CN108550584A - 阵列基板、显示装置和阵列基板的制备方法 - Google Patents
阵列基板、显示装置和阵列基板的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108550584A CN108550584A CN201810453667.5A CN201810453667A CN108550584A CN 108550584 A CN108550584 A CN 108550584A CN 201810453667 A CN201810453667 A CN 201810453667A CN 108550584 A CN108550584 A CN 108550584A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- area
- array substrate
- display
- groove
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 110
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 26
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 13
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 6
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001422 barium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
Abstract
本发明涉及一种阵列基板和显示装置，所述阵列基板包括衬底基板，衬底基板上设置有显示区域和非显示区域；显示区域用于显示；非显示区域包括凹槽区，凹槽区的透光率大于显示区域的透光率。显示装置包括上述阵列基板。上述阵列基板和显示装置，通过将凹槽区设置于衬底基板上，降低了凹槽区的制作难度；另外，由于凹槽区具有衬底基板且通光率好，可以将电路、元器件或信号线设置在凹槽空间内，减少了显示装置的边框面积，从而增加了显示装置的显示面积。本发明还涉及制备上述阵列基板的方法。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、显示装置以及阵列基板的制备方法。
背景技术
随着显示装置产品的不断更新迭代，大屏幕的显示装置越来越受到用户的青睐，随之而来的是显示面板的外部结构和内部结构的不断推陈出新。现今，比较流行的一种做法是，在矩形显示面板的顶端做一个可以放置前置摄像头等元器件的开槽区，而在除开槽区外的其他区域则做成显示区，以此来增加显示区的面积，给用户带来更强烈的视觉冲击。
但是，由于开槽区具有多种不同形状的切口、且在进行开槽区的制作时，需要对显示面板的各层基板和膜层都进行切割，工艺难度很大；另外，开槽区的设计需要占用显示面板上边框区域，因而显示面板上的许多电路被设置在显示面板的下边框位置上，使的显示面板的显示区域不能被充分利用。因此，如何在充分利用显示面板的显示区域的同时降低显示面板的制作工艺难度是本领域技术人员急需解决的技术问题。
发明内容
基于此，有必要针对上述问题，提供一种既可以增加显示面积又能够降低制作工艺难度的阵列基板、显示装置、以及阵列基板的制备方法。
一种阵列基板，所述阵列基板包括：
衬底基板，衬底基板上设置有显示区域和非显示区域；
显示区域用于显示；
非显示区域包括凹槽区，凹槽区的透光率大于显示区域的透光率。
上述阵列基板，通过将凹槽区设置于衬底基板上，降低了凹槽区的制作难度；另外，由于凹槽区保留有衬底基板且通光率好，可以将电路、元器件或信号线设置在凹槽空间内，减少了显示装置的边框面积，从而增加了显示装置的显示面积。
在其中一个实施例中，凹槽区内预留有光学器件透光区；光学器件透光区的面积小于凹槽区的面积。
在其中一个实施例中，阵列基板还包括栅极驱动电路和外围电路；栅极驱动电路和外围电路设置于凹槽区内的光学器件透光区的周边位置上。
在其中一个实施例中，外围电路包括多路选择电路、静电释放电路以及屏体测试电路中的至少一种电路。
在其中一个实施例中，阵列基板还包括环境光感应器件，环境光感应器件设置于凹槽区内的光学器件透光区的周边位置上。
在其中一个实施例中，环境光感应器件为光电二极管或感光薄膜晶体管。
在其中一个实施例中，阵列基板还包括导电焊盘、信号连接线和电源电位线；非显示区域还包括边框区；导电焊盘设置于凹槽区开口方向上的边框区上，信号连接线经过凹槽区连接导电焊盘和显示区域内的数据线，电源电位线设置于边框区上且连接至导电焊盘。
一种显示装置，包括上述各实施例所述的阵列基板。
在其中一个实施例中，显示装置为玻璃显示装置或柔性显示装置。
一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：
提供衬底基板；
在衬底基板上依次形成缓冲层及绝缘层；
对衬底基板上的预定区域内的缓冲层及绝缘层进行刻蚀，形成凹槽区；
在凹槽区及衬底基板边框区以外的位置设置像素单元，形成显示区域，凹槽区的透光率大于显示区域的透光率。
上述阵列基板的制备方法，通过对衬底基板上的局部预留区域进行刻蚀，即可得到透光率高的凹槽区，省去了切割衬底基板的繁琐工艺，降低了阵列基板凹槽区的制作难度；另外，具有衬底基板的凹槽区可以放置电路、元器件或信号线等，减少了显示装置的边框面积，从而增加了显示装置的显示面积。
附图说明
图1为一个实施例中阵列基板的结构示意图；
图2为一个实施例中阵列基板的局部结构示意图；
图3为另一个实施例中阵列基板的局部结构示意图；
图4为又一个实施例中阵列基板的局部结构示意图；
图5为又一个实施例中阵列基板的局部结构示意图；
图6为一个实施例中阵列基板制备方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
请参考图1，其示出了根据本申请的阵列基板的一个实施例的结构示意图。
如图1所示，该阵列基板1000包括衬底基板，在衬底基板上设置有显示区域1100和非显示区域1200。在显示区域1100的一侧边缘上，设置有一个凹槽区1210，该凹槽区1210的开口方向朝向衬底基板的外侧。具体的，衬底基板上依次沉积有缓冲层、栅极绝缘层和间层绝缘层等膜层结构，而在凹槽区1210对应的区域内，衬底基板上的缓冲层、栅极绝缘层和间层绝缘层等膜层结构会被刻蚀掉，只留下一层基板，因而，凹槽区1210相比显示区域1100具有更高的透光率，便于在凹槽区对应的位置下方放置摄像头等光学元器件而不影响光学元器件的性能。在显示区域1100的其他位置上则分布有像素单元，使显示区域1100用于显示。
上述阵列基板，通过将凹槽区设置于衬底基板上，降低了凹槽区的制作难度；另外，由于凹槽区保留有衬底基板且通光率好，可以将电路、集成元器件或信号线设置在凹槽空间内，减少了显示装置的边框面积，从而增加了显示装置的显示面积。
