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CN109584799A - 一种像素驱动电路、像素电路、显示面板和显示装置 - Google Patents

一种像素驱动电路、像素电路、显示面板和显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种像素驱动电路、像素电路、显示面板和显示装置，其中，像素驱动电路，用于驱动发光元件发光，包括：多个开关晶体管；其中，每个开关晶体管为氧化物薄膜晶体管。本发明实施例提供的像素驱动电路中用于实现的开关的开关晶体管为氧化物薄膜晶体管，由于氧化物薄膜晶体管具有低漏电流的优点，不仅减少了像素驱动电路中的漏电流，而且还降低在显示过程中像素驱动电路的功耗。

Description

一种像素驱动电路、像素电路、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种像素驱动电路、像素电路、显示面板和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)是当前平板显示器研究领域的热点之一，具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点，目前，已广泛应用与手机、平板电脑、数码相机等显示领域中。
OLED显示面板包括：像素驱动电路和栅极驱动(Gate Driver on Array，简称GOA)电路，栅极驱动电路用于为像素驱动电路提供扫描信号，像素驱动电路用于驱动OLED显示面板中的OLED发光以实现显示。经发明人研究发现，相关技术中像素驱动电路中的部分开关存在漏电流，使得像素驱动电路的功耗较大。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种像素驱动电路、像素电路、显示面板和显示装置，能够减少像素驱动电路中的漏电流，降低像素驱动电路的功耗。
第一方面，本发明提供了一种像素驱动电路，用于驱动发光元件发光，包括：多个开关晶体管；
其中，每个开关晶体管为氧化物薄膜晶体管。
可选地，还包括：驱动晶体管；
其中，所述驱动晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
可选地，所有开关晶体管的类型相同。
第二方面，本发明实施例还提供一种像素电路，包括：移位寄存器和上述像素驱动电路；
所述移位寄存器包括：多个晶体管，每个晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
可选地，所有晶体管的类型相同。
可选地，当所述晶体管和所述开关晶体管的类型相同时，所述移位寄存器用于提供第一驱动信号；所述像素驱动电路用于根据所述第一驱动信号控制发光元件。
可选地，当晶体管和开关晶体管的类型相反时，所述像素电路还包括：反相器；
所述反相器，分别与所述移位寄存器和所述像素驱动电路连接；所述移位寄存器用于提供第一驱动信号，所述反相器用于对所述第一驱动信号进行反相处理，以产生第二驱动信号，所述像素驱动电路用于根据所述第二驱动信号控制发光元件。
可选地，所述反相器中晶体管的类型与所述移位寄存器中的晶体管类型相同。
第三方面，本发明实施例还提供一种显示面板，包括：上述像素电路。
第四方面，本发明实施例还提供一种显示装置，包括：上述显示面板。
本发明实施例提供一种像素驱动电路、像素电路、显示面板和显示装置，其中，像素驱动电路，用于驱动发光元件发光，包括：多个开关晶体管；其中，每个开关晶体管为氧化物薄膜晶体管。本发明实施例提供的像素驱动电路中用于实现的开关的开关晶体管为氧化物薄膜晶体管，由于氧化物薄膜晶体管具有低漏电流的优点，不仅减少了像素驱动电路中的漏电流，而且还降低在显示过程中像素驱动电路的功耗。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为本发明实施例提供的像素驱动电路的连接示意图；
图2为本发明实施例提供的像素驱动电路的等效电路图；
图3为本发明实施例提供的像素驱动电路的工作时序图；
