CN100411130C

CN100411130C - 基板处理装置和基板处理装置的基板输送方法

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Publication number: CN100411130C
Application number: CNB2005101278903A
Authority: CN
Inventors: 大木达也
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2004-12-06
Filing date: 2005-12-06
Publication date: 2008-08-13
Anticipated expiration: 2025-12-06
Also published as: KR20060063728A; JP4610317B2; KR100742409B1; CN1787197A; JP2006165174A; TWI408767B; TW200620526A

Abstract

基板处理装置(100)通过使从盒容器取出晶片的时间与各处理室的处理时间吻合，使各处理室的运转率提高，使装置整体的处理效率提高，具有：处理单元(110)，具有用于对晶片实施规定处理的多个处理室((140A、140B)(P1、P2))；输送单元(120)，连接在此处理单元上；输送单元侧输送机构(170)，把装在盒容器(134A、134B)中的晶片向处理单元输送；和处理单元侧输送机构(180)，把从输送单元输送来的晶片向处理室输送，还具有控制部(190)，根据各处理室(P1、P2)中的晶片(W_P1、W_P2)的处理时间(T_P1、T_P2)，求出各处理室中从盒容器向各处理室输送晶片的输送时间，按照此输送时间从盒容器取出。

Description

基板处理装置和基板处理装置的基板输送方法

技术领域

本发明涉及例如用于对半导体晶片、玻璃基板(例如液晶基板)等的被处理基板实施规定的处理的基板处理装置和基板处理装置的基板输送方法。

背景技术

此种基板处理装置一般具有：处理单元，它有对被处理基板、例如对半导体晶片(以下有时也简单称为“晶片”)进行规定处理的多个处理室；输送单元，它通过负载锁定室与此处理单元连接(例如参照专利文献1)。

例如如是集成设备型的基板处理装置，例如专利文献1的图6所述，在形成多边形的共用输送室的周围把上述多个处理室和负载锁定室连接成气密状态，构成上述处理单元。用输送臂等构成的处理单元侧的输送机构设置在共用输送室内，用此处理单元侧的输送机构，在多个处理室和负载锁定室之间进行晶片的送入和取出。在输送单元上也设置有用输送臂等构成的输送单元侧的输送机构，用此输送单元侧的输送机构，在放置晶片的盒容器(基板收容容器)和上述负载锁定室之间进行晶片的送入和取出。

在这样的基板处理装置中，在对放置在盒容器内的晶片要进行规定处理的情况下，首先在输送单元中，用输送单元侧的输送机构从盒容器取出没有处理的晶片。从盒容器取出的没有处理的晶片在向负载锁定室送入之前，被向设置在输送单元上的定位装置(例如定位器、预定对准台)输送，进行定位。被定位的没有处理的晶片从定位装置取出后，向负载锁定室输送。

向负载锁定室输送的没有处理的晶片用处理单元侧的输送机构从负载锁定室取出，向处理室输送，进行规定的处理。在处理室的处理完成后的处理过的晶片用处理单元侧的输送机构从处理室取出，返回到负载锁定室。向负载锁定室返回的处理过的晶片用输送单元侧的输送机构返回到盒容器。

为了提高在这样的基板处理装置中在各处理室的处理的处理效率，希望使没有处理的晶片尽可能靠近处理室待机，所以即使在正在进行在处理室的处理的期间，要把没有处理的晶片依次从盒容器中取出，使这些晶片在共用输送室、负载锁定室、定位装置等待机。然后在处理室完成一块晶片的处理后，把处理过的晶片直接放置在盒容器，把上述各待机中的没有处理的晶片顺序输送，把下一个没有处理的晶片直接向处理室输送。

此外在各处理室都在进行晶片处理的情况下，为了提高各处理室的运转率，确定把要在各处理室进行处理的晶片在什么输送时刻从盒容器取出也是重要的。这一点现在是在从盒容器取出下一个没有处理的晶片时，比较在各处理室进行的处理的剩余时间，把要在其剩余时间最短的处理室中进行处理的没有处理的晶片从盒容器中检测后取出。这样例如处理的剩余时间越短的处理室，可以越早进行下一次的晶片处理，所以通过按其剩余时间短的顺序从盒容器中取出晶片，可以提高各处理室的运转率。

专利文献1特开2002-237507号公报

可是由于大多是在各处理室进行不同的处理，例如进行蚀刻处理和成膜处理等的不同处理，或即使是相同的处理，进行其处理条件不同的处理，所以在各处理室中的晶片的处理时间(例如从把晶片送入后到其晶片处理完成后取出，可以送入下一个晶片的时间)大多是相互不同的。

可是在上述现有的技术中，在把下一个没有处理的晶片从盒容器取出时，仅仅专盯住各处理室的处理剩余时间，在以其剩余时间短的顺序从盒容器取出下一个没有处理晶片的方式的输送时间中，没有考虑上述各处理室处理时间的不同。

因此例如处理时间长的处理室与处理时间短的处理室相比，晶片处理的剩余时间还短，处理时间长的处理室的晶片先从盒容器取出，这样的晶片要在共用处理室、负载锁定室、定位装置等长时间待机，出现不能把处理时间短的处理室的晶片从盒容器取出的情况，反而使处理室的运转率降低，存在有基板处理装置整体的处理效率降低的问题。

要更具体地说明，例如处理时间长的处理室P1的处理和处理时间短的处理室P2的处理都在并行实施处理的情况下，如处理时间长的处理室P1处理的剩余时间短，要在此处理室P1中进行处理的晶片W_P1成为下次从盒容器取出的对象。

在这种情况下，例如由于在处理室P1要进行下一次处理的其他的晶片已经在共用输送室待机，所以处理室P1的处理完成后，即使从盒容器取出晶片W_P1，此晶片W_P1也不能直接进行处理。这是因为即使要顺序输送已经在共用输送室、负载锁定室、定位装置等待机的晶片，在先送入处理室P1的其他的晶片的处理完成之前，从盒容器取出的晶片W_P1成为在共用输送室、负载锁定室、定位装置等待机的状态。

这样在处理时间短的处理室P2的处理马上完成后，即使成为不运转状态，也不能从盒容器取出要在处理时间短的处理室P2处理的晶片W_P2。因此处理时间短的处理室P2中产生了多余的等待时间，所以处理室P2的运转率降低，基板处理装置整体的处理效率降低。

发明内容

所以本发明是鉴于这样的问题而进行的发明，其目的是提供一种基板处理装置和基板处理装置的基板输送方法，可以在各处理室并行在对被处理基板进行处理时，使从基板收容容器输送被处理基板的时间与各处理室的处理时间配合协调，这样使各处理室的运转率提高，可以使基板处理装置整体的处理效率提高。

为了解决上述课题，如采用本发明的某个观点，可以提供一种基板处理装置，具有：处理单元，它有用于在被处理基板上实施规定处理的多个处理室；输送单元，它被连接在此处理单元上；输送单元侧的输送机构，它设置在上述输送单元上，把收容在基板收容容器中的上述被处理基板向上述处理单元输送；处理单元侧的输送机构，它设置在上述处理单元上，把从上述输送单元输送的上述被处理基板向上述处理室输送，在这样的基板处理装置，其特征在于，具有控制装置，它根据上述各处理室中的上述被处理基板的处理时间，按照对每个上述各处理室求出从上述基板收容容器向上述各处理室输送的上述被处理基板的输送时间，按照此输送时间从上述基板收容容器取出上述被处理基板。

为了解决上述课题，如采用本发明的另外的观点，可以提供一种基板处理装置的基板输送方法，该基板处理装置具有：处理单元，它有用于在被处理基板上实施规定处理的多个处理室；输送单元，它被连接在此处理单元上；输送单元侧的输送机构，它设置在上述输送单元上，把收容在基板收容容器中的上述被处理基板向上述处理单元输送；处理单元侧的输送机构，它设置在上述处理单元上，把从上述输送单元输送的上述被处理基板向上述处理室输送，这样的基板处理装置的基板输送方法，其特征在于，根据上述各处理室中的上述被处理基板的处理时间，按照对每个上述各处理室求出从上述基板收容容器向上述各处理室输送的上述被处理基板的输送时间，对上述被处理基板进行处理时，按照上述输送时间，从上述基板收容容器取出上述被处理基板。

如采用上述装置或方法，根据各处理室中被处理基板的处理时间，按照在每个上述各处理室预先求出的输送时间，从基板收容容器取出被处理基板，所以在各处理室并行在对被处理基板进行处理时，可以使从基板收容容器输送被处理基板的时间与各处理室的处理时间配合，这样可以提高各处理室的运转率，可以提高基板处理装置整体的处理效率。例如在处理时间长的处理室中，处理的被处理基板可以以长的间隔从基板收容容器中取出，在处理时间短的处理室中，处理的被处理基板可以以短的间隔从基板收容容器中取出。这样可以消除象现有的那样处理时间长的处理室的被处理基板在共用输送室、负载锁定室、定位装置等长时间待机，处理时间短的处理室的被处理基板不能从基板收容容器中取出的情况，所以可以提高各处理室的运转率，可以提高基板处理装置整体的处理效率。

此外上述装置或万法中，上述被处理基板的输送时同例如是在从上述基板收容容器把上述被处理基板取出时，每个各处理室的上述被处理基板的取出数之比和取出间隔。其中所谓被处理基板的取出数比是从基板收容容器取出的每个各处理室的被处理基板的取出数之比，此外所谓被处理基板的取出间隔是从基板收容容器取出的各处理室的被处理基板取出间隔。

这种情况下，希望是根据在基于上述各处理室的上述被处理基板的处理时间而确定的基准取出间隔的各区间内可在各处理室处理的上述被处理基板的最多块数求出上述被处理基板的取出数之比，上述被处理基板的取出间隔希望把在上述各处理室，以上述基准取出间隔上述被处理基板的取出数之比，作为上述各处理室的上述被处理基板的每个处理时间取出一块的间隔。

通过用这样的方法求出从基板收容容器输送被处理基板的时间，例如在某个处理室正在进行被处理基板的处理的时间内，在另外的处理室可以进行处理的最多块数的被处理基板的处理，所以使各处理室的处理等待时间减少，可以使各处理室的运转率提高。此外通过在每个处理室以相同的基准取出间隔，从基板收容容器每取出一块或多块被处理基板，从基板收容容器取出的时间由于各处理室的每个被处理基板总是错开的，例如每个各处理室的被处理基板总是错开在输送最初一块时产生的开始时间的错开时间，所以取出被处理基板的时间不会是同时的。这样在各处理室可以不产生用于等待取出晶片的等待时间。

此外在上述装置或方法中，例如根据上述各处理室的上述被处理基板的处理时间，假设上述各处理室中处理时间最长的处理室的处理时间为上述基准取出间隔的情况下，以在此基准取出间隔的区间内，在其他处理室中可以处理的上述被处理基板的最多块数为基础求出上述被处理基板的取出数之比。这样通过根据处理时间最长的处理室的处理时间确定基准取出间隔的方法，确定基准取出间隔变得容易，所以可以容易地计算被处理基板的取出数之比。

