CN109195943A

CN109195943A - 聚合性极性化合物、液晶组合物及液晶显示元件

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Publication number: CN109195943A
Application number: CN201780033517.2A
Authority: CN
Inventors: 矢野匡; 矢野匡一; 近藤史尚; 荻田和寬
Original assignee: JNC Corp; Chisso Petrochemical Corp
Current assignee: JNC Corp; JNC Petrochemical Corp
Priority date: 2016-06-03
Filing date: 2017-05-31
Publication date: 2019-01-11
Anticipated expiration: 2037-05-31
Also published as: KR20190013786A; CN109195943B; TWI772304B; EP3466918A4; JPWO2017209161A1; US20190292463A1; WO2017209161A1; JP6669255B2; TW201742911A; EP3466918A1

Abstract

本发明提供一种极性化合物，具有高的化学稳定性、高的使液晶分子取向的能力、在液晶组合物中的高溶解度，且液晶显示元件的电压保持率大。具体而言，本发明提供以下的化合物(1)。例如，R¹为碳数1至15的烷基；MES为具有至少一个环的液晶原基；Sp¹为单键或碳数1至10的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个氢经基(1a)取代；P¹为基(1e)或(1f)；M¹、M²、M³、及M⁴为氢；Sp²及Sp³为单键或碳数1至10的亚烷基；R²为碳数1至15的烷基；R³为基(1g)、(1h)、或(1i)；Sp⁴及Sp⁵为单键或碳数1至10的亚烷基；S¹为＞CH‑，S²为＞C＜；X¹为‑OH。R¹‑MES‑Sp¹‑P¹(1)。

Description

聚合性极性化合物、液晶组合物及液晶显示元件

技术领域

本发明涉及一种具有聚合性基与极性基的化合物、液晶组合物及液晶显示元件。更详细而言，本发明涉及一种同时具有多个甲基丙烯酰氧基等聚合性基与-OH基等极性基的化合物、包含所述化合物且介电各向异性为正的或负的液晶组合物、及包含所述组合物的液晶显示元件。

背景技术

液晶显示元件中，基于液晶分子的运作模式的分类为相变(phase change，PC)、扭转向列(twisted nematic，TN)、超扭转向列(super twisted nematic，STN)、电控双折射(electrically controlled birefringence，ECB)、光学补偿弯曲(opticallycompensated bend，OCB)、共面切换(in-plane switching，IPS)、垂直取向(verticalalignment，VA)、边缘场切换(fringe field switching，FFS)、电场感应光反应取向(field-induced photo-reactive alignment，FPA)等模式。基于元件的驱动方式的分类为无源矩阵(passive matrix，PM)与有源矩阵(active matrix，AM)。PM被分类为静态式(static)、多路复用式(multiplex)等，AM被分类为薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)、金属-绝缘体-金属(metal insulator metal，MIM)等。TFT的分类为非晶硅(amorphous silicon)及多晶硅(polycrystal silicon)。后者根据制造工序而分类为高温型及低温型。基于光源的分类为利用自然光的反射型、利用背光的透过型、及利用自然光与背光这两者的半透过型。

液晶显示元件含有具有向列相的液晶组合物。所述组合物具有适当的特性。通过提高所述组合物的特性，可获得具有良好特性的AM元件。将两种特性中的关联归纳于下述表1中。基于市售的AM元件来对组合物的特性进一步进行说明。向列相的温度范围与元件可使用的温度范围相关联。向列相的优选的上限温度为约70℃以上，而且向列相的优选的下限温度为约-10℃以下。组合物的粘度与元件的响应时间相关联。为了以元件显示动态图像，优选为响应时间短。理想为短于1毫秒的响应时间。因而，优选为组合物的粘度小。更优选为低的温度下的粘度小。

[表1]

表1组合物与AM元件的特性

1)可缩短将组合物注入至液晶显示元件中的时间

组合物的光学各向异性与元件的对比度比相关联。根据元件的模式，而需要光学各向异性大或光学各向异性小，即光学各向异性适当。组合物的光学各向异性(Δn)与元件的单元间隙(d)的积(Δn×d)被设计成使对比度比成为最大。积的适当值依存于运作模式的种类。在TN之类的模式的元件中，所述值为约0.45μm。在VA模式的元件中，所述值为约0.30μm至约0.40μm的范围，在IPS模式或FFS模式的元件中，所述值为约0.20μm至约0.30μm的范围。这些情况下，对单元间隙小的元件而言优选为具有大的光学各向异性的组合物。组合物中的大的介电各向异性有助于元件中的低阈电压、小的消耗电力与大的对比度比。因而，优选为大的正或负介电各向异性。组合物中的大的比电阻有助于元件中的大的电压保持率与大的对比度比。因而，优选为在初始阶段中不仅在室温下而且在接近向列相的上限温度的温度下也具有大的比电阻的组合物。优选为在长时间使用后，不仅在室温下而且在接近向列相的上限温度的温度下也具有大的比电阻的组合物。组合物对紫外线及热的稳定性与元件的寿命相关联。所述稳定性高时，元件的寿命长。此种特性对于液晶投影仪、液晶电视等中使用的AM元件而言优选。

在聚合物稳定取向(polymer sustained alignment，PSA)型的液晶显示元件中，使用含有聚合物的液晶组合物。首先，将添加有少量聚合性化合物的组合物注入至元件中。其次，一边对所述元件的基板之间施加电压，一边对组合物照射紫外线。聚合性化合物进行聚合而在组合物中生成聚合物的网状结构。在所述组合物中，可通过聚合物来控制液晶分子的取向，因此元件的响应时间缩短，图像的残像得以改善。具有TN、ECB、OCB、IPS、VA、FFS、FPA之类的模式的元件可期待聚合物的此种效果。

通用的液晶显示元件中，液晶分子的垂直取向可通过聚酰亚胺取向膜而达成。另一方面，作为不具有取向膜的液晶显示元件，提出有将极性化合物添加至液晶组合物中而使液晶分子取向的模式。首先，将添加有少量极性化合物及少量聚合性化合物的组合物注入至元件中。此处，通过极性化合物的作用而液晶分子进行取向。其次，一边对所述元件的基板之间施加电压，一边对组合物照射紫外线。此处，聚合性化合物进行聚合，并使液晶分子的取向稳定化。在所述组合物中，可通过极性化合物及聚合物来控制液晶分子的取向，因此元件的响应时间缩短，图像的残像得以改善。进而，不具有取向膜的元件无需形成取向膜的工序。由于不存在取向膜，故不存在元件的电阻因取向膜与组合物的相互作用而降低的情况。具有TN、ECB、OCB、IPS、VA、FFS、FPA之类的模式的元件可期待利用极性化合物与聚合物的组合的此种效果。

迄今为止，作为可在不具有取向膜的液晶显示元件中使液晶分子垂直取向的化合物，合成有各种在末端具有-OH基的化合物。在专利文献1中记载有一种在末端具有-OH基的联苯化合物(S-1)。

[化1]

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2014/090362号

专利文献2：国际公开第2014/094959号

专利文献3：国际公开第2013/004372号

专利文献4：国际公开第2012/104008号

专利文献5：国际公开第2012/038026号

专利文献6：日本专利特开昭50-35076号公报

发明内容

发明所要解决的问题

本发明的第一课题为提供一种极性化合物，其具有高的化学稳定性、高的使液晶分子取向的能力、在液晶组合物中的高溶解度的至少一种，而且在用于液晶显示元件时的电压保持率大。第二课题为提供一种液晶组合物，其包含所述化合物，而且充分满足向列相的高上限温度、向列相的低下限温度、小的粘度、适当的光学各向异性、大的正或负介电各向异性、大的比电阻、对紫外线的高稳定性、对热的高稳定性、大的弹性常数等特性的至少一种。第三课题为提供一种液晶显示元件，其包含所述组合物，而且具有元件可使用的温度范围广、响应时间短、透过率高、电压保持率大、阈电压低、对比度比大、寿命长、垂直取向性良好之类的特性的至少一种。

解决问题的技术手段

本发明涉及式(1)所表示的化合物、包含所述化合物的液晶组合物、及包含所述组合物的液晶显示元件。

一种化合物，其是由式(1)所表示。

[化2]

R¹-MES-Sp¹-P¹ (1)

式(1)中，

R¹为碳数1至15的烷基，所述烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-或-S-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经卤素取代；

MES为具有至少一个环的液晶原基；

Sp¹为单键或碳数1至10的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡c-取代，这些基中，至少一个氢可经卤素取代，这些基中，至少一个氢经选自式(1a)、式(1b)、式(1c)、及式(1d)所表示的基中的基取代；

[化3]

式(1a)、式(1b)、式(1c)、及式(1d)中，

Sp²为单键或碳数1至10的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经卤素取代；

M¹及M²独立地为氢、卤素、碳数1至5的烷基、或至少一个氢经卤素所取代的碳数1至5的烷基：

R²为碳数1至15的烷基，所述烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-或-S-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经卤素取代：

式(1)中，

P¹为选自式(1e)及式(1f)所表示的基中的基；

[化4]

式(1e)及式(1f)中，

Sp³为单键或碳数1至10的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-NH-、-CO-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经卤素取代；

M³及M⁴独立地为氢、卤素、碳数1至5的烷基、或至少一个氢经卤素所取代的碳数1至5的烷基：

X¹为-OH、-NH₂、-OR⁵、-N(R⁵)₂、-COOH、-SH、-B(OH)₂、或-Si(R⁵)₃；

-N(R⁵)₂中

R³为选自式(1g)、式(1h)、及式(1i)所表示的基中的基；

[化5]

式(1g)、式(1h)、及式(1i)中，

Sp⁴及Sp⁵独立地为单键或碳数1至10的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-NH-、-CO-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经卤素取代；

S¹为＞CH-或＞N-；

S²为＞C＜或＞Si＜；

-OR⁵、-N(R⁵)₂、及-Si(R⁵)₃中，

R⁵为氢或碳数1至10的烷基，所述烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-取代，这些基中，至少一个氢可经卤素取代。

发明的效果

本发明的第一优点为提供一种极性化合物，其具有高的化学稳定性、高的使液晶分子取向的能力、在液晶组合物中的高溶解度的至少一种，而且在用于液晶显示元件时的电压保持率大。在具有多个极性基的情况下，可以低浓度使液晶分子稳定地进行取向。第二优点为提供一种液晶组合物，其包含所述化合物，而且充分满足向列相的高上限温度、向列相的低下限温度、小的粘度、适当的光学各向异性、大的正或负介电各向异性、大的比电阻、对紫外线的高稳定性、对热的高稳定性、大的弹性常数等特性的至少一种。第三优点为提供一种液晶显示元件，其包含所述组合物，而且具有元件可使用的温度范围广、响应时间短、透过率高、电压保持率大、阈电压低、对比度比大、寿命长、垂直取向性良好之类的特性的至少一种。

具体实施方式

所述说明书中的用语的使用方法如下所述。有时将“液晶组合物”及“液晶显示元件”的用语分别简称为“组合物”及“元件”。“液晶显示元件”为液晶显示面板及液晶显示模块的总称。“液晶性化合物”是具有向列相、近晶相等液晶相的化合物，及虽不具有液晶相，但出于调节向列相的温度范围、粘度、介电各向异性之类的特性的目的而混合于组合物中的化合物的总称。所述化合物具有例如1，4-亚环己基或1，4-亚苯基之类的六元环，且其分子结构为棒状(rod like)。“聚合性化合物”是出于在组合物中生成聚合物的目的而添加的化合物。“极性化合物”通过极性基与基板表面相互作用而帮助液晶分子排列。

液晶组合物是通过将多种液晶性化合物混合来制备。液晶性化合物的比例(含量)是由基于所述液晶组合物的重量的重量百分率(重量％)来表示。在所述液晶组合物中视需要来添加光学活性化合物、抗氧化剂、紫外线吸收剂、色素、消泡剂、聚合性化合物、聚合引发剂、聚合抑制剂、极性化合物之类的添加物。与液晶性化合物的比例同样地，添加物的比例(添加量)是由基于液晶组合物的重量的重量百分率(重量％)来表示。有时也使用重量百万分率(ppm)。聚合引发剂及聚合抑制剂的比例是例外地基于聚合性化合物的重量来表示。

有时将式(1)所表示的化合物简称为“化合物(1)”。化合物(1)是指式(1)所表示的一种化合物、两种化合物的混合物或三种以上化合物的混合物。所述规则也适用于选自式(2)所表示的化合物的群组中的至少一种化合物等。由六边形包围的A¹、B¹、C¹等记号分别与环A¹、环B¹、环C¹等相对应。六边形表示环己烷环或苯环之类的六元环或者萘环之类的缩合环。横切所述六边形的一边的直线表示环上的任意的氢可经-Sp¹-P¹等基取代。c、d、e等下标表示经取代的基的个数。在下标为0时，不存在此种取代。在“环A及环C独立地为X、Y、或Z”的表述中，由于主语为多个，因此使用“独立地”。在主语为“环A为”时，由于主语为单个，因此不使用“独立地”。

化合物的化学式中，将末端基R¹¹的记号用于多种化合物。这些化合物中，任意的两个R¹¹所表示的两个基可相同，或也可不同。例如，有化合物(2)的R¹¹为乙基，且化合物(3)的R¹¹为乙基的情况。也有化合物(2)的R¹¹为乙基，且化合物(3)的R¹¹为丙基的情况。所述规则也适用于R¹²、R¹³、Z¹¹等记号。化合物(8)中，在i为2时，存在两个环D¹。所述化合物中，两个环D¹所表示的两个基可相同，或也可不同。在i大于2时，也适用于任意两个环D¹。所述规则也适用于其他记号。

“至少一个‘A’”的表述是指‘A’的个数为任意。关于“至少一个‘A’可经‘B’取代”的表述，在‘A’的个数为一个时，‘A’的位置为任意，在‘A’的个数为两个以上时，也可无限制地选择这些‘A’的位置。所述规则也适用于“至少一个‘A’经‘B’取代”的表述。“至少一个A可经B、C、或D取代”的表述是指包含至少一个A经B取代的情况、至少一个A经C取代的情况、及至少一个A经D取代的情况，进而包含多个A经B、C、D的至少两个取代的情况。例如至少一个-CH₂-(或-CH₂CH₂-)可经-O-(或-CH＝CH-)取代的烷基中，包含烷基、烯基、烷氧基、烷氧基烷基、烷氧基烯基、烯氧基烷基。此外，连续的两个-CH₂-经-O-取代而成为-O-O-之类的情况欠佳。烷基等中，甲基部分(-CH₂-H)的-CH₂-经-O-取代而成为-O-H的情况也欠佳。

卤素是指氟、氯、溴、或碘。优选的卤素为氟或氯。进而优选的卤素为氟。液晶性化合物中，烷基为直链状或分支状，不包含环状烷基。直链状烷基通常较分支状烷基更优选。这些情况对于烷氧基、烯基等末端基而言也相同。关于与1，4-亚环己基有关的立体构型，为了提高向列相的上限温度，反式构型较顺式构型更优选。2-氟-1，4-亚苯基是指下述两个二价基。化学式中，氟可向左(L)，也可向右(R)。所述规则也适用于四氢吡喃-2，5-二基之类的通过自环中去除两个氢而生成的左右非对称的二价基。

[化6]

本发明包含下述项等。

项1.一种化合物，其是由式(1)所表示。

[化7]

R¹-MES-Sp¹-P¹ (1)

式(1)中，

MES为具有至少一个环的液晶原基；

[化8]

式(1a)、式(1b)、式(1c)、及式(1d)中，

R²为氢、或碳数1至15的烷基，所述烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-或-S-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经卤素取代：

式(1)中，

P¹为选自式(1e)及式(1f)所表示的基中的基；

[化9]

式(1e)及式(1f)中，

R³为选自式(1g)、式(1h)、及式(1i)所表示的基中的基；

[化10]

式(1g)、式(1h)、及式(1i)中，

S¹为＞CH-或＞N-；

S²为＞C＜或＞Si＜；

-OR⁵、-N(R⁵)₂、及-N(R⁵)₂中，

项2.根据项1所述的化合物，其是由式(1-1)所表示。

[化11]

式(1-1)中，

R¹为碳数1至12的烷基，所述烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经氟取代；

环A¹及环A²独立地为1，4-亚环己基、1，4-亚环己烯基、1，4-亚苯基、萘-2，6-二基、十氢萘-2，6-二基、1，2，3，4-四氢萘-2，6-二基、四氢吡喃-2，5-二基、1，3-二恶烷-2，5-二基、嘧啶-2，5-二基、吡啶-2，5-二基、芴-2，7-二基、菲-2，7-二基、蒽-2，6-二基、全氢环戊并[a]菲-3，17-二基、或2，3，4，7，8，9，10，11，12，13，14，15，16，17-十四氢环戊并[a]菲-3，17-二基，这些环中，至少一个氢可经氟、氯、碳数1至12的烷基、碳数2至12的烯基、碳数1至11的烷氧基、或碳数2至11的烯氧基取代，这些基中，至少一个氢可经氟或氯取代；

a为0、1、2、3、或4；

Z¹为单键或碳数1至6的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经氟或氯取代；

Sp¹为单键或碳数1至10的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经氟或氯取代，这些基中，至少一个氢经式(1a)所表示的聚合性基取代；

[化12]

式(1a)中，

Sp²为单键或碳数1至10的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-NH-、-CO-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经卤素取代；

M¹及M²独立地为氢、氟、氯、或碳数1至5的烷基、或者至少一个氢经氟或氯所取代的碳数1至5的烷基；

R²为氢或碳数1至15的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-或-S-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经氟或氯取代；

式(1-1)中，

P¹为选自式(1e)及式(1f)所表示的基中的基；

[化13]

式(1e)及式(1f)中，

Sp³为单键或碳数1至10的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-NH-、-CO-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经氟或氯取代；

M³及M⁴独立地为氢、氟、氯、或碳数1至5的烷基、或者至少一个氢经氟或氯所取代的碳数1至5的烷基：

X¹为-OH、-NH₂、-OR⁵、-N(R⁵)₂、-COOH、-SH、或-Si(R⁵)₃；

R³为选自式(1g)及式(1h)所表示的基中的基；

[化14]

式(1g)及式(1h)中，

Sp⁴及Sp⁵独立地为单键或碳数1至10的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-NH-、-CO-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经氟或氯取代；

S¹为＞CH-或＞N-；

X¹为-OH、-NH₂、-OR⁵、-N(R⁵)₂、-COOH、-SH、或-Si(R⁵)₃；

-OR⁵、-N(R⁵)₂、及-Si(R⁵)₃中，

R⁵为氢或碳数1至10的烷基，所述烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-取代，这些基中，至少一个氢可经氟或氯取代。

项3.根据项2所述的化合物，其中式(1-1)中，

Z¹为单键、-(CH₂)₂-、-(CH₂)₄-、-CH＝CH-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂O-、-OCH₂-、或-CF＝CF-；

