CN101140851A - 厚氧湿法腐蚀方法 - Google Patents
厚氧湿法腐蚀方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101140851A CN101140851A CNA2006100309699A CN200610030969A CN101140851A CN 101140851 A CN101140851 A CN 101140851A CN A2006100309699 A CNA2006100309699 A CN A2006100309699A CN 200610030969 A CN200610030969 A CN 200610030969A CN 101140851 A CN101140851 A CN 101140851A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon chip
- corrode
- thick oxygen
- wet method
- thick
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
本发明公开了一种厚氧湿法腐蚀方法,包括以下步骤:第一步,将生长了厚氧化层的硅片置于氟化铵与氢氟酸的混合液中进行腐蚀;第二步,在第一步完成之后的2到48小时用硫酸双氧水溶液清洗硅片,并将硅片甩干。本发明通过在腐蚀液中增加氟化铵,在并追加硫酸双氧水对硅片清洗的清洗工艺,降低氧化层全剥过程中产生颗粒的可能性,减少硅片表面颗粒残留,增加工艺成品率,提高生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体集成电路工艺技术领域,尤其是一种深结双极型工艺中的厚氧湿法腐蚀方法。
背景技术
在深结双极型工艺中,根据特定工程需要会生长较厚的氧化层,厚氧的厚度大于0.3um。为了控制生产成本和提高效率,通常使用高浓度湿法腐蚀液来进行氧化层全剥。
如图1所示,在现有的半导体深结双极型工艺中,实现厚氧湿法腐蚀全剥的工艺过程是:将生长或淀积了氧化层的硅片放入浓度为49%的氢氟酸腐蚀液进行湿法腐蚀,将硅片表面的厚氧化层腐蚀干净,腐蚀时间为2至5分钟;腐蚀结束后用去离子水冲洗并将硅片甩干。
如图2所示,采用现有的厚氧湿法腐蚀方法在氧化层全剥后,有时会发现硅片10的表面有残留颗粒20,而且用各种方法都很难去除。并且这一情况会由于以下原因变得更严重:其一,氧化层很厚、腐蚀时间很长;其二,去离子水对硅片冲洗不够充分;其三,完成氧化层全剥后等待下步工艺时间较长。
现有方法中在氧化层全剥后的表面残留颗粒会给后续工艺带来问题。当后续为外延工艺,氧化层全剥后的表面残留颗粒会造成外延缺陷,导致漏电。
当后续为栅氧生长,会造成栅氧质量下降,击穿电压下降,开启电压改变。也会造成结漏电,后续工艺质量下降,量率下降等工艺问题。
由于现有的厚氧湿法腐蚀方法在氧化层全剥后可能会在硅片表面残留难以清除的颗粒,造成后续工艺质量下降,减少了深结双极型工艺的成品率,降低生产效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种厚氧湿法腐蚀方法,能够降低氧化层全剥过程中产生颗粒的可能性,增加去处颗粒的能力,防止表面颗粒残留,提高成品率。
为解决上述技术问题,本发明厚氧湿法腐蚀方法所采用的技术方案是,包括以下步骤:第一步,将生长了厚氧化层的硅片置于氟化铵与氢氟酸的混合液中进行腐蚀;第二步,在第一步完成之后的2到48小时用硫酸双氧水溶液清洗硅片,并将硅片甩干。
本发明通过将腐蚀液改为氟化铵与氢氟酸的混合液,在一定时间间隔内追加硫酸双氧水溶液对硅片清洗,使氧化层全剥过程中产生颗粒的可能性降低,而去除颗粒的能力加强,从而达到防止表面颗粒残留,可以增加工艺成品率,提高生产效率。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明:
图1为已有技术中厚氧湿法腐蚀方法流程图;
图2为采用已有技术厚氧湿法腐蚀方法后硅片表面示意图;
图3为本发明厚氧湿法腐蚀方法流程图;
图4为采用本发明厚氧湿法腐蚀方法后硅片表面示意图。
具体实施方式
如图3所示,本发明包括以下步骤,第一步,将生长了厚氧化层的硅片置于氟化铵与氢氟酸的混合液中进行腐蚀,腐蚀的时间为5至15分钟。其中,氟化铵浓度为40%,氢氟酸的浓度为49%。,氟化铵与氢氟酸的体积比在5∶1至7∶1之间。第二步,在第一步完成之后的2到48小时用硫酸双氧水溶液清洗硅片,清洗时间为20至40分钟。在清洗之后将硅片甩干。
在本发明中,在腐蚀溶液中的加入作为缓冲剂的氟化铵,并在间隔一段时间之后用硫酸双氧水溶液清洗硅片。如图4所示,利用本发明方法氧化层全剥后,在硅片100表面很少有残留颗粒。
本发明一种厚氧湿法腐蚀方法,在现有技术的腐蚀液中增加氟化铵,在并追加硫酸双氧水对硅片清洗的清洗工艺,降低氧化层全剥过程中产生颗粒的可能性,减少硅片表面颗粒残留,增加工艺成品率,提高生产效率。
Claims (8)
1.一种厚氧湿法腐蚀方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步,将生长了厚氧化层的硅片置于氟化铵与氢氟酸的混合液中进行腐蚀;第二步,在第一步完成之后的2到48小时用硫酸双氧水溶液清洗硅片,并将硅片甩干。
2.如权利要求1所述的厚氧湿法腐蚀方法,其特征在于,第一步中氟化铵与氢氟酸的体积比在5∶1至7∶1之间。
3.如权利要求1或2所述的厚氧湿法腐蚀方法,其特征在于,第一步中氟化铵浓度为40%,氢氟酸的浓度为49%。
4.如权利要求1或2所述的厚氧湿法腐蚀方法,其特征在于,第一步对硅片进行腐蚀的时间为5至15分钟。
5.如权利要求3所述的厚氧湿法腐蚀方法,其特征在于,第一步对硅片进行腐蚀的时间为5至15分钟。
6.如权利要求1所述的厚氧湿法腐蚀方法,其特征在于,第二步为在第一步完成之后的2小时用硫酸双氧水溶液清洗硅片,并将硅片甩干。
7.如权利要求1或2所述的厚氧湿法腐蚀方法,其特征在于,第二步用硫酸双氧水溶液清洗硅片的时间为20至40分钟。
8.如权利要求3所述的厚氧湿法腐蚀方法,其特征在于,第二步用硫酸双氧水溶液清洗硅片的时间为20至40分钟。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNA2006100309699A CN101140851A (zh) | 2006-09-08 | 2006-09-08 | 厚氧湿法腐蚀方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNA2006100309699A CN101140851A (zh) | 2006-09-08 | 2006-09-08 | 厚氧湿法腐蚀方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101140851A true CN101140851A (zh) | 2008-03-12 |
