CN108305890A - 显示基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开公开了一种显示基板及其制造方法、显示装置，属于显示领域。所述显示基板包括显示区和周边电路区，周边电路区环绕在显示区周围，显示基板还包括：至少部分位于显示区内的阴极导电层；以及，位于周边电路区内的阴极电压连接端和导电引线；其中，导电引线包括：环绕在显示区周围的第一环状部，第一环状部与阴极导电层接触连接；环绕在第一环状部周围的第二环状部，第二环状部与阴极电压连接端连接；多个桥接部，每个桥接部均具有连接第一环状部的第一端和连接第二环状部的第二端；多个桥接部中，桥接部的第二端到阴极电压连接端的电阻值与桥接部在第一端与第二端之间的电阻值负相关。本公开有助于提升自发光显示产品的亮度均匀性。

Description

显示基板及其制造方法、显示装置

技术领域

本公开涉及显示领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

自发光显示产品一般会采用有源矩阵(Active Matrix，AM)的驱动方式，即分别为每个子像素单元内的自发光器件提供驱动电压或驱动电流，以使自发光器件按照驱动电压或驱动电流的大小发光。但是，自发光显示产品很容易出现亮度不均匀的问题，比如超长屏幕中像素的整体亮度可能会一侧向另一侧逐渐降低，或是大尺寸屏幕中央的亮度会低于四周的亮度等等，严重影响自发光显示产品的显示质量。

发明内容

本公开提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，有助于提升自发光显示产品的亮度均匀性。

第一方面，本公开提供了一种显示基板，所述显示基板包括显示区和周边电路区，所述周边电路区环绕在所述显示区周围，所述显示基板还包括：

至少部分位于所述显示区内的阴极导电层；以及，

位于所述周边电路区内的阴极电压连接端和导电引线；

其中，所述导电引线包括：

环绕在所述显示区周围的第一环状部，所述第一环状部与所述阴极导电层接触连接；

环绕在所述第一环状部周围的第二环状部，所述第二环状部与所述阴极电压连接端连接；

多个桥接部，每个所述桥接部均具有连接所述第一环状部的第一端和连接所述第二环状部的第二端；所述多个桥接部中，桥接部的第二端到所述阴极电压连接端的电阻值与桥接部在第一端与第二端之间的电阻值负相关。

在一种可能的实现方式中，

所述多个桥接部中，桥接部的第二端到所述阴极电压连接端的电阻值与桥接部在第一端到第二端的方向上的长度负相关；

和/或，

所述多个桥接部中，桥接部的第二端到所述阴极电压连接端的电阻值与桥接部在第一端到第二端的垂直方向上的长度正相关。

在一种可能的实现方式中，部分所述阴极导电层位于所述周边电路区内，所述第一环状部在厚度方向上的一侧的表面与所述阴极导电层在厚度方向上的一侧的表面相接触。

在一种可能的实现方式中，

所述第二环状部与所述阴极电压连接端接触连接；

或者，

所述导电引线还包括至少一个引线部，所述至少一个引线部将所述第二环状部连接至所述阴极电压连接端。

在一种可能的实现方式中，所述导电引线的每个部分的形成材料均是相同的。

在一种可能的实现方式中，所述导电引线的每个部分的形成材料均是相同的，所述导电引线的每个部分在所述显示基板上的厚度均是相同的。

在一种可能的实现方式中，所述显示基板还包括栅极导电层，至少部分的所述导电引线与所述栅极导电层通过同一次掩膜工艺形成；和/或，

所述显示基板还包括源漏导电层，至少部分的所述导电引线与所述源漏导电层通过同一次掩膜工艺形成。

在一种可能的实现方式中，所述多个桥接部均位于所述第一环状部与所述第二环状部之间。

在一种可能的实现方式中，所述第一环状部和/或第二环状部的形状为闭合的环形。

在一种可能的实现方式中，所述阴极导电层布满所述显示区。

第二方面，本公开还提供了一种显示基板的制造方法，所述显示基板包括显示区和周边电路区，所述周边电路区环绕在所述显示区周围，所述制造方法包括：

形成包括阴极电压连接端和导电引线的图形，所述阴极电压连接端和所述导电引线均位于所述周边电路区内；

形成阴极导电层，至少部分所述阴极导电层位于所述显示区内；

其中，所述导电引线包括：

环绕在所述显示区周围的第一环状部，所述第一环状部与所述阴极导电层接触连接；

环绕在所述第一环状部周围的第二环状部，所述第二环状部与所述阴极电压连接端连接；

多个桥接部，每个所述桥接部均具有连接所述第一环状部的第一端和与连接所述第二环状部的第二端；所述多个桥接部中，桥接部的第二端到所述阴极电压连接端的电阻值与桥接部在第一端与第二端之间的电阻值负相关。

第三方面，本公开还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任意一种的显示基板。

由上述技术方案可知，本公开基于导电引线所具有的结构和特性，可以对阴极电压在传导过程中的幅值下降进行一定的补偿，从而使得第二环状部能够为阴极导电层提供具有期望幅值分布的阴极电压，有助于提升自发光显示产品的亮度均匀性。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，这些附图的合理变型也都涵盖在本公开的保护范围中。