在一个实施例中，如图2所示，凹槽区1210内预留有光学器件透光区1211，光学器件透光区1211的面积小于凹槽区1210的面积。在本实施例中，光学器件具体指的是具有光学特性的摄像头、环境光感应器等元器件，光学器件一般设置于显示面板的下方，并透过显示面板接收光线。由于光学器件透光区1211的面积小于凹槽区1210的面积，因而，在未被光学器件透光区1211占用的位置上，可以布置电路、集成元器件或信号线等。需要注意的是，布置在光学器件周围的电路、信号线或集成元器件需要避开光学器件透光区1211的正上方位置。
在一个实施例中，如图3所示，阵列基板1000还包括栅极驱动电路1212和外围电路，栅极驱动电路1212和外围电路设置于凹槽区1210内的光学器件透光区1211的周边位置上。具体的，栅极驱动电路1212和外围电路可以放置在凹槽区1210的左右边框或下边框位置。在本实施例中，设置于凹槽区1210内的栅极驱动电路1212用于驱动凹槽区1210两侧的显示区域。具体的，栅极驱动电路1212可以为一个，也可以为多个，优选的，栅极驱动电路1212为两个，并放置于光学器件透光区1211的两侧，并且与凹槽区1210两侧显示区域的扫描驱动线之间连接若干个用于补偿光线的补偿电容。补偿电容可以延凹槽区1210的边沿位置设置在显示区域和栅极驱动电路1212之间，也可以设置在凹槽区1210的其他位置上，进一步的，本实施例可以根据补偿值的不同选择不同容量和体积的补偿电容。
在一个实施例中，如图3所示，外围电路包括多路选择电路1213、静电释放电路1214以及屏体测试电路1215中的一种电路或多种电路。具体的，多路选择电路1213用于协助显示面板进行点亮测试；静电释放电路1214用于保护显示装置中重要部件不受静电损害；屏体测试电路1215用于对显示面板上的信号连接线进行通路和短路测试。在本实施例中，多路选择电路1213、静电释放电路1214以及屏体测试电路1215可以设置于光学器件透光区1211的周边位置上，且避开光学器件透光区1211的正上方位置，由于栅极驱动电路一般设置于凹槽区1210的左、右边框位置上，所以多路选择电路1213、静电释放电路1214以及屏体测试电路1215优选设置于凹槽区1210的下边框位置上。
通过将栅极驱动电路和外围电路设置于凹槽区内，可以有效的减少边框区的宽度，利于实现显示装置的窄边框设计。
在一个实施例中，如图4所示，阵列基板还包括环境光感应器件1216，环境光感应器件1216设置于凹槽区1210内的光学器件透光区1211的周边位置上。具体的，环境光感应器件1216可以为一个，也可以为多个。在本实施例中，环境光感应器件1216的体积较小，占用空间较少，可以用于监测环境中光线强度的变化，并根据变化指导显示装置做出相应的调整动作，如指导显示装置在环境光线比较强的情况下调暗显示面板的显示亮度等。
在一个实施例中，如图4所示，环境光感应器件1216为光电二极管或感光薄膜晶体管。在本实施例中，光电二极管或感光薄膜晶体管可以与显示区域上的TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)阵列同时制作。具体的，在制作显示面板的TFT阵列时，可以在普通多晶硅的基础上做不同含量、不同种类的三价或五价元素掺杂，从而同步制作出用于环境光检测的光电二极管或感光薄膜晶体管。
通过将环境光感应器件集成在阵列基板的凹槽区内，可以有效的减少光学器件透光区的面积，并提升显示面板的智能化程度。
在一个实施例中，如图5所示，阵列基板还包括导电焊盘1217、信号连接线1218和电源电位线1219。其中，导电焊盘1217设置于凹槽区1210开口方向上的边框区上，信号连接线1218从导电焊盘1217引出至凹槽区1210内，电源电位线1219设置于边框区且连接至导电焊盘1217上。具体的，凹槽区1210具有一定的深度，可以容纳绑定区的信号连接线的绕线空间，此外，阳极电源电位线VDD和阴极电源电位线VSS的走线也可设置在凹槽区内。其中，信号连接线1218和电源电位线1219的走线需在凹槽区1210的相应位置断开以避开光学器件透光区1211。在本实施例中，信号连接线1218的一端连接导电焊盘1217，另一端连接显示区域1110内的数据线上。显示区域1110的数据线通过信号连接线1218和导电焊盘1217与绑定区的信号驱动电路连接，以驱动显示区1110的像素单元进行显示和亮度调节。
通过将导电焊盘设置在凹槽区与阵列基板的边框之间，并充分利用凹槽区的空间进行绕线排布，可以有效的减少显示面板的下边框面积，从而增加显示区域的面积。
在一个实施例中，如图3至图6所示，阵列基板1000包括栅极驱动电路1212、多路选择电路1213、静电释放电路1214、屏体测试电路1215、环境光感应器件1216、导电焊盘1217、信号连接线1218和电源电位线1219中的一种或多种电路、集成元器件或信号线。所有电路、集成元器件或信号线的设置位置均要避开光学器件透光区1211，其中，电路和集成元器件需避开光学器件透光区1211的正上方位置。在本实施例中，所有设置于凹槽区1211的电路、集成元器件或信号线需要进行相互避让以减少彼此之间的影响，并根据实际情况进行排布和设置。
在一个实施例中，提供了一种显示装置。具体的，该显示装置可以是玻璃显示装置或柔性显示装置，虽然玻璃显示装置和柔性显示装置的结构和制作材料有所不同，但是其结构中都有阵列基板，且阵列基板上均设置有无需切割衬底基板的凹槽区。在本实施例中，显示装置的封装基板对应凹槽区的位置也无须切割，并且，在显示装置的封装基板和衬底基板之间的凹槽区内，可以设置电路、信号线或集成元器件等，这样的结构既降低了凹槽区的制作难度，又减少了显示装置的边框面积，利于实现显示装置的窄边框化。
具体地，该显示装置包括但不限于显示面板、手机、平板电脑、笔记本电脑、具有显示功能的可穿戴电子设备。
在一个实施例中，如图6所示，提供了一种阵列基板的制备方法。
步骤S102，提供衬底基板。
具体的，衬底基板可以是玻璃基板或柔性基板。在本实施例中，衬底基板的透光率是比较高的，且衬底基板作为阵列基板的底层基板，具有一定的防护作用。
步骤S104，在衬底基板上依次形成缓冲层及绝缘层。
具体的，在衬底基板上依次沉积缓冲层、栅极绝缘层和间层绝缘层等膜层结构，可以防止衬底基板中的金属离子，如：铝离子、钡离子、钠离子等，在工艺过程中扩散到其他膜层中。
步骤S106，对衬底基板上的预定区域内的缓冲层及绝缘层进行刻蚀，形成凹槽区。
具体的，在衬底基板上一个凹槽形的预定区域内，可以对衬底基板上的缓冲层、栅极绝缘层和间层绝缘层等膜层结构进行刻蚀，只留下一层衬底基板，以使凹槽区具有更好的透光率，便于在凹槽区对应的位置下方放置摄像头等光学元器件而不影响光学元器件的性能。
步骤S108，在凹槽区及衬底基板边框区以外的位置设置像素单元，形成显示区域，凹槽区的透光率大于显示区域的透光率。
