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CN100390835C - 发光装置及电子设备 - Google Patents

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CN100390835C
CN100390835C CNB2003801057242A CN200380105724A CN100390835C CN 100390835 C CN100390835 C CN 100390835C CN B2003801057242 A CNB2003801057242 A CN B2003801057242A CN 200380105724 A CN200380105724 A CN 200380105724A CN 100390835 C CN100390835 C CN 100390835C
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electrode
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Abstract

本发明旨在提供可双屏显示且小体积并作为组件使用的发光装置。以EL元件为代表的发光元件用于像素部，在1个发光装置上两处设有像素部。第一像素部中采用仅从发光元件的对置电极侧出射光的结构。第二像素部中采用仅从发光元件的像素电极侧出射光的结构。就是说，在第一像素部和第二像素部中出射方向表里相反。

Description

发光装置及电子设备
技术领域
本发明涉及设有发光元件的发光装置，特别是涉及具备这样的发光装置的便携电话、PDA(Personal Digital Assistance：个人数字助理)等信息终端。
背景技术
近年，作为取代设有利用液晶元件的像素的液晶显示器(LCD)的发光装置，利用以电致发光(EL)元件等为代表的发光元件的发光装置的研究开发得到进展。这些发光装置发扬因发光型而高画质、大视角、不需要背光源的薄型、轻量等的优点，可期待作为便携电话的显示画面或显示装置广泛利用。
并且，在便携信息终端中，随着其使用目的的多样化而要求高附加价值，最近提供通常的显示面内侧设置子显示屏的终端。
发明的公开
(发明要解决的课题)
在原来的显示屏外还设有子显示屏的便携信息终端中，除了包含背光源等的组件所占的体积外，不能忽视安装驱动它们的控制器IC等的衬底等所占的体积。特别是最近提供的便携信息终端其轻薄短小化特别明显，且与高附加价值化折衷。
本发明鉴于上述课题构思而成，旨在提供可双屏显示，且体积小并可作为组件使用的发光装置。
(解决课题的手段)
为解决所述课题，本发明说明以下的结构。
以EL元件等为代表的发光元件用作像素部，在1个发光装置的两处不同位置设置像素部。在第一像素部中采用仅从发光元件的对置电极侧出射光的结构。第二像素部中采用仅从发光元件的像素电极侧出射光的结构。就是说，在第一像素部和第二像素部中，出射方向表里相反。
使用者通常不会同时看到两面，因此可按用途选择显示屏也可。例如，可以在供给发光元件的任意电流经路上设置开关元件，使得在使用第一像素部发光时，断开对第二像素部的电流供给，在使用第二像素部发光时，断开对第一像素部的电流供给。这时，设有使第一像素部动作的第一驱动部、使第二像素部动作的第二驱动部以及分别对第一驱动部和第二驱动部供给信号和电压的布线等的发光装置中，使供给第一驱动部和第二驱动部信号和电压的布线的一部分或全部共用，并设置使所述第一像素部或所述第二像素部的任一个动作的部件，也可采用从外部切换的结构。
本发明的结构如下所述。
本发明的发光装置，其特征在于：
面板衬底上设有将多个第一像素矩阵状配置的第一像素部；
在所述面板衬底上与所述第一像素部不同的位置，设有将多个第二像素矩阵状配置的第二像素部；
所述第一像素部在所述面板衬底内面到所述衬底表面的方向，设有所述多个第一像素，所述多个第一像素各自设有从所述面板衬底表面发出光的第一发光元件；
所述第二像素部在所述面板衬底表面到所述面板衬底内面的方向，设有所述多个第二像素，所述多个第二像素各自设有从所述面板衬底内面发出光的第二发光元件。
本发明的发光装置，其特征在于：
所述第一发光元件中设有第一像素电极、第一电场发光层和第一对置电极；
所述第一像素部从所述第一对置电极侧出射光；
所述第二发光元件中设有第二像素电极、第二电场发光层和第二对置电极；
所述第二像素部从所述第二像素电极侧出射光。
本发明的发光装置，其特征在于：
从所述第一发光元件和所述第二发光元件的出射光方向由反射膜的有无来确定。
本发明的发光装置，其特征在于设有：
使所述第一像素部动作的第一驱动部；
使所述第二像素部动作的第二驱动部；以及
使分别向所述第一驱动部和所述第二驱动部供给信号和电压的布线的一部分或全部共用，使所述第一像素部或所述第二像素部的任一个动作的部件。
本发明的发光装置，其特征在于：将所述发光装置用于电子设备。
(发明效果)
本发明根据上述结构，可双屏显示，且能提供薄型且轻量的发光装置。并且，通过用动作的像素部驱动时所需的信号和电压切换或共有化来减少输入信号数量。
本发明不只限于采用电致发光元件的发光装置作为发光元件，也可用于其它发光装置等。
附图的简单说明
图1是表示实施形态1的发光装置的像素部的结构的剖视图。
图2是表示实施形态2的发光装置的像素部的结构的剖视图。
图3是表示实施形态3的发光装置的像素部的结构的剖视图。
图4是表示实施形态4的发光装置的像素部的结构的剖视图。
图5是表示发光装置的像素部的结构的电路图。
图6是实施例1所示的本发明的发光装置即面板衬底的结构的示图。
图7是实施例1所示的采用本发明的发光装置即面板衬底的便携电话的示图。
本发明的最佳实施方式
以下就本发明的实施形态进行说明。
(实施形态1)