图4为本发明实施例提供的像素电路的结构示意图一；
图5为本发明实施例提供的一种移位寄存器的等效电路图；
图6为图5对应的移位寄存器的工作时序图；
图7为本发明实施例提供的另一移位寄存器的等效电路图；
图8为本发明实施例提供的像素电路的结构示意图二；
图9为本发明实施例提供的移位寄存器和反相器的等效电路图；
图10为图9对应的电路的工作时序图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
除非另外定义，本发明实施例公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
本领域技术人员可以理解，由于晶体管、开关晶体管和驱动晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极可以互换。在本发明实施例中，为区分晶体管、开关晶体管和驱动晶体管除栅极之外的两极，将其中一个电极称为第一极，另一电极称为第二极，第一极可以为源极或者漏极，第二极可以为漏极或源极，另外，将栅极称为控制极。
实施例一
图1为本发明实施例提供的像素驱动电路的连接示意图，如图1所示，本发明实施例提供一种像素驱动电路，用于驱动发光元件发光，包括：多个开关晶体管，其中，每个开关晶体管为氧化物薄膜晶体管。
可选地，发光元件可以为有机发光二极管OLED，其阳极与像素驱动电路连接，阴极与低电平电源端VSS连接。其中，像素驱动电路用于为发光元件提供驱动电流，低电平电源端VSS持续提供低电平信号。
具体的，氧化物薄膜晶体管包括：栅电极、源漏电极和有源层，其中，氧化物薄膜晶体管的有源层为氧化物层，氧化物层中的氧化物为铟镓锌氧化物(Indium Gallium ZincOxide，简称IGZO)或铟锡锌氧化物(Indium Tin ZincOxide，简称ITZO)等氧化物半导体材料，在此不再赘述。需要说明的是，氧化物层采用低温多晶氧化物(Low Temperature Poly-Oxide，简称LTPO)工艺制成。氧化物薄膜晶体管具有较高的载流子迁移率，低漏电流和均一性好等优点，能够实现低频驱动低功耗。
可选地，氧化物薄膜晶体管为底栅结构，氧化物薄膜晶体管的类型为N型晶体管。
本发明实施例提供的像素驱动电路用于驱动发光元件发光，包括：多个开关晶体管；其中，每个开关晶体管为氧化物薄膜晶体管。本发明实施例提供的像素驱动电路中用于实现的开关的开关晶体管为氧化物薄膜晶体管，由于氧化物薄膜晶体管具有低漏电流的优点，不仅减少了像素驱动电路中的漏电流，而且还降低在显示过程中像素驱动电路的功耗。
可选地，为了简化像素驱动电路的制作工艺，像素驱动电路中的开关晶体管的类型均相同。
具体的，像素驱动电路中还包括：驱动晶体管。本发明实施例中的驱动晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，而并未非氧化物薄膜晶体管。其原因有二，一方面，低温多晶硅薄膜晶体管的驱动能力较强，能够保持像素驱动电路的驱动能力，另一方面，驱动晶体管的沟道比较大，若驱动晶体管为氧化物薄膜晶体管会使得驱动晶体管的占用面积较大。
进一步地，本发明实施例中的像素驱动电路中包括的低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管能够综合低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管的优点，使得像素驱动电路的性能更佳。
需要说明的是，低温多晶硅薄膜晶体管的有源层为多晶硅。
可选地，驱动晶体管的类型可以为P型，还可以为N型，本发明实施例对此不作任何限定，具体实际需求确定。
图2为本发明实施例提供的像素驱动电路的等效电路图，如图2所示，像素驱动电路中包括：第一开关晶体管M1、第二开关晶体管M2、第三开关晶体管M3、第一电容C1、第二电容C2和驱动晶体管DTFT。其中，像素驱动电路可以为多种电路结构，图2是以其中一种为例进行说明的，本发明实施例并不具体限定像素驱动电路的结构，只要能够驱动发光元件发光即可。
在本实施例中，第一开关晶体管M1、第二开关晶体管M2和第三开关晶体管M3均为氧化物薄膜晶体管。
