CN108447883B - 微型发光装置 - Google Patents

Abstract

微型发光装置包含基板、数据线、扫描线、低电源供应线、高电源供应线、绝缘层、反射电极、黏合层、第一微型发光元件及连接电极。反射电极具有第一图案、第二图案与第三图案。第一图案经由绝缘层的第一开口电性连接于开关元件，第二图案经由绝缘层的第二开口电性连接于低电源供应线。第一微型发光元件设置于黏合层上且对应于第三图案。第一连接电极电性连接第一微型发光元件与第一图案，第二连接电极电性连接第一微型发光元件与第二图案。

Description

微型发光装置

技术领域

本发明是有关于一种微型发光装置。

背景技术

近年来，随着科技的进步与半导体产业的日益发达，电子产品例如个人数字助理(personal digital assistant,PDA)、移动电话(mobile phone)、智能型手机(smartphone)与笔记本电脑(notebook,NB)等产品的使用越来越普遍，并朝着便利、多功能且美观的设计方向进行发展，以提供使用者更多的选择。当用户对电子产品的需求日渐提升，在电子产品中扮演重要角色的显示屏幕/面板(display screen/panel)亦成为设计者关注的焦点。因此，需要重新的设计电子产品中的显示屏幕/面板(display screen/panel)，来符合大众的需求。

发明内容

本发明的一种微型发光装置，包含基板、至少一数据线、至少一扫描线、至少一低电源供应线、至少一高电源供应线、绝缘层、多个反射电极、黏合层、第一微型发光元件以及多个连接电极。基板具有至少一子像素，且子像素具有至少一开关元件。数据线、扫描线、低电源供应线与高电源供应线皆设置于基板上。开关元件的一栅极电性连接于扫描线，开关元件的一源极电性连接于数据线。绝缘层设置于基板上且覆盖开关元件、数据线、扫描线、低电源供应线与高电源供应线。绝缘层具有第一开口及第二开口。反射电极设置于绝缘层上且具有第一图案、第二图案与第三图案。第一图案经由绝缘层的第一开口电性连接于开关元件的一漏极，第二图案经由绝缘层的第二开口电性连接于低电源供应线。黏合层设置于基板上且覆盖部份第一图案、部份第二图案、以及部份绝缘层。黏合层覆盖第三图案。黏合层具有第三开口及第四开口。第一微型发光元件设置于黏合层上且对应于第三图案。第一微型发光元件包含极性相反的第一半导体层与第二半导体层。连接电极设置于黏合层上且具有第一连接电极与第二连接电极。第一连接电极的一端电性连接于第一半导体层且第一连接电极的另一端经由黏合层的第三开口电性连接于第一图案，第二连接电极的一端电性连接于第二半导体层且第二连接电极的另一端经由黏合层的第四开口电性连接于第二图案。

在上述实施例的一可提供具有较佳的亮度稳定性的微型发光装置。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1A是依照本发明一实施例的一种微型发光装置的局部俯视示意图。

图1B是沿图1A的Ⅰ-Ⅰ’的微型发光装置的剖面示意图。

图2是依照本发明另一实施例的一种微型发光装置的局部剖面示意图。

图3是依照本发明另一实施例的微型发光装置的电路示意图。

其中，附图标记：

100、100a：微型发光装置

110：基板

111、111a：子像素

112：开关元件

1120：通道层

1122：栅极

1124：源极

1126：漏极

1128：栅绝缘层

120：数据线

122：扫描线

123、124a、125a、126：低电源供应线

124b、125b：转接垫

128：高电源供应线

130：绝缘层

131：第一开口

132：第二开口

133、135：孔洞

134：第五开口

140：反射电极

141：第一图案

142：第二图案

143：第三图案

144：第四图案

145：第五图案

150：黏合层

152：第三开口

154：第四开口

156：第六开口

160：第一微型发光元件

162：第一半导体层

164：第二半导体层

166：第一中介层

168、169：电极垫

170：连接电极

172：第一连接电极

1722、1742：第一子电极

1724、1744：第二子电极

174：第二连接电极

176：第三连接电极

1762、1782：第三子电极

1764、1784：第四子电极

178：第四连接电极

180：第二微型发光元件

182：第三半导体层

184：第四半导体层

186：第二中介层

188、189：电极垫

D：间隔

SB：基底

具体实施方式

在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件”上”或”连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为”直接在另一元件上”或”直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，”连接”可以指物理及/或电性连接。再者，”电性连接”或”耦接/合”系可为二元件间存在其它元件。

本文使用的”约”、”近似”、或”实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，”约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或±30％、±20％、±10％、±5％内。再者，本文使用的“约”、”近似”或“实质上”可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。

除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。

本文参考作为理想化实施例的示意图的截面图来描述示例性实施例。因此，可以预期到作为例如制造技术及/或公差的结果的图示的形状变化。因此，本文所述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙及/或非线性特征。此外，所示的锐角可以是圆的。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不是旨在示出区域的精确形状，并且不是旨在限制权利要求的范围。

图1A是依照本发明一实施例的一种微型发光装置的局部俯视示意图。图1B是沿图1A的Ⅰ-Ⅰ’的微型发光装置的剖面示意图。为了方便说明，图1A中最右侧的微型发光装置100省略绘示了第一子电极1722、1742及第三子电极1762、1782。

请一起参照图1A、1B与图3，本实施例的微型发光装置100包含基板110、至少一数据线120、至少一扫描线122、至少一低电源供应线123、124a、125a、126、至少一高电源供应线128、绝缘层130、多个反射电极140、黏合层150、第一微型发光元件160及/或第二微型发光元件180以及多个连接电极170。本发明的实施例系以第一与第二微型发光元件160、180为范例说明，但不限于此。于其它实施例中，微型发光元件的个数可为1个或多个，且相关的设计可参阅后续描述来加以变动。微型发光元件(例如:第一及/或第二微型发光元件160及/或180)的尺寸小于约100微米，较佳地，小于约50微米。

基板110具有基底SB以及位于基底SB上的多个子像素111(例如绘示3个子像素)，如图1A所示。本实施例系以基底SB上的至少一子像素111为范例，且子像素111具有至少一开关元件112，但不限于此。基板110上更设置有数据线120、扫描线122、低电源供应线123、124a、125a、126与高电源供应线128。其中，开关元件112包括信道层1120、栅极1122、源极1124、漏极1126以与门绝缘层1128。栅极1122与通道层1120重迭，且栅极1122与通道层1120之间夹有栅绝缘层1128。源极1124以及漏极1126分别电性连接至通道层1120。栅极1122电性连接于扫描线122，源极1124电性连接于数据线120。在本实施例中，开关元件112为顶部栅极型薄膜晶体管，但本发明不以此为限。在其他实施例中，开关元件112也可以包括底部栅极型薄膜晶体管、立体型薄膜晶体管、或是其它合适的晶体管。其中，通道层1120可为单层或多层结构，且其材料包含非晶硅、奈米晶硅、微晶硅、多晶硅、单晶硅、氧化物半导体材料、有机半导体材料、奈米碳管/杆、钙钛矿材料、或其它合适的半导体材料。在本实施例中，子像素111具有一个开关元件112，但本发明不以此为限。在其他实施例中，子像素111也可具有一个以上的开关元件(可参阅后续的图3及其相关描述)，且子像素111还可以包括电容或其他相关元件。

在一些实施例中，基板110所包括的低电源供应线124a、125a可与栅极1122可由同一道图案化制程所形成，但本发明不以此为限。在其他实施例中，低电源供应线124a、125a额外形成于基板110(例如：基底SB)上。基板110可选择性的包括保护层1140，保护层1140覆盖栅极1122以及低电源供应线124a、125a。

本实施例除了包含低电源供应线123、126之外，可更选择性的包含转接垫124b、125b设置于基板110(例如：基底SB)上。转接垫124b、125b分别电性连接低电源供应线124a、125a。绝缘层130设置于基板110上，且绝缘层130覆盖开关元件112、数据线120、扫描线122、低电源供应线123、124a、125a、126与高电源供应线128以及转接垫124b、125b。绝缘层130具有第一开口131、第二开口132、第五开口134及孔洞133、135。其中，第一开口131暴露出部分漏极1126、第二开口132暴露出部分低电源供应线123、第五开口134暴露出部分低电源供应线126。低电源供应线123、124a、125a、126可施加有实质上相同的电压，例如:低电源供应线123、124a、125a、126相电性连接，但本发明不以此为限。

反射电极140设置于绝缘层130上且具有第一图案141、第二图案142、第三图案143、第四图案144与第五图案145。第一图案141可填入绝缘层130的第一开口131，使第一图案141电性连接于开关元件112的漏极1126。第二图案142可填入绝缘层130的第二开口132，使第二图案142电性连接于低电源供应线123。第三图案143可填入绝缘层130的孔洞133，使第三图案143电性连接于转接垫124b以及低电源供应线124a。第四图案144可填入绝缘层130的第五开口134，使第四图案144电性连接于低电源供应线126。第五图案145可填入绝缘层130的孔洞135，使第五图案145电性连接于低电源供应线125a以及转接垫125b。于部份实施例中，微型发光装置100可不包含转接垫124b、125b，则第三图案143填入绝缘层130的孔洞133后，其与低电源供应线124a电性连接，而第五图案145填入绝缘层130的孔洞135，其与低电源供应线125b电性连接。

黏合层150设置于基板110(例如：基底SB)上，且黏合层150覆盖部份第一图案141、部份第二图案142、第三图案143、部份第四图案144、第五图案145以及部份绝缘层130。黏合层150具有第三开口152、第四开口154以及第六开口156。其中，第三开口152对应于第一图案141设置且暴露出部分第一图案141，第四开口154对应于第二图案142设置且暴露出部分第二图案142，第六开口156对应于第四图案144设置且暴露出部分第四图案144。此外，黏合层150的第三开口152位于第三图案143与第五图案145之间。

请同时参照图1A与图1B，第一微型发光元件160与第二微型发光元件180设置于黏合层150上。第一微型发光元件160与第二微型发光元件180例如是先于生长基板上形成，接着在利用巨量转移(Mass transfer)技术转置于黏合层150上。本实施例中的第一微型发光元件160及第二微型发光元件180可透过物理或化学的方法吸附黏着黏合层150上。

第一微型发光元件160设置于黏合层150上且对应于第三图案143。第一微型发光元件160包含极性相反的第一半导体层162与第二半导体层164。第一微型发光元件160可选择性的更包含第一中介层166，且第一中介层166位于第一半导体层162与第二半导体层164之间，但不限于此。于其它实施例中，第一微型发光元件160亦可不包含第一中介层166。于部份实施例中，第一微型发光元件160具有延伸方向不同的两个电极垫168、169，电极垫168与第一半导体层162接触且电极垫169与第二半导体层164接触，但不限于此。

第二微型发光元件180设置于黏合层150上且对应于该第五图案145。第二微型发光元件180包含极性相反的第三半导体层182与第四半导体层184。第二微型发光元件180可选择性的更包含第二中介层186，且第二中介层186位于第三半导体层182与第四半导体层184之间，但不限于此。于其它实施例中，第一微型发光元件160亦可不包含第二中介层186。于部份实施例中，第二微型发光元件180具有延伸方向不同的两个电极垫188、189，电极垫188与第三半导体层182接触且电极垫189与第四半导体层184接触，但不限于此。举例来说，电极垫168的延伸方向与电极垫169的延伸方向呈约90度，且电极垫188的延伸方向与电极垫189的延伸方向呈约90度，例如图1A中最右侧的第一微型发光元件160与第二微型发光元件180所示。

于部份实施例中，第一微型发光元件160与第二微型发光元件180间具有一间隔D，第一微型发光元件160中较邻近于间隔D的电极垫168的延伸方向不同于第二微型发光元件180中较邻近于间隔D的电极垫188的延伸方向。于部份实施例中，第一微型发光元件160中较远离于间隔D的电极垫169的延伸方向不同于第二微型发光元件180中较远离于间隔D的电极垫189的延伸方向。从另一方面观之，第一微型发光元件160中较邻近于间隔D的电极垫168的延伸方向实质上相同于第二微型发光元件180中较远离于间隔D的电极垫189的延伸方向，而第一微型发光元件160中较远离于间隔D的电极垫169的延伸方向实质上相同于第二微型发光元件180中较邻近于间隔D的电极垫188的延伸方向。较佳地，第一微型发光元件160的电极垫168与169及第二微型发光元件180的电极垫188与189排列方式皆可被称为水平式微型发光元件或者是同侧电极微型发光元件，但不限于此。

于部份实施例中，反射电极140中的第三图案143可作为第一微型发光元件160的光学反射层，且第五图案145可作为第二微型发光元件180的光学反射层，以使第一微型发光元件160及第二微型发光元件180的出光方向朝上。

由于黏合层150是设置于第一微型发光元件160与反射电极140之间以及第二微型发光元件180与反射电极140之间，且黏合层150本身除了黏着效果也具有实质上绝缘的效果(例如:电阻率大于108奥姆·公分)，因此，可避免本实施例的微型发光装置100的驱动电流经由第一微型发光元件160及第二微型发光元件180的下方漏电。

再者，藉由反射电极140与低电源供应线123、124a、125a、126的连接可增加导电效率，以降低低电源供应线123、124a、125a、126本身的阻抗，并避免发生内部电压衰退(IRdrop)的情形。

请再参照图1A与1B，连接电极170设置于黏合层150上，且连接电极170具有第一连接电极172、第二连接电极174、第三连接电极176以及第四连接电极178。其中，第一连接电极172的一端电性连接于第一微型发光元件160的第一半导体层162，而另一端则经由黏合层150的第三开口152电性连接于第一图案141。第二连接电极174的一端电性连接于第一微型发光元件160的第二半导体层164，而另一端则经由黏合层150的第四开口154电性连接于第二图案142。第三连接电极176的一端电性连接于第二微型发光元件180的第三半导体层182，而另一端则电性连接于第一连接电极172，并进而电性连接于第一图案141。第四连接电极178的一端电性连接于第二微型发光元件180的第四半导体层184，而另一端则经由黏合层150的第六开口156电性连接于第四图案144。

于部份实施例中，第一连接电极172可包含第一子电极1722与第二子电极1724，其中，第一连接电极172的第一子电极1722经由第二子电极1724电性连接于第一图案141。部分第二子电极1724位于黏合层150的第三开口152内。

于部份实施例中，第二连接电极174可包含第一子电极1742与第二子电极1744，且第二连接电极174的第一子电极1742经由第二子电极1744电性连接于第二图案142。部分第二子电极1744位于黏合层150的第四开口154内。

于部份实施例中，第三连接电极176可包含第三子电极1762与第四子电极1764，其中，第三连接电极176的第三子电极1762经由第四子电极1764电性连接于第一图案141。

于部份实施例中，第四连接电极178可包含第三子电极1782与第四子电极1784，且第四连接电极178的第三子电极1782经由第四子电极1784电性连接于第四图案144。部分第四子电极1784位于黏合层150的第六开口156内。

在本实施例中，第一连接电极172的第二子电极1724、第二连接电极174的第二子电极1744、第三连接电极176的第四子电极1764与第四连接电极178的第四子电极1784皆可为透明导电材料(例如:氧化铟锡、氧化锡、氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化锌、奈米碳管/杆、小于60埃的金属及/或合金、或其它合适的材料、或前述材料的单层或多层结构)，以增加微型发光装置100的开口率。

另外，在本实施例中，由于第三图案143电性连接于低电源供应线124a，而使得第三图案143的电位与电性连接至第二半导体层164的电位实质上相等。从另一方面观之，第三图案143与第二半导体层164之间可较不存在有电位差，因而使得第二半导体层164中的电子或电洞皆可朝向第一半导体层162移动，使本实施例的微型发光装置100具有更佳的亮度稳定性。

另外，在本实施例中，第五图案145电性连接于低电源供应线125a，而使得第五图案145的电位与电性连接至第四半导体层184的电位实质上相等。从另一方面观之，第五图案145与第四半导体层184之间可较不存在有电位差，因而使得第四半导体层184中的电子或电洞皆可朝向第三半导体层182移动，使本实施例的微型发光装置100具有更佳的亮度稳定性。

请参照图1A与图1B，在本实施例中，第一微型发光元件160中较邻近于间隔D的电极垫168的延伸方向不同于第二微型发光元件180中较邻近于间隔D的电极垫188的延伸方向，藉此设置方式，增加了连接电极170(例如:第一连接电极172)与电极垫168之间以及连接电极170(例如:第三连接电极176)与电极垫188之间接触的对位空间。于部份实施例中，第一微型发光元件160中较远离于间隔D的电极垫169的延伸方向不同于第二微型发光元件180中较远离于间隔D的电极垫189的延伸方向，藉此设置方式，增加了连接电极170(例如:第二连接电极174)与电极垫169之间以及连接电极170(例如:第四连接电极178)与电极垫189之间接触的对位空间。

此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

图2是依照本发明另一实施例的一种微型发光装置的局部剖面示意图。请同时参考图1B与图2，本实施例的微型发光装置100a与图1B中的微型发光装置100相似，惟二者主要差异之处在于：本实施例的微型发光装置100a的第三图案143及第五图案145为浮接电极，例如：不连接至低电源供应线124a、125a，则浮接电极不具有额外自低电源供应线124a、125a所提供的电压。由于本实施例的微型发光装置100a的第三图案143没有施加额外电压，且第五图案145也没有施加额外电压。第三图案143与第五图案145例如是仅作为反射层使用。

图3是依照本发明另一实施例的微型发光装置的电路示意图。在本实施例中，子像素111a包括开关元件112、开关元件113、电容114为范例。其中，开关元件112的栅极电性连接于扫描线122，开关元件112的源极电性连接于数据线120，开关元件112的漏极电性连接于开关元件113的栅极。电容114的一端电性连接于开关元件112的漏极与开关元件113的栅极，电容的另一端电性连接于高电源供应线128与开关元件113的源极。高电源供应线128电性连接于开关元件113的源极，开关元件113的漏极电性连接于第一微型发光元件160与第二微型发光元件180的一端，而第一微型发光元件160与第二微型发光元件180的另一端分别电性连接于低电源供应线123、126。前述实施例，系以开关元件(例如:开关元件112与开关元件113)为N型的开关元件，但不限于此。于其它实施例中，开关元件(例如:开关元件112与开关元件113)为P型的开关元件或者存在不同极性的开关元件(例如:开关元件112的极性不同于开关元件113)，且前述设计类型的相关的连接关系可依本领域人士依设计需求来加以变动。

虽然在本实施例中，子像素111a是以两个晶体管一个电容(2T1C)为例，但本发明不以此为限。于部份实施例中，子像素111a可包含3T1C、3T2C、4T1C、4T2C、5T1C、5T2C、6T1C、6T2C、或其它合适设计。于其它实施例中，子像素111a也可以包括其他的主动元件及/或被动元件。

于本发明的前述实施例中，子像素111或111a系指与至少一开关元件112电性连接的微型发光元件(例如:第一及/或第二微型发光元件160及/或180)所在区域。于部份实施例中，为了让发光元件(例如:第一及/或第二微型发光元件160及/或180)转置于基板SB上有较佳的容许度，可以预定线路所定义的区域作为子像素111或111a。举例而言，请参阅图1A与图1B，预定线路(例如:低电源供应线123及/或126)邻近于子像素111所在区域至少一侧(例如:上或下侧)，也可被称为由预定线路(例如:低电源供应线123及/或126)所定义的区域，但不限于此。于其它实施例中，预定线路(例如:低电源供应线123及/或126)所定义的区域也可被视为子像素111所在区域的一部份。于部份实施例中，子像素111的左右侧，其所邻近的其它预定线路(例如:数据线120及/或高电源供应线128)所定义或为子像素111的一部份，但不限于此。于前述实施例中，子像素111系以面对图1A为视角呈直立设计，但子像素111系以面对图1A为视角呈平躺设计，且相应的线路与电极等等就可相应的变动。于前述实施例中，二相邻的子像素间可不存在挡墙(bank,wall,or partition)可较避免影响微型发光元件的转置制程及其良率。然而，若微型发光元件的转置制程已被改善，则挡墙(bank,wall,or partition)可存在于二相邻的子像素间。于前述实施例中，以第一微型发光元件160为例，第一连接电极170的第一子电极1722经由第一微型发光元件160的电极垫168与第一半导体层162电性连接，第二连接电极174的第一子电极1742经由第一微型发光元件160的电极垫169与第二半导体层164电性连接，但不限于此。于其它实施例中，以第一微型发光元件160为例，可仅由第一连接电极170的第一子电极1722与第一半导体层162电性连接及/或可仅由第二连接电极174的第一子电极1742与第二半导体层164电性连接。同理，与第二微型发光元件180相关的第三连接电极176、第四连接电极178、电极垫188与189等等可依此加以类推之。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (17)

1.一种微型发光装置，其特征在于，包含：

一基板，具有至少一子像素，且该至少一子像素具有至少一开关元件；

至少一数据线、至少一扫描线、至少一低电源供应线与至少一高电源供应线，设置于该基板上，其中，该开关元件的一栅极电性连接于该扫描线，该开关元件的一源极电性连接于该数据线；

一绝缘层，设置于该基板上，且覆盖该开关元件、该数据线、该扫描线、该低电源供应线与该高电源供应线，其中，该绝缘层至少具有一第一开口及一第二开口；

多个反射电极，设置于该绝缘层上，该些反射电极至少具有一第一图案、一第二图案与一第三图案，其中，该第一图案经由该绝缘层的该第一开口电性连接于该开关元件的一漏极，该第二图案经由该绝缘层的该第二开口电性连接于该低电源供应线；

