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CN108878683A - 一种金属氧化物叠层场效应电极 - Google Patents

一种金属氧化物叠层场效应电极 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种金属氧化物叠层场效应电极。该金属氧化物叠层场效应电极包括多个金属条和金属氧化物叠层薄膜，金属氧化物叠层薄膜的第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度大于3eV；第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV；第一金属氧化物薄膜、所述第二金属氧化物薄膜和所述第三金属氧化物薄膜的厚度小于或等于10nm。采用本发明的金属氧化物叠层场效应电极，具有光透过率高、场致导电性能好的优点。

Description

一种金属氧化物叠层场效应电极
技术领域
本发明涉及半导体显示技术领域，特别是涉及一种金属氧化物叠层场效应电极。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。OLED显示技术采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，有机材料便会发光，OLED显示技术广泛运用于手机、数码摄像机、笔记本电脑和电视。OLED器件的基本结构是将整个结构层夹在两个电极间形成夹层式的结构，整个结构层包括:空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)、发光层(Emitting Layer，EL)与电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)，在阳极材料的选择上，材料本身必须是具高功函数与可透光性，具有4.5eV-5.3eV的高功函数、性质稳定且光透过率高的铟锡氧化物(ITO)透明导电膜被广泛应用于阳极。然而，构成ITO的元素之一的铟为稀缺金属，全球储量低，并且制作ITO需要高昂的设备，因此，寻找能替代ITO的透明电极材料很有必要。
透明导电电极需要具有较低的面电阻(大约为100Ω/cm2)，具有很高的载流子浓度(大约为1020个/cm3)，并且具有较高的光透过率(对550nm的可见光，透过率>85％)。目前，可以作为透明导电电极的材料有金属薄膜、氧化物薄膜、聚合物薄膜。导电透明金属薄膜的厚度需要控制在3-15nm之间才能保证透明电极具有较高的光透过率，然而，由于金属表面效应和杂质，实际制备厚度小于10nm的金属薄膜时极易形成岛状结构，使得薄膜电阻率明显提高，并且高低起伏的岛状结构会引起入射光的散射，从而影响薄膜的透射率。常用作透明金属薄膜有Ag、Au、Cu、Al、Cr等金属，纯金属虽然具有电阻低的优点，金属作为透明导电薄膜具有易氧化、透光性不足、不具备柔韧性、机械强度差等缺点。为了改变金属薄膜机械性差的缺点，金属网格、纳米线网状等薄膜用作透明导电薄膜，但金属网格、纳米线薄膜在制备时需要引入前驱体、需要高温等条件，导致在工业应用成本较高，无法普遍商业化。金属氧化物薄膜因为具有易制备、光透过性好、种类多等优点，是目前工业界普遍使用的一种透明导电薄膜，常见的透明金属氧化物薄膜有SnO2、ZnO、In2O3、GaO、Cu2O、Zn2SnO4,ZnSnO3,MgIn2O4，GaInO3，(GaIn)2O3，Zn2In2O5，In4Sn3O12，Cd2SnO4，在金属氧化物薄膜的基础上发展起来的掺杂体系有SnO2:Sb，SnO2:F，In2O3:Sn，通过改变掺杂的组分来改变导电薄膜的光电特性和机械特性。然而，由于金属氧化物的机械性差，导致无法应用于柔性薄膜太阳能电池、柔性触摸屏显示器以及电子皮肤等器件中，并且在提高光透过率的同时增强导电性能这方面的效果并不理想。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有光透过率高、导电性能好的金属氧化物叠层场效应电极。
为实现上述目的，本发明提供了如下方案：
一种金属氧化物叠层场效应电极，包括：
多个金属条和金属氧化物叠层薄膜；
所述金属氧化物叠层薄膜包括第一金属氧化物薄膜、第二金属氧化物薄膜和第三金属氧化物薄膜；
所述第二金属氧化物薄膜的下表面设置在所述第一金属氧化物薄膜的上表面上，所述第三金属氧化物薄膜的下表面设置在所述第二金属氧化物薄膜的上表面上；所述多个金属条排列设置在所述第一金属氧化物薄膜的下表面上；相邻两个所述金属条之间存在间距；
所述第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度大于3eV；第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV；所述第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与所述第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV；所述第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与所述第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV；
