CN101038889A - 基板载置台及基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种难以产生升降销对载置台本体的损伤的基板载置台。在基板处理中载置基板的基板载置台(4)包括载置台本体(4a)；和垂直地插入载置台本体(4a)中、设置为可自由升降以在载置台本体(4a)的表面上突出和没入、以其前端支承和升降基板的升降销(30)，其中，升降销(30)可处于没入在载置台本体(4a)内的退避位置；和从载置台本体(4a)突出、支承基板(G)的支承位置上，其具有弯折部(35)，当升降销(30)位于支承位置上，将比升降销(30)变形的力小的规定大小的横向力施加在载置台本体(4a)的表面位置或其上方位置时，该弯折部(35)弯折。

Description

基板载置台及基板处理装置

技术领域

本发明涉及在对液晶显示装置(LCD)等的平板显示器(FPD)制造用的玻璃基板或半导体晶片等基板进行干蚀刻等处理的基板处理装置中，在处理容器内载置基板的基板载置台及适用该基板载置台的基板处理装置。

背景技术

例如，在FPD或半导体的制造过程中，对作为被处理基板的玻璃基板或半导体晶片进行干蚀刻、溅射或CVD(化学气相淀积)等各种处理。

例如，这样的处理在将基板载置在设置于腔体内的基板载置台上的状态下进行，基板在基板载置台上的装载和卸载通过使基板载置台具有的多个升降销升降来进行。即、当装载基板时，成为使升降销从载置台本体的表面突出的状态，将载置在搬送臂上的基板移至销上，使升降销下降。另外，当卸载基板时，从将基板载置在载置台本体上的状态，使升降销上升，使基板从载置台本体表面上升，在这个状态下，将基板移放在搬送臂上。这种技术为现有技术，例如，公开在专利文献1中。

另外，对FPD用的玻璃基板进行等离子体蚀刻的蚀刻装置中，在腔体内配置一对平行平板电极(上部和下部电极)，基板载置台作为下部电极发挥作用。在这种情况下，为了在基板面内实现均匀的处理，有必要利用作为导电性材料的金属、例如不锈钢(SUS)构成升降销。

然而，以LCD为代表的FPD用的玻璃基板趋向大型化，需求一边超过2m的巨大的基板，基板载置台也在趋向大型化。并且，为了支承大型基板，升降销的数目也需要多个。因此，基板载置台本身成为价格极高的部件。特别是，如上所述，由于蚀刻装置的基板载置台作为下部电极发挥作用，安装有冷却机构或供电机构等，所以价格更高。

这种基板载置台，由于所设置的多个升降销在载置台本体内升降，在升降销从载置台本体突出的状态下，如果发生搬送臂接触升降销等的故障，则可能会损伤基板载置台本身。特别是，在使用上述的金属制升降销的情况下，由接触搬送臂等的横方向的力使升降销本身弯曲，在一系列的搬送动作中，保持升降销弯曲的状态，进行升降动作，损伤高价的基板载置台的可能性提高。这样，如果在载置台本体上产生损伤，则必需更换高价的基板载置台，成为装置成本提高的主要原因。

[专利文献1]特开平11-340208号公报

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的是要提供难以产生升降销对载置台本体的损伤的基板载置台和具有这种基板载置台的基板处理装置。

为了解决上述问题，在本发明的第一观点中，提供一种基板载置台，在基板处理装置中载置基板，其特征在于，包括：载置台本体；和升降销，铅直地通插在上述载置台本体中，设置为可自由升降以相对于上述载置台本体的表面突出和没入，以其前端支承和升降基板；其中，上述升降销可处于没入在上述载置台本体内的退避位置；和从上述载置台本体突出、支承基板的支承位置上，其具有弯折部，当上述升降销位于上述支承位置上，将比上述升降销变形的力小的规定大小的横向力施加在上述载置台本体的表面位置或其上方位置时，该弯折部弯折。

在上述第一观点中，上述升降销能够为具有下部件和上部件的结构，下部件构成在上述弯折部的下方的下方部分，上部件构成上述弯折部的上方的上方部分。在这种情况下，上述升降销可以由上述下部件和上述上部件嵌合而构成，其嵌合部分作为上述弯折部发挥作用。上述升降销也可以由上述下部件和上述上部件连接而构成，其连接部分作为上述弯折部发挥作用。上述升降销也可以由上述下部件和上述上部件嵌合、并且连接该嵌合部分的至少一部分而构成，该嵌合部分和连接部分作为上述弯折部发挥作用。或者，上述升降销也可以由在上述下部件和上述上部件之间存在设置可挠性变形的可挠部件而构成，上述可挠部件作为上述弯折部发挥作用。

