CN100351693C - 电光装置、电子设备和电光装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于，在电光装置中在以简单的结构实现小型化和高精度化的同时进行高质量的显示。在基板上设置数据线、扫描线、薄膜晶体管、存储电容、屏蔽层和像素电极。屏蔽层以配置在存储电容上的多个层间绝缘膜为基底在像素间的非开口区域内形成，并且由通过一气地贯通多个层间绝缘膜的接触孔与存储电容的固定电位侧电极电连接的第1导电性遮光膜构成。此外，屏蔽层与存储电容的固定电位侧电极电连接，像素电极配置在屏蔽层的更上层侧并且通过以多个层间绝缘膜为基底形成的一气地贯通多个层间绝缘膜的像素电极用接触孔与存储电容的像素电位侧电极电连接。

Description

电光装置、电子设备和电光装置的制造方法

技术领域

本发明涉及例如液晶装置等的电光装置以及例如液晶投影机等的电子设备的技术领域。

背景技术

这种电光装置，在基板上具备：像素电极、用来进行该像素电极的选择性的驱动的扫描线、数据线、以及作为像素开关用元件的TFT(薄膜晶体管)，并构成为可进行有源矩阵驱动。此外，有时为了高对比度化(提高对比度)等的目的在TFT与像素电极之间设置存储电容。以上的构成要素被以高密度制作到基板上，从而可以实现像素开口率的提高或装置的小型化(例如，参看专利文献1)。

这样，对于电光装置要求进一步的显示的高质量化或小型化和高精细化，除上述的以外还采取了各种各样的措施。例如，当向TFT的半导体层上照射光时，由于会发生光漏泄电流而使显示质量降低，所以在该半导体层的周围设置遮光层。此外，虽然优选存储电容的容量尽可能地大，但反之又希望采用不牺牲像素开口率的设计。而且，为了使装置小型化，优选地这些电路要素以高密度制作到基板上。

专利文献1：特开2002-156652号公报

但是，在现有的结构中，以层间绝缘膜介于中间而被多层化的上述的布线或TFT、像素电极等要通过接触孔来实现相互间的连接。这样的电连接，虽然根据位置或者是通过垂直地截断若干层的层间绝缘膜的路径进行，或者是通过纵切若干层的层间绝缘膜的路径进行，但是，由于难以形成这样的深度的接触孔，所以要采用在适当的层间绝缘膜上设置中继层而分级地设置接触孔的方法。为此，产生了以下的技术上的问题。

首先，以截断层间绝缘膜的方式连接的接触孔，从平面看形成在彼此错开的不同的位置上。为此，就难以缩小从平面看的被连接的接触孔整体的形成区域的尺寸，因而难以应对今后的窄间隙化。此外，在这种情况下，由于接触孔彼此之间无论是从平面看还是从垂直剖面看相互的位置都错开，所以在该接触孔彼此之间穿过(漏过)的光就会入射到TFT上而往往会成为产生光漏泄电流的原因。此外，由于通过以中继层介于中间而分级地设置接触孔使得基板上的叠层结构复杂化，因而工序数量也要增加，因此存在使制造效率或成品率降低的可能性。

发明内容

本发明就是鉴于例如上述的问题而提出的，其目的在于提供在以简单的结构实现小型化和高精度化的同时可进行高质量的显示的电光装置、具备这样的电光装置而构成的电子设备、以及可以容易地制造这样的电光装置的电光装置的制造方法。

为了解决上述课题，本发明的电光装置，其特征在于，具备：在基板上彼此交叉地进行延伸的数据线和扫描线；在上述基板上平面看与上述数据线和扫描线的交叉区域对应地配置的薄膜晶体管；在比上述薄膜晶体管更上层一侧形成的、具有以电介质膜介于中间而相对配置的固定电位侧电极和像素电位侧电极的存储电容；配置在上述存储电容上的多个层间绝缘膜；在像素间的非开口区域内把上述多个层间绝缘膜一气地(一并地)贯通的接触孔；在上述层间绝缘膜上形成的、并且由通过上述接触孔与上述存储电容的固定电位侧电极电连接的第1导电性遮光膜构成的屏蔽层；在比上述屏蔽层更上层一侧的层间绝缘膜上形成的、通过上述存储电容的像素电位侧电极与上述薄膜晶体管电连接的像素电极。

根据本发明的电光装置，其具备扫描线和数据线、薄膜晶体管、存储电容、屏蔽层和像素电极。这些各个构成要素在基板上以层间绝缘膜介于中间而叠层。此外，薄膜晶体管通过构成为从数据线对扫描线所选择的像素位置的像素电极施加数据信号而可进行有源矩阵驱动。此外，通过使存储电容介于薄膜晶体管与像素电极之间，可以提高像素电极的电位保持特性，从而可以实现显示的高对比度化。此外，具有遮光功能的规定各个像素的非开口区域或者对薄膜晶体管的半导体层进行遮光的屏蔽层，通过与存储电容的固定电位侧电极电连接从而还具有作为电容线的功能。

该屏蔽层，在配置在存储电容上的多个层间绝缘膜之上在非开口区域内平面地形成。即，在屏蔽层与存储电容的固定电位侧电极之间叠层有这些多个层间绝缘膜。另外，屏蔽层与固定电位侧电极通过一气地贯通这些多个层间绝缘膜的接触孔进行电连接。

在这里所说的“接触孔”指的是为了使在层间绝缘膜的上下形成的导电层彼此导通而在厚度方向上贯通层间绝缘膜的孔，例如，包括使上侧的导电层其内部落下而结果与下侧的导电层接触的情况(即，所谓的接触孔的情况)或把导电材料埋入到内部，使其一端与上侧的导电层接触，使另一端与下侧的导电层接触的情况(即，形成为插塞的情况)。

一般来说，屏蔽层与固定电位侧电极的电连接，作为与本发明不同的结构，例如可以采用在层间绝缘膜的层间设置中继层，通过中继层把在中继层的上下的层间绝缘膜上形成的接触孔彼此连接起来的方法实现。但是，如果这样的话，由于在屏蔽层与固定电位侧电极之间必须形成多个接触孔，由于各个接触孔无论从平面上还是从剖面上看都设置在不同的位置上，所以这些一连串的接触孔整体的形成区域比其单一的接触孔的形成区域要大好几倍。此外，光穿过这些接触孔彼此间向TFT入射，常常会成为光漏泄电流发生的原因。

对此，在本发明中，由于单一的接触孔一气地贯通多个层间绝缘膜而确保屏蔽层与固定电位侧电极之间的电连接，所以可以缩小其形成区域，可以实现窄间隙化。此外，由于接触孔是单一的，所以可以防止其形成区域中的光漏泄。即，该接触孔在比屏蔽层更下的下层上发挥遮光功能，从而可以进行更确实的遮光。

因此，本发明的电光装置，在通过窄间隙化而可以实现小型化和高精度化的同时，还可以防止光漏泄电流的发生，可以维持提高显示质量。

在本发明的电光装置的一种实施方式中，还具备平面看配置在上述非开口区域内并且配置在上述多个层间绝缘膜的层间的第2导电性遮光膜；上述接触孔，平面看贯通上述非开口区域中未形成上述第2导电性遮光膜的区域，上述像素电极对上述第2导电性遮光膜的一部分进行中继而与上述像素电位侧电极电连接。

根据这种实施方式，从剖面上看在屏蔽层与存储电容的固定电位侧电极之间形成有第2导电性遮光膜。因此，可以进一步地提高薄膜晶体管的遮光效果。此外，设置上述接触孔的区域，虽然被限定于从平面看未形成第2导电性遮光膜的区域，但由于该接触孔是单一的，所以可以比较容易地满足该要求。换言之，从平面看，可以在减小未形成第2导电性遮光膜的区域的同时，使1个接触孔通过该区域。

另一方面，像素电极对第2导电性遮光膜的一部分进行中继而与存储电容的像素电位侧电极电连接。通过这样地有效地高密度地配置各个构成要素，可以实现像素开口率的提高或窄间隙化。

在该实施方式中，上述数据线也可以由上述第2导电性遮光膜的另外的一部分构成。即，也可以构成为上述数据线配置在配置有上述第2导电性遮光膜的层间绝缘膜之上，并用与上述第2导电性遮光膜相同的材料构成。

通过这样地配置数据线，可以实现效率好的集成化，并且还可以防止数据线、像素电极间的电容耦合。即，数据线位于从剖面看以屏蔽层介于中间与像素电极相对的位置上。如上所述，与固定电位侧电极连接的屏蔽层，还起着电磁屏蔽层的作用，可以降低对应数据线的通电而在像素电极上产生电位变化的可能性。因此，可进行更高质量的显示。

在本发明的电光装置的另一实施方式中，上述接触孔的一侧缘，平面看沿着上述薄膜晶体管的一端延伸。

根据该实施方式，接触孔从斜上方对薄膜晶体管进行遮光。由于该接触孔位于屏蔽层与存储电容之间，与第1和第2导电性遮光膜等的其它的遮光膜比较在薄膜晶体管的附近进行遮光，所以可以有效地防止光漏泄电流的发生，从而可以维持提高显示质量。

在本发明的电光装置的另一实施方式中，上述接触孔平面看以至少一部分与上述薄膜晶体管的一端重叠的方式配置。

根据该实施方式，接触孔的至少一部分恰好从上面对薄膜晶体管进行遮光。因此，相对于薄膜晶体管，可以防止在叠层结构的内部进行漫反射的光的一部分从上方入射，可以维持提高显示质量。

在本发明的电光装置的另一实施方式中，上述接触孔，在上述非开口区域的延伸方向上与上述薄膜晶体管并列，在上述非开口区域的宽度方向上，上述接触孔的宽度等于或大于上述薄膜晶体管的沟道区域的长度(沟道长度)。

根据该实施方式，由于接触孔从平面看在非开口区域的延伸方向上与薄膜晶体管的整体正对，所以可以通过其侧壁面或底面对薄膜晶体管良好地进行遮光。

在本发明的电光装置的另一实施方式中，上述接触孔，被形成为插塞。

根据该实施方式，由于接触孔被形成为插塞，所以孔径小的一方易于在内部埋入导电材料，所以优选地采用小的孔径。因此，可以容易地缩小从平面看的形成区域，可以使像素间隙变窄。特别是通过用导电性的遮光膜进行插塞，还可以进一步地提高该接触孔附近的遮光性能。

