,并实施激光加工,由此,提高了生产率。However, the diameter of the sapphire substrate on which the above-mentioned optical device wafer is formed is about 50 mm, which is relatively small. On the other hand, the chuck table holding the wafer of the laser processing apparatus is configured to have a size corresponding to a semiconductor wafer having a diameter of 200 to 300 mm. Therefore, in order to effectively utilize the holding surface of the chuck table, a plurality of optical device wafers are attached to an adhesive tape attached to a ring frame, and the plurality of optical device wafers attached to the adhesive tape are held in the chuck. On the workbench, and implement laser processing, thereby improving productivity.
这样,通过在安装于环状框架的粘胶带上粘贴多个光器件晶片,将粘贴在该粘胶带上的多个光器件晶片保持在卡盘工作台上后,沿着间隔道照射激光光线,从而在光器件晶片上沿着间隔道形成激光加工槽,然后实施分割工序,即,将沿着间隔道形成有激光加工槽的光器件晶片逐个地移贴到切割带上,沿着间隔道将光器件晶片分割开来。因此必须实施将沿着间隔道形成有激光加工槽的晶片移贴到切割带上的工序,在生产率方面不一定能够满足。In this way, by affixing a plurality of optical device wafers on the adhesive tape attached to the ring frame, holding the plurality of optical device wafers attached to the adhesive tape on the chuck table, and then irradiating laser light along the interval lanes light, so as to form laser processing grooves on the optical device wafer along the interval road, and then implement the dividing process, that is, the optical device wafers with laser processing grooves formed along the interval roads are moved and pasted on the dicing tape one by one, along the interval The road separates the optical device wafer. Therefore, it is necessary to carry out the process of transferring and attaching the wafer having the laser-processed grooves formed along the lanes to the dicing tape, which is not necessarily satisfactory in terms of productivity.
发明内容 Contents of the invention
本发明是鉴于上述事实而完成的,其主要的技术课题在于提供一种能够沿着呈格子状地形成的间隔道高效率地分割多个晶片的晶片的分割方法。The present invention has been made in view of the above facts, and its main technical task is to provide a wafer dividing method capable of efficiently dividing a plurality of wafers along grid-shaped streets.
为了解决上述主要的技术课题,根据本发明,提供一种晶片的分割方法,晶片在表面上通过呈格子状地形成的间隔道而划分出多个区域,并在该划分出的区域上形成有多个器件,上述晶片的分割方法沿着上述间隔道将上述晶片分割成一个个器件,其特征在于,In order to solve the above-mentioned main technical problems, according to the present invention, a method for dividing a wafer is provided. The wafer is divided into a plurality of regions by grid-shaped partitions formed on the surface, and the divided regions are formed with A plurality of devices, the method for dividing the above-mentioned wafer divides the above-mentioned wafer into individual devices along the above-mentioned interval road, and it is characterized in that,
上述晶片的分割方法包括以下工序:The dividing method of above-mentioned wafer comprises following operation:
晶片支承工序,将多个晶片粘贴在安装于环状框架的切割带的表面上;Wafer supporting process, sticking a plurality of wafers on the surface of the dicing tape installed on the ring frame;
激光加工槽形成工序,对安装于上述环状框架的上述切割带的表面上所粘贴的多个晶片沿着间隔道照射激光光线,从而在多个晶片上沿着间隔道形成激光加工槽;a laser processing groove forming step of irradiating laser beams along the interval lanes to the plurality of wafers attached to the surface of the above-mentioned dicing tape attached to the above-mentioned annular frame, thereby forming laser processing grooves along the interval lanes on the plurality of wafers;
分割工序,在将沿着间隔道形成有激光加工槽的晶片粘贴在上述切割带的表面上的状态下,沿着形成有激光加工槽的间隔道将上述晶片分割成一个个器件;和A dividing step, in a state where the wafer having laser-processed grooves formed along the intervals is pasted on the surface of the above-mentioned dicing tape, dividing the above-mentioned wafer into individual devices along the intervals formed with the laser-processed grooves; and
拾取工序,在实施了上述分割工序之后,将分割成一个一个的器件从上述切割带剥离并进行拾取。In the picking-up step, after the above-mentioned dividing step is performed, the individual devices separated from the dicing tape are peeled off and picked up.
上述激光加工槽形成工序使用激光加工装置来实施,该激光加工装置包括:保持被加工物的卡盘工作台;对保持在卡盘工作台上的被加工物照射激光光线的激光光线照射构件;和对保持在卡盘工作台上的被加工物进行拍摄的摄像构件,在上述激光加工槽形成工序中,在实施校准工序后,对多个晶片分别沿着间隔道照射激光光线,其中在上述校准工序中,利用摄像构件分别对隔着切割带保持在卡盘工作台上的多个晶片进行拍摄,对多个晶片分别进行形成在晶片上的间隔道与激光光线照射构件的激光光线照射位置的位置对准。The laser processing groove forming step is carried out using a laser processing device including: a chuck table holding a workpiece held on the chuck table; a laser beam irradiation member for irradiating laser light to the workpiece held on the chuck table; As for the imaging means for photographing the workpiece held on the chuck table, in the above-mentioned laser machining groove forming step, after the alignment step is performed, laser light is irradiated to the plurality of wafers respectively along the interval lanes, wherein in the above-mentioned In the alignment process, the plurality of wafers held on the chuck table with the dicing tape interposed therebetween are photographed by the imaging unit, and the spacing lanes formed on the wafers and the laser beam irradiation position of the laser beam irradiation unit are respectively determined for the plurality of wafers. position aligned.
此外,优选的是,在实施上述拾取工序时,使切割带扩张从而在分割成一个一个的器件之间形成间隙。In addition, it is preferable to expand the dicing tape so as to form gaps between the individual devices when the above-mentioned picking-up step is carried out.