在上述第一观点中，上述升降销也能够为如下结构，还具有在上述下部件和上述上部件之间施加压缩力的施加压缩力部件，当将上述规定大小的横向力施加在上述升降销上时，上述压缩力被解除，上述弯折部弯折。在这种情况下，上述施加压缩力部件为螺旋弹簧。

另外，上述升降销可以为如下结构，还具有向上述上部件施加向上的作用力的施加作用力部件、和在向上述上部件上施加作用力的状态下连接上述下部件和上述上部件的连接部件，当将上述规定大小的横向力施加在上述升降销上时，上述连接部件的连接被解除，上述弯折部弯折。在这种情况下，上述施加作用力部件为螺旋弹簧，上述连接部件可以为如下结构，具有固定在上述下部件上的固定部和在向上述上部件上施加有作用力时，卡止上述上部件的卡止部，当将上述规定大小的横向力施加在上述升降销上时，上述卡止部的卡止被解除，上述弯折部弯折。

在上述第一观点中，上述下部件为金属制，上述上部件为树脂制。另外，上述下部件和上述上部件有导电性，其连接为，经由上述弯折部，从上述上部件的前端至上述下部件的下端电气导通。在这种情况下，在上述弯折部具有上述上部件和上述下部件的连接部分的情况下，能够使用导电粘接剂作为连接部分。另外，在上述上部件和上述下部件之间存在设置有上述可挠部件的情况下，上述下部件和上述上部件有导电性，上述可挠部件也可以由导电性树脂构成。另外，上述下部件和上述上部件也可以都用金属制成，也可以为上述下部件由金属制成，上述上部件由导电性树脂制成的结构。上述上部件可以为具有金属制的中心件和覆盖其外侧的树脂部件的结构。另外，在这样经由上述弯折部，从上述上部件的前端至上述下部件的下端以电气导通的方式连接的结构的情况下，优选上述升降销与上述载置台本体同电位。

在上述第一观点中，上述处理装置为进行等离子体处理的装置，上述载置台本体能够起下部电极的作用。另外，能够为上述升降销可位于从上述支承位置上升的维修位置的结构。

在本发明的第二观点中，提供了一种基板处理装置，其特征在于，包括：收容基板的处理容器；设置在上述处理容器内、载置基板的基板载置台；和在上述处理室内，对基板进行规定处理的处理机构，其中，上述基板载置台具有上述第一观点的结构。

在上述第二观点中，上述处理机构能够为如下结构，上述处理机构包括向上述处理容器内供给处理气体的气体供给机构、排出上述处理容器内的气体的排气机构和在上述处理容器内生成上述处理气体的等离子体的等离子体生成机构。另外，上述等离子体生成机构能够为如下结构，包括起下部电极的作用的上述基板载置台、与基板载置台相对设置的上部电极和将高频电力施加在基板载置台上的高频电源。

根据本发明，上述升降销可处于没入在上述载置台本体内的退避位置；和从上述载置台本体突出、支承基板的支承位置上，其具有弯折部，当上述升降销位于上述支承位置上，将比上述升降销变形的力小的规定大小的横向力施加在上述载置台本体的表面位置或其上方位置时，该弯折部弯折。由此，即使横向力作用在处于支承位置的升降销从载置台本体表面突出的部分上，由于在升降销变形前，在弯折部弯折，因此可防止升降销变形直接损伤载置台本体，或者也能够防止在保持升降销变形的状态下仍进行升降动作，损伤载置台本体。

附图说明

图1为表示一等离子体蚀刻装置的截面图，该等离子体蚀刻装置是设置有作为本发明的一个实施方式涉及的基板载置台的基座的处理装置的一个例子。

图2为放大表示图1的处理装置中的基座的截面图。

图3为说明升降销在基座本体上的配置用的平面图。

图4为表示在作为本发明的一个实施方式涉及的基板载置台的基座中所使用的升降销的结构的一个例子的图。

图5为说明本实施方式的基座中的升降销的维修方法用的简图。

图6为说明图4的升降销的弯折部的变形例子用的图。

图7为说明图4的升降销的弯折部的另一例子用的图。

图8为表示图4的升降销的变形例子的图。

图9为表示升降销的结构的另一例子的图。

图10为表示升降销的结构的另一例子的图。

符号说明

1：处理装置(等离子体蚀刻装置)