在本发明的电光装置的另一实施方式中，上述接触孔，纵横比小于等于1。

其中，把接触孔的纵横比定义为接触孔的深度对接触孔的宽度的比率。

根据该实施方式，则接触孔形成为底面的宽度比深度更大。由于接触孔的深度由层间绝缘膜的厚度决定，所以这意味着从结果上看该接触孔相对地说(例如，与其它的接触孔比)是大口径的。由于形成为该接触孔的底面被作为遮光膜的屏蔽层覆盖，所以可以通过使其面积增大可以良好地防止光漏泄，从而可以提高遮光效果。

此外，象该接触孔这样地贯通多层的深的孔，如果孔径窄，则会使在接触孔内形成的导电膜的覆盖率降低，因而会有在导电膜上产生不连续部分的可能性。但是，如果纵横比小于等于1，则在内部形成的导电膜的覆盖率就好，从而可以防止连接不良的发生。

在该接触孔的纵横比小于等于1的实施方式中，也可以使上述接触孔通过在上述屏蔽层上形成的基底膜埋入，并对上述基底膜的表面实施平坦化处理。

根据该实施方式，则接触孔由基底层埋入。在形成后的基底层表面上，会产生由于大口径的接触孔产生的比较大的凹陷。于是，如果通过例如化学的研磨处理(Chemical Mechanical Polishing：CMP化学机械研磨)或研磨处理等的平坦化处理除去这样形成的凹凸，则可以使基底层表面平坦化。

例如，在把液晶等的电光物质夹在具有这样的叠层结构的基板和与之相对地对置基板之间的情况下，由于基板表面是平坦的，所以可以减少在电光物质的取向状态产生的紊乱的可能性，从而可进行更高质量的显示。

此外，本发明的电光装置，其特征在于，具备：在基板上彼此交叉地进行延伸的数据线和扫描线；在上述基板上平面看与上述数据线和扫描线的交叉区域对应地配置的薄膜晶体管；在比上述薄膜晶体管更上层一侧形成的、具有以电介质膜介于中间而相对配置的固定电位侧电极和与上述薄膜晶体管电连接的像素电位侧电极的存储电容；配置在上述存储电容上的多个层间绝缘膜；由在比上述存储电容更上层一侧且平面看在像素间的非开口区域内的上述多个层间绝缘膜之间形成的、同时与上述固定电位侧电极电连接的第1导电性遮光膜构成的屏蔽层；把上述多个层间绝缘膜作为基底形成的、平面看在上述非开口区域内在不存在上述屏蔽层的区域将上述多个层间绝缘膜一气地贯通的像素电极用接触孔；通过上述像素电极用接触孔与上述存储电容的像素电位侧电极电连接的像素电极。

根据本发明的电光装置，其具备扫描线和数据线、薄膜晶体管、存储电容、屏蔽层和像素电极。这些各个构成要素，在基板上以层间绝缘膜介于中间叠层。此外，薄膜晶体管通过构成为从数据线对扫描线所选择的像素位置的像素电极施加数据信号而可进行有源矩阵驱动。并且，由于使存储电容介于薄膜晶体管与像素电极之间，所以可以提高像素电极的电位的保持特性，从而可以实现显示的高对比度化。此外，具有遮光功能的屏蔽层，通过与存储电容的固定电位侧电极进行电连接从而还具有作为电容线的功能。

像素电极被配置在比该屏蔽层的更上层。此外，在像素电极之下，叠层有多个层间绝缘膜，像素电极通过一气地贯通这些多个层间绝缘膜的像素电极用接触孔与存储电容的像素电位侧电极电连接。

在本发明中，所说的“接触孔”指的是为了使在层间绝缘膜的上下形成的导电层彼此导通而在厚度方向上贯通层间绝缘膜的孔，例如，包括使上侧的导电层其内部落下而结果与下侧的导电层接触的情况(即，所谓的接触孔的情况)或把导电材料埋入到内部，使其一端与上侧的导电层接触，使另一端与下侧的导电层接触的情况(即，形成为插塞的情况)。

一般地说，像素电极与固定电位侧电极的电连接，作为与本发明不同的结构，例如可以采用在层间绝缘膜的层间设置中继层，通过中继层把在中继层的上下的层间绝缘膜上形成的接触孔彼此连结起来的方法实现。但是，如果这样的话，由于在像素电极与固定电位侧电极之间必须形成多个接触孔，而各个接触孔无论从平面上还是从剖面上看都设置在不同的位置上，所以这些一连串的接触孔整体的形成区域比单一的接触孔的形成区域要大好几倍。

对此，在本发明中，在屏蔽层的旁边单一的接触孔一气地贯通多个层间绝缘膜，利用这一点，由于可以确保像素电极与像素电位侧电极的电连接，所以可以缩小该接触孔的形成区域，而可以实现窄间隙化。此外，由于接触孔是单一的，所以可以使结构变得简单。

因此，本发明的电光装置，在可以通过窄间隙化实现小型化和高精度化的同时，还可以采用简单的结构使制造变得容易。

在本发明的电光装置的一种实施方式中，上述像素电极用接触孔平面看沿着上述非开口区域的延伸方向延伸。

根据该实施方式，通过像素电极用接触孔形成在非开口区域的延伸方向上延伸得长的形状，可以避开其它的接触孔而争取到底面积。如像素电极用接触孔那样贯通多层的深的孔，如果孔径狭窄，则会使在接触孔内形成的导电膜的覆盖率降低，从而会有在导电膜上产生不连续部分的可能性。但是，在该实施方式中，由于像素电极用接触孔至少在非开口区域的延伸方向上孔径增大，所以可以防止这样的连接不良的发生。

在本发明的电光装置的另一实施方式中，上述像素电极用接触孔，被形成为插塞。

根据该实施方式，由于内部要埋入导电材料的原因，像素电极用接触孔的孔径就要减小。因此，可以比较容易地缩小从平面看的形成区域，可以使像素间隙变窄。

在本发明的电光装置的另一实施方式中，上述像素电极用接触孔，纵横比小于等于1。

其中，接触孔的纵横比定义为接触孔的深度对接触孔的宽度的比率。

根据该实施方式，像素电极用接触孔被形成为底面的宽度比深度大。由于接触孔的深度由层间绝缘膜的厚度决定，所以这意味着从结果上看像素电极用接触孔相对地(例如，与其它的接触孔比)是大口径的。通过这样地增大像素电极用接触孔的底面，可以很好地防止光漏泄，从而可以提高遮光效果。

此外，象该接触孔这样地贯通多层的深的孔，如果孔径窄，则会使在接触孔内形成的导电膜的覆盖率降低，因而会有在导电膜上产生不连续部分的可能性。但是，纵横比小于等于1的像素电极用接触孔，则可以防止这样的连接不良的发生，与孔径窄的情况相比形成开口本身也可以容易地进行。

在本发明的电光装置的另一实施方式中，还具备配置在上述屏蔽层与上述固定电位侧电极的层间并且平面看配置在上述非开口区域内的第2导电性遮光膜；上述像素电极，通过上述像素电极用接触孔与上述第2导电性遮光膜的一部分一气地连接。

根据该实施方式，则从剖面看在上述屏蔽层与存储电容的固定电位侧电极之间形成有第2导电性遮光膜。因此，可以进一步地提高薄膜晶体管的遮光效果。此外，像素电极通过像素电极用接触孔对第2导电性遮光膜的一部分进行中继而与存储电容的像素电位侧电极连接。通过高效率地集成各个构成要素，还可以实现像素开口率的提高或窄间隙化。

在该实施方式中，也可以构成为上述数据线由上述第2导电性遮光膜的另一部分构成。

通过这样地配置数据线，在可以实现效率良好的集成化的同时，可以防止数据线与像素电极间的电容耦合。即，数据线从剖面看位于以屏蔽层介于中间与像素电极相对的位置上。如上所述，与固定电位侧电极连接的屏蔽层也起着电磁屏蔽层的作用，可以减小对应数据线的通电而在像素电极上产生电位变化的可能性。因此，可进行更高质量的显示。

此外，在本发明的电光装置的另一实施方式中，上述屏蔽层，把叠层到上述多个层间绝缘膜中比上述屏蔽层更下层一侧的1个层间绝缘膜和配置在上述存储电容上的另一层间绝缘膜作为基底形成，平面看在上述非开口区域内通过在不存在上述第2导电性遮光膜的区域一气地贯通上述一个和另一个层间绝缘膜的屏蔽层用接触孔与上述固定电位侧电极电连接。此外，在该情况下，叠层到比上述屏蔽层更下层一侧的上述一个层间绝缘膜，是含于上述像素电极用接触孔所贯通的上述多个层间绝缘膜内的层间绝缘膜，优选地上述屏蔽层用接触孔配置为比上述像素电极用接触孔更接近上述薄膜晶体管。

根据该实施方式，则各自的像素电极用接触孔和屏蔽层用接触孔都被形成为一气地贯通多个绝缘层。因此，可以省去对每一个层间绝缘膜设置接触孔或在层间绝缘膜的层间形成中继层麻烦。

特别是在该情况下，像素电极用接触孔设置在像素电极与第2导电性遮光膜之间，屏蔽层用接触孔以第2导电性遮光膜介于中间设置在屏蔽层与固定电位侧电极之间。即，屏蔽层用接触孔，贯通(1)在屏蔽层之下配置在像素电极用接触孔所到达的第2导电性遮光膜之上的层间绝缘膜和(2)在比第2导电性遮光膜的更下层的存储电容上的层间绝缘膜。

这些接触孔具有上下彼此不同的关系。因此，在对每一个层间绝缘膜分级式地设置接触孔的情况下，通过从剖面上看对于共同的层间绝缘膜同时开设2个相当于像素电极用接触孔和屏蔽层用接触孔的接触孔而省略了工序数。但是，即使是在该情况下，孔形成工序至少也要有3次。对此，在本实施方式中，只要简单地开设像素电极用接触孔和屏蔽层用接触孔的每一方即可，因而孔形成工序用2次即可。因此，可以削减工序数。

在设置屏蔽层用接触孔的实施方式中，上述屏蔽层用接触孔也可以形成为插塞。

在这种情况下，由于把屏蔽层用接触孔设计成为孔径小的插塞，所以可以缩小从平面看的形成区域。因此，可以使复杂的叠层结构的形成容易化，可以使像素间隙更窄。另外，如果把像素电极用接触孔也一起设计成为插塞，则可以进一步地实现窄间隙化。