此外在上述装置或方法中，希望根据上述各处理室中的基准取出间隔的各区间的等待时间，确定上述基准取出间隔，使此等待时间变短。这样由于可以使各处理室的等待时间最佳化，可以更进一步提高基板输送装置整体的处理效率。

为了解决上述课题，如采用本发明的另外的观点，可以提供一种基板处理装置的基板输送方法，是通过分别把收容在基板收容容器中的多个上述被处理基板，在预先求出的输送时间顺序向要进行处理的处理室输送，在多个处理室并行实施对上述被处理基板处理的基板处理装置的基板输送方法，其特征在于，上述输送时间具有：求出在根据上述各处理室中的上述被处理基板的处理时间而确定的基准取出间隔的区间内的每个上述各处理室的上述被处理基板的取出数之比的工序；根据上述被处理基板的取出数之比，求出每个上述各处理室的上述被处理基板的取出间隔的工序。

在上述的方法中，求出上述被处理基板取出数之比的工序也可以具有：在假设以在上述各处理室中处理时间最长的处理室中处理一块上述被处理基板的处理时间作为上述基准取出间隔的情况下，求出在此基准取出间隔的区间内在其他处理室中可以处理的上述被处理基板的最多块数n的工序；在假设以在上述处理时间最长的处理室中处理一块被处理基板的处理时间为基准取出间隔的情况下，求出在上述基准取出间隔的区间内的上述其他处理室的等待时间的工序；在假设以在上述其他处理室中处理n+1块上述被处理基板的处理时间为基准取出间隔的情况下，求出在上述基准取出间隔的区间内上述处理时间最长的处理室的等待时间的工序；确定上述被处理基板的取出数之比的工序，它把这些等待时间进行比较，在上述处理时间最长的处理室的等待时间少于上述其他处理室的等待时间的情况下，把上述基准取出间隔确定成上述处理时间最长的处理室中处理一块被处理基板的处理时间，同时把上述被处理基板取出数之比作为1∶n，在上述处理时间最长的处理室的等待时间多于上述其他处理室的等待时间的情况下，把上述基准取出间隔确定成上述其他处理室中处理n+1块上述被处理基板的处理时间，同时把上述被处理基板取出数之比作为1∶n+1。

这种情况下，求出上述被处理基板的取出间隔的工序也可以具有认定取出一块的间隔的工序，在上述被处理基板的取出数之比为1∶n的情况下，上述处理时间最长的处理室中的上述被处理基板的取出数间隔认定为以上述基准取出间隔每取出一块的间隔，上述其他处理室中的上述被处理基板的取出数间隔认定为以上述基准取出间隔每取出n块、在其每个处理时间内各取出一块的间隔；在上述被处理基板的取出数之比为1∶n+1的情况下，上述处理时间最长的处理室中的上述被处理基板的取出数间隔认定为上述基准取出间隔中每取出一块的间隔，上述其他处理室中的上述被处理基板的取出数间隔认定为以上述基准取出间隔每取出n+1块、在其每个处理时间内各取出一块的间隔。

这样通过根据处理时间最长的处理室的处理时间，确定基准取出间隔，确定基准取出间隔变得容易，所以可以容易地计算被处理基板的取出数之比。此外以处理时间最长的处理室和其他处理室的任一个的等待时间最短的方式决定基准取出间隔，根据基准取出间隔，求出从基板收容容器取出被处理基板的时间(例如被处理基板的取出数之比和被处理基板的取出间隔)，所以由于可以使各处理室的等待时间最佳化，可以进一步提高基板输送装置整体的处理效率。

此外在上述方法中，求出上述被处理基板的取出数之比的工序也可以具有：在假设以在上述各处理室中处理时间最长的处理室中处理m块上述被处理基板的处理时间作为基准取出间隔的情况下，求出在此基准取出间隔的区间内其他处理室中可以处理的上述被处理基板的最多块数n的工序；在假设以在上述处理时间最长的处理室中处理m块的被处理基板的处理时间作为基准取出间隔的情况下，求出在上述基准取出间隔的区间内上述其他处理室的等待时间的工序；在假设以在上述其他处理室中处理n+1块的上述被处理基板的处理时间作为基准取出间隔的情况下，求出在上述基准取出间隔的区间内上述处理时间最长的处理室的等待时间的工序；确定m、n的工序，改变上述m，求出上述被处理基板的最多块数n、上述其他处理室的等待时间、上述处理时间最长的处理室的等待时间，使上述其他处理室的等待时间和上述处理时间最长的处理室的等待时间最短；把确定了m、n时的上述其他处理室的等待时间和上述处理时间最长的处理室的等待时间进行比较，在上述处理时间最长的处理室的等待时间短于上述其他处理室的等待时间的情况下，把上述基准取出间隔确定为在上述处理时间最长的处理室中处理m块的被处理基板的处理时间，并把上述被处理基板的取出数之比定为m∶n，在上述处理时间最长的处理室的等待时间长于上述其他处理室的等待时间的情况下，把上述基准取出间隔确定为在上述其他处理室中处理n+1块的被处理基板的处理时间，并把上述被处理基板的取出数之比定为m∶n+1。

这种情况下，求出上述被处理基板的取出间隔的工序是，也可以具有如下的工序：在上述被处理基板的取出数之比为m∶n的情况下，上述处理时间最长的处理室中的上述被处理基板的取出数间隔认定为以上述基准取出间隔每取出m块、在其每个处理时间内取出一块的间隔，上述其他处理室中的上述被处理基板的取出数间隔认定为以上述基准取出间隔每取出n块、在其每个处理时间内取出一块的间隔；在上述被处理基板的取出数之比为m∶n+1的情况下，上述处理时间最长的处理室中的上述被处理基板的取出数间隔认定为上述基准取出间隔中取出m块，在其每个处理时间内取出一块的间隔，上述其他处理室中的上述被处理基板的取出数间隔认定为在上述基准取出间隔中取出n+1块，在其每个处理时间内各取出一块的间隔。

这样通过根据处理时间最长的处理室的处理时间的m倍的时间，确定基准取出间隔，基准取出间隔的确定变得容易，所以可以容易地计算被处理基板的取出数之比。此外以处理时间最长的处理室和其他处理室中的任一个的等待时间最小的方式确定基准取出间隔，根据基准取出间隔，求出从基板收容容器输送被处理基板的时间(例如被处理基板的取出数之比和被处理基板的取出间隔)，所以由于可以使各处理室的等待时间最佳化，可以更进一步提高基板输送装置整体的处理效率。

如以上说明所示，如采用本发明可以提供一种基板处理装置和基板处理装置的基板输送方法，在各处理室在并行进行处理时，可以使从基板收容容器输送被处理基板的时间与各处理室的处理时间吻合，这样可以提高各处理室的运转率，可以提高基板处理装置整体的处理效率。

附图说明

图1为表示本发明实施方式的基板处理装置的结构的例子。

图2为表示在相同实施方式中求晶片输送时间的处理的流程图。

图3为表示图2中的求出晶片取出数之比的处理的具体例子的流程图。

图4为表示图2中的求出晶片取出间隔的处理的具体例子的流程图。

图5为表示两个处理室中的晶片处理进度表的图。

图6为表示本发明实施方式的基板处理装置的其他结构的例子。

图7为表示三个处理室中的晶片处理进度表的图。

图8为表示四个处理室中的晶片处理进度表的图。

图9为表示图2中的求出晶片取出数之比的处理的其他具体例子的流程图。

图10为表示图2中的求出晶片取出间隔的处理的其他具体例子的流程图。

图11为表示四个处理室中的晶片处理进度表的图。

标号说明：100、200基板处理装置；110处理单元；120输送单元；130输送室；132(132A～132C)盒台；134(134A～134C)盒容器；136(136A～136C)闸阀；137定位器；138旋转载物台；139光学传感器；140(140A～140C)处理室；140D处理室或检查室；142(142A～142D)载物台；144(144A～144D)闸阀；150共用输送室；160(160M、160N)负载锁定室；170输送单元侧输送机构；172基台；174导轨；176线性马达驱动机构；180处理单元侧输送机构；190控制部。

具体实施方式

下面参照附图对本发明的适合的实施方式进行详细说明。在本说明书和图中，实际具有相同功能结构的构成要素采用相同的符号，省略了重复的说明。

(基板处理装置的构成例子)

首先参照图对本发明的实施方式的基板处理装置进行说明。图1为表示本发明的实施方式的基板处理装置的简要结构的图。此基板处理装置100具有：多个处理单元110，它对被处理基板、例如半导体晶片(以下也简单称为“晶片”)W进行成膜处理、蚀刻处理等的各种处理；输送单元120，它把晶片W向此处理单元110送入和取出。输送单元120具有在输送晶片W时共用的输送室130。

输送单元120的输送室130例如由使N₂气等的非活性气体和干净的空气循环的断面大体为多边形的箱体构成。在构成输送室130中断面大体为多边形的长边的一个侧面上，并排设置多个盒台132(在此为132A和132B)。这些盒台132A和132B分别构成可以放置作为基板收容容器的一个例子的盒容器134A、134B。

各盒容器134A、134B例如可以等间隔地把最多25块晶片W放置在多层上，成为内部用N₂气氛围充满的密封结构。输送室130以通过闸阀136A、136B向内部送入和取出晶片W的方式构成。

其中在盒容器134A、134B中分别装入在后面叙述的处理室140A、140B中进行处理的晶片。但是如知道哪一个晶片用哪一个处理室进行处理未必需要在各处理室140A、140B进行处理的晶片分别分开装入盒容器134A、134B中。例如可以在盒容器134A或134B中的一个或两个中，把在处理室140A、140B中进行处理的晶片混合在一起。此外在图1中例如可以举出的例子是：把两台盒容器134A、134B分别在盒台132A和132B上各放置一台，但盒台和盒容器的数量不限于此，例如可以三台以上。

定位装置在内部有回转载物台138和对晶片W的周围边缘进行光学检验的光学传感器139，作为定位装置的定位器(预对准载物台)137被设置在输送室130的端部，也就是被设置在构成断面大体为多边形的短边的一个侧面上。此定位器137是检测晶片W的定位平面和缺口等后对正位置的装置。

处理单元110具有用于对晶片进行例如成膜处理(例如等离子体CVD处理)和蚀刻处理(例如等离子体蚀刻处理)等的规定的处理的处理室140(140A、140B)。在各处理室140A、140B进行的处理可以是同种的处理，也可以是不同的处理。根据预先在控制部的存储器等存储的表示蚀刻处理等的处理工序等的信息(工艺规程-制造方法)，各晶片在各处理室140A、140B进行规定的处理。对于各晶片在哪一个处理室进行处理，例如可以由上述工艺规程-制造方法进行判断。处理单元110具有共用输送室150，在处理室140A、140B送入或取出晶片。共用输送室150做成多边形(例如六边形)，把上述各处理室140A、140B分别通过闸阀144A、144B配置在其周围。

上述各处理室140A、140B对晶片W例如进行同种的处理或相互不同种的处理。在各处理室140A、140B内分别设置用于放置晶片W的载物台142A、142B。此外处理室140并不限定为两个，也可以增加个数。