2：腔体(处理容器)

3：绝缘板

4：基座(基板载置台)

4a：基座本体(载置台本体)

5：基体材料

5a：凸部

6：绝缘部件

7：隔板(spacer)部件

11：喷淋头(气体供给单元)

20：排气装置

25：高频电源(等离子体生成单元)

30：升降销

30a：下部件

30b：上部件

34：可挠部件

35：弯折部

36、36’：凹部

37、37’：凸部

38、38’、38”粘接剂层

39：维修部

40：中心件

41：树脂体

43：螺旋弹簧(施加压缩力部件)

44：凹部

51：螺旋弹簧(施加作用力部件)

52：连接部件

52b：接合部

54a：台阶部

55：压紧部

G：玻璃基板

具体实施方式

下面，参照附图，说明本发明的实施方式。图1为表示一等离子体蚀刻装置的截面图，该等离子体蚀刻装置是设置有作为本发明的一个实施方式涉及的基板载置台的基座的处理装置的一个例子。该等离子体蚀刻装置1为对FPD用的玻璃基板G进行规定的处理的装置，它是作为电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置构成的。这里，作为FPD举例表示了液晶显示器(LCD)、电致发光(Electro Luminescence：EL)显示器、和等离子体显示面板(PDP)等。

该等离子体蚀刻装置1具有由表面经氧化铝膜处理(阳极氧化处理)后的铝构成的、形成为棱筒形状的腔体2。

在该腔体2内的底部设置有载置作为被处理基板的玻璃基板G的、作为基板载置台的基座4。该基座4包括基座本体4a和向该基座本体4a进行玻璃基板G的装载和卸载用的升降销30。

在基座本体4a上连接有供给高频电力用的供电线23，在该供电线23上连接有匹配器24和高频电源25。从高频电源25将例如13.56MHz的高频电力供给至基座4。

在上述基座4的上方，与该基座4平行相对设置有起上部电极作用的喷淋头11。喷淋头11被支承在腔体2的上部，在内部有内部空间12，同时，在与基座4相对的面上形成有多个喷出处理气体的喷出孔13。该喷淋头11接地，与基座4一起构成一对平行平板电极。

在喷淋头11的上面设置有气体导入口14，在该气体导入口14上连接有处理气体供给管15，在该处理气体供给管15上经由阀16和质量流量控制器17连接有处理气体供给源18。从处理气体供给源18供给蚀刻用的处理气体。作为处理气体能够使用卤素类气体、O₂气体、Ar气体等通常在这个领域中使用的气体。

在上述腔体2的底部形成有排气管19，在该排气管19上连接有排气装置20。排气装置20具有涡轮分子泵等真空泵，由此，构成为可以将腔体2内抽真空至规定的减压气氛。另外，在腔体2的侧壁上设置有基板搬入搬出口21、和开闭该基板搬入搬出口21的闸阀22，在打开该闸阀22的状态下，可在相邻的负载锁定室(图中没有示出)之间搬送基板G。

下面，参照图2所示的放大图，详细地说明作为本发明的一个实施方式涉及的基板载置台的基座4。

如上所述，该基座4具有基座本体4a和升降销30。基座本体4a具有金属制的基体材料5和设置在基体材料5的周边边缘上的绝缘部件6。

在腔体2的底壁2a上，以与基座本体4a的周边边缘对应的方式，设置有由绝缘体构成的隔板(spacer)部件7。在其上载置有基座本体4a。隔板部件7和底壁2a之间，隔板部件7和基座本体4a之间被气密地密封，在基座本体4a和底壁2a之间形成有大气气氛的空间31。于是，由该空间31实现大气绝缘。由支承基座本体4a的陶瓷等绝缘体构成的多个绝缘部件32被埋设在底壁2a内，在这些绝缘部件32的中心铅直设置有贯通孔，利用插入在贯通孔内的螺钉33固定底壁2a和基座本体4a。

在基座本体4a的上面，即基体材料5的表面上，成突起状形成有由介电质材料构成的多个凸部5a，这些凸部5a成为被绝缘部件6包围其周围的状态。绝缘部件6的上表面和凸部5a的上表面在相同高度，在将玻璃基板G载置在基座本体4a上的情况下，成为与绝缘部件6的上表面和凸部5a的上表面接触的状态。

