CN108399933B - 参考电压产生电路、存储器储存装置及参考电压产生方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种参考电压产生电路、存储器储存装置及参考电压产生方法。所述参考电压产生电路包括单元切换电路与电压输出电路。所述单元切换电路用以接收控制电压并于所述参考电压产生电路内部的检测点产生多个基准电压。所述电压输出电路连接至所述单元切换电路并且用以根据所述多个基准电压来修正一参考电压，以产生特定电压。藉此，可降低制程误差对参考电压造成的影响。

Description

参考电压产生电路、存储器储存装置及参考电压产生方法

技术领域

本发明涉及一种电压产生电路，且特别是涉及一种参考电压产生电路、存储器储存装置及参考电压产生方法。

背景技术

数码相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对储存媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non-volatilememory module)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。

在一个电子装置中，不同的电子电路可能会操作在不同的工作电压。因此，电子装置中通常会配置有一个电路(也称为参考电压产生器)，其专门用来提供一个参考电压，并且具有不同电压值的电压信号可以基于这个参考电压而被产生。常见的参考电压产生器内部会配置一个电流镜(current mirror)，其包括相互匹配的两个晶体管。这两个相互匹配的晶体管的栅极连接至同一个控制电压并且其源极连接至同一个电流源。藉此，参考电压会在其中一个晶体管的输出端产生。

然而，基于晶体管本身的过程差异，电流镜两侧的晶体管的间可能会存在制程误差，使得所产生的参考电压会响应于这个制程误差而产生漂移(variation)。传统上，是通过人工确认的方式逐一对不同芯片内部的参考电压产生器进行检查与调校，使得人力耗费很大。或者，也可在参考电压产生器内设置断路器(chopper)来尝试消除漂移，但效果有限。

发明内容

本发明提供一种参考电压产生电路、存储器储存装置及参考电压产生方法，可降低制程误差对参考电压造成的影响。

本发明的一范例实施例提供一种参考电压产生电路，其包括电压供应电路、单元切换电路及电压输出电路。所述电压供应电路用以提供控制电压。所述单元切换电路连接至所述电压供应电路并且用以接收所述控制电压并于所述参考电压产生电路内部的一检测点产生多个基准电压。所述电压输出电路连接至所述单元切换电路并且用以根据所述多个基准电压来修正参考电压，以产生特定电压。

在本发明的一范例实施例中，所述多个基准电压包括第一基准电压与第二基准电压，且所述单元切换电路包括多个晶体管单元。所述单元切换电路于所述参考电压产生电路内部的所述检测点产生所述多个基准电压的操作包括：于所述检测点产生所述第一基准电压；在产生所述第一基准电压的后，对所述多个晶体管单元执行单元切换操作；以及在执行所述单元切换操作的后，于所述检测点产生所述第二基准电压。

在本发明的一范例实施例中，所述多个晶体管单元包括至少一第一类晶体管单元与至少一第二类晶体管单元。所述至少一第一类晶体管单元用以接收所述控制电压并提供反馈电压至所述电压供应电路的输入端。所述至少一第二类晶体管单元用以接收所述控制电压并提供所述多个基准电压于所述检测点。

在本发明的一范例实施例中，所述电压输出电路包括电压调整电路，其用以接收所述参考电压与所述多个基准电压。若所述参考电压高于所述多个基准电压中的第三基准电压，所述电压调整电路将所述参考电压的电压值从第一电压值降低为第二电压值。若所述参考电压低于所述第三基准电压，所述电压调整电路将所述参考电压的所述电压值从所述第一电压值增加为第三电压值。

在本发明的一范例实施例中，所述单元切换电路用以根据流经所述至少一第一类晶体管单元的参考电流产生流经所述至少一第二类晶体管单元的映射电流。

本发明的另一范例实施例提供一种存储器储存装置，其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块、存储器控制电路单元及参考电压产生电路。所述连接接口单元用以连接至主机系统。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元。所述存储器控制电路单元连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块。所述参考电压产生电路设置于所述连接接口单元或所述存储器控制电路单元中。所述参考电压产生电路用以接收控制电压并于所述参考电压产生电路内部的一检测点产生多个基准电压。所述参考电压产生电路还用以根据所述多个基准电压来修正参考电压，以产生特定电压。

在本发明的一范例实施例中，所述多个基准电压包括第一基准电压与第二基准电压，且所述参考电压产生电路包括多个晶体管单元。所述参考电压产生电路于所述参考电压产生电路内部的所述检测点产生所述多个基准电压的操作包括：于所述检测点产生所述第一基准电压；在产生所述第一基准电压的后，对所述多个晶体管单元执行单元切换操作；以及在执行所述单元切换操作的后，于所述检测点产生所述第二基准电压。

在本发明的一范例实施例中，所述参考电压产生电路还包括电压供应电路，其连接至所述多个晶体管单元并用以产生所述控制电压。所述多个晶体管单元包括至少一第一类晶体管与至少一第二类晶体管单元。所述至少一第一类晶体管单元用以接收所述控制电压并提供反馈电压至所述电压供应电路的输入端。所述至少一第二类晶体管单元用以接收所述控制电压并提供所述多个基准电压于所述检测点。

在本发明的一范例实施例中，所述参考电压产生电路包括电压调整电路，其用以接收所述参考电压与所述多个基准电压。若所述参考电压高于所述多个基准电压中的第三基准电压，所述电压调整电路还用以将所述参考电压的电压值从第一电压值降低为第二电压值。若所述参考电压低于所述第三基准电压，所述电压调整电路还用以将所述参考电压的所述电压值从所述第一电压值增加为第三电压值。

在本发明的一范例实施例中，所述电压调整电路包括第一调整电路、第二调整电路及反馈控制电路。所述第二调整电路连接至所述第一调整电路。所述反馈控制电路连接至所述第二调整电路。所述第一调整电路用以根据初始电压产生所述参考电压。所述第二调整电路用以接收所述参考电压与所述多个基准电压并且产生比较信号。所述反馈控制电路用以根据所述比较信号控制所述第一调整电路调整所述参考电压。

在本发明的一范例实施例中，所述第一调整电路包括第一运算放大器。所述参考电压是产生于所述第一运算放大器的输出端。

在本发明的一范例实施例中，所述第一调整电路还包括第一可变阻抗单元与第二可变阻抗单元。所述第一可变阻抗单元的第一端接地，并且所述第一可变阻抗单元的第二端连接至所述第一运算放大器的第一输入端。所述第二可变阻抗单元的第一端连接至所述第一运算放大器的所述第一输入端，并且所述第二可变阻抗单元的第二端连接至所述第一运算放大器的所述输出端。

在本发明的一范例实施例中，所述反馈控制电路根据所述比较信号控制所述第一调整电路的操作包括：若所述参考电压高于所述第三基准电压，将所述第一可变阻抗单元的阻抗值从第一阻抗值增加为第二阻抗值；以及若所述参考电压低于所述第三基准电压，将所述第二可变阻抗单元的阻抗值从第三阻抗值增加为第四阻抗值。