图1示出本发明的实施形态1。图1是在两处设有像素部的1个发光装置的第一像素部和第二像素部的剖视图。第一像素部中采用仅从发光元件的对置电极侧出射光的结构，第二像素部中采用仅从发光元件的像素电极侧出射光的结构。就是说，第一像素部和第二像素部中出射方向表里相反。
图1(A)表示第一像素部中的1个像素的剖视图，图1(B)表示第二像素部中的1个像素的剖视图。另外在图5表示一例第一像素部和第二像素部中的1个像素的电路图。
另外，这里采用薄膜晶体管(Thin Film Transistor(TFT))作为开关元件或驱动元件，但并无特别限定。例如，MOS晶体管、有机晶体管、分子晶体管等均可同样使用。
图5中，900是像素，901是开关TFT，902是驱动TFT，903是发光元件。另外，A是阳极线，C是阴极线，G是栅极线，S是源极线。
图1(A)中，1000是衬底，虚线框1010围着的区域是驱动TFT，直接或通过其它电路元件对发光元件1011供给电流。发光元件1011是像素电极1012、电场发光层1001、对置电极1002层叠的部位，朝发光方向1014表示的方向发光。这时像素电极1012由铝等的反射膜形成，发光元件1011不会发射与发光方向1014相反方向的光。另外，像素电极1012可为反射膜和反射膜上层叠透明导电膜的结构。在电场发光层1001上方层叠的对置电极1002由ITO等的透明导电膜形成，保护膜1004由氮化碳膜等的透射膜形成。另外1003是有机树脂膜。
图1(B)中，虚线框1020围着的区域是驱动TFT，直接或通过其它电路元件对发光元件1021供给电流。发光元件1021是像素电极1022、电场发光层1001、对置电极1002层叠的部位，朝发光方向1024表示的方向发光。像素电极1022由透明导电膜形成，像素电极1022下方形成的膜和衬底1000由透射光的材料形成。另外反射膜1005在保护膜1004上形成，起反射从发光元件1021发射的与发光方向1024相反方向的光的作用。另外1003是有机树脂膜。
图1(A)和图1(B)中电场发光层1001是同一层，但可用不同材料形成电场发光层，也可按像素采用不同材料形成电场发光层。
图1(A)和图1(B)中保护膜1004是同一层，但可采用不同材料形成保护膜。
另外，作为电场发光层1001，可为低分子材料、高分子材料、中分子材料中的任一材料。
另外，实际上完成到图1，最好用密封性高且脱气少的保护薄膜(层压薄膜、紫外线固化树脂薄膜等)或透光性的被覆材料再进行封装(封入)，以不暴露到大气中。
(实施形态2)
图2示出本发明的一个实施形态。图2是在两处设有像素部的1个发光装置的第一像素部和第二像素部的剖视图。第一像素部中采用仅从发光元件的对置电极侧出射光的结构，第二像素部中采用仅从发光元件的像素电极侧出射光的结构。就是说，在第一像素部和第二像素部中出射方向表里相反。
图2(A)是第一像素部中的1个像素的剖视图，图2(B)是第二像素部中的1个像素的剖视图。另外图5表示一例第一像素部和第二像素部中的1个像素的电路图。
图5中，900是像素，901是开关TFT，902是驱动TFT，903是发光元件。另外，A是阳极线，C是阴极线，G是栅极线，S是源极线。
图2(A)中，2000是衬底，虚线框2010围着的区域是驱动TFT，直接或通过其它电路元件对发光元件2011供给电流。发光元件2011是像素电极2012、电场发光层2001、对置电极2013层叠的部位，朝发光方向2014表示的方向发光。这时像素电极2012由铝等的反射膜形成，发光元件2011不会朝与发光方向2014相反的方向发射光。另外，像素电极2012可为反射膜和反射膜上层叠透明导电膜的结构。并且，电场发光层2001上方层叠的对置电极2013由透明导电膜形成，保护膜2004由氮化碳膜等的透射膜形成。另外2003是有机树脂膜。
图2(B)中，虚线框2020围着的区域是驱动TFT，直接或通过其它电路元件对发光元件2021供给电流。发光元件2021是像素电极2022、电场发光层2001、对置电极2023层叠的部位，朝发光方向2024表示的方向发光。这时对置电极2023由铝等的反射膜形成，不会发射与发光方向2024相反方向的光。并且，像素电极2022由透明导电膜形成，像素电极2022下方形成的膜和衬底2000由透射光的材料形成。另外2003是有机树脂膜。
图2(A)和图2(B)中电场发光层2001是同一层，但可用不同有材料形成电场发光层，并可按像素采用不同的材料形成电场发光层。
图2(A)和图2(B)中保护膜2004是同一层，但可采用不同的材料形成保护膜。
图2(A)和图2(B)中对置电极2013与对置电极2023是不同的层，但可以电气连接。
另外，作为电场发光层2001可采用低分子材料、高分子材料、中分子材料中的任意材料。
还有，实际上完成到图2，最好用密封性高且脱气少的保护薄膜(层压薄膜、紫外线固化树脂薄膜等)或透光性的被覆材料再进行封装(封入)，以不暴露到大气中。
(实施形态3)
图3示出本发明的一实施形态。图3是在两处设有像素部的1个发光装置的第一像素部和第二像素部的剖视图。第一像素部中采用仅从发光元件的对置电极侧出射光的结构，第二像素部中中采用仅从发光元件的像素电极侧出射光的结构。就是说，在第一像素部和第二像素部中，出射方向表里相反。
图3(A)是第一像素部中的1个像素的剖视图，图3(B)是第二像素部中的1个像素的剖视图。另外图5表示一例第一像素部和第二像素部中的1个像素的电路图。
图5中，900是像素，901是开关TFT，902是驱动TFT，903是发光元件。另外，A是阳极线，C是阴极线，G是栅极线，S是源极线。
图3(A)中，3000是衬底，虚线框3010围着的区域是驱动TFT，直接或通过其它电路元件对发光元件3011供给电流。发光元件3011是像素电极3012、电场发光层3001、对置电极3002层叠的部位，朝发光方向3014表示的方向发光。这时像素电极3012由铝等的反射膜形成，发光元件3011不会发射与发光方向3014相反方向的光。另外，像素电极3012可采用反射膜和反射膜上层叠透明导电膜的结构。电场发光层3001上方层叠的对置电极3002由透明导电膜形成，保护膜3004由氮化碳膜等的透射膜形成，彩色滤光片3006由彩色阻挡膜等形成。如果彩色滤光片3006的材料按每个像素采用不同的材料，则可按每个像素发射不同的色光。另外3003是有机树脂膜。