在设置屏蔽层用接触孔的实施方式中，也可以使上述屏蔽层用接触孔的纵横比小于等于1。

屏蔽层用接触孔，由于在其内部形成了屏蔽层，所以具有遮光功能。在这种情况下，由于屏蔽层用接触孔的底面形成得大，所以可以良好地防止光漏泄，从而可以提高遮光效果。特别是由于该底面从剖面看位于存储电容的正上方，比屏蔽层等的其它的遮光膜更近地对薄膜晶体管进行遮光，所以可以更为确实地防止光漏泄电流的发生。

此外，当纵横比小于等于1时，由于成为浅的形状，所以可以抑制在屏蔽层用接触孔内形成的导电膜的覆盖率的降低而可以防止连接不良的发生，并且与孔径窄的情况相比，开口本身的形成也可以容易地进行。

为了解决上述课题，本发明的电子设备构成为具备上述的本发明的电光装置(其中包括各种实施方式)。

根据本发明的电子设备，由于具备上述的本发明的电光装置，所以可以实现可进行高质量的显示的投影型显示装置、液晶电视、移动电话、电子记事簿，文字处理器、取景器式或监视器直视式视频磁带录像机、工作站、可视电话、POS终端、触摸面板等的各种电子设备。除此之外，作为本发明的电子设备，也可以实现电子纸等的电泳装置或利用电子发射元件的显示装置(Field Emission Display和Surface-ConductionElectron-Emitter Display，场致发射显示器和表面传导电子发射显示器)等。

为了解决上述课题，本发明的电光装置的制造方法，该电光装置具备：在基板上彼此交叉地进行延伸的数据线和扫描线；与上述数据线和扫描线的交叉区域对应地配置的薄膜晶体管；在比上述薄膜晶体管更上层一侧形成的、像素电位侧电极与上述薄膜晶体管电连接的存储电容；由在比上述存储电容更上层一侧且在平面看像素间的非开口区域内形成的、与上述存储电容的固定电位侧电极电连接的第1导电性遮光膜构成的屏蔽层；在比上述屏蔽层更上层一侧形成的、通过上述存储电容的像素电位侧电极与上述薄膜晶体管电连接的像素电极；其特征在于，包括：在上述基板上平面看与上述数据线和扫描线的交叉区域对应的区域形成上述薄膜晶体管的工序；在比上述薄膜晶体管更上层一侧，形成上述存储电容的工序；在上述存储电容上，以使连接到上述存储电容的像素电位侧电极上的第2导电性遮光膜介于层间的方式叠层多个层间绝缘膜的工序；以在平面看上述非开口区域之中未形成上述第2导电性遮光膜的区域通过而将上述多个层间绝缘膜一气地贯通并达到上述存储电容的固定电位侧电极的方式，在上述多个层间绝缘膜的表面开设屏蔽层用接触孔的工序；在开设了上述屏蔽层用接触孔的层间绝缘膜表面形成上述屏蔽层的工序；在上述屏蔽层上，形成将成为上述像素电极的基底的基底层的工序；在上述基底层的表面，以将包含上述基底层的多个层一气地贯通并到达上述第2导电性遮光膜的一部分的方式，开设使上述像素电极电连接到上述第2导电性遮光膜的一部分上的像素电极用接触孔的工序；在开设了上述像素电极用接触孔的基底层表面，形成上述像素电极的工序。

在本发明的电光装置的制造方法中，在基板上，薄膜晶体管、存储电容、第2导电性遮光膜、屏蔽层和像素电极按照该顺序以层间绝缘膜介于中间被叠层。此外，屏蔽层与固定电位侧电极间通过一气地贯通其间的多个层间绝缘膜的屏蔽层用接触孔进行电连。此外，像素电极与第2导电性遮光膜间通过一气地贯通其间的多个层间绝缘膜的像素电极用接触孔进行电连。像素电极，在通过像素电极用接触孔导通的第2导电性遮光膜上直到存储电容的像素电位侧电极被中继，进而通过该像素电位侧电极与薄膜晶体管电连接。

这样，各自的像素电极用接触孔和屏蔽层用接触孔都被形成为一气地贯通多个层间绝缘膜。因此，可以省去对每一个层间绝缘膜设置接触孔或在层间绝缘膜的层间形成中继层的麻烦。特别是，这些接触孔在结构上被形成为上下彼此不同的关系。假定在对每一个层间绝缘膜分级式地设置接触孔的情况下，虽然通过从剖面看对于共同的层间绝缘膜同时形成2个相当于像素电极用接触孔和屏蔽层用接触孔的接触孔省略了工序数。但即使在该情况下，孔形成工序也至少需要3次。

对此，在本发明的电光装置的制造方法中，只要简单地开设像素电极用接触孔和屏蔽层用接触孔的各个即可，因而孔形成工序只用2次即可。因此，可以削减工序数，从而可以容易地进行制造。此外，通过设置这样的接触孔，如上所述，可以制造由于窄间隙化而实现了小型化和高精度化的电光装置。

本发明的这样的作用和其它的益处可以从接下来说明的实施例中得以了解。

附图说明

图1是表示电光装置的整体结构的平面图。

图2是图1的H-H’的剖面图。

图3是构成电光装置的图像显示区域的形成为矩阵状的多个像素部中的各种元件、布线等的等效电路。

图4是实施例1的TFT阵列基板上的像素群的平面图，该图仅表示下层部分(到图7中的标号70(存储电容)为止的下层部分)的结构。

图5是实施例1的TFT阵列基板上的像素群的平面图，该图仅表示上层部分(超过图7中的标号70(存储电容)之上的上层部分)的结构。

图6是把图4和图5重叠起来的情况下的平面图，是部分放大图。

图7是把图4和图5重叠起来的情况下的A-A’剖面图。

图8是将实施例2的TFT阵列基板上的像素群内的一部分放大表示的平面图。

图9是图8的B-B’剖面图。

图10是将实施例2的变形例的TFT阵列基板上的结构与图8对应地表示的平面图。

图11是实施例3的TFT阵列基板上的像素群的平面图，该图仅表示下层部分(到图14中的标号70(存储电容)为止的下层部分)的结构。

图12是实施例3的TFT阵列基板上的像素群的平面图，该图仅表示上层部分(超过图7中的标号70(存储电容)之上的上层部分)的结构。

图13是把图11和图12重叠起来的情况下的平面图，是部分放大图。

图14是把图11和图12重叠起来的情况下的A-A’剖面图。

图15是按照顺序表示实施例3的电光装置的制造工序的剖面图(其1)。

图16是按照顺序表示实施例3的电光装置的制造工序的剖面图(其2)。

图17是按照顺序表示实施例3的电光装置的制造工序的剖面图(其3)。

图18是按照顺序表示实施例3的电光装置的制造工序的剖面图(其4)。

图19是按照顺序表示实施例3的电光装置的制造工序的剖面图(其5)。

图20是按照顺序表示实施例3的电光装置的制造工序的剖面图(其6)。

图21是将实施例4的TFT阵列基板上的像素群中的一部分放大表示的平面图。

图22是图21的B-B’剖面图。

图23是表示作为本发明的电子设备的实施例的投影型彩色显示装置的一个例子的彩色液晶投影机的剖面图。

标号说明

1a-半导体层，2-栅极绝缘膜，3a-栅极电极，6a-数据线，9a-像素电极，10a-图像显示区域，11a-扫描线，30-TFT，70-存储电容，300-电容电极，400-电容布线，41～44-层间绝缘膜，801、804-接触孔，802、803、805-插塞。

具体实施方式

下面，参看附图对本发明的实施例进行说明。以下的实施例是把本发明的电光装置应用于液晶装置的实施例。

1.实施例1

首先，参看图1到图7对本发明的电光装置的实施例1进行说明。

1-1.电光装置的整体结构

首先，参看图1和图2对本实施例的电光装置的整体结构进行说明。图1是从对置基板侧看到的TFT阵列基板及在其上形成的各个构成部分的电光装置的平面图，图2是图1的H-H’剖面图。

在图1和图2中，在本实施例的电光装置中，TFT阵列基板10与对置基板20相对地配置。在TFT阵列基板10与对置基板20之间封入了液晶层50，TFT阵列基板10和对置基板20通过设置在位于图像显示区域10a的周围的密封区域上的密封部件52彼此粘合。

密封部件52由例如紫外线硬化树脂、热硬化树脂等构成，为了把两基板粘合在制造工艺中涂敷到TFT阵列基板10上后通过紫外线照射、加热等使之硬化。此外，在密封部件52中散布有为使TFT阵列基板10与对置基板20之间的间隔(基板间的间隙)成为规定值的玻璃纤维或玻璃微珠等的间隔材料。即，本实施例的电光装置作为投影机的光阀使用是小型的而且适合于进行放大显示。

在对置基板20侧与配置了密封部件52的密封区域的内侧并行地设置有规定图像显示区域10a的边框区域的遮光性的边框遮光膜53。但是，这样的边框遮光膜53的一部分或全部也可以在TFT阵列基板10侧作为内置遮光膜设置。

在位于图像显示区域10a的周边的周边区域内，在配置了密封部件52的区域的外侧沿着TFT阵列基板10的一边设置有数据线驱动电路101和外部电路连接端子102。扫描线驱动电路104被设置成沿着与该一边相邻的2边且被边框遮光膜53覆盖。此外，为了将这样地在图像显示区域10a的两侧设置的2个扫描线驱动电路104之间连接起来，多条布线105被设置成沿着TFT阵列基板10的剩下的一边且被边框遮光膜53覆盖。

此外，在对置基板20的4个拐角部配置有起两基板间的上下导通端子作用的上下导通部件106。另一方面，在TFT阵列基板10上与这些拐角部相对的区域上设置有上下导通端子。通过它们可以在TFT阵列基板10与对置基板20之间形成电导通。

在图2中，在TFT阵列基板10上，在像素开关用TFT或各种布线等的上形成像素电极9a，并在其上形成取向膜。另一方面，在对置基板20上，除了形成对置电极21之外，还形成网格状或条状的遮光膜23，且在其上形成取向膜。此外，液晶层50例如由把一种或多种的向列液晶混合起来的液晶构成，在这一对取向膜之间形成规定的取向状态。

另外，在TFT阵列基板10上，除去数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104等之外，例如，也可以形成对图像信号线上的图像信号采样后供往数据线的采样电路、先于图像信号向多条数据线的各条供给规定电压电平的预充电信号的预充电电路、用来检查制造过程中或出厂时的该电光装置的质量、缺陷的检查电路等。