式(1a)中，

M¹及M²独立地为氢、氟、碳数1至5的烷基、或至少一个氢经氟所取代的碳数1至5的烷基：

式(1e)中，

M³及M⁴独立地为氢、氟、碳数1至5的烷基、或至少一个氢经氟所取代的碳数1至5的烷基：

R³为式(1g)所表示的基。

项4.根据项2或项3所述的化合物，其中式(1-1)中，

环A¹及环A²独立地为1，4-亚环己基、1，4-亚环己烯基、1，4-亚苯基、萘-2，6-二基、十氢萘-2，6-二基、四氢吡喃-2，5-二基、1，3-二恶烷-2，5-二基、芴-2，7-二基、菲-2，7-二基、全氢环戊并[a]菲-3，17-二基、或2，3，4，7，8，9，10，11，12，13，14，15，16，17-十四氢环戊并[a]菲-3，17-二基，这些环中，至少一个氢可经氟、氯、碳数1至10的烷基、碳数2至10的烯基、碳数1至9的烷氧基、或碳数2至9的烯氧基取代，这些基中，至少一个氢可经氟取代；

Sp¹为单键或碳数1至8的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经氟取代，这些基中，至少一个氢经式(1a)所表示的基取代；

[化15]

式(1a)中，

M¹及M²独立地为氢、氟、甲基、乙基、或三氟甲基；

R²为氢或碳数1至8的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经氟取代：

式(1-1)中，

P¹为选自式(1e)及式(1f)所表示的基中的基；

[化16]

式(1e)及式(1f)中，

Sp³为单键或碳数1至5的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经氟取代；

M³及M⁴独立地为氢、氟、甲基、乙基、或三氟甲基；

X¹为-OH、-NH₂、或-N(R⁵)₂；

R³为式(1g)所表示的基；

[化17]

式(1g)中，

Sp⁴为单键或碳数1至5的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经氟取代；

X¹为-OH、-NH₂、或-N(R⁵)₂；

-N(R⁵)₂中，

R⁵为氢或碳数1至5的烷基，所述烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-取代，这些基中，至少一个氢可经氟取代。

项5.根据项1所述的化合物，其是由式(1-2)或式(1-3)所表示。

[化18]

式(1-2)及式(1-3)中，

环A¹及环A²独立地为1，4-亚环己基、1，4-亚环己烯基、1，4-亚苯基、萘-2，6-二基、四氢吡喃-2，5-二基、1，3-二恶烷-2，5-二基、芴-2，7-二基、菲-2，7-二基、全氢环戊并[a]菲-3，17-二基、或2，3，4，7，8，9，10，11，12，13，14，15，16，17-十四氢环戊并[a]菲-3，17-二基，这些环中，至少一个氢可经氟、碳数1至8的烷基、碳数2至8的烯基、碳数1至7的烷氧基、或碳数2至7的烯氧基取代，这些基中，至少一个氢可经氟取代；

Z¹为单键、-(CH₂)₂-、-(CH₂)₄-、-CH＝CH-、-C≡C-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂O-、-OCH₂-、或-CF＝CF-；

a为0、1、2、3、或4；

1为0、1、2、3、4、5、或6，所述亚烷基的至少一个-CH₂-可经-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经氟取代；

Sp²为单键或碳数1至5的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经氟取代；

M¹及M²独立地为氢、氟、甲基、乙基、或三氟甲基；

R²为氢或碳数1至5的烷基，所述烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-或-S-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经氟取代：

Sp³为单键或碳数1至5的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-CO-、或-COO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经氟取代；

M³及M⁴独立地为氢、氟、甲基、乙基、或三氟甲基；

Sp⁴为单键或碳数1至5的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-CO-、或-COO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经氟取代；

X¹为-OH或-N(R⁵)₂；

-N(R⁵)₂中，

项6.根据项5所述的化合物，其中式(1-2)及式(1-3)中，

R¹为碳数1至10的烷基、碳数2至10的烯基、或碳数1至9的烷氧基，这些基中，至少一个氢可经氟取代；

环A¹及环A²独立地为1，4-亚环己基、1，4-亚苯基、萘-2，6-二基、全氢环戊并[a]菲-3，17-二基、或2，3，4，7，8，9，10，11，12，13，14，15，16，17-十四氢环戊并[a]菲-3，17-二基，这些环中，至少一个氢可经氟、或碳数1至5的烷基取代；

a为0、1、2、3、或4；

Z¹为单键、-(CH₂)₂-、-(CH₂)₄-、-CH＝CH-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂O-、或-OCH₂-；

Sp²为单键或碳数1至5的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-取代；

M¹及M²独立地为氢、甲基、或乙基；

R²为氢或碳数1至5的烷基，所述烷基中，至少一个-CH₂-或可经-O-取代，至少一个-(CH₂)₂-或可经-CH＝CH-取代：

Sp³为单键或碳数1至5的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-取代；

M³及M⁴独立地为氢、氟、甲基、或乙基；

Sp⁴为单键或碳数1至5的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-取代；

X¹为-OH或-N(R⁵)₂；

-N(R⁵)₂中，

R⁵为氢或碳数1至3的烷基，所述烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代。

项7.根据项5所述的化合物，其中式(1-2)及式(1-3)中，

R¹为碳数1至10的烷基、碳数2至10的烯基、或碳数1至9的烷氧基；

环A¹及环A²独立地为1，4-亚环己基、1，4-亚苯基、或萘-2，6-二基，这些环中，至少一个氢可经氟、或碳数1至5的烷基取代；

a为0、1、2、或3；

1为0、1、2、3、4、5、或6，所述亚烷基的至少一个-CH₂-可经-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代；

Z¹为单键、-(CH₂)₂-、或-(CH₂)₄-；

Sp²为单键或碳数1至3的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代；

M¹及M²独立地为氢、或甲基；

R²为氢或碳数1至5的烷基，所述烷基中，至少一个-CH₂-或可经-O-取代：

Sp³为单键或碳数1至3的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代；

M³及M⁴独立地为氢、或甲基；

Sp⁴为单键或碳数1至3的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代；

X¹为-OH。

项8.根据项1所述的化合物，其是由式(1-4)至式(1-41)的任一者所表示。

[化19]

[化20]

[化21]

[化22]

[化23]

[化24]

[化25]

[化26]

式(1-4)至式(1-41)中，

R¹为碳数1至10的烷基；

Z¹、Z²、及Z³独立地为单键、-(CH₂)₂-、或-(CH₂)₄-；

Sp²、Sp³、及Sp⁴独立地为碳数1至5的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代；

L¹、L²、L³、L⁴、L⁵、L⁶、L⁷、L⁸、L⁹、L¹⁰、L¹¹、及L¹²独立地为氢、氟、甲基、或乙基；

1为0、1、2、3、4、5、或6。

项9.根据项1所述的化合物，其是由式(1-42)至式(1-60)的任一者所表示。

[化27]

[化28]

[化29]

[化30]

式(1-42)至式(1-60)中，

R¹为碳数1至10的烷基；

Z¹、Z²、及Z³独立地为单键、-(CH₂)₂-、或-(CH₂)₄-；

1为0、1、2、3、4、5、或6。

项10.

根据项1所述的化合物，其是由式(1-61)至式(1-98)的任一者所表示。

[化31]

[化32]

[化33]

[化34]

[化35]

[化36]

[化37]

[化38]

式(1-61)至式(1-98)中，

R¹为碳数1至10的烷基；

Sp²、及Sp³独立地为碳数1至3的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代；

L¹、L²、L³、L⁴、L⁵、L⁶、L⁷、L⁸、L⁹、L¹⁰、L¹¹、及L¹²独立地为氢、氟、或甲基；

1为1、2、3、或4，所述亚烷基的至少一个-CH₂-可经-O-取代。

项11.

根据项1所述的化合物，其是由式(1-99)至式(1-117)的任一者所表示。

[化39]

[化40]

[化41]

[化42]

式(1-99)至式(1-117)中，

R¹为碳数1至10的烷基；

1为1、2、3、或4，所述亚烷基的至少一个-CH₂-可经-O-取代。

项12.

一种液晶组合物，其含有根据项1至项11中任一项所述的化合物的至少一种。

项13.

根据项12所述的液晶组合物，其还含有选自式(2)至式(4)所表示的化合物的群组中的至少一种化合物。

[化43]

式(2)至式(4)中，

R¹¹及R¹²独立地为碳数1至10的烷基或碳数2至10的烯基，所述烷基及烯基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代，这些基中，至少一个氢可经氟取代；

环B¹、环B²、环B³、及环B⁴独立地为1，4-亚环己基、1，4-亚苯基、2-氟-1，4-亚苯基、2，5-二氟-1，4-亚苯基、或嘧啶-2，5-二基；

Z¹¹、Z¹²、及Z¹³独立地为单键、-CH₂CH₂-、-CH＝CH-、-C≡C-、或-COO-。

项14.

根据项12或项13所述的液晶组合物，其还含有选自式(5)至式(7)所表示的化合物的群组中的至少一种化合物。

[化44]

式(5)至式(7)中，

R¹³为碳数1至10的烷基或碳数2至10的烯基，所述烷基及烯基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代，这些基中，至少一个氢可经氟取代；

X¹¹为氟、氯、-OCF₃、-OCHF₂、-CF₃、-CHF₂、-CH₂F、-OCF₂CHF₂、或-OCF₂CHFCF₃；

环C¹、环C²、及环C³独立地为1，4-亚环己基、1，4-亚苯基、至少一个氢经氟所取代的1，4-亚苯基、四氢吡喃-2，5-二基、1，3-二恶烷-2，5-二基、或嘧啶-2，5-二基；

Z¹⁴、Z¹⁵、及Z¹⁶独立地为单键、-CH₂CH₂-、-CH＝CH-、-C≡C-、-COO-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂O-、或-(CH₂)₄-；

L¹¹及L¹²独立地为氢或氟。

项15.

根据项12至项14中任一项所述的液晶组合物，其还含有式(8)所表示的化合物的至少一种化合物。

[化45]

式(8)中，

R¹⁴为碳数1至10的烷基或碳数2至10的烯基，所述烷基及烯基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代，这些基中，至少一个氢可经氟取代；

X¹²为-C≡N或-C≡C-C≡N；

环D¹为1，4-亚环己基、1，4-亚苯基、至少一个氢经氟所取代的1，4-亚苯基、四氢吡喃-2，5-二基、1，3-二恶烷-2，5-二基、或嘧啶-2，5-二基；

Z¹⁷为单键、-CH₂CH₂-、-C≡C-、-COO-、-CF₂O-、-OCF2-、或-CH₂O-；

L¹³及L¹⁴独立地为氢或氟；

i为1、2、3、或4。

项16.

根据项12至项15中任一项所述的液晶组合物，其还含有选自式(9)至式(15)所表示的化合物的群组中的至少一种化合物。

[化46]

式(9)至式(15)中，

R¹⁵、R¹⁶、及R¹⁷独立地为碳数1至10的烷基或碳数2至10的烯基，所述烷基及烯基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代，这些基中，至少一个氢可经氟取代，而且R¹⁷也可为氢或氟；

环E¹、环E²、环E³、及环E⁴独立地为1，4-亚环己基、1，4-亚环己烯基、1，4-亚苯基、至少一个氢经氟所取代的1，4-亚苯基，四氢吡喃-2，5-二基、或十氢萘-2，6-二基；

环E⁵及环E⁶独立地为1，4-亚环己基、1，4-亚环己烯基、1，4-亚苯基，四氢吡喃-2，5-二基、或十氢萘-2，6-二基；

Z¹⁸、Z¹⁹、Z²⁰、及Z²¹独立地为单键、-CH₂CH₂-、-COO-、-CH₂O-、-OCF₂-、或-OCF₂CH₂CH₂-；

L¹⁵及L¹⁶独立地为氟或氯；

S¹¹为氢或甲基；

X为-CHF-或-CF₂-；

j、k、m、n、p、q、r、及s独立地为0或1，k、m、n、及p的和为1或2，q、r、及s的和为0、1、2、或3，t为1、2、或3。

项17.

根据项12至项16中任一项所述的液晶组合物，其还含有式(16)所表示的聚合性化合物的至少一种化合物。

[化47]

式(16)中，

环F及环I独立地为环己基、环己烯基、苯基、1-萘基、2-萘基、四氢吡喃-2-基、1，3-二恶烷-2-基、嘧啶-2-基、或吡啶-2-基，这些环中，至少一个氢可经卤素、碳数1至12的烷基、碳数1至12的烷氧基、或至少一个氢经卤素所取代的碳数1至12的烷基取代；

环G为1，4-亚环己基、1，4-亚环己烯基、1，4-亚苯基、萘-1，2-二基、萘-1，3-二基、萘-1，4-二基、萘-1，5-二基、萘-1，6-二基、萘-1，7-二基、萘-1，8-二基、萘-2，3-二基、萘-2，6-二基、萘-2，7-二基、菲-2，7-二基、四氢吡喃-2，5-二基、1，3-二恶烷-2，5-二基、嘧啶-2，5-二基、或吡啶-2，5-二基，这些环中，至少一个氢可经卤素、碳数1至12的烷基、碳数1至12的烷氧基、或至少一个氢经卤素所取代的碳数1至12的烷基取代；

Z²²及Z²³独立地为单键或碳数1至10的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-CO-、-COO-、或-OCO-取代，至少一个-CH₂CH₂-可经-CH＝CH-、-C(CH₃)＝CH-、-CH＝C(CH₃)-、或-C(CH₃)＝C(CH₃)-取代，这些基中，至少一个氢可经氟或氯取代；

P¹¹、P¹²、及P¹³独立地为聚合性基；

Sp¹¹、Sp¹²、及Sp¹³独立地为单键或碳数1至10的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-CH₂CH₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经氟或氯取代；

u为0、1、或2；

f、g、及h独立地为0、1、2、3、或4，而且f、g、及h的和为1以上。

项18.

根据项17所述的液晶组合物，其中式(16)中，

P¹¹、P¹²、及P¹³独立地为选自式(P-1)至式(P-5)所表示的聚合性基的群组中的基。

[化48]

式(P-1)至式(P-5)中，

M¹¹、M¹²、及M¹³独立地为氢、氟、碳数1至5的烷基、或至少一个氢经卤素所取代的碳数1至5的烷基。

项19.

根据项17或项18所述的液晶组合物，其中式(16)所表示的聚合性化合物为选自式(16-1)至式(16-7)所表示的聚合性化合物的群组中的至少一种化合物。

[化49]

式(16-1)至式(16-7)中，

L³¹、L³²、L³³、L³⁴、L³⁵、L³⁶、L³⁷、及L³⁸独立地为氢、氟、或甲基；

Sp¹¹、Sp¹²、及Sp¹³独立地为单键或碳数1至10的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-CH₂CH₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经氟或氯取代。

P¹¹、P¹²、及P¹³独立地为选自式(P-1)至式(P-3)所表示的聚合性基的群组中的基，

[化50]

式(P-1)至式(P-3)中，

项20.

根据项12至项19中任一项所述的液晶组合物，其还含有与式(1)或以下的式(16)所表示的化合物不同的聚合性化合物、聚合引发剂、聚合抑制剂、光学活性化合物、抗氧化剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、热稳定剂、及消泡剂的至少一种。

[化51]

式(16)中，

P¹¹、P¹²、及P¹³独立地为聚合性基；

u为0、1、或2；

项21.

一种液晶显示元件，其含有至少一种根据项12至项20中任一项所述的液晶组合物。

本发明也包括以下项。(a)还含有聚合性化合物、聚合引发剂、聚合抑制剂、光学活性化合物、抗氧化剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、热稳定剂、消泡剂之类的添加物的至少两种的所述液晶组合物。(b)通过在所述液晶组合物中添加与化合物(1)或化合物(16)不同的聚合性化合物而制备的聚合性组合物。(c)通过在所述液晶组合物中添加化合物(1)与化合物(16)而制备的聚合性组合物。(d)通过使聚合性组合物聚合而制备的液晶复合物。(e)含有所述液晶复合物的聚合物稳定取向型的元件。(f)通过在所述液晶组合物中添加化合物(1)与化合物(16)、以及与化合物(1)或化合物(16)不同的聚合性化合物而制备聚合性组合物，通过使用所制备的聚合性组合物而制成的聚合物稳定取向型的元件。

依序对化合物(1)的形式、化合物(1)的合成、液晶组合物、及液晶显示元件进行说明。

1.化合物(1)的形式

本发明的化合物(1)的特征在于具有包含至少一个环的液晶原部位、与多个极性基。化合物(1)由于极性基与玻璃(或金属氧化物)的基板表面以非共价键结的方式相互作用，故有用。用途之一为液晶显示元件中使用的液晶组合物用的添加物。化合物(1)是出于控制液晶分子的取向的目的而添加。此种添加物优选为在密闭于元件中的条件下化学稳定，具有在液晶组合物中的高溶解度，而且在用于液晶显示元件时的电压保持率大。化合物(1)以相当大的程度充分满足此种特性。

对化合物(1)的优选例进行说明。化合物(1)中的R¹、MES、Sp¹、P¹等记号的优选例也适用于化合物(1)的下位式。化合物(1)中，通过将这些基的种类适当组合，可任意调整特性。由于化合物的特性并无大的差异，因此化合物(1)也可包含较天然存在比的量更多的²H(氘)、¹³C等同位素。

[化52]

R¹-MES-Sp¹-P¹ (1)

式(1)中，R¹为氢或碳数1至15的烷基，所述烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-S-、或-NH-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-取代，这些基中，至少一个氢可经卤素取代。

优选的R¹为氢、碳数1至15的烷基、碳数2至15的烯基、碳数1至14的烷氧基、或碳数2至14的烯氧基，这些基中，至少一个氢可经氟或氯取代。进而优选的R¹为氢、碳数1至10的烷基或碳数1至9的烷氧基，这些基中，至少一个氢可经氟取代。特别优选的R¹为碳数1至10的烷基。

式(1)中，MES为具有至少一个环的液晶原基。液晶原基为本技术领域技术人员众所周知。液晶原基是指在化合物具有液晶相(中间相)时，有助于形成液晶相的部分。化合物(1)的优选例为化合物(1-1)。

[化53]

优选的环A¹或环A²为1，4-亚环己基、1，4-亚环己烯基、1，4-亚苯基、萘-2，6-二基、十氢萘-2，6-二基、1，2，3，4-四氢萘-2，6-二基、四氢吡喃-2，5-二基、1，3-二恶烷-2，5-二基、嘧啶-2，5-二基、吡啶-2，5-二基、全氢环戊并[a]菲-3，17-二基、或2，3，4，7，8，9，10，11，12，13，14，15，16，17-十四氢环戊并[a]菲-3，17-二基，这些环中，至少一个氢可经氟、氯、碳数1至12的烷基、碳数2至12的烯基、碳数1至11的烷氧基、或碳数2至11的烯氧基取代，这些基中，至少一个氢可经氟或氯取代。进而优选的环A¹或环A²为1，4-亚环己基、1，4-亚苯基、萘-2，6-二基、全氢环戊并[a]菲-3，17-二基、或2，3，4，7，8，9，10，11，12，13，14，15，16，17-十四氢环戊并[a]菲-3，17-二基，这些环中，至少一个氢可经氟、或碳数1至5的烷基取代。特别优选的环A¹或环A²为1，4-亚环己基、1，4-亚苯基、萘-2，6-二基、全氢环戊并[a]菲-3，17-二基，这些环中，至少一个氢可经氟、甲基、或乙基取代。

式(1-1)中，Z¹为单键或碳数1至4的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经卤素取代；

优选的Z¹为单键、-(CH₂)₂-、-CH＝CH-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂O-、-OCH₂-、或-CF＝CF-。进而优选的Z¹为单键、-(CH₂)₂-、-COO-、或-OCO-。特别优选的Z¹为单键。

式(1-1)中，a为0、1、2、3、或4。优选的a为0、1、2、或3。进而优选的a为0、1、或2。特别优选的a为1或2。

式(1-1)中，Sp¹为单键或碳数1至10的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经卤素取代，这些基中，至少一个以上的氢经式(1a)所表示的聚合性基取代；

[化54]

式(1a)中，Sp²为单键或碳数1至10的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经卤素取代；

R²为氢或碳数1至15的烷基，所述烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-或-S-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经卤素取代。

式(1-1)中，优选的Sp¹为碳数1至5的亚烷基、或一个-CH₂-经-O-所取代的碳数1至5的亚烷基。进而优选的Sp¹为碳数1至3的亚烷基、或一个-CH₂-经-O-所取代的碳数1至3的亚烷基，这些基中，至少一个氢经式(1a)所表示的聚合性基取代。

式(1a)中，优选的Sp²为单键、碳数1至5的亚烷基、或一个-CH₂-经-O-所取代的碳数1至5的亚烷基。进而优选的Sp¹为单键、碳数1至3的亚烷基、或一个-CH₂-经-O-所取代的碳数1至3的亚烷基。

式(1a)中，优选的R²为氢、或碳数1至5的亚烷基、或者一个-CH₂-经-O-所取代的碳数1至5的亚烷基。进而优选的R²为氢、或碳数1至3的亚烷基、或者一个-CH₂-经-O-所取代的碳数1至3的亚烷基。特别优选的R²为氢或甲基。在R²为-CH₂-OH的情况下，利用在分子内存在两个羟基的效果而可期待通过低浓度添加来实现垂直取向。

式(1a)中，M¹及M²独立地为氢、卤素、碳数1至5的烷基、或至少一个氢经卤素所取代的碳数1至5的烷基。为了提高反应性，优选的M¹或M²为氢或甲基。进而优选的M¹或M²为氢。

式(1)中，P¹为选自式(1e)及式(1f)所表示的基中的基。

[化55]

式(1e)中，R³为选自式(1g)、式(1h)、及式(1i)所表示的基中的基。

[化56]

式(1e)及式(1f)中，优选的Sp³为碳数1至7的亚烷基、或一个-CH₂-经-O-所取代的碳数1至5的亚烷基。进而优选的Sp³为碳数1至5的亚烷基、或一个-CH₂-经-O-所取代的碳数1至5的亚烷基。关于特别优选的Sp³，在(1e)中为-CH₂O-，在(1f)中为-CH₂-。

式(1e)中，M³及M⁴独立地为氢、卤素、碳数1至5的烷基、或至少一个氢经卤素所取代的碳数1至5的烷基。为了提高反应性，优选的M³或M⁴为氢或甲基。进而优选的M³或M⁴为氢。

式(1e)中，优选的R³为选自式(1g)、式(1h)、及式(1i)所表示的极性基的群组中的基。优选的R³为式(1g)或式(1h)所表示的极性基。进而优选的R³为式(1g)所表示的极性基。

式(1g)、式(1h)、及式(1i)中，优选的Sp⁴或Sp⁵为碳数1至7的亚烷基、或一个-CH₂-经-O-所取代的碳数1至5的亚烷基。进而优选的Sp⁴或Sp⁵为碳数1至5的亚烷基、或一个-CH₂-经-O-所取代的碳数1至5的亚烷基。特别优选的Sp⁴或Sp⁵为-CH₂-。

式(1g)及式(1i)中，S¹为＞CH-或＞N-，而且S²为＞C＜或＞Si＜。优选的S¹为＞CH-，优选的S²为＞C＜。

式(1f)、式(1g)、及式(1i)中，X¹为-OH、-NH₂、-OR⁵、-N(R⁵)₂、-COOH、-SH、-B(OH)₂、或-Si(R⁵)₃，此处，R⁵为氢或碳数1至10的烷基，所述烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-取代，这些基中，至少一个氢可经氟或氯取代。

优选的X¹为-OH、-NH₂、或-N(R⁵)₂，此处，R⁵为碳数1至5的烷基或碳数1至4的烷氧基。进而优选的X¹为-OH、-NH₂、或-N(R⁵)₂。特别优选的X¹为-OH。

式(2)至式(15)中，示出液晶组合物的成分化合物。化合物(2)至化合物(4)具有小的介电各向异性。化合物(5)至化合物(7)具有大的正介电各向异性。化合物(8)由于具有氰基，故具有更大的正介电各向异性。化合物(9)至化合物(15)具有大的负介电各向异性。这些化合物的具体例于后进行叙述。

化合物(16)中，P¹¹、P¹²、及P¹³独立地为聚合性基。优选的P¹¹、P¹²、或P¹³为选自式(P-1)至式(P-5)所表示的基的群组中的聚合性基。进而优选的P¹¹、P¹²、或P¹³为式(P-1)、式(P-2)、或式(P-3)所表示的基。特别优选的式(P-1)所表示的基为-OCO-CH＝CH₂或-OCO-C(CH₃)＝CH₂。式(P-1)至式(P-5)的波浪线表示进行键结的部位。

[化57]

式(P-1)至式(P-5)中，M¹¹、M¹²、及M¹³独立地为氢、氟、碳数1至5的烷基、或至少一个氢经卤素所取代的碳数1至5的烷基。为了提高反应性，优选的M¹¹、M¹²、或M¹³为氢或甲基。进而优选的M¹¹为甲基，进而优选的M¹²、或M¹³为氢。

Sp¹¹、Sp¹²、及Sp¹³独立地为单键或碳数1至10的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经氟或氯取代。优选的Sp¹¹、Sp¹²、或Sp¹³为单键。

环F及环I独立地为环己基、环己烯基、苯基、1-萘基、2-萘基、四氢吡喃-2-基、1，3-二恶烷-2-基、嘧啶-2-基、或吡啶-2-基，这些环中，至少一个氢可经卤素、碳数1至12的烷基、碳数1至12的烷氧基、或至少一个氢经卤素所取代的碳数1至12的烷基取代。优选的环F或环I为苯基。环G为1，4-亚环己基、1，4-亚环己烯基、1，4-亚苯基、萘-1，2-二基、萘-1，3-二基、萘-1，4-二基、萘-1，5-二基、萘-1，6-二基、萘-1，7-二基、萘-1，8-二基、萘-2，3-二基、萘-2，6-二基、萘-2，7-二基、四氢吡喃-2，5-二基、1，3-二恶烷-2，5-二基、嘧啶-2，5-二基、或吡啶-2，5-二基，这些环中，至少一个氢可经卤素、碳数1至12的烷基、碳数1至12的烷氧基、或至少一个氢经卤素所取代的碳数1至12的烷基取代。特别优选的环G为1，4-亚苯基或2-氟-1，4-亚苯基。

Z²²及Z²³独立地为单键或碳数1至10的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-CO-、-COO-、或-OCO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-、-C(CH₃)＝CH-、-CH＝C(CH₃)-、或-C(CH₃)＝C(CH₃)-取代，这些基中，至少一个氢可经氟或氯取代。优选的Z⁷或Z⁸为单键、-(CH₂)₂-、-CH₂O-、-OCH₂-、-COO-、或-OCO-。进而优选的Z²²或Z²³为单键。

u为0、1、或2。优选的u为0或1。f、g、及h独立地为0、1、2、3、或4，而且f、g、及h的和为1以上。优选的f、g、或h为1或2。

2.化合物(1)的合成

对化合物(1)的合成法进行说明。化合物(1)可通过将有机合成化学的方法适当组合而合成。未记载合成法的化合物通过《有机合成(Organic Syntheses)》(约翰·威利父子出版公司(John Wiley&Sons，Inc))、《有机反应(Organic Reactions)》(约翰·威利父子出版公司(John Wiley&Sons，Inc))、《综合有机合成(Comprehensive Organic Synthesis)》(培格曼出版社(Pergamon Press))、《新实验化学讲座》(丸善)等书籍中所记载的方法来合成。

2-1.键结基的生成

生成化合物(1)中的键结基的方法的例子如下述流程所述。所述流程中，MSG¹(或MSG²)为具有至少一个环的一价有机基。多个MSG¹(或MSG²)所表示的一价有机基可相同，或也可不同。化合物(1A)至化合物(1G)相当于化合物(1)或化合物(1)的中间体。

[化58]

[化59]

[化60]

[化61]

[化62]

[化63]

(I)单键的生成

在碳酸盐、四(三苯基膦)钯催化剂的存在下，使芳基硼酸(21)与化合物(22)进行反应来合成化合物(1A)。也可使正丁基锂、继而使氯化锌与化合物(23)反应，在二氯双(三苯基膦)钯催化剂的存在下使化合物(22)反应而合成所述化合物(1A)。

(II)-COO-及-OCO-的生成

使正丁基锂、继而使二氧化碳与化合物(23)反应，获得羧酸(24)。使所述羧酸(24)与由化合物(21)所衍生的酚(25)在1，3-二环己基碳二亚胺(1，3-dicyclohexylcarbodiimide，DCC)及4-二甲基氨基吡啶(4-dimethylaminopyridine，DMAP)的存在下脱水，合成具有-COO-的化合物(1B)。通过所述方法而也合成具有-OCO-的化合物。

(III)-CF₂O-及-OCF₂-的生成

利用劳森试剂将化合物(1B)硫化，获得化合物(26)。利用氟化氢吡啶络合物及N-溴琥珀酰亚胺(N-bromosuccinimide，NBS)将化合物(26)氟化，合成具有-CF₂O-的化合物(1C)。参照M.黑星(M.Kuroboshi)等人的《化学快报(Chem.Lett.)》(1992，827.)。利用(二乙氨基)三氟化硫((diethylamino)sulphur trifluoride，DAST)将化合物(26)氟化而也合成化合物(1C)。参照W.H.邦奈拉(W.H.Bunnelle)等人的《有机化学期刊(J.Org.Chem.)》(1990，55，768.)。通过所述方法而也合成具有-OCF₂-的化合物。

(IV)-CH＝CH-的生成

使正丁基锂、继而使N，N-二甲基甲酰胺(N，N-dimethyl formamide，DMF)与化合物(22)反应而获得醛(27)。使鏻盐(28)与叔丁醇钾反应而产生磷叶立德(phosphorusylide)，使所得的磷叶立德与醛(27)反应而合成化合物(1D)。因反应条件而生成顺式体，故视需要通过公知的方法将顺式体异构化为反式体。

(V)-CH₂CH₂-的生成

在钯碳催化剂的存在下将化合物(1D)氢化，合成化合物(1E)。

(VI)-C≡C-的生成

在二氯钯及碘化铜的催化剂存在下，使2-甲基-3-丁炔-2-醇与化合物(23)反应后，在碱性条件下脱保护而获得化合物(29)。在二氯双(三苯基膦)钯及卤化铜的催化剂存在下，使化合物(29)与化合物(22)反应，合成化合物(1F)。

(VII)-CH₂O-及-OCH₂-的生成

利用硼氢化钠将化合物(27)还原而获得化合物(30)。利用氢溴酸将其溴化而获得化合物(31)。在碳酸钾的存在下，使化合物(25)与化合物(31)反应，合成化合物(1G)。通过所述方法而也合成具有-OCH₂-的化合物。

(VIII)-CF＝CF-的生成

利用正丁基锂对化合物(23)进行处理后，使四氟乙烯反应而获得化合物(32)。利用正丁基锂对化合物(22)进行处理后，与化合物(32)反应，合成化合物(1H)。

2-2.环A²的生成

关于1，4-亚环己基、1，4-亚环己烯基、1，4-亚苯基、2-氟-1，4-亚苯基、2-甲基-1，4-亚苯基、2-乙基-1，4-亚苯基、萘-2，6-二基、十氢萘-2，6-二基、1，2，3，4-四氢萘-2，6-二基、四氢吡喃-2，5-二基、1，3-二恶烷-2，5-二基、嘧啶-2，5-二基、吡啶-2，5-二基等环，其起始物质有市售，或合成法为人所熟知。

2-3.合成例

合成化合物(1)的方法的例子如下。这些化合物中，R¹、MES、M¹、及M²的定义与根据项1所记载相同。

R²为式(1a)所表示的基、Sp⁴为-CH₂-、X¹为-OH的化合物(1-51)、及化合物(1-52)可通过以下的方法来合成。

使化合物(51)在甲醛及1，4-二氮杂双环[2.2.2]辛烷(1，4-diazabicyclo[2.2.2]octane，DABCO)的存在下反应，获得化合物(52)。使化合物(52)在对甲苯磺酸吡啶鎓(Pyridinium p-toluenesulfonate，PPTS)及3，4-二氢-2H-吡喃的存在下反应，获得化合物(53)。

使化合物(54)在三乙胺(Et₃N)、甲基丙烯酰氯的存在下反应，可获得化合物(1-51)。使化合物(1-51)与化合物(53)在DCC及DMAP的存在下反应，获得化合物(55)后，使用PPTS进行脱保护，由此可导出化合物(1-52)。

[化64]

R²为式(1a)所表示的基、Sp⁴为-(CH₂)₂-、X¹为-OH的化合物(1-53)可通过以下的方法来合成。使三溴化磷对化合物(1-52)发挥作用，获得化合物(56)。其次，使铟对化合物(57)发挥作用后，与甲醛进行反应，由此可导出化合物(1-53)。

[化65]

R²为式(1a)所表示的基、Sp⁴为-CH₂-、X¹为-OH的化合物(1-54)可通过以下的方法来合成。

[化66]

3.液晶组合物

3-1.成分化合物

本发明的液晶组合物包含化合物(1)作为成分A。化合物(1)可通过与元件的基板的非共价键结方式的相互作用而控制液晶分子的取向。所述组合物优选为包含化合物(1)作为成分A，且还包含选自以下所示的成分B、成分C、成分D、及成分E中的液晶性化合物。成分B为化合物(2)至化合物(4)。成分C为化合物(5)至化合物(7)。成分D为化合物(8)。成分E为化合物(9)至化合物(15)。所述组合物也可包含与化合物(2)至化合物(15)不同的其他液晶性化合物。在制备所述组合物时，优选为考虑到正或负的介电各向异性的大小等而选择成分B、成分C、成分D、及成分E。适当选择成分的组合物具有高的上限温度、低的下限温度、小的粘度、适当的光学各向异性(即，大的光学各向异性或小的光学各向异性)、大的正或负介电各向异性、大的比电阻、对热或紫外线的稳定性、及适当的弹性常数(即，大的弹性常数或小的弹性常数)。

化合物(1)是出于控制液晶分子的取向的目的而添加至组合物中。关于化合物(1)的优选的比例，为了使液晶分子取向，基于液晶组合物的重量而优选为0.05重量％以上，为了防止元件的显示不良，基于液晶组合物的重量而优选为10重量％以下。基于液晶组合物的重量，进而优选的比例为0.1重量％至7重量％的范围。基于液晶组合物的重量，特别优选的比例为0.5重量％至5重量％的范围。在除化合物(1)以外，也在组合物中含有化合物(16)的情况下，基于液晶组合物的重量，这些的合计量优选为0.05重量％以上且10重量％以下。基于液晶组合物的重量，进而优选的比例为0.1重量％至7重量％的范围。基于液晶组合物的重量，特别优选的比例为0.5重量％至5重量％的范围。

成分B是两个末端基为烷基等的化合物。成分B的优选例可列举化合物(2-1)至化合物(2-11)、化合物(3-1)至化合物(3-19)、及化合物(4-1)至化合物(4-7)。成分B的化合物中，R¹¹及R¹²独立地为碳数1至10的烷基或碳数2至10的烯基，所述烷基或烯基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代，至少一个氢可经氟取代。

[化67]

成分B由于介电各向异性的绝对值小，故为接近中性的化合物。化合物(2)主要在减少粘度或调整光学各向异性的方面有效果。化合物(3)及化合物(4)有通过提高上限温度而扩大向列相的温度范围的效果，或在调整光学各向异性的方面有效果。

随着使成分B的含量增加，组合物的介电各向异性变小，但粘度变小。因此，只要满足元件的阈电压的要求值，则含量以多为佳。在制备IPS、VA等模式用的组合物的情况下，基于液晶组合物的重量，成分B的含量优选为30重量％以上，进而优选为40重量％以上。

成分C为在右末端具有卤素或含氟基的化合物。成分C的优选例可列举化合物(5-1)至化合物(5-16)、化合物(6-1)至化合物(6-113)、化合物(7-1)至化合物(7-57)。成分C的化合物中，R¹³为碳数1至10的烷基或碳数2至10的烯基，所述烷基及烯基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代，至少一个氢可经氟取代；X¹¹为氟、氯、-OCF₃、-OCHF₂、-CF₃、-CHF₂、-CH₂F、-OCF₂CHF₂、或-OCF₂CHFCF₃。

[化68]

[化69]

[化70]

[化71]

[化72]

[化73]

成分C的介电各向异性为正，且对热、光等的稳定性非常优异，因此可用于制备IPS、FFS、OCB等模式用的组合物的情况。基于液晶组合物的重量，成分C的含量合适的是1重量％至99重量％的范围，优选为10重量％至97重量％的范围，进而优选为40重量％至95重量％的范围。在将成分C添加至介电各向异性为负的组合物中的情况下，基于液晶组合物的重量，成分C的含量优选为30重量％以下。通过添加成分C，可调整组合物的弹性常数，调整元件的电压-透过率曲线。

成分D是右末端基为-C≡N或-C≡C-C≡N的化合物(8)。成分D的优选例可列举化合物(8-1)至化合物(8-64)。成分D的化合物中，R¹⁴为碳数1至10的烷基或碳数2至10的烯基，所述烷基及烯基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代，至少一个氢可经氟取代；-X¹²为-C≡N或-C≡C-C≡N。

[化74]

[化75]

成分D的介电各向异性为正，且其值大，因此主要可用于制备TN等模式用的组合物的情况。通过添加所述成分D，可增大组合物的介电各向异性。成分D有扩大液晶相的温度范围、调整粘度、或调整光学各向异性的效果。成分D对于元件的电压-透过率曲线的调整也有用。

在制备TN等模式用的组合物的情况下，基于液晶组合物的重量，成分D的含量合适的是1重量％至99重量％的范围，优选为10重量％至97重量％的范围，进而优选为40重量％至95重量％的范围。在将成分D添加至介电各向异性为负的组合物中的情况下，基于液晶组合物的重量，成分D的含量优选为30重量％以下。通过添加成分D，可调整组合物的弹性常数，调整元件的电压-透过率曲线。

成分E为化合物(9)至化合物(15)。这些化合物具有2，3-二氟-1，4-亚苯基那样侧位经两个卤素取代的亚苯基。成分E的优选例可列举化合物(9-1)至化合物(9-8)、化合物(10-1)至化合物(10-17)、化合物(11-1)、化合物(12-1)至化合物(12-3)、化合物(13-1)至化合物(13-11)、化合物(14-1)至化合物(14-3)、及化合物(15-1)至化合物(15-3)。成分E的化合物中，R¹⁵及R¹⁶独立地为碳数1至10的烷基或碳数2至10的烯基，所述烷基及烯基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代，至少一个氢可经氟取代；R¹⁷为氢、氟、碳数1至10的烷基、或碳数2至10的烯基，所述烷基及烯基中，至少一个-CH₂-可经-O-取代，至少一个氢可经氟取代。

[化76]

[化77]

成分E的介电各向异性为负且大。成分E可用于制备IPS、VA、PSA等模式用的组合物的情况。随着使成分E的含量增加，组合物的介电各向异性为负且增大，但粘度变大。因此，只要满足元件的阈电压的要求值，则含量以少为佳。若考虑到介电各向异性为-5左右，则为了进行充分的电压驱动，优选为基于液晶组合物的重量，含量为40重量％以上。

成分E中，化合物(9)为二环化合物，因此主要在减少粘度、调整光学各向异性、或增加介电各向异性的方面有效果。化合物(10)及化合物(11)为三环化合物，因此有提高上限温度、增大光学各向异性、或增大介电各向异性的效果。化合物(12)至化合物(15)有增大介电各向异性的效果。

在制备IPS、VA、PSA等模式用的组合物的情况下，基于液晶组合物的重量，成分E的含量优选为40重量％以上，进而优选为50重量％至95重量％的范围。在将成分E添加至介电各向异性为正的组合物中的情况下，基于液晶组合物的重量，成分E的含量优选为30重量％以下。通过添加成分E，可调整组合物的弹性常数，调整元件的电压-透过率曲线。

通过将以上所述的成分B、成分C、成分D、及成分E适当组合，可制备充分满足如下特性的至少一种的液晶组合物：上限温度高、下限温度低、粘度小、光学各向异性适当、正或负的介电各向异性大、比电阻大、对紫外线的稳定性高、对热的稳定性高、弹性常数大等。视需要也可添加与成分B、成分C、成分D、及成分E不同的液晶性化合物。

3-2.添加物

液晶组合物是通过公知的方法而制备。例如将成分化合物混合，而且通过加热使其相互溶解。也可根据用途而在所述组合物中添加添加物。添加物的例子为聚合性化合物、聚合引发剂、聚合抑制剂、光学活性化合物、抗氧化剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、热稳定剂、消泡剂等。此种添加物已为本技术领域技术人员所熟知，且记载于文献中。

聚合性化合物是出于使液晶组合物中生成聚合物的目的而添加。在对电极间施加电压的状态下照射紫外线，使化合物(1)聚合，由此在液晶组合物中生成聚合物。此时，化合物(1)在极性基与玻璃(或金属氧化物)的基板表面以非共价键结的方式相互作用的状态下经固定化。由此，控制液晶分子的取向的能力进一步提高，且可获得适当的预倾角，因此可缩短响应时间。

聚合性化合物的优选例为丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基化合物、乙烯氧基化合物、丙烯基醚、环氧化合物(氧杂环丙烷、氧杂环丁烷)、及乙烯基酮。进而优选的例子为具有至少一个丙烯酰氧基的化合物及具有至少一个甲基丙烯酰氧基的化合物。进而优选的例子中也包含具有丙烯酰氧基与甲基丙烯酰氧基两者的化合物。

化合物(1)具有极性基。另一方面，化合物(16)不具有极性基。对化合物(16)的优选例进行说明。

[化78]

式(16)中，环F及环I独立地为环己基、环己烯基、苯基、1-萘基、2-萘基、四氢吡喃-2-基、1，3-二恶烷-2-基、嘧啶-2-基、或吡啶-2-基，这些环中，至少一个氢可经卤素、碳数1至12的烷基、碳数1至12的烷氧基、或至少一个氢经卤素所取代的碳数l至12的烷基取代。

优选的环F或环I为环己基、环己烯基、苯基、氟苯基、二氟苯基、1-萘基、或2-萘基。进而优选的环F或环I为环己基、环己烯基、或苯基。特别优选的环F或环I为苯基。

环G为1，4-亚环己基、1，4-亚环己烯基、1，4-亚苯基、萘-1，2-二基、萘-1，3-二基、萘-1，4-二基、萘-1，5-二基、萘-1，6-二基、萘-1，7-二基、萘-1，8-二基、萘-2，3-二基、萘-2，6-二基、萘-2，7-二基、菲-2，7-二基、四氢吡喃-2，5-二基、1，3-二恶烷-2，5-二基、嘧啶-2，5-二基、或吡啶-2，5-二基，这些环中，至少一个氢可经卤素、碳数1至12的烷基、碳数1至12的烷氧基、或至少一个氢经卤素所取代的碳数1至12的烷基取代。

优选的环G为1，4-亚环己基、1，4-亚环己烯基、1，4-亚苯基、2-氟-1，4-亚苯基、萘-1，2-二基、萘-1，3-二基、萘-1，4-二基、萘-1，5-二基、萘-1，6-二基、萘-1，7-二基、萘-1，8-二基、萘-2，3-二基、萘-2，6-二基、萘-2，7-二基。进而优选的环G为1，4-亚环己基、1，4-亚环己烯基、1，4-亚苯基、或2-氟-1，4-亚苯基。特别优选的环G为1，4-亚苯基或2-氟-1，4-亚苯基。最优选的环G为1，4-亚苯基。

式(16)中，Z²²及Z²³独立地为单键或碳数1至10的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-CO-、-COO-、或-OCO-取代，至少一个-CH₂CH₂-可经-CH＝CH-、-C(CH₃)＝CH-、-CH＝C(CH₃)-、或-C(CH₃)＝C(CH₃)-取代，这些基中，至少一个氢可经氟或氯取代。优选的Z⁷或Z⁸为单键、-CH₂CH₂-、-CH₂O-、-OCH₂-、-COO-、或-OCO-。进而优选的Z²²或Z²³为单键。

化合物(16)中，P¹¹、P¹²、及P¹³独立地为聚合性基。优选的P¹¹至P¹³为选自式(P-1)至式(P-5)所表示的聚合性基的群组中的基。进而优选的P¹¹至P¹³为式(P-1)或式(P-5)所表示的基有。特别优选的P¹¹至P¹³为式(P-1)所表示的基有。式(P-1)所表示的优选的基为丙烯酰氧基(-OCO-CH＝CH₂)或甲基丙烯酰氧基(-OCO-C(CH₃)＝CH₂)。式(P-1)至式(P-5)的波浪线表示进行键结的部位。

[化79]

式(P-1)至式(P-5)中，M¹¹、M¹²、及M¹³独立地为氢、氟、碳数1至5的烷基、或至少一个氢经卤素所取代的碳数1至5的烷基。为了提高反应性，优选的M¹¹、M¹²、或M¹³为氢或甲基。进而优选的M¹¹为氢或甲基，进而优选的M¹²或M¹³为氢。

式(16)中，Sp¹¹、Sp¹²、及Sp¹³独立地为单键或碳数1至10的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-CH₂CH₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经氟或氯取代。优选的Sp¹¹、Sp¹²、或Sp¹³为单键。

式(16)中，u为0、1、或2。优选的u为0或1。

f、g、及h独立地为0、1、2、3、或4，而且，f、g、及h的和为1以上。优选的f、g、或h为1或2。优选的和为2、3或4。进而优选的和为2或3。

进而优选的例子为化合物(16-1-1)至化合物(16-1-5)、化合物(16-2-1)至化合物(16-2-5)、化合物(16-4-1)、化合物(16-5-1)、化合物(16-6-1)、及化合物(16-8)至化合物(16-16)。化合物(16-1-1)至化合物(16-1-5)、化合物(16-2-1)至化合物(16-2-5)、化合物(16-4-1)、化合物(16-5-1)、化合物(16-6-1)、及化合物(16-8)至化合物(16-16)中，R²⁵至R³¹独立地为氢或甲基；v、及x独立地为0或1；t及u独立地为1至10的整数；L³¹至L³⁶独立地为氢或氟，L³⁷及L³⁸独立地为氢、氟、或甲基。

[化80]

[化81]

聚合性化合物可通过添加聚合引发剂而迅速聚合。通过使反应温度最佳化，可减少残存的聚合性化合物的量。光自由基聚合引发剂的例子为巴斯夫(BASF)公司的达罗固(Darocure)系列中的TPO、1173、及4265，艳佳固(Irgacure)系列中的184、369、500、651、784、819、907、1300、1700、1800、1850、及2959。

光自由基聚合引发剂的追加例为4-甲氧基苯基-2，4-双(三氯甲基)三嗪、2-(4-丁氧基苯乙烯基)-5-三氯甲基-1，3，4-恶二唑、9-苯基吖啶、9，10-苯并吩嗪、二苯甲酮/米氏酮混合物、六芳基联咪唑/巯基苯并咪唑混合物、1-(4-异丙基苯基)-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、苄基二甲基缩酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉基丙烷-1-酮、2，4-二乙基氧杂蒽酮/对二甲基氨基苯甲酸甲酯混合物、二苯甲酮/甲基三乙醇胺混合物。

在液晶组合物中添加光自由基聚合引发剂后，在施加电场的状态下照射紫外线，由此可进行聚合。但是，未反应的聚合引发剂或聚合引发剂的分解产物可能对元件引起图像的残像等显示不良。为了防止所述情况，也可在不添加聚合引发剂的状态下进行光聚合。所照射的光的优选波长为150nm至500nm的范围。进而优选的波长为250nm至450nm的范围，最优选的波长为300nm至400nm的范围。

在保管聚合性化合物时，也可为了防止聚合而添加聚合抑制剂。聚合性化合物通常是以不去除聚合抑制剂的状态而添加至组合物中。聚合抑制剂的例子为氢醌、甲基氢醌酚之类的氢醌衍生物、4-叔丁基儿茶酚、4-甲氧基苯酚、吩噻嗪等。

光学活性化合物具有通过在液晶分子中诱发螺旋结构而赋予所需的扭转角来防止逆扭转的效果。通过添加光学活性化合物，可调整螺旋节距。出于调整螺旋节距的温度依存性的目的而也可添加两种以上的光学活性化合物。光学活性化合物的优选例可列举下述化合物(Op-1)至化合物(Op-18)。化合物(Op-18)中，环J为1，4-亚环己基或1，4-亚苯基，R²⁸为碳数1至10的烷基。

[化82]

为了维持大的电压保持率，抗氧化剂有效。抗氧化剂的优选例可列举：下述化合物(AO-1)及化合物(AO-2)；艳佳诺(IRGANOX)415、艳佳诺(IRGANOX)565、艳佳诺(IRGANOX)1010、艳佳诺(IRGANOX)1035、艳佳诺(IRGANOX)3114、及艳佳诺(IRGANOX)1098(商品名：巴斯夫(BASF)公司)。为了防止上限温度的降低，紫外线吸收剂有效。紫外线吸收剂的优选例为二苯甲酮衍生物、苯甲酸酯衍生物、三唑衍生物等。具体例可列举：下述化合物(AO-3)及化合物(AO-4)；帝奴彬(TINUVIN)329、帝奴彬(TINUVIN)P、帝奴彬(TINUVIN)326、帝奴彬(TINUVIN)234、帝奴彬(TINUVIN)213、帝奴彬(TINUVIN)400、帝奴彬(TINUVIN)328、及帝奴彬(TINUVIN)99-2(商品名：巴斯夫(BASF)公司)；及1，4-二氮杂双环[2.2.2]辛烷(DABCO)。

为了维持大的电压保持率，优选为具有位阻的胺之类的光稳定剂。光稳定剂的优选例可列举：下述化合物(AO-5)及化合物(AO-6)；帝奴彬(TINUVIN)144、帝奴彬(TINUVIN)765、及帝奴彬(TINUVIN)770DF(商品名：巴斯夫(BASF)公司)。为了维持大的电压保持率，热稳定剂也有效，优选例可列举艳佳富(IRGAFOS)168(商品名：巴斯夫(BASF)公司)。为了防止起泡，消泡剂有效。消泡剂的优选例为二甲基硅油、甲基苯基硅油等。

[化83]

化合物(AO-1)中，R⁴⁰为碳数1至20的烷基、碳数1至20的烷氧基、-COOR⁴¹、或-CH₂CH₂COOR⁴¹，此处，R⁴¹为碳数1至20的烷基。化合物(AO-2)及化合物(AO-5)中，R⁴²为碳数1至20的烷基。化合物(AO-5)中，R⁴³为氢、甲基、或O(氧自由基)，环G为1，4-亚环己基或1，4-亚苯基，z为1、2、或3。

4.液晶显示元件

液晶组合物可用于具有PC、TN、STN、OCB、PSA等运作模式且以有源矩阵方式驱动的液晶显示元件。所述组合物也可用于具有PC、TN、STN、OCB、VA、IPS等运作模式且以无源矩阵方式驱动的液晶显示元件。这些元件也可适用于反射型、透过型、半透过型的任一类型。

所述组合物也可用于将向列液晶微胶囊化而制作的向列曲线排列相(nematiccurvilinear aligned phase，NCAP)元件、在液晶中形成三维网状高分子而制作的聚合物分散型液晶显示元件(polymer dispersed liquid crystal display，PDLCD)、以及聚合物网络液晶显示元件(polymer network liquid crystal display，PNLCD)。在基于液晶组合物的重量而聚合性化合物的添加量为约10重量％以下时，制作PSA模式的液晶显示元件。优选的比例为约0.1重量％至约2重量％的范围。进而优选的比例为约0.2重量％至约1.0重量％的范围。PSA模式的元件可以有源矩阵、无源矩阵之类的驱动方式来驱动。此种元件也可适用于反射型、透过型、半透过型的任一类型。通过增加聚合性化合物的添加量，也可制作聚合物分散(polymer dispersed)模式的元件。

在聚合物稳定取向型的元件中，组合物所含的聚合物使液晶分子取向。极性化合物帮助液晶分子排列。即，极性化合物可代替取向膜而使用。制造此种元件的方法的一例如下。准备具有被称为阵列基板与彩色滤光片基板的两片基板的元件。所述基板不具有取向膜。所述基板的至少一片具有电极层。将液晶性化合物混合而制备液晶组合物。在所述组合物中添加聚合性化合物及极性化合物。视需要也可进一步添加添加物。将所述组合物注入至元件中。在对所述元件施加电压的状态下进行光照射。优选为紫外线。通过光照射使聚合性化合物聚合。通过所述聚合而生成包含聚合物的组合物，制作具有PSA模式的元件。

所述程序中，极性化合物由于极性基与基板表面相互作用，故在基板上排列。所述极性化合物使液晶分子取向。在存在多个极性基的情况下，与基板表面的相互作用变得更强，可以低浓度进行取向。在施加电压时，通过电场的作用来进一步促进液晶分子的取向。依据所述取向，聚合性化合物也进行取向。在所述状态下聚合性化合物通过紫外线而聚合，因此生成维持所述取向的聚合物。通过所述聚合物的效果，液晶分子的取向追加地稳定化，因此元件的响应时间缩短。由于图像的残像为液晶分子的运作不良，故通过所述聚合物的效果而也同时改善残像。化合物(1)为聚合性，因此通过聚合而被消耗。化合物(1)也通过与其他聚合性化合物进行共聚而被消耗。因而，化合物(1)虽具有极性基，但被消耗，因此可获得电压保持率大的液晶显示元件。

实施例

通过实施例(包含合成例、使用例)来对本发明进一步进行详细说明。本发明并不受这些实施例的限制。本发明包含使用例1的组合物与使用例2的组合物的混合物。本发明也包含通过将使用例的组合物的至少两种混合而制备的混合物。

1.化合物(1)的实施例

只要无特别记载，则反应是在氮气环境下进行。化合物(1)是通过实施例1等所示的程序而合成。所合成的化合物是通过核磁共振(Nuclear Magnetic Resonance，NMR)分析等方法而鉴定。化合物(1)、液晶性化合物、组合物、元件的特性是通过下述方法来测定。

NMR分析：在测定时，使用布鲁克拜厄斯宾(Bruker BioSpin)公司制造的DRX-500。在¹H-NMR的测定中，使试样溶解于CDCl₃等氘化溶媒中，在室温下以500MHz、累计次数16次的条件进行测定。使用四甲基硅烷作为内部标准。在¹⁹F-NMR的测定中，使用CFCl₃作为内部标准，以累计次数24次进行测定。核磁共振光谱的说明中，s是指单峰，d是指双重峰，t是指三重峰，q是指四重峰，quin是指五重峰，sex是指六重峰，m是指多重峰，br是指宽峰。

气相色谱分析：在测定时，使用岛津制作所制造的GC-2010型气相色谱仪。管柱是使用安捷伦科技公司(Agilent Technologies Inc.)制造的毛细管柱DB-1(长度60m、内径0.25mm、膜厚0.25μm)。使用氦气(1ml/min)作为载气。将试样气化室的温度设定为300℃，将检测器(火焰离子化检测器(flame ionization detector，FID))部分的温度设定为300℃。试样是溶解于丙酮中并以成为1重量％的溶液的方式制备，将1μl的所获得的溶液注入至试样气化室中。记录计是使用岛津制作所制造的GC溶解(GC Solution)系统等。

高效液相色谱(High Performance Liquid Chromatography，HPLC)分析：在测定时，使用岛津制作所制造的普罗米纳斯(Prominence)(LC-20AD；SPD-20A)。管柱是使用维美希(YMC)制造的YMC-填充(YMC-Pack)ODS-A(长度150mm、内径4.6mm、粒径5μm)。溶出液是将乙腈与水适宜混合而使用。检测器是适宜使用紫外线(Ultraviolet，UV)检测器、折射率(Reflective Index，RI)检测器、科罗娜(CORONA)检测器等。在使用UV检测器的情况下，将检测波长设为254nm。试样是溶解于乙腈中并以成为0.1重量％的溶液的方式制备，将1μL的所述溶液导入至试样室中。记录计是使用岛津制作所制造的C-R7A plus。

紫外可见分光分析：在测定时，使用岛津制作所制造的法码思拜(PharmaSpec)UV-1700。将检测波长设为190nm至700nm。试样是溶解于乙腈中并以成为0.01mmol/L的溶液的方式制备，并放入至石英槽(光程长度为1cm)中进行测定。

测定试样：在测定相结构及转变温度(透明点、熔点、聚合引发温度等)时，将化合物本身用作试样。

测定方法：特性的测定是通过下述方法来进行。这些方法大多为日本电子信息技术产业协会(Japan Electronics and Information Technology IndustriesAssociation，JEITA)所审议制定的JEITA标准(JEITA·ED-2521B)中所记载的方法、或将其加以修饰的方法。用于测定的TN元件中，未安装薄膜晶体管(TFT)。

(1)相结构

将试样放置于具备偏光显微镜的熔点测定装置的热板(梅特勒(Mettler)公司的FP-52型热平台(hot stage))上。对所述试样一边以3℃/min的速度加热一边利用偏光显微镜观察相状态及其变化，确定相的种类。

(2)转变温度(℃)