一黏合层，设置于该基板上，且覆盖部份该第一图案、部份该第二图案、部份该绝缘层以及覆盖该第三图案，其中，该黏合层至少具有一第三开口及一第四开口；

一第一微型发光元件，设置于该黏合层上，且对应于该第三图案，其中，该第一微型发光元件至少包含极性相反的一第一半导体层与一第二半导体层；以及

多个连接电极，设置于该黏合层上，且该些连接电极至少具有一第一连接电极与一第二连接电极，其中，该第一连接电极的一端电性连接于该第一半导体层且该第一连接电极的另一端经由该黏合层的该第三开口电性连接于该第一图案，该第二连接电极的一端电性连接于该第二半导体层且该第二连接电极的另一端经由该黏合层的该第四开口电性连接于该第二图案。

2.根据权利要求1所述的微型发光装置，其特征在于，该第一微型发光元件更包含一第一中介层位于该第一半导体层与该第二半导体层之间。

3.根据权利要求1所述的微型发光装置，其特征在于，该绝缘层更包含至少一孔洞，且该第三图案经由该孔洞电性连接于该低电源供应线。

4.根据权利要求1所述的微型发光装置，其特征在于，该第三图案包含一浮接电极。

5.根据权利要求1所述的微型发光装置，其特征在于，至少部分该低电源供应线邻近于该至少一子像素的一侧。

6.根据权利要求1所述的微型发光装置，其特征在于，该第一连接电极与该第二连接电极均包含一第一子电极与一第二子电极，其中，该第一连接电极的该第一子电极经由该第二子电极电性连接于该第一图案，且该第二连接电极的该第一子电极经由该第二子电极电性连接于该第二图案。

7.根据权利要求6所述的微型发光装置，其特征在于，该第一连接电极的该第二子电极与该第二连接电极的该第二子电极包含透明导电材料。

8.根据权利要求1所述的微型发光装置，其特征在于，更包含：

一第二微型发光元件，设置于该黏合层上，且该第二微型发光元件至少包含极性相反的第三半导体层与第四半导体层，

其中，该绝缘层更具有一第五开口，该些反射电极更具有一第四图案与一第五图案，该黏合层更具有一第六开口，且

该些连接电极更具有一第三连接电极与一第四连接电极，

其中，该第四图案经由该绝缘层的该第五开口电性连接于该低电源供应线，该黏合层更覆盖部份该第四图案以及覆盖该第五图案，

该第二微型发光元件对应于该第五图案，该第三连接电极的一端电性连接于该第三半导体层且该第三连接电极的另一端电性连接于该第一连接电极，该第四连接电极的一端电性连接于该第四半导体层且该第四连接电极的另一端经由该黏合层的该第六开口电性连接于该第四图案。

9.根据权利要求8所述的微型发光装置，其特征在于，该第二微型发光元件更包含一第二中介层位于该第三半导体层与该第四半导体层之间。

10.根据权利要求8所述的微型发光装置，其特征在于，该绝缘层更包含至少一孔洞，且该第五图案经由该孔洞电性连接于该低电源供应线。

11.根据权利要求8所述的微型发光装置，其特征在于，该黏合层的该第三开口位于该第三图案与该第五图案之间。

12.根据权利要求8所述的微型发光装置，其特征在于，该第五图案包含一浮接电极。

13.根据权利要求8所述的微型发光装置，其特征在于，该高电源供应线电性连接于该第一微型发光元件与该第二微型发光元件。

14.根据权利要求8所述的微型发光装置，其特征在于，该第三连接电极与该第四连接电极均包含一第三子电极与一第四子电极，其中，该第三连接电极的该第三子电极经由该第四子电极电性连接于该第一图案，且该第四连接电极的该第三子电极经由该第四子电极电性连接于该第四图案。

15.根据权利要求14所述的微型发光装置，其特征在于，该第三连接电极的该第四子电极与该第四连接电极的该第四子电极包含透明导电材料。

16.根据权利要求8所述的微型发光装置，其特征在于，该第一微型发光元件与该第二微型发光元件分别至少具有延伸方向不同的两个电极垫，其中，该第一微型发光元件中的该些电极垫分别与该第一半导体层与该第二半导体层接触，且该第二微型发光元件中的该些电极垫分别与该第三半导体层与该第四半导体层接触。

17.根据权利要求16所述的微型发光装置，其特征在于，该第一微型发光元件与该第二微型发光元件间具有一间隔，该第一微型发光元件中该些电极垫较邻近于该间隔的其中一者的延伸方向不同于该第二微型发光元件中该些电极垫较邻近于该间隔的其中一者的延伸方向。

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