1-2.图像显示区域的构成

下面，参看图3到图7对本实施例的电光装置的图像显示区域的结构进行说明。

图3表示本实施例的电光装置内的像素部的等效电路。图4到图6是表示TFT阵列基板上的像素部的部分结构的平面图。图4和图5分别相于后述的叠层结构内的下层部分(图4)和上层部分(图5)。图6是把图4和图5重叠起来的将叠层结构放大的平面图。图7是把图4和图5重叠起来的情况下的A-A’剖面图。另外，在图7中，为了将各层和各部件表示为在图上可以识别程度的大小，适宜地变更了这些各层和各部件的缩放比率。

1-2-1.像素部的原理性结构

如图3所示，在图像显示区域10a中，多条扫描线11a和多条数据线6a相交叉地排列，在其线间设置有通过各一条扫描线11a、数据线6a选择的像素部。在各个像素部设置有TFT30、像素电极9a和存储电容70。TFT30是为了向选择像素施加由数据线6a供给的图像信号S1、S2、…、Sn而设置的，栅极连接到扫描线11a上，源极连接到数据线6a上，漏极连接到像素电极9a上。在像素电极9a与后述的对置电极21之间形成液晶电容而把输入的图像信号S1、S2、…、Sn施加到像素部上并保持一定期间。存储电容70的一方的电极与像素电极9a并联后连接到TFT30的漏极上，另一方的电极连接到电位固定的电容布线400上以使之具有恒定电位。

该电光装置例如采用TFT有源矩阵驱动方式，按线顺序依次从扫描线驱动电路104(参看图1)向各条扫描线11a施加扫描信号G1、G2、…、Gm，并且对于由此TFT30成为导通状态的水平方向的选择像素部的列通过数据线6a施加来自数据线驱动电路101(参看图1)的图像信号S1、S2、…、Sn。这时，既可以按线顺序向各条数据线6a供给图像信号S1、S2、…、Sn，也可以用相同的定时向多条数据线6a(例如每组)供给图像信号S1、S2、…、Sn。由此，可以向与选择像素对应的像素电极9a供给图像信号。由于TFT阵列基板10以液晶层50介于中间与对置基板10相对地配置(参看图2)，所以通过如上所述地在分区排列的每个像素区域向液晶层50施加电场，可以对每个像素区域控制两基板间的透过光量而对图像进行灰度显示。此外，这时保持在各个像素区域的图像信号可通过存储电容70防止漏泄。

1-2-2.像素部的具体结构

下面，参看图4到图7对实现上述动作的像素部的具体结构进行说明。

在图4到图7中，上述的像素部的各个电路要素作为图形化了的叠层的导电膜构筑在TFT阵列基板10上。TFT阵列基板10，例如由玻璃基板、石英基板、SOI基板、半导体基板等构成，与例如由玻璃基板或石英基板构成的对置基板20相对配置。此外，各个电路要素从下边开始按照顺序由包括扫描线11a的第1层、包括栅极电极3a的第2层、包括存储电容70的固定电位一侧电容电极的第3层、包括数据线6a等的第4层、包括电容布线400等的第5层以及包括像素电极9a等的第6层构成。此外，分别地在第1层与第2层间设置基底绝缘膜12，在第2层与第3层间设置第1层间绝缘膜41，在第3层与第4层间设置第2层间绝缘膜42，在第4层与第5层间设置第3层间绝缘膜43，在第5层与第6层间设置第4层间绝缘膜44，以防止上述的各个要素间短路。另外，其中，从第1层到第3层作为下层部分示于图4，从第4层到第6层作为上层部分示于图5。

第1层的结构(扫描线等).

第1层由扫描线11a构成。扫描线11a是在由沿着图4的X方向延伸的本线部和在数据线6a或电容布线400所延伸的图4的Y方向上延伸的突出部构成的形状上进行了图形化。这样的扫描线11a，例如由导电性多晶硅构成，除此之外，也可通过含有钛(Ti)、铬(Cr)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)等的高熔点金属之中的至少一种的金属单体、合金、金属硅化物、聚硅化物或它们的叠层体等形成。

第2层的结构(TFT等).

第2层由TFT30和中继电极719构成。TFT30例如采用LDD(轻掺杂漏极Lightly Doped Drain)结构，具备栅极电极3a、半导体层1a、包括使栅极电极3a和半导体层1a绝缘的栅极绝缘膜的绝缘膜2。栅极电极3a例如用导电性多晶硅构成。半导体层1a例如由多晶硅构成，由沟道区域1a’、低浓度源区域1b和低浓度漏区域1c以及高浓度源区域1d和高浓度漏区域1e构成。另外，虽然优选TFT30具有LDD结构，但也可以是不向低浓度源区域1b和低浓度漏区域1c进行杂质注入的补偿结构，也可以是以栅极电极3a为掩模高浓度地注入杂质形成高浓度源区域和高浓度漏区域的自整合型结构。此外，中继电极719例如与栅极电极3a作为同一膜形成。

TFT30的栅极电极3a通过在基底绝缘膜12上形成的接触孔12cv与扫描线11a电连接。基底绝缘膜12例如由硅氧化膜等构成，除了具有第1层和第2层的层间绝缘功能之外，由于在TFT阵列基板10的整个面上形成，所以还具有防止由于基板表面的研磨产生的粗糙或污迹等引起的TFT30的元件特性的变化的功能。

第3层的结构(存储电容等).

第3层由存储电容70构成。存储电容70具有电容电极(存储电容的固定电位侧电极)300和下部电极(存储电容的像素电位侧电极)71以电介质膜75介于中间相对地配置的结构。其中，电容电极300电连到电容布线400上。下部电极71与TFT30的高浓度漏区域1e和像素电极9a各自电连接。

下部电极71与高浓度漏区域1e通过在第1层间绝缘膜41上形成了开口的接触孔83连接。此外，下部电极71与像素电极9a通过由接触孔881、882、804和89对中继电极719、第2中继电极6a2(第2导电性遮光膜)、第3中继电极402的各层进行中继所构成的路径电连接。

这样的电容电极300例如由至少包括Ti、Cr、W、Ta、Mo等的高熔点金属之中的一种的金属单体、合金、金属硅化物、聚硅化物以及把它们叠层的叠层体构成，或者优选地由钨硅化物构成。由此，电容电极具有遮挡从上侧向TFT30入射的光的功能。此外，下部电极71可使用例如导电性的多晶硅。

电介质膜75例如由膜厚5到200nm左右的比较薄的HTO(高温氧化物)膜、LTO(低温氧化物)膜等的氧化硅膜或氮化硅膜等构成。

此外，第1层间绝缘膜41例如可由NSG(非硅酸盐玻璃)形成。除此之外，第1层间绝缘膜41还可以使用PSG(磷硅酸盐玻璃)、BSG(硼硅酸盐玻璃)、BPSG(硼磷硅酸盐玻璃)等的硅酸盐玻璃、氮化硅或氧化硅等。

另外，由图4的平面图可知，由于这种情况下的存储电容70被形成为不延伸到与像素电极9a的形成区域大致对应的像素开口区域(被限制在非开口区域内)，所以可以维持比较大的像素开口率。

第4层的结构(数据线等).

第4层由数据线6a构成。数据线6a形成为从下边开始依次为铝、氮化钛、氮化硅3层膜。氮化硅层被图形化为稍大一点的尺寸以覆盖其下层的铝层和氮化钛层。此外，在第4层上，与数据线6a作为同一膜形成有第2中继电极(第2导电性遮光膜)6a2。如图5所示，这些要素各自分离地形成。

其中，数据线6a通过贯通第1层间绝缘膜41和第2层间绝缘膜42的接触孔81与TFT30的高浓度源区域1d电连接。此外，如上所述，第2中继电极6a2通过贯通第1层间绝缘膜41和第2层间绝缘膜42的接触孔882与中继电极719电连接。这样的第2层间绝缘膜42可以由例如NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃、氮化硅或氧化硅等形成。

第5层的结构(电容布线等).

第5层由电容布线400和第3中继电极402构成。电容布线400作为本发明的“屏蔽层”的一个具体例子，具有对像素电极9a进行免受其下层的数据线6a等的布线的影响的电磁屏蔽的功能，并通过一直延伸设置到图像显示区域10a的周围与恒定电位源电连接而具有固定电位。如图5所示，电容布线400形成为在Y方向(沟道区域1a’的长度(沟道长度)方向)、X方向(与沿沟道长度的方向正交的方向)上延伸的网格状，在X方向上延伸的部分被分割而断缺。在该被分割的电容布线400的图形间岛状地设置了第3中继电极402。此外，电容布线400为覆盖其下层的数据线6a、扫描线11a和TFT30等而被形成为比这些电路要素的结构的宽度更宽。即，电容布线400形成为无论是在数据线6a的宽度方向还是在扫描线11a的宽度方向上都比它们更粗。因此，各个电路要素被遮挡，使从对置基板20侧入射的入射光反射从而防止了投影图像中的像素的轮廓变得模糊等的坏影响。另外，电容布线400具有把例如铝、氮化钛叠层的2层结构。

此外，电容布线400的X方向延伸部分和Y方向的延伸部分正好交叉的角部形成大致三角形的檐部稍微突出的形状(倒角后的形状)。通过该檐部，可以有效地对TFT30的半导体层1a进行遮光。即，通过由檐部反射或吸收相对于半导体层1a从斜上方进入的光，可以抑制TFT30中的光漏泄电流的发生，从而可以显示没有闪烁等的高质量的图像。

构成本发明的“屏蔽层”的一个例子的这样的电容布线400通过一气地贯通第3层间绝缘膜43和第2层间绝缘膜42的接触孔801与作为本发明的“像素电位侧电极”的一个例子的存储电容70的电容电极300电连接。在接触孔801内，由于埋入了电容布线400，所以其底面和侧壁面反射或吸收光。此外，如图6所示，接触孔801被配置成在非开口区域的延伸方向(即图6的X方向)上与TFT30并列，并且与TFT30的一端部分地重叠。此外，接触孔801的孔径大，该孔径的沟道长度方向上的宽度等于或大于TFT30的沟道区域1a’的长度(沟道长度)。此外，如图7所示，接触孔801底面位于第3层上，比电容布线400等的其它的遮光层更接近半导体层1a。因此，可以更确实地对TFT30特别是对半导体层1a进行遮光。

即，接触孔801的侧壁面成为从层间绝缘膜42到层间绝缘膜43为止的高度的屏障，可以很好地遮挡相对于TFT30从斜上方入射的光。此外，其宽度很宽的底面可以很好地对TFT30进行遮光。