如图2所示，第一开关晶体管M1的控制极与扫描信号端Gate连接，其第一极与数据信号端Data连接，第二极与第一节点N1连接；第二开关晶体管M2的控制极与重置信号端RST连接，其第一极与输入信号端INT连接，第二极与第二节点N2连接，第一电容C1的一端与第一节点N1连接，其另一端与第二节点N2连接，第三开关晶体管M3的控制极与发光控制端EM连接，其第一极与高电平电源端VDD连接，其第二极与驱动晶体管DTFT的第一极连接，驱动晶体管DTFT的控制极与第一节点N1连接，其第二极与第二节点N2连接，第二电容C2的一端与高电平电源端VDD连接，另一端与第二节点N2连接。
其中，高电平电源端VDD持续提供高电平信号。
下面通过像素驱动电路的工作过程进一步说明本发明实施例的技术方案。
以开关晶体管和驱动晶体管均为N型晶体管为例，图3为本发明实施例提供的像素驱动电路的工作时序图，如图2和图3所示，本发明实施例提供的像素驱动电路包括：3个开关晶体管(M1～M3)，1个驱动晶体管(DTFT)、2个电容单元(C1和C2)，7个输入端(Data、Gate、INT、VDD、VSS、EM和RST)，其工作过程包括：
第一阶段S1，即预置阶段：扫描信号端Gate的输入信号为高电平，第一开关晶体管M1导通，向第一节点N1提供数据信号端Data的信号，此时，第一节点N1的电压值V1＝Vref，重置信号端RST的输入信号均为高电平，第二开关晶体管M2导通，向第二节点N2提供输入信号端INT的信号，此时，第二节点N2的电压值V2＝Vint，之后，第一电容C1保持第一节点N1和第二节点N2的电压差，此时驱动晶体管DTFT导通，由于第三开关晶体管M3截止，因此，发光元件OLED不发光。
第二阶段S2，即补偿阶段：扫描信号端Gate的输入信号仍为高电平，第一开关晶体管M1导通，驱动晶体管DTFT亦导通，第一电容C1对第二节点N2进行充电，直至第二节点N2的电压值满足V2＝Vref-Vth，此时，驱动晶体管DTFT截止。
第三阶段S3，即写入阶段：扫描信号端Gate的输入信号的电压值从Vref跳变至Vdata，第一开关晶体管M1导通，此时，第一节点N1的电压值跳变至V1＝Vdata，在第一电容C1的自举作用下，第二节点N2的电压值跳变至V2＝Vref-Vth+(Vdata-Vref)*a，其中，a＝C1/(C1+C2)，C1为第一电容C1的电容值，C2为第二电容C2的电容值。
第四阶段S4，即发光阶段：发光控制端EM的输入信号为高电平，第三开关晶体管M3导通，驱动晶体管DTFT导通，驱动晶体管DTFT在第一节点N1的电压值控制下，向第二节点N2发送用于驱动有机发光二极管OLED的驱动电流。
根据驱动晶体管DTFT得到饱和时的电流公式可以得到流经发光元件OLED的驱动电流IOLED满足
IOLED＝K(VGS–Vth)2
＝K(V1–V2–Vth)2
＝K(Vdata-(Vref-Vth+(Vdata-Vref)*a))–Vth)2
＝K((1-a)*(Vdata-Vref))2
其中，K为与驱动晶体管DTFT的工艺参数和几何尺寸有关的固定常数，VGS为驱动晶体管DFTF的栅源电压差，Vth为驱动晶体管DFTF的阈值电压。
由上述电流公式的推导结果可以看出，在发光阶段，驱动晶体管DTFT输出的驱动电流已经不受驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth的影响，只与数据信号端上的信号有关，从而消除了驱动晶体管DTFT的阈值电压对驱动电流的影响，避免了不同像素连接的像素驱动电路中的驱动晶体管的阈值电压Vth的差异引起的亮度不均，进而确保了显示装置的显示亮度均匀，提高了整个显示装置的显示效果。
实施例二
本发明实施例还提供一种像素电路，图4为本发明实施例提供的像素电路的结构示意图一，如图4所示，本发明实施例提供的像素电路包括：移位寄存器和实施例一提供的像素驱动电路。
具体的，移位寄存器包括：多个晶体管，每个晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
其中，本发明实施例中提供的像素电路包括实施例一提供的像素驱动电路，其实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