在共用输送室150周围配置有作为与上述输送单元120连接的真空准备室的一个例子的第一、第二负载锁定室160M、160N。具体说，第一、第二负载锁定室160M、160N的前端分别通过闸阀(真空一侧的闸阀)154M、154N连接在共用输送室150周围，第一、第二负载锁定室160M、160N的基端分别通过闸阀(大气一侧的闸阀)162M、162N连接在构成输送室130上的断面大体为多边形的长边的另一个侧面上。

第一、第二负载锁定室160M、160N其结构可以抽真空，具有可以临时保存晶片W，在调整压力后通向下阶段的功能。此外负载锁定室160M、160N结构上还有冷却机构和加热机构。

在共用输送室150和各处理室140A、140B之间以及在共用输送室150和上述各负载锁定室160M、160N之间，以分别可以在气密状态下打开和关闭的方式构成，被作成集成设备，根据需要可以变成与共用输送室150内连通。此外在上述第一和第二的各负载锁定室160M、160N和上述输送室130之间，也以分别可以在气密状态下打开和关闭的方式构成。

在共用输送室150内设置有例如由结构上可以弯曲-升降-旋转的多关节的臂构成的处理单元侧输送机构180。此处理单元侧输送机构180可以在各负载锁定室160M、160N和各处理室140A、140B种进行存取。例如向上述各负载锁定室160M、160N送入晶片，此晶片被用处理单元侧输送机构180送入处理该晶片的处理室140A或140B。

处理单元侧输送机构180由有两个拾取部的双臂机构构成，可以一次取两块晶片。这样例如在向各处理室140A、140B送入或取出晶片时，可以把处理过的晶片和没有处理的晶片进行交换。此外处理单元侧输送机构180的拾取部的数量不限定于上述的情况，例如也可以是只有一个拾取部的单臂机构。

在上述输送室130内设置有沿其长度方向(图1所示的箭头方向)输送晶片W的输送单元侧输送机构170。导轨174沿长度方向设置在输送室130内的中心部位，固定输送单元侧输送机构170的基台172支撑在导轨174上，可以滑行移动。在此基台172和导轨174上分别设置有线性马达的转子和定子。在导轨174的端部设置有用于驱动此线性马达的线性马达驱动机构176。控制部190连接在线性马达驱动机构176上。这样根据来自控制部190的控制信号，驱动线性马达驱动机构176，输送单元侧输送机构170与基台172一起沿导轨174向箭头方向移动。

关于输送单元侧输送机构170也与处理单元侧输送机构180一样，由有两个拾取部的双臂机构构成，可以一次取两块晶片。这样例如在向盒容器134、定位器137、负载锁定室160M、160N等送入或取出晶片时，可以把晶片进行交换。此外处理单元侧输送机构180的拾取部的数量不限定于上述的情况，例如也可以是只有一个拾取部的单臂机构。

在上述基板处理装置100中设置有控制此基板处理装置整体动作的控制部190，处理以下的控制：除了上述各输送机构170、180、各闸阀136、144、154、162、定位器137等的控制以外，还包括求出来自后面叙述的盒容器134的晶片的输送时间的处理，以及根据晶片输送时间从盒容器134取出晶片的控制等。控制部190具有例如构成此控制部190的主体的微型计算机、存储各种数据等的存储器等。

(基板处理装置的动作)

下面对上述结构的基板处理装置的动作进行说明。利用输送单元侧输送机构170从盒容器134A或134B取出的晶片W被输送到定位器137，移到定位器137的旋转载物台138上，在此进行定位。定位后的晶片从定位器137取出，送到负载锁定室160M或160N。此时处理过的晶片如在负载锁定室160M或160N中，把处理过的晶片取出并送入没有处理的晶片。

送到负载锁定室160M或160N中的晶片用处理单元侧输送机构180从负载锁定室160M或160N中取出，送到处理此晶片的处理室140A或140B，然后进行规定的处理。在处理室140A或140B完成处理的处理过的晶片用处理单元侧输送机构180从处理室140A或140B中取出，返回到负载锁定室160M或160N。返回到负载锁定室160M或160N的处理过的晶片用输送单元侧输送机构170返回到盒容器134A或134B。

然而为了提高处理室140A或140B的处理的处理效率，希望使没有处理的晶片尽量接近处理室待机。即使在处理室140A或140B进行处理期间，顺序从盒容器134A或134B取出没有处理的晶片，使这些晶片在共用输送室150、负载锁定室160M或160N、定位器137等待机。如在处理室140A或140B完成一块晶片的处理，处理过的晶片直接返回到盒容器134A或134B，把上述各待机中的晶片顺序输送，把在共用输送室150待机的下一个没有处理的晶片直接送到处理室140A或140B。

在这样的基板处理装置100中，在各处理室140A、140B同时进行晶片的处理的情况下，为了提高各处理室140A、140B的运转率，确定在什么输送时间把要在各处理室140A、140B进行处理的晶片从盒容器134A或134B取出是重要的。所以下面对包括求出这样的输送时间的处理的本实施方式的基板输送方法进行说明。

(基板处理装置的基板输送方法)

本实施方式的基板输送方法，在以各处理室的处理时间为基础，根据预先求出的晶片输送时间，利用输送单元侧的输送机构170从各盒容器134取出晶片方面有特征。由于这样在对应于各处理室的处理时间的晶片输送时间，从各盒容器134取出晶片，所以在处理时间相互不同的多个处理室中，即使在同时连续处理晶片的情况下，也不产生因各处理室处理时间不同造成的多余的等待时间，所以可以提高基板处理装置整体的处理效率。此外在此所说的所谓各处理室的处理时间是指处理一块晶片所需要的时间(例如包括工艺过程的时间)，例如是指在各处理室中，从送入一块晶片的时刻开始到完成此晶片的处理后取出，下一块晶片可以送入为止的时间。

上述晶片输送时间例如由晶片取出数之比和晶片取出间隔来确定。其中所谓的晶片取出数之比是要从盒容器134取出的每个处理室的晶片取出数的比，此外所谓的晶片取出间隔是从盒容器134取出的每个处理室的晶片取出间隔。例如设每一块晶片的处理时间最长的处理室为P1，同时设其他处理室为Pk(k＝2，3，…)，设在处理室P1中每一块晶片的处理时间为T_P1，同时设在其他处理室中每一块晶片的处理时间为T_Pk，设在处理室P1处理的晶片为W_P1，同时在其他处理室Pk处理的晶片为W_Pk，晶片取出数之比为对应于各处理室P1、Pk的各处理时间T_P1、T_Pk，从盒容器134取出的晶片W_P1和W_Pk的取出数的比。此外晶片取出间隔是用上述晶片取出数之比，从盒容器134取出的晶片W_P1、W_Pk的各自取出间隔。

此外基板处理装置具有的处理室的个数在三个以上的情况下，每个其他处理室Pk分别用与晶片处理时间最长的处理室P1的关系，求出晶片输送时间。具体说，例如是有三个处理室P1、P2、P3的基板处理装置，用处理室P1和处理室P2的关系求出晶片W_P1和W_P2的输送时间。此外晶片W_P3的输送时间用处理室P1和处理室P3的关系求出。这样用晶片处理时间最长的处理室P1和其他处理室Pk的关系求出晶片输送时间是，以最长处理时间T_P1为基础的方法，容易求出在各处理室处理的晶片最佳输送时间。

下面对上述求出晶片输送时间的方法进行说明。对应于各处理室P1、Pk的各处理时间T_P1、T_Pk，可以象下面那样求出晶片输送时间。在此例如以图1所示的有两个处理室的基板处理装置100为例进行说明。在基板处理装置100的处理室140A、140B中，设处理时间最长的处理室为P1，其他处理室为P2。

例如设各处理室P1、P2的处理时间T_P1、T_P2之比(T_P1∶T_P2)为2∶1，在处理室P1中一块晶片W_P1的处理时间T_P1内，在处理室P2中可以进行两块晶片W_P2的处理。因此设晶片取出数之比为1∶2。这种情况下，在各处理室P1、P2的处理完成后进行下一块晶片的处理，设晶片W_P1、W_P2的晶片取出间隔每个为各处理时间T_P1、T_P2。

这样在各处理室P1、P2中分别处理的晶片W_P1、W_P2在每个处理时间T_P1、T_P2的取出间隔各取出一块。此时由于处理时间T_P1是处理时间T_P2的两倍，所以每取出一块在处理室P1中处理的晶片W_P1，取出两块在处理室P2中处理的晶片W_P2。

由于这样在本实施方式中对应于各处理室P1、Pk的各处理时间T_P1、T_Pk，求出从盒容器134中输送晶片的时间，所以根据这样的晶片输送时间，在处理时间长的处理室P1中处理的晶片W_P1，可以以对应于处理时间T_P1的长的间隔被从盒容器134取出，同时在处理时间短的处理室Pk中处理的晶片W_Pk，可以以对应于处理时间T_Pk的短的间隔被从盒容器134取出。这样由于可以消除象现在这样的处理时间长的处理室P1中处理的晶片W_P1在共用输送室150、负载锁定室160M、160N、定位器137等长时间待机，而处理时间短的处理室Pk的晶片W_Pk不能从盒容器134取出的情况，所以可以提高在各处理室P1、Pk的运转率，可以提高基板处理装置整体的处理效率。

可是输送单元侧输送机构170由于只有一个，例如在图1所示的有两个处理室的基板处理装置100中，例如在图5那样的从在处理室P1中处理的最初晶片W_P1取出的开始时间t₁₁到在其他处理室P2处理的最初晶片W_P2取出的开始时间t₁₂，仅产生输送单元侧输送机构170的动作周期的偏离时间T_S2。所谓输送单元侧输送机构170的动作周期例如表示下面的一系列动作。首先用输送单元侧输送机构170从盒容器134把晶片取出，送向定位器137。然后在定位器137进行存取，把此晶片与定位后的晶片交换。再把定位后的晶片送向负载锁定室160N或160M，然后在负载锁定室160N或160M把定位后的晶片与处理后的晶片交换。最后把处理后的晶片返回到盒容器134。在图5所示的具体例子中这样的一系列的动作需要的时间例如定为20sec，也就是开始时间的偏离时间T_S2定为20sec。

而且由于在处理室P1处理的晶片W_P1每取出一块的取出间隔和在处理室P2处理的晶片W_P2每取出两块的取出间隔相等，所以这些取出间隔的各个区间总是仅偏离上述的开始时间偏离的时间T_SK。因此晶片W_P1从盒容器134取出的时间与晶片W_P2从盒容器134取出的时间不会变成同时。因此如用这样的晶片取出时间从盒容器134取出晶片W_P1、晶片W_Pk，在各处理室P1、P2中不会产生因等待晶片取出造成的等待时间。

在这样处理室P1的处理时间T_P1刚好是处理室Pk的处理时间T_Pk的整数倍(例如是n倍)的情况下，在处理室P1处理的晶片W_P1每取出一块的取出间隔和在处理室Pk处理的晶片W_Pk每上述整数倍的块数(例如是n块)取出的取出间隔相等，所以这些取出间隔总是仅偏离上述的开始时间偏离的时间T_Sk。因此在各处理室P1、Pk中不会产生因等待晶片取出造成的等待时间。此外作为这种情况下的晶片输送时间，对于在各处理室P1、Pk处理的晶片W_P1、W_Pk，使晶片取出间隔分别都偏离在各处理室P1、Pk中的处理时间T_P1、T_Pk就足够了。由此自然而然地确定对于晶片W_P1、W_Pk的晶片取出数之比。