然而，由于考虑到对从层间绝缘膜42到层间绝缘膜43为止的深度的蚀刻比较困难，所以通常采用在第2层间绝缘膜42上设置中继层，通过该中继层把在各个层间绝缘膜上形成的接触孔在与层面垂直方向上连结起来的方法。但是，在使像素部窄间隙化的情况下，比起接触孔的深度来其形成区域的大小更成为问题。即，各个接触孔平面看不能重叠为一处地形成(例如，参看图6、图7中的接触孔882、804和89)，而是设置在相互错开的位置上。因此，由于需要在各个接触孔的周边确保余量区域，所以从结果上看增大了接触孔整体形成区域。由图7可知，虽然连接电容布线400和电容电极300的接触孔需要设置成从数据线6a和第2中继电极6a2的间隙通过而贯通，但如果通过窄间隙化使得该间隙变窄后，则这样的结构的接触孔的形成就变得困难。本发明的发明者证实了当像素间隙变成为10μm左右时，就无法充分地确保接触孔的形成区域。

对此，在本实施例中，采用仅用接触孔801把电容布线400和电容电极300连接起来的结构。虽然接触孔801的形成区域与其它的接触孔相比较大，但相对于现有的结构则成为同等或同等以下的大小。

此外，在上述的结构中，存在着光从接触孔彼此间的间隙向TFT30侧漏泄而成为光漏泄电流的原因的可能性。对此，在本实施例中，如图7所示，上述接触孔801可以遮挡从斜上方进入的光，从而可以防止向TFT30侧的光漏泄。

此外，其中设接触孔801的纵横比、即深度对宽度的比率为小于等于1。通常，在接触孔深(即，纵横比大于等于1的情况下)的情况下，当用溅射法形成内部的布线后，则存在接触孔内部的覆盖率降低而产生不连续部分的可能性。但是，由于接触孔801孔径大，所以可以防止这样的连接不良的发生，与孔径窄的情况相比，形成开口本身也可以容易地进行。

此外，在第5层上，作为与电容布线400同一膜形成有第3中继电极402。如上所述，第3中继电极402通过接触孔804和接触孔89对第2中继电极6a2与像素电极9a之间进行中继。

在这样的第5层的下面整个面地形成有第3层间绝缘膜43。第3层间绝缘膜43例如可以由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃、氮化硅或氧化硅等形成。

第6层的结构(像素电极等).

在第5层的整个面上形成第4层间绝缘膜44，再在其上作为第6层形成有像素电极9a。在第4层间绝缘膜44上，用于把像素电极9a与第3中继电极402之间电连接的接触孔89形成开口。这样的第4层间绝缘膜44例如可以由NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅酸盐玻璃、氮化硅或氧化硅等形成。

另外，由于第4层间绝缘膜44是在孔径大的接触孔801上形成，所以形成后的表面在接触孔801的正上方往往会凹陷。但是，在本实施例中，是预先把第4层间绝缘膜44形成得比较厚，并且对其表面实施了例如CMP处理等的平坦化处理。在CMP处理中，在固定到例如研磨板上的研磨垫上，边使含有二氧化硅颗粒的液态的研磨浆(化学研磨液)流动边使基板表面旋转接触来化学性和机械性地进行表面研磨。其它的平坦化处理还有机械研磨处理等。通过这样的处理，第4层间绝缘膜44的表面被平坦化，可以防止液晶层50中的液晶取向的紊乱，从而可以显示高质量的图像。

像素电极9a(在图5中用虚线9a’表示其轮廓)，配置在纵横分区排列的各个像素区域区域，在其边界上形成为使得数据线6a和扫描线11a排列成网格状(参看图4和图5)。此外，像素电极9a例如由ITO(IndiumTin Oxide，氧化铟锡)等的透明导电膜构成。另外，在该像素电极9a上形成有取向膜16。以上就是TFT阵列基板10侧的像素部的结构。

另一方面，在对置基板20上，在其相对面的整个面上设置有对置电极21，再在其上(在图6中为对置电极21的下侧)设置取向膜22。对置电极21与像素电极9a同样，例如由ITO膜等的透明导电性膜构成。另外，在对置基板20与对置电极21之间，为了防止TFT30中的光漏泄电流的发生等，把遮光膜23设置为至少把与TFT30正对的区域覆盖起来。

在这样地构成的TFT阵列基板10与对置基板20之间设置有液晶层50。液晶层50通过在利用密封部件把基板10和20的周缘部密封形成的空间内封入液晶而形成。液晶层50在未给像素电极9a和对置电极21间施加电场的状态下，通过实施了摩擦处理等的取向处理的取向膜16和取向膜22获得指定的取向状态。

如图4和图5所示，以上说明的像素部的结构，对于各个像素部是通用的。在上述的图像显示区域10a(参看图1)中，该像素部周期性地形成。另一方面，在这样的电光装置中，在位于图像显示区域10a的周围的周边区域，如参看图1和图2所说明的那样，形成有扫描线驱动电路104和数据线驱动电路101等的驱动电路。

如上所述，在本实施例中，由于形成为用接触孔801一气地连接以层间绝缘膜42、43介于中间而相对的电容布线400与存储电容70的电容电极300，即、由于形成为用1个接触孔贯通多个层间绝缘膜，而且配置在接近TFT30的位置上而用电极把接触孔的层间绝缘膜的层厚方向的侧面覆盖的结构，所以可以(1)从上侧对TFT30进行遮光。特别是由于接触孔801比电容布线400等的具有遮光功能的其它的层更接近半导体层1a，所以可以更为确实地进行遮光。因此，可以防止光漏泄电流的发生，从而可以进行高质量的显示。此外，(2)可以缩小接触孔的形成区域，从而可以实现窄间隙化。其结果，可以实现装置的小型化和高精度化。

此外，由于接触孔801与TFT30具有同等的宽度，所以可由其侧壁面和底面进行TFT30特别是半导体层1a的良好的遮光。此外，就其形状来说，由于使纵横比小于等于1，所以可以提高由宽度大的底面进行的遮光效果。

2.实施例2

下面，对本发明的实施例2进行说明。在本实施例中，取代实施例1中的接触孔801，由填埋到接触孔内的插塞802把电容布线400和存储电容70的电容电极300连接起来。此外，与此相对应地在接触孔内设置插塞805来取代接触孔804。所谓插塞是填充进钛(Ti)、铬(Cr)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)等金属的例如柱状(针状)的金属结构物。因此，在本实施例中，适当地省略与实施例1重复的说明，并且对于与实施例1共同的地方附加相同的标号来表示。

图8是表示本实施例的主要部分的平面图，图9是图8的B-B’线处的剖面图。如上所述，插塞802和805的孔径，例如是0.5μm左右，比其它的接触孔小。为此，可以使像素间隙变得更窄。另外，在该情况下，由于插塞802与TFT30接近，所以多少具有对TFT30进行遮光的功能。另外，使用插塞的情况下的接触孔，一般地说纵横比都大于等于1。

插塞802和805具有例如从外侧开始依次形成Ti、TiN，而在其内侧形成了W的芯的结构。具体地说，例如，按图示的形状把层间绝缘膜42、43形成开口，再用溅射法在其内部依次地形成20nm的Ti、25nm的TiN。

Ti减小与作为多晶硅的电容电极300的接触电阻，并且TiN改善W的附着，所以优选Ti和TiN。此外，用CVD(Chemical Vapor Deposition，化学汽相淀积)法形成500nm厚度的W。使用CVD法与溅射法等比较覆盖率非常好，所以即使是这样深的孔也可以完善地填埋。但是，要用该方法完善地进行填埋，需要使成膜的总膜厚大于等于孔的半径。为此，优选地把插塞802和805的孔径设计得小。最后，通过蚀刻从第3层间绝缘膜43的表面除去填埋用的材料的叠层物。以上虽然是用Ti/TiN/Ti的3层形成插塞的例子，但并不是必须采用该结构，也可以设计成使用这些层之中的1层。

另外，由于插塞802和805的长度彼此不同，所以各自的孔可以分别地形成开口，也可以把第2中继线电极6a2作为阻塞物使用，同时地使双方形成开口。在后者的情况下，可以同时地形成插塞802和805，与现有技术比可以减少工序数。

如上所述，在实施例2中，由于通过插塞802一气地把以层间绝缘膜42、43介于中间而相对的电容布线400与电容电极300连接起来，即，由于用1个插塞贯通多个层间绝缘膜，所以可以进一步地实现窄间隙化。此外，插塞802可以在附近对TFT30进行遮光。

3.变形例

下面，对实施例的变形例进行说明。

图10是将插塞802的变形例的插塞803与图8对应地表示的平面图。在图10中，插塞803具有非开口区域的宽度方向(即图10的Y方向，并沿着沟道长度的方向)上的侧缘沿着TFT30的一端延伸的平面形状。即，虽然插塞803在非开口区域的延伸方向(即，图10的X方向)上的宽度与插塞802是同样的，但在非开口区域的宽度方向(沿着沟道长度的方向)上，其宽度与TFT30的半导体层1a同等，即大于等于沟道区域1a’的长度(沟道长度)。

因此，由于插塞803从X方向看与插塞802同等地变细，所以可以进一步地实现窄间隙化。同时，从Y方向看与上述接触孔801同样，侧壁面成为从层间绝缘膜42到层间绝缘膜43的高度的屏障，可以很好地遮挡从斜上方对TFT30入射的光。

另外，如在实施例2中所述的那样，从其成膜时的状态看，虽然优选填埋W的孔是直径小的一方，但在孔形状细长的插塞803的情况下，由于X方向的直径小，所以与插塞802同样地可进行良好的孔填埋。

此外，虽然在以上的实施例等中的接触孔801、插塞802和803各自仅设置1个，但本发明的接触孔并不一定必须是1个，也可以设置多个。具体地说，也可以象接触孔801的形成区域那样地在宽的区域内配置多个接触孔，或者在可以形成开口的地方分散地配置。在这种情况下，例如有伴随为了窄间隙化等的目的进行的布局变更而限制接触孔的形成区域的情况，或考虑TFT的有效的遮光而设计接触孔的配置以及形状的情况等。