在本发明的一范例实施例中，所述第二调整电路包括第二运算放大器。所述第二运算放大器的第一输入端用以接收所述参考电压。所述第二运算放大器的第二输入端用以接收所述多个基准电压。所述第二运算放大器的输出端用以产生所述比较信号。

在本发明的一范例实施例中，所述电压调整电路还包括初始电压产生电路，其连接至所述第一调整电路并且用以产生所述初始电压。所述初始电压的电压值对应于所述参考电压的初始电压值。

在本发明的一范例实施例中，所述参考电压产生电路还用以根据流经所述至少一第一类晶体管单元的参考电流产生流经所述至少一第二类晶体管单元的映射电流。

本发明的另一范例实施例提供一种参考电压产生方法，其用于存储器储存装置，所述参考电压产生方法包括：接收控制电压并于参考电压产生电路内部的一检测点产生多个基准电压；根据所述多个基准电压来修正参考电压；以及根据所修正的参考电压产生特定电压。

在本发明的一范例实施例中，所述多个基准电压包括第一基准电压与第二基准电压，且所述参考电压产生电路包括多个晶体管单元。于所述参考电压产生电路内部的所述检测点产生所述多个基准电压的步骤包括：于所述检测点产生所述第一基准电压；在产生所述第一基准电压的后，对所述多个晶体管单元执行单元切换操作；以及在执行所述单元切换操作的后，于所述检测点产生所述第二基准电压。

在本发明的一范例实施例中，所述多个晶体管单元包括至少一第一类晶体管单元与至少一第二类晶体管单元。此外，于所述参考电压产生电路内部的所述检测点产生所述多个基准电压的步骤包括：由电压供应电路产生所述控制电压；由所述至少一第一类晶体管单元接收所述控制电压并提供反馈电压至所述电压供应电路的输入端；以及由所述至少一第二类晶体管单元接收所述控制电压并提供所述多个基准电压于所述检测点。

在本发明的一范例实施例中，所述单元切换操作包括第一单元切换操作与第二单元切换操作的至少其中之一。所述第一单元切换操作包括：将所述多个晶体管单元中的第一晶体管单元从作为所述至少一第一类晶体管单元中的一者改为作为所述至少一第二类晶体管单元中的一者。所述第二单元切换操作包括：将所述多个晶体管单元中的第二晶体管单元从作为所述至少一第二类晶体管单元中的一者改为作为所述至少一第一类晶体管单元中的一者。

在本发明的一范例实施例中，所述至少一第一类晶体管单元的总数等于所述至少一第二类晶体管单元的总数。

在本发明的一范例实施例中，根据所述多个基准电压来产生所述参考电压的步骤包括：接收所述参考电压与所述多个基准电压；若所述参考电压高于所述多个基准电压中的第三基准电压，将所述参考电压的电压值从第一电压值降低为第二电压值；以及若所述参考电压低于所述第三基准电压，将所述参考电压的所述电压值从所述第一电压值增加为第三电压值。

在本发明的一范例实施例中，所述多个基准电压是依序地基于时脉信号的多个时脉边缘而产生。

在本发明的一范例实施例中，所述单元切换操作是基于时脉信号的时脉边缘而执行。

在本发明的一范例实施例中，所述的参考电压产生方法还包括：根据流经所述至少一第一类晶体管单元的参考电流产生流经所述至少一第二类晶体管单元的映射电流。

基于上述，在接收到控制电压后，参考电压产生电路会在其内部的一个检测点产生多个基准电压。然后，根据这些基准电压，参考电压产生电路会产生并修正一个参考电压。尔后，此参考电压即可用于产生特定电压。相对于一般直接使用电流镜一侧晶体管的输出电压作为参考电压，本发明将可降低电流镜两侧晶体管的制程误差对参考电压造成的漂移等影响。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1是根据本发明的一范例实施例所示出的参考电压产生电路的示意图。

图2是根据本发明的另一范例实施例所示出的参考电压产生电路的示意图。

图3A至图3D是根据本发明的一范例实施例所示出的单元切换操作的示意图。

图4是根据本发明的一范例实施例所示出的电压调整电路的示意图。

图5是根据本发明的另一范例实施例所示出的电压调整电路的示意图。

图6是根据本发明的一范例实施例所示出的以时脉信号触发单元切换操作的示意图。

图7是根据本发明的一范例实施例所示出的主机系统、存储器储存装置及输入/输出(I/O)装置的示意图。

图8是根据本发明的另一范例实施例所示出的主机系统、存储器储存装置及I/O装置的示意图。

图9是根据本发明的另一范例实施例所示出的主机系统与存储器储存装置的示意图。

图10是根据本发明的一范例实施例所示出的存储器储存装置的概要方块图。

图11是根据本发明的一范例实施例所示出的连接接口单元的示意图。

图12是根据本发明的一范例实施例所示出的参考电压产生方法的流程图。

具体实施方式

以下提出多个范例实施例来说明本发明，然而本发明不仅限于所例示的多个范例实施例。又范例实施例的间也允许有适当的结合。在本案说明书全文(包括权利要求)中所使用的“连接”一词可指任何直接或间接的连接手段。举例而言，若文中描述第一装置连接于第二装置，则应该被解释成该第一装置可以直接连接于该第二装置，或者该第一装置可以通过其他装置或某种连接手段而间接地连接至该第二装置。此外，“信号”一词可指至少一电流、电压、电荷、温度、数据、或任何其他一或多个信号。

图1是根据本发明的一范例实施例所示出的参考电压产生电路的示意图。

请参照图1，参考电压产生电路10包括电压供应电路11、单元切换电路12及电压输出电路13。单元切换电路12连接至电压供应电路11与电压输出电路13。电压供应电路11用以产生控制电压V_c。单元切换电路12用以接收控制电压V_c并于参考电压产生电路10内部的检测点D产生多个基准电压V_base。例如，检测点D连接至单元切换电路12的输出端。

在本范例实施例中，单元切换电路12包括多个晶体管单元121(1)～121(n)。其中，n是大于1的正整数。例如，在一范例实施例中，n是128。在另一范例实施例中，n的值还可以更大或更小，只要为2的倍数即可。晶体管单元121(1)～121(n)的控制端皆连接至电压供应电路11并且用以接收控制电压V_c。晶体管单元121(1)～121(n)的输入端连接至一个电流源或电压源。晶体管单元121(1)～121(n)中一部份的晶体管单元的输出端连接至检测点D(即，单元切换电路12的输出端)。此外，一个晶体管单元可以包括一或多个晶体管元件。

