CN109166902A - 有机发光显示器 - Google Patents
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- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 72
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 72
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 568
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 104
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 58
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 20
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 15
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 11
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 claims description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- -1 PI) Polymers 0.000 description 11
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 10
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 9
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 8
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 8
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- JHVMCBIVPBFKKS-UHFFFAOYSA-N trimethyl(trimethylsilyloxy)silane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C.C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C JHVMCBIVPBFKKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
一种有机发光显示器，包括基板、主动元件阵列层、有机钝化层、像素定义层、第一电极层、发光图案层以及第二电极层。主动元件阵列层设置于基板上，主动元件阵列层包括多个无机材料层。有机钝化层位于主动元件阵列层上。第一电极层位于有机钝化层上且贯穿有机钝化层而连接到主动元件阵列层。像素定义层位于第一电极层上且具有至少一子像素开口。发光图案层位于子像素开口中且接触第一电极层。第二电极层为无机材料，覆盖发光图案层与像素定义层，其中第二电极层贯穿像素定义层以接触第一电极层，并且沿着像素定义层的外侧缘向下延伸并贯穿有机钝化层以接触主动元件阵列层的此多个无机材料层中至少一者。本发明可降低水气或氧气侵入元件内的机率。
Description
技术领域
本发明关于一种显示器的结构，特别是一种有机发光显示器。
背景技术
有机发光显示器是由多个有机薄膜层叠而成，并且通过施加电压至电极(阴极和阳极)，以使电子与电洞受到阴极和阳极之间的电位差驱动而于有机发光材料层内结合，进而发光。目前的有机发光显示器的电极大都采用金属材料或是金属氧化物材料来制作，所以电极的材料与有机薄膜层的材料相异，因此电极与有机薄膜层之间的界面不稳定，容易产生剥离或剥落的情形，进而造成电极与有机薄膜层有分离的情况发生。
随着使用时间的增加，水气或氧气容易藉由电极与有机薄膜层之间界面的剥离之处侵入至有机发光显示器内部，使得内部有机薄膜层产生裂解、电极氧化、产生暗点(darkspot)等缺陷，对影像显示器造成不良的影响。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种有机发光显示器，以克服现有技术中电极与有机薄膜层容易分离的缺陷。
在一实施例中，一种有机发光显示器，该有机发光显示器包括：
一基板；
一主动元件阵列层，设置于该基板上，其中该主动元件阵列层包括多个无机材料层；
一有机钝化层，位于该主动元件阵列层上；
一第一电极层，位于该有机钝化层上，该第一电极层贯穿该有机钝化层而连接到该主动元件阵列层；
一像素定义层，位于该第一电极层上，其中该像素定义层具有至少一子像素开口；
一发光图案层，位于该至少一子像素开口中且接触该第一电极层；以及
一第二电极层，为无机材料，该第二电极层覆盖该发光图案层与该像素定义层，其中该第二电极层贯穿该像素定义层以接触该第一电极层，并且该第二电极层沿着该像素定义层的一外侧缘向下延伸并贯穿该有机钝化层以接触该主动元件阵列层的该多个无机材料层中至少一者。
在一实施例中，该主动元件阵列层更包括至少一主动元件，且该多个无机材料层的其中之一覆盖在该至少一主动元件上、间隔在该至少一主动元件与该基板之间、间隔在该至少一主动元件的多个电极之间、或间隔在该至少一主动元件的一电极及一通道层之间。
在一实施例中，更包括一薄膜封装结构，该薄膜封装结构位于该第二电极层上，该薄膜封装结构完整覆盖该第二电极层。
在一实施例中，更包括一第一有机止挡层，该第一有机止挡层位于该有机钝化层上且围绕该像素定义层，该第一有机止挡层与该像素定义层的该外侧缘相隔一第一间隙，且该第一间隙的宽度大于或等于该第二电极层超出该像素定义层的该外侧缘上的最大宽度。
在一实施例中，该薄膜封装结构更包括一有机薄膜封装层、一第一无机薄膜封装层与一第二无机薄膜封装层，其中该第一无机薄膜封装层位于该第二电极层和该有机薄膜封装层之间，该第二无机薄膜封装层覆盖该有机薄膜封装层，该有机薄膜封装层夹设于该第一无机薄膜封装层与该第二无机薄膜封装层之间，该有机薄膜封装层被该第一有机止挡层限位而未越过该第一有机止挡层背对于该第一间隙的一第一外侧面，且该第一无机薄膜封装层与该第二无机薄膜封装层皆超出该有机薄膜封装层的边缘且覆盖该第一有机止挡层的一第一顶面与该第一外侧面。
在一实施例中，该第一无机薄膜封装层沿着该第一有机止挡层的该第一外侧面向下延伸并贯穿该有机钝化层以接触该主动元件阵列层的该多个无机材料层中至少一者。
在一实施例中，更包括一第二有机止挡层，该第二有机止挡层位于该有机钝化层上且围绕该第一有机止挡层，且该第二有机止挡层与该第一有机止挡层背对于该第一间隙的一第一外侧面相隔一第二间隙。
在一实施例中，该薄膜封装结构更包括一有机薄膜封装层、一第一无机薄膜封装层与一第二无机薄膜封装层，其中该第一无机薄膜封装层位于该第二电极层和该有机薄膜封装层之间，该第二无机薄膜封装层覆盖该有机薄膜封装层，该有机薄膜封装层夹设于该第一无机薄膜封装层与该第二无机薄膜封装层之间，该有机薄膜封装层越过该第一有机止挡层而被该第二有机止挡层限位，该有机薄膜封装层未越过该第二有机止挡层背对于该第二间隙的一第二外侧面，且该第一无机薄膜封装层与该第二无机薄膜封装层皆超出该有机薄膜封装层的边缘且覆盖该第二有机止挡层的一第二顶面与该第二外侧面。
在一实施例中，该第一无机薄膜封装层沿着该第二有机止挡层的该第二外侧面向下延伸并贯穿该有机钝化层以接触该主动元件阵列层的该多个无机材料层中至少一者。
在一实施例中，更包括一第一有机止挡层，该第一有机止挡层位于该有机钝化层上且围绕该第二电极层。
在一实施例中，该第一有机止挡层与该像素定义层的该外侧缘相隔一第一间隙，该第二电极层未接触该第一有机止挡层面对于该第一间隙的一第一内侧面。
在一实施例中，该第二电极层沿着该像素定义层的该外侧缘向下延伸并贯穿该有机钝化层以及贯穿该多个无机材料层至少其中之一，以接触被贯穿的该至少一无机材料层的下方的该无机材料层。
在一实施例中，该多个无机材料层为选自于钝化层、界面层、层间介电层、闸极绝缘层与缓冲层所组成的群组中至少其中之二。
在一实施例中，该基板为可挠性基板。
在一实施例中，该第二电极层完整覆盖该发光图案层与该像素定义层。
综上所述，根据本发明一实施例的有机发光显示器，其第二电极层与主动元件阵列层的至少一无机材料层接触，以通过第二电极层与主动元件阵列层的无机材料层之间较强的键结力，改善第二电极层产生剥离或剥落的情形，进而降低水气或氧气侵入元件内部的机率。
附图说明
图1为本发明一实施例的有机发光显示器的俯视示意图。
图2为对应于图1的A-A剖线的一示范例的有机发光显示器的截面示意图。
图3为对应于图1的A-A剖线的另一示范例的有机发光显示器的截面示意图。
图4为本发明另一实施例的有机发光显示器的俯视示意图。
图5为对应于图4的B-B剖线的一示范例的有机发光显示器的截面示意图。
图6为本发明又一实施例的有机发光显示器的俯视示意图。
图7为对应于图6的C-C剖线的一示范例的有机发光显示器的截面示意图。
图8为本发明又一实施例的有机发光显示器的俯视示意图。
图9为对应于图8的D-D剖线的一示范例的有机发光显示器的截面示意图。
其中，附图标记：
100 有机发光显示器 110 主动元件阵列层
112 主动元件 1121 通道层
1122 闸极电极 1123 源极电极
1124 汲极电极 114 无机材料层
1141 钝化层 1142 界面层