可是实际进行晶片处理时，大多数情况处理室P1的处理时间T_P1不是刚好为处理室Pk的处理时间T_Pk的整数倍。在这种情况下，例如在取出晶片W_P1、W_Pk中即使产生如上所述的开始时间的偏离时间，由于晶片W_P1、W_Pk的各自取出间隔不同，会产生晶片W_P1从盒容器134取出的时间与晶片W_Pk从盒容器134取出的时间变成同时的情况。在这种情况下，由于晶片W_P1、W_P2中的某一个出现等待取出晶片，结果在各处理室P1、P2中的某一个的处理中出现等待时间，因这部分使基板输送装置整体的处理效率降低。

所以在本发明中要以一块或每多块的相同的基准间隔T_X从盒容器134取出晶片W_P1、W_Pk方式，求出输送时间，使在从盒容器134取出晶片W_P1、W_P2时，不产生等待晶片取出的情况。

具体说，首先根据各处理室P1、Pk的各处理时间T_P1、T_Pk，确定从盒容器134取出晶片W_P1、W_Pk时作为基准的基准取出间隔T_X。然后分别求出在此基准取出间隔T_X内可以处理晶片W_P1、W_Pk的最多块数m、n。

这种情况下，例如作为晶片输送时间，设晶片W_P1、W_Pk的晶片取出数之比为m∶n，晶片取出间隔为各自的处理时间T_P1、T_Pk。这样对于在处理室P1中处理的晶片W_P1在基准时间T_X取出m块，其中在每个处理时间T_P1中从盒容器134取出一块，同时针对在处理室Pk中处理的晶片W_Pk在与上述相同的基准时间T_X取出n块，在每个处理时间T_Pk中从盒容器134取出一块。这种情况下，如晶片W_P1、W_Pk在基准取出间隔T_X的各区间内分别取出m块、n块的时间是各处理时间T_P1、T_Pk，可以连续取出，也可以未必连续取出。

这样在各处理室P1、Pk并行处理晶片W_P1、W_Pk时，可以使来自盒容器134的晶片输送时间与在各处理室P1、Pk的处理时间T_P1、T_Pk一致。而且如采用上述这样的晶片输送时间，例如在处理室P1进行晶片W_P1的处理的时间内，由于在另外的处理室Pk可以进行可处理的最多块数晶片W_Pk的处理，使各处理室P1、Pk的等待处理时间减少，可以提高各处理室的运转率。这样可以提高基板处理装置整体的处理效率。

此外通过把从盒容器134以相同的基准取出间隔T_X的时间(周期)把晶片W_P1、W_Pk每取出一块或多块，从盒容器134取出晶片W_P1、W_Pk的各个时间总是仅偏离上述开始时间的偏离时间T_Sk，所以从盒容器134取出晶片W_P1、W_Pk的时间不会同时。这样在各处理室P1、P2中可以不产生等待晶片取出造成的等待时间。

此外在上述的情况下，从基准取出间隔T_X减去m、n块的晶片W_P1、W_Pk的处理时间的剩余时间分别成为在各基准取出间隔T_X中各处理室Pk、P1的等待时间。因此优选的是确定基准取出间隔T_X，使此等待时间尽可能少。例如如使把处理室P1的处理时间T_P1乘m倍的T_P1·m为基准取出间隔T_X，可以消除处理室P1的等待时间，此外如以处理时间T_Pk×n或把处理时间T_Pk乘(n+1)倍的T_Pk·(n+1)为基准取出间隔T_X，可以消除处理室Pk的等待时间。

这样根据处理室P1、P2的处理时间T_P1、T_P2的组合，确定基准取出间隔T_X，使处理室P1、P2中的任一个的等待时间最短，根据基准取出间隔T_X，求出从盒容器134取出晶片的输送时间(例如晶片取出数之比和晶片取出间隔)。这样由于可以使各处理室P1、P2的等待时间最佳化，所以可以更进一步提高基板输送装置整体的处理效率。此外这样求出晶片输送时间的方法无论处理室P1的处理时间T_P1是否刚好是处理室Pk的处理时间T_Pk的整数倍都可以适用。

在基板处理装置具有的处理室个数在三个以上的情况下，对每个其他处理室Pk分别用与晶片处理时间最长的处理室P1的关系求出输送时间。但是这种情况下，为了统一基准取出间隔T_X，例如在最初求出针对其他处理室P2的晶片输送时间时确定基准取出间隔T_X，在求出对于其他处理室P3、P4、…、Pk_end的晶片输送时间的情况下，使用已经确定的上述基准取出间隔T_X。也可以以用与P1的关系对每个其他处理室Pk求出等待时间，按照使此等待时间最少的方式，求出基准取出间隔T_X。

(求出晶片输送时间的处理的具体例子)

下面参照图，对以上述求出晶片输送时间的方法为基础进行求出晶片输送时间的处理的具体例子进行说明。图2为表示本实施方式的求出晶片输送时间的处理的流程图。求出晶片输送时间的处理例如由规定的程序构成，根据此程序通过控制部190进行。例如上述程序预先存储在控制部190的存储器或外部连接的主装置的硬盘装置等的存储介质上，控制部190从上述存储介质读取这些程序后实施。

作为求出晶片输送时间的处理，如图2所示，首先在S110步中，把在各处理室中的晶片处理时间进行比较，设每一块晶片的处理时间最长的处理室为P1，其他处理室为Pk(k＝2，3，…，k_end)。其中k_end是基板处理装置100具有的处理室数。例如图1所示的基板处理装置100由于有两个处理室140A、140B，如每一块晶片的处理时间最长的是处理室104A，设处理室104A为P1，处理室140B为P2。

随后在S120步中，设在处理室P1中的每一块晶片的处理时间为T_P1，在其他处理室Pk中的每一块晶片的处理时间为T_Pk。处理室P1和其他处理室Pk(k＝2，3，…，k_end)的顺序希望以处理时间长的处理室为序。例如在有三个处理室的基板处理装置中，按每一块晶片的处理时间长的顺序设为处理室P1、处理室P2、处理室P3。

然后在S130步、S140步中，进行求出晶片输送时间的处理。也就是，在S130步中，进行求出晶片取出数之比的处理，在S140步中，进行求出晶片取出间隔的处理。其中在S130步中的求出晶片取出数之比的处理的具体例子示于图3，在S140步中的求出晶片取出间隔的处理的具体例子示于图4。图3、图4的处理设在基准取出间隔T_X可以处理的晶片W_P1的最多块数m为1的情况下，也就是以每一块晶片的处理时间最长的处理室P1的处理时间T_P1为基准，确定基准取出间隔T_X的情况下的处理。图5表示用图2～图4求出的晶片输送时间从盒容器134取出晶片的情况下，在各处理室P1、P2处理的晶片W_P1、W_P2的处理进度表。图5横轴用时间，在两个处理室P1、P2中处理的晶片W_P1、W_P2的处理进度表分别用棒状图表示。

(求出晶片取出块数之比的处理的具体例子)

在此首先参照图3对上述求出晶片取出块数之比的处理的具体例子进行说明。如图3所示，在S210步中，假设以每一块晶片的处理时间最长的处理室P1的处理时间T_P1为基准取出间隔T_X的情况下，求出在此基准取出间隔T_X的区间内(在此为处理时间T_P1内)，其他处理室Pk可以处理的晶片W_Pk的最多块数n。在处理室P1的处理时间T_P1内，通过仅把其他处理室Pk可以处理的块数的晶片W_Pk从盒容器取出，可以使处理室Pk的等待时间尽可能减少。

具体说，例如下述公式(1-1)和(1-2)都成立，求出晶片W_Pk的块数n。在下述公式(1-1和(1-2)中，T_P1是处理室P1中每一块晶片W_P1的处理时间，T_Pk是其他处理室Pk中每一块晶片W_Pk的处理时间，n是满足n≥1的整数，k为上述那样的满足k≥2的整数。此外在下述公式(1-1和(1-2)中，点“·”表示乘号(下面相同)。

T_P1≥T_Pk·n …(1-1)

T_P1＜T_Pk·(n+1) …(1-2)

在下面的S220～S280步中，在处理室P1的处理时间T_P1和处理室Pk的处理时间T_Pk·(n+1)中，确定以等待时间短的一方(基准取出间隔T_X变短的一方)为基准取出间隔T_X，求出在各处理室P1、Pk中处理的晶片W_P1、W_Pk的晶片取出数之比。这样通过采用处理室P1、Pk的等待时间短的一方作为基准取出间隔T_X，在全部处理室P1、Pk中，可以使处理等待时间缩短。这样可以实现基板处理装置整体等待时间最佳化。

具体说，在S220步中，假设以处理室P1的处理时间T_P1为基准取出间隔T_X的情况下，用下述公式(1-3)求出其他处理室Pk的等待时间T_Wk，在S230步中，假设以处理室Pk的处理时间T_Pk·(n+1)为基准取出间隔T_X的情况下，用下述公式(1-4)求出处理室P1的等待时间T_W1。

T_Wk＝T_P1-T_Pk·n …(1-3)

T_W1＝T_Pk·(n+1)-T_P1 …(1-4)

然后在S240步中，把上述各等待时间T_W1、T_Wk进行比较，判断哪个等待时间短。具体说，例如判断等待时间T_Wk是否不大于等待时间T_W1(T_Wk≤T_W1)。在S240步中，在判断是T_Wk≤T_W1的情况下，也就是在判断等待时间T_Wk的一方短(或等待时间T_W1、T_Wk都相等)的情况下，在S250步中，象下述公式(1-5)所示将各晶片W_P1、W_Pk的基准取出间隔T_X确定为处理室P1的处理时间T_P1，在S260步中，设各晶片W_P1、W_Pk的晶片取出数之比(W_P1∶W_Pk)为1∶n。

T_X＝T_P1＝T_Pk·n+T_Wk …(1-5)

如采用这样得到的T_X(＝T_P1＝T_Pk·n+T_Wk)，在每个此区间中取出一块在处理室P1中处理的晶片W_P1，处理室P1的等待时间为0，同时取出n块在处理室Pk中处理的晶片W_Pk，处理室Pk的等待时间为T_Wk。

与此相反，在S240步中，在判断不是T_Wk≤T_W1的情况下，也就是在判断等待时间T_W1的一方短的情况下，在S270步中，象下述公式(1-6)所示将各晶片W_P1、W_Pk的基准取出间隔T_X确定为处理室Pk的处理时间T_Pk·(n+1)，在S280步中，设各晶片W_P1、W_Pk的晶片取出数之比(W_P1∶W_Pk)为1∶n+1。

T_X＝T_P1+T_W1＝T_Pk·(n+1) …(1-6)

如采用这样得到的T_X(＝T_P1+T_W1＝T_Pk·(n+1))，在每个此区间中取出一块在处理室P1中处理的晶片W_P1，处理室P1的等待时间为T_W1，同时取出n+1块在处理室Pk中处理的晶片W_Pk，处理室Pk的等待时间为0。图3所示的处理中得到的基准取出间隔T_X和晶片取出数之比等被存储到控制部190的存储器等中。

(求出晶片取出间隔的处理的具体例子)

下面参照图4对求出晶片取出间隔的处理的具体例子进行说明。在此通过图3所示的求出晶片取出数之比的处理，根据由此确定的基准取出间隔T_X而得到的晶片取出数之比，求出在实际从盒容器134取出晶片时的各晶片W_P1、W_Pk的晶片取出间隔。

具体说，首先在图4所示的S310步中，从控制部190的存储器等中取出用图3所示的处理求出的晶片取出数之比(W_P1∶W_Pk)，判断晶片取出数之比(W_P1∶W_Pk)是1∶n还是1∶n+1。

在S310步中，判断晶片取出数之比(W_P1∶W_Pk)是1∶n的情况下，在S320步中，对在处理室P1中处理的晶片W_P1的晶片取出间隔为在基准取出间隔T_X中每取出一块的间隔。这样晶片W_P1的一方例如以基准取出间隔T_X从盒容器134每取出一块，也就是在每个处理时间T_P1从盒容器134取出一块。这种情况下，由于基准取出间隔T_X为处理室P1的处理时间T_P1，例如图5(a)的上侧的处理进度表所示，在处理室P1等待时间为0，可以连续处理晶片W_P1。

然后在S330步中，使对于在处理室Pk中处理的晶片W_Pk的晶片取出间隔为按照在基准取出间隔T_X中每取出n块并在每个处理时间T_Pk各取出一块的间隔。这样晶片W_Pk一方例如在每个基准取出间隔T_X的各区间中，每次从盒容器134连续取出n块，同时仅等待等待时间T_Wk取出。也就是从盒容器134连续取出n块后，经过等待时间T_Wk，然后从盒容器134连续取出下一批次的n块。这种情况下，由于基准取出间隔T_X为处理室Pk的处理时间T_Pk·n+T_Wk，例如图5(a)的下侧的处理进度表所示，在处理室Pk在每个基准取出间隔T_X的各区间中，以等待时间T_Wk各连续处理n块晶片W_Pk。此外图5(a)为k＝2、n＝3的情况下的具体的例子。

与此相反，在S310步中，在判断晶片取出数之比(W_P1∶W_Pk)是1∶n+1的情况下，在S340步中，对在处理室P1中处理的晶片W_P1的晶片取出间隔为在基准取出间隔T_X中每取出一块的间隔。这样晶片W_P1的一方例如在每个基准取出间隔T_X的各区间中从盒容器134每取出一块，同时仅等待时间T_W1成为等待时间。也就是从盒容器134取出一块后，在经过等待时间T_W1后，从盒容器134取出下一块。这种情况下，由于基准取出间隔T_X为处理室P1的处理时间T_P1+T_W1，所以如图5(b)的上侧的处理进度表所示，在处理室P1在每个基准取出间隔T_X的各区间中，在等待时间T_W1处理每一块晶片W_P1。

然后在S350步中，使在处理室Pk中处理的晶片W_Pk的晶片取出间隔为在基准取出间隔T_X中每取出n+1块、在每个处理时间T_Pk取出一块的间隔。这样晶片W_Pk一方例如在每个基准取出间隔T_X的各区间中，每次从盒容器134连续取出n+1块。这种情况下，由于基准取出间隔T_X为处理室Pk的处理时间T_Pk·(n+1)，例如图5(b)的下侧的处理进度表所示，在处理室Pk在每个基准取出间隔T_X的各区间中，等待时间为0，每次可以连续处理n+1块晶片W_PK。此外图5(b)为k＝2、n＝2的情况下的具体的例子。

这样用图3、图4所示的处理求出的晶片取出数之比和晶片取出间隔用控制部190存储到此存储器等中。然后在实际进行晶片处理的情况下，通过控制部190从存储器等中获得用图3、图4求出的晶片取出数之比和晶片取出间隔，根据此晶片取出数之比和晶片取出间隔，控制输送单元侧输送机构170，分别把晶片W_P1、W_Pk从盒容器134取出。

这样例如在处理时间长的处理室P1中处理的晶片W_P1以对应于其处理时间T_P1的长的间隔，从盒容器134取出，在处理时间短的处理室W_Pk中处理的晶片W_Pk以对应于其处理时间T_Pk的短的间隔，取出晶片，所以不会产生象现有的那样处理时间长的处理室P1的晶片W_P1在共用输送室150、负载锁定室160M、160N、定位器137等长时间待机，处理时间短的处理室T_Pk的晶片W_Pk不能从盒容器134中取出的情况。因此可以提高各处理室P1、Pk的运转率，可以把基板处理装置整体的处理效率提高到高于现有的状态。

此外对于晶片W_P1、W_Pk，由于分别在相同的基准取出间隔T_X的时间(周期)从盒容器134取出，在晶片W_P1、W_Pk中的基准取出间隔T_X的各区间为仅仅偏离取出最初处理的晶片W_P1、W_Pk时产生的开始时间的偏离时间T_Sk。因此取出晶片W_P1、W_Pk的时间不会同时。此外图3、图4所示的处理不仅适用于处理室P1的处理时间T_P1不是刚好为处理室Pk的处理时间T_Pk的整数倍的情况，如图5(c)的处理进度所示，处理室P1的处理时间T_P1在刚好为处理室Pk的处理时间T_Pk的整数倍的情况也可以适用。

(适用于有两个处理室的基板处理装置的情况)

下面参照图5对在图1所示的有两个处理室的基板处理装置中，举出具体的数值，对图2～图4所示的进行求出输送时间的处理进行说明。在图5中(a)表示各处理室140A、140B中的每一块的晶片处理时间为200sec、60sec的情况，(b)表示200sec、70sec的情况，(c)表示200sec、50sec的情况。由于这些情况都是处理时间最长的处理室是处理室140A，所以如采用图2的S110、S120步，处理室140A为处理室P1，其处理时间为T_P1，其他处理室140B为处理室P2，其处理时间为T_P2。

然后在图2的S130步(例如图3所示的处理)和S140步(例如图4所示的处理)中，在求出输送时间的情况下，由于用各处理室的处理时间，下面分成图5(a)、(b)、(c)进行说明。

首先对图5(a)的具体例子进行说明。此具体例子是基准取出间隔T_X为处理室P1的处理时间T_P1的一方为处理室的等待时间变短的情况。图5(a)所示的情况为处理室P1的处理时间T_P1为200sec，处理室P2的处理时间T_P2为60sec，所以通过图3所示的S210步，作为k＝2如适用于公式(1-1)、(1-2)，满足这些公式的是n＝3。

然后通过S220步和S230步，作为k＝2，如分别把数值用于公式(1-3)、(1-4)，处理室P2的等待时间T_W2＝200-60×3＝20sec，处理室P1的等待时间T_W1＝60×4-200＝40sec。由于处理室P2的等待时间T_W2(＝20sec)的一方比处理室P1的等待时间T_W1(＝40sec)少，所以通过在S240、S250、S260步，使晶片W_P1、W_P2的基准取出间隔T_X为处理室P1的处理时间T_P1(＝200sec)，在处理室P1中处理的晶片W_P1和在处理室P2中处理的晶片W_P2的晶片取出数之比(W_P1∶W_P2)为1∶3。

然后通过图4所示的S310、S320、S330步对在处理室P1中处理的晶片W_P1的晶片取出间隔为在基准取出间隔T_X(＝200sec)中每取出一块的间隔，对在处理室P2中处理的晶片W_P2的晶片取出间隔为在基准取出间隔T_X(＝200sec)中每取出三块、在每个处理时间T_P2(＝60sec)每取出一块的间隔。

如采用这样的晶片输送时间从盒容器134取出各晶片W_P1、W_P2，各处理室P1、P2的处理进度表如图5(a)所示。这种情况下，在处理室P1中等待时间为0，可以连续处理晶片W_P1。另一方面，在处理室P2中在每个基准取出间隔T_X(＝200sec)中，以等待时间T_W2(＝20sec)可以连续处理三块晶片W_P2。

下面对图5(b)的具体例子进行说明。此具体例子是以基准取出间隔T_X为处理室P2的处理时间T_P2·(n+1)的一方处理室的等待时间变短的情况。图5(b)所示的情况为处理室P1的处理时间T_P1为200sec，处理室P2的处理时间T_P2为70sec，所以通过图3所示的S210步，作为k＝2如适用于公式(1-1)、(1-2)，满足这些公式的是n＝2。

随后如采用S220步和S230步，作为k＝2，如分别把数值用于公式(1-3)、(1-4)，处理室P2的等待时间T_W2＝200-70×2＝60sec，处理室P1的等待时间T_W1＝70×3-200＝10sec。由于处理室P1的等待时间T_W1(＝10sec)的一方比处理室P2的等待时间T_W2(＝60sec)少，所以通过在S240、S270、S280步，使晶片W_P1、W_P2的基准取出间隔T_X为处理室P2的处理时间70sec×3(＝210sec)，晶片W_P1、W_P2的晶片取出数之比(W_P1∶W_P2)为1∶3。

下面通过图4所示的S310、S340、S350步，对在处理室P1中处理的晶片W_P1的晶片取出间隔为在基准取出间隔T_X(＝200sec)中每取出一块的间隔，对在处理室P2中处理的晶片W_P2的晶片取出间隔为在基准取出间隔T_X(＝200sec)中每取出三块、在每个处理时间T_P2(＝70sec)每取出一块的间隔。

如采用这样的晶片输送时间从盒容器134取出各晶片W_P1、W_P2，各处理室P1、P2的处理进度表如图5(b)所示。这种情况下，在处理室P1中在每个基准取出间隔T_X(＝200sec)内以等待时间T_W1(＝10sec)可以连续处理晶片W_P1。另一方面，在处理室P2中在每个基准取出间隔T_X(＝200sec)中，以等待时间为0，各连续处理三块晶片W_P2。

下面对图5(c)的具体例子进行说明。此具体例子是处理室P1的处理时间T_P1和处理室P2的处理时间T_P2·n相等的情况。在这种情况下，通过把处理室P2的处理时间T_P2·n(或处理室P1的处理时间T_P1)作为基准取出间隔T_X，各处理室的等待时间都为0。图5(c)所示的情况为处理室P1的处理时间T_P1为200sec，处理室P2的处理时间T_P2为50sec，所以通过图3所示的S210步，作为k＝2如适用于公式(1-1)、(1-2)，满足这些公式的是n＝4。

随后采用S220步和S230步，作为k＝2，如分别把数值用于公式(1-3)、(1-4)，处理室P2的等待时间T_W2＝200-50×4＝0sec，处理室P1的等待时间T_W1＝50×5-200＝50sec。由于处理室P1的等待时间T_W1(＝0sec)的一方比处理室P2的等待时间T_W2(＝50sec)少，所以通过在S240、S270、S280步，使晶片W_P1、W_P2的基准取出间隔T_X为处理室P2的处理时间T_P2×n(＝200sec)，晶片W_P1、W_P2的晶片取出数之比(W_P1∶W_P2)为1∶4。