本实施例中，移位寄存器设置在显示面板的非显示区域，为了实现显示面板的窄边框，本发明实施例中的移位寄存器中的晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管，另外，低温多晶硅薄膜晶体管还具有良好的电性能稳定性，能够由利于周边区域的驱动。
可选地，为了简化移位寄存器的制作工艺，所有晶体管的类型相同，所有晶体管均为N型晶体管或P型晶体管。
作为一种实施方式，当移位寄存器中的晶体管和像素驱动电路中的开关晶体管的类型相同时，即移位寄存器中的晶体管均为N型晶体管，移位寄存器用于提供第一驱动信号，像素驱动电路用于根据第一驱动信号控制发光元件。
具体的，移位寄存器包括：信号输出端，在本实施方式中，移位寄存器的信号输出端与像素驱动电路的扫描信号端为同一信号端。
以移位寄存器中的晶体管和像素驱动电路中的开关晶体管均为N型晶体管为例，图5为本发明实施例提供的一种移位寄存器的等效电路图，如图5所示，移位寄存器包括：第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第三电容C3和第四电容C4。
具体的，第一晶体管T1的控制极与第一时钟信号端CLK1连接，其第一极与信号输入端INPUT连接，其第二极与第三节点N3连接，第二晶体管T2的控制极与第三节点N3连接，其第一极与第一时钟信号端CLK1，其第二极与第四节点N4连接，第三晶体管T3的控制极与第一时钟信号端CLK1连接，其第一极与第二电源端VL连接，第四晶体管T4的控制极与第四节点N4连接，其第一极与第一电源端VH连接，其第二极与信号输出端OUTPUT连接，第五晶体管T5的控制极与第三节点N3连接，其第一极与信号输出端OUTPUT连接，其第二极与第二时钟信号端CLK2连接，第六晶体管T6的控制极与第四节点N4连接，其第一极与第一电源端VH连接，其第二极与第七晶体管T7的第一极连接，第七晶体管T7的控制极与第二时钟信号端CLK2连接，第三电容C3的一端与第三节点N3连接，其另一端与信号输出端OUTPUT连接，第四电容C4的一端与第四节点N4连接，其另一端与第一电源端VH连接。
其中，第一电源端VH持续提供高电平信号，第二电源端VL持续提供低电平信号，第一时钟信号端CLK1和第二时钟信号端CLK2的输入信号互为反相信号。
需要说明的是，图5是以一种移位寄存器为例进行说明的，本发明实施例中的移位寄存器还可以为其他各种移位寄存器，本发明实施例对此不作任何限定。
下面通过移位寄存器的工作过程进一步说明本发明实施例的技术方案。
以本发明实施例提供的移位寄存器中的晶体管T1～T7均为N型薄膜晶体管为例，图6为图5对应的移位寄存器的工作时序图，如图5和图6所示，本发明实施例提供的移位寄存器包括7个晶体管单元(T1～T7)、2个电容(C3和C4)、3个信号输入端(INPUT、CLK1和CLK2)、1个信号输出端(OUTPUT)和2个电源端(VH和VL)。
具体地：
第一阶段S1，即输入阶段，信号输入端INPUT和第一时钟信号端CLK1的信号为高电平，第一晶体管T1和第三晶体管T3导通，第三节点N3和第四节点N4的电位被拉高，第二晶体管T2、第四晶体管T4、第五晶体管T5和第六晶体管T6导通，第三电容C3和第四电容C4进行充电，但是由于第二时钟信号端CLK2的输入信号为低电平信号，信号输出端OUTPUT的输出信号为低电平。
本阶段中，信号输入端INPUT和第一时钟信号端CLK1的信号为高电平，第二时钟信号端CLK2的信号均为低电平，信号输出端OUTPUT的输出信号为低电平。
第二阶段S2，即输出阶段，第一时钟信号端CLK1的信号为低电平，第一晶体管T1和第三晶体管T3截止，由于第三电容C3的自举效应，第三节点N3的电位继续被拉高，第二晶体管T2和第五晶体管T5保持导通状态，第四节点N4的电位被第一时钟信号端CLK1的信号拉低，第四晶体管T4和第六晶体管T6截止，由于第二时钟信号端CLK2的信号为高电平，信号输出端OUTPUT的输出信号被第二时钟信号端CLK2的输入信号拉高，输出高电平信号，即本级栅极驱动信号。
本阶段中，输入端中的第二时钟信号端CLK2的输入信号为高电平，信号输入端INPUT和第一时钟信号端CLK1的输入信号均为低电平，信号输出端OUTPUT的输出信号为高电平。
第三阶段S3，第一时钟信号端CLK1的输入信号为高电平，第一晶体管T1和第三晶体管T3导通，第三节点N3和第四节点N4的电位被拉低，第二晶体管T2、第四晶体管T4、第五晶体管T5和第六晶体管T6截止，信号输出端OUTPUT的输出信号被释放，降至低电平。
第四阶段S4，第二时钟信号端CLK2的输入信号为高电平，由于第四节点N4保持低电平，第六晶体管T6截止，第三节点N3的电位不会被拉高，信号输出端OUTPUT的输出信号保持低电平。
需要说明的是，移位寄存器持续第三阶段S3和第四阶段S4，直至信号输入端INPUT的输入信号再次变为高电平。
图7为本发明实施例提供的另一移位寄存器的等效电路图，如图7所示，图7的移位寄存器与图5相比，多了一个第八晶体管T8，第八晶体管T8的控制极与第一电源端VH连接，其第一极与第三节点N3连接，其第二极与第五晶体管T5的控制极连接。
本实施例中设置第八晶体管为了分压，避免向第五晶体管T5提供的信号的电压过高，提高移位寄存器的工作寿命。
作为另一种实施方式，图8为本发明实施例提供的像素电路的结构示意图二，当晶体管和开关晶体管的类型相反时，即晶体管的类型为P型晶体管，如图8所示，像素电路还包括：反相器，反相器，分别与移位寄存器和像素驱动电路连接。
具体的，移位寄存器用于提供第一驱动信号，反相器用于对第一驱动信号进行反相处理，以产生第二驱动信号，像素驱动电路用于根据第二驱动信号控制发光元件。
在该实施方式中，图9为本发明实施例提供的移位寄存器和反相器的等效电路图，图9所示的移位寄存器与图7提供的移位寄存器相比，第八晶体管T8的控制极连接的信号端不同，本实施方式中，第八晶体管T8的控制极与第二电源端VL连接。
图9中的移位寄存器中的晶体管T1～T8均为P型晶体管，图10为图9提供的电路的工作时序图，其工作原理与图7的移位寄存器的工作原理类似，在此不再赘述，需要说明的是，图9中的移位寄存器的信号输出端的输出信号为图7的移位寄存器的信号输出端的输出信号互为反相信号。
为了保证能够向像素驱动电路输入仅在某阶段为高电平的扫描信号，本发明实施例在移位寄存器和像素驱动电路之间设置有反相器。如图8所示，反相器包括：第九晶体管T9、第十晶体管T10、第十一晶体管T11、第十二晶体管T12和第五电容C5，具体的，第九晶体管T9的控制极与信号输出端OUTPUT连接，其第一极与第一电源端VH连接，其第二极与第十一晶体管T11的第一极连接，第十晶体管T10的控制极与信号输出端OUTPUT连接，其第一极与第一电源端VH连接，其第二极与反相输出端OUT连接，第十一晶体管T11的控制极与第一时钟信号端CLK1连接，其第二极与第二电源端VL连接，第十二晶体管T12的控制极与第九晶体管T9的第二极连接，其第一极与反相输出端OUT连接，其第二极与第二电源端VL连接，第五电容C5的一端与第十二晶体管T12的控制极连接，另一端与第二时钟信号端CLK2连接。
本实施例中的反相器中的晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，反相器中的晶体管的类型与移位寄存器中的晶体管类型相同。
具体的，以反相器中的晶体管的类型为P型为例，反相器的工作原理为：
第一阶段S1：信号输出端OUTPUT的输出信号为高电平，第九晶体管T9和第十晶体管T10，第一时钟信号端CK1的输入信号为低电平信号，第十一晶体管T11导通，第十二晶体管T12导通，反相输出端OUT的输出信号为低电平信号。
第二阶段S2：信号输出端OUTPUT的输出信号为低电平，第九晶体管T9和第十晶体管T10导通，第一时钟信号端CK1的输入信号为高电平，第十一晶体管T11和第十二晶体管T12截止，反相输出端OUT的输出信号为高电平信号。
第三阶段S3与第一阶段S1相同。
第四阶段S4，信号输出端OUTPUT的输出信号为高电平，第九晶体管T9和第十晶体管T10截止，第一时钟信号端CK1的输入信号为高电平信号，第十一晶体管T11截止，第二时钟信号端CLK2的输入信号为低电平信号，第十二晶体管T12导通，反相输出端OUT的输出信号为低电平信号，持续第三阶段和第四阶段。
需要说明的是，图9中具体示出了反相器的示例性结构。本领域技术人员容易理解的是，反相器的实现方式不限于此，只要能够实现其功能即可。
具体的，在该实施方式中，反相输出端OUT与像素驱动电路中的扫描信号端连接，用于为扫描信号端提供信号。
实施例三
基于上述实施例的发明构思，本发明实施例还提供一种显示面板，其包括实施例二提供的像素电路。
其中，显示面板包括显示区域和非显示区域，像素电路中的像素驱动电路位于显示面板的显示区域，像素电路中的移位寄存器位于显示面板的非显示区域。
本发明实施例中将低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管晶体管同时设置在显示面板中，既能够通过氧化物薄膜晶体管，在显示过程中，有效减小显示区域中像素电极显示灰度的偏差及显示装置的电能耗损；同时，还能够通过低温多晶硅薄膜晶体管良好的电性能稳定性，用于周边区域的驱动；以此，能够有效提升产品性能，提高产品竞争力。
具体的，本发明实施例提供的显示面板包括实施例二提供的像素电路，其实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
实施例四
基于上述实施例的发明构思，本发明实施例还提供一种显示装置，其包括实施例三提供的显示面板。
其中，本发明实施例提供的显示装置的其实现原理与实现效果与显示面板的类似，在此不再赘述。
可选地，显示装置可以为：液晶显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明实施例附图只涉及本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或微结构的厚度和尺寸被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在不冲突的情况下，本发明的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种像素驱动电路，用于驱动发光元件发光，其特征在于，包括：多个开关晶体管；
其中，每个开关晶体管为氧化物薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，还包括：驱动晶体管；
其中，所述驱动晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
3.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所有开关晶体管的类型相同。
4.一种像素电路，其特征在于，包括：移位寄存器和如权利要求1～3任一项所述的像素驱动电路；
所述移位寄存器包括：多个晶体管，每个晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
5.根据权利要求4所述的像素电路，其特征在于，所有晶体管的类型相同。
6.根据权利要求5所述的像素电路，其特征在于，当晶体管和开关晶体管的类型相同时，所述移位寄存器用于提供第一驱动信号；所述像素驱动电路用于根据所述第一驱动信号控制发光元件。
7.根据权利要求5所述的像素电路，其特征在于，当晶体管和开关晶体管的类型相反时，所述像素电路还包括：反相器，所述反相器，分别与所述移位寄存器和所述像素驱动电路连接；
所述移位寄存器用于提供第一驱动信号，所述反相器用于对所述第一驱动信号进行反相处理，以产生第二驱动信号，所述像素驱动电路用于根据所述第二驱动信号控制发光元件。
8.根据权利要求7所述的像素电路，其特征在于，所述反相器中晶体管的类型与所述移位寄存器中的晶体管类型相同。
9.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求4～8任一项所述的像素电路。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。
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