1143 层间介电层 1144 闸极绝缘层
1145 缓冲层 120 有机钝化层
120s 侧面 121 最大宽度
130 画素定义层 130s 外侧缘
132 子画素开口 140 第一电极层
142 电极 144 电性配线
150 发光图案层 160 第二电极层
170 薄膜封装结构 172 有机薄膜封装层
174 第一无机薄膜封装层 176 第二无机薄膜封装层
180 第一有机止挡层 190 第二有机止挡层
182 第一内侧面 184 第一外侧面
186 第一顶面 192 第二内侧面
194 第二外侧面 196 第二顶面
D1 垂直投影方向 P1 第一间隙
P2 第二间隙 S1 基板
V1 第一接触孔 V2 第二接触孔
V3 第三接触孔 W1 第一贯穿槽
W2 第二贯穿槽 W3 第三贯穿槽
具体实施方式
图1为本发明一实施例的有机发光显示器的俯视示意图。图2为对应于图1的A-A剖线的一示范例的有机发光显示器的截面示意图。请参阅图1及图2，有机发光显示器100包括基板S1、主动元件阵列层110、有机钝化层120、像素定义层130、第一电极层140、发光图案层150以及第二电极层160。主动元件阵列层110设置于基板S1上。有机钝化层120位于主动元件阵列层110上。第一电极层140位于有机钝化层120上且第一电极层140贯穿有机钝化层120而连接到主动元件阵列层110。像素定义层130位于第一电极层140上且像素定义层130具有至少一子像素开口132。发光图案层150位于像素定义层130的子像素开口132内，并且通过子像素开口132接触第一电极层140。第二电极层160位于像素定义层130及发光图案层150上。须说明的是，为了便于清楚说明，于图1的像素定义层130以底纹显示，然此不代表像素定义层130为最上层的材料。
主动元件阵列层110包括多个无机材料层114，并且第二电极层160为无机材料(例如是但不限于金属材料)。第二电极层160贯穿像素定义层130以接触第一电极层140，并且沿着像素定义层130的外侧缘130s向下延伸并贯穿有机钝化层120以接触主动元件阵列层110的此多个无机材料层114的其中之一。于此，第二电极层160与无机材料层114之间拥有较强的键结力，可使第二电极层160与无机材料层114之间不易剥离，达到接口稳定的效果。于一实施例中，第二电极层160可完整覆盖发光图案层150与像素定义层130，更有助于改善第二电极层160易剥离或剥落的情形。
于一实施例中，像素定义层130的外侧缘130s可以是像素定义层130的至少一侧面或全部侧面。也就是说，第二电极层160可以仅覆盖其中一个侧面(图未绘示)或是完整覆盖像素定义层130的每个侧面(如图1所绘示)。此外，当第二电极层160于覆盖像素定义层130的每个侧面时，可降低第二电极层160与像素定义层130之间的剥离情形。
于一实施例中，第二电极层160贯穿有机钝化层120可以通过于有机钝化层120开设第一贯穿槽W1来实现，如图2所绘示。此时，第二电极层160更沿着第一贯穿槽W1中的有机钝化层120的侧面120s向下延伸而接触主动元件阵列层110的无机材料层114。于此实施例中，如图2所绘示，第二电极层160可接触主动元件阵列层110的最上层的无机材料层114。于一实施例中，如图1所绘示，第一贯穿槽W1可以是以环形凹槽的形式来实现。
图3为对应于图1的A-A剖线的另一示范例的有机发光显示器的截面示意图。于另一实施例中，请参阅图1及图3，第二电极层160沿着像素定义层130的外侧缘130s向下延伸、并且贯穿有机钝化层120与主动元件阵列层110的至少一膜层(如，钝化层1141、界面层1142、层间介电层1143、栅极绝缘层1144等膜层的至少其中之一)，进而接触主动元件阵列层110内层的无机材料层114。
于一实施例中，第二电极层160可以仅贯穿有机钝化层120以接触主动元件阵列层110的最上层的无机材料层114。于此，第二电极层160可以通过贯穿有机钝化层120的第一贯穿槽W1来接触主动元件阵列层110的最上层的无机材料层114，如图2所示。
请参考图3，于另一实施例中，第二电极层160也可以贯穿有机钝化层120以及贯穿此多个无机材料层114至少其中之一，以接触位于被贯穿的至少一无机材料层114的下方的无机材料层114。于此，第二电极层160可以通过贯穿有机钝化层120的第一贯穿槽W1及通过贯穿此多个无机材料层114至少其中之一的第二贯穿槽W2来接触位于被贯穿的无机材料层114的下方的无机材料层114。换言之，第二贯穿槽W2可以是贯穿一层或是多层的无机材料层114。也就是说，第二电极层160可视第二贯穿槽W2的深度而与主动元件阵列层110内部的任一无机材料层114接触。于一实施例中，第二贯穿槽W2可以是以环形凹槽的形式来实现。
于此，可以通过于有机钝化层120开设第一贯穿槽W1(如图2所绘示)或者是可以更进一步于主动元件阵列层110开设第二贯穿槽W2来实现(如图3所绘示)，来使第二电极层160贯穿有机钝化层120或者是更进一步贯穿主动元件阵列层110的至少一膜层。
在一实施例中，于基板S1的垂直投影方向D1上，有机钝化层120所开设的第一贯穿槽W1的垂直投影范围及无机材料层114所开设的第二贯穿槽W2的垂直投影范围至少局部重叠。于此，第一贯穿槽W1与第二贯穿槽W2相互连通且可以通过至少一或是多次曝孔工艺来实现。于此，有机钝化层120所开设的第一贯穿槽W1的宽度例如可以与无机材料层114所开设的第二贯穿槽W2的宽度实质上相同。
于一实施例中，基板S1例如是可挠性基板，但不限于此，亦可为硅基板、玻璃基板、或是石英基板。于一实施例中，像素定义层130的材料可为感光有机材料，例如是但不限于聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚苯乙烯(Polystyrene，PS)、聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PTFE)、酚醛树脂(phenol-formaldehyde resin)、环氧树脂(epoxy resin)、压克力树脂(acrylic resin)等。于一实施例中，第一电极层140的材料及第二电极层160的材料可以是透明导电材料或金属材料等。其中，透明导电材料可例如是但不限于铟锡氧化物(Indium-Tin Oxide，ITO)、铟锌氧化物(Indium-Zinc Oxide，IZO)或铝锌氧化物(aluminum doped zinc oxide，AZO)或其组合。金属材料可例如是但不限于铝、铝、银、铝镁合金、镁银合金或其组合。于一实施例中，发光图案层150可以包括不同的有机发光材料，例如是但不限于红色有机发光材料、蓝色有机发光材料或是绿色有机发光材料等。
请参考图2与图3，在一些实施例中，主动元件阵列层110可更包括至少一主动元件112。主动元件112位于第一电极层140与基板S1之间。至少一主动元件112分别对应于至少一子像素开口132。各主动元件112可包括通道层1121、栅极电极1122、源极电极1123以及漏极电极1124。各主动元件112的漏极电极1124电性连接至第一电极层140，以施加驱动电压至位于对应子像素开口132中的发光图案层150。
在一实施例中，无机材料层114可为覆盖在至少一主动元件112上的平坦层，以使膜层表面平坦化。平坦层可以是例如但不限于钝化层1141(Passivation layer，PL)或界面层1142(Interfacial layer，IL)等。在另一实施例中，无机材料层114可为间隔在主动元件112与基板S1之间的缓冲层1145(Buffer layer)。在又一实施例中，无机材料层114可为间隔在主动元件112的栅极电极1122与其源极电极1123之间以及在主动元件112的栅极电极1122与其漏极电极1124之间层间介电层1143。在又另一实施例中，无机材料层114可为间隔在主动元件112的栅极电极1122及其通道层1121之间的栅极绝缘层1144(Gate insulatorlayer，GI)。
换言之，此多个无机材料层114例如可为钝化层1141、接口层1142、层间介电层1143、栅极绝缘层1144或缓冲层1145其中的至少二者。
于一实施例中，主动元件112的种类可依电性连接设计或是工程需求而选择，例如是但不限于顶栅极型薄膜晶体管(如图2所绘示)或底栅极型薄膜晶体管(图未绘示)等。
请参考图2与图3，于一实施例中，第一电极层140包括至少一电极142。至少一电极142分别对应于至少一子像素开口132，并且各电极142耦接位于对应的子像素开口132中的发光图案层150。至少一电极142亦分别对应于至少一主动元件112。各电极142经由第一接触孔V1贯穿与对应的主动元件112之间的膜层(如，有机钝化层120、钝化层1141或接口层1142等)，以电性连接主动元件112的漏极电极1124。换言之，发光图案层150可包括至少一有机发光元件，并且至少一有机发光元件分别对应至少一主动元件112。各主动元件112经由对应的电极142电性连接至对应的有机发光元件，以施加驱动电压给对应的有机发光元件，致使有机发光元件内的电子与电洞能受到对应的电极142与第二电极层160之间的电位差驱动而于发光图案层150内结合，进而发光。于一实施例中，第一电极层140的电极142可为阳极，而第二电极层160可为阴极。
于一实施例中，第一电极层140可以更包括一电性配线144。电性配线144可经由第二接触孔V2来贯穿与配线层(图中未示)之间的膜层(例如是但不限于有机钝化层120、钝化层1141等)，以电性连接主动元件阵列层110中的配线层。
于一实施例中，像素定义层130可更具有第三接触孔V3。第二电极层160经由第三接触孔V3贯穿像素定义层130，并且电性连接至第一电极层140的电性配线144。
于一实施例中，有机发光显示器100可更包括一薄膜封装结构170(Thin FilmEncapsulation，TFE)。薄膜封装结构170位于第二电极层160上，薄膜封装结构170可完整覆盖第二电极层160。如图2所绘示，薄膜封装结构170通过第一贯穿槽W1贯穿有机钝化层120而例如与主动元件阵列层110的至少一无机材料层114接触。于此，薄膜封装结构170可为单一膜层或是多层。
于一实施例中，薄膜封装结构170为单一膜层，如图2与图3所绘示。薄膜封装结构170覆盖在第二电极层160上且覆盖部分的主动元件阵列层110的上表面。于此，薄膜封装结构170能通过第一贯穿槽W1贯穿有机钝化层120而接触主动元件阵列层110的上表面(例如最上层的无机材料层114的表面)。不过，于其他实施例(图未绘示)中，薄膜封装结构170也可以通过第一贯穿槽W1搭配其他贯穿主动元件阵列层110的部分内部膜层的第二贯穿槽W2而进一步接触主动元件阵列层110其他的无机材料层114。
于另一实施例中，薄膜封装结构170为多个膜层且可以包括有机薄膜封装层172、第一无机薄膜封装层174与第二无机薄膜封装层176，且有机薄膜封装层172夹设于第一无机薄膜封装层174与第二无机薄膜封装层176之间。请参阅图4及图5，图4为本发明另一实施例的有机发光显示器的俯视示意图。图5为对应于图4的B-B剖线的一示范例的有机发光显示器的截面示意图。第一无机薄膜封装层174覆盖第二电极层160且位于第二电极层160和有机薄膜封装层172之间。第二无机薄膜封装层176覆盖有机薄膜封装层172。须说明的是，为了便于清楚说明，于图4的像素定义层130及第一有机止挡层180以底纹显示，然此不代表像素定义层130及第一有机止挡层180为最上层的材料。
于一实施例中，有机薄膜封装层172的材料为有机材料，例如是但不限于聚对二甲苯(parylene)或聚脲(polyurea)或六甲基二硅氧烷(Hexamethyldisiloxane)或其他适合的有机封装填充材料。于一实施例中，第一无机薄膜封装层174与第二无机薄膜封装层176的材料为无机材料，例如但不限于金属氧化物、氧化硅、氮化硅等。
于一实施例中，有机发光显示器100可以更包括一个第一有机止挡层180。请参阅图4、图5、图6及图7，图6为本发明又一实施例的有机发光显示器的俯视示意图。图7为对应于图6的C-C剖线的一示范例的有机发光显示器的截面示意图。第一有机止挡层180位于有机钝化层120上且围绕像素定义层130，第一有机止挡层180与像素定义层130之间相隔一第一间隙P1，更详细来说，第一有机止挡层180与像素定义层130的外侧缘130S相隔第一间隙P1。其中，第一间隙P1介于第一有机止挡层180的第一内侧面182与像素定义层130的外侧缘130s之间。如图4及图6所绘示，第一有机止挡层180例如可以围绕像素定义层130周围的全部。第二电极层160是沿着第一间隙P1内的像素定义层130的外侧缘130s向下延伸，进而经由第一贯穿槽W1穿过有机钝化层120(亦可在搭配第二贯穿槽W2而穿过主动元件阵列层110的至少一膜层)而接触主动元件阵列层110的无机材料层114。须说明的是，为了便于清楚说明，于图6的像素定义层130及第一有机止挡层180以底纹显示，然此不代表像素定义层130及第一有机止挡层180为最上层的材料。
在一实施例中，如图5及图7所绘示，于基板S1的垂直投影方向D1上，第一间隙P1的垂直投影范围、有机钝化层120所开设的第一贯穿槽W1的垂直投影范围及无机材料层114所开设的第二贯穿槽W2的垂直投影范围至少部分重叠。于此，第一间隙P1、第一贯穿槽W1与第二贯穿槽W2可以通过至少一或是多次曝孔工艺来实现。于此，第一间隙P1的宽度可以与有机钝化层120所开设的第一贯穿槽W1的宽度、无机材料层114所开设的第二贯穿槽W2的宽度实质上相同。于一实施例中，如图4及图6所绘示，第一间隙P1、第一贯穿槽W1、第二贯穿槽W2可以是以环形凹槽的形式来实现。
于一实施例中，第二电极层160可位于第一间隙P1之内且未接触第一有机止挡层180面对于第一间隙P1的第一内侧面182，因此，可避免第二电极层160的末端接触到有机材料而造成容易剥离或剥落的问题。也就是说，第一有机止挡层180可围绕第二电极层160且未与第二电极层160接触。于一实施例中，请参阅图5，第一间隙P1的宽度大于或等于第二电极层160超出像素定义层130的外侧缘130s上的最大宽度121，以避免第二电极层160攀附于第一有机止挡层180的第一内侧面182。于此，避免第二电极层160与第一有机止挡层180之间的接触，可使第二电极层160的剥离情形降低。