升降销30被通插入在基座2的底壁上作出的孔2b和在基座本体4a的基体材料5上作出的孔5b中，如图3所示，在与玻璃基板G的周边边缘相对应的位置上设置有10根，在中央部设置有三根，合计13根升降销。升降销30利用图中没有示出的驱动机构进行升降，在处理中等不搬送玻璃基板G的时候，位于没入基座本体4a内的退避位置。当装载和卸载玻璃基板G时，如图2所示，在从基座本体4a的表面向上方突出的状态下，位于支承玻璃基板G的支承位置。另外，导电性的挡块60利用螺纹连接固定在升降销30的下端。在挡块60和基座本体4a之间，设置有遮断真空气氛和大气气氛用的导电性的波纹管62。因此，在升降销30为导电性的情况下，升降销30经由波纹管62和挡块60与基座本体4a电气连接，保持同电位。在挡块60下设置有绝缘部件61。

在升降销30上具有弯折部35，在升降销位于支承位置时，该弯折部位于基座本体4a的表面位置或稍微靠向上方的位置上，当比升降销30变形的力小的、规定大小的横向力被施加在升降销30的突出部分上时，该弯折部弯折。

即、升降销30具有下部件30a和上部件30b，在上述弯折部35的位置上，这些连接在一起。于是，通过将规定值以上的负载(力)施加在升降销30上，会从弯折部35弯折。

具体地是，如图4所示，就弯折部35来说，设置在上部件30b的下端部中央的凸部37嵌入设置在下部件30a的上端部中央的凹部36中，并且具有在凹部36的底面和凸部37的前端之间形成的粘接剂层38。通过调节凹部36和凸部37的高度或粘接剂层38的面积等，能够调整从弯折部35弯折时的力的最小值。由此，在玻璃基板G的升降动作中，弯折部35不变形，可以如通常那样动作，但是，当从横向将规定值以上的力施加在升降销30上时，会从弯折部35弯折。

在弯折部35的正下方位置设置有在进行升降销30的安装取出等维修时，应用扳手等工具的维修部39。在现有技术中，这种维修在支承玻璃基板G的支承位置上进行，因此，当玻璃基板G在支承位置时，如图5(a)所示，维修部39有必要突出至基座本体4a的表面之上。当在本实施方式中采用这种状态时，弯折部35在基座本体4a的表面以上相当靠向上方的位置。但是，优选的是升降销弯折位置接近基座本体4a的表面。因此，如图5(b)所示，在支承位置上，使弯折部35的高度位置在基座本体4a的表面高度或较其稍微靠上的位置，在确保该优选位置的基础上，重新设置使其从该支承位置进一步上升后的维修位置作为该升降销30的另一停止位置，如图5(C)所示，通过使升降销30位于该维修位置，使维修部39位于比基座本体4a的表面靠向上方的位置，从而可以维修升降销30。当然，也可以如现有技术那样，只设置退避位置和支承位置的二个位置，在支承位置上进行升降销的安装取出。

此外，弯折部35的形状不仅限于图4所示形状，如图6(a)所示，也可以作成小面积粘接剂层38’，作为研钵状的凹部36’和圆锥台状的凸部37’的组合。另外，只要不对升降销30的动作造成障碍，则如图6(b)所示，也可以只是凹部36和凸部37嵌合。又如图6(c)所示，也可以将弯折部35只作成平面状的粘接剂层38”。

另外，如图7所示，也可以将弯折部35构成为在下部件30a和上部件30b之间存在设置有可挠性(或弯曲)变形的、例如树脂制的可挠部件34，该可挠部件34变形，从弯折部35弯折。在这种情况下，为了提高下部件30a和上部件30b与可挠部件34之间的连接性，可分别在下部件30a和上部件30b的端部形成突起45、46，能够设置可挠部件34，以埋设这些突起45、46。可挠部件34也可以与下部件30a和上部件30b成形为一体，也可以成形后利用粘接剂等与下部件30a和上部件30b连接。

从可靠地将升降销30安装在腔体2的下方的图中没有示出的安装部上的观点出发，作为构成下部件30a的材料优选不锈钢(SUS)等金属材料。另外，从防止上部件30b与孔5b处的基座本体4a摩擦产生的问题的观点出发，优选上部件30b为树脂部件。

但是，从在基板面内进行均匀的蚀刻处理的观点来看，优选升降销30的下部件30a和上部件30b有导电性，经由弯折部件35，从上部件30b的前端至下部件30a的下端电气导通，与基座本体4a同电位。从这个观点出发，优选，上部件30b用不锈钢(SUS)等金属构成，作为粘接剂层38优选使用导电性粘接剂，作为可挠部件34优选使用导电性树脂。另外，在利用粘接剂连接可挠部件34与下部件30a、上部件30b的情况下，作为粘接剂，优选使用导电性粘接剂。这样，经由使升降销30有导电性，如上所述，升降销30经由导电性波纹管62和挡块60，与基座本体4a电气连接，与基座本体4a同电位。另有，通过利用导电性树脂构成上部件30b，能够同时兼顾防止与基座本体4a的摩擦引起的问题以及蚀刻的均匀性。当然，也可以利用绝缘材料构成升降销30的一部分或全部，粘接下部件30a和上部件30b的粘接剂也可以为绝缘性。如图8所示，通过使上部件30b具有由不锈钢(SUS)构成的中心件40和卷绕在其外侧的通常的树脂件41，能够同时兼顾防止与基座本体4a的摩擦引起的问题以及蚀刻的均匀性。

其次，说明这样构成的等离子体蚀刻装置1的处理动作。

首先，利用图中没有示出的搬送臂，将作为被处理基板的玻璃基板G，从图中没有示出的负载锁定室，经由基板搬入搬出口21，搬入腔体2内，载置在基座本体4a上、即形成在基座本体4a的表面上的、由介电质材料构成的凸部5a和绝缘部件6上。在这种情况下，升降销30向上方突出，位于支承位置上，将搬送臂上的玻璃基板G交接到升降销30上。然后，使升降销30下降，将玻璃基板G载置在基座本体4a上。

然后，关闭闸阀22，利用排气装置20将腔体2内抽真空至规定的真空度。随后，打开阀16，从处理气体供给源18，在利用质量流量控制器17调整其流量的同时，通过处理气体供给管15、气体导入口14，将处理气体导入喷淋头11的内部空间12，再通过输出孔13，均匀地喷出至基板G，调节排气量，并将腔体2内控制在规定压力。

在这种状态下，从高频电源25，经由匹配器24，将高频电力施加在基座本体4a上，在作为下部电极的基座4和作为上部电极的喷淋头11之间产生高频电场，生成处理气体的等离子体，利用该等离子体对玻璃基板G进行蚀刻处理。

这样，在进行蚀刻处理后，停止从高频电源25施加高频电力，停止导入处理气体，之后，将腔体2内的压力调整至规定的压力，利用升降销30将玻璃基板G上升至支承位置。在该状态下，打开闸阀22，将图中没有示出的搬送臂插入腔体2内，将升降销30上的玻璃基板G交接到搬送臂上。再经由基板搬入搬出口21，将玻璃基板G从腔体2内搬出至图中没有示出负载锁定室中。

在以上的处理中，在进行玻璃基板G的搬入和搬出时，升降销30位于从基座本体4a的表面突出的支承位置上，但在这种情况下，有时产生搬送臂等冲突升降销的事故，使其受到横向力的作用。于是，在这时的力为达到使升降销变形的大小的情况下，在现有技术中，这时的力使升降销30变形，给基座本体4a造成直接损伤，或者在保持升降销30变形的状态下仍继续使用，由此，产生给基座本体4a造成损伤的事态。与此相对，在本实施方式的情况下，当比升降销30变形的力小的规定大小的横向力被施加在升降销30的突出部分上时，由于形成有可弯折的弯折部35，在升降销30变形前，在弯折部35弯折，不会在升降销30上产生变形。由此，能够防止基座本体4a损伤。

下面，说明升降销30的结构的另一例子。

图9为表示升降销的另一个例子的示意性截面图。在这个例子中，升降销30还具有螺旋弹簧43，作为将压缩力施加给下部件30a和上部件30b之间的施加压缩力部件。该螺旋弹簧43设置在形成于下部件30a的上部的凹部44中，一端安装在下部件30a上，另一端安装在上部件30b上。于是，在图9(a)所示的通常状态下，该螺旋弹簧43在拉伸状态下，收容在凹部44中，利用这时的弹簧力在下部件30a和上部件30b之间施加压缩力。因此，在升降销30进行通常的升降动作时，可以在不由压缩力产生变形等的情况下，进行升降动作。