4.实施例3

下面，参看图11到图14对本发明的电光装置的实施例3进行说明。

本实施例的电光装置的整体结构与参看图1和图2说明的实施例1是同样的。此外，关于本实施例的电光装置的图像显示区域的结构，像素部的等效电路与在实施例1中参看图3说明的等效电路是同样的。此外，像素部的原理性的结构也与在实施例1中说明的结构是同样的。图11到图13是表示TFT阵列基板上的像素部的部分结构的平面图。图11和图12分别相当于后述的叠层结构内的下层部分(图11)和上层部分(图12)。图13是把叠层结构放大的平面图，它把图11和图12重叠的图。图14是把图11和图12重叠的情况下的A-A’剖面图。另外，在图14中，为了使各层和各部件在图上达到可以识别的程度的大小，适当地变更了各层和各部件的缩放比率。

4-1.像素部的具体的结构

下面，参看图11到图14对实现上述动作的像素部的具体结构进行说明。

在图11到图14中，上述的像素部的各个电路要素，作为图形化的叠层的导电膜构筑在TFT阵列基板10上。TFT阵列基板10，例如由玻璃基板、石英基板、SOI基板、半导体基板等构成，与例如由玻璃基板或石英基板构成的对置基板20相对配置。此外，各个电路要素，从下边开始按顺序由包括扫描线11a的第1层、包括栅极电极3a的第2层、包括存储电容70的固定电位侧电容电极的第3层、包括数据线6a等的第4层、包括电容布线400等的第5层以及包括像素电极9a等的第6层构成。此外，分别地在第1层与第2层间设置基底绝缘膜12，在第2层与第3层间设置第1层间绝缘膜41，在第3层与第4层间设置第2层间绝缘膜42，在第4层与第5层间设置第3层间绝缘膜43，在第5层与第6层间设置第4层间绝缘膜44，以防止上述的各个要素间短路。另外，其中从第1层到第3层作为下层部分示于图11，从第4层到第6层作为上层部分示于图12。

第1层的结构(扫描线等).

第1层由扫描线11a构成。扫描线11a被图形化成由沿着图11的X方向延伸的本线部和在数据线6a或电容布线400所延伸的图4的Y方向上延伸的突出部构成的形状。这样的扫描线11a，例如由导电性多晶硅构成，除此之外，也可以由含有钛(Ti)、铬(Cr)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)等的高熔点金属中的至少一种的金属单体、合金、金属硅化物、聚硅化物或它们的叠层体等构成。

第2层的结构(TFT等).

第2层由TFT30和中继电极719构成。TFT30例如采用LDD(轻掺杂漏极lightly Doped Drain)结构，具备栅极电极3a、半导体层1a、包括使栅极电极3a和半导体层1a绝缘的栅极绝缘膜的绝缘膜2。栅极电极3a例如由导电性多晶硅形成。半导体层1a例如由多晶硅形成，由沟道区域1a’、低浓度源区域1b和低浓度漏区域1c以及高浓度源区域1d和高浓度漏区域1e构成。另外，虽然优选TFT30具有LDD结构，但也可以是不向低浓度源区域1b和低浓度漏区域1c进行杂质注入的补偿结构，也可以是以栅极电极3a为掩模高浓度地注入杂质形成高浓度源区域和高浓度漏区域的自我整合型结构。此外，中继电极719例如可以形成为与栅极电极3a同一膜。

TFT30的栅极电极3a通过在基底绝缘膜12上形成的接触孔12cv与扫描线11a电连接。基底绝缘膜12例如由硅氧化膜等构成，除了具有第1层和第2层的层间绝缘的功能之外，通过在TFT阵列基板10的整个面上形成，还具有防止由基板表面的研磨产生的表面粗糙或污迹等引起的TFT30的元件特性的变化的功能。

第3层的结构(存储电容等)

第3层由存储电容70构成。存储电容70具有电容电极(存储电容的固定电位侧电极)300和下部电极(存储电容的像素电位侧电极)71以电介质膜75介于中间相对地配置的结构。其中，构成本发明的“固定电位侧电极”的一个例子的电容电极300与电容布线400电连接。构成本发明的“像素电位侧电极”的一个例子的下部电极71分别电连到TFT30的高浓度漏区域1e和像素电极9a上。

下部电极71和高浓度漏区域1e通过在第1层间绝缘膜41上形成了开口的接触孔83连接。此外，下部电极71和像素电极9a通过接触孔881、882、804对中继电极719、第2中继电极6a2的各层进行中继所构成的路径电连接。

这样的电容电极300例如由至少包括Ti、Cr、W、Ta、Mo等的高熔点金属中的一种的金属单体、合金、金属硅化物、聚硅化物、把它们叠层的叠层体构成，或者优选地由钨硅化物构成。由此，电容电极具有遮挡从上侧向TFT30入射的光的功能。此外，下部电极71可使用例如导电性的多晶硅。

电介质膜75例如由膜厚约5到200nm左右的比较薄的HTO(高温氧化物)膜、LTO(低温氧化物)膜的氧化硅膜或氮化硅膜等构成。

此外，第1层间绝缘膜41例如由NSG(非硅酸盐玻璃)形成。除此之外，第1层间绝缘膜41还可以使用PSG(磷硅酸盐玻璃)、BSG(硼硅酸盐玻璃)、BPSG(硼磷硅酸盐玻璃)等的硅酸盐玻璃、氮化硅或氧化硅等。

另外，由图11的平面图可知，由于该情况下的存储电容70被形成为不延伸到与像素电极9a的形成区域大致对应的像素开口区域(被限制在非开口区域内)，所以可以维持比较大的像素开口率。

第4层的结构(数据线等)

第4层由数据线6a构成。数据线6a形成为从下边开始依次为铝、氮化钛、氮化硅的3层膜。氮化硅层被图形化为稍大一点的尺寸以覆盖其下层的铝层和氮化钛层。此外，在第4层上，作为与数据线6a同一膜形成有第2中继电极6a2。如图12所示，它们被形成为各自分隔开来。

其中，数据线6a通过贯通第1层间绝缘膜41和第2层间绝缘膜42的接触孔81与TFT30的高浓度源区域1d电连接。此外，如上所述，第2中继电极6a2通过贯通第1层间绝缘膜41和第2层间绝缘膜42的接触孔882与中继电极719电连接。这样的第2层间绝缘膜42可以由例如NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅酸盐玻璃、氮化硅或氧化硅等形成。

第5层的结构(电容布线等).

第5层由电容布线400构成。电容布线400作为本发明的“屏蔽层”的一个具体例子，具有对像素电极9a进行免受来自其下层的数据线6a等的布线的影响的电磁屏蔽的功能，其一直延伸设置到图像显示区域10a的周围，并通过与恒定电位源电连接而具有固定电位。此外，电容布线400为了覆盖其下层的数据线6a、扫描线11a和TFT30等而被形成得比这些电路要素的结构的宽度更宽。即，电容布线400被形成得无论是在数据线6a的宽度方向上还是在扫描线11a的宽度方向上都比它们更粗。因此，各个电路要素都被遮光并使入射光反射而可以防止投影图像中的像素的轮廓模糊等的坏影响。另外，电容布线400具有将例如铝、氮化钛叠层起来的2层结构。

此外，电容布线400的X方向延伸部分和Y方向的延伸部分正好交叉的角部具有大致三角形的檐部稍微突出的形状(倒角后的形状)。通过该檐部可以有效地进行对TFT30的半导体层1a的遮光。即，通过由檐部反射或吸收相对于半导体层1a从斜上方进入的光，可以抑制TFT30中的光漏泄电流的发生，从而可以显示没有闪烁等的高质量的图像。

构成本发明的“屏蔽层”的一个例子的这样的电容布线400，通过一气地贯通第3层间绝缘膜43和第2层间绝缘膜42的接触孔801与作为本发明的“像素电位侧电极”的一个例子的存储电容70的电容电极300电连接。由于在接触孔801内埋入了电容布线400，所以其底面或侧壁面反射或吸收光。此外，如图13所示，接触孔801被配置成在非开口区域的延伸方向(即图13的X方向)上与TFT30并列并且与TFT30的一端部分地重叠。此外，接触孔801的孔径大，该孔径的沟道长度方向上的宽度(非开口区域的宽度方向上的宽度)等于或大于TFT30的沟道区域1a’的长度(沟道长度)。此外，如图14所示，接触孔801，底面位于第3层上，比电容布线400等的其它的遮光层更接近半导体层1a。因此，可以更为确实地对TFT30特别是对半导体层1a进行遮光。

即，接触孔801的侧壁面成为从层间绝缘膜42到层间绝缘膜43的高度的屏障，可以很好地遮挡从斜上方对TFT30入射的光。此外，其宽度宽的底面可以很好地对TFT30进行遮光。

然而，由于考虑到对从第3层间绝缘膜43到第2层间绝缘膜42的深度的蚀刻比较困难，所以通常采用在第2层间绝缘膜42上设置中继层，通过该中继层把在各个层间绝缘膜上形成的接触孔在层面的垂直方向上连结起来的方法。但是，在使像素部窄间隙化的情况下，比起接触孔的深度来，其形成区域的大小就更成了问题。即，各个接触孔从平面看无法重叠到一处地形成(例如，参看图13、图14中的接触孔882、804和89)，而是设置在彼此错开的位置上。因此，由于需要在各个接触孔的周边确保余量区域，所以从结果上看接触孔整体的形成区域变大了。由图14可知，虽然连接电容布线400和电容电极300的接触孔必须设置为从数据线6a和第2中继电极6a2的间隙通过而贯通，但如果通过窄间隙化使得该间隙变窄后，这样的结构的接触孔的形成就变得困难。本发明的发明者确认，当像素间隙成为10μm左右时，就不能充分地确保接触孔的形成区域。

对此，在本实施例中，形成了仅用接触孔801连接电容布线400和电容电极300的结构。虽然接触孔801的形成区域与其它的接触孔相比较大，但与现有的结构相比为同等或同等以下的大小。

此外，在上述的结构中，存在光从接触孔彼此间的间隙向TFT30侧漏泄而成为光漏泄电流的起因的可能性。对此，在本实施例中，如图14所示，上述接触孔801可以遮挡从斜上方进入的光，从而可以防止向TFT30侧的光漏泄。

此外，在此，将接触孔801的纵横比，即深度对于宽度的比率设为小于等于1。通常，在接触孔深(即，纵横比大于1的情况下)的情况下，当用溅射法形成内部的布线时，则存在因接触孔内部的覆盖率降低而产生不连续部分的可能性。但是，接触孔801由于孔径大，所以可以防止这样的连接不良的发生，与孔径窄的情况相比，形成开口本身也可以容易地进行。

在这样的第5层的下面，整个面地形成有第3层间绝缘膜43。第3层间绝缘膜43可以由例如NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅酸盐玻璃、氮化硅或氧化硅等形成。

第6层的结构(像素电极等).

在第5层的整个面上形成第4层间绝缘膜44，再在其上作为第6层形成有像素电极9a。第4层间绝缘膜44可以由例如NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅酸盐玻璃、氮化硅或氧化硅等形成。

另外，由于第4层间绝缘膜44在孔径大的接触孔801上形成，所以形成后的表面往往会在接触孔801的正上方凹陷。但是，在本实施例中，预先把第4层间绝缘膜44形成得比较厚，而且对其表面实施了CMP处理。在CMP处理中，在固定到例如研磨板上的研磨垫上，边使含有二氧化硅颗粒的液态的研磨浆(化学研磨液)流动边使基板表面旋转接触而化学和机械地进行表面研磨。其它的平坦化处理还可以举出机械研磨处理等。通过这样的处理，第4层间绝缘膜44的表面被平坦化，从而可以防止液晶层50中的液晶取向的紊乱而显示高质量的图像。像素电极9a(在图12中用虚线9a’表示其轮廓)，配置在纵横地分区排列的各个像素区域，并形成为使得在其边界上数据线6a和扫描线11a排列成网格状(参看图11和图12)。

此外，像素电极9a例如由ITO(氧化铟锡)等的透明导电膜构成。

这样的像素电极9a通过一气地贯通层间绝缘膜44和43的接触孔804与作为本发明的“第2导电性遮光膜的一部分”的一个例子的第2中继电极6a2电连接(参看图14)。因此，虽然接触孔804的形成区域与其它的接触孔相比较大，但与在层间绝缘膜44和43上形成的接触孔通过中继层在层面的垂直方向连结的结构相比为同等或同等以下的大小。因此，该电光装置可以应对窄间隙化。

此外，接触孔804在非开口区域的延伸方向(即，图13的X方向)上延伸以使得即使是在非开口区域中也可避开别的接触孔，因而在有限的区域内可使孔径尽可能地大。因此，在接触孔804内部形成的像素电极9a的覆盖率变得良好，从而可以防止连接不良的发生。此外，与孔径小的情况相比可以比较容易地形成深的孔。另外，在该像素电极9a上形成有取向膜16。以上是TFT阵列基板10侧的像素部的结构。

另一方面，在对置基板20上，在其相对面的整个面上设置有对置电极21，再在其上(在图13中为对置电极21的下侧)上设置了取向膜22。对置电极21与像素电极9a同样，例如由ITO膜等的透明导电性膜构成。另外，在对置基板20与对置电极21之间，为了防止TFT30的光漏泄电流的发生，把遮光膜23设置为至少覆盖与TFT30正对的区域。

在这样地构成的TFT阵列基板10与对置基板20之间设置有液晶层50。液晶层50通过在由密封部件把基板10和20的周缘部密封形成的空间内封入液晶而形成。液晶层50在未给像素电极9a和对置电极21之间施加电场的状态下，通过实施了摩擦处理等的取向处理的取向膜16和取向膜22获得指定的取向状态。

以上说明的像素部的结构，如图11和图12所示，对于各个像素部都是共同的。在上述的图像显示区域10a(参看实施例1中的图1)中，周期性地形成该像素部。另一方面，在这样的电光装置中，在位于图像显示区域10a的周围的周边区域，如参看图1和图2所说明的那样，形成有扫描线驱动电路104和数据线驱动电路101等的驱动电路。

制造方法.

下面，参看图15到图20对这样的电光装置的制造方法进行说明。图15到图20是按照与图7对应的剖面的顺序表示制造工艺中的各个工序中的电光装置的叠层结构的工序图。另外，在此，主要对本实施例的电光装置中的作为主要部分的接触孔801和804的形成工序进行说明。

首先，如图15所示，在TFT阵列基板10上形成从扫描线11a到第3层间绝缘膜43的各层结构而进行叠层。这时，在各个工序中可以使用通常的半导体集成化技术。另外，在第3层间绝缘膜43形成后，预先通过CMP处理等使其表面平坦化。

接着，在图16所示的工序中，对第3层间绝缘膜43的表面的指定位置实施蚀刻，达到电容电极300上的深度开设接触孔801。

接着，在图17所示的工序中，在第3层间绝缘膜43的表面的指定位置上形成电容布线400。这时，也在接触孔801内部形成电容布线400，由于接触孔801的孔径大，所以覆盖率是良好的。

假定在取代接触孔804而通过层间的中继层把在层间绝缘膜43、44的各层上形成的接触孔连结的情况下，必须在该工序的前后在第3层间绝缘膜43上形成达到第2中继电极6a2的接触孔。对此，由于本实施例的接触孔804在以后的工序中一次地形成，所以没有必要这样麻烦。

接着，在图18所示的工序中，在TFT阵列基板10的整个面上形成第4层间绝缘膜的前驱膜44a。在前驱膜44a的表面上将产生起因于接触孔801的凹凸。因此，稍厚地形成前驱膜44a，并通过利用例如CMP处理研磨到图中的虚线的位置而使其表面平坦化来获得第4层间绝缘膜44。

接着，在图19所示的工序中，对第4层间绝缘膜44的表面的指定位置实施蚀刻，达到第2中继电极6a2的深度开设接触孔804。

接着，在图20所示的工序中，在第4层间绝缘膜44的表面的指定位置形成像素电极9a。这时，也在接触孔804内部形成像素电极9a，由于接触孔804的孔径大，所以覆盖率是良好的。

如上所述，在实施例3中，由于通过接触孔804一气地把以层间绝缘膜43、44介于中间相对的像素电极9a和第2中继电极6a2连接起来，并且通过接触孔801一气地把以层间绝缘膜42、43介于中间相对的电容布线400和电容电极300连接起来，所以可以缩小接触孔801和804的形成区域，从而可以实现窄间隙化。其结果，可以实现装置的小型化和高精度化。

此外，通过将以1个接触孔贯通多个层间绝缘膜的这样的接触孔形成多个，并且由这些接触孔彼此贯通的多个层间绝缘膜之中的一部分是相同的层间绝缘膜，即，通过形成贯通上层侧(液晶层侧)的多个层间绝缘膜(44和43)的接触孔804以及贯通多个层间绝缘膜(44和43)之中的下层侧的一部分的层间绝缘膜43和位于更下层的层间绝缘膜42的接触孔801这2个接触孔，并使贯通下层侧的多个层间绝缘膜的接触孔801的配置位置配置在比在上层侧贯通多个层间绝缘膜的接触孔804的配置位置更接近TFT30(半导体层1a)的位置上，可以有效地进行对TFT30的半导体层1a的遮光。即，由于由共同地利用一部分的层间绝缘膜而贯通多个层间绝缘膜的多个接触孔遮挡相对于半导体层1a从斜上方进入的光，所以可以抑制TFT30中的光漏泄电流的发生，从而可以显示没有闪烁等的高质量的图像。

此外，通过构成为各自的接触孔801和804把多个层间绝缘膜一气地连接起来，与在各个层间绝缘膜上开设接触孔再把它们连接起来的情况相比也可以削减制造工序。

特别是，其中通过分别地形成接触孔801和接触孔804，可以削减形成接触孔的工序数，从而可以有效地制造电光装置。

另外，接触孔801，由于为了在内部形成电容布线400而具有遮光功能，其形成位置不论是平面上还是从剖面上看都比其它的遮光膜更接近半导体层1a，所以可以更为确实地进行遮光。因此，可以防止光漏泄电流的发生，从而可以进行高质量的显示。

5.实施例4

下面，对本发明的实施例4进行说明。在本实施例中，取代实施例3中的接触孔801，由填埋到接触孔内的插塞802把电容布线400和存储电容70的电容电极300连接起来。此外，取代接触孔804而在接触孔内设置插塞805。所谓插塞是填充了钛(Ti)、铬(Cr)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)等的金属的例如柱状(针状)的金属结构物。因此，对于本实施例，适当地省略与实施例3重复的说明，并且对于与实施例3共同的地方附加相同的标号来表示。

图21是表示本实施例的主要部分的平面图，图22是图21的B-B’线处的剖面图。这样，插塞802和805的孔径例如是0.5μm左右，比其它的接触孔小。因此，可以使像素间隙变得更窄。另外，在该情况下，由于插塞802接近TFT30，所以也多少具有对TFT30的遮光功能。另外，一般来说使用插塞的情况下的接触孔的纵横比大于等于1。

插塞802和805例如具有从外侧开始依次地形成Ti、TiN而在其内侧形成W的芯的结构。具体地说，例如，把层间绝缘膜42、43形成图示的形状的开口，用溅射法在其内部依次地形成20nm厚的Ti、25nm厚的TiN。由于Ti减小与作为多晶硅的电容电极300的接触电阻，而TiN改善W的附着，所以优选地采用Ti和TiN。并且，通过CVD(Chemical VaporDeposition，化学汽相淀积)法形成500nm厚的W。通过使用CVD法，与溅射法等相比覆盖率变得非常好，即使是这样深的孔也可以完善地填埋。但是，如果用该方法完全地填埋的话，需要使成膜的总膜厚大于等于孔的半径。为此，优选地把插塞802和805的孔径设计得小。最后，通过蚀刻从第3层间绝缘膜43的表面上除去填埋用材料的叠层物。以上虽然是用Ti/TiN/Ti这3层形成插塞的例子，但并不是必须采用这种结构，也可以使用这些层之中的1层。

另外，由于插塞802和805长度彼此不同，所以可以分别地形成各自的开口，也可以通过将第2中继线电极6a2作为阻挡层使用，同时地使双方形成开口。在后者的情况下，可以同时地形成插塞802和805，与现有技术比可以削减工序数。

这样，在实施例4中，由于由插塞805一气地把以层间绝缘膜43、44介于中间相对的像素电极9a和第2中继电极6a2连接起来，并由插塞802一气地把以层间绝缘膜42、43介于中间相对的电容布线400和电容电极300连接起来，所以对于窄间隙化是极其有利的。除此之外的效果与实施例3是同样的。

6.电子设备

下面，对于作为将以上详细地说明的电光装置作为光阀使用的电子设备的一个例子的投影型彩色显示装置的实施例，对其整体结构，特别是对光学的结构进行说明。在此，图23是表示投影型彩色显示装置的剖面图。