在测定时，使用珀金埃尔默(Perkin Elmer)公司制造的扫描热量计金刚石(Diamond)DSC系统或SSI纳米科技(SSI Nanotechnology)公司制造的高感度示差扫描热量计X-DSC7000。对试样以3℃/min的速度进行升降温，通过外推而求出伴随着试样的相变化的吸热峰值或发热峰值的起始点，决定转变温度。化合物的熔点、聚合引发温度也是使用所述装置来测定。有时将化合物自固体转变为近晶相、向列相等液晶相的温度简称为“液晶相的下限温度”。有时将化合物自液晶相转变为液体的温度简称为“透明点”。

将结晶表示作C。在区分结晶的种类的情况下，分别如C₁、C₂那样表示。将近晶相表示作S，将向列相表示作N。近晶相中，在区分层列A相、层列B相、层列C相、或层列F相的情况下，分别表示作S_A、S_B、S_C、或S_F。将液体(各向同性)表示作I。转变温度例如是如“C 50.0N100.0I”那样表述。其表示自结晶转变为向列相的温度为50.0℃，自向列相转变为液体的温度为100.0℃。

(3)向列相的上限温度(T_NI或NI；℃)

将试样放置于具备偏光显微镜的熔点测定装置的热板上，以1℃/min的速度进行加热。对试样的一部分自向列相变化为各向同性液体时的温度进行测定。有时将向列相的上限温度简称为“上限温度”。在试样为化合物(1)与母液晶的混合物时，以T_NI的记号表示。在试样为化合物(1)与成分B、成分C、成分D之类的化合物的混合物时，以NI的记号表示。

(4)向列相的下限温度(T_C；℃)

将具有向列相的试样在0℃、-10℃、-20℃、-30℃、及-40℃的冷冻器中保管10天后，观察液晶相。例如当试样在-20℃下保持向列相、且在-30℃下变化为结晶或近晶相时，将T_C记载为≤-20℃。有时将向列相的下限温度简称为“下限温度”。

(5)粘度(体积粘度(bulk viscosity)；η；在20℃下测定；mPa·s)

在测定时，使用东京计器股份有限公司制造的E型旋转粘度计。

(6)光学各向异性(折射率各向异性；在25℃下测定；Δn)

使用波长589nm的光，通过在接目镜上安装有偏光板的阿贝折射计来进行测定。对主棱镜的表面朝一个方向摩擦后，将试样滴加至主棱镜上。折射率(n//)是在偏光的方向与摩擦的方向平行时测定。折射率(n⊥)是在偏光的方向与摩擦的方向垂直时测定。光学各向异性(Δn)的值是由Δn＝n//-n⊥的式子来计算。

(7)比电阻(ρ；在25℃下测定；Ωcm)

在具备电极的容器中注入1.0mL试样。对所述容器施加直流电压(10V)，测定10秒后的直流电流。比电阻是由下式来算出。(比电阻)＝{(电压)×(容器的电容)}/((直流电流)×(真空的介电常数)}。

对于介电各向异性为正的试样与介电各向异性为负的试样，有时特性的测定法不同。在介电各向异性为正时的测定法是记载于项(8a)至项(12a)中。在介电各向异性为负的情况下，测定法是记载于项(8b)至项(12b)中。

(8a)粘度(旋转粘度；γ1；在25℃下测定；mPa·s)

正的介电各向异性：测定是依据M.今井(M.Imai)等人的《分子晶体及液晶(Molecular Crystals and Liquid Crystals)》(Vol.259，37(1995))中所记载的方法。在扭转角为0度、而且两片玻璃基板的间隔(单元间隙)为5μm的TN元件中放入试样。对所述元件在16V至19.5V的范围内以0.5V为单位阶段性地施加电压。不施加电压0.2秒后，以仅一个矩形波(矩形脉冲；0.2秒)与不施加(2秒)的条件反复施加电压。对因所述施加而产生的瞬态电流(transient current)的峰值电流(peak current)及峰值时间(peak time)进行测定。根据这些测定值及M.今井(M.Imai)等人的论文40页的计算式(8)而获得旋转粘度的值。所述计算所必需的介电各向异性的值是使用测定了所述旋转粘度的元件并利用以下记载的方法而求出。

(8b)粘度(旋转粘度；γ1；在25℃下测定；mPa·s)

负的介电各向异性：测定是依据M.今井(M.Imai)等人的《分子晶体及液晶(Molecular Crystals and Liquid Crystals)》(Vol.259，37(1995))中记载的方法。在两片玻璃基板的间隔(单元间隙)为20μm的VA元件中放入试样。对所述元件在39伏特至50伏特的范围内以1伏特为单位阶段性地施加电压。不施加电压0.2秒后，以仅一个矩形波(矩形脉冲；0.2秒)与不施加(2秒)的条件反复施加电压。对因所述施加而产生的瞬态电流(transient current)的峰值电流(peak current)及峰值时间(peaktime)进行测定。根据这些测定值及M.今井(M.Imai)等人的论文40页的计算式(8)而获得旋转粘度的值。所述计算所必需的介电各向异性是使用下述介电各向异性的项中测定的值。

(9a)介电各向异性(Δε；在25℃下测定)

正的介电各向异性：在两片玻璃基板的间隔(单元间隙)为9μm、而且扭转角为80度的TN元件中放入试样。对所述元件施加正弦波(10V、1kHz)，2秒后测定液晶分子的长轴方向上的介电常数(ε//)。对所述元件施加正弦波(0.5V、1kHz)，2秒后测定液晶分子的短轴方向上的介电常数(ε⊥)。介电各向异性的值是由Δε＝ε//-ε⊥的式子来计算。

(9b)介电各向异性(Δε；在25℃下测定)

负的介电各向异性：介电各向异性的值是由Δε＝ε//-ε⊥的式子来计算。介电常数(ε//及ε⊥)是如下那样测定。

1)介电常数(ε//)的测定：在经充分清洗的玻璃基板上涂布十八烷基三乙氧基硅烷(0.16mL)的乙醇(20mL)溶液。利用旋转器使玻璃基板旋转后，在150℃下加热1小时。在两片玻璃基板的间隔(单元间隙)为4μm的VA元件中放入试样，通过利用紫外线进行硬化的接着剂将所述元件密闭。对所述元件施加正弦波(0.5V、1kHz)，2秒后测定液晶分子的长轴方向上的介电常数(ε//)。

2)介电常数(ε⊥)的测定：在经充分清洗的玻璃基板上涂布聚酰亚胺溶液。将所述玻璃基板煅烧后，对所得的取向膜实施摩擦处理。在两片玻璃基板的间隔(单元间隙)为9μm、扭转角为80度的TN元件中放入试样。对所述元件施加正弦波(0.5V、1kHz)，2秒后测定液晶分子的短轴方向上的介电常数(ε⊥)。

(10a)弹性常数(K；在25℃下测定；pN)

正的介电各向异性：在测定时使用横河惠普(Yokogawa-Hewlett Packard)股份有限公司制造的HP4284A型电感电容电阻(inductance-capacitance-resistance，LCR)计。在两片玻璃基板的间隔(单元间隙)为20μm的水平取向元件中放入试样。对所述元件施加0伏特至20伏特的电荷，测定静电电容及施加电压。使用《液晶器件手册》(日刊工业报社)75页中的式(2.98)、式(2.101)对所测定的静电电容(C)及施加电压(V)的值进行拟合，由式(2.99)获得K₁₁及K₃₃的值。其次，在171页中的式(3.18)中，使用之前求出的K₁₁及K₃₃的值算出K₂₂。弹性常数K是以如此那样求出的K₁₁、K₂₂及K₃₃的平均值表示。

(10b)弹性常数(K₁₁及K₃₃；在25℃下测定；pN)

负的介电各向异性：在测定时使用东阳技术(TOYO Technica)股份有限公司制造的EC-1型弹性常数测定器。在两片玻璃基板的间隔(单元间隙)为20μm的垂直取向元件中放入试样。对所述元件施加20伏特至0伏特的电荷，测定静电电容及施加电压。使用《液晶器件手册》(日刊工业报社)75页中的式(2.98)、式(2.101)对静电电容(C)及施加电压(V)的值进行拟合，由式(2.100)获得弹性常数的值。

(11a)阈电压(Vth；在25℃下测定；V)

正的介电各向异性：在测定时使用大冢电子股份有限公司制造的LCD5100型亮度计。光源为卤素灯。在两片玻璃基板的间隔(单元间隙)为0.45/Δn(μm)、扭转角为80度的常白模式(normally white mode)的TN元件中放入试样。对所述元件施加的电压(32Hz、矩形波)是自0V起以0.02V为单位阶段性地增加至10V为止。此时，对元件自垂直方向照射光，对透过元件的光量进行测定。制成所述光量达到最大时为透过率100％、所述光量最小时为透过率0％的电压-透过率曲线。阈电压是以透过率成为90％时的电压表示。

(11b)阈电压(Vth；在25℃下测定；V)

负的介电各向异性：在测定时使用大冢电子股份有限公司制造的LCD5100型亮度计。光源为卤素灯。在两片玻璃基板的间隔(单元间隙)为4μm、摩擦方向为反平行的常黑模式(normally black mode)的VA元件中放入试样，使用利用紫外线进行硬化的接着剂将所述元件密闭。对所述元件施加的电压(60Hz、矩形波)是自0V起以0.02V为单位阶段性地增加至20V为止。此时，对元件自垂直方向照射光，测定透过元件的光量。制成所述光量达到最大时为透过率100％、所述光量最小时为透过率0％的电压-透过率曲线。阈电压是以透过率成为10％时的电压表示。

(12a)响应时间(τ；在25℃下测定；ms)

正的介电各向异性：在测定时使用大冢电子股份有限公司制造的LCD5100型亮度计。光源为卤素灯。低通滤波器(Low-pass filter)是设定为5kHz。在两片玻璃基板的间隔(单元间隙)为5.0μm、扭转角为80度的常白模式(normally white mode)的TN元件中放入试样。对所述元件施加矩形波(60Hz、5V、0.5秒)。此时，对元件自垂直方向照射光，测定透过元件的光量。将所述光量达到最大时视为透过率100％，所述光量最小时视为透过率0％。上升时间(τr：rise time；毫秒)为透过率自90％变化为10％所需要的时间。下降时间(τf：falltime；毫秒)为透过率自10％变化为90％所需要的时间。响应时间是以如此那样求出的上升时间与下降时间的和表示。

(12b)响应时间(τ；在25℃下测定；ms)

负的介电各向异性：在测定时使用大冢电子股份有限公司制造的LCD5100型亮度计。光源为卤素灯。低通滤波器(Low-pass filter)是设定为5kHz。在两片玻璃基板的间隔(单元间隙)为3.2μm、摩擦方向为反平行的常黑模式(normally black mode)的PVA元件中放入试样。使用利用紫外线进行硬化的接着剂将所述元件密闭。对所述元件施加稍许超过阈电压的程度的电压1分钟，其次，一边施加5.6V的电压，一边照射23.5mW/cm²的紫外线8分钟。对所述元件施加矩形波(60Hz、10V、0.5秒)。此时，对元件自垂直方向照射光，测定透过元件的光量。将所述光量达到最大时视为透过率100％，所述光量最小时视为透过率0％。响应时间是以透过率自90％变化为10％所需要的时间(下降时间；fall time；毫秒)来表示。

(13)电压保持率

使用岩琦(Eye Graphics)股份有限公司制造的不可见光(black light)、F40T10/BL(峰值波长369nm)照射紫外线，由此使聚合性化合物聚合。对所述元件在60℃下施加脉冲电压(1V且60微秒)而进行充电。利用高速电压计在1.67秒的期间中测定衰减的电压，求出单位周期的电压曲线与横轴之间的面积A。面积B为未衰减时的面积。电压保持率是以面积A相对于面积B的百分率表示。

原料

索尔米(solmix)(注册商标)A-11为乙醇(85.5％)、甲醇(13.4％)及异丙醇(1.1％)的混合物，是自日本醇销售(股)获取。

[合成例1]

化合物(1-6-1)的合成

[化84]

第1工序

将化合物(T-1)(40.0g)、膦酰基乙酸三乙酯(40.7g)及甲苯(800ml)放入至反应器中，并冷却至0℃。向其中缓慢滴加乙醇钠(20％乙醇溶液)(61.8g)，恢复至室温并搅拌12小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝4∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-2)(42.0g；83％)。

第2工序

将化合物(T-2)(42.0g)及甲苯(400ml)、异丙醇(400ml)放入至反应器中，加入Pd/C(0.7g)，在氢环境、室温下搅拌24小时。将反应混合物注入至水中，利用甲苯对水层进行萃取。利用食盐水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝4∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-3)(40.1g；95％)。

第3工序

将化合物(T-3)(40.1g)、及四氢呋喃(Tetrahydrofuran，THF)(400ml)放入至反应器中，并冷却至-60℃。缓慢滴加二异丙基酰胺锂(Lithium diisopropylamide，LDA)(1.13M；THF溶液；142ml)并搅拌1小时。向其中缓慢滴加氯甲酸甲酯(11.0ml)，恢复至室温并搅拌5小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝4∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-4)(30.5g；65％)。

第4工序

将氢化铝锂(1.7g)及THF(300ml)放入至反应器中并进行冰浴冷却。缓慢加入化合物(T-4)(30.5g)的THF(600ml)溶液，恢复至室温并搅拌3小时。将反应混合物注入至水中，利用乙酸乙酯对水层进行萃取。利用食盐水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶乙酸乙酯＝1∶1)对残渣进行纯化。进而通过自庚烷的再结晶进行纯化而获得化合物(T-5)(20.1g；80％)。

第5工序

将化合物(T-5)(20.1g)、三乙胺(10.3ml)及THF(200ml)放入至反应器中，并冷却至0℃。向其中缓慢滴加甲基丙烯酰氯(6.0ml)，恢复至室温并搅拌4小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用乙酸乙酯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶乙酸乙酯＝9∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(1-6-1)(7.7g；32％)。

所获得的化合物(1-6-1)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移δ(ppm；CDCl₃)：6.11(s，1H)，5.58(s，1H)，4.29-4.26(m，1H)，4.14-4.11(m，1H)，3.60-3.57(m，1H)，3.50-3.47(m，1H)，1.98-1.95(m，5H)，1.78-1.67(m，8H)，1.32-1.11(m，12H)，0.99-0.81(m，13H)

化合物(1-6-1)的物性如下所述。

转变温度：C 65.0I.

[合成例2]

化合物(1-2-1)的合成

[化85]

[化86]

第1工序

将聚甲醛(paraformaldehyde)(30.0g)、DABCO(56.0g)、及水(600ml)放入至反应器中，在室温下搅拌15分钟。向其中滴加化合物(T-6)(50.0g)的THF(1200ml)溶液，在室温下搅拌72小时。将反应混合物注入至水中，利用乙酸乙酯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶乙酸乙酯＝4∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-7)(43.2g；65％)。

第2工序

将化合物(T-7)(42.2g)用作原料，并将咪唑(26.3g)、及二氯甲烷(800ml)放入至反应器中，冷却至0℃。向其中缓慢滴加叔丁基二苯基氯硅烷(106.4g)的二氯甲烷(100ml)溶液，恢复至室温并搅拌12小时。将反应混合物注入至水中，利用二氯甲烷对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，庚烷∶乙酸乙酯＝10∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-8)(107.0g；90％)。

第3工序

将化合物(T-8)(107.0g)、THF(800ml)、甲醇(200ml)、及水(100ml)放入至反应器中，并冷却至0℃。向其中加入氢氧化锂一水合物(24.3g)，恢复至室温并搅拌12小时。将反应混合物注入至水中，缓慢加入6N盐酸(100ml)而形成为酸性后，利用乙酸乙酯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过自庚烷的再结晶进行纯化而获得化合物(T-9)(47.4g；48％)。

第4工序

将化合物(1-6-1)(7.7g)、化合物(T-9)(8.0g)、DMAP(1.0g)、及二氯甲烷(200ml)放入至反应器中，并冷却至0℃。向其中缓慢滴加DCC(4.8g)的二氯甲烷(60ml)溶液，恢复至室温并搅拌12小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用二氯甲烷对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，庚烷∶乙酸乙酯＝19∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-10)(9.8g；70％)。

第5工序

将化合物(T-10)(9.8g)及THF(100ml)放入至反应器中，并冷却至0℃。向其中缓慢加入四正丁基氟化铵(TBAF)(1.00M；THF溶液；16.5ml)，恢复至室温并搅拌1小时。将反应混合物注入至水中，利用乙酸乙酯对水层进行萃取。利用食盐水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶乙酸乙酯＝9∶1)对残渣进行纯化。进而通过自庚烷的再结晶进行纯化而获得化合物(1-2-1)(3.1g；47％)。

所获得的化合物(1-2-1)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移δ(ppm；CDCl₃)：6.25(s，1H)，6.10(s，1H)，5.85(s，1H)，5.57(s，1H)，4.33(d，J＝4.5Hz，2H)，4.27-4.16(m，2H)，4.13-4.08(m，2H)，2.31(s，1H)，2.26-2.22(m，1H)，1.94(s，3H)，1，81-1.61(m，8H)，1.32-1.08(m，12H)，1.00-0.79(m，13H).

化合物((1-2-1)的物性如下所述。

转变温度：C 49.6I.

[合成例3]

化合物(1-2-2)的合成

[化87]

第1工序

将化合物(T-11)(15.0g)、DMAP(9.33g)、米氏酸(Meldrum′s acid)(9.54g)及二氯甲烷(250ml)放入至反应器中，并冷却至0℃。向其中缓慢加入DCC(15.7g)，恢复至室温并搅拌12小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用二氯甲烷对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩。将残渣、乙醇(250ml)放入至反应器中，在70℃下进行搅拌。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至食盐水中，利用乙酸乙酯对水层进行萃取。利用无水硫酸镁对一起产生的有机层进行干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，庚烷∶甲苯＝1∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-12)(10.2g；55％)。

第2工序

将氢化铝锂(0.6g)及THF(100ml)放入至反应器中并进行冰浴冷却。缓慢加入化合物(T-12)(10.2g)的THF(100ml)溶液，恢复至室温并搅拌3小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用乙酸乙酯对水层进行萃取。利用食盐水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶乙酸乙酯＝1∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-13)(7.35g；81％)。

第3工序

将化合物(T-13)(7.35g)、三乙胺(3.75ml)、N，N-二甲基-4-氨基吡啶(N，N-dimethyl-4-amino pyridine，DMAP)(0.27g)、二氯甲烷(200ml)放入至反应器中，并冷却至0℃。缓慢滴加三异丙基氯硅烷(TIPSCl)(5.05ml)，恢复至室温并搅拌24小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用乙酸乙酯对水层进行萃取。利用食盐水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶乙酸乙酯＝19∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-14)(6.50g；60％)。

第4工序

将化合物(T-14)(6.50g)、三乙胺(3.77ml)、THF(200ml)放入至反应器中，并冷却至0℃。向其中缓慢滴加甲基丙烯酰氯(2.00ml)，恢复至室温并搅拌4小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝1∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-15)(4.70g；63％)。

第5工序

将化合物(T-15)(4.70g)、THF(100ml)放入至反应器中，并冷却至0℃。向其中缓慢加入TBAF(1.00M；THF溶液；10.3ml)，恢复至室温并搅拌1小时。将反应混合物注入至水中，利用乙酸乙酯对水层进行萃取。利用食盐水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶乙酸乙酯＝9∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-16)(1.50g；45％)。

第6工序

将化合物(T-16)(1.50g)用作原料，并通过与合成例2的第4工序相同的方法而获得化合物(T-17)(1.51g；55％)。

第7工序

将化合物(T-17)(1.51g)用作原料，并通过与合成例2的第5工序相同的方法而获得化合物(1-2-2)(0.45g；45％)。

所获得的化合物(1-2-2)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移δ(ppm；CDCl₃)：6.25(s，1H)，6.09(s，1H)，5.82(d，J＝1.1Hz，1H)，5.55(s，1H)，5.22-5.17(m，1H)，4.32-4.26(m，3H)，4.17-4，12(m，3H)，2.50(s，1H)，2.03-1.89(m，5H)，1.83-1.58(m，9H)，1.41-1.08(m，11H)，0.96-0.78(m，13H).

化合物(1-2-2)的物性如下所述。

转变温度：C 61.2I.

[合成例4]

[化88]

第1工序

将化合物(T-18)(20.0g)及THF(200ml)放入至反应器中，并冷却至-70℃，缓慢滴加二异丙基酰胺锂(LDA)(1.10M；THF溶液；68.0ml)并搅拌1小时。向其中缓慢加入氯甲酸甲酯(7.00g)，恢复至室温并搅拌4小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝9∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-19)(19.4g；82％)。

第2工序

将氢化铝锂(1.93g)及THF(200ml)放入至反应器中，并冷却至0℃。向其中缓慢加入化合物(T-19)(19.4g)的THF(100ml)溶液，恢复至室温并搅拌3小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用乙酸乙酯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶乙酸乙酯＝1∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-20)(6.0g；38％)。

第3工序

将化合物(T-20)(6.0g)、三乙胺(3.2ml)及THF(100ml)放入至反应器中，并冷却至0℃。向其中缓慢加入甲基丙烯酰氯(1.8ml)，恢复至室温并搅拌5小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用乙酸乙酯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶乙酸乙酯＝9∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(1-9-1)(2.5g；34％)。

所获得的化合物(1-9-1)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移δ(ppm；CDCl₃)：6.10(s，1H)，5.57(d，J＝1.1Hz，1H)，4.38(dd，J＝11.4Hz，J＝4.3Hz，1H)，4.23(dd，J＝11.3Hz，J＝6.7Hz，1H)，3.71-3.68(m，1H)，3.63-3.60(m，1H)，1.97(s，1H)，1.94(s，3H)，1.82-1.62(m，9H)，1.41-1.18(m，7H)，1.14-0.79(m，16H).

化合物(1-9-1)的物性如下所述。

转变温度：C 68.4S_A 89.3I.

[合成例5]

[化89]

第1工序

将化合物(T-7)、3，4-二氢-2H-吡喃(23.3g)、对甲苯磺酸吡啶鎓(PPTS)(5.80g)放入至反应器中，在50℃下搅拌10小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用二氯甲烷对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，庚烷∶乙酸乙酯＝2∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-21)(39.5g；80％)。

第2工序

将化合物(T-21)(39.5g)、THF(400ml)、及水(400ml)放入至反应器中，并冷却至0℃。向其中加入氢氧化锂一水合物(15.4g)，恢复至室温并搅拌12小时。将反应混合物注入至水中，缓慢加入6N盐酸(60ml)而形成为酸性后，利用乙酸乙酯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩而获得化合物(T-22)(32.6g；95％)。

第3工序

将化合物(1-9-1)(2.0g)、化合物(T-22)(1.18g)、DMAP(0.32g)、及二氯甲烷(100ml)放入至反应器中，并冷却至0℃。向其中缓慢滴加DCC(1.30g)的二氯甲烷(60ml)溶液，恢复至室温并搅拌12小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用二氯甲烷对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶乙酸乙酯＝19∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-23)(2.37g；82％)。

第4工序

将化合物(T-23)(2.37g)、对甲苯磺酸吡啶鎓(PPTS)(0.54g)、THF(50ml)及甲醇(50ml)放入至反应器中，在50℃下搅拌5小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用乙酸乙酯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶乙酸乙酯＝9∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(1-9-2)(1.50g；75％)。

所获得的化合物(1-9-2)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移δ(ppm；CDCl₃)：6.24(s，1H)，6.09(s，1H)，5.84(s，1H)，5.57(s，1H)，4.33-4.27(m，4H)，4.20-4.16(m，2H)，2.34-2.31(m，1H)，1.97-1.90(m，4H)，1.82-1.67(m，8H)，1.43-1.39(m，1H)，1.31-1.18(m，6H)，1.15-0.75(m，16H).

化合物(1-9-2)的物性如下所述。

转变温度：C 66.5 I.

[合成例6]

[化90]

第1工序

将化合物(T-24)(30.0g)、乙醇(14.4ml)、磷酸钾(53.6g)、碘化铜(1.60g)、乙酰乙酸乙酯(32.8g)及二甲基亚砜(Dimethyl sulfoxide，DMSO)(500ml)放入至反应器中，在80℃下搅拌6小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝4∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-25)(19.5g；73％)。

第2工序

将化合物(T-25)(19.5g)用作原料，并通过与合成例4的第1工序相同的方法而获得化合物(T-26)(16.2g；70％)。

第3工序

将化合物(T-26)(16.2g)用作原料，并通过与合成例4的第2工序相同的方法而获得化合物(T-27)(6.0g；45％)。

第3工序

将化合物(T-27)(6.0g)用作原料，并通过与合成例4的第3工序相同的方法而获得化合物(1-9-3)(2.3g；31％)。

所获得的化合物(1-9-3)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移δ(ppm；CDCl₃)：7.18-7.17(m，4H)，6.09(s，1H)，5.57(s，1H)，4.47-4.38(m，2H)，3.91-3.85(m，2H)，3.19-3.14(m，1H)，2.44(tt，J＝12.2Hz，J＝3.0Hz，1H)，1.93-1.86(m，8H)，1.48-1.38(m，2H)，1.34-1.19(m，9H)，1.07-0.99(m，2H)，0.89(t，J＝6.8Hz，3H).

化合物(1-9-3)的物性如下所述。

转变温度：C 36.1 I.

[合成例7]

[化91]

第1工序

将化合物(1-9-3)(2.0g)用作原料，并通过与合成例5的第3工序相同的方法而获得化合物(T-28)(2.2g；76％)。

第2工序

将化合物(T-28)(2.2g)用作原料，并通过与合成例5的第4工序相同的方法而获得化合物(1-9-4)(1.3g；70％)。

所获得的化合物(1-9-4)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移δ(ppm；CDCl₃)：7.17-7.16(m，4H)，6.21(s，1H)，6.07(s，1H)，5.81(d，J＝1.0Hz，1H)，5.55(s，1H)，4.46-4.39(m，4H)，4.27(d，J＝6.2Hz，2H)，3.42-3.37(m，1H)，2.44(tt，J＝12.2Hz，J＝3.1Hz，1H)，2.22-2.21(m，1H)，1.95(s，3H)，1.87-1.85(m，4H)，1.46-1.38(m，2H)，1.34-1.19(m，9H)，1.07-0.99(m，2H)，0.89(t，J＝7.0Hz，3H).

化合物(1-9-4)的物性如下所述。

转变温度：C 52.3 I.

[合成例8]

[化92]

第1工序

将化合物(T-29)(30.0g)、膦酰基乙酸三乙酯(33.0g)及甲苯(500ml)放入至反应器中，并冷却至0℃。向其中缓慢滴加乙醇钠(20％乙醇溶液)(50.1g)，恢复至室温并搅拌6小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝4∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-30)(32.8g；85％)。

第2工序

将化合物(T-30)(32.8g)、甲苯(300ml)、IPA(300ml)及Pd/C(0.55g)放入至反应器中，在氢环境下搅拌12小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝4∶1)对残渣进行纯化。进而通过自庚烷的再结晶进行纯化而获得化合物(T-31)(16.8g；51％)。

第3工序

将化合物(T-31)(16.8g)用作原料，并通过与合成例4的第1工序相同的方法而获得化合物(T-32)(14.1g；71％)。

第4工序

将化合物(T-32)(14.1g)用作原料，并通过与合成例4的第2工序相同的方法而获得化合物(T-33)(6.0g；52％)。

第5工序

将化合物(T-33)(6.0g)用作原料，并通过与合成例4的第3工序相同的方法而获得化合物(1-9-5)(2.3g；32％)。

所获得的化合物(1-9-5)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移δ(ppm；CDCl₃)：7.14-7.10(m，4H)，6.12(s，1H)，5.59(s，1H)，4.43-4.40(m，1H)，4.28-4.25(m，1H)，3.75-3.64(m，2H)，2.55(t，J＝7.6Hz，2H)，2.47-2.42(m，1H)，2.14(s，1H)，1.96-1.91(m，7H)，1.74-1.69(m，1H)，1.62-1.22(m，11H)，0.88(t，J＝6.8Hz，3H).

化合物(1-9-5)的物性如下所述。

转变温度：C＜-50.0I.

[合成例9]

[化93]

第1工序

将化合物(1-9-5)(2.0g)用作原料，并通过与合成例5的第3工序相同的方法而获得化合物(T-34)(1.9g；68％)。

第2工序

将化合物(T-34)(1.9g)用作原料，并通过与合成例5的第4工序相同的方法而获得化合物(1-9-6)(1.2g；75％)。

所获得的化合物(1-9-6)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移δ(ppm；CDCl₃)：7.13-7.10(m，4H)，6.27(s，1H)，6.11(s，1H)，5.86(s，1H)，5.58(s，1H)，4.40-4.32(m，4H)，4.25-4.20(m，2H)，2.56(t，J＝7.6Hz，2H)，2.45(tt，J＝12.1Hz，J＝2.9Hz，1H)，2.35-2.32(m，1H)，2.04-1.91(m，7H)，1.62-1.26(m，12H)，0.88(t，J＝6.8Hz，3H).

化合物(1-9-6)的物性如下所述。

转变温度：C 35.8 I.

[合成例10]

[化94]

第1工序

将2-(1，3-二恶烷-2-基)乙基三苯基溴化鏻(103.7g)及THF(500ml)放入至反应器中，并冷却至-30℃，加入叔丁醇钾(25.4g)并搅拌1小时。向其中缓慢滴加化合物(T-35)(50.0g)的THF(300ml)溶液，恢复至室温并搅拌6小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝1∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-36)(63.0g；92％)。

第2工序

将化合物(T-36)(63.0g)、甲苯(500ml)、IPA(500ml)及Pd/C(0.55g)放入至反应器中，在氢环境下搅拌16小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝1∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-37)(60.1g；95％)。

第3工序

将化合物(T-37)(60.1g)、甲酸(75.8g)、及甲苯(1000ml)放入至反应器中，在100℃下搅拌6小时。对不溶物进行炉别后，通过碳酸氢钠水溶液进行中和，并利用甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法并利用甲苯对残渣进行纯化而获得化合物(T-38)(45.0g；89％)。

第4工序

将化合物(T-38)(45.0g)、过硫酸氢钾(OXONE)(108.3g)、及DMF(1000ml)放入至反应器中，在室温下搅拌8小时。

对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，乙酸乙酯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩而获得化合物(T-39)(28.5g；60％)。

第5工序

将化合物(T-39)(28.5g)、硫酸(0.5ml)及甲醇(500ml)放入至反应器中，在60℃下搅拌5小时。对不溶物进行炉别后加以浓缩，通过硅胶色谱法并利用甲苯对残渣进行纯化而获得化合物(T-40)(22.3g；75％)。

第6工序

将化合物(T-40)(22.3g)用作原料，并通过与合成例4的第1工序相同的方法而获得化合物(T-41)(18.3g；70％)。

第7工序

将化合物(T-41)(18.3g)用作原料，并通过与合成例4的第2工序相同的方法而获得化合物(T-42)(5.9g；38％)。

第8工序

将化合物(T-42)(5.9g)用作原料，并通过与合成例4的第3工序相同的方法而获得化合物(1-9-7)(2.4g；34％)。

所获得的化合物(1-9-7)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移δ(ppm；CDCl₃)6.11(s，1H)，5.81(s，1H)，4.31-4.28(m，1H)，4.17-4.14(m，1H)，3.63-3.58(m，1H)，3.54-3.49(m，1H)，1.98-1.95(m，4H)，1.84-1.69(m，9H)，1.41-1.18(m，10H)，1.15-1.06(m，4H)，1.02-0.80(m，13H).

化合物(1-9-7)的物性如下所述。

转变温度：C 33.6S_A 101 I.

[合成例11]

[化95]

第1工序

将化合物(1-9-7)(2.0g)用作原料，并通过与合成例5的第3工序相同的方法而获得化合物(T-43)(2.1g；74％)。

第2工序

将化合物(T-43)(2.1g)用作原料，并通过与合成例5的第4工序相同的方法而获得化合物(1-9-8)(1.3g；72％)。

所获得的化合物(1-9-8)的NMR分析值如以下那样。

1H-NMR：化学位移δ(ppm；CDCl₃)：6.25(s，1H)，6.10(s，1H)，5.85(d，J＝1.1Hz，1H)，5.57(s，1H)，4.33(d，J＝6.5Hz，2H)，4.24-4.11(m，4H)，2.28(t，J＝6.6Hz，1H)，2.09-2.03(m，1H)，1.94(s，3H)，1.75-1.67(m，8H)，1.44-1.39(m，2H)，1.32-1.18(m，8H)，1.15-1.06(m，4H)，1.02-0.79(m，13H).

化合物(1-9-8)的物性如下所述。

转变温度：C 71.4 I.

[合成例12]

[化96]

第1工序

将化合物(T-20)(2.0g)、化合物(T-22)(2.63g)、DMAP(0.78g)、及二氯甲烷(100ml)放入至反应器中，并冷却至0℃。向其中缓慢滴加DCC(2.92g)的二氯甲烷(60ml)溶液，恢复至室温并搅拌12小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用二氯甲烷对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶乙酸乙酯＝9∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-44)(2.83g；68％)。

第2工序

将化合物(T-44)(2.83g)、对甲苯磺酸吡啶鎓(PPTS)(1.09g)、THF(50ml)及甲醇(50ml)放入至反应器中，在50℃下搅拌8小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用乙酸乙酯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶乙酸乙酯＝1∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(1-10-1)(1.47g；70％)。

所获得的化合物(1-10-1)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移6(ppm；CDCl₃)：6.24(s，2H)，5.82(s，2H)，4.35-4.31(m，6H)，4.22-4.19(m，2H)，2.36(s，2H)，1.97-1.91(s，1H)，1.82-1.63(m，8H)，1.43-1.18(m，7H)，1.15-0.79(m，16H).

化合物(1-10-1)的物性如下所述。

转变温度：C 102 I.

[合成例13]

[化97]

第1工序

将化合物(T-27)(2.0g)用作原料，并通过与合成例12的第1工序相同的方法而获得化合物(T-45)(2.7g；64％)。

第2工序

将化合物(T-45)(2.7g)用作原料，并通过与合成例12的第2工序相同的方法而获得化合物(1-10-2)(1.3g；65％)。

所获得的化合物(1-10-2)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移δ(ppm；CDCl₃)：7.20-7.16(m，4H)，6.26(s，2H)，5.83(d，J＝0.8Hz，2H)，4.46(d，J＝6.6Hz，4H)，4.28(d，J＝6.3Hz，4H)，3.44-3.39(m，1H)，2.44(tt，J＝12.2Hz，J＝3.1Hz，1H)，2.16-2.13(m，2H)，1.87-1.85(m，4H)，1.46-1.19(m，11H)，1.07-0.99(m，2H)，0.89(t，J＝6.8Hz，3H).

化合物(1-10-2)的物性如下所述。

转变温度：C 65.8 I.

[合成例14]

[化98]

第1工序

将化合物(T-33)(2.0g)用作原料，并通过与合成例12的第1工序相同的方法而获得化合物(T-46)(2.5g；59％)。

第2工序

将化合物化合物(T-46)(2.7g)用作原料，并通过与合成例12的第2工序相同的方法而获得化合物(1-10-3)(1.1g；60％)。

所获得的化合物(1-10-3)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移6(ppm；CDCl₃)：7.14-7.10(m，4H)，6.27(s，2H)，5.87(d，J＝1.1Hz，2H)，4.39-4.33(m，6H)，4.27-4.20(m，2H)，2.57-2.54(m，2H)，2.45(tt，J＝12.2Hz，J＝3.1Hz，1H)，2.38-2.35(m，2H)，2.05-1.91(m，5H)，1.63-1.1.26(m，11H)，0.88(t，J＝6.8Hz，3H).

化合物(1-10-3)的物性如下所述。

转变温度：C 65.6 I.

[合成例15]

[化99]

第1工序

将化合物(T-42)(2.0g)用作原料，并通过与合成例12的第1工序相同的方法而获得化合物(T-47)(2.7g；67％)。

第2工序

将化合物(T-47)(2.7g)用作原料，并通过与合成例12的第2工序相同的方法而获得化合物(1-10-4)(1.3g；64％)。

所获得的化合物(1-10-4)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移δ(ppm；CDCl₃)：6.25(s，2H)，5.85(d，J＝1.1Hz，2H)，4.33(d，J＝6.3Hz，4H)，4.25-4.22(m，2H)，4.18-4.14(m，2H)，2.30-2.28(m，2H)，2.11-2.06(m，1H)，1.75-1.67(m，8H)，1.44-1.39(m，2H)，1.32-0.79(m，25H).

化合物(1-10-4)的物性如下所述。

转变温度：C 85.7S_A 125 I.