Family
ID=39192733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2006100309699A Pending CN101140851A (zh) | 2006-09-08 | 2006-09-08 | 厚氧湿法腐蚀方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101140851A (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101799381A (zh) * | 2010-03-02 | 2010-08-11 | 上海新傲科技股份有限公司 | 一种在硅片表面形成氧化层的方法 |
CN105655248A (zh) * | 2016-03-22 | 2016-06-08 | 河南芯睿电子科技有限公司 | 一种非抛光单晶硅基器件光刻对准标记的碱腐蚀加工方法 |
CN109308991A (zh) * | 2017-07-26 | 2019-02-05 | 天津环鑫科技发展有限公司 | 一种去除电极面氧化层的方法 |
US10535664B2 (en) * | 2018-05-28 | 2020-01-14 | United Microelectronics Corp. | Fabricating method of oxide layer within peripheral circuit region |
CN110890269A (zh) * | 2018-09-11 | 2020-03-17 | 东莞新科技术研究开发有限公司 | 集成电路板的清洗方法 |
-
2006
- 2006-09-08 CN CNA2006100309699A patent/CN101140851A/zh active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101799381A (zh) * | 2010-03-02 | 2010-08-11 | 上海新傲科技股份有限公司 | 一种在硅片表面形成氧化层的方法 |
CN101799381B (zh) * | 2010-03-02 | 2012-03-14 | 上海新傲科技股份有限公司 | 一种在硅片表面形成氧化层的方法 |
CN105655248A (zh) * | 2016-03-22 | 2016-06-08 | 河南芯睿电子科技有限公司 | 一种非抛光单晶硅基器件光刻对准标记的碱腐蚀加工方法 |
CN105655248B (zh) * | 2016-03-22 | 2018-06-05 | 河南芯睿电子科技有限公司 | 一种非抛光单晶硅基器件光刻对准标记的碱腐蚀加工方法 |
CN109308991A (zh) * | 2017-07-26 | 2019-02-05 | 天津环鑫科技发展有限公司 | 一种去除电极面氧化层的方法 |
US10535664B2 (en) * | 2018-05-28 | 2020-01-14 | United Microelectronics Corp. | Fabricating method of oxide layer within peripheral circuit region |
CN110890269A (zh) * | 2018-09-11 | 2020-03-17 | 东莞新科技术研究开发有限公司 | 集成电路板的清洗方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104393118A (zh) | 将制绒与清洗分步进行的晶硅太阳能电池湿化学处理方法 | |
CN101140851A (zh) | 厚氧湿法腐蚀方法 | |
CN103441182B (zh) | 太阳能电池的绒面处理方法及太阳能电池 | |
CN102306687B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池pecvd彩虹片返工方法 | |
CN104562211B (zh) | 一种可提升单晶电池转换效率的制绒方法 | |
CN103449731A (zh) | 一种提升熔石英光学元件损伤阈值的方法 | |
CN113793801B (zh) | 一种磷化铟衬底晶片的清洗方法 | |
CN101017772A (zh) | 半导体管芯总成去杂质离子的清洗方法 | |
CN102044429B (zh) | 一种硅片的刻蚀方法 | |
CN104868020A (zh) | 一种回收蓝宝石衬底的方法 | |
CN107287597A (zh) | 单晶硅表面处理用的制绒剂及其制作方法和使用方法 | |
CN107887458A (zh) | 一种铜催化刻蚀硅制备形貌可控绒面的方法 | |
CN103681241A (zh) | 可改善氧化层质量的清洗方法 | |
CN109698123A (zh) | 一种GaAs基LED晶片的衬底腐蚀方法 | |
CN204167329U (zh) | 冶金多晶硅太阳能电池片及太阳能电池板 | |
CN202290646U (zh) | 一种硅片清洗机 | |
CN112608799A (zh) | 一种单晶硅片清洗剂及其应用 | |
CN102085517A (zh) | 栅氧控片清洗方法及装置 | |
CN102962224B (zh) | 一种原生多晶碳头料的清洗方法 | |
CN114613697B (zh) | 降低半导体衬底晶片表面颗粒的清洗方法 | |
CN103117220B (zh) | 超级结牺牲氧化层的去除方法 | |
CN115472714A (zh) | 不良太阳电池返工方法 | |
CN114210639A (zh) | 一种减少锗晶片表面亮点数量的清洗工艺 | |
CN1603470A (zh) | 一种金属前接触孔清洗工艺 | |
KR101296797B1 (ko) | 폐태양전지로부터 고순도 폴리 실리콘을 회수하는 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20080312 |