单元切换电路12会对晶体管单元121(1)～121(n)执行一个单元切换操作。例如，在所述单元切换操作中，晶体管单元121(1)～121(n)中原先未连接至检测点D的至少一个晶体管单元可能会被切换为连接至检测点D，并且晶体管单元121(1)～121(n)中原先连接至检测点D的至少一个晶体管单元可能会被切换为未连接至检测点D。对应于所执行的单元切换操作，检测点D上的基准电压V_base会被改变。例如，假设当前单元切换电路12在检测点D上产生具有一个电压值的基准电压(也称为第一基准电压)。在执行所述单元切换操作的后，单元切换电路12会在检测点D上产生具有另一个电压值的基准电压(也称为第二基准电压)。

在一范例实施例中，所述多个基准电压V_base是依序地基于一时脉信号的多个时脉边缘而产生。其中，所述多个时脉边缘可以是指此时脉信号的多个连续的上升缘、多个连续的下降缘、多个不连续的上升缘或多个不连续的下降缘。例如，所述单元切换操作即是基于所述时脉信号的一个时脉边缘而执行，使得检测点D上的电压从第一基准电压改变为第二基准电压。对应于所述多个时脉边缘，所述单元切换操作会被重复执行，从而产生所述多个基准电压V_base。

电压输出电路13用以依序地接收检测点D上的多个基准电压V_base并根据所述多个基准电压V_base来产生参考电压V_ref。须注意的是，在依序产生所述多个基准电压V_base的操作中，参考电压V_ref的电压值会被修正。例如，修正后的参考电压V_ref的电压值会越来越接近所述多个基准电压V_base的一个平均电压值。在一范例实施例中，最终根据所述多个基准电压V_base所产生的参考电压V_ref会处于一稳定状态。例如，处于稳定状态的参考电压V_ref的电压值会等于(或相当趋近于)所述多个基准电压V_base的平均电压值。在一范例实施例中，处于稳定状态的参考电压V_ref的电压值也可视为是所述多个基准电压V_base的平均电压值。在一范例实施例中，用于产生处于稳定状态的参考电压V_ref的基准电压V_base的总数为n/2，且n/2也为正整数。例如，假设晶体管单元121(1)～121(n)的总数为128个，则在执行64次的单元切换操作的后，处于稳定状态的参考电压V_ref会被产生。

图2是根据本发明的另一范例实施例所示出的参考电压产生电路的示意图。

请参照图2，在本范例实施例中，单元切换电路12包括晶体管单元(也称为第一类晶体管单元)221(1)～221(m)与晶体管单元(也称为第二类晶体管单元)222(1)～222(m)。m为大于1的正整数。例如，m等于n/2。晶体管单元221(1)～221(m)与晶体管单元222(1)～222(m)的控制端皆连接至电压供应电路11并且用以接收控制电压V_c。晶体管单元221(1)～221(m)的输出端皆连接至电压供应电路11并且用以提供反馈电压V_f至电压供应电路11的输入端。电压供应电路11会接收反馈电压V_f并据以输出控制电压V_c。晶体管单元222(1)～222(m)的输出端皆连接至检测点D并且用以提供于检测点D的基准电压V_base。此外，检测点D与接地准位的间还串接有一个阻抗单元RD，其包括至少一个电阻元件等用以提供阻抗值(例如电阻值或电抗值)的元件。

在一范例实施例中，晶体管单元221(1)～221(m)可视为位于一个电流镜电路中一侧的晶体管群组，而晶体管单元222(1)～222(m)则可视为位于同一个电流镜电路中另一侧的晶体管群组。例如，晶体管单元221(1)～221(m)的输入端连接至一电流源，而晶体管单元222(1)～222(m)的输入端则连接至一电压源。通过电流镜映射，单元切换电路12可根据流经晶体管单元221(1)～221(m)的电流(也称为参考电流)产生流经晶体管单元222(1)～222(m)的电流(也称为映射电流)。

在一范例实施例中，某一个晶体管单元是属于晶体管单元221(1)～221(m)或属于晶体管单元222(1)～222(m)是可动态地变动。例如，在一个单元切换操作中，某一个晶体管单元(也称为第一晶体管单元)会被从作为第一类晶体管单元中的一者改为作为第二类晶体管单元中的一者，并且某一个晶体管单元(也称为第二晶体管单元)会被从作为第二类晶体管单元中的一者改为作为第一类晶体管单元中的一者。在一范例实施例中，将第一晶体管单元从作为第一类晶体管单元中的一者改为作为第二类晶体管单元中的一者的操作也称为第一单元切换操作，并且将第二晶体管单元从作为第二类晶体管单元中的一者改为作为第一类晶体管单元中的一者的操作也称为第二单元切换操作。

在一范例实施例中，可通过改变某一晶体管单元的输出端的连接对象，来改变此晶体管单元的类别。例如，当某一晶体管单元的输出端是电连接至电压供应电路11时，则可视为此晶体管单元当前是属于晶体管单元221(1)～221(m)(即，第一类晶体管单元)。若将此晶体管单元的输出端切换为电连接至检测点D(或电压输出电路13)，则可视为此晶体管单元当前是属于晶体管单元222(1)～222(m)(即，第二类晶体管单元)。在一范例实施例中，改变某一晶体管单元的输出端的连接对象也可视为是改变此晶体管单元所属的电路回路。例如，若某一个晶体管单元所属的电路回路包括提供此晶体管单元的输出端电压至电压供应电路11，则可视为此晶体管单元当前是属于晶体管单元221(1)～221(m)。若将此晶体管单元切换至属于另一电路回路，使得此晶体管单元的输出端电压不再被提供至电压供应电路11，则可视为此晶体管单元当前是属于晶体管单元222(1)～222(m)。

图3A至图3D是根据本发明的一范例实施例所示出的单元切换操作的示意图。

请参照图2与图3A，在本范例实施例中，单元切换电路12包括晶体管单元321(1)～321(n)与开关模块300。开关模块300的输入端连接至晶体管单元321(1)～321(n)。开关模块300的第一输出端连接至电压供应电路11并且用以于第一输出端提供反馈电压V_f。开关模块300的第二输出端连接至检测点D并且用以于第二输出端提供基准电压V_base。在本范例实施例中，所述单元切换操作是指改变开关模块300中至少一个开关单元的状态。

在本范例实施例中，开关模块300包括开关单元301(1)～301(m)、311(1)～311(m)、302(1)～302(m)及312(1)～312(m)。开关单元301(1)～301(m)分别串接在晶体管单元321(1)～321(m)与电压供应电路11的间。开关单元311(1)～311(m)分别串接在晶体管单元321(1)～321(m)与检测点D的间。开关单元302(1)～302(m)分别串接在晶体管单元321(m+1)～321(n)与检测点D的间。开关单元312(1)～312(m)分别串接在晶体管单元321(m+1)～321(n)与电压供应电路11的间。通过调整开关模块300中某一个开关单元的状态，可决定晶体管单元321(1)～321(n)中某一个晶体管单元是属于第一类晶体管单元或第二类晶体管单元。

在图3A的范例实施例中，开关单元301(1)～301(m)与302(1)～302(m)中的每一者皆为导通状态，并且开关单元311(1)～311(m)与312(1)～312(m)中的每一者皆为切断状态。此时，被连接至电压供应电路11的晶体管单元321(1)～321(m)属于第一类晶体管单元，而被连接至检测点D的晶体管单元321(m+1)～321(n)则属于第二类晶体管单元。