具体的，在衬底基板除边框区和凹槽区以外的地方设置纵横交错的数据驱动线和扫描驱动线，并在数据驱动线和扫描驱动线的交叉位置设置像素单元，以形成显示区域。由于显示区域上设有多层膜层结构以及像素单元，因而其透光率较低。
上述阵列基板的制备方法，通过对衬底基板上的局部预留区域进行刻蚀，即可得到透光率高的凹槽区，省去了切割衬底基板的繁琐工艺，降低了阵列基板凹槽区的制作难度；另外，具有衬底基板的凹槽区可以放置电路、元器件或信号线等，减少了显示装置的边框面积，从而增加了显示装置的显示面积。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底基板，所述衬底基板上设置有显示区域和非显示区域；
所述显示区域用于显示；
所述非显示区域包括凹槽区，所述凹槽区的透光率大于所述显示区域的透光率。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽区内预留有光学器件透光区；所述光学器件透光区的面积小于所述凹槽区的面积。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括栅极驱动电路和外围电路；所述栅极驱动电路和外围电路设置于所述凹槽区内的所述光学器件透光区的周边位置上。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述外围电路包括多路选择电路、静电释放电路以及屏体测试电路中的至少一种电路。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括环境光感应器件，所述环境光感应器件设置于所述凹槽区内的所述光学器件透光区的周边位置上。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述环境光感应器件为光电二极管或感光薄膜晶体管。
7.根据权利要求1-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括导电焊盘、信号连接线和电源电位线；所述非显示区域还包括边框区；所述导电焊盘设置于所述凹槽区开口方向上的所述边框区上，所述信号连接线经过所述凹槽区连接所述导电焊盘和所述显示区域内的数据线，所述电源电位线设置于所述边框区上且连接至所述导电焊盘。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为玻璃显示装置或柔性显示装置。
10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上依次形成缓冲层及绝缘层；
对所述衬底基板上的预定区域内的所述缓冲层及绝缘层进行刻蚀，形成凹槽区；
在所述凹槽区及所述衬底基板边框区以外的位置设置像素单元，形成显示区域，所述凹槽区的透光率大于所述显示区域的透光率。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810453667.5A CN108550584B (zh) | 2018-05-14 | 2018-05-14 | 阵列基板、显示装置和阵列基板的制备方法 |
| PCT/CN2018/110691 WO2019218587A1 (zh) | 2018-05-14 | 2018-10-17 | 阵列基板、显示装置和阵列基板的制备方法 |
| US16/446,655 US10608022B2 (en) | 2018-05-14 | 2019-06-20 | Array substrates, display devices and methods of manufacturing array substrates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810453667.5A CN108550584B (zh) | 2018-05-14 | 2018-05-14 | 阵列基板、显示装置和阵列基板的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108550584A true CN108550584A (zh) | 2018-09-18 |
| CN108550584B CN108550584B (zh) | 2020-12-11 |
Family
ID=63494606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810453667.5A Active CN108550584B (zh) | 2018-05-14 | 2018-05-14 | 阵列基板、显示装置和阵列基板的制备方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108550584B (zh) |
| WO (1) | WO2019218587A1 (zh) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109254444A (zh) * | 2018-10-15 | 2019-01-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板 |
| CN109358444A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-02-19 | 合肥惠科金扬科技有限公司 | 一种显示装置 |
| CN109782503A (zh) * | 2019-03-14 | 2019-05-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示模组及终端 |
| CN110211972A (zh) * | 2019-05-23 | 2019-09-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
| CN110211490A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-09-06 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示面板母版和显示面板装置 |
| WO2019218587A1 (zh) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、显示装置和阵列基板的制备方法 |
| US10608022B2 (en) | 2018-05-14 | 2020-03-31 | Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. | Array substrates, display devices and methods of manufacturing array substrates |