所述第一金属氧化物薄膜、所述第二金属氧化物薄膜、所述第三金属氧化物薄膜的厚度小于或等于10nm。
可选的，所述金属氧化物叠层场效应电极还包括衬底，所述多个金属条设置在所述衬底上。
可选的，所述衬底为透明衬底。
可选的，所述第一金属氧化物薄膜材料为MoO2。
可选的，所述第一金属氧化物薄膜材料为Bi2MO，Bi2O3，BiVO4，Ce2O3，CoTiO3，Cr2O3，CuO，Cu2O，FeO，Fe2O3，Fe3O4，HgO，Hg2Nb2O7，In2O3，MgIn2O4，NiO，NiTiO3，PbFe12O1，PbO，Tl2O3，VO，VO2，V2O5，WO，WO2，WO3，YFeO3中的一种。
可选的，所述第二金属氧化物薄膜材料为Al2O3。
可选的，所述第二金属氧化物薄膜材料为CaO，GeO2，HfO2，La2O3，MgO，SiO2，SrO，SnO2，SnO，Ta2O5，TiO2，ZnO，ZrO2中的一种。
可选的，所述第二金属氧化物薄膜材料为AlTiO，AlTiO3，BaTiO3，CaTiO3，CuAlO2，CuGaO2，CuSrO2，LiTaO3，LaTi2O7，LiNbO3，PbZrO3，PbTiO3，PrAlO，SrTiO3，Zn2SnO4，ZnTiO3中的一种。
可选的，所述第三金属氧化物薄膜材料为MoO2。
可选的，所述第三金属氧化物薄膜材料为Bi2MO，Bi2O3，BiVO4，Ce2O3，CoTiO3，Cr2O3，CuO，Cu2O，FeO，Fe2O3，Fe3O4，HgO，Hg2Nb2O7，In2O3，MgIn2O4，MoO3，NiTiO3，NiO，PbO，PbFe12O1，Tl2O3，VO，VO2，V2O5，WO，WO2，WO3，YFeO3中的一种。
可选的，所述衬底的材料为玻璃，石英玻璃，蓝宝石，BN，CaF2，GaN，LaAlO3，LiF，LiNbO3，LiTaO3，MgF2中的一种。
可选的，所述衬底的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚苯二甲酸二乙酯，聚醚砜，聚酰亚胺中的一种。
可选的，所述金属条的材料为Al。
可选的，所述金属条的材料为Ag，Au，Cu，Fe，Mo，Ni，Pt，W，Zn，或者其中两种或多种合金。
可选的，所述的金属氧化物叠层场效应电极应用于OLED器件的阳极。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明提出了一种金属氧化物叠层场效应电极，金属氧化物叠层场效应电极包括多个金属条和金属氧化物叠层薄膜，结构简单；金属氧化物叠层薄膜包括第一金属氧化物薄膜、第二金属氧化物薄膜和第三金属氧化物薄膜，第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度大于3eV，第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV，第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV，第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV，叠层金属氧化物薄膜在外加电场时具有大于103cm2/Vs的载流子迁移率，场致导电性能好；通过将第一金属氧化物薄膜、第二金属氧化物薄膜和第三金属氧化物薄膜的厚度设置在10nm范围内，保证了金属氧化物叠层场效应电极具有光透过率高的优点。
此外，本发明还可以将多个金属条设置在透明衬底上，通过改变衬底的材质，可以应用于柔性显示技术领域。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例一中金属氧化物叠层场效应电极结构示意图；
图2为本发明实施例二中金属氧化物叠层场效应电极结构示意图；
图3为本发明实施例三中OLED器件结构示意图；
图4为本发明实施例三中基于金属氧化物叠层场效应电极与ITO电极的OLED器件的亮度-电压-电流密度曲线图；
图5为本发明实施例三中基于金属氧化物叠层场效应电极与ITO电极的OLED器件的电流效率-亮度-功率效率曲线图；
图6为本发明实施例三中在不同观测角度下，基于金属氧化物叠层场效应电极与ITO电极的OLED器件的发光光谱曲线图；
图7为本发明实施例三中ITO玻璃与金属氧化物叠层薄膜沉积在电子白玻璃上的光学透射率与反射率曲线图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的目的是提供一种具有光透过率高、导电性能好的金属氧化物叠层场效应电极。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
图1为本发明实施例中金属氧化物叠层场效应电极结构示意图，如图1所示，本发明提供的金属氧化物叠层场效应电极包括：多个金属条110和金属氧化物叠层薄膜。
金属氧化物叠层薄膜包括第一金属氧化物薄膜111、第二金属氧化物薄膜112和第三金属氧化物薄膜113；
第二金属氧化物薄膜112的下表面设置在所述第一金属氧化物薄膜111的上表面上，所述第三金属氧化物薄膜的下表面113设置在所述第二金属氧化物薄膜112的上表面上；所述多个金属条排列设置在所述第一金属氧化物薄膜111的下表面上；相邻两个所述金属条110之间存在间距；