请参照图2与图3B，对应于某一个单元切换操作，开关单元301(1)与302(1)的状态从导通状态切换为切断状态，并且开关单元311(1)与312(1)的状态从切断状态切换为导通状态。因此，晶体管单元321(1)被切换为属于第二类晶体管单元，并且晶体管单元321(m+1)被切换为属于第一类晶体管单元。此时，被连接至电压供应电路11的晶体管单元321(2)～321(m+1)属于第一类晶体管单元，而被连接至检测点D的晶体管单元321(1)与321(m+2)～321(n)则属于第二类晶体管单元。

请参照图3C，对应于另一个单元切换操作，开关单元301(2)与302(2)的状态从导通状态切换为切断状态，并且开关单元311(2)与312(2)的状态从切断状态切换为导通状态。因此，晶体管单元321(2)被切换为属于第二类晶体管单元，并且晶体管单元321(m+2)被切换为属于第一类晶体管单元。此时，被连接至电压供应电路11的晶体管单元321(3)～321(m+2)属于第一类晶体管单元，而被连接至检测点D的晶体管单元321(1)、321(2)及321(m+3)～321(n)则属于第二类晶体管单元。以此类推，在第i个单元切换操作中，开关单元301(i)、302(i)、311(i)及312(i)的状态会被切换，使得晶体管单元(i)被切换为第二类晶体管单元，并且晶体管单元(m+i)被切换为第一类晶体管单元。其中，i为正整数且0<i<(m+1)。

请参照图3D，在经过m个单元切换操作的后，开关单元301(1)～301(m)与302(1)～302(m)中的每一者皆为切断状态，并且开关单元311(1)～311(m)与312(1)～312(m)中的每一者皆为导通状态。此时，被连接至电压供应电路11的晶体管单元321(m+1)～321(n)属于第一类晶体管单元，而被连接至检测点D的晶体管单元321(1)～321(m)则属于第二类晶体管单元。

在一范例实施例中，通过交换第一类晶体管单元与第二类晶体管单元中的晶体管单元，组成第二类晶体管单元的晶体管单元会被改变，使得检测点D上的基准电压V_base的电压值也相应地被改变。例如，对应于执行m次的单元切换操作，检测点D上的基准电压V_base的电压值可能会被改变m次。此外，通过交换第一类晶体管单元与第二类晶体管单元中的晶体管单元，也可改善以往因电流镜电路中两侧的晶体管元件具有制程误差而造成的参考电压漂移。换言的，在一范例实施例中，所述单元切换操作即是用以克服因晶体管单元的制程误差而产生的电压飘移。

须注意的是，在图3A至图3D的上述范例实施例中，第一晶体管单元与第二晶体管单元的数目皆是一个。然而，在另一范例实施例中，第一晶体管单元及/或第二晶体管单元的数目也可以是多个。例如，在一个单元切换操作中，多个晶体管单元可能被从属于第一类晶体管单元切换为属于第二类晶体管单元并且多个晶体管单元可能被从属于第二类晶体管单元切换为属于第一类晶体管单元。此外，图3A至图3D的电路结构仅为用于执行所述单元切换操作的一种可能的电路结构。在另一范例实施例中，单元切换电路12还可以具有其他类型的电路结构，只要可执行所述单元切换操作即可。

在一范例实施例中，交换第一类晶体管单元与第二类晶体管单元中的晶体管单元的操作(即，单元切换操作)是根据一切换规则而执行。此切换规则用于规范如何执行所述单元切换操作。例如，根据此切换规则，每一次的单元切换操作中欲切换的晶体管单元(即，第一晶体管单元与第二晶体管单元)可能是被随机地选择或依照一预定顺序选择。此外，在一范例实施例中，在执行了多次(例如，m次)的单元切换操作的后，原先属于第一类晶体管单元的多的晶体管单元被完整地切换为属于第二类晶体管单元，并且原先属于第二类晶体管单元的多的晶体管单元被完整地切换为属于第一类晶体管单元。

请回到图2，电压输出电路13包括电压调整电路23。电压调整电路23连接至电压供应电路11与检测点D。电压调整电路23用以从电压供应电路11接收控制电压V_c’，其中控制电压V_c’的电压值可能等于或不等于控制电压V_c的电压值。电压调整电路23还用以持续接收参考电压V_ref与所述多个基准电压V_base并且持续调整(即修正)参考电压V_ref。例如，若当前参考电压V_ref的电压值高于当前基准电压(也称为第三基准电压)V_base的电压值，电压调整电路23会将参考电压V_ref的电压值从当前电压值(也称为第一电压值)降低为另一电压值(也称为第二电压值)。反的，若当前参考电压V_ref的电压值低于当前基准电压V_base的电压值，则电压调整电路23会将参考电压V_ref的电压值从当前电压值增加为又一电压值(也称为第三电压值)。在一范例实施例中，上述调整参考电压V_ref的电压值的操作也称为参考电压调整操作。在一范例实施例中，一个参考电压调整操作会对应于一个单元切换操作的执行而执行。此外，在一范例实施例中，在执行m次的参考电压调整操作的后，所输出的参考电压V_ref会处于所述稳定状态。

图4是根据本发明的一范例实施例所示出的电压调整电路的示意图。

请参照图4，在本范例实施例中，电压调整电路23包括初始电压产生电路41、调整电路(也称为第一调整电路)42、调整电路(也称为第二调整电路)43及反馈控制电路44。调整电路42连接至初始电压产生电路41、调整电路43及反馈控制电路44。调整电路43另连接至反馈控制电路44。

初始电压产生电路41用以从电压供应电路11接收控制电压V_c’并且产生初始电压V_ini。初始电压V_ini的电压值对应于参考电压V_ref的一初始电压值。调整电路42用以根据初始电压V_ini产生参考电压V_ref。调整电路43用以接收参考电压V_ref与基准电压V_base并且产生比较信号CA。反馈控制电路44用以根据比较信号CA控制调整电路42调整参考电压V_ref。例如，调整电路42会受控于反馈控制电路44而提高或降低参考电压V_ref的电压值。以下更详细的说明一范例实施例中电压调整电路23的细节。

图5是根据本发明的另一范例实施例所示出的电压调整电路的示意图。

请参照图5，在本范例实施例中，初始电压产生电路41包括晶体管单元511、运算放大器512及阻抗单元RD。阻抗单元RD提供的阻抗值相同于图2中阻抗单元RD提供的阻抗值。晶体管单元511的控制端连接至电压供应电路11并且用以接收控制电压V_c’。晶体管单元511的输入端连接至一个电压源。晶体管单元511的输出端连接至运算放大器512的输入端。阻抗单元RD串接在晶体管单元511与接地准位的间。此外，运算放大器512的输出端连接至调整电路42的输入端。具体来看，晶体管单元511会在检测点I提供一个电压且此电压的电压值会趋近于检测点D上的基准电压V_base的电压值。运算放大器512会根据检测点I上的电压产生初始电压V_ini。