在该例子的升降销30的情况下，设置为在将比升降销30变形的力小的规定大小的横向力施加在升降销30上时，在弯折部35处弯折。具体地是，在比下部件30a和上部件30b之间的压缩力还大的作用在它们之间的横向力施加在升降销30上的情况下，在弯折部35处弯折，所以可调整弹簧的拉伸力，使这时的力比升降销30变形的力小。这样，当规定的横向力作用在升降销30上时，如图9(b)那样，在弯折部35处弯折。

其次，说明升降销30的结构的另一个例子。

图10为表示升降销的另一个例子的示意性截面图。在这个例子中，升降销30还具有作为将向上方向施加作用的作用力施加在上部件30b上的施加作用力部件的螺旋弹簧51、和在将作用力施加在上部件30b的状态下连接下部件30a和上部件30b的树脂制的连接部件52。

在下部件30a的上端部形成有上方开口的凹部53，在上部件30b的下端部形成有下方开口的凹部54。另外，在凹部54的上部具有台阶部54a，台阶部54a以上的部分为大直径部分54b。连接部件52在下端部有螺纹部52a，上端部有伞状的接合部52b。上述螺旋弹簧51嵌入凹部53的外周部中，连接部件52的下部插入凹部53的中央部，利用螺纹部52a拧紧在下部件30a上。连接部件52的上部嵌入凹部54中，其接合部52b插入大直径部分54a中，接合部52b与台阶部54a接合。在上部件30b的下端呈环状形成有压紧部55，以与螺旋弹簧51对应，当连接下部件30a和上部件30b时，压紧部55压缩螺旋弹簧51，其作用力作用在上部件30b上。

如图10(a)所示，当玻璃基板G的荷重没有作用在升降销30上时，上部件30b被螺旋弹簧51向上方作用，凹部54的台阶部54a与连接部件52的接合部52b接合，升降销30不产生变形等，可以稳定地进行升降动作。另外，如图10(b)所示，当玻璃基板G的负荷作用时，螺旋弹簧被压缩，接合部52b和台阶部54a的接合被解除，只要不加横向力，就能够进行稳定的升降动作。

在这个例子的升降销30的情况下，设计成当将比升降销30变形的力小的规定大小的横向力施加在升降销30上时，在弯折部35处弯折。具体地是，在比施加在上部件30b上的作用力大的力作用在上部件30b上一类的横向力施加在升降销30上的情况下，台阶部54a和接合部52b的接合被解除，在弯折部35处弯折，因此可以调整弹簧的作用力，使得这时的力比升降销30变形的力小。由此，如图10(c)那样，当将规定的横向力施加在升降销30上时，在弯折部35处弯折。

此外，在图9、图10的例子中，为了确保导电性，利用导电性树脂构成上部件30b，肯定可以作成如图8所示的结构。

本发明不仅限于上述实施方式，可以有各种变形。

例如，在本实施方式中，表示了在作为将高频电力施加在下部电极上的RIE式的电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置的下部电极的基座中使用本发明的基板载置台为例子进行说明，但不仅限于此，在灰化、CVD成膜等其他等离子体处理装置中也可以使用。也可以是将高频电力供给上部电极的类型，另外，不限于电容耦合型，也可以是感应耦合型。另外，不限于等离子体处理，也可使用在其他处理装置中。

另外，作为升降销，只要是具有当施加比升降销变形的力小的规定大小的横向力时会弯折的弯折部的升降销就可以，弯折部的结构不限于上述实施方式。例如，只要满足这种条件，弯折部也可以为简单地切口。

另外，被处理基板，不限于FPD用的玻璃基板G，半导体晶片等其他基板也可以。

Claims (23)

1、一种基板载置台，在基板处理装置中载置基板，其特征在于，包括：

载置台本体；和

升降销，铅直地通插在所述载置台本体中，设置为可自由升降以相对于所述载置台本体的表面突出和没入，以其前端支承和升降基板；其中，

所述升降销可处于没入在所述载置台本体内的退避位置；和从所述载置台本体突出、支承基板的支承位置上，其具有弯折部，当所述升降销位于所述支承位置上，将比所述升降销变形的力小的规定大小的横向力施加在所述载置台本体的表面位置或其上方位置时，该弯折部弯折。