下面通过图4所示的S310、S340、S350步，对在处理室P1中处理的晶片W_P1的晶片取出间隔为在基准取出间隔T_X(＝200sec)中每取出一块的间隔，对在处理室P2中处理的晶片W_P2的晶片取出间隔为在基准取出间隔T_X(＝200sec)中取出四块，在每个处理时间T_P2(＝50sec)取出一块的间隔。

如采用这样的晶片输送时间从盒容器134取出各晶片W_P1、W_P2，各处理室P1、P2的处理进度表如图5(c)所示。这种情况下，在处理室P1中在每个基准取出间隔T_X(＝200sec)内在等待时间为0，可以连续处理晶片W_P1。另一方面，在处理室P2中在每个基准取出间隔T_X(＝200sec)中以等待时间为0，各处理四块晶片W_P2。

(适用于有三个以上的处理室的基板处理装置的情况)

下面对有三个以上的处理室的基板处理装置，进行图2～图4所示的求出输送时间的处理的情况进行说明。图6表示有三个或四个处理室的基板处理装置的简要结构的图。图6所示的基板处理装置200结构上与图1所示的基板处理装置100几乎相同，还通过闸阀144C、144D把室140C、140D连接在共用输送室150的两侧的结构。其中例如在把室140C作为进行晶片处理的处理室来构成，同时把室140D作为进行对处理过的晶片的处理结果的测定等的各种检查的检查室而构成的情况下，成为有三个处理室的基板处理装置200，把室140C、140D都作为进行晶片处理的处理室而构成的情况下，成为有四个处理室的基板处理装置200。此外在图6所示的基板处理装置200中，还在构成输送室130中的断面为多边形的长边的一个侧面上，设置盒台132C，可以构成把另一个盒容器134C放置在上面。例如盒容器134C中也可以装入在作为处理室而构成的室140C和室140D进行处理的晶片。

首先参照图7，例举具体数值，对图6表示的基板处理装置200作为构成有三个处理室的基板处理装置，对进行求出图2～图4所示的输送时间的处理的情况进行说明。图7表示用图2～图4求出的输送时间进行处理的各处理室的晶片处理进度表。图7横轴为时间，是在三个处理室P1、P2、P3中处理的晶片的处理进度表分别用棒状图表示的。图7为各处理室140A、140B、140C中每一块的晶片处理时间为200sec、70sec、50sec的情况。

这种情况下处理时间最长的处理室为处理室140A，所以如采用图2的S110、S120步，处理室140A为处理室P1，其处理时间为T_P1，处理室140B为处理室P2，其处理时间为T_P2，处理室140C为处理室P3，其处理时间为T_P3。因此在这种情况下，用处理室P1和处理室P2的关系求出晶片W_P1和晶片W_P2的输送时间，晶片W_P3的输送时间用处理室P1和处理室P3的关系求出。但是在求出晶片W_P3的输送时间的情况下，为了统一基准取出间隔T_X，使用在求出晶片W_P1和晶片W_P2的输送时间时确定的基准取出间隔T_X。下面详细说明这样的求出晶片输送时间的方法。

首先用处理室P1和处理室P2的关系求出晶片W_P1和晶片W_P2的输送时间。由于这种情况与图5(b)的具体例子相同，晶片W_P1、W_P2的基准取出间隔T_X为处理室P2的处理时间70sec×3(＝210sec)，晶片W_P1、W_P2的晶片取出数之比(W_P1∶W_P2)为1∶3。对于晶片W_P1的晶片取出间隔为在基准取出间隔T_X(＝210sec)中每取出一块的间隔，对于晶片W_P2的晶片取出间隔为在基准取出间隔T_X(＝210sec)中取出三块，在每个处理时间T_P2(＝70sec)取出一块的间隔。

然后用处理室P1和处理室P3的关系求出在处理室P3中处理的晶片W_P3的输送时间。这种情况下，由于已经确定了基准取出间隔T_X＝210sec，用它求出晶片W_P3的输送时间。具体说，例如把基准取出间隔固定在T_X＝210sec，进行图3所示的S210、S220、S260步的处理，进行图4所示的S310、S330步。

也就是，通过S210步，作为k＝3如适用于公式(1-1)、(1-2)，满足这些公式的是n＝4。然后通过S220步，如作为k＝3分别把数值用于公式(1-3)中，处理室P3的等待时间为T_W3＝210-50×4＝10sec，通过S260步，在处理室P1中处理的晶片W_P1、在处理室P3中处理的晶片W_P3的晶片取出数之比(W_P1∶W_P3)为1∶4。然后通过图4表示的S310步、S330步，对在处理室P3中处理的晶片W_P3的晶片取出间隔为在基准取出间隔T_X(＝210sec)中取出四块，在每个处理时间T_P3(＝50sec)取出一块的间隔。

如用这样的晶片输送时间从盒容器134取出各晶片W_P1、W_P2、W_P3，各处理室P1、P2、P3的处理进度表如图7所示。这种情况下，在基准取出间隔T_X(＝210sec)内在处理室P1中以等待时间T_W1(＝10sec)可以连续处理晶片W_P1，在处理室P2中以等待时间为0，可以连续处理三块晶片W_P2，在处理室P3中以等待时间T_W3(＝10sec)可以连续处理四块晶片W_P3。

然后参照图8，例举具体数值，对图6表示的基板处理装置200作为构成有四个处理室的基板处理装置，对进行求出图2～图4所示的输送时间的处理的情况进行说明。图8表示用图2～图4求出的输送时间进行处理的各处理室的晶片处理进度表。图8横轴为时间，是在四个处理室P1、P2、P3、P4中处理的晶片的处理进度表分别用棒状图表示的。图8为各处理室140A、140B、140C、140D中每一块的晶片处理时间为200sec、70sec、60sec、50sec的情况。

这种情况下处理时间最长的处理室为处理室140A，所以如采用图2的S110、S120步，处理室140A为处理室P1，其处理时间为T_P1，处理室140B为处理室P2，其处理时间为T_P2，处理室140C为处理室P3，其处理时间为T_P3，处理室140D为处理室P4，其处理时间为T_P4。因此在这种情况下，用处理室P1和处理室P2的关系求出晶片W_P1和晶片W_P2的输送时间，晶片W_P3的输送时间用处理室P1和处理室P3的关系求出，晶片W_P4的输送时间用处理室P1和处理室P4的关系求出。但是在求出晶片W_P3、W_P4的输送时间的情况下，为了统一基准取出间隔T_X，使用在求出晶片W_P1和晶片W_P2的输送时间时确定的基准取出间隔T_X。下面详细说明这样的求出晶片输送时间的方法。

也就是，通过S210步，作为k＝3如适用于公式(1-1)、(1-2)，满足这些公式的是n＝3。然后通过S220步，如作为k＝3分别把数值用于公式(1-3)中，处理室P3的等待时间为T_W3＝210-60×3＝30sec，通过S260步，在处理室P1中处理的晶片W_P1、在处理室P3中处理的晶片W_P3的晶片取出数之比(W_P1∶W_P3)为1∶3。然后通过图4表示的S310步、S330步，对在处理室P3中处理的晶片W_P3的晶片取出间隔为在基准取出间隔T_X(＝210sec)中每取出三块，在每个处理时间T_P3(＝50sec)各取出一块的间隔。

然后用处理室P1和处理室P4的关系求出在处理室P4中处理的晶片W_P4的输送时间。这种情况下，由于已经确定了基准取出间隔T_X＝210sec，用它求出晶片W_P4的输送时间。具体说，例如把基准取出间隔固定在T_X＝210sec，进行图3所示的S210、S220、S260步的处理，进行图4所示的S310、S330步。

也就是，通过S210步，作为k＝4如适用于公式(1-1)、(1-2)，满足这些公式的是n＝4。然后通过S220步，如作为k＝4分别把数值用于公式(1-3)中，处理室P4的等待时间为T_W4＝210-50×4＝10sec，通过S260步，在处理室P1中处理的晶片W_P1、在处理室P3中处理的晶片W_P4的晶片取出数之比(W_P1∶W_P4)为1∶4。然后通过图4表示的S310步、S330步，对在处理室P4中处理的晶片W_P4的晶片取出间隔为在基准取出间隔T_X(＝210sec)中每取出四块、在每个处理时间T_P4(＝50sec)各取出一块的间隔。

如用这样的晶片输送时间从盒容器134取出各晶片W_P1、W_P2、W_P3、W_P4，各处理室P1、P2、P3、P4的处理进度表如图8所示。这种情况下，在基准取出间隔T_X(＝210sec)内在处理室P1中以等待时间T_W1(＝10sec)可以连续处理晶片W_P1，在处理室P2中以等待时间为0，可以连续处理三块晶片W_P2，在处理室P3中以等待时间T_W3(＝30sec)可以连续处理三块晶片W_P3，在处理室P4中以等待时间T_W4(＝10sec)可以连续处理四块晶片W_P4。

(求出晶片输送时间的处理的其他具体例子)

下面参照图，对根据本发明的原理进行的求出晶片输送时间的处理的其他具体例子进行说明。由于其他例子的主流程与图2所示的相同，省略了对它的详细说明。图9表示图2所示的S130步的求出晶片取出数之比的处理的其他例子，图10表示图2所示的S140步的求出晶片取出间隔的处理的其他例子。图9、图10的处理是以每一块晶片的处理时间最长的处理室P1的处理时间T_P1·m为基准，求出晶片取出数之比和晶片取出间隔的情况，也就是，在基准取出间隔T_X中可以处理的晶片W_P1的块数为m的情况。此外m也可以为1。m＝1的情况下的晶片输送时间与用图3、图4所示的处理求出的结果相同。

(求出晶片取出数之比的处理的其他具体例子)

在此首先参照图9对上述求出晶片取出数之比的处理的其他具体例子进行说明。如图9所示，在S410步中，假设在以每一块晶片的处理时间最长的处理室P1的处理时间T_P1·m作为基准取出间隔T_X的情况下，求出在其基准取出间隔T_X的区间内(在此为处理时间T_P1·m)其他处理室Pk可以处理的晶片W_Pk的最多块数n。因为在处理室P1的处理时间T_P1·m内，通过仅从盒容器中取出其他处理室Pk可以处理的块数的晶片W_Pk，可以使处理室Pk的等待时间尽可能短。

具体说，例如求出晶片W_Pk的块数n，使下述公式(2-1)和2-2)都成立。此外在下述公式(2-1)和2-2)中，T_P1为处理室P1中每一块晶片W_P1的处理时间，T_Pk为其他处理室Pk中每一块晶片W_Pk的处理时间，n为满足n≥1的整数，m为满足m≥1的整数，象上述那样，k为满足k≥2的整数。

T_P1·m≥T_Pk·n …(2-1)

T_P1·m＜T_Pk·(n+1) …(2-2)