第一金属氧化物薄膜材料为MoO2，禁带宽度为0.5-1.0eV，MoO2薄膜厚度为2nm；第二金属氧化物薄膜材料为Al2O3，禁带宽度为7eV，Al2O3薄膜厚度为2nm；第三金属氧化物薄膜材料为MoO2，禁带宽度为0.5-1.0eV，MoO2薄膜厚度为3nm。
金属条的材料为铝，金属条的厚度为100nm，金属条的宽度小于或等于100nm；相邻两个金属条的间距小于或等于1mm。
金属氧化物叠层场效应电极的第一金属氧化物薄膜材料还可以为Bi2MO，Bi2O3，BiVO4，Ce2O3，CoTiO3，Cr2O3，CuO，Cu2O，FeO，Fe2O3，Fe3O4，HgO，Hg2Nb2O7，In2O3，MgIn2O4，NiO，NiTiO3，PbFe12O1，PbO，Tl2O3，VO，VO2，V2O5，WO，WO2，WO3，YFeO3中的一种。
第二金属氧化物薄膜材料还可以为CaO，GeO2，HfO2，La2O3，MgO，SiO2，SrO，SnO2，SnO，Ta2O5，TiO2，ZnO，ZrO2中的一种。
第二金属氧化物薄膜材料还可以为AlTiO，AlTiO3，BaTiO3，CaTiO3，CuAlO2，CuGaO2，CuSrO2，LiTaO3，LaTi2O7，LiNbO3，PbZrO3，PbTiO3，PrAlO，SrTiO3，Zn2SnO4，ZnTiO3，铝铪氧化物，硅铪氧化物中的一种。
第三金属氧化物薄膜材料还可以为Bi2MO，Bi2O3，BiVO4，Ce2O3，CoTiO3，Cr2O3，CuO，Cu2O，FeO，Fe2O3，Fe3O4，HgO，Hg2Nb2O7，In2O3，MgIn2O4，MoO3，NiTiO3，NiO，PbO，PbFe12O1，Tl2O3，VO，VO2，V2O5，WO，WO2，WO3，YFeO3中的一种。
金属条的材料还可以为Ag，Au，Cu，Fe，Mo，Ni，Pt，W，Zn，或者其中两种或多种合金。
实施例二
图2为本发明实施例二中金属氧化物叠层场效应电极结构示意图。如图2所示，本实施例与实施例一的不同点在于，金属氧化物叠层场效应电极还包括衬底100，多个金属条110设置在衬底100上，衬底的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯，衬底尺寸为50*50mm2，厚度为1.1mm。
衬底的材料还可以为玻璃，石英玻璃，蓝宝石，BN，CaF2，GaN，LaAlO3，LiF，LiNbO3，LiTaO3，MgF2中的一种。
衬底的材料还可以为聚苯二甲酸二乙酯、聚醚砜、聚酰亚胺中的一种。
实施例三
图3为本发明实施例中OLED器件结构示意图，如图3所示，本实施例与实施例一的不同点在于，OLED器件包括金属氧化物叠层场效应电极、空穴注入/传输层120、有机发光层130、电子注入/传输层140和金属阴极150；空穴注入/传输层表示空穴注入层与空穴传输层形成的叠层，空穴传输层的下表面设置在空穴注入层的上表面上，空穴注入/传输层120的下表面设置在金属氧化物叠层场效应电极第三金属氧化物薄膜113的上表面上，有机发光层130的下表面设置在空穴注入/传输层120的上表面上，电子注入/传输层140的下表面设置在有机发光层130的上表面上，金属阴极150的下表面设置在电子注入/传输层140的上表面上。
空穴注入/传输层的材料为CPB，厚度为20nm；有机发光层为磷光发光层，由CPB和Ir(ppy)2(acac)掺杂而成，(Ir(ppy)2(acac)的质量/CPB的质量+Ir(ppy)2(acac)的质量)×100％＝8wt％，有机发光层的厚度为30nm；电子注入/传输层的材料为TPBi，厚度为65nm；金属阴极的材料为LiF/Al，厚度为100nm，LiF/Al表示LiF与Al的叠层，Al的下表面设置在LiF的上表面上。
图4为本发明实施例中基于金属氧化物叠层场效应电极与ITO电极的OLED器件的亮度-电压-电流密度曲线图，图5为本发明实施例中基于金属氧化物叠层场效应电极与ITO电极的OLED器件的电流效率-亮度-功率效率曲线图，如图4-5所示(图中用圆圈和箭头的方向表示曲线代表的物理含义)，基于金属氧化物叠层场效应电极的OLED器件与基于ITO电极的OLED器件性能在电流效率、功率效率相差较小，说明本申请的金属氧化物叠层场效应电极具有光透过率高、导电性能好的优点。
图6为本发明实施例中在不同观测角度下，基于金属氧化物叠层场效应电极与ITO电极的OLED器件的电致发光光谱曲线图，如图6所示，基于ITO电极的OLED器件的电致发光光谱，在不同的观测角度下，光谱发生了明显变化，这表明基于ITO电极的OLED器件的电致发光光谱存在角度依赖性，因为OLED器件的光学特性依赖于阳极的反射率，由于ITO电极相对高的反射率导致存在强的光学微腔效应，使得其具有相对强的角度依赖。而基于金属氧化物叠层场效应电极的OLED器件的电致发光光谱在不同观测角度下，光谱基本不发生变化。
图7为本发明实施例中ITO玻璃与金属氧化物叠层薄膜沉积在电子白玻璃上的光学透射率与反射率曲线图，如图7所示(图中用圆圈和箭头的方向表示曲线代表的物理含义)，在整个可见光区域，金属氧化物叠层场效应电极的光学透射率高于ITO电极，金属氧化物叠层场效应电极的反射率低于ITO电极。在520nm波长下，ITO玻璃的透过率为81.8％，而在玻璃上沉积的金属氧化物叠层场效应电极的透过率为86.7％。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (15)