图3(B)中，虚线框3020围着的区域是驱动TFT，直接或通过其它电路元件对发光元件3021供给电流。另外图3(B)中的驱动TFT3020设有LDD区域。发光元件3021是像素电极3022、电场发光层3001、对置电极3002层叠的部位，朝发光方向3024表示的方向发光。像素电极3022由透明导电膜形成，像素电极3022下方形成的膜和衬底3000由透射光的材料形成。并且反射膜3005在保护膜3004上形成，起到反射从发光元件3021发射的与发光方向3024相反方向的光的作用。另外3003是有机树脂膜。
图3(A)和图3(B)中保护膜3004是同一层，但可采用不同的材料形成保护膜。
图3(A)和图3(B)中电场发光层3001是同一层，但可采用不同的材料形成电场发光层，按每个像素采用不同的材料形成电场发光层也可。
彩色滤光片3006可按每个像素采用不同的材料。
另外，作为电场发光层3001可采用低分子材料、高分子材料、中分子材料中的任意材料。
还有，实际上完成到图3，最好用密封性高且脱气少的保护薄膜(层压薄膜、紫外线固化树脂薄膜等)或透光性的被覆材料再进行封装(封入)，以不暴露到大气中。
(实施形态4)
图4示出本发明的一实施形态。图4是在两处设有像素部的1个发光装置的第一像素部和第二像素部的剖视图。第一像素部中采用仅从发光元件的对置电极侧出射光的结构，第二像素部中采用仅从发光元件的像素电极侧出射光的结构。就是说，在第一像素部和第二像素部中，出射方向表里相反。
图4(A)是第一像素部中的1个像素的剖视图，图4(B)是第二像素部中的1个像素的剖视图。另外图5表示一例第一像素部和第二像素部中的1个像素的电路图。
另外，这里采用薄膜晶体管(TFT)作为开关元件或驱动元件，但并无特别限定。例如，MOS晶体管、有机晶体管、分子晶体管等均可同样地使用。
图5中，900是像素，901是开关TFT，902是驱动TFT，903是发光元件。另外，A是阳极线，C是阴极线，G是栅极线，S是源极线。
图4(A)中，4000是衬底，虚线框4010围着的区域是驱动TFT，直接或通过其它电路元件对发光元件4011供给电流。发光元件4011是像素电极4012、电场发光层4001、对置电极4002层叠的部位，朝发光方向4014表示的方向发光。这时像素电极4012由透明导电膜形成，即使朝与发光方向4014相反方向发射光，也因反射膜4015反射而不会从衬底4000下侧出射光。并且，电场发光层4001上方层叠的对置电极4002由透明导电膜形成，保护膜4004由氮化碳膜等的透射膜形成。另外4003是有机树脂膜。
图4(B)中，虚线框4020围着的区域是驱动TFT，直接或通过其它电路元件对发光元件4021供给电流。发光元件4021是像素电极4022、电场发光层4001、对置电极4002层叠的部位，朝发光方向4024表示的方向发光。像素电极4022由透明导电膜形成，像素电极4022下方形成的膜和衬底4000由透射光的材料形成。并且反射膜4025在保护膜4004上形成，起到反射从发光元件4021发射的与发光方向4024相反方向的光的作用。另外4003是有机树脂膜。
图4(A)和图4(B)中电场发光层4001是同一层，但可采用不同的材料形成电场发光层，并可按每个像素采用不同的材料形成电场发光层。
图4(A)和图4(B)中保护膜4004是同一层，但可采用不同的材料形成保护膜。
另外，作为电场发光层4001可采用低分子材料、高分子材料、中分子材料中的任意材料。
还有，实际上完成到图4，最好用密封性高且脱气少的保护薄膜(层压薄膜、紫外线固化树脂薄膜等)或透光性的被覆材料再进行封装(封入)，以不暴露到大气中。
(实施例)
以下就本发明的实施例进行描述。
[实施例1]
以下说明本发明的发光装置的一部分即面板衬底。
图6(A)是以衬底6000为下侧、对置衬底6002为上侧时的面板衬底的俯视图，图6(B)是横向看面板衬底时的图。衬底6000上设有第一像素部6010和与第一像素部6010不同的位置的第二像素部6020。第一像素部6010的发光方向是6013，第二像素部6020的发光方向是6023，发光方向呈表里相反。
第一像素部6010中多个第一像素矩阵状配置，第二像素部6020中多个第二像素矩阵状配置。第一像素和第二像素的各结构如实施形态1～4所示。
除FPC6003连接的部分外，由衬底6000表面、屏蔽材料6001、对置衬底6002包围的空间用填充材料密封。
第一像素部6010与源极信号线驱动电路6011、栅极信号线驱动电路6012a、6012b连接，供给用以使第一像素部6010发光的信号。
第二像素部6020与源极信号线驱动电路6021、栅极信号线驱动电路6022a、6022b连接，供给用以使第二像素部6020发光的信号。
本实施例中，为了使第一像素部6010和第二像素部6020动作，分别设置了源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路，但可以设置第一像素部6010和第二像素部6020共用的源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路。
面板衬底经由FPC6003被供给用以驱动源极信号线驱动电路6011、6021和栅极信号线驱动电路6012a、6012b、6022a、6022b的信号和电压/电流。从FPC6003向第一像素部6010、第二像素部6020、源极信号线驱动电路6011、6021、栅极信号线驱动电路6012a、6012b、6022a、6022b供给信号和电压的布线，可根据需要共有化，从而减少布线数。这里，向驱动电路供给信号的布线称为信号线，向驱动电路供给电压的布线称为电源线。
可以仅在第一像素部6010动作时，供给用以驱动源极信号线驱动电路6011和栅极信号线驱动电路6012a、6012b的信号和电压/电流，并可以仅在第二像素部6020动作时，供给用以驱动源极信号线驱动电路6021和栅极信号线驱动电路6022a、6022b的信号和电压/电流。
只要是第一像素部6010和第二像素部6020不同时动作的结构，可采用向使第一像素部动作的源极信号线驱动电路6011和使第二像素部动作的源极信号线驱动电路6021供给信号和电压的布线的一部分或全部共用结构，且设置使所述第一像素部或所述第二像素部中任一个动作的部件，以从外部切换。另外，可以采用向使第一像素部动作的栅极信号线驱动电路6012a、6012b和使第二像素部动作的栅极信号线驱动电路6022a以及6022b供给信号和电压的布线的一部分或全部共用的结构，且设置使所述第一像素部或所述第二像素部中的任一个动作的部件，以从外部切换。
另外，只要采用在第二像素部6020显示第一像素部6010显示的图像一部分的结构，就可以将供给视频信号的布线在源极信号线驱动电路6011和源极信号线驱动电路6021中共用。
图7是将本面板衬底用于电子设备，例如折叠式便携电话时的一例。
图7的折叠式便携电话由第一壳体6100和第二壳体6200构成。
第一壳体6100中设有扬声器6101、显示控制器6102和本实施例的面板衬底。另外6000表示衬底，6002表示对置衬底。
第二壳体6200中设有天线6201、话筒6202、本体驱动用组件6203、操作按钮组件6204和电池6205。
图7(A)表示折叠式便携电话打开的状态，使用者可看见第一像素部6010中映出的图像。
图7(B)表示折叠式便携电话闭合的状态，使用者可看到第二像素部6020上映出的图像。这时，使用者不能看到第一像素部6010，因此无需在第一像素部6010上显示图像。
图7(C)是折叠式便携电话打开状态下的剖视图，第一像素部6010的发光方向是6013，第二像素部6020的发光方向是6023。
工业上的利用可能性
如上所述，依据本发明，在设有发光元件的发光装置，特别是设有这样的发光装置的便携电话、PDA(Personal Digtal Assistance)等的便携信息终端上，可双屏显示，且可提供薄型且轻量的发光装置。

Claims (18)

1.一种发光装置，其特征在于：
衬底上设有将多个第一像素矩阵状配置的第一像素部；
在所述衬底上与所述第一像素部不同的位置，设有将多个第二像素矩阵状配置的第二像素部；
所述多个第一像素各自设有第一发光元件；
所述多个第二像素各自设有第二发光元件；
所述第一发光元件和所述第二发光元件的发光方向表里相反。
2.一种发光装置，其特征在于：
在具有表面及内面的衬底上设有将多个第一像素矩阵状配置的第一像素部；
在所述衬底上与所述第一像素部不同的位置，设有将多个第二像素矩阵状配置的第二像素部；
所述多个第一像素各自设有从所述面板衬底表面沿所述衬底内面向所述面板衬底表面的方向发射光的第一发光元件；
所述多个第二像素各自设有从所述衬底内面沿所述衬底表面向所述衬底内面的方向发射光的第二发光元件。
3.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于：
所述第一发光元件中设有第一像素电极、第一电场发光层和第一对置电极；
所述第一像素部从所述第一对置电极侧出射光；
所述第二发光元件中设有第二像素电极、第二电场发光层和第二对置电极；
所述第二像素部从所述第二像素电极侧出射光。
4.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于：从所述第一发光元件和所述第二发光元件的出射光方向由反射膜的有无来确定。
5.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于设有：
使所述第一像素部动作的第一驱动部，以及
使所述第二像素部动作的第二驱动部。
6.如权利要求5所述的发光装置，其特征在于设有：
向所述第一驱动部和所述第二驱动部提供信号或电压的布线，以及
驱动所述第一像素部或所述第二像素部之任一方的部件。
7.一种电子设备，其特征在于：采用权利要求1或2所述的发光装置。
8.如权利要求7所述的电子设备，其特征在于：所述电子设备为便携电话。
9.如权利要求7所述的电子设备，其特征在于：所述电子设备为个人数字助理。
10.一种发光装置，其特征在于：
在衬底上包括设有第一发光元件的第一像素部和设有第二发光元件的第二像素部；
所述第一发光元件包括设有第一反射膜的第一像素电极、在所述第一像素电极上的第一电场发光层和在所述第一电场发光层上的第一对置电极；
所述第二发光元件包括第二像素电极、在所述第二像素电极上的第二电场发光层、在所述第二电场发光层上的第二对置电极和在所述第二对置电极上的第二反射膜；
所述第一像素部与所述第二像素部配置在不同位置；
所述第一发光元件和所述第二发光元件发光的方向相反。
11.一种发光装置，其特征在于：
在衬底上包括设有第一发光元件的第一像素部和设有第二发光元件的第二像素部；
所述第一发光元件包括设有第一反射膜的第一像素电极、在所述第一像素电极上的第一电场发光层和在所述第一电场发光层上的第一对置电极；
所述第二发光元件包括第二像素电极、在所述第二像素电极上的第二电场发光层、在所述第二电场发光层上的第二对置电极和在所述第二对置电极上的第二反射膜；
所述第一像素部与所述第二像素部配置在不同位置；
所述第一发光元件从所述第一像素电极向所述第一对置电极发光；
所述第二发光元件从所述第二对置电极向所述第二像素电极发光。
12.如权利要求10或11所述的发光装置，其特征在于设有：
使所述第一像素部动作的第一驱动部，以及
使所述第二像素部动作的第二驱动部。
13.如权利要求12所述的发光装置，其特征在于设有：
向所述第一驱动部和所述第二驱动部提供信号或电压的布线，以及
驱动所述第一像素部或所述第二像素部之任一方的部件。
14.一种电子设备，其特征在于：采用权利要求10或11所述的发光装置。
15.一种便携电话，其特征在于：采用权利要求10或11所述的发光装置。