| WO2020133490A1 (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-02 | 华为技术有限公司 | 显示模组和显示装置 |
| CN112102766A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-12-18 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置 |
| WO2022266884A1 (zh) * | 2021-06-23 | 2022-12-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置及其补偿方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI826059B (zh) * | 2022-10-20 | 2023-12-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN206674022U (zh) * | 2017-05-08 | 2017-11-24 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 输入输出模组及电子装置 |
| CN107831937A (zh) * | 2017-11-07 | 2018-03-23 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种触摸传感器及显示装置 |
| CN107946341A (zh) * | 2017-11-10 | 2018-04-20 | 上海天马微电子有限公司 | 显示装置和显示装置的制造方法 |
| CN108010942A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-05-08 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板和有机发光显示装置 |
| CN108010949A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-05-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 异形切割的oled显示面板及oled显示器 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN204613909U (zh) * | 2015-05-08 | 2015-09-02 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、触控显示面板及触控显示装置 |
| KR102384068B1 (ko) * | 2015-09-11 | 2022-04-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| CN207217536U (zh) * | 2017-06-28 | 2018-04-10 | 北京小米移动软件有限公司 | 阵列基板及移动终端 |
| CN107315295A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-11-03 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 阵列基板、显示面板和电子设备 |
| CN107561806B (zh) * | 2017-09-29 | 2020-07-03 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
| CN108550584B (zh) * | 2018-05-14 | 2020-12-11 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、显示装置和阵列基板的制备方法 |
-
2018
- 2018-05-14 CN CN201810453667.5A patent/CN108550584B/zh active Active
- 2018-10-17 WO PCT/CN2018/110691 patent/WO2019218587A1/zh active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN206674022U (zh) * | 2017-05-08 | 2017-11-24 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 输入输出模组及电子装置 |
| CN107831937A (zh) * | 2017-11-07 | 2018-03-23 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种触摸传感器及显示装置 |
| CN107946341A (zh) * | 2017-11-10 | 2018-04-20 | 上海天马微电子有限公司 | 显示装置和显示装置的制造方法 |
| CN108010942A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-05-08 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板和有机发光显示装置 |
| CN108010949A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-05-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 异形切割的oled显示面板及oled显示器 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019218587A1 (zh) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、显示装置和阵列基板的制备方法 |
| US10608022B2 (en) | 2018-05-14 | 2020-03-31 | Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. | Array substrates, display devices and methods of manufacturing array substrates |
