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CN101409315B - 一种倒装发光二极管芯片 - Google Patents

一种倒装发光二极管芯片 Download PDF

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CN101409315B CN2007100307965A CN200710030796A CN101409315B CN 101409315 B CN101409315 B CN 101409315B CN 2007100307965 A CN2007100307965 A CN 2007100307965A CN 200710030796 A CN200710030796 A CN 200710030796A CN 101409315 B CN101409315 B CN 101409315B
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Abstract

本发明公开了一种倒装发光二极管芯片,包括一发光器件,该发光器件包括第一导电层、设置在第一导电层上的有源层、以及设置在有源层上的第二导电层;所述二导电层与有源层的同一侧面形成一斜坡面;覆盖在上述第二导电层及斜坡面上的反射层;覆盖在上述反射层上的第一绝缘层;设置在第一导电层上并与第一导电层电连接、且部分覆盖在第一绝缘层上的第一金属层;设置在第二导电层上并与第二导电层电连接、且部分覆盖在第一绝缘层上的第二金属层;设置在第一金属层与第二金属层之间并使第一金属层与第二金属层绝缘隔离开的第二绝缘层。此结构设计更好地增大散热性能和提高出光效率。

Description

一种倒装发光二极管芯片
技术领域
本发明涉及一种发光器件,特别涉及一种倒装发光二极管芯片。
背景技术
传统倒装发光二极管芯片的,P型半导体层,N型半导体层在暴露在同一侧,能够将阴、阳极制作于发光二极管的同一侧上,这种结构的发光二极管直接设置在基板上,需要通过切割、固晶等封装步骤与电路板连结,然而这种结构方式设置的倒装发光二极管芯片由于电极与基板接触面小,不能及时地将发光二极管产生的热量发散出去,另一方面,因固晶等方式与基板结合处的焊块或焊点吸收部分光线所以影响出光效率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:提供散热性能更好,出光效率高的倒装发光二极管芯片。
本发明通过以下技术方案解决上述问题:
一种倒装发光二极管芯片,其特征在于,包括
一发光器件,该发光器件包括第一导电层、设置在第一导电层上的有源层、以及设置在有源层上的第二导电层;所述第二导电层与有源层的同一侧面形成一斜坡面;
覆盖在上述第二导电层及斜坡面上的反射层,该反射层由绝缘材料构成;
完全覆盖在上述反射层上的第一绝缘层;
设置在第一导电层上并与第一导电层电连接、且部分覆盖在第一绝缘层上的第一金属层;
设置在第二导电层上并与第二导电层电连接、且部分覆盖在第一绝缘层上的第二金属层;
设置在第一金属层与第二金属层之间并使第一金属层与第二金属层绝缘隔离开的第二绝缘层。
所述的第一金属层作为第一电极,第二金属层作为第二电极;
所述第一金属层与第二金属层作为发光器件的散热路径。
本发明的有益效果是:通过第一金属层和第二金属层可以将发光器件中的热量更好地散出,从而使倒装发光二极管芯片有更好地散热性能,另一方面,通过覆盖在第二导电层及斜坡面上的反射层可以将发光器件中的光线反射出去,因此可以极大地提高倒装发光二极管芯片的出光效率。
附图说明
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明,
图1是本发明实施例结构示意图;
具体实施方式
参照图1,发光二极管100,包括一发光器件111,该发光器件111包括一第一导电层2作为一包覆层、设置在第一导电层2上的有源层3作为发光层、以及设置在有源层3上的第二导电层4作为另一包覆层,其中第二导电层4与有源层3的同一侧面形成一斜坡面122,这种结构可以增大发光面积,发光器件还可以包括衬底1。第一导电层2上具有暴露部分2a,在暴露部分2a上具有一接合垫9b,另在第二导电层4上具有一接合垫9a。接合垫9a与9b的材料与制作应为本技术领域技术人员所熟知,在此不在叙述。此外,在实施例中,发光器件111还包括一保护层5,以保护发光器件111;此保护层材料与制作亦为本技术领域技术人员所熟知,在此不在叙述。覆盖在上述第二导电层4及斜坡面122上的反射层6,该反射层6由绝缘材料构成;发光二极管100包括设置在反射层6上的第一绝缘层7,第一绝缘层7材料可由二氧化硅、氮化硅、或是其组合,其制成可由MOCVD或是MBE;发光二极管100包括设置在第一绝缘层7上的第二绝缘层8,第二绝缘层8可由二氧化硅、氮化硅、聚酰亚胺其中之一组成,其制成可由一印刷技术形成;发光二极管100包括设置在发光器件111上与第一导电层2电连接并且与第一绝缘层7部分接触的第一金属层10a;以及设置在第一绝缘层7与第二导电层4上并且与第二导电层3电连接的第二金属层10b。其中第一绝缘层7和第二绝缘层8隔绝第一金属层10a和第二金属层10b,第一金属层10a和第二金属层10b的材料可以选自金、铝、银等导电、导热性能好的材料,第一金属层10a和第二金属层10b的制作可以通过印刷技术共同形成。在实施例中,发光二极管100设有反射层6,反射层6可以将发光器件111发出的光线发散出去,因而可以有效提升倒装发光二极管芯片的出光效率。此外,第一金属层10a和第二金属层10b具有较大的接触面积,有助于将发光器件111产生的热量有效且快速的散发到外部。
以上所述仅为本发明的优选实施例,并非用以限定本发明的申请专利范围;凡其他未脱离本发明所揭示的精神下所完成的等效改变或修饰,均应包括在下述的权利要求内。

Claims (3)

1.一种倒装发光二极管芯片,其特征在于:包括
一发光器件,该发光器件包括第一导电层、设置在第一导电层上的有源层、以及设置在有源层上的第二导电层;所述第二导电层与有源层的同一侧面形成一斜坡面;
覆盖在上述第二导电层及斜坡面上的反射层,该反射层由绝缘材料构成;
完全覆盖在上述反射层上的第一绝缘层;
设置在第一导电层上并与第一导电层电连接、且部分覆盖在第一绝缘层上的第一金属层;
设置在第二导电层上并与第二导电层电连接、且部分覆盖在第一绝缘层上的第二金属层;
设置在第一金属层与第二金属层之间并使第一金属层与第二金属层绝缘隔离开的第二绝缘层。
2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片,其特征在于:第一金属层作为第一电极,第二金属层作为第二电极。
3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片,其特征在于:第一金属层与第二金属层将发光器件中的热量散发到外部。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103000777B (zh) * 2011-09-15 2018-08-07 晶元光电股份有限公司 发光元件
CN104269471A (zh) * 2014-09-28 2015-01-07 映瑞光电科技(上海)有限公司 全角度侧壁反射电极的led芯片及其制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1447990A (zh) * 2000-07-18 2003-10-08 索尼株式会社 半导体发光器件及其制造工艺
US6969874B1 (en) * 2003-06-12 2005-11-29 Sandia Corporation Flip-chip light emitting diode with resonant optical microcavity
JP2006128726A (ja) * 2003-05-27 2006-05-18 Matsushita Electric Works Ltd 半導体発光素子
CN1822400A (zh) * 2004-12-31 2006-08-23 Lg电子有限公司 高输出发光二极管及其制造方法
JP2007165726A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Sony Corp 半導体発光ダイオード

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1447990A (zh) * 2000-07-18 2003-10-08 索尼株式会社 半导体发光器件及其制造工艺
JP2006128726A (ja) * 2003-05-27 2006-05-18 Matsushita Electric Works Ltd 半導体発光素子
US6969874B1 (en) * 2003-06-12 2005-11-29 Sandia Corporation Flip-chip light emitting diode with resonant optical microcavity
CN1822400A (zh) * 2004-12-31 2006-08-23 Lg电子有限公司 高输出发光二极管及其制造方法
JP2007165726A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Sony Corp 半導体発光ダイオード

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