16.一种个人数字助理，其特征在于：采用权利要求10或11所述的发光装置。
17.如权利要求10或11所述的发光装置，其特征在于：所述第一反射膜和所述第二反射膜的至少一方用铝形成。
18.如权利要求10或11所述的发光装置，其特征在于：所述第一对置电极和所述第二对置电极的至少一方用透明导电膜形成。
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Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7265383B2 (en) * 2002-12-13 2007-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR101019140B1 (ko) * 2002-12-26 2011-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
KR101179155B1 (ko) 2002-12-27 2012-09-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP4430010B2 (ja) 2003-01-24 2010-03-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP4531341B2 (ja) * 2003-02-28 2010-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電子機器
US20060063028A1 (en) * 2003-04-08 2006-03-23 Leurs Jeroom Frans M Two sided light emitting device
US7566902B2 (en) * 2003-05-16 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
US7622863B2 (en) * 2003-06-30 2009-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device including first and second light emitting elements
US7772756B2 (en) * 2003-08-01 2010-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device including a dual emission panel
JP4316960B2 (ja) 2003-08-22 2009-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
JP4485184B2 (ja) * 2003-12-15 2010-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電子機器
US8681140B2 (en) 2004-05-21 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus having the same
JP4619186B2 (ja) 2005-04-19 2011-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2007095733A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置および電子機器
TWI398705B (zh) * 2005-11-04 2013-06-11 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置
US20070120478A1 (en) * 2005-11-28 2007-05-31 Au Optronics Corporation Double-sided display device and method of making same
WO2007063782A1 (en) * 2005-11-30 2007-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1793264A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2007072766A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1804114B1 (en) * 2005-12-28 2014-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1804115A1 (en) * 2005-12-28 2007-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101238721B1 (ko) 2006-01-07 2013-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 그 제조방법
KR100645707B1 (ko) 2006-01-27 2006-11-15 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
EP1826604B1 (en) * 2006-01-31 2015-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1832915B1 (en) * 2006-01-31 2012-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with improved contrast