| CN109254444A (zh) * | 2018-10-15 | 2019-01-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板 |
| WO2020077870A1 (zh) * | 2018-10-15 | 2020-04-23 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
| CN109358444A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-02-19 | 合肥惠科金扬科技有限公司 | 一种显示装置 |
| US11450690B2 (en) | 2018-12-29 | 2022-09-20 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Display module and display device |
| WO2020133490A1 (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-02 | 华为技术有限公司 | 显示模组和显示装置 |
| CN109782503B (zh) * | 2019-03-14 | 2021-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示模组及终端 |
| CN109782503A (zh) * | 2019-03-14 | 2019-05-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示模组及终端 |
| CN110211972A (zh) * | 2019-05-23 | 2019-09-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
| WO2020232938A1 (zh) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
| CN110211490A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-09-06 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示面板母版和显示面板装置 |
| CN112102766A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-12-18 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置 |
| US20210295787A1 (en) * | 2020-03-23 | 2021-09-23 | Au Optronics Corporation | Display device |
| WO2022266884A1 (zh) * | 2021-06-23 | 2022-12-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置及其补偿方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2019218587A1 (zh) | 2019-11-21 |
| CN108550584B (zh) | 2020-12-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108550584A (zh) | 阵列基板、显示装置和阵列基板的制备方法 | |
| JP7174790B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| US11835809B2 (en) | Touch panel | |
| CN105068373B (zh) | Tft基板结构的制作方法 | |
| KR102558519B1 (ko) | 표시 패널, 제조 방법 및 전자 기기 | |
| TWI663586B (zh) | 顯示裝置基板、顯示裝置基板的製造方法及使用其之顯示裝置 | |
| JP2017174811A (ja) | 表示装置 | |
| CN110262108B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| CN206833100U (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN107315500A (zh) | 阵列基板和触控显示面板 | |
| US20160372490A1 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof, and display panel | |
| TW202305478A (zh) | 顯示裝置 | |
| CN204243040U (zh) | 薄膜晶体管基板 | |
| CN108873515A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| CN102487041B (zh) | 阵列基板及其制造方法和电子纸显示器 | |
| CN109061968A (zh) | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 | |
| US20190219853A1 (en) | Coa substrate, manufacturing method therefor, display panel, and display device | |
| CN105093730B (zh) | 显示设备 | |
| CN109856870A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN108490701A (zh) | 显示面板及其制造方法、显示装置 | |
| CN108535925B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| CN108231790A (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
| CN105759515A (zh) | 液晶显示装置及其驱动方法 | |
| CN105807522A (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示面板 | |
| TWI764877B (zh) | 顯示裝置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |