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CN109656047B - 一种基板及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种基板及制备方法，所述基板包括有衬底基板、设置在所述衬底基板上的像素阵列单元框、设置在所述衬底基板上且自下而上依次设置的光学膜、彩色滤光片和氧化铟锡薄膜。还提供基板制备方法，在衬底基板上制备出像素阵列单元框，制备出一定厚度的SiOx或者SiOx和SiNx结构的光学膜，并在所述光学膜上制备出彩色滤光片和氧化铟锡薄膜以及主副支撑柱。本发明的基板能够提高光的透过率，减小显示器的发热，减小产品的功耗，节约成本。

Description

一种基板及制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种基板及制备方法。
背景技术
随着显示面板技术的不断发展，各种液晶显示器(Liquid Crystal Display，LED)也越来越多的融入生活之中，应用的领域也更加的广泛。
在传统的液晶显示器行业中，显示器的背光模组由基板、滤光片、偏光片等许多器件组成，在这些组成的器件中，由于薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列会对光有一定的阻挡，偏光片和彩色滤光片也会吸收部分光线，使得光线的透过率变小，这些偏光片以及彩色滤光片减小了光线的透过率并且对光的吸收，使得由背光板发出的光有一部分在传输过程中就被损耗掉，统计发现，最终只有大约5％的光能透过显示器，普通的彩色滤光片(Color Filter，CF)基板对光的透过率较低，传统的单层掺锡氧化铟锡薄膜(IndiumTin Oxide，ITO)对光的透过率也较低，这样，就造成了极大的资源浪费，不利于产品功耗的降低以及使用成本的节约。
综上所述，现有的显示器中的偏光片及彩色滤光片会吸收大部分光线，使得光线的透过率减小，造成了光线大程度的损耗，进一步增大了产品的功耗，因此需要提出进一步完善和改进方案，设计一种高透光率的滤光片，以增大光线的透过率。
发明内容
本发明提供一基板及制备方法，以解决现有显示装置中背光模组内的CF基板等器件对光的透光率低，光线损耗大的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供的技术方案如下：
根据本公开实施例的第一方面，提供了一种基板，包括：
衬底基板；
设置在所述衬底基板上的像素阵列单元框；
设置在所述衬底基板上且自下而上依次设置的光学膜、彩色滤光片和氧化铟锡薄膜。
根据本发明的一优选实施例，所述像素阵列单元框设置在所述光学膜和所述衬底基板之间。
根据本发明的一优选实施例，所述像素阵列单元框设置在所述氧化铟锡薄膜之上。
根据本发明的一优选实施例，所述像素阵列单元框与所述光学膜之间还设置有RGB色阻像素层。
根据本发明的一优选实施例，所述基板还包括支撑柱。
根据本发明的一优选实施例，所述支撑柱设置在所述氧化铟锡薄膜上。
根据本发明的一优选实施例，所述光学膜由SiNx和SiOx构成。
根据本发明的一优选实施例，所述光学膜为SiOx。
根据本发明的一优选实施例，所述光学膜为SiO2增透膜，所述SiO2增透膜的厚度为
Figure BDA0001900601490000021
根据本发明的第二方面，还提供一种基板制备方法，包括：
步骤S100，通过黑色矩阵工艺制程，在衬底基板上制备出像素阵列单元框，
步骤S110，在步骤S100基础上制备出一定厚度的SiOx或者SiOx和SiNx结构的光学膜，并在所述光学膜上制备出彩色滤光片和氧化铟锡薄膜，
步骤S120，在步骤S110基础上制备主副支撑柱。
根据本发明的一优选实施例，所述步骤S100与所述步骤S110之间还包括：
步骤S200，在步骤S100的基础上制备出RGB色阻像素层。
根据本发明的一优选实施例，所述步骤S100与所述步骤S110的制备过程可互换。
综上所述，本发明的有益效果为：
通过对现有的基板以及CF基板膜层进行改进，在CF基板膜系结构上再增加一定厚度的光学膜，所述光学膜能够提升光的透过率，减小光在背光模组内的损耗，减小显示器的发热情况，使得反射出显示器的光变多，从而减小产品的功耗，节约成本。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例的基板结构示意图；
图2为本发明实施例的膜系结构示意图；
图3为本发明第二种实施例的基板结构的截面示意图；
图4为本发明第三种实施例的基板结构的截面示意图；
图5为本发明实施例的基板制备方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
如图1所示，图1为本发明基板的结构示意图。基板结构包括衬底基板101、光学膜102、彩色滤光片103、氧化铟锡薄膜ITO膜层104、主副支撑柱105、像素阵列单元框106。本实施例中，光学膜102、彩色滤光片103和ITO膜层104三者自下而上依次设置在衬底基板101上。像素阵列单元框106以及主副支撑柱105都设置在ITO膜层104上面，主副支撑柱105对支撑柱上面的器件起到了支撑的作用，主副支撑柱105的高低长度不同，这样能够对器件起到二次保护的作用，在像素阵列单元框106上面可以布置色阻像素层。传统的CF基板中只有彩色滤光片103和ITO膜层104，当LED灯发射的光经过反射到达彩色滤光片103和ITO膜层104时，由于上述两者的透光率低以及对光线的吸收和遮挡，使得透射出的光减少。本发明提供的光学膜102、彩色滤光片103和ITO膜层104，能够使得光线在透过时光线的损耗减小，透过率提高，从而达到增透的效果。
如图2所示，图2为本发明的膜系结构示意图。膜系结构包括光学膜202、彩色滤光片203、氧化铟锡薄膜ITO膜层204，其中，光学膜202、彩色滤光片203，ITO膜层204自下而上依次分布。