在下面的S420～490步中，确定m、n，使各处理室的等待时间最短，同时在处理室P1的处理时间T_P1和处理室Pk的处理时间T_Pk·(n+1)中，确定以等待时间短的(基准取出间隔T_X短的)为基准取出间隔T_X，求出在各处理室P1、Pk中处理的晶片W_P1、W_Pk的晶片取出数之比。这样可以在全部处理室P1、Pk中使处理等待的时间变短。因此可以实现整个基板处理装置中等待时间的最佳化。

具体说，在S420步中，假设以处理室P1的处理时间T_P1·m为基准取出间隔T_X的情况下，用下述公式(2-3)求出其他处理室Pk的等待时间T_Wk，在S430步中，假设以处理室Pk的处理时间T_Pk·(n+1)为基准取出间隔T_X的情况下，用下述公式(2-4)求出处理室P1的等待时间T_W1。

T_Wk＝T_P1·m-T_Pk·n …(2-3)

T_W1＝T_Pk·(n+1)-T_P1·m …(2-4)

随后在S440步中，再改变m的值(例如使m的值递增1)，同时在S410、420、430步中，对各个m的情况求出最多块数n和等待时间T_Wk、T_W1，确定m、n，使等待时间T_Wk、T_W1中的某一个最小。

然后在S450步中，在上述S440步中确定了m、n的情况下，比较各等待时间T_W1、T_Wk，判断哪个的等待时间短。具体说，例如判断等待时间T_Wk是否在等待时间T_W1以下(T_Wk≤T_W1)。在S450步中，判断是T_Wk≤T_W1的情况下，也就是在判断等待时间T_Wk短(或等待时间T_W1、T_Wk都相同)的情况下，在S460步中，如下述公式(2-5)那样，把各晶片W_P1、W_Pk的基准取出间隔T_X确定为处理室P1的处理时间T_P1·m，在S470步中，把各晶片W_P1、W_Pk的晶片取出数之比(W_P1∶W_Pk)定为m∶n。

T_X＝T_P1·m＝T_Pk·n+T_Wk …(2-5)

如采用这样得到的基准取出间隔T_X(＝T_P1·m＝T_Pk·n+T_Wk)，在每个该区间内，取出m块在处理室P1中处理的晶片W_P1，处理室P1的等待时间为0，同时取出n块在处理室Pk中处理的晶片W_Pk，处理室Pk的等待时间为T_Wk。

与此相反，在S450步中，在判断不是T_Wk≤T_W1的情况下，也就是在判断等待时间T_W1短的情况下，在S480步中，如下述公式(2-6)那样，把各晶片W_P1、W_Pk的基准取出间隔T_X确定为处理室Pk的处理时间T_Pk·(n+1)，在S490步中，把各晶片W_P1、W_Pk的晶片取出数之比(W_P1∶W_Pk)定为m∶n+1。

T_X＝T_P1·m+T_W1＝T_Pk·(n+1) …(2-5)

如采用这样得到的基准取出间隔T_X(＝T_P1·m+T_W1＝T_Pk·(n+1))，在每个该区间内，取出m块在处理室P1中处理的晶片W_P1，处理室P1的等待时间为T_W1，同时取出n+1块在处理室Pk中处理的晶片W_Pk，处理室Pk的等待时间为0。把在图3所示的处理中得到的基准取出间隔T_X和晶片取出数之比等存储到控制部190的存储器等中。

(求出晶片取出间隔的处理的其他具体例子)

下面参照图10对求出晶片取出间隔的处理的其他具体例子进行说明。在此用图9所示的求出晶片取出数之比的处理确定基准取出间隔T_X，根据用基准取出间隔T_X得到的晶片取出数之比，求出实际中从盒容器134取出晶片时的各晶片W_P1、W_Pk的晶片取出间隔。

具体说，首先如图10所示，在S510步中，把用图9所示的处理求出的晶片取出数之比(W_P1∶W_Pk)从控制部190的存储器等中取出，判断晶片取出数之比(W_P1∶W_Pk)是m∶n还是m∶n+1。

在S510步中，判断晶片取出数之比(W_P1∶W_Pk)是m∶n的情况下，在S520步中，把对在处理室P1中处理的晶片W_P1的晶片取出间隔设为在基准取出间隔T_X中取出m块，在每个处理时间T_P1中取出一块的间隔。这样晶片W_P1一方例如在每个基准取出间隔T_X的各区间从盒容器134连续取出m块。这种情况下，由于基准取出间隔T_X为处理室P1的处理时间T_P1·m，所以在处理室P1中在每个基准取出间隔T_X的各个区间，以等待时间0，连续处理每m块W_P1。

然后在S530步中，使对于在处理室Pk处理的晶片W_Pk的晶片取出间隔为在基准取出间隔T_X中每取出n块、在每个处理时间T_Pk中各取出一块的间隔。这样晶片W_Pk一方例如在每个基准取出间隔T_X的各区间从盒容器134连续取出各n块，同时仅在等待时间T_Wk为取出等待。也就是，连续从盒容器取出n块后，仅等待等待时间T_Wk，然后连续从盒容器取出下一次的n块。这种情况下，由于基准取出间隔T_X为处理室Pk的处理时间T_Pk·n+T_Wk，所以在处理室Pk中在每个基准取出间隔T_X的各个区间以等待时间T_Wk，晶片W_Pk是各n块连续处理。

与此相反，在S530步中，判断晶片取出数之比(W_P1∶W_Pk)是m∶n+1的情况下，在S540步中，把对在处理室P1中处理的晶片W_P1的晶片取出间隔设为在基准取出间隔T_X中每取出m块、在每个处理时间T_P1中各取出一块的间隔。这样晶片W_P1一方是，例如在每个基准取出间隔T_X的各区间，从盒容器134每取出m块，同时仅等待时间T_W1取出。也就是，在每个处理时间T_P1连续从盒容器134取出m块后，仅在等待时间T_W1后，从盒容器134连续取出下一次的m块。在这种情况下，由于基准取出间隔T_X为处理室P1中的处理时间T_P1·m+T_W1，所以在处理室P1中在每个基准取出间隔T_X的各个区间中以等待时间T_W1处理各m块W_P1。

然后在S550步中，使对于在处理室Pk处理的晶片W_Pk的晶片取出间隔为在基准取出间隔T_X中每取出n+1块、在处理时间T_Pk中各取出一块的间隔。这样晶片W_Pk一方例如在每个基准取出间隔T_X的各区间从盒容器134连续取出各n+1块。这种情况下，由于基准取出间隔T_X为处理室Pk的处理时间T_Pk·(n+1)，所以在处理室Pk中在每个基准取出间隔T_X的各区间以等待时间为0，连续处理各n+1块W_Pk。

这样用图9、图10所示的处理求出的晶片取出数之比和晶片取出间隔用控制部190存储到其存储器等中。然后在实际进行晶片处理的情况下，通过控制部190从存储器等中获得用图9、图10求出的晶片取出数之比和晶片取出间隔，根据此晶片取出数之比和晶片取出间隔，控制输送单元侧输送机构170，分别把晶片W_P1、W_Pk从盒容器134取出。

这样例如在处理时间长的处理室P1中处理的晶片W_P1以对应于其处理时间T_P1的长的间隔，从盒容器134取出，在处理时间短的处理室W_Pk中处理的晶片W_Pk以对应于其处理时间T_Pk的短的间隔，从盒容器134取出，所以不会产生象现有的那样处理时间长的处理室P1的晶片W_P1在共用输送室150、负载锁定室160M、160N、定位器137等长时间待机，处理时间短的处理室T_Pk的晶片W_Pk不能从盒容器134中取出的情况。因此可以提高各处理室P1、Pk的运转率，可以把基板处理装置整体的处理效率提高到高于现有的状态。

此外对于晶片W_P1、W_Pk，由于分别在相同的基准取出间隔T_X的时间(周期)从盒容器134取出，在晶片W_P1、W_Pk中的基准取出间隔T_X的各区间为仅仅偏离取出最初处理的晶片W_P1、W_Pk时产生的开始时间的偏离时间T_Sk。因此取出晶片W_P1、W_Pk的时间不会同时。此外图9、图10所示的处理不仅适用于处理室P1的处理时间T_P1刚好不是处理室Pk的处理时间T_Pk的整数倍的情况，在刚好为处理室Pk的处理时间T_Pk的整数倍的情况也可以适用。

下面在把图6所示的基板处理装置200作为作为构成有四个处理室的基板处理装置的情况中，对进行求出图2、图9、图10所示的输送时间的处理的情况，列举具体数值进行详细说明。图11表示用图2、图9、图10求出的输送时间进行处理的各处理室的晶片处理进度表。图11为横轴用时间，是在四个处理室P1、P2、P3、P4中处理的晶片的处理进度表分别用棒状图表示的。图11为各处理室140A、140B、140C、140D中每一块的晶片处理时间为100sec、70sec、60sec、50sec的情况。

首先用处理室P1和处理室P2的关系求出晶片W_P1和晶片W_P2的输送时间。也就是通过图9所示的S410～S440步，求出等待时间T_Wk、T_W1最小的m、n。为m＝2、n＝3。然后通过S450～S470步，晶片W_P1、W_P2的基准取出间隔T_X为处理室P2的处理时间70sec×3(＝210sec)，晶片W_P1、W_P2的晶片取出数之比(W_P1∶W_P2)为2∶3。对于晶片W_P1的晶片取出间隔为在基准取出间隔T_X(＝210sec)每取出两块、在处理时间TP1(＝100sec)各取出一块的间隔，对于晶片W_P2的晶片取出间隔为在基准取出间隔T_X(＝200sec)中每取出三块、在每个处理时间T_P2(＝70sec)各取出一块的间隔。

然后用处理室P1和处理室P3的关系求出在处理室P3中处理的晶片W_P3的输送时间。这种情况下，由于已经确定了基准取出间隔T_X＝210sec，用它求出晶片W_P3的输送时间。具体说，与图8所示的情况相同。因此在处理室P1处理的晶片W_P1、在处理室P3处理的晶片W_P3的晶片取出数之比(W_P1∶W_P3)为1∶3，对于晶片W_P3的晶片取出间隔为在基准取出间隔T_X(＝210sec)每取出三块、在每个处理时间T_P3(＝30sec)各取出一块的间隔。

然后用处理室P1和处理室P4的关系求出在处理室P4中处理的晶片W_P4的输送时间。这种情况下，由于已经确定了基准取出间隔T_X＝210sec，用它求出晶片W_P4的输送时间。具体说，与图8所示的情况相同。因此在处理室P1处理的晶片W_P1、在处理室P4处理的晶片W_P4的晶片取出数之比(W_P1∶W_P4)为1∶4，对于晶片W_P4的晶片取出间隔为在基准取出间隔T_X(＝210sec)每取出四块，在每个处理时间T_P4(＝50sec)各取出一块的间隔。

如用这样的晶片输送时间从盒容器134取出各晶片W_P1、W_P2、W_P3、W_P4，各处理室P1、P2、P3、P4的处理进度表如图11所示。这种情况下，在每个基准取出间隔T_X(＝210sec)内在处理室P1中以等待时间T_W1(＝10sec)连续处理各两块晶片W_P1，在处理室P2中以等待时间为0，连续处理各三块晶片W_P2，在处理室P3中以等待时间T_W3(＝30sec)连续处理各三块晶片W_P3，在处理室P4中以等待时间T_W4(＝10sec)连续处理各四块晶片W_P4。