在本范例实施例中，调整电路42包括运算放大器(也称为第一运算放大器)521、阻抗单元R1、阻抗单元R1’、阻抗单元(也称为第一可变阻抗单元)R2及阻抗单元(也称为第二可变阻抗单元)R3。阻抗单元R1提供的阻抗值相同于阻抗单元R1’提供的阻抗值。阻抗单元R2与R3所提供的阻抗值皆是可动态调整的。具体来看，阻抗单元R2的第一端接地，阻抗单元R2的第二端连接至运算放大器521的第一输入端，阻抗单元R3的第一端连接至运算放大器521的第一输入端，并且阻抗单元R3的第二端连接至运算放大器521的输出端。此外，参考电压V_ref是产生于运算放大器521的输出端。

在本范例实施例中，调整电路43包括运算放大器531与取样电路532。运算放大器531的第一输入端用以接收参考电压V_ref，并且运算放大器531的第二输入端用以接收基准电压V_base。取样电路532连接至运算放大器531的输出端并且用以基于时脉信号CLK对运算放大器531的输出进行取样。根据取样结果，取样电路532会输出比较信号CA。此外，在本范例实施例中，取样电路532包括一个D型正反器。

在本范例实施例中，反馈控制电路44包括寄存器541。反馈控制电路44会根据比较信号CA来更新记录于寄存器541的阻抗参数。反馈控制电路44会根据此阻抗参数来调整阻抗单元R2及/或阻抗单元R3的阻抗值。根据调整后的阻抗值，调整电路42输出的参考电压V_ref的电压值会相应的变化。

图6是根据本发明的一范例实施例所示出的以时脉信号触发单元切换操作的示意图。

请参照图6，在前述范例实施例中，单元切换操作与参考电压调整操作皆是由时脉信号CLK的时脉边缘所触发。例如，反应于时脉信号CLK的5个连续的上升缘，规则1～规则5会被依序用来扰乱(或，交换)单元切换电路12中的晶体管单元并且具有不同电压值的5个基准电压V_base_1～V_base_5会被依序产生于检测点D。反应于基准电压V_base_1～V_base_5，参考电压V_ref会持续地被调整(即修正)，使得参考电压V_ref的电压值逐渐逼近基准电压V_base_1～V_base_5(或更多的基准电压)的一平均电压值。

在图4(或图5)与图6的一范例实施例中，参考电压V_ref的一初始电压值是对应于初始电压V_ini的电压值而设定。在对应于规则i执行第i个单元切换操作的后，基准电压V_base_i会被产生。在第i个参考电压调整操作中，调整电路43会比较基准电压V_base_i与当前的参考电压V_ref。若当前参考电压V_ref的电压值高于基准电压V_base_i的电压值，反馈控制电路44会控制调整电路42降低参考电压V_ref的电压值。例如，反馈控制电路44可将阻抗单元R2的阻抗值从一阻抗值(也称为第一阻抗值)增加为另一阻抗值(也称为第二阻抗值)。对应于阻抗单元R2的阻抗值增加，参考电压V_ref的电压值会下降。反的，若当前参考电压V_ref的电压值低于基准电压V_base_i的电压值，反馈控制电路44会控制调整电路42增加参考电压V_ref的电压值。例如，反馈控制电路44可将阻抗单元R3的阻抗值从一阻抗值(也称为第三阻抗值)增加为另一阻抗值(也称为第四阻抗值)。对应于阻抗单元R3的阻抗值增加，参考电压V_ref的电压值会上升。

须注意的是，在一范例实施例中，为了稳定地调整参考电压V_ref，在一个参考电压调整操作中参考电压V_ref的电压值的上升幅度会等于在另一个参考电压调整操作中参考电压V_ref的电压值的下降幅度。或者，从另一角度来看，第一阻抗值与第二阻抗值的间的差值会等于第三阻抗值与第四阻抗值的间的差值。此外，在参考电压V_ref处于所述稳定状态的后，此参考电压V_ref即可用以产生具有特定电压值的特定电压。例如，此特定电压值可以是5伏特(V)或者更高或更低。

须注意的是，虽然图2至图5示出了部分范例实施例中参考电压产生电路可能的电路布局，然而，在其他未提及的范例实施例中，所述参考电压产生电路中部分的电子元件也可以使用其他类型的电子元件来取代、所述参考电压产生电路中部分的电子元件的连接关系也可以被改变、及/或更多的电子元件也可以被加入至所述参考电压产生电路中，只要满足所述参考电压产生电路中相应的功能即可。

在一范例实施例中，所述参考电压产生电路(例如，图1的参考电压产生电路10)也称为带隙基准(bandgap reference)电路。在一范例实施例中，所述参考电压产生电路可以应用于各式电子装置中，以提供所述电子装置操作所需的参考电压。或者，在另一范例实施例中，所述参考电压产生电路则是应用于存储器储存装置中，以提供所述存储器储存装置操作所需的参考电压。

一般而言，存储器储存装置(也称，存储器储存系统)包括可复写式非易失性存储器模块(rewritable non-volatile memory module)与控制器(也称，控制电路)。通常存储器储存装置是与主机系统一起使用，以使主机系统可将数据写入至存储器储存装置或从存储器储存装置中读取数据。

图7是根据本发明的一范例实施例所示出的主机系统、存储器储存装置及输入/输出(I/O)装置的示意图。图8是根据本发明的另一范例实施例所示出的主机系统、存储器储存装置及I/O装置的示意图。

请参照图7与图8，主机系统711一般包括处理器7111、随机存取存储器(randomaccess memory,RAM)7112、只读存储器(read only memory,ROM)7113及数据传输接口7114。处理器7111、随机存取存储器7112、只读存储器7113及数据传输接口7114皆连接至系统总线(system bus)7110。

在本范例实施例中，主机系统711是通过数据传输接口7114与存储器储存装置710连接。例如，主机系统711可经由数据传输接口7114将数据储存至存储器储存装置710或从存储器储存装置710中读取数据。此外，主机系统711是通过系统总线7110与I/O装置712连接。例如，主机系统711可经由系统总线7110将输出信号传送至I/O装置712或从I/O装置712接收输入信号。

在本范例实施例中，处理器7111、随机存取存储器7112、只读存储器7113及数据传输接口7114可设置在主机系统711的主机板820上。数据传输接口7114的数目可以是一或多个。通过数据传输接口7114，主机板820可以经由有线或无线方式连接至存储器储存装置710。存储器储存装置710可例如是随身碟801、记忆卡802、固态硬盘(Solid State Drive,SSD)803或无线存储器储存装置804。无线存储器储存装置804可例如是近距离无线通讯(Near Field Communication,NFC)存储器储存装置、无线传真(WiFi)存储器储存装置、蓝牙(Bluetooth)存储器储存装置或低功耗蓝牙存储器储存装置(例如，iBeacon)等以各式无线通讯技术为基础的存储器储存装置。此外，主机板820也可以通过系统总线7110连接至全球定位系统(Global Positioning System,GPS)模块805、网络接口卡806、无线传输装置807、键盘808、荧幕809、喇叭810等各式I/O装置。例如，在一范例实施例中，主机板820可通过无线传输装置807存取无线存储器储存装置804。