1.一种金属氧化物叠层场效应电极，其特征在于，包括：
多个金属条和金属氧化物叠层薄膜；
所述金属氧化物叠层薄膜包括第一金属氧化物薄膜、第二金属氧化物薄膜和第三金属氧化物薄膜；
所述第二金属氧化物薄膜的下表面设置在所述第一金属氧化物薄膜的上表面上，所述第三金属氧化物薄膜的下表面设置在所述第二金属氧化物薄膜的上表面上；所述多个金属条排列设置在所述第一金属氧化物薄膜的下表面上；相邻两个所述金属条之间存在间距；
所述第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV；所述第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度大于3eV；所述第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV；所述第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与所述第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV；所述第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与所述第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV；
所述第一金属氧化物薄膜、所述第二金属氧化物薄膜、所述第三金属氧化物薄膜的厚度小于或等于10nm。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物叠层场效应电极，其特征在于，所述金属氧化物叠层场效应电极还包括衬底，所述多个金属条设置在所述衬底上。
3.根据权利要求2所述的金属氧化物叠层场效应电极，其特征在于，所述衬底为透明衬底。
4.根据权利要求1所述的金属氧化物叠层场效应电极，其特征在于，所述第一金属氧化物薄膜材料为MoO2。
5.根据权利要求1所述的金属氧化物叠层场效应电极，其特征在于，所述第一金属氧化物薄膜材料为Bi2MO，Bi2O3，BiVO4，Ce2O3，CoTiO3，Cr2O3，CuO，Cu2O，FeO，Fe2O3，Fe3O4，HgO，Hg2Nb2O7，In2O3，MgIn2O4，NiO，NiTiO3，PbFe12O1，PbO，Tl2O3，VO，VO2，V2O5，WO，WO2，WO3，YFeO3中的一种。
6.根据权利要求1所述的金属氧化物叠层场效应电极，其特征在于，所述第二金属氧化物薄膜材料为Al2O3。
7.根据权利要求1所述的金属氧化物叠层场效应电极，其特征在于，所述第二金属氧化物薄膜材料为CaO，GeO2，HfO2，La2O3，MgO，SiO2，SrO，SnO2，SnO，Ta2O5，TiO2，ZnO，ZrO2中的一种。
8.根据权利要求1所述的金属氧化物叠层场效应电极，其特征在于，所述第二金属氧化物薄膜材料为AlTiO，AlTiO3，BaTiO3，CaTiO3，CuAlO2，CuGaO2，CuSrO2，LiTaO3，LaTi2O7，LiNbO3，PbZrO3，PbTiO3，PrAlO，SrTiO3，Zn2SnO4，ZnTiO3中的一种。
9.根据权利要求1所述的金属氧化物叠层场效应电极，其特征在于，所述第三金属氧化物薄膜材料为MoO2。
10.根据权利要求1所述的金属氧化物叠层场效应电极，其特征在于，所述第三金属氧化物薄膜材料为Bi2MO，Bi2O3，BiVO4，Ce2O3，CoTiO3，Cr2O3，CuO，Cu2O，FeO，Fe2O3，Fe3O4，HgO，Hg2Nb2O7，In2O3，MgIn2O4，MoO3，NiTiO3，NiO，PbO，PbFe12O1，Tl2O3，VO，VO2，V2O5，WO，WO2，WO3，YFeO3中的一种。
11.根据权利要求2所述的金属氧化物叠层场效应电极，其特征在于，所述衬底的材料为玻璃，石英玻璃，蓝宝石，BN，CaF2，GaN，LaAlO3，LiF，LiNbO3，LiTaO3，MgF2中的一种。
12.根据权利要求2所述的金属氧化物叠层场效应电极，其特征在于，所述衬底的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚苯二甲酸二乙酯，聚醚砜，聚酰亚胺中的一种。
13.根据权利要求1所述的金属氧化物叠层场效应电极，其特征在于，所述金属条的材料为Al。
14.根据权利要求1所述的金属氧化物叠层场效应电极，其特征在于，所述金属条的材料为Ag，Au，Cu，Fe，Mo，Ni，Pt，W，Zn，或者其中两种或多种合金。
15.根据权利要求1所述的金属氧化物叠层场效应电极，其特征在于，所述的金属氧化物叠层场效应电极应用于OLED器件的阳极。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111864027A (zh) * 2019-10-11 2020-10-30 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 紫外led高反电极、紫外led及其制备方法
CN113130776A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113555571B (zh) * 2021-06-28 2022-05-17 陕西师范大学 一种MgPtC0.06H0.32/Ti,N-C纳米长方体及其制备方法和应用