[合成例16]

[化100]

第1工序

将化合物(T-24)(50.0g)、及THF(1000ml)放入至反应器中，并冷却至-70℃。缓慢滴加异丙基氯化镁-氯化锂(1.3M；THF溶液；130.0ml)并搅拌1小时。向其中滴加DMF(13.0ml)，恢复至室温并搅拌4小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝4∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-48)(34.5g；95％)。

第2工序

将甲氧基甲基-三苯基氯化鏻(54.9g)、及THF(1000ml)放入至反应器中，并冷却至-30℃。加入叔丁醇钾(18.0g)并搅拌1小时。向其中滴加(T-48)(34.5g)的THF(500ml)溶液，恢复至室温并搅拌5小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝1∶4)对残渣进行纯化而获得化合物(T-49)(31.7g；83％)。

第3工序

将化合物(T-49)(31.7g)、甲酸(50.9g)、及甲苯(1000ml)放入至反应器中，在100℃下搅拌6小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，通过碳酸氢钠水进行中和，并甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝4∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-50)(26.5g；88％)。

第4工序

将化合物(T-50)(26.5g)、膦酰基乙酸三乙酯(26.2g)及甲苯(500ml)放入至反应器中，并冷却至0℃。向其中缓慢滴加乙醇钠(20％乙醇溶液)(39.7g)，恢复至室温并搅拌6小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝9∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-51)(30.6g；92％)。

第5工序

将化合物(T-51)(30.6g)、Pd/C(0.55g)、甲苯(250ml)、及IPA(250ml)放入至反应器中，在氢环境下搅拌12小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝9∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-52)(29.2g；95％)。

第6工序

将化合物(T-52)(29.2g)、及THF(250ml)放入至反应器中，并冷却至-70℃。缓慢滴加二异丙基酰胺锂(LDA)(1.1M；THF溶液；92.5ml)。搅拌1小时，向其中滴加苄基氯甲基醚(16.0g)，恢复至室温并搅拌12小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝9∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-53)(31.5g；80％)。

第7工序

将化合物(T-53)(31.5g)、氢氧化钯(0.28g)、甲苯(250ml)、及IPA(250ml)放入至反应器中，在氢环境下搅拌12小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶乙酸乙酯＝4∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-54)(23.3g；92％)。

第8工序

将化合物(T-54)(23.3g)、3，4-二氢-2H-吡喃(5.8g)、对甲苯磺酸吡啶鎓(PPTS)(1.5g)、及二氯甲烷(500ml)放入至反应器中，在室温下搅拌8小时。将反应混合物注入至水中，利用二氯甲烷对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶乙酸乙酯＝9∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-55)(25.4g；89％)。

第9工序

将氢化铝锂(Lithium aluminum hydride，LAH)(1.2g)、及THF(300ml)放入至反应器中，并冷却至0℃。向其中缓慢滴加化合物(T-55)(25.4g)的THF(100ml)溶液，恢复至室温并搅拌3小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用乙酸乙酯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶乙酸乙酯＝4∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-56)(19.2g；83％)。

第10工序

将化合物(T-56)(19.2g)、三乙胺(7.6ml)及THF(200ml)放入至反应器中，并冷却至0℃。向其中缓慢加入甲基丙烯酰氯(5.3ml)，恢复至室温并搅拌5小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用乙酸乙酯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶乙酸乙酯＝19∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-57)(17.9g；80％)。

第11工序

将化合物(T-57)(17.9g)、对甲苯磺酸吡啶鎓(PPTS)(4.6g)、THF(200ml)及甲醇(200ml)放入至反应器中，在50℃下搅拌6小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用乙酸乙酯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶乙酸乙酯＝9∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(1-9-11)(12.4g；84％)。

所获得的化合物(1-9-11)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移δ(ppm；CDCl₃)：7.13-7.09(m，4H)，6.10(s，1H)，5.57(s，1H)，4.33-4.30(m，1H)，4.23-4.20(m，1H)，3.65-3.62(m，1H)，3.58-3.54(m，1H)，2.66(t，J＝8.0Hz，2H)，2.45-2.39(m，1H)，1.94-1.81(m，8H)，1.74-1.60(m，2H)，1.46-1.19(m，12H)，1.07-0.99(m，2H)，0.89(t，J＝6.9Hz，3H).

化合物(1-9-11)的物性如下所述。

转变温度：C-24.7 I.

[合成例17]

[化101]

第1工序

将化合物(1-9-11)(2.0g)用作原料，并通过与合成例5的第3工序相同的方法而获得化合物(T-58)(2.1g；74％)。

第2工序

将化合物(T-58)(2.1g)用作原料，并通过与合成例5的第4工序相同的方法而获得化合物(1-9-12)(1.4g；78％)。

所获得的化合物(1-9-12)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移δ(ppm；CDCl₃)：7.14-7.08(m，4H)，6.24(s，1H)，6.10(s，1H)，5.85(s，1H)，5.57(s，1H)，4.32(d，J＝6.1Hz，2H)，4.27-4.18(m，4H)，2.67(t，J＝7.4Hz，2H)，2.45-2.40(m，2H)，2.18-2.12(m，1H)，1.93(s，3H)，1.88-1.84(m，4H)，1.77-1.72(m，2H)，1.46-1.38(m，2H)，1.34-1.19(m，9H)，1.07-0.99(m，2H)，0.89(t，J＝6.8Hz，3H).

化合物(1-9-12)的物性如下所述。

转变温度：C-30.2S_A-26.3 I.

[合成例18]

[化102]

第1工序

将甲氧基甲基-三苯基氯化鏻(84.2g)、及THF(1000ml)放入至反应器中，并冷却至-30℃。加入叔丁醇钾(27.6g)并搅拌1小时。向其中滴加(T-29)(50.0g)的THF(500ml)溶液，恢复至室温并搅拌5小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝1∶4)对残渣进行纯化而获得化合物(T-59)(46.3g；83％)。

第2工序

将化合物(T-59)(46.3g)、对甲苯磺酸(PTSA)(3.2g)、及甲苯(1000ml)放入至反应器中，在100℃下搅拌12小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝1∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-60)(49.2g；95％)。

第3工序

将化合物(T-60)(49.2g)、甲酸(74.4g)、及甲苯(1000ml)放入至反应器中，在室温下搅拌8小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，通过碳酸氢钠水进行中和。甲苯对水层进行萃取，利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝1∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-61)(35.0g；84％)。

第4工序

将甲氧基甲基-三苯基氯化鏻(55.7g)、及THF(1000ml)放入至反应器中，并冷却至-30℃。加入叔丁醇钾(18.2g)并搅拌1小时。向其中滴加(T-61)(35.0g)的THF(500ml)溶液，恢复至室温并搅拌5小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝1∶4)对残渣进行纯化而获得化合物(T-62)(36.5g；94％)。

第5工序

将化合物(T-62)(36.5g)、甲酸(58.6g)、及甲苯(1000ml)放入至反应器中，在100℃下搅拌4小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，通过碳酸氢钠水进行中和。甲苯对水层进行萃取，利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝1∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-63)(33.0g；95％)。

第6工序

将化合物(T-63)(33.0g)用作原料，并通过与合成例16的第4工序相同的方法而获得化合物(T-64)(38.2g；92％)。

第7工序

将化合物(T-64)(38.2g)用作原料，并通过与合成例16的第5工序相同的方法而获得化合物(T-65)(18.7g；48％)。

第8工序

将化合物(T-65)(18.7g)用作原料，并通过与合成例16的第6工序相同的方法而获得化合物(T-66)(21.5g；85％)。

第9工序

将化合物(T-66)(21.5g)用作原料，并通过与合成例16的第7工序相同的方法而获得化合物(T-67)(15.6g；90％)。

第10工序

将化合物(T-67)(15.6g)用作原料，并通过与合成例16的第8工序相同的方法而获得化合物(T-68)(16.8g；88％)。

第10工序

将化合物(T-68)(16.8g)用作原料，并通过与合成例16的第9工序相同的方法而获得化合物(T-69)(13.0g；85％)。

第11工序

将化合物(T-69)(13.0g)用作原料，并通过与合成例16的第10工序相同的方法而获得化合物(T-70)(11.6g；77％)。

第12工序

将化合物(T-70)(11.6g)用作原料，并通过与合成例16的第11工序相同的方法而获得化合物(1-9-9)(7.8g；82％)。

所获得的化合物(1-9-9)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移δ(ppm；CDCl₃)：7.11-7.08(m，4H)，6.11(s，1H)，5.57(s，1H)，4.31-4.28(m，1H)，4.19-4.16(m，1H)，3.63-3.60(m，1H)，3.55-3.52(m，1H)，1.95(s，3H)，1.89-1.81(m，5H)，1.62-1.56(m，2H)，1.47-1.28(m，12H)，1.09一1.01(m，2H)，0.88(t，J＝6.7Hz，3H).

化合物(1-9-9)的物性如下所述。

转变温度：C＜-50 I.

[合成例19]

[化103]

第1工序

将化合物(1-9-9)(3.0g)用作原料，并通过与合成例5的第3工序相同的方法而获得化合物(T-71)(3.2g；75％)。

第2工序

将化合物(T-71)(3.2g)用作原料，并通过与合成例5的第4工序相同的方法而获得化合物(1-9-10)(1.9g；70％)。

所获得的化合物(1-9-10)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移δ(ppm；CDCl₃)：7.12-7.08(m，4H)，6.26(s，1H)，6.11(s，1H)，5.86(s，1H)，5.58(s，1H)，4.34(d，J＝6.5Hz，2H)，4.26-4.14(m，4H)，2.55(t，J＝7.8Hz，2H)，2.45-2.40(m，1H)，2.34(s，1H)，2.13-2.08(m，1H)，1.95(s，3H)，1.90-1.84(m，4H)，1.63-1.56(m，2H)，1.48-1.39(m，4H)，1.35-1.27(m，7H)，1.09-1.01(m，2H)，0.88(t，J＝6.8Hz，3H).

化合物(1-9-10)的物性如下所述。

转变温度：C 35.9I.

[合成例20]

[化104]

第1工序

将化合物(T-72)(50.0g)用作原料，并通过与合成例6的第1工序相同的方法而获得化合物(T-73)(31.8g；70％)。

第2工序

将化合物(T-73)(31.8g)用作原料，并通过与合成例6的第2工序相同的方法而获得化合物(T-74)(26.2g；72％)。

第3工序

将化合物(T-74)(26.2g)用作原料，并通过与合成例6的第3工序相同的方法而获得化合物(T-75)(10.1g；46％)。

第4工序

将化合物(T-75)(10.1g)用作原料，并通过与合成例6的第4工序相同的方法而获得化合物(1-9-41)(3.8g；32％)。

所获得的化合物(1-9-41)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移δ(ppm；CDCl₃)：7.18-7.16(m，4H)，6.09(s，1H)，5.57(s，1H)，4.47-4.38(m，2H)，3.91-3.83(m，2H)，3.20-3.14(m，1H)，2.45-2.40(m，1H)，1.97-1.72(m，12H)，1.42-0.82(m，22H).

化合物(1-9-41)的物性如下所述。

转变温度：C 46.3 I.

[化105]

[合成例21]

第1工序

将化合物(1-9-41)(3.0g)用作原料，并通过与合成例5的第3工序相同的方法而获得化合物(T-76)(3.1g；75％)。

第2工序

将化合物(T-76)(3.1g)用作原料，并通过与合成例5的第4工序相同的方法而获得化合物(1-9-42)(1.9g；71％)。

所获得的化合物(1-9-42)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移6(ppm；CDCl₃)：7.17(s，4H)，6.21(s，1H)，6.07(s，1H)，5.80(s，1H)，5.56(s，1H)，4.46-4.39(m，4H)，4.27(d，J＝6.6Hz，2H)，3.42-3.37(m，1H)，2.45-2.39(m，1H)，2.12(t，J＝6.6Hz，1H)，1.91-1.72(m，11H)，1.46-0.95(m，16H)，0.89-0.82(m，5H).

化合物(1-9-42)的物性如下所述。

转变温度：C 80.0 I.

[合成例22]

[化106]

第1工序

将化合物(T-77)(50.0g)、膦酰基乙酸三乙酯(48.3g)及甲苯(500ml)放入至反应器中，并冷却至0℃。向其中缓慢滴加乙醇钠(20％乙醇溶液)(73.3g)，恢复至室温并搅拌6小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝9∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-78)(60.7g；97％)。

第2工序

将化合物(T-78)(60.7g)、Pd/C(0.51 g)、甲苯(500ml)、及IPA(50ml)放入至反应器中，在氢环境下搅拌12小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用甲苯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶庚烷＝9∶1)对残渣进行纯化，进而通过自索尔米(solmix)的再结晶进行纯化而获得化合物(T-79)(33.6g；55％)。

第3工序

将化合物(T-79)(33.6g)用作原料，并通过与合成例16的第6工序相同的方法而获得化合物(T-80)(38.8g；86％)。

第4工序

将化合物(T-80)(38.8g)用作原料，并通过与合成例16的第7工序相同的方法而获得化合物(T-81)(29.8g；95％)。

第5工序

将化合物(T-81)(29.8g)用作原料，并通过与合成例16的第8工序相同的方法而获得化合物(T-82)(34.6g；95％)。

第6工序

将化合物(T-82)(34.6g)用作原料，并通过与合成例16的第9工序相同的方法而获得化合物(T-83)(30.5g；97％)。

第7工序

将化合物(T-83)(30.5g)用作原料，并通过与合成例16的第10工序相同的方法而获得化合物(T-84)(26.6g；75％)。

第8工序

将化合物(T-84)(26.6g)用作原料，并通过与合成例16的第11工序相同的方法而获得化合物(1-9-51)(18.3g；83％)。

所获得的化合物(1-9-51)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移δ(ppm；CDCl₃)6.10(s，1H)，5.57(s，1H)，4.40-4.37(m，1H)，4.24-4.20(m，1H)，3.69-3.61(m，2H)，1.9-1.94(m，4H)，1.78-1.58(m，9H)，1.43-1.37(m，1H)，1.32-1.02(m，17H)，0.90-0.79(m，9H).

化合物(1-9-51)的物性如下所述。

转变温度：C 54.5S_A 81.0 I.

[合成例23]

[化107]

第1工序

将化合物(1-9-51)(3.0g)用作原料，并通过与合成例5的第3工序相同的方法而获得化合物(T-85)(3.3g；78％)。

第2工序

将化合物(T-85)(3.3g)用作原料，并通过与合成例5的第4工序相同的方法而获得化合物(1-9-52)(2.1g；75％)。

所获得的化合物(1-9-52)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移δ(ppm；CDCl₃)：6.24(s，1H)，6.09(s，1H)，5.84(s，1H)，5.56(s，1H)，4.33-4.28(m，4H)，4.20-4.16(m，2H)，2.28(t，J＝6.6Hz，1H)，1.97-1.91(m，4H)，1.79-1.69(m，8H)，1.47-1.41(m，1H)，1.32-1.07(m，17H)，0.90-0.82(m，9H).

化合物(1-9-52)的物性如下所述。

转变温度：C 64.0 I.

[合成例24]

[化108]

第1工序

将化合物(T-86)(50.0g)、聚甲醛(31.7g)、二环己基胺(95.7ml)、及甲醇(500ml)放入至反应器中，在65℃下搅拌5小时。在减压下对反应混合物进行浓缩后，注入至水中，通过叔丁基甲基醚对水层进行清洗。向水层中加入3N盐酸(200ml)，并通过过滤来去除所析出的盐。利用乙酸乙酯对所获得的水层进行萃取，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过蒸馏进行纯化而获得化合物(T-87)(40.4g；72％)。

第2工序

将化合物(T-20)(8.00g)、化合物(T-87)(3.29g)、及二氯甲烷(320ml)放入至反应器中，并冷却至0℃。向其中加入1-(3-二甲基氨基丙基)-3-乙基碳二酰亚胺盐酸盐(EDC)(5.43g)及三乙胺(6.1ml)，恢复至室温并搅拌12小时。将反应混合物注入至水中，利用二氯甲烷对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶乙酸乙酯＝3∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-88)(4.72g；40％)。

第3工序

将化合物(T-88)(4.72g)、化合物(T-22)(2.58g)、DMAP(0.71g)、及二氯甲烷(75ml)放入至反应器中，并冷却至0℃。向其中缓慢滴加DCC(3.58g)的二氯甲烷(20ml)溶液，恢复至室温并搅拌12小时。对不溶物进行炉别后，将反应混合物注入至水中，利用二氯甲烷对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶乙酸乙酯＝10∶1)对残渣进行纯化而获得化合物(T-89)(6.50g；98％)。

第4工序

将化合物(T-89)(6.50g)、对甲苯磺酸吡啶鎓(PPTS)(1.41g)、THF(50ml)及甲醇(50ml)放入至反应器中，在50℃下搅拌4小时。将反应混合物注入至水中，利用乙酸乙酯对水层进行萃取。利用水对一起产生的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁加以干燥。在减压下对所述溶液进行浓缩，通过硅胶色谱法(容积比，甲苯∶乙酸乙酯＝3∶1)对残渣进行纯化，进而通过自庚烷的再结晶进行纯化而获得化合物(1-9-54)(4.69g；85％)。

所获得的化合物(1-9-54)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移δ(ppm；CDCl₃)：6.30(s，1H)，6.25(s，1H)，5.86(d，J＝1.4Hz，1H)，5.85(s，1H)，4.38-4.29(m，4H)，4.24-4.16(m，2H)，4.12(s，2H)，3.40(s，3H)，2.34-2.29(m，1H)，1.97-1.90(m，1H)，1.85-1.64(m，8H)，1.47-1.38(m，1H)，1.33-1.18(m，6H)，1.18-0.78(m，16H).

化合物(1-9-54)的物性如下所述。

转变温度：C 37.3 I.

[比较例1]

作为比较化合物，合成化合物(S-1)来测定特性。将所述化合物记载在国际公开第2014/090362号中，且与本发明的化合物类似，故选择了所述化合物。

[化109]

比较化合物(S-1)的NMR分析值如以下那样。

¹H-NMR：化学位移δ(ppm：CDCl₃)：7.57-7.52(m，2H)，7.45-7.42(m，2H)，7.36-7.30(m，1H)，7.04-6.95(m，2H)，4.75(d，6.0Hz，2H)，2.62(t，J＝7.8Hz，2H)，1.75-1.64(m，3H)，0.98(t，J＝7.4Hz，3H).

将化合物(No.1-2-1)、化合物(No.1-6-1)与比较化合物(S-1)的垂直取向性及电压保持率进行比较。此外，评价中使用组合物(i)及聚合性化合物(RM-1)。

以重量％表示组合物(i)的成分的比例。

[化110]

以下示出聚合性化合物(RM-1)。

[化111]

垂直取向性

将聚合性化合物(RM-1)以0.4重量％的比例添加至组合物(i)中。在其中以3.0重量％添加化合物(1-2-1)、化合物(1-6-1)或比较化合物(S-1)。将所述混合物注入至两片玻璃基板的间隔(单元间隙)为3.5μm的不具有取向膜的元件中。使用岩琦(Eye Graphics)股份有限公司制造的不可见光、F40T10/BL(峰值波长369nm)对所述元件照射紫外线(20J)，由此使聚合性化合物聚合。对所述元件在60℃下施加脉冲电压(1V且60微秒)而进行充电。利用高速电压计在1.67秒期间测定衰减的电压，求出单位周期的电压曲线与横轴之间的面积A。面积B为未衰减时的面积。电压保持率是以面积A相对于面积B的百分率表示。将所述元件设置于偏光显微镜中，自下方对元件照射光，观察有无漏光。在液晶分子充分取向、光不通过元件的情况下，将垂直取向性判断为“良好”。在观察到通过元件的光的情况下，表示为“不良”。

[表2]

表2.化合物(1-2-1)、化合物(1-6-1)与比较化合物(S-1的物性)

将合成例1的化合物(1-2-1)、化合物(1-6-1)与比较化合物(S-1)的物性归纳于表2中。两种化合物均在不具有取向膜的元件中显示出良好的垂直取向性。另一方面，与使用比较化合物(S-1)的情况相比，在使用化合物(1-2-1)、化合物(1-6-1)的情况下的电压保持率高。这是因为：比较化合物(S-1)之类的具有-OH基的极性化合物使元件的电压保持率大幅度降低，但通过如化合物(1-2-1)、化合物(1-6-1)那样赋予聚合性，并将极性化合物并入至由聚合性化合物生成的聚合物中，由此抑制电压保持率的降低。因而，可谓化合物(1-2-1)、化合物(1-6-1)为不使元件的电压保持率降低地显示出良好的垂直取向性的优异的化合物。

[比较例2]

垂直取向性

将聚合性化合物(RM-1)以0.4重量％的比例添加至组合物(i)中。在其中以0.3重量％至5.0重量％的比例添加化合物(1-1-2)、化合物(1-6-1)或比较化合物(S-1)。将所述混合物注入至两片玻璃基板的间隔(单元间隙)为3.5μm的不具有取向膜的元件中。使用岩琦(Eye Graphics)股份有限公司制造的不可见光、F40T10/BL(峰值波长369nm)对所述元件照射紫外线(20J)，由此使聚合性化合物聚合。将所述元件设置于偏光显微镜中，自下方对元件照射光，观察有无漏光。在液晶分子充分取向、光不通过元件的情况下，将垂直取向性判断为“良好”。在观察到通过元件的光的情况下，表示为“不良”。

[表3]

表3.化合物(1-10-1)与比较化合物(S-1)的物性

将合成例12的化合物(1-10-1)与比较化合物(S-1)的物性归纳于表3中。若比较化合物(S-1)相对于液晶组合物不添加3重量％以上，则无法确认到良好的垂直取向性，但化合物(1-10-1)相对于液晶组合物为0.3重量％以上，可确认到良好的垂直取向性。因而，可谓化合物(1-10-1)为较比较化合物(S-1)而言以低浓度进行垂直取向的优异的化合物。

依据实施例1中记载的合成法，可合成以下的化合物(1-1-1)至化合物(1-1-20)、化合物(1-2-1)至化合物(1-2-200)、化合物(1-3-1)至化合物(1-3-140)、化合物(1-4-1)至化合物(1-4-134)、(1-5-1)至(1-5-20)、化合物(1-6-1)至化合物(1-6-180)、化合物(1-7-1)至化合物(1-7-140)、化合物(1-8-1)至化合物(1-8-134)、化合物(1-9-1)至化合物(1-9-80)、化合物(1-10-1)至化合物(1-10-180)、化合物(1-11-1)至化合物(1-11-140)、及化合物(1-12-1)至化合物(1-12-220)。

[化112]

[化113]

[化114]

[化115]

[化116]

[化117]

[化118]

[化119]

[化120]

[化121]

[化122]

[化123]

[化124]

[化125]

[化126]

[化127]

[化128]

[化129]

[化130]

[化131]

[化132]

[化133]

[化134]

[化135]

[化136]

[化137]

[化138]

[化139]

[化140]

[化141]

[化142]

[化143]

[化144]

[化145]

[化146]

[化147]

[化148]

[化149]

[化150]

[化151]

[化152]

[化153]

[化154]

[化155]

[化156]

[化157]

[化158]

[化159]

[化160]

[化161]

[化162]

[化163]

[化164]

[化165]

[化166]

[化167]

[化168]

[化169]

[化170]

[化171]

[化172]

[化173]

[化174]

[化175]

[化176]

[化177]

[化178]

[化179]

[化180]

[化181]

[化182]

[化183]

[化184]

[化185]

[化186]

[化187]

[化188]

[化189]

[化190]

[化191]

2.组合物的实施例

实施例中的化合物基于下述表4的定义而以记号表示。表4中，与1，4-亚环己基相关的立体构型为反式构型。位于记号后的括弧内的编号与化合物的编号相对应。(-)的记号是指其他液晶性化合物。液晶性化合物的比例(百分率)为基于液晶组合物的重量的重量百分率(重量％)。最后归纳液晶组合物的特性值。特性是依据上文记载的方法来测定，(不进行外推而)直接记载测定值。

[表4]

表4使用记号的化合物的表述法

R-(A₁)-Z₁-··…-Z_n-(A_n)-R’

[使用例1]

将下述化合物(1-2-1)以3重量％的比例添加至所述组合物中。

[化192]

NI＝100.2℃；η＝35.1mPa·s；Δn＝0.117；Δε＝8.9.

[使用例2]

将下述化合物(1-2-2)以2重量％的比例添加至所述组合物中。

[化193]

NI＝93.1℃；η＝15.9mPa·s；Δn＝0.100；Δε＝4.8

[使用例3]

将下述化合物(1-2-18)以4重量％的比例添加至所述组合物中。

[化194]

NI＝82.0℃；η＝23.3mPa·s；Δn＝0.113；Δε＝5.3.

[使用例4]

将下述化合物(1-2-28)以7重量％的比例添加至所述组合物中。

[化195]

NI＝75.5℃；η＝20.4mPa·s；Δn＝0.069；Δε＝6.1.

[使用例5]

将下述化合物(1-3-23)以6重量％的比例添加至所述组合物中。

[化196]

NI＝115.9℃；η＝19.6mPa·s；Δn＝0.091；Δε＝3.8.

[使用例6]

将下述化合物(1-2-77)以3重量％的比例添加至所述组合物中。

[化197]

NI＝72.9℃；η＝19.7mPa·s；Δn＝0.115；Δε＝5.5.

[使用例7]

将下述化合物(1-2-24)以5重量％的比例添加至所述组合物中。

[化198]

NI＝89.1℃；η＝15.1mPa·s；Δn＝0.094；Δε＝4.3.

[使用例8]

将下述化合物(1-3-68)以2重量％的比例添加至所述组合物中。

[化199]

NI＝71.4℃；η＝14.4mPa·s；Δn＝0.071；Δε＝2.9.

[使用例9]

将下述化合物(1-2-25)以4重量％的比例添加至所述组合物中。

[化200]

NI＝116.7℃；η＝20.6mPa·s；Δn＝0.093；Δε＝4.0.

[使用例10]

将下述化合物(1-4-127)以3重量％的比例添加至所述组合物中。

[化201]

NI＝83.4℃；η＝12.2mPa·s；Δn＝0.131；Δε＝6.1.

[使用例11]

将下述化合物(1-2-17)以5重量％的比例添加至所述组合物中。

[化202]

NI＝71.5℃；η＝26.3mPa·s；Δn＝0.097；Δε＝8.3.

[使用例12]

将下述化合物(1-9-1)以2重量％的比例添加至所述组合物中。

[化203]

NI＝101.6℃；η＝18.9mPa·s；Δn＝0.102；Δε＝4.7.

[使用例13]

将下述化合物(1-9-2)以3重量％的比例添加至所述组合物中。

[化204]

NI＝70.2℃；η＝16.3mPa·s；Δn＝0.112；Δε＝4.9.

[使用例14]

将下述化合物(1-9-3)以1重量％的比例添加至所述组合物中。

[化205]

NI＝80.9℃；η＝24.3mPa·s；Δn＝0.115；Δε＝5.4.

[使用例15]

将下述化合物(1-9-4)以4重量％的比例添加至所述组合物中。

[化206]

NI＝120.3℃；η＝21.4mPa·s；Δn＝0.096；Δε＝4.0.

[使用例16]

将下述化合物(1-9-5)以7重量％的比例添加至所述组合物中。

[化207]

NI＝95.7℃；η＝34.8mPa·s；Δn＝0.116；Δε＝9.1.

[使用例17]

将下述化合物(1-9-6)以5重量％的比例添加至所述组合物中。

[化208]

NI＝88.5℃；η＝15.7mpa·s；Δn＝0.093；Δε＝4.4.

[使用例18]

将下述化合物(1-9-7)以2重量％的比例添加至所述组合物中。

[化209]

NI＝76.9℃；η＝19.3mPa·s；Δn＝0.099；Δε＝8.2.

[使用例19]

将下述化合物(1-9-8)以3重量％的比例添加至所述组合物中。

[化210]

NI＝70.4℃；η＝25.7mPa·s；Δn＝0.096；Δε＝8.5.

[使用例20]

将下述化合物(1-10-1)以1重量％的比例添加至所述组合物中。

[化211]

NI＝71.4℃；η＝14.7mPa·s；Δn＝0.073；Δε＝3.0.

[使用例21]

将下述化合物(1-10-2)以2重量％的比例添加至所述组合物中。

[化212]

NI＝70.9℃；η＝19.0mPa·s；Δn＝0.065；Δε＝5.9.

[使用例22]

将下述化合物(1-10-3)以4重量％的比例添加至所述组合物中。

[化213]

NI＝124.8℃；η＝22.6mPa·s；Δn＝0.094；Δε＝3.9.

[使用例23]

将下述化合物(1-10-4)以3重量％的比例添加至所述组合物中。

[化214]

NI＝79.9℃；η＝20.0mPa·s；Δn＝0.101；Δε＝8.3.

[使用例24]

将下述化合物(1-9-11)以1重量％的比例添加至所述组合物中。

[化215]

NI＝80.8℃；η＝23.7mPa·s；Δn＝0.112；Δε＝5.4.

[使用例25]

将下述化合物(1-9-12)以3重量％的比例添加至所述组合物中。

[化216]

NI＝90.1℃；η＝15.4mPa·s；Δn＝0.093；Δε＝4.3.

[使用例26]

将下述化合物(1-9-9)以3重量％的比例添加至所述组合物中。

[化217]

NI＝70.8℃；η＝18.8mPa·s；Δn＝0.065；Δε＝6.1.

[使用例27]

将下述化合物(1-9-10)以3重量％的比例添加至所述组合物中。

[化218]

NI＝77.9℃；η＝20.6mPa·s；Δn＝0.100；Δε＝8.5.

[使用例28]

将下述化合物(1-9-41)以2重量％的比例添加至所述组合物中。

[化219]

NI＝80.2℃；η＝20.5mPa·s；Δn＝0.101；Δε＝8.5.

[使用例29]

将下述化合物(1-9-42)以2重量％的比例添加至所述组合物中。

[化220]

NI＝98.9℃；η＝19.5mPa·s；Δn＝0.105；Δε＝4.9.

[使用例30]

将下述化合物(1-9-52)以3重量％的比例添加至所述组合物中。

[化221]

NI＝126.8℃；η＝25.3mPa·s；Δn＝0.100；Δε＝4.2.

[使用例31]

将下述化合物(1-9-51)以1.5重量％的比例添加至所述组合物中。

[化222]

NI＝72.0℃；η＝25.9mPa·s；Δn＝0.096；Δε＝8.5.

[使用例32]

将下述化合物(1-9-53)以3重量％的比例添加至所述组合物中。

[化223]

NI＝100.2℃；η＝35.9mPa·s；Δn＝0.121；Δε＝9.0.

[使用例33]

将下述化合物(1-9-54)以2重量％的比例添加至所述组合物中。

[化224]

NI＝71.2℃；η＝17.1mPa·s；Δn＝0.111；Δε＝5.0.

[使用例34]

将下述化合物(1-9-55)以1重量％的比例添加至所述组合物中。

[化225]

NI＝70.7℃；η＝15.3mPa·s；Δn＝0.074；Δε＝3.0.

[使用例35]

将下述化合物(1-9-56)以3重量％的比例添加至所述组合物中。

[化226]

NI＝124.8℃；η＝23.5mPa·s；Δn＝0.096；Δε＝3.9.

[使用例36]

将下述化合物(1-9-57)以2重量％的比例添加至所述组合物中。

[化227]

NI＝121.9℃；η＝21.8mPa·s；Δn＝0.096；Δε＝3.9.

产业上的可利用性

包含化合物(1)的液晶组合物可用于液晶投影仪、液晶电视等显示元件。

Claims

1.一种化合物，其是由式(1)所表示，

[化1]

R¹-MES-Sp¹-P¹ (1)

式(1)中，

MES为具有至少一个环的液晶原基；

[化2]

式(1a)、式(1b)、式(1c)、及式(1d)中，

式(1)中，

P¹为选自式(1e)及式(1f)所表示的基中的基；

[化3]

式(1e)及式(1f)中，

R³为选自式(1g)、式(1h)、及式(1i)所表示的基中的基；

[化4]

式(1g)、式(1h)、及式(1i)中，

S¹为>CH-或>N-；

S²为>C<或>Si<；

-OR⁵、-N(R⁵)₂、及-N(R⁵)₂中，

2.根据权利要求1所述的化合物，其是由式(1-1)所表示，

[化5]

式(1-1)中，

a为0、1、2、3、或4；

[化6]

式(1a)中，

式(1-1)中，

P¹为选自式(1e)及式(1f)所表示的基中的基；

[化7]

式(1e)及式(1f)中，

X¹为-OH、-NH₂、-OR⁵、-N(R⁵)₂、-COOH、-SH、或-Si(R⁵)₃；

R³为选自式(1g)及式(1h)所表示的基中的基；

[化8]

式(1g)及式(1h)中，

S¹为>CH-或>N-；

X¹为-OH、-NH₂、-OR⁵、-N(R⁵)₂、-COOH、-SH、或-Si(R⁵)₃；

-OR⁵、-N(R⁵)₂、及-Si(R⁵)₃中，

3.根据权利要求2所述的化合物，其中式(1-1)中，

式(1a)中，

式(1e)中，

R³为式(1g)所表示的基。

4.根据权利要求2或3所述的化合物，其中式(1-1)中，

[化9]

式(1a)中，

M¹及M²独立地为氢、氟、甲基、乙基、或三氟甲基；

式(1-1)中，

P¹为选自式(1e)及式(1f)所表示的基中的基；

[化10]

式(1e)及式(1f)中，

M³及M⁴独立地为氢、氟、甲基、乙基、或三氟甲基；

X¹为-OH、-NH₂、或-N(R⁵)₂；

R³为式(1g)所表示的基；

[化11]

-Sp⁴-X¹

(1g)

式(1g)中，

X¹为-OH、-NH₂、或-N(R⁵)₂；

-N(R⁵)₂中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的化合物，其是由式(1-2)或式(1-3)所表示，

[化12]

式(1-2)及式(1-3)中，

a为0、1、2、3、或4；

l为0、1、2、3、4、5、或6，所述亚烷基的至少一个-CH₂-可经-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-(CH₂)₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经氟取代；

M¹及M²独立地为氢、氟、甲基、乙基、或三氟甲基；

M³及M⁴独立地为氢、氟、甲基、乙基、或三氟甲基；

X¹为-OH或-N(R⁵)₂；

-N(R⁵)₂中，

6.根据权利要求5所述的化合物，其中式(1-2)及式(1-3)中，

a为0、1、2、3、或4；

M¹及M²独立地为氢、甲基、或乙基；

M³及M⁴独立地为氢、氟、甲基、或乙基；

X¹为-OH或-N(R⁵)₂；

-N(R⁵)₂中，

7.根据权利要求5所述的化合物，其中式(1-2)及式(1-3)中，

a为0、1、2、或3；

Z¹为单键、-(CH₂)₂-、或-(CH₂)₄-；

M¹及M²独立地为氢、或甲基；

M³及M⁴独立地为氢、或甲基；

X¹为-OH。

8.根据权利要求1所述的化合物，其是由式(1-4)至式(1-41)的任一者所表示，

[化13]

[化14]

[化15]

[化16]

[化17]

[化18]

[化19]

[化20]

式(1-4)至式(1-41)中，

R¹为碳数1至10的烷基；

Z¹、Z²、及Z³独立地为单键、-(CH₂)₂-、或-(CH₂)₄-；

l为0、1、2、3、4、5、或6。

9.根据权利要求1所述的化合物，其是由式(1-42)至式(1-60)的任一者所表示，

[化21]

[化22]

[化23]

[化24]

式(1-42)至式(1-60)中，

R¹为碳数1至10的烷基；

Z¹、Z²、及Z³独立地为单键、-(CH₂)₂-、或-(CH₂)₄-；

l为0、1、2、3、4、5、或6。

10.根据权利要求1所述的化合物，其是由式(1-61)至式(1-98)的任一者所表示，

[化25]

[化26]

[化27]

[化28]

[化29]

[化30]

[化31]

[化32]

式(1-61)至式(1-98)中，

R¹为碳数1至10的烷基；

l为1、2、3、或4，所述亚烷基的至少一个-CH₂-可经-O-取代。

11.根据权利要求1所述的化合物，其是由式(1-99)至式(1-117)的任一者所表示，

[化33]

[化34]

[化35]

[化36]

式(1-99)至式(1-117)中，

R¹为碳数1至10的烷基；

l为1、2、3、或4，所述亚烷基的至少一个-CH₂-可经-O-取代。

12.一种液晶组合物，其含有根据权利要求1至11中任一项所述的化合物的至少一种。

13.根据权利要求12所述的液晶组合物，其还含有选自式(2)至式(4)所表示的化合物的群组中的至少一种化合物，

[化37]

式(2)至式(4)中，

14.根据权利要求12或13所述的液晶组合物，其还含有选自式(5)至式(7)所表示的化合物的群组中的至少一种化合物，

[化38]

式(5)至式(7)中，

L¹¹及L¹²独立地为氢或氟。

15.根据权利要求12至14中任一项所述的液晶组合物，其还含有式(8)所表示的化合物的至少一种化合物，

[化39]

式(8)中，

X¹²为-C＝N或-C≡C-C＝N；

Z¹⁷为单键、-CH₂CH₂-、-C≡C-、-COO-、-CF₂O-、-OCF₂-、或-CH₂O-；

L¹³及L¹⁴独立地为氢或氟；

i为1、2、3、或4。

16.根据权利要求12至15中任一项所述的液晶组合物，其还含有选自式(9)至式(15)所表示的化合物的群组中的至少一种化合物，

[化40]

式(9)至式(15)中，

L¹⁵及L¹⁶独立地为氟或氯；

S¹¹为氢或甲基；

X为-CHF-或-CF₂-；

17.根据权利要求12至16中任一项所述的液晶组合物，其还含有式(16)所表示的聚合性化合物的至少一种化合物，

[化41]

式(16)中，

P¹¹、P¹²、及P¹³独立地为聚合性基；

u为0、1、或2；

18.根据权利要求17所述的液晶组合物，其中式(16)中，

P¹¹、P¹²、及P¹³独立地为选自式(P-1)至式(P-5)所表示的聚合性基的群组中的基，

[化42]

式(P-1)至式(P-5)中，

19.根据权利要求17或18所述的液晶组合物，其中式(16)所表示的聚合性化合物为选自式(16-1)至式(16-7)所表示的聚合性化合物的群组中的至少一种化合物，

[化43]

式(16-1)至式(16-7)中，

Sp¹¹、Sp¹²、及Sp¹³独立地为单键或碳数1至10的亚烷基，所述亚烷基中，至少一个-CH₂-可经-O-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代，至少一个-CH₂CH₂-可经-CH＝CH-或-C≡C-取代，这些基中，至少一个氢可经氟或氯取代，

[化44]

式(P-1)至式(P-3)中，

20.根据权利要求12至19中任一项所述的液晶组合物，其还含有与式(1)或以下的式(16)所表示的化合物不同的聚合性化合物、聚合引发剂、聚合抑制剂、光学活性化合物、抗氧化剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、热稳定剂、及消泡剂的至少一种，

[化45]

式(16)中，

P¹¹、P¹²、及P¹³独立地为聚合性基；

u为0、1、或2；

21.一种液晶显示元件，其含有至少一种根据权利要求12至20中任一项所述的液晶组合物。