在本发明的晶片的分割方法中,由于在将多个光器件晶片粘贴在安装于环状框架的切割带的表面上的状态下,实施以下工序:激光加工槽形成工序,沿着间隔道对多个晶片分别照射激光光线,从而在晶片上沿着间隔道形成激光加工槽;分割工序,将晶片沿着形成有激光加工槽的间隔道分割成一个个器件;和拾取工序,将分割成一个一个的器件从切割带剥离并进行拾取,所以能够高效率地分割多个晶片。In the wafer dividing method of the present invention, since a plurality of optical device wafers are pasted on the surface of the dicing tape mounted on the ring frame, the following steps are carried out: the laser processing groove forming step, along the separation lane A plurality of wafers are respectively irradiated with laser light, thereby forming laser processing grooves on the wafer along the interval road; a dividing process, dividing the wafer into individual devices along the interval road formed with the laser processing groove; One device is peeled from the dicing tape and picked up, so multiple wafers can be efficiently divided.
附图说明 Description of drawings
图1是作为利用本发明的晶片的分割方法被分割的晶片的光器件晶片的立体图。FIG. 1 is a perspective view of an optical device wafer as a wafer divided by a method for dividing a wafer according to the present invention.
图2是表示实施本发明的晶片的分割方法中的晶片支承工序,在安装于环状框架的切割带的表面上粘贴有多个图1所示的光器件晶片的状态的立体图。2 is a perspective view showing a state in which a plurality of optical device wafers shown in FIG. 1 are pasted on the surface of a dicing tape mounted on a ring frame in a wafer supporting step in the method of dividing a wafer according to the present invention.
图3是用于实施本发明的晶片的分割方法中的激光加工槽形成工序的激光加工装置的立体图。3 is a perspective view of a laser processing apparatus for performing a laser processing groove forming step in the wafer dividing method of the present invention.
图4是表示图2所示的粘贴在安装于环状框架的切割带的表面上的多个光器件晶片与保持在图3所示的激光加工装置的卡盘工作台的预定位置上的状态下的坐标的关系的说明图。FIG. 4 shows a state in which a plurality of optical device wafers attached to the surface of the dicing tape attached to the ring frame shown in FIG. 2 are held at predetermined positions on the chuck table of the laser processing apparatus shown in FIG. 3 An explanatory diagram of the relationship of the coordinates below.
图5是本发明的晶片的分割方法中的激光加工槽形成工序的说明图。5 is an explanatory diagram of a laser machining groove forming step in the wafer dividing method of the present invention.
图6是实施了本发明的晶片的分割方法中的激光加工槽形成工序的光器件晶片的主要部分放大剖视图。6 is an enlarged cross-sectional view of a main part of an optical device wafer subjected to a laser machining groove forming step in the wafer dividing method of the present invention.
图7是用于实施本发明的晶片的分割方法中的分割工序和拾取工序的分割装置的立体图。FIG. 7 is a perspective view of a dividing apparatus for carrying out the dividing step and the picking-up step in the wafer dividing method of the present invention.
图8是分解表示图7所示的分割装置的主要部分的立体图。Fig. 8 is an exploded perspective view showing a main part of the dividing device shown in Fig. 7 .
图9是表示构成图7所示的分割装置的第二工作台、框架保持构件和带扩张构件的剖视图。Fig. 9 is a cross-sectional view showing a second table, a frame holding member, and a belt expanding member constituting the dividing device shown in Fig. 7 .
图10是表示本发明的晶片的分割方法中的分割工序的说明图。FIG. 10 is an explanatory view showing a dividing step in the wafer dividing method of the present invention.
图11是表示本发明的晶片的分割方法中的拾取工序的说明图。FIG. 11 is an explanatory diagram showing a pick-up step in the wafer dividing method of the present invention.
标号说明Label description
1:激光加工装置;2:静止基座;3:卡盘工作台机构;36:卡盘工作台;37:加工进给构件;374:X轴方向位置检测构件;38:第一分度进给构件;384:Y轴方向位置检测构件;4:激光光线照射单元支承机构;42:可动支承基座;43:第二分度进给构件;5:激光光线照射单元;52:激光光线照射构件;522:聚光器;55:摄像构件;6:控制构件;7:分割装置;70:基座;71:第一工作台;72:第二工作台;75:框架保持构件;76:带扩张构件;760:扩张鼓;77:转动构件;78:超声波振动施加构件;8:检测构件;9:拾取构件;10:光器件晶片;101:间隔道;102:器件;110:激光加工槽;F:环状框架;T:切割带。1: Laser processing device; 2: Stationary base; 3: Chuck table mechanism; 36: Chuck table; 37: Processing feed member; 374: X-axis position detection member; 38: First index feed Giving component; 384: Y-axis position detection component; 4: Laser beam irradiation unit support mechanism; 42: Movable support base; 43: Second index feed component; 5: Laser beam irradiation unit; 52: Laser beam Illumination component; 522: condenser; 55: camera component; 6: control component; 7: dividing device; 70: base; 71: first workbench; 72: second workbench; 75: frame holding member; 76 : belt expansion member; 760: expansion drum; 77: rotating member; 78: ultrasonic vibration applying member; 8: detecting member; 9: picking member; 10: optical device wafer; 101: spacer; 102: device; 110: laser Processing groove; F: ring frame; T: cutting belt.
具体实施方式 Detailed ways
以下参照附图更详细地说明本发明的晶片的分割方法的优选实施方式。Preferred embodiments of the method for dividing a wafer according to the present invention will be described in more detail below with reference to the drawings.