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02253593A (ja) * 1989-03-27 1990-10-12 Mitsui Toatsu Chem Inc 発光素子
KR20060135801A (ko) * 2004-03-05 2006-12-29 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 표시 장치
KR100813854B1 (ko) * 2007-04-23 2008-03-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조방법
CN101196654A (zh) * 2006-12-07 2008-06-11 日东电工株式会社 透明导电性叠层体及触摸面板
CN102185111A (zh) * 2011-04-21 2011-09-14 河北工业大学 过渡金属氧化物的反转有机发光二极管
WO2012129791A1 (zh) * 2011-03-30 2012-10-04 海洋王照明科技股份有限公司 一种柔性有机电致发光器件及其制备方法
CN102760839A (zh) * 2011-04-28 2012-10-31 海洋王照明科技股份有限公司 一种电致发光阳极、电致发光器件及其制备方法
CN104022231A (zh) * 2014-06-27 2014-09-03 云南大学 透明金属电极及其有机电致发光顶发射器件
CN104505149A (zh) * 2014-11-19 2015-04-08 东北师范大学 一种叠层透明电极及其制备方法
CN107104193A (zh) * 2017-05-03 2017-08-29 上海大学 具有多层周期掺杂结构的复合空穴传输层、led器件结构、应用和制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2256839B1 (en) * 2009-05-28 2019-03-27 IMEC vzw Single junction or a multijunction photovoltaic cells and method for their fabrication

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02253593A (ja) * 1989-03-27 1990-10-12 Mitsui Toatsu Chem Inc 発光素子
KR20060135801A (ko) * 2004-03-05 2006-12-29 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 표시 장치
CN101196654A (zh) * 2006-12-07 2008-06-11 日东电工株式会社 透明导电性叠层体及触摸面板
KR100813854B1 (ko) * 2007-04-23 2008-03-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조방법
WO2012129791A1 (zh) * 2011-03-30 2012-10-04 海洋王照明科技股份有限公司 一种柔性有机电致发光器件及其制备方法
CN102185111A (zh) * 2011-04-21 2011-09-14 河北工业大学 过渡金属氧化物的反转有机发光二极管
CN102760839A (zh) * 2011-04-28 2012-10-31 海洋王照明科技股份有限公司 一种电致发光阳极、电致发光器件及其制备方法
CN104022231A (zh) * 2014-06-27 2014-09-03 云南大学 透明金属电极及其有机电致发光顶发射器件
CN104022231B (zh) * 2014-06-27 2016-08-24 云南大学 透明金属电极及其有机电致发光顶发射器件
CN104505149A (zh) * 2014-11-19 2015-04-08 东北师范大学 一种叠层透明电极及其制备方法
CN107104193A (zh) * 2017-05-03 2017-08-29 上海大学 具有多层周期掺杂结构的复合空穴传输层、led器件结构、应用和制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111864027A (zh) * 2019-10-11 2020-10-30 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 紫外led高反电极、紫外led及其制备方法
CN113130776A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN113130776B (zh) * 2019-12-30 2022-05-24 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法

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