在一范例实施例中，所提及的主机系统为可实质地与存储器储存装置配合以储存数据的任意系统。虽然在上述范例实施例中，主机系统是以电脑系统来作说明，然而，图9是根据本发明的另一范例实施例所示出的主机系统与存储器储存装置的示意图。请参照图9，在另一范例实施例中，主机系统931也可以是数码相机、摄影机、通讯装置、音乐播放器、视频播放器或平板电脑等系统，而存储器储存装置930可为其所使用的安全数码(SecureDigital,SD)卡932、小型快闪(Compact Flash,CF)卡933或嵌入式储存装置934等各式非易失性存储器储存装置。嵌入式储存装置934包括嵌入式多媒体卡(embedded Multi MediaCard,eMMC)941及/或嵌入式多芯片封装(embedded Multi Chip Package,eMCP)储存装置942等各类型将存储器模块直接连接于主机系统的基板上的嵌入式储存装置。

图10是根据本发明的一范例实施例所示出的存储器储存装置的概要方块图。

请参照图10，存储器储存装置710包括连接接口单元1002、存储器控制电路单元1004与可复写式非易失性存储器模块1006。

连接接口单元1002用以将存储器储存装置710连接至主机系统711。在本范例实施例中，连接接口单元1002是相容于序列先进附件(Serial Advanced TechnologyAttachment,SATA)标准。然而，必须了解的是，本发明不限于此，连接接口单元1002也可以是符合并行先进附件(Parallel Advanced Technology Attachment,PATA)标准、电气和电子工程师协会(Institute of Electrical and Electronic Engineers,IEEE)1394标准、高速周边零件连接接口(Peripheral Component Interconnect Express,PCI Express)标准、通用序列总线(Universal Serial Bus,USB)标准、SD接口标准、超高速一代(UltraHigh Speed-I,UHS-I)接口标准、超高速二代(Ultra High Speed-II,UHS-II)接口标准、记忆棒(Memory Stick,MS)接口标准、MCP接口标准、MMC接口标准、eMMC接口标准、通用快闪存储器(Universal Flash Storage,UFS)接口标准、eMCP接口标准、CF接口标准、整合式驱动电子接口(Integrated Device Electronics,IDE)标准或其他适合的标准。连接接口单元1002可与存储器控制电路单元1004封装在一个芯片中，或者连接接口单元1002是布设于一包含存储器控制电路单元1004的芯片外。

存储器控制电路单元1004用以执行以硬体型式或韧体型式实作的多个逻辑闸或控制指令并且根据主机系统711的指令在可复写式非易失性存储器模块1006中进行数据的写入、读取与抹除等运作。

可复写式非易失性存储器模块1006是连接至存储器控制电路单元1004并且用以储存主机系统711所写入的数据。可复写式非易失性存储器模块1006可以是单阶记忆胞(Single Level Cell,SLC)NAND型快闪存储器模块(即，一个记忆胞中可储存1个位元的快闪存储器模块)、多阶记忆胞(Multi Level Cell,MLC)NAND型快闪存储器模块(即，一个记忆胞中可储存2个位元的快闪存储器模块)、复数阶记忆胞(Triple Level Cell，TLC)NAND型快闪存储器模块(即，一个记忆胞中可储存3个位元的快闪存储器模块)、其他快闪存储器模块或其他具有相同特性的存储器模块。

可复写式非易失性存储器模块1006中的每一个记忆胞是以电压(以下也称为临界电压)的改变来储存一或多个位元。具体来说，每一个记忆胞的控制栅极(control gate)与通道的间有一个电荷捕捉层。通过施予一写入电压至控制栅极，可以改变电荷补捉层的电子量，进而改变记忆胞的临界电压。此改变记忆胞的临界电压的操作也称为“把数据写入至记忆胞”或“编程(programming)记忆胞”。随着临界电压的改变，可复写式非易失性存储器模块1006中的每一个记忆胞具有多个储存状态。通过施予读取电压可以判断一个记忆胞是属于哪一个储存状态，藉此取得此记忆胞所储存的一或多个位元。

在本范例实施例中，可复写式非易失性存储器模块1006的记忆胞会构成多个实体编程单元，并且此些实体编程单元会构成多个实体抹除单元。具体来说，同一条字元线上的记忆胞会组成一或多个实体编程单元。若每一个记忆胞可储存2个以上的位元，则同一条字元线上的实体编程单元至少可被分类为下实体编程单元与上实体编程单元。例如，一记忆胞的最低有效位元(Least Significant Bit，LSB)是属于下实体编程单元，并且一记忆胞的最高有效位元(Most Significant Bit，MSB)是属于上实体编程单元。一般来说，在MLCNAND型快闪存储器中，下实体编程单元的写入速度会大于上实体编程单元的写入速度，及/或下实体编程单元的可靠度是高于上实体编程单元的可靠度。

在本范例实施例中，实体编程单元为编程的最小单元。即，实体编程单元为写入数据的最小单元。例如，实体编程单元为实体页面(page)或是实体扇(sector)。若实体编程单元为实体页面，则此些实体编程单元通常包括数据位元区与冗余(redundancy)位元区。数据位元区包含多个实体扇，用以储存使用者数据，而冗余位元区用以储存系统数据(例如，错误更正码等管理数据)。在本范例实施例中，数据位元区包含32个实体扇，且一个实体扇的大小为512位元组(byte,B)。然而，在其他范例实施例中，数据位元区中也可包含8个、16个或数目更多或更少的实体扇，并且每一个实体扇的大小也可以是更大或更小。另一方面，实体抹除单元为抹除的最小单位。也即，每一实体抹除单元含有最小数目的一并被抹除的记忆胞。例如，实体抹除单元为实体区块(block)。

在一范例实施例中，所述参考电压产生电路(例如，图1的参考电压产生电路10)是设置在连接接口单元1002或存储器控制电路单元1004，以提供连接接口单元1002及/或存储器控制电路单元1004操作所需的参考电压。此外，在另一范例实施例中，所述参考电压产生电路也可以是设置在可复写式非易失性存储器模块1006中，以提供可复写式非易失性存储器模块1006操作所需的参考电压。

图11是根据本发明的一范例实施例所示出的连接接口单元的示意图。

请参照图11，在一范例实施例中，连接接口单元1002包括参考电压产生电路1101与升/降压电路1102。参考电压产生电路1101相同或相似于图1中的参考电压产生电路10。在参考电压产生电路1101产生处于稳定状态的参考电压V_ref的后，升/降压电路1102可提高或降低参考电压V_ref的电压值以输出具有特定电压值的特定电压V_spec。例如，升/降压电路1102可包括至少一个分压器(voltage divider)电路。此特定电压V_spec可以被提供给存储器储存装置710中的一或多个电子元件使用。

图12是根据本发明的一范例实施例所示出的参考电压产生方法的流程图。

请参照图12，在步骤S1201中，接收控制电压并于参考电压产生电路内部的一检测点产生多个基准电压。在步骤S1202中，根据所述多个基准电压来修正参考电压。在步骤S1203中，根据所修正的参考电压产生特定电压。

然而，图12中各步骤已详细说明如上，在此便不再赘述。值得注意的是，图12中各步骤可以实作为多个程序码或是电路，本发明不加以限制。此外，图12的方法可以搭配以上范例实施例使用，也可以单独使用，本发明不加以限制。

综上所述，在接收到控制电压后，参考电压产生电路会基于一切换规则在其内部的一个检测点产生多个基准电压。然后，根据这些基准电压，参考电压产生电路会持续修正一个参考电压。尔后，此参考电压即可用于产生具有特定电压值的特定电压。相对于一般直接使用电流镜一侧的晶体管的输出电压作为参考电压，本发明将可降低电流镜两侧晶体管的制程误差对参考电压造成的漂移等影响。

Claims (36)

1.一种参考电压产生电路，其特征在于，包括：

电压供应电路，用以提供控制电压；

单元切换电路，连接至所述电压供应电路并且用以接收所述控制电压并于所述参考电压产生电路内部的检测点产生多个基准电压；以及

电压输出电路，连接至所述单元切换电路并且用以根据所述多个基准电压的一电压变化来修正参考电压，以产生特定电压，所述电压输出电路包括：

电压调整电路，用以接收所述参考电压与所述多个基准电压，

若所述参考电压高于所述多个基准电压中的第三基准电压，所述电压调整电路将所述参考电压的电压值从第一电压值降低为第二电压值，

若所述参考电压低于所述第三基准电压，所述电压调整电路将所述参考电压的所述电压值从所述第一电压值增加为第三电压值。

2.根据权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述多个基准电压包括第一基准电压与第二基准电压，且所述单元切换电路包括多个晶体管单元，

所述单元切换电路于所述参考电压产生电路内部的所述检测点产生所述多个基准电压的操作包括：

于所述检测点产生所述第一基准电压；

在产生所述第一基准电压后，对所述多个晶体管单元执行单元切换操作；以及

在执行所述单元切换操作后，于所述检测点产生所述第二基准电压。

3.根据权利要求2所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述多个晶体管单元包含至少一第一类晶体管单元及至少一第二类晶体管单元，所述至少一第一类晶体管单元用以接收所述控制电压并提供反馈电压至所述电压供应电路的输入端，

所述至少一第二类晶体管单元用以接收所述控制电压并提供所述多个基准电压于所述检测点。

4.根据权利要求3所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述单元切换操作包括第一单元切换操作与第二单元切换操作的至少其中之一，

所述第一单元切换操作包括：

将所述多个晶体管单元中的第一晶体管单元从作为所述至少一第一类晶体管单元中的一者改为作为所述至少一第二类晶体管单元中的一者，

所述第二单元切换操作包括：

将所述多个晶体管单元中的第二晶体管单元从作为所述至少一第二类晶体管单元中的一者改为作为所述至少一第一类晶体管单元中的一者。

5.根据权利要求3所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述至少一第一类晶体管单元的总数等于所述至少一第二类晶体管单元的总数。

6.根据权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述电压调整电路包括：

第一调整电路；

第二调整电路，连接至所述第一调整电路；以及

反馈控制电路，连接至所述第二调整电路，

所述第一调整电路用以根据初始电压产生所述参考电压，

所述第二调整电路用以接收所述参考电压与所述多个基准电压并且产生比较信号，

所述反馈控制电路用以根据所述比较信号控制所述第一调整电路调整所述参考电压。

7.根据权利要求6所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第一调整电路包括第一运算放大器，

所述参考电压是产生于所述第一运算放大器的输出端。

8.根据权利要求7所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第一调整电路还包括第一可变阻抗单元与第二可变阻抗单元，

所述第一可变阻抗单元的第一端接地，并且所述第一可变阻抗单元的第二端连接至所述第一运算放大器的第一输入端，

所述第二可变阻抗单元的第一端连接至所述第一运算放大器的所述第一输入端，并且所述第二可变阻抗单元的第二端连接至所述第一运算放大器的所述输出端。

9.根据权利要求8所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述反馈控制电路根据所述比较信号控制所述第一调整电路的操作包括：

若所述参考电压高于所述第三基准电压，将所述第一可变阻抗单元的阻抗值从第一阻抗值增加为第二阻抗值；以及

若所述参考电压低于所述第三基准电压，将所述第二可变阻抗单元的阻抗值从第三阻抗值增加为第四阻抗值。

10.根据权利要求6所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第二调整电路包括第二运算放大器，

所述第二运算放大器的第一输入端用以接收所述参考电压，

所述第二运算放大器的第二输入端用以接收所述多个基准电压，

所述第二运算放大器的输出端用以产生所述比较信号。

11.根据权利要求6所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述电压调整电路还包括初始电压产生电路，其连接至所述第一调整电路并且用以产生所述初始电压，

所述初始电压的电压值对应于所述参考电压的初始电压值。

12.根据权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述多个基准电压是依序地基于时脉信号的多个时脉边缘而产生。

13.根据权利要求2所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述单元切换操作是基于时脉信号的时脉边缘而执行。

14.根据权利要求3所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述单元切换电路用以根据流经所述至少一第一类晶体管单元的参考电流产生流经所述至少一第二类晶体管单元的映射电流。