图1表示了利用本发明的晶片的分割方法分割的光器件晶片10。图1所示的光器件晶片10在例如直径为50mm的蓝宝石基板的表面10a上通过呈格子状地形成的间隔道101划分出多个区域,在该划分出的区域上形成有多个发光二极管等光器件102。FIG. 1 shows an
在将如上所述地构成的光器件晶片10沿着间隔道101分割成一个个光器件102时,首先将光器件晶片10粘贴在安装于环状框架的切割带的表面上。然而,由于光器件晶片10如上述那样直径比较小,为50mm,所以如果逐个地分割的话则生产率差,因此如图2所示,将多个(在图示的实施方式中是7个)光器件晶片10-1、10-2、10-3、10-4、10-5、10-6、10-7各自的背面10b粘贴到安装于环状框架F的切割带T的表面上(晶片支承工序)。因此,多个光器件晶片10-1、10-2、10-3、10-4、10-5、10-6、10-7各自的表面10a处于上侧。此外,环状框架F由不锈钢等金属材料形成,切割带T由聚烯烃等合成树脂片构成,并且在表面形成有厚度为5μm左右的粘结层。这样,将多个光器件晶片10粘贴到安装于环状框架F的切割带T的表面上的晶片支承工序,能够使用例如日本特开2006-324502号公报中公开的贴带机来实施。When the optical device wafer 10 configured as described above is divided into individual
在实施了上述的晶片支承工序之后,实施校准工序和激光加工槽形成工序,在所述校准工序中,将粘贴在安装于环状框架F的切割带T的表面上的多个光器件晶片10保持在激光加工装置的卡盘工作台上,对多个光器件晶片10分别进行形成在光器件晶片10上的间隔道101与激光加工装置的激光光线照射构件的激光光线照射位置的位置对准;在所述激光加工槽形成工序中,沿着间隔道101对多个光器件晶片10照射激光光线,从而在多个光器件晶片10上沿着间隔道101形成激光加工槽。该校准工序和激光加工槽形成工序使用图3所示的激光加工装置来实施。After performing the above-mentioned wafer supporting step, an alignment step and a laser machining groove forming step are carried out. Holding on the chuck table of the laser processing device, the plurality of
图3所示的激光加工装置1包括:静止基座2;卡盘工作台机构3,其以能够沿箭头X所示的加工进给方向(X轴方向)移动的方式配设在上述静止基座2上,用于保持被加工物;激光光线照射单元支承机构4,其以能够沿与上述箭头X所示的方向(X轴方向)正交的箭头Y所示的分度进给方向(Y轴方向)移动的方式配设在静止基座2上;和激光光线照射单元5,其以能够沿箭头Z所示的方向(Z轴方向)移动的方式配设在上述激光光线照射单元支承机构4上。The
上述卡盘工作台机构3包括:沿着箭头X所示的加工进给方向(X轴方向)平行地配设在静止基座2上的一对导轨31、31;以能够沿箭头X所示的加工进给方向(X轴方向)移动的方式配设在上述导轨31、31上的第一滑块32;以能够沿箭头Y所示的分度进给方向(Y轴方向)移动的方式配设在上述第一滑块32上的第二滑块33;通过圆筒部件34支承在上述第二滑块33上的覆盖工作台35;和作为被加工物保持构件的卡盘工作台36。该卡盘工作台36包括由多孔性材料形成的吸附卡盘361,作为被加工物的例如圆盘状的半导体晶片通过未图示的吸引构件保持在吸附卡盘361上。这样构成的卡盘工作台36通过配设在圆筒部件34内的脉冲马达360旋转。此外,在卡盘工作台36上配设有用来固定后述的环状框架的夹紧器362。The above-mentioned chuck table mechanism 3 includes: a pair of
上述第一滑块32在其下表面设置有与上述一对导轨31、31配合的一对被引导槽321、321,并且在其上表面设置有沿着箭头Y所示的分度进给方向(Y轴方向)平行地形成的一对导轨322、322。这样构成的第一滑块32构成为:通过被引导槽321、321与一对导轨31、31配合,而能够沿着一对导轨31、31在箭头X所示的加工进给方向(X轴方向)上移动。图示的实施方式中的卡盘工作台机构3包括加工进给构件37,该加工进给构件37用于使第一滑块32沿着一对导轨31、31在箭头X所示的加工进给方向(X轴方向)上移动。加工进给构件37包括:平行地配设在上述一对导轨31和31之间的外螺纹杆371、和用于驱动该外螺纹杆371旋转的脉冲马达372等驱动源。外螺纹杆371的一端以能够自由旋转的方式支承于固定在上述静止基座2上的轴承块373,外螺纹杆371的另一端与上述脉冲马达372的输出轴传动连接。此外,外螺纹杆371与形成在未图示的内螺纹块中的内螺纹贯穿孔旋合,所述内螺纹块凸出地设置在第一滑块32的中央部下表面。因此,通过利用脉冲马达372驱动外螺纹杆371正转和反转,第一滑块32沿着导轨31、31在箭头X所示的加工进给方向(X轴方向)上移动。The above-mentioned
图示的实施方式中的激光加工装置1具有X轴方向位置检测构件374,该X轴方向位置检测构件374用来检测上述卡盘工作台36的加工进给量即X轴方向位置。X轴方向位置检测构件374包括:线性标度尺374a,其沿着导轨31配设;和读取头374b,其配设在第一滑块32上并且与第一滑块32一起沿着线性标度尺374a移动。在图示的实施方式中,该X轴方向位置检测构件374的读取头374b每走1μm就向后述的控制构件发送一个脉冲的脉冲信号。然后,后述的控制构件通过对所输入的脉冲信号进行计数,来检测卡盘工作台36的加工进给量即X轴方向位置。此外,在使用脉冲马达372作为上述加工进给构件37的驱动源的情况下,通过对向脉冲马达372输出驱动信号的后述控制构件的驱动脉冲进行计数,也能够检测卡盘工作台36的加工进给量即X轴方向位置。此外,在使用伺服马达来作为上述加工进给构件37的驱动源的情况下,通过将检测伺服马达的转速的旋转编码器所输出的脉冲信号发送至后述的控制构件,由控制构件对所输入的脉冲信号进行计数,也能够检测卡盘工作台36的加工进给量即X轴方向位置。The
上述第二滑块33在其下表面设置有与一对导轨322、322配合的一对被引导槽331、331,这一对导轨322、322设置于上述第一滑块32的上表面,通过使该被引导槽331、331与一对导轨322、322配合,上述第二滑块33构成为能够沿着箭头Y所示的分度进给方向(Y轴方向)移动。图示的实施方式中的卡盘工作台机构3包括第一分度进给构件38,该第一分度进给构件38用于使第二滑块33沿着设置在第一滑块32上的一对导轨322、322在箭头Y所示的分度进给方向(Y轴方向)上移动。该第一分度进给构件38包括:平行地配设在上述一对导轨322和322之间的外螺纹杆381、和用于驱动该外螺纹杆381旋转的脉冲马达382等驱动源。外螺纹杆381的一端以能够自由旋转的方式支承于固定在上述第一滑块32的上表面上的轴承块383,外螺纹杆381的另一端与上述脉冲马达382的输出轴传动连接。此外,外螺纹杆381与形成在未图示的内螺纹块中的内螺纹贯穿孔旋合,所述内螺纹块凸出地设置在第二滑块33的中央部下表面。因此,通过利用脉冲马达382驱动外螺纹杆381正转和反转,第二滑块33沿着导轨322、322在箭头Y所示的分度进给方向(Y轴方向)上移动。The above-mentioned
图示的实施方式中的激光加工装置1具有Y轴方向位置检测构件384,该Y轴方向位置检测构件384用来检测卡盘工作台36的分度加工进给量即Y轴方向位置。Y轴方向位置检测构件384包括:线性标度尺384a,其沿着导轨322配设;和读取头384b,其配设在第二滑块33上,并且与第二滑块33一起沿着线性标度尺384a移动。在图示的实施方式中,该Y轴方向位置检测构件384的读取头384b每走1μm就向后述的控制构件发送一个脉冲的脉冲信号。然后,后述的控制构件通过对所输入的脉冲信号进行计数,来检测卡盘工作台36的分度进给量即Y轴方向位置。此外,在使用脉冲马达382作为上述分度进给构件38的驱动源的情况下,通过对向脉冲马达382输出驱动信号的后述的控制构件的驱动脉冲进行计数,也能够检测卡盘工作台36的分度进给量即Y轴方向位置。此外,在使用伺服马达作为上述第一分度进给构件38的驱动源的情况下,通过将检测伺服马达的转速的旋转编码器所输出的脉冲信号发送至后述的控制构件,并由控制构件对所输入的脉冲信号进行计数,也能够检测卡盘工作台36的分度进给量即Y轴方向位置。The
上述激光光线照射单元支承机构4包括:沿着箭头Y所示的分度进给方向(Y轴方向)平行地配设在静止基座2上的一对导轨41、41;和以能够沿箭头Y所示的方向移动的方式配设在该导轨41、41上的可动支承基座42。该可动支承基座42由以能够移动的方式配设在导轨41、41上的移动支承部421、和安装在该移动支承部421上的安装部422构成。安装部422在一个侧面上平行地设置有沿着箭头Z所示的方向(Z轴方向)延伸的一对导轨423、423。图示的实施方式中的激光光线照射单元支承机构4包括第二分度进给构件43,该第二分度进给构件43用于使上述可动支承基座42沿着一对导轨41、41在箭头Y所示的分度进给方向(Y轴方向)上移动。第二分度进给构件43包括:平行地配设在上述一对导轨41和41之间的外螺纹杆431、和用于驱动该外螺纹杆431旋转的脉冲马达432等驱动源。外螺纹杆431的一端以能够自由旋转的方式支承于固定在上述静止基座2上的未图示的轴承块,外螺纹杆431的另一端与上述脉冲马达432的输出轴传动连接。此外,外螺纹杆431与形成在未图示的内螺纹块中的内螺纹孔旋合,所述内螺纹块凸出地设置在构成可动支承基座42的移动支承部421的中央部下表面。因此,通过利用脉冲马达432驱动外螺纹杆431正转和反转,可动支承基座42沿着导轨41、41在箭头Y所示的分度进给方向(Y轴方向)上移动。Above-mentioned laser beam irradiation
图示的实施方式中的激光光线照射单元5包括单元保持器51和安装在该单元保持器51上的激光光线照射构件52。单元保持器51上设置有一对被引导槽511、511,该被引导槽511、511能够滑动地与设置在上述安装部422上的一对导轨423、423配合,通过使该被引导槽511、511与上述导轨423、423配合,单元保持器51被支承成能够沿箭头Z所示的方向(Z轴方向)移动。The laser
图示的实施方式中的激光光线照射单元5包括移动构件53,该移动构件53用于使单元保持器51沿着一对导轨423、423在箭头Z所示的方向(Z轴方向)上移动。移动构件53包括:配设在一对导轨423和423之间的外螺纹杆(未图示)、和用于驱动该外螺纹杆旋转的脉冲马达532等驱动源,通过利用脉冲马达532驱动未图示的外螺纹杆正转和反转,使单元保持器51和激光光线照射构件52沿着导轨423、423在箭头Z所示的方向(Z轴方向)上移动。此外,在图示的实施方式中,通过驱动脉冲马达532正转,激光光线照射构件52向上方移动,通过驱动脉冲马达532反转,激光光线照射构件52向下方移动。The laser
上述激光光线照射构件52包括固定在单元保持器51上且实质上水平地延伸的圆筒形状的壳体521。在壳体521内配设有脉冲激光光线振荡构件,该脉冲激光光线振荡构件包括由YAG激光振荡器或YVO4激光振荡器构成的脉冲激光光线振荡器、和重复频率设定构件,在图示的实施方式中,该脉冲激光光线振荡构件振荡出对蓝宝石基板具有吸收性的波长(例如355nm)的脉冲激光光线。在上述壳体521的前端部安装有收纳了聚光透镜(未图示)的聚光器522。从上述脉冲激光光线振荡构件振荡出的激光光线经未图示的传送光学系统到达聚光器522,并从聚光器522以预定的聚光点直径照射向保持在上述卡盘工作台36上的被加工物。The laser
图示的实施方式中的激光加工装置包括摄像构件55,该摄像构件55配设在壳体521的前端部,用于拍摄应利用上述激光光线照射构件52进行激光加工的加工区域。该摄像构件55包括对被加工物进行照明的照明构件、捕捉被该照明构件照亮的区域的光学系统、和对由该光学系统捕捉到的像进行拍摄的摄像元件(CCD)等,该摄像构件55将拍摄得到的图像信号发送至后述的控制构件。The laser processing device in the illustrated embodiment includes an
图示的实施方式中的激光加工装置1包括控制构件6。控制构件6由计算机构成,其包括按照控制程序进行运算处理的中央处理装置(CPU)61、存储控制程序等的只读存储器(ROM)62、存储运算结果等的可读写的随机存取存储器(RAM)63、计数器64、输入接口65和输出接口66。来自上述X轴方向位置检测构件374、Y轴方向位置检测构件384和摄像构件55等的检测信号被输入到控制构件6的输入接口65中。然后从控制构件6的输出接口66向上述脉冲马达360、脉冲马达372、脉冲马达382、脉冲马达432、脉冲马达532、脉冲激光光线照射构件52和显示构件60等输出控制信号。The
在使用上述的激光加工装置1实施上述校准工序和激光加工槽形成工序时,将如图2所示安装于环状框架F的切割带T上所粘贴的多个光器件晶片10-1、10-2、10-3、10-4、10-5、10-6、10-7的切割带T侧载置在图1所示的激光加工装置1的卡盘工作台36上。然后,通过使未图示的吸引构件动作,将多个光器件晶片10-1、10-2、10-3、10-4、10-5、10-6、10-7隔着切割带T吸引保持在卡盘工作台36上。此外,环状框架F通过夹紧器362被固定。When using the above-mentioned
如上所述地保持在卡盘工作台36上的多个光器件晶片10-1、10-2、10-3、10-4、10-5、10-6、10-7成为定位于图4中(a)所示的坐标位置的状态。此外,图4中(b)表示卡盘工作台36从图4中(a)所示的状态旋转了90度后的状态。在这样在卡盘工作台36上吸引保持多个光器件晶片10-1、10-2、10-3、10-4、10-5、10-6、10-7后,对各个光器件晶片10实施校准工序,即,进行间隔道101与激光光线照射构件52的聚光器522(激光光线照射位置)的位置对准。在实施校准工序时,首先使加工进给构件37动作,将保持有多个光器件晶片10-1、10-2、10-3、10-4、10-5、10-6、10-7的卡盘工作台36定位于摄像构件55的正下方。A plurality of optical device wafers 10-1, 10-2, 10-3, 10-4, 10-5, 10-6, 10-7 held on the chuck table 36 as described above become positioned as shown in FIG. The state of the coordinate position shown in (a). In addition, (b) in FIG. 4 has shown the state which the chuck table 36 rotated 90 degrees from the state shown in FIG. 4 (a). After attracting and holding a plurality of optical device wafers 10-1, 10-2, 10-3, 10-4, 10-5, 10-6, and 10-7 on the chuck table 36 in this way, each
在将卡盘工作台36定位于摄像构件55的正下方之后,摄像构件55对保持在卡盘工作台36上的上述图4中(a)状态下的多个光器件晶片10-1、10-2、10-3、10-4、10-5、10-6、10-7进行拍摄,并将其图像数据发送至控制构件6。控制构件6根据从摄像构件55发送来的图像数据,求出多个光器件晶片10-1、10-2、10-3、10-4、10-5、10-6、10-7的坐标,并将其坐标值存储在随机存取存储器(RAM)63中。接着,使加工进给构件37和第一分度进给构件38动作以使卡盘工作台36移动,将光器件晶片10-1定位于摄像构件55的正下方。然后利用摄像构件55对形成在光器件晶片10-1上的沿着预定方向(在图4中(a)的状态下是X轴方向)延伸的间隔道101进行拍摄,并将其图像数据发送至控制构件6。控制构件6根据从摄像构件55发送来的图像数据,判断间隔道101是否与X轴平行。然后,在间隔道101与X轴不平行的情况下,使脉冲马达360动作,使得卡盘工作台36转动,从而调整成间隔道101与X轴平行(θ修正工序)。将这时的转动位置存储在随机存取存储器(RAM)63中。After the chuck table 36 is positioned directly below the
接着使加工进给构件37和第一分度进给构件38动作,使卡盘工作台36移动,将图4中(a)所示的状态的光器件晶片10-1上形成的各间隔道101分别定位于摄像构件55的正下方,利用摄像构件55分别对各间隔道101的图4的(a)中左端(起点)和右端(终点)进行拍摄,并将其图像数据发送至控制构件6。控制构件6根据从摄像构件55发送来的图像数据,作为各间隔道的照射激光光线的起点坐标值和终点坐标值存储在随机存取存储器(RAM)63中(起点和终点坐标检测工序)。这样求出沿光器件晶片10-1的预定方向延伸的各间隔道101的照射激光光线的起点坐标值和终点坐标值,然后使脉冲马达360动作,使卡盘工作台36转动90度,将光器件晶片10-1、10-2、10-3、10-4、10-5、10-6、10-7定位于图4中(b)的状态。然后对定位于图4中(b)的状态的光器件晶片10-1的形成在与上述预定方向正交的方向上的各间隔道101执行上述起点和终点坐标检测工序。Then, the
在如上所述地对光器件晶片10-1实施了θ修正工序以及起点和终点坐标检测工序之后,对保持在卡盘工作台36上的其他光器件晶片10-2、10-3、10-4、10-5、10-6、10-7依次实施上述θ修正工序以及起点和终点坐标检测工序。After performing the θ correction process and the start and end point coordinate detection process on the optical device wafer 10-1 as described above, other optical device wafers 10-2, 10-3, 10- 4, 10-5, 10-6, and 10-7 carry out the above-mentioned θ correction process and the start point and end point coordinate detection process in sequence.