2、根据权利要求1所述的基板载置台，其特征在于：

所述升降销具有下部件和上部件，下部件构成在所述弯折部的下方的下方部分，上部件构成所述弯折部的上方的上方部分。

3、根据权利要求2所述的基板载置台，其特征在于：

所述升降销由所述下部件和所述上部件嵌合而构成，其嵌合部分作为所述弯折部发挥作用。

4、根据权利要求2所述的基板载置台，其特征在于：

所述升降销由所述下部件和所述上部件连接而构成，其连接部分作为所述弯折部发挥作用。

5、根据权利要求2所述的基板载置台，其特征在于：

所述升降销由在所述下部件和所述上部件之间存在设置可挠性变形的可挠部件而构成，所述可挠部件作为所述弯折部发挥作用。

6、根据权利要求2所述的基板载置台，其特征在于：

所述升降销由所述下部件和所述上部件嵌合、并且连接该嵌合部分的至少一部分而构成，该嵌合部分和连接部分作为所述弯折部发挥作用。

7、根据权利要求2所述的基板载置台，其特征在于：

所述升降销还具有在所述下部件和所述上部件之间施加压缩力的施加压缩力部件，当将所述规定大小的横向力施加在所述升降销上时，所述压缩力被解除，所述弯折部弯折。

8、根据权利要求7所述的基板载置台，其特征在于：

所述施加压缩力部件为螺旋弹簧。

9、根据权利要求2所述的基板载置台，其特征在于：

所述升降销还具有向所述上部件施加向上的作用力的施加作用力部件、和在向所述上部件上施加作用力的状态下连接所述下部件和所述上部件的连接部件，当将所述规定大小的横向力施加在所述升降销上时，所述连接部件的连接被解除，所述弯折部弯折。

10、根据权利要求9所述的基板载置台，其特征在于：

所述施加作用力部件为螺旋弹簧，所述连接部件具有固定在所述下部件上的固定部和在向所述上部件上施加有作用力时，卡止所述上部件的卡止部，当将所述规定大小的横向力施加在所述升降销上时，所述卡止部的卡止被解除，所述弯折部弯折。

11、根据权利要求2～10中任一项所述的基板载置台，其特征在于：

所述下部件为金属制，所述上部件为树脂制。

12、根据权利要求2～10中任一项所述的基板载置台，其特征在于：

所述下部件和所述上部件有导电性，其连接为，经由所述弯折部，从所述上部件的前端至所述下部件的下端电气导通。

13、根据权利要求12所述的基板载置台，其特征在于：

在所述弯折部具有所述上部件和所述下部件的连接部分的情况下，使用导电粘接剂作为连接部分。

14、根据权利要求5所述的基板载置台，其特征在于：

所述下部件和所述上部件有导电性，

所述可挠部件由导电性树脂构成。

15、根据权利要求12～14中任一项所述的基板载置台，其特征在于：

所述下部件和所述上部件都用金属制成。

16、根据权利要求12～14中任一项所述的基板载置台，其特征在于：

所述下部件由金属制成，所述上部件由导电性树脂制成。

17、根据权利要求12～14中任一项所述的基板载置台，其特征在于：

所述上部件具有金属制的中心件和覆盖其外侧的树脂部件。

18、根据权利要求12～17中任一项所述的基板载置台，其特征在于：

所述升降销与所述载置台本体同电位。

19、根据权利要求1～18中任一项所述的基板载置台，其特征在于：

所述处理装置为进行等离子体处理的装置，所述载置台本体起下部电极的作用。

20、根据权利要求1～19中任一项所述的基板载置台，其特征在于：

所述升降销可位于从所述支承位置上升的维修位置。

21、一种基板处理装置，其特征在于，包括：

收容基板的处理容器；

设置在所述处理容器内、载置基板的基板载置台；和

在所述处理室内，对基板进行规定处理的处理机构，其中，

所述基板载置台具有权利要求1～20中任一项的结构。

22、根据权利要求21所述的基板处理装置，其特征在于：

所述处理机构包括向所述处理容器内供给处理气体的气体供给机构、排出所述处理容器内的气体的排气机构和在所述处理容器内生成所述处理气体的等离子体的等离子体生成机构。

23、根据权利要求22所述的基板处理装置，其特征在于：

所述等离子体生成机构包括起下部电极的作用的所述基板载置台、与基板载置台相对设置的上部电极和将高频电力施加于基板载置台上的高频电源。

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