15.一种存储器储存装置，其特征在于，包括：

连接接口单元，用以连接至主机系统；

可复写式非易失性存储器模块；

存储器控制电路单元，连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块；以及

参考电压产生电路，设置于所述连接接口单元或所述存储器控制电路单元中，

所述参考电压产生电路用以接收控制电压并于所述参考电压产生电路内部的检测点产生多个基准电压，

所述参考电压产生电路还用以根据所述多个基准电压的一电压变化来修正参考电压，以产生特定电压，

所述参考电压产生电路还包括电压供应电路，其连接至所述多个晶体管单元并用以产生所述控制电压，

所述多个晶体管单元包括至少一第一类晶体管单元与至少一第二类晶体管单元，

所述至少一第一类晶体管单元用以接收所述控制电压并提供反馈电压至所述电压供应电路的输入端，

所述至少一第二类晶体管单元用以接收所述控制电压并提供所述多个基准电压于所述检测点。

16.根据权利要求15所述的存储器储存装置，其特征在于，所述多个基准电压包括第一基准电压与第二基准电压，且所述参考电压产生电路包括多个晶体管单元，

所述参考电压产生电路于所述参考电压产生电路内部的所述检测点产生所述多个基准电压的操作包括：

于所述检测点产生所述第一基准电压；

在产生所述第一基准电压后，对所述多个晶体管单元执行单元切换操作；以及

在执行所述单元切换操作后，于所述检测点产生所述第二基准电压。

17.根据权利要求16所述的存储器储存装置，其特征在于，所述单元切换操作包括第一单元切换操作与第二单元切换操作的至少其中之一，

所述第一单元切换操作包括：

将所述多个晶体管单元中的第一晶体管单元从作为所述至少一第一类晶体管单元中的一者改为作为所述至少一第二类晶体管单元中的一者，

所述第二单元切换操作包括：

将所述多个晶体管单元中的第二晶体管单元从作为所述至少一第二类晶体管单元中的一者改为作为所述至少一第一类晶体管单元中的一者。

18.根据权利要求15所述的存储器储存装置，其特征在于，所述至少一第一类晶体管单元的总数等于所述至少一第二类晶体管单元的总数。

19.根据权利要求15所述的存储器储存装置，其特征在于，所述参考电压产生电路包括：

电压调整电路，用以接收所述参考电压与所述多个基准电压，

若所述参考电压高于所述多个基准电压中的第三基准电压，所述电压调整电路还用以将所述参考电压的电压值从第一电压值降低为第二电压值，

若所述参考电压低于所述第三基准电压，所述电压调整电路还用以将所述参考电压的所述电压值从所述第一电压值增加为第三电压值。

20.根据权利要求19所述的存储器储存装置，其特征在于，所述电压调整电路包括：

第一调整电路；

第二调整电路，连接至所述第一调整电路；以及

反馈控制电路，连接至所述第二调整电路，

所述第一调整电路用以根据初始电压产生所述参考电压，

所述第二调整电路用以接收所述参考电压与所述多个基准电压并且产生比较信号，

所述反馈控制电路用以根据所述比较信号控制所述第一调整电路调整所述参考电压。

21.根据权利要求20所述的存储器储存装置，其特征在于，所述第一调整电路包括第一运算放大器，

所述参考电压是产生于所述第一运算放大器的输出端。

22.根据权利要求21所述的存储器储存装置，其特征在于，所述第一调整电路还包括第一可变阻抗单元与第二可变阻抗单元，

所述第一可变阻抗单元的第一端接地，并且所述第一可变阻抗单元的第二端连接至所述第一运算放大器的第一输入端，

所述第二可变阻抗单元的第一端连接至所述第一运算放大器的所述第一输入端，并且所述第二可变阻抗单元的第二端连接至所述第一运算放大器的所述输出端。

23.根据权利要求22所述的存储器储存装置，其特征在于，所述反馈控制电路根据所述比较信号控制所述第一调整电路的操作包括：

若所述参考电压高于所述第三基准电压，将所述第一可变阻抗单元的阻抗值从第一阻抗值增加为第二阻抗值；以及

若所述参考电压低于所述第三基准电压，将所述第二可变阻抗单元的阻抗值从第三阻抗值增加为第四阻抗值。

24.根据权利要求20所述的存储器储存装置，其特征在于，所述第二调整电路包括第二运算放大器，

所述第二运算放大器的第一输入端用以接收所述参考电压，

所述第二运算放大器的第二输入端用以接收所述多个基准电压，

所述第二运算放大器的输出端用以产生所述比较信号。

25.根据权利要求20所述的存储器储存装置，其特征在于，所述电压调整电路还包括初始电压产生电路，其连接至所述第一调整电路并且用以产生所述初始电压，

所述初始电压的电压值对应于所述参考电压的初始电压值。

26.根据权利要求15所述的存储器储存装置，其特征在于，所述多个基准电压是依序地基于时脉信号的多个时脉边缘而产生。

27.根据权利要求16所述的存储器储存装置，其特征在于，所述单元切换操作是基于时脉信号的时脉边缘而执行。

28.根据权利要求15所述的存储器储存装置，其特征在于，所述参考电压产生电路还用以根据流经所述至少一第一类晶体管单元的参考电流产生流经所述至少一第二类晶体管单元的映射电流。

29.一种参考电压产生方法，其特征在于，用于存储器储存装置，且所述参考电压产生方法包括：

接收控制电压并于参考电压产生电路内部的检测点产生多个基准电压；

根据所述多个基准电压的一电压变化来修正参考电压；以及

根据所修正的所述参考电压产生特定电压，

根据所述多个基准电压的该电压变化来产生所述参考电压的步骤包括：

接收所述参考电压与所述多个基准电压；

若所述参考电压高于所述多个基准电压中的第三基准电压，将所述参考电压的电压值从第一电压值降低为第二电压值；以及

若所述参考电压低于所述第三基准电压，将所述参考电压的所述电压值从所述第一电压值增加为第三电压值。

30.根据权利要求29所述的参考电压产生方法，其特征在于，所述多个基准电压包括第一基准电压与第二基准电压，且所述参考电压产生电路包括多个晶体管单元，

于所述参考电压产生电路内部的所述检测点产生所述多个基准电压的步骤包括：

于所述检测点产生所述第一基准电压；

在产生所述第一基准电压的后，对所述多个晶体管单元执行单元切换操作；以及

在执行所述单元切换操作的后，于所述检测点产生所述第二基准电压。

31.根据权利要求30所述的参考电压产生方法，其特征在于，所述多个晶体管单元包括至少一第一类晶体管单元与至少一第二类晶体管单元，

于所述参考电压产生电路内部的所述检测点产生所述多个基准电压的步骤包括：

由电压供应电路产生所述控制电压；

由所述至少一第一类晶体管单元接收所述控制电压并提供反馈电压至所述电压供应电路的输入端；以及

由所述至少一第二类晶体管单元接收所述控制电压并提供所述多个基准电压于所述检测点。

32.根据权利要求31所述的参考电压产生方法，其特征在于，所述单元切换操作包括第一单元切换操作与第二单元切换操作的至少其中之一，

所述第一单元切换操作包括：

将所述多个晶体管单元中的第一晶体管单元从作为所述至少一第一类晶体管单元中的一者改为作为所述至少一第二类晶体管单元中的一者，

所述第二单元切换操作包括：

将所述多个晶体管单元中的第二晶体管单元从作为所述至少一第二类晶体管单元中的一者改为作为所述至少一第一类晶体管单元中的一者。

33.根据权利要求31所述的参考电压产生方法，其特征在于，所述至少一第一类晶体管单元的总数等于所述至少一第二类晶体管单元的总数。

34.根据权利要求29所述的参考电压产生方法，其特征在于，所述多个基准电压是依序地基于时脉信号的多个时脉边缘而产生。

35.根据权利要求30所述的参考电压产生方法，其特征在于，所述单元切换操作是基于时脉信号的时脉边缘而执行。

36.根据权利要求31所述的参考电压产生方法，其特征在于，还包括：

根据流经所述至少一第一类晶体管单元的参考电流产生流经所述至少一第二类晶体管单元的映射电流。

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