如以上详细说明的那样，如采用本实施方式，由于根据在各处理室P1、Pk中的晶片W_P1、W_Pk的处理时间T_P1、T_Pk，按照在每个处理室P1、Pk中预先求出的晶片输送时间，从盒容器134取出晶片W_P1、W_Pk，所以在各处理室P1、Pk中并列进行晶片处理时，可以使从盒容器134的晶片取出时间实现与各处理室P1、Pk中的处理时间T_P1、T_Pk成最加吻合。例如在处理时间长的处理室P1中处理的晶片W_P1，可以以对应于其处理时间T_P1的长的间隔被从盒容器134取出，同时在处理时间短的处理室WPk中处理的晶片W_Pk，可以以对应于其处理时间T_Pk的短的间隔被从晶片取出。

因此可以消除象现在这样的处理时间长的处理室P1中处理的晶片W_P1在共用输送室150、负载锁定室160M、160N、定位器137等长时间待机，而处理时间短的处理室T_Pk的晶片W_Pk不能从盒容器134取出的情况，所以可以提高在各处理室P1、Pk的运转率，可以提高基板处理装置整体的处理效率。

此外上述这样的本实施方式的求出晶片输送时间的处理在实际的晶片处理之前进行。例如在基板处理装置的电源接通时的加热运转中进行。此外也可以在此后对基板处理装置进行部件更换和清洗等的维护的情况下，在此维护后进行。

此外在本实施方式中，为了对应于各处理室的处理时间求出晶片输送时间，在进行实际的晶片处理之前求出晶片输送时间时，根据各处理室的处理时间的预测值求出。可是要考虑因附着在处理室内的微粒粉末等处理环境，实际的晶片处理时间偏离上述预测值。此外也要考虑根据处理的不同，改变作为基础的处理条件(例如处理室内压力、温度、处理气体的流量比、施加在电极上的电压等的参数等)的一部分进行处理的情况，以及补充新的处理条件(参数等)的情况。在这样的情况下，也担心处理时间偏离上述预测值。

这样在各处理室的处理时间与预测值不同的情况下，再重新修正晶片取出时间。这样可以对应于各处理室的实际处理时间求出晶片取出时间，可以防止在各处理室与实际的处理时间偏离造成的不可预测的等待时间。

上面参照附图对适合本发明的实施方式进行了说明，但并不是说限定于本发明的例子。很清楚如是本领域的普通技术人员，在专利要求的范围内所叙述的范围内，可以想到各种变化的例子或修正的例子，对于这些当然也理解为属于本发明的技术范围。

例如在上述实施方式中，举出在共用输送室的周围连接多个处理室的所谓集成设备型的基板处理装置的例子，来说明了处理单元，但是除了在处理单元把负载锁定室连接在处理室上，把多个处理单元并联在输送单元上的所谓的串联型的基板处理装置以外，本发明也可以适用于具有多个处理室进行并行处理的各种各样型式的基板处理装置。

工业实用性

本发明可以适用于对被处理基板实施规定处理的基板处理装置和基板处理装置的基板输送装置。

Claims

1. 一种基板处理装置，其特征在于，具有：

处理单元，具有用于在被处理基板上实施规定处理的多个处理室；

输送单元，被连接在此处理单元上；

输送单元侧的输送机构，设置在所述输送单元上，把收容在基板收容容器中的所述被处理基板向所述处理单元输送；和

处理单元侧的输送机构，设置在所述处理单元上，把从所述输送单元输送的所述被处理基板向所述处理室输送，

具有控制装置，根据所述各处理室中的所述被处理基板的处理时间，对每个所述各处理室求出从所述基板收容容器取出所述被处理基板时的各处理室的所述被处理基板的取出数之比和取出间隔，按照此取出数之比和取出间隔从所述基板收容容器取出所述被处理基板而向所述各处理室加以输送。

2. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在由所述各处理室的所述被处理基板的处理时间确定的基准取出间隔的各区间内，根据在各处理室中可以处理的所述被处理基板的最多块数求出所述被处理基板的取出数之比，所述被处理基板的取出间隔是作为把在所述各处理室在所述基准取出间隔中所述被处理基板的取出数之比的块数，在所述各处理室的所述被处理基板的每个处理时间中各取出一块地取出的间隔。

3. 如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

根据所述各处理室的所述被处理基板的处理时间，假设在把所述各处理室中处理时间最长的处理室的处理时间作为所述基准取出间隔的情况下，根据在此基准取出间隔区间内，在其他处理室中可以处理的所述被处理基板的最多块数，求出所述被处理基板的取出数之比。

4. 如权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，

根据在所述各处理室中的基准取出间隔的各区间的等待时间，确定所述基准取出间隔，使其等待时间变短。

5. 一种基板处理装置的基板输送方法，其特征在于，

该基板处理装置具有：

输送单元，被连接在此处理单元上；

根据所述各处理室中的所述被处理基板的处理时间，对每个所述各处理室求出从所述基板收容容器取出所述被处理基板时的各处理室的所述被处理基板的取出数之比和取出间隔，

对所述被处理基板进行处理时，按照所述取出数之比和取出间隔，从所述基板收容容器取出所述被处理基板而向所述各处理室加以输送。

6. 如权利要求5所述的基板处理装置的基板输送方法，其特征在于，

在由所述各处理室的所述被处理基板的处理时间确定的基准取出间隔的各区间内，根据在各处理室中可以处理的所述被处理基板的最多块数求出所述被处理基板的取出数之比，

所述被处理基板的取出间隔是作为把在所述各处理室在所述基准取出间隔中所述被处理基板的取出数之比的块数，在所述各处理室的所述被处理基板的每个处理时间中各取出一块地取出的间隔。

7. 如权利要求6所述的基板处理装置的基板输送方法，其特征在于，

8. 如权利要求6或7所述的基板处理装置的基板输送方法，其特征在于，

根据在所述各处理室中的基准取出间隔的各区间内的等待时间，确定所述基准取出间隔，使其等待时间变短。

9. 一种基板处理装置的基板输送方法，其特征在于，

通过把装在基板收容容器中的多块所述被处理基板，分别按照预先求出的下述取出数之比和下述取出间隔顺序向要进行处理的处理室输送，在多个处理室并行对所述被处理基板进行处理，

该方法具有：

求出根据所述各处理室的所述被处理基板的处理时间而确定的基准取出间隔的区间内的所述各处理室的所述被处理基板的取出数之比的工序，和

根据所述被处理基板的取出数之比，求出所述各处理室的所述被处理基板的取出间隔的工序。

10. 如权利要求9所述的基板处理装置的基板输送方法，其特征在于，

求出所述被处理基板取出数之比的工序具有：

在假设在所述各处理室中处理时间最长的处理室中，在把处理一块所述被处理基板的处理时间作为所述基准取出间隔的情况下，求出在此基准取出间隔的区间内在其他处理室中可以处理的所述被处理基板的最多块数n的工序；

在假设以在所述处理时间最长的处理室中处理一块被处理基板的处理时间为基准取出间隔的情况下，求出在所述基准取出间隔的区间内所述其他处理室的等待时间的工序；

在假设在所述其他处理室中，在以处理n+1块所述被处理基板的处理时间为基准取出间隔的情况下，求出在所述基准取出间隔的区间内所述处理时间最长的处理室的等待时间的工序；和

把这些等待时间进行比较，在所述处理时间最长的处理室的等待时间小于等于所述其他处理室的等待时间的情况下，把所述基准取出间隔确定成所述处理时间最长的处理室中处理一块被处理基板的处理时间，并把所述被处理基板取出数之比作为1∶n，在所述处理时间最长的处理室的等待时间大于所述其他处理室的等待时间的情况下，把所述基准取出间隔确定成所述其他处理室中处理n+1块所述被处理基板的处理时间，并把所述被处理基板取出数之比作为1∶n+1的工序，

求出所述被处理基板的取出间隔的工序具有如下的工序：

在所述被处理基板的取出数之比为1∶n的情况下，所述处理时间最长的处理室中的所述被处理基板的取出数间隔认定为在所述基准取出间隔中每取出一块的间隔，所述其他处理室中的所述被处理基板的取出数间隔认定为在所述基准取出间隔每取出n块、在每个该处理时间内各取出一块的间隔；

在所述被处理基板的取出数之比为1∶n+1的情况下，所述处理时间最长的处理室中的所述被处理基板的取出数间隔认定为在所述基准取出间隔每取出一块的间隔，所述其他处理室中的所述被处理基板的取出数间隔认定为在所述基准取出间隔每取出n+1块、在每个该处理时间内各取出一块的间隔。

11. 如权利要求9所述的基板处理装置的基板输送方法，其特征在于，

求出所述被处理基板的取出数之比的工序具有：

在假设在所述各处理室中处理时间最长的处理室中，在把处理m块所述被处理基板的处理时间作为所述基准取出间隔的情况下，求出在此基准取出间隔的区间内在其他处理室中可以处理的所述被处理基板的最多块数n的工序；

在假设在所述处理时间最长的处理室中，在以处理m块被处理基板的处理时间为基准取出间隔的情况下，求出在所述基准取出间隔的区间内所述其他处理室的等待时间的工序；

在假设以在所述其他处理室中处理n+1块所述被处理基板的处理时间为基准取出间隔的情况下，求出在所述基准取出间隔的区间内所述处理时间最长的处理室的等待时间的工序；

改变所述m，求出所述被处理基板的最多块数n、所述其他处理室的等待时间、所述处理时间最长的处理室的等待时间，使所述其他处理室的等待时间和所述处理时间最长的处理室的等待时间最少的m、n的工序；和

把确定了m、n时的所述其他处理室的等待时间和所述处理时间最长的处理室的等待时间进行比较，在所述处理时间最长的处理室的等待时间在所述其他处理室的等待时间以下的情况下，把所述基准取出间隔确定成所述处理时间最长的处理室中处理m块被处理基板的处理时间，并把所述被处理基板取出数之比作为m∶n，在所述处理时间最长的处理室的等待时间多于所述其他处理室的等待时间的情况下，把所述基准取出间隔确定成所述其他处理室中处理n+1块所述被处理基板的处理时间，并把所述被处理基板取出数之比作为m∶n+1的工序，

求出所述被处理基板的取出间隔的工序具有如下的工序：

在所述被处理基板的取出数之比为m∶n的情况下，所述处理时间最长的处理室中的所述被处理基板的取出数间隔认定为以所述基准取出间隔每取出m块、在每个该处理时间中各取出一块的间隔，所述其他处理室中的所述被处理基板的取出数间隔认定为在所述基准取出间隔每取出n块、在每个该处理时间内各取出一块的间隔；

在所述被处理基板的取出数之比为m∶n+1的情况下，所述处理时间最长的处理室中的所述被处理基板的取出数间隔认定为在所述基准取出间隔每取出m块、在每个该处理时间内各取出一块的间隔，所述其他处理室中的所述被处理基板的取出数间隔认定为在所述基准取出间隔每取出n+1块、在每个该处理时间内各取出一块的间隔。