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CN101277822A - 有机膜热转印于其上的转印体的制造方法、有机膜热转印于其上的转印体 - Google Patents

有机膜热转印于其上的转印体的制造方法、有机膜热转印于其上的转印体 Download PDF

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Abstract

一种有机膜热转印于其上的转印体的制造方法，能够有利地抑制质量转印发生。在设置为台阶结构的凸起结构(1)后，其中该台阶结构在基板(10)的表面上的热转印目标部的外缘周围且制成高于热转印目标部的外缘，表面上形成有发光层(166)的施主板(200)作为有机膜形成体，用于将激光(210)的光能转换成热能，并因此将发光层(166)从施主板(200)的表面热转印到基板(10)的表面，由此制造有机膜热转印于其上的转印体。

Description

有机膜热转印于其上的转印体的制造方法、有机膜热转印于其上的转印体
技术领域
本发明涉及一种有机膜热转印于其上的转印体的制造方法以及有机膜热转印于其上的转印体；且具体而言涉及一种有机膜热转印于其上的转印体的制造方法，其中热能施加至在其表面上形成有有机膜的有机膜形成体，形成的有机膜从有机膜形成体的表面热转印至热转印受体的表面以制造有机膜热转印于其上的转印体，以及有机膜热转印于其上的转印体。
背景技术
有机EL装置是一种在基板上包括电极和有机固体层的器件，该有机固体层至少包括在电极之间的发光层，其中电子和空穴从两侧上的电极注入到有机固体层的发光层中以在该有机发光层中引起光发射。该有机EL装置能够获得高亮度发光。而且，由于使用来自有机化合物的光发射，所以有机EL显示装置具有的特征为发光颜色的选择范围宽，因此，有机EL显示装置等被期待作为光源。具体而言，有机EL显示装置在宽视场、高对比度、高速响应、以及可视度方面通常是优异的，因此，期望作为薄、轻质且功耗低的平板显示器。
作为设有该有机EL装置的有机EL显示器中使用的有机材料的图案化方法，可以列举其中称为阴影掩模并具有细开口的金属掩模设置在基板的前面并且在真空下加热并沉积有机材料以形成期望图案的方法(阴影掩模方法)，以及其中通过使用喷墨印刷方法图案化可溶于有机溶剂的有机材料的方法。
近年来，如在下面的非专利文献1和2中所示，报道了所谓的LITI(LaserInduced Thermal Imaging，激光诱导热成像)技术，按照施主板(有机膜形成体)的有机膜面向其上待形成有机膜的基板(热转印受体)的方式，有机材料一次性地形成在所谓施主板的构件的期望区域的整个表面上，从其上未形成施主板的有机膜的表面侧发射预定宽度的激光，并且将其受照射部分的光转换成热，以将有机膜从施主板热转印到基板。据报道，与阴影掩模方法相比，该技术在转印性能方面优异，而喷墨印刷法在有机EL显示装置的高清晰度像素化方面是优选的。
非专利文献1：SID 02Digest 21.3 p784 to 787
非专利文献2：FPD International Seminar 2004，“Production Technology ofLarge Size Organic EL Device(6)”Text E-6
发明内容
本发明要解决的技术问题
然而，当发明人根据LITI法将有机膜从施主板转印到基板，并检查其上已转印有有机膜的有机膜热转印基板时，发明人发现，在某些情况下，转印性能不好。
即，发现，当根据LITI技术热转印有机膜时，在某些情况下，有机膜也被转印到除了与对基板照射激光的部分施主板相对应的部分之外的部分上，即，有机膜不利地转印到期望部分之外的部分上，其中有机膜不应被转印在该部分，并且转印性能不好(在说明书中，也称作“质量转印(masstransfer)”)。
而且，作为发明人的研究结果，发现质量转印的不便不仅在用于有机EL显示装置的有机膜中发生，而且还在通常的有机膜中发生，并且进一步地，不仅当热转印受体是基板时发生而且当其是通常的热转印受体时也发生。还进一步地，在某些情况下，质量转印不仅在LITI方法中发生，而且在其中有机膜形成体如施主板用于热转印到有机转印受体上的通常方法中发生。
考虑到上述问题而完成了本发明，并且本发明的一个目的是提供一种有机膜热转印于其上的转印体的制造方法，该方法可以更优选地抑制质量转印的发生，以及有机膜热转印于其上的转印体。
解决问题的方式
根据权利要求1的本发明涉及一种有机膜热转印于其上的转印体的制造方法，包括：
将热能施加在其表面上形成有有机膜的有机膜形成体上，以将所形成的有机膜从该有机膜形成体的表面热转印到热转印受体的表面以制造有机膜热转印于其上的转印体，
其中，对于该热转印受体的表面，形成为高于该热转印受体的位置外缘的台阶结构在该热转印之前至少部分地设置在等于或超出该热转印受体的位置的外缘的外部上；以及
该有机膜热转印在热转印受体的表面上，以形成有机膜热转印于其上的转印体。
根据权利要求7的本发明涉及一种有机膜热转印于其上的转印体，该转印体是通过在其表面上形成有有机膜的有机膜形成体上施加热能，以将所形成的有机膜从该有机膜形成体的表面热转印到热转印受体的表面来形成，
其中，对于该热转印受体的表面，形成为高于该热转印受体的位置外缘的台阶结构在该热转印之前至少部分地设置在等于或超出该热转印受体的位置的外缘的外部上。
附图说明
图1是在示例性实施例中有机膜热转印于其上的转印体的制造方法的示意性说明图。
图2A、2B、2C和2D分别为示出了示例性实施例中的台阶结构的截面形状的视图。
图3是示例性实施例中的有机EL装置的示意性剖视图。
图4是示例1的有机EL显示装置的示意性剖视图。
参考标号描述
1：台阶结构(凸起结构)
10：基板
14：第一电极
16：有机固体层
18：第二电极
20：保护膜
100：有机EL装置
具体实施方式
[台阶结构的研究]
发明人研究了导致质量转印的原因。作为结果，意外地发现一种现象，当污物附着在热转印受体的表面上时，质量转印发生受到抑制，在质量转印过程中，热转印施加于污物周围的和期望部分之外并且其中不应被施加热转印的部分。
在研究当附着污物时，质量转印发生受到抑制的原因时，进行了以下假设：由于污物，由于期望的热转印受体的表面上的转印受体部分，且由于该污物的高度，而形成台阶，该台阶因此可以抑制质量转印发生。
为了证实该假设，试验了其中设置各种台阶的模式。例如，当凸起结构设置在热转印受体的表面上以及其中有机膜不应被转印的部分与其上转印有有机膜的部分之间的边界的附近以使凸起结构的表面可以高于其上转印有有机膜的部分以提供台阶结构(梯级结构)，并且检验转印性能的状态时，发现，质量转印发生优选地可以受到抑制。而且，发现，当制备使其上转印有有机膜的部分在施加热转印的本体的表面上成凹面且有机膜不应被转印的结构，以及比其上转印有有机膜的部分高的台阶设置在其上不应当转印有有机膜的部分与其上转印有有机膜的部分之间以检验其转印性能时，质量转印发生优选地可以受到抑制。
作为这样的不同检验的结果，发现，当将台阶结构至少部分地设置成高于热转印受体的位置周围的热转印受体的表面之后，有机膜被热转印时，可以制造有机膜热转印于其上的转印体，其中该转印体可以优选地抑制质量转印的发生并且可以获得较好的转印性能。
[有机膜转印于其上的转印体的制造方法]
根据在图1所示的发光层166热转印在空穴传输层164上的一个方面，将描述涉及有机膜热转印于其上的转印体的示例性实施例的制造方法。在该示例性实施例中，作为一个示例，描述了使用LITI工艺的热转印方法。而且，说明和描述了通过分别涂布(分别涂布方法)发射相应RGB颜色的有机EL装置来制造的有机EL装置100。
如图1所示，在基板10(具体而言，在树脂基板的情况下，确切地，其位于阻挡膜12上；然而，为了描述方便，采用基板10的表面。下文同此)上，为对应于每一个R、G、B的第一电极的阳极14的行分别以预定间隔设置。其次，在形成的第一电极14的阳极14上，分别形成空穴注入层162(图1中未示出)和空穴传输层164以形成其中空穴传输层164(图1中未示出)为热转印受体表面的热转印受体。
然后，在等于或超出其上热转印有发光层166的热转印受体表面的外缘的外部(基本上在下面描述的基板10的表面上激光束照射的部分)上，设置具有连续结构的凸起结构1。当设置凸起结构1时，形成台阶结构以便可以增高第一电极14表面上的凸起结构1的表面。
在等于或超过热转印受体表面的外缘的外部上设置台阶结构的构思在于：台阶结构设置在其外缘或外部。而且，在热转印之前，对于热转印受体表面的外缘来说台阶结构高是足够的(例如，在该示例性实施例中，凸起结构1(台阶结构)的高度高于空穴传输层164(热转印受体表面)是足够的)，并且除了热转印受体表面以外的部分并不被限制高于该台阶结构。更进一步地，在热转印之前，台阶结构高于热转印受体表面是足够的，并且在热转印之后转印的有机膜的外缘变得高于台阶结构是足够的。
有机膜可以是任何可以至少略微从有机膜形成体热转印到热转印受体表面上的有机膜，并且可以适当地选自通过热转印形成的膜的材料并被使用。包含有机材料的膜是足够的，并且并不限制包含如无机氧化物和金属的其它成分的内含物。
优选的，例如凸起结构1的台阶结构以离热转印受体表面的外部确定距离形成。即，在该示例性实施例中，凸起结构1是其中其上热转印有发光层166的基板10的表面的第一电极14的外缘形成为直线的工艺，并且优选凸起结构1在基板10的表面上形成为与其外缘和外部的直线平行。相平行是优选的。然而，无需限制于此，可以形成直线或曲线。
例如凸起结构1的台阶结构优选为连续条形(row-type)结构。然而，无需限制于此，该台阶结构可以形成为一种表面结构，其中仅由基板10的表面制成的表面(没有形成凸起结构1)和其中凸起结构1形成在基板10的表面上的凸起结构1被不连续地形成。而且，在不限于其中设置多个点状台阶结构的情况下，可以单个地设置点状台阶结构。台阶结构至少部分地设置在等于或超过热转印受体位置的外缘的外部上的部分中。
图2A、2B、2C和2D是分别示出了例如凸起结构1等的台阶结构的截面形状的示意图。
如图2A、2B、2C和2D所示，在本发明中，台阶结构的截面形状可以为能够产生台阶结构的效果的任何形状，而无需限于特定一种。台阶结构的截面形状例如可以为图2A所示的有角矩形，或者如图2B所示的带有圆角的矩形。而且，可以为如图2C所示的正向锥形，或如图2D所示的倒置锥形。
例如凸起结构1的台阶结构可以根据适当地选择的方法形成，而无需限于特定的一种。该台阶结构可以根据例如其中基板10通过湿法蚀刻而蚀刻的方法来形成。除了上述方法以外，可以列举溅射法和CVD法。然而，也可以使用通常的薄膜形成法，如真空沉积法、离子镀法、溶胶-凝胶法、旋涂法、喷涂法、以及CVD法。当形成有机膜时，可以使用旋涂法、印刷法、或气相沉积法。例如凸起结构1等的台阶结构可以由无机材料或有机材料形成，无需限于特定的一种，并且可以使用适当选择的材料。
而且，凸起结构1和基板10不必彼此结合。例如，可以使用其中凸起结构1简单地放置在基板上的方法，即，其中凸起结构1与基板物理上可分离的方法。此外，当设置台阶结构时，其上热转印有发光层166的基板10的热转印受体表面可被蚀刻，并形成为低于其周围以布置台阶。
至少在相应有机膜热转印到基板10上时形成例如凸起结构1的台阶结构，这是足够的，并且在热转印之前和之后，例如凸起结构1等的台阶结构被除去或者没有形成，这是可接受的。
如在示例性的实施例中所示，形成例如凸起结构1的台阶结构以便围绕热转印受体表面的两侧或其四侧或多于四侧。然而，可以仅设置对应于一个外缘的例如凸起结构1等的台阶结构。
例如凸起结构1等的台阶结构和热转印受体表面的外缘可以彼此接触。然而，优选使它们彼此分离。
其次，对应于R、G和B中的每一种的发光层166(有机膜)通过LITI法转印到基板10的空穴传输层164的表面上。具体地说，从作为有机膜表面形成体的其表面上形成有发光层166(有机膜)的施主板200，通过从施主板的背面侧到基板10照射激光210，可以将发光层166(有机膜)热转印在基板10的热转印受体表面上。
施主板200包括在其表面上形成的发光层166(有机膜)部分，以及具有光热转换能力的光热转换部202，光能通过该光热转换部202转换成热能。
光热转换部202的材料没有具体限制，只要适当地选择并使用使得可以热转印发光层166(有机膜)即可。
用于热转印的激光的类型、照射时间、每单位时间的照射量以及输出没有具体限制，可以适当地选择和使用。
激光210从背侧被照射在施主板200的光热转换部202上从而基本上对应于基板10的表面的热转印受体表面，并被扫描。由于照射和扫描，在施主板200的表面上形成的发光层166(有机膜)被热转印到位于基板10表面上的热转印受体表面，从而制造了有机膜热转印于其上的转印体，其中发光层166(有机膜)被热转印到基板10的表面或者空穴传输层164的表面。类似地，还形成了形成其它有机固体层16的层，从而可以形成从阳极14侧由空穴注入层162/空穴传输层164/发光层166/电子传输层167/电子注入层168制成的有机固体层16。
而且，关于分别涂布R、G和B的方法，可以列举下述方法，其中在例如用有机膜涂布R施主板之后，G或B的施主板根据LITI方法热转印到基板相应表面中的热转印受体表面上。
在示例性实施例中，可以优选地抑制质量转印发生，在质量转印过程中，有机膜也被热转印到除了与对基板照射激光的部分施主板相对应的部分之外的部分上，即，有机膜被不利地热转印到在期望部分的外部并且其中不应施加热转印的部分上；从而可以具有良好的转印性能地制造有机膜热转印于其上的转印体。从而，例如，在全色显示的情况下，可以优选地分别涂布R、G和B以能够形成具有高清晰度像素化的全部显示器。
由于有机EL显示装置倾向于特别不利地受质量转印影响，因此示例性实施例的有机膜热转印于其上的转印体的制造方法优选用于有机EL显示装置中。根据该方法，其中热转印不利地施加在期望部分的外部以及不应当热转印的部分上的质量转印优选地被抑制发生，从而可以具有优异转印性能地制造有机EL显示装置，优选地可以获得高清晰度像素化。
在示例性实施例中，已经说明了有机EL装置的有机固体层的形成方法。然而，有机膜热转印于其上的转印体的制造方法通常也可以用于其中有机膜被热转印的方法。该制造方法也可以应用于例如在示例性实施例中形成阻挡膜或保护膜的层。而且，该制造方法也可以应用于其中需要滤色器和有机发光器件材料的转印以及精确图案化的领域。该制造方法不仅可以应用于有机EL显示装置而且也可应用于一般显示器，如液晶显示器、电泳显示器、电子纸、以及色调显示器。
在示例性实施例中，使用LITI方法。然而，无需限制于此，该制造方法通常可以应用于其中光被转换成热能以热转印有机膜的方法。而且，该制造方法通常可以应用于其中有机膜转印在热转印受体表面上的方法，并且生成热能的方法并不限于其中通过施主板将光转换成热能的方法。例如，可以照射热射线，或可以使用根据热熔转印型如使用热能头(thermal head)的印刷机的印刷方法。这种情形下，在某些情况中，施主板并不必需要光热转换材料。在示例性实施例中，第一电极用作阳极，然而，不用说，第一电极可以用作阴极。
[有机EL装置]
在下文中，将参照附图描述本发明的示例性实施例。该示例性实施例仅是用于实施本发明的一种方式，并且本发明并不限于该示例性实施例。
在图3中，示出了根据具有图1所示的有机膜热转印其上的转印体的制造方法所制造的有机EL装置100的剖视图。
基板10可以适当地选自并使用玻璃基板、树脂基板等。树脂的示例包括热塑性树脂、热固性树脂、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、多芳基化合物、聚醚砜、聚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯聚酯、聚丙烯、玻璃纸(赛璐玢)、聚碳酸酯、乙酸纤维素、聚乙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的皂化物质、氟化树脂、氯化树脂、离聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、以及乙烯-丙烯酸酯共聚物。而且，不仅可以使用主要由树脂制成的基板，而且可以使用玻璃基板，以及玻璃-塑料层叠基板。此外，可以在基板的表面上涂敷碱阻挡膜(alkali-barrier film)或气体阻挡膜(gas-barrier film)。另外，当使用光从相对侧发射到透明基板的顶发射型时，基板10不必是透明的。
当使用玻璃基板时，不必形成阻挡膜12。然而，当形成阻挡膜时，EL器件可以优选地防止由于来自基板侧的水分和氧气而引起的腐蚀。在形成阻挡膜12的情况下，可以适当地选择并使用材料。
阻挡膜12可以具有多层结构或单层结构，并且可以由无机材料膜或有机材料膜制成。然而，当包含无机材料膜时，可以优选地改善耐受水分或氧气引起的腐蚀的阻挡性。
对于无机膜，例如，可以采用氮化物膜、氧化物膜、或碳膜、或硅膜。更具体的示例包括氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、类金刚石碳(DLC)膜、以及无定形碳膜。即，可以列举如SiN、AlN和GaN的氮化物，如SiO、Al2O3、Ta2O5、ZnO和GeO的氧化物，如SiON的氧氮化物，如SiCN的碳氮化物，金属氟化物，以及金属薄膜。
有机膜的示例包括呋喃膜，吡咯膜，噻吩膜，聚对二甲苯膜，或由如环氧树脂、丙烯酸类树脂、聚对二甲苯、氟基聚合物(全氟烯烃、全氟乙醚、四氟乙烯、三氟氯乙烯(氯三氟乙烯)、和二氟二氯乙烯)的聚合物制成的膜，金属醇盐(CH3OM、C2H5OM等)，聚酰亚胺前体、或二萘嵌苯基化合物。
对于阻挡膜12，可以列举由至少两种物质制成的层叠结构；由无机保护膜、硅烷耦合层、和树脂密封膜制成的层叠结构；由由无机材料制成的阻挡层、和由有机材料制成的盖层制成的层叠结构；由由金属或半导体和例如Si-CXHY等的有机材料制成的化合物、和无机材料制成的层叠结构；其中交替层叠无机膜和有机膜的层叠结构；以及其中在Si层上层叠SiO2或Si3N4的层叠结构。通过从阻挡膜12侧层叠阳极14/有机固体层16/阴极18来构造有机EL装置100。
对于阳极14，使用具有易于注入空穴的能级的层是足够的，并且可以使用例如ITO(铟锡氧化物)的透明电极。然而，当有机EL显示装置是顶发射型时，可以使用普通电极，而不使用透明电极。
通过利用溅射法使如ITO的透明导电材料形成为例如150nm的厚度。不限于ITO，也可以采用ZnO膜、IZO(铟锌氧化物合金)、金、碘化铜等代替ITO。
有机固体层16从阳极14侧由空穴注入层162/空穴传输层164/发光层166/电子传输层167/电子注入层168构成。
空穴注入层162设置在阳极14与空穴传输层164之间以促进空穴从阳极14注入。由于空穴注入层162，可以降低有机EL装置100的驱动电压。而且，在某些情况下，空穴注入层162起稳定空穴注入以延长器件寿命以及覆盖例如阳极14表面上形成的突起的不平整表面以降低器件缺陷的作用。
以如下方式适当地选择空穴注入层162的材料是足够的，其电离能在阳极14的功函数与空穴传输层164的电离能之间。例如，可以使用三苯胺四聚物(TPTE)或铜酞菁。
空穴传输层164设置在空穴注入层162与发光层166之间，并且促进空穴的传输以适当地将空穴传输到发光层166。
以如下方式适当地选择空穴传输层164的材料是足够的，其电离能介于空穴注入层162与发光层166之间。例如，可以采用TPD(三苯胺衍生物)、或NPB(N，N-二(萘-1-基)-N，N-二苯基-联苯胺)。
发光层166是使传输的空穴和类似地传输的电子复合(下面所述)以引起荧光发射或磷光发射的层。就发光层166而言，适当地选择材料以满足可以对应于发射模式的特性是足够的。例如，可以使用铝喹啉配合物(Alq3)、和π-共轭聚合物如二(苯并喹啉)铍配合物(BeBq)、三(二苯甲酰甲基)菲咯啉铕配合物(Eu(DBM)3(Phen))、二甲苯基乙烯基联苯(DTVBi)、聚(对亚苯基1，2-亚乙烯基)(聚对苯乙炔)、以及聚烷基噻吩。当期望绿光发射时，例如，可以使用铝喹啉配合物(Alq3)。
电子传输层167设置在电子注入层168与发光层166之间，并起将电子传输到发光层166的作用。电子传输层167可以例如由铝喹啉配合物(Alq3)构成。
电子注入层168设置在电子传输层167与阴极18之间，并且具有促进电子从阴极18注入的作用。
以如下方式适当地选择电子传输层168的材料是足够的，其介于阴极18的功函数与发光层166的电子亲和势之间。例如，就电子传输层168而言，可以采用由氟化锂(LiF)、氧化锂(Li2O)等制成的薄膜(如0.5nm)。
构成有机固体层16的各层通常由有机材料制成，并且该有机材料可以为低分子量有机材料或高分子量有机材料。在示例性实施例中，至少一层根据LITI方法来制造。除了上述之外的层可以根据另一有机膜热转印于其上的转印体的制造方法，或其它方法来制造。然而，可以根据LITI方法、或除了上述之外的有机膜热转印于其上的转印体的制造方法来制造全部层。对于其它方法，例如，由低分子量有机材料制成的有机固体层通常可以通过干燥工艺(真空工艺)如气相沉积法等来形成，并且由高分子量材料制成的有机固体层通常可以通过湿法如旋涂法、刮涂法、浸涂法、喷涂法、以及印刷法形成。
用于构成有机固体16的各层的有机材料的示例包括，作为聚合物的PEDOT、聚苯胺、聚(对亚苯基1，2-亚乙烯基)衍生物、聚噻吩衍生物、聚对亚苯基衍生物、聚烷基苯撑以及聚乙炔衍生物。
在示例性实施例中，已经以由空穴注入层162、空穴传输层164、发光层166、电子传输层167、以及电子注入层168构成的构造描述了有机固体层16。然而，有机固体层16不限制于此，可以适当地被构造成至少包含发光层166。
例如，取决于采用的有机材料等的特性，除了由发光层构成的单层结构外，还可以构造设置有空穴传输层/发光层、发光层/电子传输层等的两层结构、设置有空穴传输层/发光层/电子传输层的三层结构、或进一步设置有电荷(空穴、电子)注入层的多层结构。
而且，有机固体16可以在发光层166与电子传输层168之间设置有空穴阻挡层。空穴可以通过发光层166以到达阴极18。例如，在Alq3等用作电子传输层168的情况下，空穴可以流入电子传输层以导致Alq3的发射，或空穴不被限制在发光层中而降低发射效率。在这种关联下，可以设置空穴阻挡层以抑制空穴从发光层166流动到电子传输层168。
就阴极18而言，为了促进电子注入到有机固体层16，较佳地可以选择功函数或电子亲和势较小的材料。例如，优选使用如Mg:Ag合金、Al:Li合金等的合金型(混合金属)。作为阴极18，通过真空沉积等，例如Al、Mg或Ag的金属材料可以形成为例如150nm的厚度。
保护膜20可以形成为多层结构或单层结构，并且可以由无机膜或有机膜形成。然而，当包含无机膜时，抑制水分或氧气侵蚀的阻挡性能优选地得到改善；然而，保护膜20不是构成要件。
对于无机膜，例如，可以采用氮化物膜、氧化物膜、碳膜、或硅膜等。其更具体的示例包括氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、类金刚石碳(DLC)膜、以及无定形碳膜。即，可以列举如SiN、AlN、GaN等的氮化物，如SiO、Al2O3、Ta2O5、ZnO和GeO的氧化物，如SiON的氧氮化物，如SiCN的碳氮化物，金属氟化物化合物，以及金属薄膜。
有机膜的示例包括呋喃膜，吡咯膜，噻吩膜，聚对二甲苯膜，或由如环氧树脂、丙烯酸类树脂、聚对二甲苯、氟基聚合物(全氟烯烃、全氟乙醚、四氟乙烯、三氟氯乙烯(氯三氟乙烯)、和二氟二氯乙烯)的聚合物制成的膜，金属醇盐(CH3OM、C2H5OM等)，聚酰亚胺前体、或二萘嵌苯基化合物。
作为保护膜20，可以列举由至少两种物质的层叠结构；由无机保护膜、硅烷耦合层、和树脂密封膜制成的层叠结构；由由无机材料制成的阻挡层、和由有机材料制成的盖层制成的层叠结构；由由金属或半导体和如Si-CXHY等的有机材料制成的化合物以及无机材料制成的层叠结构；其中交替层叠无机膜和有机膜的层叠结构；以及其中在Si层上层叠SiO2或Si3N4的层叠结构。
在阻挡膜12和保护膜20中，构成的有机膜掩埋销孔和在有机膜中形成的表面粗糙度以平坦化表面。而且，在某些情况下，有机膜可以起减轻无机膜的膜应力的作用。
对于保护膜20的制造方法，可以列举溅射法和CVD法。然而，无需特别限制，可以优选使用适当的一种。也可以使用普通薄膜形成方法，如真空沉积法、离子镀法、溶胶-凝胶法、喷涂法、旋涂法、以及CVD法。
除了真空沉积法以外，制造有机EL装置100的各层的方法包括CVD法、溅射法等。而且，作为涂布法，可以采用各种印刷方法，如凹版式涂布法、凹版式反转涂布法、逗号式涂布法(comma coating method)、冲模涂布法、凸缘涂布法、流延涂布法、辊涂法、气刀涂布法、迈尔棒涂布法(mayerbar coating method)、挤压涂布法、胶印涂布法(offset coating method)、UV固化胶印涂布法、柔印涂布法(flexo coating method)、模版涂布法、丝涂布法、幕帘流动涂布法、拉丝锭涂布法、反转涂布法、凹版式涂布法、吻涂法、刮板涂布法、平滑涂布法(smooth coating method)、喷涂法、溶液涂布法、以及刷涂法。在干燥下层以形成膜之后，将上层涂布其上。而且，在湿状态下将上层叠置在下层上后，可以干燥下层和上层。
<有机EL装置的发光模式>
将描述有机EL装置100的发光模式。
在有机EL装置100中，空穴从阳极14传输到有机固体层16中的空穴注入层162。传输的空穴注入到空穴传输层164。注入空穴传输层164的空穴传输至发光层166。
而且，在有机EL装置100中，电子从阴极18传输到有机固体层16中的电子注入层168。传输的电子注入到电子传输层167中。传输的电子传输至发光层166。
传输的空穴和电子在发光层166中相互复合。由于在复合发射的能量，产生由EL而引起的发射。该发射顺序通过空穴传输层164、空穴注入层162、阳极14、阻挡膜12、以及基板10而引导至外部，并且可以观察到该发射。
当Al用于阴极18时，阴极层18与电子传输层168之间的界面变成反射层。该发射被该界面反射，并且朝向阳极14前进，然后通过基板10，进而出射至外部。因此，当具有上述构造的有机EL装置用于显示器等时，基板10侧变成显示器的观察面。
当使用有机EL显示装置来实现全色显示器时，例如可以列举，其中通过分别涂布(分别涂布方法)来制造发射RGB相应颜色的有机EL装置的制造方法、其中发射白色的单色的有机EL装置和滤色器组合的方法(滤色器法)、其中发射蓝色发射或白色发射的单色的有机EL装置和色转换层组合的方法(颜色转换法)、以及其中电磁波照射在为单色或用来实现多种发射的有机EL装置的有机发光层上的方法(光漂白法)。然而，在示例性实施例中，无需特别限制，可以适当地从其中选择和使用方法。
示例
在下文中，将参照示例和比较例更详细地描述本发明。本发明并不限于下述示例，例如，并不限制台阶结构的宽度、节距、厚度等。
(示例1)
如图4所示，在玻璃基板40上，形成由ITO制成的具有50μm宽度、200μm节距以及115nm厚度的十(10)行阳极41(图4仅示出了一(1)行)。然后，在阳极41和41之间，利用感光性聚酰亚胺材料形成具有10μm宽度、200μm节距以及1.5μm厚度的十一(11)行台阶结构42(图4示出了两(2)行)。其后，得到的结构设置到真空沉积设备，并且根据通常的真空沉积方法，将由CuPc制成的空穴注入层43沉积到25nm的厚度，接着进一步将由α-NPD制成的空穴传输层44沉积到45nm的厚度。这里，在示例1中，还在台阶结构42的表面上，沉积空穴注入层43和空穴传输层44。然而，由于最终台阶结构的高度形成为高于转印部分的高度是足够的，因此不存在特别的问题。
其次，在氮气氛中的LITI转印设备中，通过真空沉积法在整个板上均匀地沉积Alq3至60nm厚度的施主板放置为使得空穴传输层44和Alq3彼此紧密接触。然后，以120μm的宽度并在1.2J/cm2的激光功率下热转印Alq3膜45以使阳极41位于中心。而且，将其上转印有Alq3的基板再次设置在真空沉积设备中，接着将LiF沉积到0.2nm的厚度(图中未示出)，并且，接着将由Al制成的阴极46沉积到100nm的厚度。
最后，根据通常方法，密封壳47用来密封整体，从而完成示例1的有机EL显示装置。
(比较例1)
与在示例1中的不同之处在于，没有形成台阶结构42，在所有其它步骤中类似于示例1，完成比较例1的有机EL显示装置。
作为示例1的有机EL显示装置与比较例1的有机EL显示装置的比较的结果，可以发现，虽然，在示例1的有机EL显示装置中，Alq3仅在期望的区域中形成，并且获得了优异的发射状态，但在比较例1的有机EL显示装置中，在除了期望区域外的区域中引起质量转印现象，不能获得均匀的器件发射，而且，不能分别涂敷其它颜色。

Claims (7)

1.一种有机膜热转印于其上的转印体的制造方法，包括：
将热能施加在其表面上形成有有机膜的有机膜形成体上，以将所形成的有机膜从所述有机膜形成体的表面热转印到热转印受体的表面以制造有机膜热转印于其上的转印体，
其中，对于所述热转印受体的表面，形成为高于所述热转印受体的位置外缘的台阶结构在所述热转印之前至少部分地设置在等于或超出所述热转印受体的位置的外缘的外部上；以及
所述有机膜热转印在热转印受体的表面上，以形成有机膜热转印于其上的转印体。
2.根据权利要求1所述的有机膜热转印于其上的转印体的制造方法，
其中所述热能供应光能，并且所供应的光能转换成热能以应用所述热转印。
3.根据权利要求2所述的有机膜热转印于其上的转印体的制造方法，
其中所述光能通过照射激光束来供应。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的有机膜热转印于其上的转印体的制造方法，
其中所述台阶结构通过在所述热转印受体的表面上设置凸部形成。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的有机膜热转印于其上的转印体的制造方法，
其中所述热转印受体是玻璃基板或树脂基板。
6.根据权利要求1至4任意一项所述的有机膜热转印于其上的转印体的制造方法，
其中所述有机膜是用来制造有机EL显示装置的有机膜。
7.一种有机膜热转印于其上的转印体，所述转印体是通过在其表面上形成有有机膜的有机膜形成体上施加热能，以将所形成的有机膜从所述有机膜形成体的表面热转印到热转印受体的表面来形成，
其中，对于所述热转印受体的表面，形成为高于所述热转印受体的位置外缘的台阶结构在所述热转印之前至少部分地设置在等于或超出所述热转印受体的位置的外缘的外部上。
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