于一实施例中，请参阅图6及图7，薄膜封装结构170位于第二电极层160上。薄膜封装结构170可通过有机钝化层120所开设的第一贯穿槽W1及此多个无机材料层114所开设的至少一第二贯穿槽W2。第一有机止挡层180可用以防止薄膜封装结构170溢流，于此薄膜封装结构170未越过第一有机止挡层180背对于第一间隙P1的第一外侧面184。
于另一实施例中，如图5所绘示，当薄膜封装结构170为多个膜层且可以包括有机薄膜封装层172、第一无机薄膜封装层174与第二无机薄膜封装层176时，有机薄膜封装层172仅延伸至第一间隙P1、第一贯穿槽W1及第二贯穿槽W2之内且未越过第一有机止挡层180背对于第一间隙P1的第一外侧面184，也就是说，有机薄膜封装层172被第一有机止挡层180限位而未越过第一有机止挡层180背对于第一间隙P1的第一外侧面184。第一无机薄膜封装层174覆盖像素定义层130的外侧缘130s、且延伸至第一间隙P1、第一贯穿槽W1及第二贯穿槽W2，且延伸至第一有机止挡层180的第一内侧面182、第一顶面186及第一外侧面184并可延伸至第三贯穿槽W3以接触至少一无机材料层114(于此第一无机薄膜封装层174例如贯穿有机钝化层120且经由第三贯穿槽W3而接触钝化层1141、接口层1142与层间介电层1143)。第二无机薄膜封装层176覆盖有机薄膜封装层172的外表面、且延伸至第一有机止挡层180的第一顶面186及第一外侧面184并延伸至第三贯穿槽W3以可接触至少一无机材料层114(于此第二无机薄膜封装层176例如经由第三贯穿槽W3而接触层间介电层1143)。换言之，第一无机薄膜封装层174与第二无机薄膜封装层176皆超出有机薄膜封装层172的边缘且覆盖第一有机止挡层180的第一顶面186与第一外侧面184。第一无机薄膜封装层174及第二无机薄膜封装层176覆盖第一有机止挡层180且沿着第一有机止挡层180的第一外侧面184向下延伸并贯穿有机钝化层120以接触主动元件阵列层110的此多个无机材料层114至少其中一者。在此实施例中，第一无机薄膜封装层174经由第一贯穿槽W1搭配第三贯穿槽W3而可接触层间介电层1143。于此，通过第一无机薄膜封装层174与第二无机薄膜封装层176与无机材料层114之间的接触，可使第一无机薄膜封装层174与第二无机薄膜封装层176与无机材料层114之间的剥离情形降低。于一实施例中，第二贯穿槽W2及第三贯穿槽W3可以是贯穿一层或是多层的无机材料层114。于另一实施例中，有机薄膜封装层172例如通过喷涂方式形成，容易向外溢流，通过第一有机止挡层180可用以阻挡有机薄膜封装层172溢流。于一实施例中，如图4所绘示，第二贯穿槽W2及第三贯穿槽W3可以是以环形凹槽的形式来实现。
于一实施例中，如图5所绘示，第一无机薄膜封装层174与第二无机薄膜封装层176可以覆盖第一有机止挡层180的背对于第一间隙P1的第一外侧面184。
于一些实施例中，有机发光显示器100可以更包括一第二有机止挡层190。请参阅图8至图9，图8为本发明又一实施例的有机发光显示器的俯视示意图。图9为对应于图8的D-D剖线的一示范例的有机发光显示器的截面示意图。第一有机止挡层180位于有机钝化层120上且围绕像素定义层130，第二有机止挡层190位于有机钝化层120上且围绕第一有机止挡层180，且第二有机止挡层190与第一有机止挡层180背对于第一间隙P1的第一外侧面184相隔第二间隙P2，详细来说，第一有机止挡层180的第一内侧面182与像素定义层130的外侧缘130s相隔第一间隙P1，且第二有机止挡层190的第二内侧面192与第一有机止挡层180的第一外侧面184相隔第二间隙P2。第一有机止挡层180的第一外侧面184与第一间隙P1相背对。须说明的是，为了便于清楚说明，于图8的像素定义层130、第一有机止挡层180及第二有机止挡层190以底纹显示，然此不代表像素定义层130、第一有机止挡层180及第二有机止挡层190为最上层的材料。
当薄膜封装结构170为多个膜层且可以包括有机薄膜封装层172、第一无机薄膜封装层174与第二无机薄膜封装层176。为了避免第一有机止挡层180没法完整限制住有机薄膜封装层172的溢流，于一实施例中，可具有第二有机止挡层190，部分有机薄膜封装层172会延伸至第一有机止挡层180与第二有机止挡层190之间的第二间隙P2，也就是说，有机薄膜封装层172会越过第一有机止挡层180而被第二有机止挡层190限位，有机薄膜封装层172未越过第二有机止挡层190背对于第二间隙P2的第二外侧面194。第一无机薄膜封装层174可延伸至第一间隙P1、第一贯穿槽W1及第二贯穿槽W2以接触至少一无机材料层114(于此，第一无机薄膜封装层174经由第二贯穿槽W2而接触接口层1142)，且延伸至第一有机止挡层180的第一内侧面182、第一顶面186及第一外侧面184并延伸至第二间隙P2，再延伸至第二有机止挡层190的第一内侧面192、第二顶面196及第二外侧面194、并延伸至第三贯穿槽W3以接触至少一无机材料层114(于此，第一无机薄膜封装层174系可经由第三贯穿槽W3而可接触层间介电层1143)。也就是说，第一无机薄膜封装层174顺沿着第一有机止挡层180及第二有机止挡层190的外表面(包括内侧面、顶面及外侧面)并贯穿有机钝化层120以接触主动元件阵列层110的此多个无机材料层114中至少一者。第二无机薄膜封装层176覆盖有机薄膜封装层172的外表面、且延伸至第二有机止挡层190的第二顶面196及第二外侧面194、并延伸至第三贯穿槽W3以接触至少一无机材料层114(于此第二无机薄膜封装层176经由第三贯穿槽W3而可接触层间介电层1143)。也就是说，第二无机薄膜封装层176顺沿着有机薄膜封装层172的外表面及第二有机止挡层190的第二顶面196及第二外侧面194并贯穿有机钝化层120以接触主动元件阵列层110的此多个无机材料层114中至少一者。换言之，第一无机薄膜封装层174与第二无机薄膜封装层176皆超出有机薄膜封装层172的边缘且覆盖第二有机止挡层190的第二顶面196与第二外侧面194。于此，设置双层的有机止挡层(亦即第一有机止挡层180与第二有机止挡层190)，可更佳地防止有机薄膜封装层172溢流出第二有机止挡层190。于一实施例中，如图8所绘示，第三贯穿槽W3可以是以环形凹槽的形式来实现。
在一实施例中，图4至图7的第一有机止挡层180、及/或图8至图9的第一有机止挡层180、及/或第二有机止挡层190与像素定义层130可属于同一层的有机材料层。换言之，有机止挡层(第一有机止挡层180及/或第二有机止挡层190)与像素定义层130的材料相同且可通过同一工艺来共同形成。举例而言，于有机钝化层120上形成整层的有机材料层，接着于有机材料层形成第一间隙P1(及/或第二间隙P2)，以形成矩阵状的有机材料图案(即为像素定义层130)和框状的有机材料图案(即为有机止挡层)。于一实施例中，第一有机止挡层180或第二有机止挡层190的材料为有机感光材料，例如是但不限于聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚苯乙烯(Polystyrene，PS)、聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PTFE)、酚醛树脂(phenol-formaldehyde resin)、环氧树脂(epoxy resin)、压克力树脂(acrylic resin)等。
需说明的是，上列的图式仅为简单示意，膜层的边缘可能未必如图式中笔直可能会略微倾斜或呈弧面，边角也许会比较圆润或具有坡度，而不应以图式的外形做为本发明实施例之限制。
综上所述，根据本发明实施例的有机发光显示器，其第二电极层与主动元件阵列层的无机材料层接触，以通过第二电极层与主动元件阵列层的无机材料层之间较强的键结力，改善第二电极层产生剥离或剥落的情形，进而降低水气或氧气侵入元件内部。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (15)
1.一种有机发光显示器，其特征在于，该有机发光显示器包括：
一基板；
一主动元件阵列层，设置于该基板上，其中该主动元件阵列层包括多个无机材料层；
一有机钝化层，位于该主动元件阵列层上；
一第一电极层，位于该有机钝化层上，该第一电极层贯穿该有机钝化层而连接到该主动元件阵列层；
一像素定义层，位于该第一电极层上，其中该像素定义层具有至少一子像素开口；
一发光图案层，位于该至少一子像素开口中且接触该第一电极层；以及
一第二电极层，为无机材料，该第二电极层覆盖该发光图案层与该像素定义层，其中该第二电极层贯穿该像素定义层以接触该第一电极层，并且该第二电极层沿着该像素定义层的一外侧缘向下延伸并贯穿该有机钝化层以接触该主动元件阵列层的该多个无机材料层中至少一者。
2.如权利要求1所述的有机发光显示器，其特征在于，该主动元件阵列层更包括至少一主动元件，且该多个无机材料层的其中之一覆盖在该至少一主动元件上、间隔在该至少一主动元件与该基板之间、间隔在该至少一主动元件的多个电极之间、或间隔在该至少一主动元件的一电极及一通道层之间。
3.如权利要求1所述的有机发光显示器，其特征在于，更包括一薄膜封装结构，该薄膜封装结构位于该第二电极层上，该薄膜封装结构完整覆盖该第二电极层。
4.如权利要求3所述的有机发光显示器，其特征在于，更包括一第一有机止挡层，该第一有机止挡层位于该有机钝化层上且围绕该像素定义层，该第一有机止挡层与该像素定义层的该外侧缘相隔一第一间隙，且该第一间隙的宽度大于或等于该第二电极层超出该像素定义层的该外侧缘上的最大宽度。
5.如权利要求4所述的有机发光显示器，其特征在于，该薄膜封装结构更包括一有机薄膜封装层、一第一无机薄膜封装层与一第二无机薄膜封装层，其中该第一无机薄膜封装层位于该第二电极层和该有机薄膜封装层之间，该第二无机薄膜封装层覆盖该有机薄膜封装层，该有机薄膜封装层夹设于该第一无机薄膜封装层与该第二无机薄膜封装层之间，该有机薄膜封装层被该第一有机止挡层限位而未越过该第一有机止挡层背对于该第一间隙的一第一外侧面，且该第一无机薄膜封装层与该第二无机薄膜封装层皆超出该有机薄膜封装层的边缘且覆盖该第一有机止挡层的一第一顶面与该第一外侧面。
6.如权利要求5所述的有机发光显示器，其特征在于，该第一无机薄膜封装层沿着该第一有机止挡层的该第一外侧面向下延伸并贯穿该有机钝化层以接触该主动元件阵列层的该多个无机材料层中至少一者。
7.如权利要求4所述的有机发光显示器，其特征在于，更包括一第二有机止挡层，该第二有机止挡层位于该有机钝化层上且围绕该第一有机止挡层，且该第二有机止挡层与该第一有机止挡层背对于该第一间隙的一第一外侧面相隔一第二间隙。
8.如权利要求7所述的有机发光显示器，其特征在于，该薄膜封装结构更包括一有机薄膜封装层、一第一无机薄膜封装层与一第二无机薄膜封装层，其中该第一无机薄膜封装层位于该第二电极层和该有机薄膜封装层之间，该第二无机薄膜封装层覆盖该有机薄膜封装层，该有机薄膜封装层夹设于该第一无机薄膜封装层与该第二无机薄膜封装层之间，该有机薄膜封装层越过该第一有机止挡层而被该第二有机止挡层限位，该有机薄膜封装层未越过该第二有机止挡层背对于该第二间隙的一第二外侧面，且该第一无机薄膜封装层与该第二无机薄膜封装层皆超出该有机薄膜封装层的边缘且覆盖该第二有机止挡层的一第二顶面与该第二外侧面。
9.如权利要求8所述的有机发光显示器，其特征在于，该第一无机薄膜封装层沿着该第二有机止挡层的该第二外侧面向下延伸并贯穿该有机钝化层以接触该主动元件阵列层的该多个无机材料层中至少一者。
10.如权利要求1所述的有机发光显示器，其特征在于，更包括一第一有机止挡层，该第一有机止挡层位于该有机钝化层上且围绕该第二电极层。
11.如权利要求10所述的有机发光显示器，其特征在于，该第一有机止挡层与该像素定义层的该外侧缘相隔一第一间隙，该第二电极层未接触该第一有机止挡层面对于该第一间隙的一第一内侧面。
12.如权利要求1所述的有机发光显示器，其特征在于，该第二电极层沿着该像素定义层的该外侧缘向下延伸并贯穿该有机钝化层以及贯穿该多个无机材料层至少其中之一，以接触被贯穿的该至少一无机材料层的下方的该无机材料层。
13.如权利要求1所述的有机发光显示器，其特征在于，该多个无机材料层为选自于钝化层、界面层、层间介电层、闸极绝缘层与缓冲层所组成的群组中至少其中之二。
14.如权利要求1所述的有机发光显示器，其特征在于，该基板为可挠性基板。
15.如权利要求1所述的有机发光显示器，其特征在于，该第二电极层完整覆盖该发光图案层与该像素定义层。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW107121604 | 2018-06-22 | ||
| TW107121604 | 2018-06-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109166902A true CN109166902A (zh) | 2019-01-08 |
Family
ID=64894153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811033071.6A Withdrawn CN109166902A (zh) | 2018-06-22 | 2018-09-05 | 有机发光显示器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109166902A (zh) |
| TW (1) | TWI699024B (zh) |
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| CN112002823A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-11-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI845431B (zh) * | 2023-10-12 | 2024-06-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
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| TWI699024B (zh) | 2020-07-11 |
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