在如上所述地对保持在卡盘工作台36上的多个光器件晶片10-1、10-2、10-3、10-4、10-5、10-6、10-7分别实施了包括上述θ修正工序以及起点和终点坐标检测工序的校准工序之后,实施激光加工槽形成工序,即,沿着间隔道101对各光器件晶片10照射激光光线,从而在各光器件晶片10上沿着间隔道101形成激光加工槽。即,使加工进给构件37和第一分度进给构件38动作,如图5所示地将卡盘工作台36移动至聚光器522所处的激光光线照射区域,并将形成在光器件晶片10-1上的预定的间隔道101定位于聚光器522的正下方。这时,卡盘工作台36定位于通过上述θ修正工序进行了θ修正并存储在随机存取存储器(RAM)63中的转动位置。然后根据存储在随机存取存储器(RAM)63中的起点坐标值,如图5所示地将预定的间隔道101的起点坐标值(图5中的左端)定位于聚光器522的正下方。关于将该预定的间隔道101的起点坐标值定位于聚光器522的正下方的控制,根据来自X轴方向位置检测构件374和Y轴方向位置检测构件384的检测信号来实施。然后使激光光线照射构件52动作,从聚光器522照射脉冲激光光线,同时使加工进给构件37动作,使卡盘工作台36以预定的加工进给速度在图5中箭头X1所示的加工进给方向上移动(激光光线照射工序)。这时,从聚光器522照射的脉冲激光光线的聚光点P对准光器件晶片10-1的表面10a附近。然后,根据存储在随机存取存储器(RAM)63中的终点坐标值,在预定的间隔道101的终点坐标值(图5中的右端)到达聚光器522的正下方后,停止卡盘工作台36的移动并且停止照射脉冲激光光线。此外,关于停止卡盘工作台36的移动的控制,根据来自X轴方向位置检测构件374的检测信号来实施。其结果为,如图6所示,在光器件晶片10-1上沿着间隔道101形成激光加工槽110。As described above, each of the plurality of optical device wafers 10-1, 10-2, 10-3, 10-4, 10-5, 10-6, and 10-7 held on the chuck table 36 was respectively implemented. After the calibration process including the above-mentioned θ correction process and the start point and end point coordinate detection process, the laser processing groove formation process is implemented, that is, the laser beam is irradiated to each
此外,上述激光加工槽形成工序中的加工条件例如如下所示地设定。In addition, the processing conditions in the said laser processing groove formation process are set as follows, for example.
光源 :LD激发Q开关Nd:YVO4激光Light source: LD excitation Q switch Nd: YVO4 laser
波长 :355nmWavelength: 355nm
重复频率 :100kHzRepetition frequency : 100kHz
平均输出 :1.0WAverage output : 1.0W
聚光点直径 :Φ10μmFocus spot diameter : Φ10μm
加工进给速度 :100mm/秒Processing feed speed : 100mm/sec
在这样沿着在光器件晶片10-1的预定方向上延伸的所有间隔道101实施了上述的激光加工槽形成工序之后,将卡盘工作台36转动90度,然后沿着在与上述预定方向正交的方向上延伸的各间隔道101实施上述的激光加工槽形成工序。After carrying out the above-mentioned laser processing groove forming process along all the
在如上所述地沿着在光器件晶片10-1上形成的所有间隔道101实施了上述的激光加工槽形成工序之后,对光器件晶片10-2、10-3、10-4、10-5、10-6、10-7依次实施上述的激光加工槽形成工序。其结果为,在安装于环状框架F的切割带T的表面上所粘贴的多个光器件晶片10-1、10-2、10-3、10-4、10-5、10-6、10-7上,分别沿着所有的间隔道101形成了激光加工槽110。After performing the above-mentioned laser machining groove formation process along all the
在实施了上述的激光加工槽形成工序之后,在将多个光器件晶片10粘贴在切割带T表面上的状态下,实施分割工序和拾取工序,在所述分割工序中,将所述多个光器件晶片10沿着形成有激光加工槽110的间隔道101分割成一个个器件102;在所述拾取工序中,将分割成一个一个的器件102从切割带T剥离并进行拾取。该分割工序和拾取工序使用图7至图9所示的分割装置来实施。图7表示分割装置的立体图,图8示出了分解表示图7所示的分割装置的主要部分的立体图。图7至图9所示的分割装置7包括:基座70、以能够沿箭头Y所示的方向移动的方式配设在该基座70上的第一工作台71、和以能够沿与箭头Y正交的箭头X所示的方向移动的方式配设在该第一工作台71上的第二工作台72。基座70形成为矩形,在其两侧部上表面沿箭头Y所示的方向相互平行地配设有两条导轨701、702。此外,在两条导轨中的一条导轨701的上表面上形成有截面为V字形的引导槽701a。After performing the above-mentioned laser processing groove formation process, in the state where the plurality of