所述光学膜202可以由SiOx构成或者由SiNx和SiOx一同构成。在本实施例中，以光学膜202增透膜为例，光学膜202分别为SiOx以及SiNx+SiOx，对比组为现有的普通135nm厚度的CF基板。通过对波长在500nm～650nm范围内的可见光的透过率进行测试，得到的实验对比数据如下表1所示：
表1.普通基板与本发明基板透过率对比
Figure BDA0001900601490000051
可知当基板在加入了本发明的光学膜202后，当光的波长在500nm～650nm范围内时，这些光均为可见光，当光透过本发明的基板时光的透过率都得到了增强，这样，透过显示器屏幕的光也相应的增强，进而提高了设备的性能。
当光学膜为SiO2时，在进行不同厚度的SiO2膜实验，当SiO2膜厚
Figure BDA0001900601490000052
基板的透过率波段整体向长波方向移动，长波的的透过率比短波高；膜厚
Figure BDA0001900601490000053
基板的透过率波段整体向短波方向移动，并出现波形变形，此时表明透过率出现了周期变化，在SiO2膜厚范围为：
Figure BDA0001900601490000061
基板透过率提高的幅度最大。
同时，当光学膜为SiO2膜层时，本发明的背光模组基板中光的反射率要比普通背光模组基板中光的反射率高7～9％，光的透过率提高：1.4％～2.31％，并处于稳定的状态。
如图3所示，图3为本发明基板的第二种实施例的结构截面示意图。在图3中，基板结构包括衬底基板301、光学膜302、彩色滤光片303、氧化铟锡薄膜ITO膜层304、主副支撑柱305、像素阵列单元框306。此时，首先将像素阵列单元框306设置在衬底基板301上，然后再自下而上依次制备光学膜302、彩色滤光片303、ITO膜层304。当光线经过反射进来后，依然会穿过光学膜302、彩色滤光片303、ITO膜层304，通过上述实验可知，光的透过率也会得到提高，增透率变高。
如图4所示，图4为本发明基板的第三种实施例的结构截面示意图。基板结构包括衬底基板401、光学膜402、彩色滤光片403，氧化铟锡薄膜ITO膜层404、主副支撑柱405、像素阵列单元框406。在制备时，首先将像素阵列单元框406布置在衬底基板401上，然后再在像素阵列单元框406之间制备出R、G、B色阻像素层，然后再在色阻像素层上依次自下而上设置一定厚度的光学膜402、彩色滤光片403、ITO膜层404，最后，再在ITO膜层404上设置主副支撑柱405。这样，不同的光在经过色阻像素层后依然会通过本发明的膜系，在经过膜系后，光的增透性得到增强，光的透过率也会得到提高。
如图5所示，本发明还提供了一种基板的制备方法，图5为本发明基板制备方法流程图。
步骤S100，通过黑色矩阵工艺制程，在衬底基板上制备出像素阵列单元框，
步骤S110，在步骤S100基础上制备出一定厚度的SiOx或者SiOx和SiNx结构的光学膜，并在所述光学膜上制备出彩色滤光片和氧化铟锡薄膜，
步骤S120，在步骤S110基础上制备主副支撑柱。
在上述的制造流程中，由于光的增透性主要是在经过本发明的光学膜后才得到增强，因此步骤S100与所述步骤S110之间还可以有步骤S200，在步骤S100的基础上制备出R、G、B色阻像素层。同时，所述步骤S100与所述步骤S110的制备顺序可互换，互换后，并不影响光的增透性。
以上对本发明实施例所提供的一种基板及基板的制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种基板，其特征在于，所述基板包括：
衬底基板；
设置在所述衬底基板上的像素阵列单元框；
设置在所述衬底基板上且自下而上依次设置的光学膜、彩色滤光片和氧化铟锡薄膜；
所述光学膜的材料包括SiOx或SiNx和SiOx的混合材料；且当所述光学膜为SiO2光学膜时，所述SiO2光学膜的厚度为
Figure FDA0002500322780000012
2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述像素阵列单元框设置在所述光学膜和所述衬底基板之间。
3.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述像素阵列单元框设置在所述氧化铟锡薄膜之上。
4.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，所述像素阵列单元框与所述光学膜之间还设置有RGB色阻像素层。
5.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板还包括支撑柱。
6.根据权利要求5所述的基板，其特征在于，所述支撑柱设置在所述氧化铟锡薄膜上。
7.一种基板的制作方法，其特征在于，包括：
步骤S100，通过黑色矩阵工艺制程，在衬底基板上制备出像素阵列单元框，
步骤S110，在步骤S100基础上制备出一定厚度的SiOx或者SiOx和SiNx结构的光学膜，并在所述光学膜上制备出彩色滤光片和氧化铟锡薄膜，其中所述光学膜为SiO2光学膜时，所述SiO2光学膜的厚度为
Figure FDA0002500322780000011
步骤S120，在步骤S110基础上制备主副支撑柱。
8.根据权利要求7所述的基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S100与所述步骤S110之间还包括：
步骤S200，在步骤S100的基础上制备出RGB色阻像素层。
9.根据权利要求7所述的基板制作方法，其特征在于，所述步骤S100与所述步骤S110的制备顺序可互换。
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