KR20080092466A (ko) * 2006-02-02 2008-10-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
EP1816508A1 (en) 2006-02-02 2007-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1826605A1 (en) 2006-02-24 2007-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1826606B1 (en) 2006-02-24 2012-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101362190B1 (ko) * 2007-04-02 2014-02-12 엘지디스플레이 주식회사 고분자 분산형 액정 표시장치 및 그 제조 방법
US8608359B2 (en) * 2008-01-30 2013-12-17 Kyocera Corporation Mobile terminal having a light source and a light reflector within the mobile terminal to illuminate the mobile terminal
JP5110582B2 (ja) * 2008-01-30 2012-12-26 京セラ株式会社 携帯端末
JP2010008523A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Sony Corp 表示装置
KR101954981B1 (ko) * 2010-09-24 2019-03-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101904467B1 (ko) * 2012-07-25 2018-10-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
JP5921481B2 (ja) * 2013-03-28 2016-05-24 株式会社ジャパンディスプレイ 両面表示装置
KR102092705B1 (ko) * 2013-08-16 2020-03-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
JP2015204237A (ja) * 2014-04-15 2015-11-16 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置および有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
KR102490885B1 (ko) * 2015-08-21 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112071463B (zh) * 2020-09-07 2022-03-18 陕西科技大学 一种氮化碳电极材料的制备方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10255976A (ja) * 1997-03-11 1998-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子およびその製造方法
JP2001051251A (ja) * 1999-08-12 2001-02-23 Seiko Epson Corp 電気光学装置およびそれを用いた電子機器
CN1310569A (zh) * 2000-02-23 2001-08-29 摩托罗拉公司 具有双面液晶显示器的通信装置
JP2001305525A (ja) * 2000-04-18 2001-10-31 Hosiden Corp 液晶表示素子
JP2001312228A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置、表示方法と表示部内蔵携帯型装置
JP2001332392A (ja) * 2000-05-19 2001-11-30 Sony Corp 両面発光型有機エレクトロルミネッセンス素子、両面発光型有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び電子機器
JP2001356714A (ja) * 2000-06-12 2001-12-26 Alpine Electronics Inc 表示装置
CN1366290A (zh) * 2001-01-17 2002-08-28 精工爱普生株式会社 备有有机电致发光显示装置的电子装置
US6466292B1 (en) * 1999-06-17 2002-10-15 Lg Information & Communications, Ltd. Dual sided liquid crystal display device and mobile telecommunication terminal using the same

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01253791A (ja) 1988-04-01 1989-10-11 Hosiden Electron Co Ltd 液晶表示パネル
JPH02134696A (ja) 1989-04-12 1990-05-23 Seiko Epson Corp 音発生装置
US6067082A (en) 1992-11-09 2000-05-23 Enmei; Toshiharu Portable communicator
TW295652B (zh) * 1994-10-24 1997-01-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP3078188B2 (ja) 1994-11-29 2000-08-21 シャープ株式会社 液晶表示装置及び電子機器
JPH10268250A (ja) 1997-03-26 1998-10-09 Seiko Epson Corp 液晶パネルおよび液晶表示装置並びに電子機器
FI104658B (fi) 1997-05-26 2000-03-15 Nokia Mobile Phones Ltd Kahden näytön näyttöjärjestely ja päätelaite
JP4027465B2 (ja) * 1997-07-01 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型表示装置およびその製造方法
US6035180A (en) 1997-10-07 2000-03-07 Ericsson Inc. Communication module having selectively programmable exterior surface
JP3433074B2 (ja) * 1997-11-18 2003-08-04 株式会社東芝 液晶表示装置
US6304309B1 (en) * 1998-03-19 2001-10-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JP2000173766A (ja) * 1998-09-30 2000-06-23 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2001155856A (ja) 1998-10-30 2001-06-08 Tdk Corp 有機ｅｌ表示装置
WO2000031714A1 (fr) * 1998-11-26 2000-06-02 Seiko Epson Corporation Dispositif optronique et son procede de production, et materiel optronique
US6281552B1 (en) * 1999-03-23 2001-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistors having ldd regions
US6512504B1 (en) * 1999-04-27 2003-01-28 Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
JP3942770B2 (ja) * 1999-09-22 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置及び電子装置
US6833668B1 (en) * 1999-09-29 2004-12-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display device having a desiccant
TWI282697B (en) 2000-02-25 2007-06-11 Seiko Epson Corp Organic electroluminescence device
US7194085B2 (en) * 2000-03-22 2007-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
JP4286428B2 (ja) 2000-03-27 2009-07-01 京セラ株式会社 携帯無線機
JP3670192B2 (ja) 2000-03-30 2005-07-13 京セラ株式会社 携帯無線機および表示内容変更方法
JP2001297885A (ja) 2000-04-12 2001-10-26 Tsuchiya Kogyo Kk エレクトロルミネセンス・パネル及びその製造方法
JP2001345184A (ja) 2000-06-01 2001-12-14 Nippon Menbrane:Kk エレクトロルミネセンス素子及び表示装置
JP2002072963A (ja) 2000-06-12 2002-03-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光モジュールおよびその駆動方法並びに光センサ
JP2002006787A (ja) 2000-06-26 2002-01-11 Citizen Watch Co Ltd カラー液晶表示装置
JP2002014336A (ja) 2000-06-29 2002-01-18 Casio Comput Co Ltd 反射／透過素子及び反射／透過型液晶表示装置
JP3479266B2 (ja) 2000-08-04 2003-12-15 埼玉日本電気株式会社 無線通信機
JP3530475B2 (ja) * 2000-09-25 2004-05-24 三洋電機株式会社 折畳式通信端末装置および情報表示方法
JP2002123208A (ja) * 2000-10-13 2002-04-26 Nec Corp 画像表示装置およびその駆動方法
JP2002148604A (ja) 2000-11-07 2002-05-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置およびそれを用いた携帯型情報通信装置
JP2002158757A (ja) 2000-11-22 2002-05-31 Mitsubishi Electric Corp 携帯電話
KR100828351B1 (ko) * 2001-04-17 2008-05-08 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 적용한 디스플레이 장치
JP2002343564A (ja) 2001-05-18 2002-11-29 Sharp Corp 転写用フィルムおよびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4209606B2 (ja) * 2001-08-17 2009-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
GB0130176D0 (en) * 2001-12-18 2002-02-06 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent display device
CN101673508B (zh) * 2002-01-18 2013-01-09 株式会社半导体能源研究所 发光器件
JP4120259B2 (ja) 2002-04-26 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
JP4217426B2 (ja) 2002-05-28 2009-02-04 シャープ株式会社 両面表示装置
JP2004070225A (ja) * 2002-08-09 2004-03-04 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
TWI266106B (en) 2002-08-09 2006-11-11 Sanyo Electric Co Display device with a plurality of display panels
JP4234376B2 (ja) * 2002-08-28 2009-03-04 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置及び電子機器
US7265383B2 (en) * 2002-12-13 2007-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR101019140B1 (ko) * 2002-12-26 2011-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
JP4098747B2 (ja) * 2003-05-28 2008-06-11 三星エスディアイ株式会社 両面発光型表示装置
KR100527191B1 (ko) * 2003-06-03 2005-11-08 삼성에스디아이 주식회사 저저항 캐소드를 사용하는 유기 전계 발광 소자
KR20050029426A (ko) * 2003-09-22 2005-03-28 삼성에스디아이 주식회사 칼라필터층 또는 색변환층을 갖는 풀칼라 유기전계발광소자

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10255976A (ja) * 1997-03-11 1998-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子およびその製造方法
US6466292B1 (en) * 1999-06-17 2002-10-15 Lg Information & Communications, Ltd. Dual sided liquid crystal display device and mobile telecommunication terminal using the same
JP2001051251A (ja) * 1999-08-12 2001-02-23 Seiko Epson Corp 電気光学装置およびそれを用いた電子機器
CN1310569A (zh) * 2000-02-23 2001-08-29 摩托罗拉公司 具有双面液晶显示器的通信装置
JP2001305525A (ja) * 2000-04-18 2001-10-31 Hosiden Corp 液晶表示素子
JP2001312228A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置、表示方法と表示部内蔵携帯型装置
JP2001332392A (ja) * 2000-05-19 2001-11-30 Sony Corp 両面発光型有機エレクトロルミネッセンス素子、両面発光型有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び電子機器
JP2001356714A (ja) * 2000-06-12 2001-12-26 Alpine Electronics Inc 表示装置
CN1366290A (zh) * 2001-01-17 2002-08-28 精工爱普生株式会社 备有有机电致发光显示装置的电子装置

Also Published As

Publication number Publication date
US7265383B2 (en) 2007-09-04
US7615785B2 (en) 2009-11-10
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AU2003289259A1 (en) 2004-07-09
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US8389997B2 (en) 2013-03-05
TW200428100A (en) 2004-12-16

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