上述第一工作台71如图8所示地形成为在中央部具有矩形的开口711的窗框状。在该第一工作台71的一个侧部下表面设置有能够滑动地与引导槽701a配合的被引导轨道712,所述引导槽701a形成于设置在上述基座70上的一条导轨701中。此外,在第一工作台71的两侧部上表面,沿着与上述被引导轨道712正交的方向相互平行地配设有两条导轨713、714。此外,在两条导轨中的一条导轨713的上表面上形成有截面为V字形的引导槽713a。关于这样构成的第一工作台71,如图7所示,被引导轨道712与在设置于基座70的一条轨道701中形成的引导槽701a配合,并且第一工作台71的另一侧部下表面载置在设于基座70的另一条导轨702上。图示的实施方式中的晶片的分割装置7包括第一移动构件73,该第一移动构件73使第一工作台71沿着设置在基座70上的导轨701、702在箭头Y所示的方向上移动。如图8所示,该第一移动构件73具有:与设于基座70的另一条导轨702平行地配设的外螺纹杆731;配设在基座70上、并将外螺纹杆731的一端部支承成能够旋转的轴承732;与外螺纹杆731的另一端连接、并用于驱动外螺纹杆731旋转的脉冲马达733;和设置在上述第一工作台71的下表面、并与外螺纹杆731旋合的内螺纹块734。这样构成的第一移动构件73通过驱动脉冲马达733使外螺纹杆731转动,来使第一工作台71在箭头Y所示的方向移动。The first table 71 is formed in the shape of a window frame having a
上述第二工作台72如图8所示形成为矩形,并且在中央部具有圆形的孔721。在该第二工作台72的一个侧部下表面设置有能够滑动地与引导槽713a配合的被引导轨道722,所述引导槽713a形成于设置在上述第一工作台71上的一条导轨713中。关于这样构成的第二工作台72,如图7所示使被引导轨道722与在设于第一工作台71的一条导轨713上形成的引导槽713a配合,并且第二工作台72的另一侧部下表面载置在设置于第一工作台71的另一条导轨714上。图示的实施方式中的分割装置7包括第二移动构件74,该第二移动构件74使第二工作台72沿着设置在第一工作台71上的导轨713、714在箭头X所示的方向移动。如图8所示,该第二移动构件74具有:与设于第一工作台71的另一条导轨714平行地配设的外螺纹杆741;配设在第一工作台71上、并将外螺纹杆741的一端部支承成能够旋转的轴承742;与外螺纹杆741的另一端连接、并用于驱动外螺纹杆741旋转的脉冲马达743;和设置在上述第二工作台72的下表面、并与外螺纹杆741旋合的内螺纹块744。这样构成的第二移动构件74通过驱动脉冲马达743使外螺纹杆741转动,来使第二工作台72在箭头X所示的方向移动。The second table 72 is formed in a rectangular shape as shown in FIG. 8 and has a
图示的实施方式中的分割装置7包括:保持上述环状框架F的框架保持构件75;和带扩张构件76,其用于使在保持于该框架保持构件75的环状框架F上所安装的切割带T扩张。如图7和图9所示,框架保持构件75包括:环状的框架保持部件751,其内径大于设置于上述第二工作台72的孔721的直径;和作为固定构件的多个夹紧器752,它们配设在上述框架保持部件751的外周。框架保持部件751的上表面形成载置环状框架F的载置面751a,在该载置面751a上载置环状框架F。另外,载置在载置面751a上的环状框架F通过夹紧器752固定在框架保持部件751上。这样构成的框架保持构件75通过支承构件763被支承成能够在上下方向进退,所述支承构件763配设在第二工作台72的孔721的上方,并构成后述的带扩张构件76。The
如图7和图9所示,带扩张构件76包括配设在上述环状的框架保持部件751内侧的扩张鼓760。该扩张鼓760的内径和外径小于上述环状框架F的内径,并大于安装于该环状框架F的切割带T上所粘贴的多个光器件晶片10的粘贴区域。此外,扩张鼓760在下端部具有安装部761,并且在该安装部761的上侧外周面具有向径向凸出地形成的支承凸缘762,所述安装部761以能够转动的方式与设置于上述第二工作台72的孔721的内周面配合。图示的实施方式中的带扩张构件76具有使上述环状的框架保持部件751能够在上下方向进退的支承构件763。该支承构件763由配设在上述支承凸缘762上的多个空气缸763a构成,活塞杆763b与上述环状的框架保持部件751的下表面连接。这样由多个空气缸763a构成的支承构件763使环状的框架保持部件751沿上下方向在基准位置与扩张位置之间移动,所述基准位置是载置面751a与扩张鼓760的上端位于大致同一高度的位置;所述扩张位置是载置面751a比扩张鼓760的上端靠下预定量的位置。因此,由多个空气缸763a构成的支承构件763作为使扩张鼓760和框架保持部件751在上下方向相对移动的扩张移动构件发挥作用。As shown in FIGS. 7 and 9 , the
如图7所示,图示的实施方式中的分割装置7包括转动构件77,该转动构件77使上述扩张鼓760和框架保持部件751转动。该转动构件77具有:配设在上述第二工作台72上的脉冲马达771、安装在该脉冲马达771的旋转轴上的带轮772、和卷绕在该带轮772和扩张鼓760的支承凸缘762上的环形带773。这样构成的转动构件77通过驱动脉冲马达771,经带轮772和环形带773使扩张鼓760和框架保持部件751转动。As shown in FIG. 7 , the
图示的实施方式中的分割装置7具有作为外力施加构件的超声波振动施加构件78,该超声波振动施加构件78对隔着切割带T支承在环状框架F上的多个光器件晶片10作用外力,其中所述环状框架F保持在上述环状的框架保持部件751上。超声波振动施加构件78配设在上述基座70上并配置在扩张鼓760内。如图8所示,该超声波振动施加构件78具有:配设在基座70上的空气缸781、配设在该空气缸781的活塞杆782的上端的超声波振动元件783、和安装在该超声波振动元件783的上表面的振动传递部件784,该超声波振动施加构件78通过未图示的电力供给构件对超声波振动元件783施加预定频率(例如100kHz)的交流电力。此外,构成该超声波振动施加构件78的振动传递部件784形成为直径与光器件晶片10的直径大致相同的圆盘状。The