在图23中，作为实施例1到4中的投影型彩色显示装置的一个例子的液晶投影机1100构成为准备3个包括在TFT阵列基板上安装了驱动电路的液晶装置的液晶组件并分别用作RGB用的光阀100R、100G和100B的投影机。在液晶投影机1100中，当从金属卤化物灯等的白色光源的灯单元1102发出投影光后，该投影光由3块反射镜1106和2块分色镜1108分成与RGB的3原色对应的光成分R、G和B，并分别被引导到与各色对应的光阀100R、100G和100B上。这时，特别地为了防止由于长的光路而造成光损耗，B光通过由入射透镜1122、中继透镜1123和出射透镜1124构成的中继透镜系统1121引导。并且，与分别由光阀100R、100G和100B调制的3原色对应的光成分，通过分色棱镜1112再次合成后，通过投影透镜1114作为彩色图像被投影到屏幕1120上。

本发明并不局限于上述的实施例，在不违反权利要求和全部说明书的发明的要点或想法的范围内可以适当地进行变更，而随着这样的变更所产生的电光装置以及具备这样的电光装置而构成的电子设备也都是包括在本发明的技术范围内的。

Claims (20)

1.一种电光装置，其特征在于，具备：

在基板上彼此交叉地进行延伸的数据线和扫描线；

在上述基板上平面看与上述数据线和扫描线的交叉区域对应地配置的薄膜晶体管；

在比上述薄膜晶体管更上层一侧形成的、具有以电介质膜介于中间而相对配置的固定电位侧电极和像素电位侧电极的存储电容；

配置在上述存储电容上的多个层间绝缘膜；

在像素间的非开口区域内把上述多个层间绝缘膜一气地贯通的屏蔽层用接触孔；

在上述层间绝缘膜上形成的、并且由通过上述屏蔽层用接触孔与上述存储电容的固定电位侧电极电连接的第1导电性遮光膜构成的屏蔽层；

在比上述屏蔽层更上层一侧的层间绝缘膜上形成的、通过上述存储电容的像素电位侧电极与上述薄膜晶体管电连接的像素电极；

其中，上述屏蔽层用接触孔，在上述非开口区域的延伸方向上与上述薄膜晶体管并列，在上述非开口区域的宽度方向上，上述屏蔽层用接触孔的宽度等于或大于上述薄膜晶体管的沟道区域的长度。

2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：

还具备平面看配置在上述非开口区域内并且配置在上述多个层间绝缘膜的层间的第2导电性遮光膜；

上述屏蔽层用接触孔，平面看贯通上述非开口区域中未形成上述第2导电性遮光膜的区域，上述像素电极对上述第2导电性遮光膜的一部分进行中继而与上述像素电位侧电极电连接。

3.根据权利要求2所述的电光装置，其特征在于：上述数据线，配置在配置有上述第2导电性遮光膜的层间绝缘膜之上，用与上述第2导电性遮光膜相同的材料构成。

4.一种电光装置，其特征在于，具备：

在基板上彼此交叉地进行延伸的数据线和扫描线；

在上述基板上平面看与上述数据线和扫描线的交叉区域对应地配置的薄膜晶体管；

在比上述薄膜晶体管更上层一侧形成的、具有以电介质膜介于中间而相对配置的固定电位侧电极和像素电位侧电极的存储电容；

配置在上述存储电容上的多个层间绝缘膜；

在像素间的非开口区域内把上述多个层间绝缘膜一气地贯通的屏蔽层用接触孔；

在上述层间绝缘膜上形成的、并且由通过上述屏蔽层用接触孔与上述存储电容的固定电位侧电极电连接的第1导电性遮光膜构成的屏蔽层；

在比上述屏蔽层更上层一侧的层间绝缘膜上形成的、通过上述存储电容的像素电位侧电极与上述薄膜晶体管电连接的像素电极；

其中，上述屏蔽层用接触孔的一侧缘，平面看沿着上述薄膜晶体管的一端延伸。

5.一种电光装置，其特征在于，具备：

在基板上彼此交叉地进行延伸的数据线和扫描线；

在上述基板上平面看与上述数据线和扫描线的交叉区域对应地配置的薄膜晶体管；

在比上述薄膜晶体管更上层一侧形成的、具有以电介质膜介于中间而相对配置的固定电位侧电极和像素电位侧电极的存储电容；

配置在上述存储电容上的多个层间绝缘膜；

在像素间的非开口区域内把上述多个层间绝缘膜一气地贯通的屏蔽层用接触孔；

在上述层间绝缘膜上形成的、并且由通过上述屏蔽层用接触孔与上述存储电容的固定电位侧电极电连接的第1导电性遮光膜构成的屏蔽层；

在比上述屏蔽层更上层一侧的层间绝缘膜上形成的、通过上述存储电容的像素电位侧电极与上述薄膜晶体管电连接的像素电极；

其中，上述屏蔽层用接触孔平面看以至少一部分与上述薄膜晶体管的一端重叠的方式配置。

6.根据权利要求1到5中的任何一项所述的电光装置，其特征在于：上述屏蔽层用接触孔，被形成为插塞。

7.根据权利要求1到5中的任何一项所述的电光装置，其特征在于：上述屏蔽层用接触孔，纵横比小于等于1。

8.根据权利要求7所述的电光装置，其特征在于：上述屏蔽层用接触孔由在上述屏蔽层上形成的基底膜埋入，且上述基底膜的表面被实施了平坦化处理。

9.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：

还具备像素电极用接触孔；

其中，上述像素电极用接触孔把上述多个层间绝缘膜作为基底形成，并平面看在像素间的非开口区域内在不存在上述屏蔽层的区域将上述多个层间绝缘膜一气地贯通；

上述像素电极通过上述像素电极用接触孔与上述存储电容的像素电位侧电极电连接。

10.一种电光装置，其特征在于，具备：

在基板上彼此交叉地进行延伸的数据线和扫描线；

在上述基板上平面看与上述数据线和扫描线的交叉区域对应地配置的薄膜晶体管；

在比上述薄膜晶体管更上层一侧形成的、具有以电介质膜介于中间而相对配置的固定电位侧电极和与上述薄膜晶体管电连接的像素电位侧电极的存储电容；

配置在上述存储电容上的多个层间绝缘膜；

由在比上述存储电容更上层一侧且平面看在像素间的非开口区域内的上述多个层间绝缘膜之间形成的、并且与上述固定电位侧电极电连接的第1导电性遮光膜构成的屏蔽层；

把上述多个层间绝缘膜作为基底形成的、平面看在上述非开口区域内在不存在上述屏蔽层的区域将上述多个层间绝缘膜一气地贯通的像素电极用接触孔；

通过上述像素电极用接触孔与上述存储电容的像素电位侧电极电连接的像素电极；

其中，上述像素电极用接触孔平面看沿着上述非开口区域的延伸方向延伸。

11.根据权利要求9或10所述的电光装置，其特征在于：上述像素电极用接触孔，被形成为插塞。

12.根据权利要求9或10所述的电光装置，其特征在于：上述像素电极用接触孔，纵横比小于等于1。

13.根据权利要求9或10所述的电光装置，其特征在于：

还具备配置在上述屏蔽层与上述固定电位侧电极的层间并且平面看配置在上述非开口区域内的第2导电性遮光膜；

上述像素电极，通过上述像素电极用接触孔与上述第2导电性遮光膜的一部分一气地连接。

14.根据权利要求13所述的电光装置，其特征在于：上述数据线，配置在配置有上述第2导电性遮光膜的层间绝缘膜之上，用与上述第2导电性遮光膜相同的材料构成。

15.根据权利要求13所述的电光装置，其特征在于：上述屏蔽层，把叠层到上述多个层间绝缘膜中比上述屏蔽层更下层一侧的1个层间绝缘膜和配置在上述存储电容上的另一层间绝缘膜作为基底形成，平面看在上述非开口区域内通过在不存在上述第2导电性遮光膜的区域一气地贯通上述一个和另一个层间绝缘膜的屏蔽层用接触孔与上述固定电位侧电极电连接。

16.根据权利要求15所述的电光装置，其特征在于：在比上述屏蔽层更下层一侧叠层的上述一个层间绝缘膜，是在上述像素电极用接触孔所贯通的上述多个层间绝缘膜中包含的层间绝缘膜，上述屏蔽层用接触孔比上述像素电极用接触孔更接近上述薄膜晶体管地配置。

17.根据权利要求15所述的电光装置，其特征在于：上述屏蔽层用接触孔，被形成为插塞。

18.根据权利要求15所述的电光装置，其特征在于：上述屏蔽层用接触孔，纵横比小于等于1。

19.一种电子设备，其特征在于：具备权利要求1或10所述的电光装置。

20.一种电光装置的制造方法，该电光装置具备：在基板上彼此交叉地进行延伸的数据线和扫描线；在上述基板上平面看与上述数据线和扫描线的交叉区域对应地配置的薄膜晶体管；具有像素电位侧电极和固定电位侧电极、在比上述薄膜晶体管更上层一侧形成、上述像素电位侧电极与上述薄膜晶体管电连接的存储电容；由在比上述存储电容更上层一侧且在平面看像素间的非开口区域内形成的、同时与上述固定电位侧电极电连接的第1导电性遮光膜构成的、在多个层间绝缘膜之间叠层的屏蔽层；把上述多个层间绝缘膜作为基底形成的、与上述存储电容的像素电位侧电极电连接的像素电极；其特征在于，包括：

在上述基板上平面看与上述数据线和扫描线的交叉区域对应的区域形成上述薄膜晶体管的工序；

在比上述薄膜晶体管更上层一侧，形成上述存储电容的工序；

在上述存储电容上，以使连接到上述存储电容的像素电位侧电极上的第2导电性遮光膜介于层间的方式叠层多个层间绝缘膜的工序；

以在平面看上述非开口区域之中未形成上述第2导电性遮光膜的区域通过而将上述多个层间绝缘膜一气地贯通并达到上述存储电容的固定电位侧电极的方式，在上述多个层间绝缘膜的表面开设屏蔽层用接触孔的工序，该屏蔽层用接触孔在上述非开口区域的延伸方向上与上述薄膜晶体管并列，在上述非开口区域的宽度方向上，上述接触孔的宽度等于或大于上述薄膜晶体管的沟道区域的长度；

在开设了上述屏蔽层用接触孔的层间绝缘膜表面形成上述屏蔽层的工序；

在上述屏蔽层上，形成将成为上述像素电极的基底的基底层的工序；

在上述基底层的表面，以将包含上述基底层的多个层一气地贯通并到达上述第2导电性遮光膜的一部分的方式，开设使上述像素电极电连接到上述第2导电性遮光膜的一部分上的像素电极用接触孔的工序；

在开设了上述像素电极用接触孔的基底层表面，形成上述像素电极的工序。

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