返回图7继续说明,图示的实施方式中的分割装置7具有检测构件8,该检测构件8用来检测隔着切割带T支承在环状框架F上的光器件晶片10和后述的分割成一个一个的器件,其中所述环状框架F保持在上述环状的框架保持部件751上。检测构件8安装在配设于基座70的L字形支承柱81上。该检测构件8由光学系统和摄像元件(CCD)等构成,该检测构件8配置在上述超声波振动施加构件78的上方位置。这样构成的检测构件8对隔着切割带T支承在环状框架F上的光器件晶片10和后述的分割成一个一个的器件进行拍摄,并将其转换为电信号后发送至未图示的控制构件,其中所述环状框架F保持在上述环状的框架保持部件751上。Returning to FIG. 7 to continue the description, the
此外,如图7所示,图示的实施方式中的分割装置7具有从切割带T拾取后述的分割成一个一个的器件的拾取构件9。该拾取构件9由配设在基座70上的回转臂91、和安装在该回转臂91的前端的拾取夹头92构成,回转臂91通过未图示的驱动构件回转。此外,回转臂91构成为能够上下运动,安装在前端的拾取夹头92能够拾取粘贴在切割带T上的器件。In addition, as shown in FIG. 7 , the
主要参照图7和图10说明分割工序,在该分割工序中,使用如上所述地构成的分割装置7,将通过实施上述激光加工槽形成工序而形成有激光加工槽110的多个光器件晶片10分割成一个个器件102。Referring mainly to FIG. 7 and FIG. 10 , the dividing step will be described. In this dividing step, the plurality of optical device wafers on which the
如图10中(a)所示,将隔着切割带T支承有实施了上述激光加工槽形成工序的多个光器件晶片10的环状框架F,载置在构成框架保持构件75的框架保持部件751的载置面751a上,并通过夹紧器752将环状框架F固定在框架保持部件751上。这时,框架保持部件751定位于图10中(a)所示的基准位置。As shown in (a) in FIG. 10 , the ring-shaped frame F supporting the plurality of
在将隔着切割带T支承了多个光器件晶片10的环状框架F保持在框架保持部件751上之后,使第一移动构件73和第二移动构件74动作,使第一工作台71沿箭头Y所示的方向(参照图7)移动,并且使第二工作台72沿箭头X所示的方向(参照图7)移动,从而如图10中(a)所示使例如光器件晶片10-1定位于超声波振动元件783的正上方。接着使构成超声波振动施加元件78的空气缸781动作,使振动传递部件784上升,如图10中(b)所示使振动传递部件784与切割带T中的粘贴有光器件晶片10-1的区域接触。然后通过未图示的电力供给构件对超声波振动元件783施加预定频率(例如100kHz)的交流电力。从而,经振动传递部件784和切割带T对光器件晶片10-1施加超声波振动。其结果为,光器件晶片10-1由于沿着间隔道101形成有激光加工槽110而使得强度降低,所以光器件晶片10-1沿着间隔道101被分割成一个个器件102(分割工序)。此外,作为在上述分割工序中对晶片施加外力的方法,表示了对晶片施加超声波振动的例子,但是也可以使用以下方法等其它的分割方法:隔着形成在晶片上的间隔道地吸引保持切割带T,并使切割带T向与间隔道垂直的方向背离,从而将晶片沿着因形成了激光加工槽而导致强度下降的间隔道分割开来。After holding the ring frame F supporting the plurality of
在如上所述地对光器件晶片10-1实施了分割工序之后,使第一移动构件73和第二移动构件74动作,将例如光器件晶片10-2定位于超声波振动元件783的正上方,对光器件晶片10-2实施上述分割工序。以后对光器件晶片10-3、10-4、10-5、10-6、10-7也依次实施上述分割工序。After performing the dividing process on the optical device wafer 10-1 as described above, the first moving
通过如上所述地对粘贴在安装于环状框架F的切割带T上的所有光器件晶片10实施分割工序,将所有的光器件晶片10沿着形成有激光加工槽110的间隔道101分割成一个个器件102,然后实施将分割成一个一个的器件102从切割带T剥离并进行拾取的拾取工序。By performing the dividing process on all the
如图11中(a)所示,该拾取工序中,使构成超声波振动施加构件78的空气缸781动作,使振动传递部件784下降。接着使作为构成带扩张构件76的支承构件763的多个空气缸763a动作,使环状的框架保持部件751下降至图11中(b)所示的扩张位置。因此,固定在框架保持部件751的载置面751a上的环状框架F也下降,所以如图11中(b)所示,安装在环状框架F上的切割带T与扩张鼓760的上端缘抵接从而被扩张。其结果为,在粘贴在切割带T上的分割成一个一个的器件102之间形成间隙S。之后如图11中(b)所示,使拾取构件9动作,利用拾取夹头92拾取分割成一个一个的器件102,并搬送至未图示的托盘或芯片接合工序。在该拾取工序中,由于在分割成一个一个的器件102之间形成有间隙S,所以在从切割带T剥离器件102时,不会与相邻的器件102擦碰,能够防止因器件102擦碰引起的器件的损伤。As shown in FIG. 11( a ), in this pickup step, the
如上所述,在本发明的晶片的分割方法中,由于在将多个光器件晶片10粘贴在安装于环状框架F的切割带T的表面上的状态下,实施上述激光加工槽形成工序、分割工序和拾取工序,所以能够高效率地分割多个光器件晶片10。As described above, in the wafer dividing method of the present invention, since the plurality of
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