图1是本公开一个实施例提供的显示基板的结构示意图；

图2A和图2B是本公开一个实施例中显示基板内的导电引线的局部示意图；

图3A和图3B是本公开又一实施例中显示基板内的导电引线的局部示意图；

图4A和图4B是本公开又一实施例中显示基板内的导电引线的局部示意图；

图5是本公开一个实施例提供的显示基板的制造方法的步骤流程示意图；

图6是本公开又一实施例提供的显示基板的制造方法的步骤流程示意图；

图7是本公开一个实施例提供的显示基板在厚度方向上的结构示意图；

图8是本公开一个实施例提供的显示装置的结构示意图。

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。单独出现的“连接”或者“连接”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，且该连接可以是直接的或间接的。

图1是本公开一个实施例提供的显示基板的结构示意图。参见图1，该显示基板包括显示区A1、周边区A21和电路区A22，其中周边区A21和电路区A22组成显示基板的周边电路区，周边区A21是环绕在显示区A1的周围的基板区域，而电路区A22是显示基板上用于布置例如芯片的电路结构的区域。在一个示例中，显示区A1设置在显示基板的玻璃基板的中央，而周边区A21为玻璃基板上显示区A1周围的区域，电路板压合在玻璃基板一侧的边缘上从而形成所述电路区A22。在又一示例中，显示基板不包括电路区A22，显示区A1设置在显示基板的中央，而周边电路区是显示基板上除显示区A1以外的区域。在又一示例中，显示区A1设置在显示基板的柔性衬底的中央，电路区A22是柔性衬底一侧的边缘处专门用于布置电路结构的区域，而周边区A21是除了电路区A22以外的环绕在显示区A1周围的区域。当然，根据显示基板的类型的不同(例如彩膜基板、阵列基板、有机发光二极管显示面板或其他类型的显示面板、玻璃盖板)，显示基板的基底材质以及各区域的设置方式可以不仅限于以上形式。

如图1所示，显示基板还包括导电引线(包括第一环状部111、第二环状部112、若干个桥接部113和两个引线部114)、阴极导电层12和两个阴极电压连接端13。其中，阴极导电层12布满了显示区A1，并且部分阴极导电层12还位于显示区A1边缘处的周边电路区中的周边区A21内，可以用于将阴极电压传导至显示区A1内；两个阴极电压连接端13位于周边电路区中的电路区A22内，可以通过例如连接外部接口或者连接内部电压变换器的方式为显示基板内的其他部分提供阴极电压；导电引线分别与阴极电压连接端13和阴极导电层12电连接，因而可以用于将来自阴极电压连接端13的阴极电压传导至阴极导电层12。

导电引线中，第一环状部111环绕在显示区A1周围并与阴极导电层12接触连接。在一个示例中，第一环状部111可以如图1中所示的那样设置于阴极导电层12在厚度方向上的一侧的表面上，并使得第一环状部111在厚度方向上的一侧的表面与阴极导电层12在厚度方向上的一侧的表面相接触，以在有限的布局空间内增大接触面积、减少接触电阻。在又一示例中，第一环状部111的内侧边缘与阴极导电层12的上表面接触，而第一环状部111的外侧边缘环绕在阴极导电层12的周围，如此使得导电引线的其余部分能够具有相对较小的高低差，有助于减小阴极电压传导过程中的电阻，减小导电引线出现缺陷的概率。应理解的是，第一环状部是导电引线中直接为阴极导电层提供阴极电压的部分，而第一环状部与阴极导电层之间接触连接的方式可以不仅限于以上形式。

导电引线中，第二环状部112环绕在第一环状部111周围，并与阴极电压连接端13连接。在一个示例中，第二环状部112可以如图1中所示的那样分别藉由导电引线中的两个引线部114与两个阴极电压连接端13间接相连。在又一示例中，第二环状部112接触连接所有作为阴极电压连接端13的导电垫片(PIN)。在又一示例中，第二环状部112一侧的边缘直接作为用于接收阴极电压的阴极电压连接端13。应理解的是，第二环状部是导电引线中用于将来自阴极电压连接端的阴极电压传导至阴极导电层的至少部分边缘线附近的部分，而第二环状部与阴极电压连接端之间的连接可以不仅限于以上形式。

导电引线中，多个桥接部113均具有连接第一环状部111的第一端和连接第二环状部112的第二端。例如图1中每个桥接部113均沿着上、下、左、右中的一个方向延伸，而且每个桥接部113的靠近显示区A1的一端即上述连接第一环状部111的第一端，每个桥接部113的远离显示区A1的一端即上述连接第二环状部112的第二端。以此为例，桥接部是导电引线中连接第一环状部与第二环状部的部分，其形状、数量、面积大小、延伸方向、排列方式等均可以不仅限于图1中所示的形式。

多个桥接部113中，桥接部113的第二端到阴极电压连接端13的电阻值与桥接部113在第一端与第二端之间的电阻值负相关。假设第一环状部111的任意一个与桥接部113的连接位置处到阴极电压连接端13的电阻值为R0，桥接部113的第二端到阴极电压连接端13的电阻值为R2，桥接部113在第一端与第二端之间的电阻值为R2，那么显然有R0＝R1+R2。而由于多个桥接部113中R1与R2负相关，因此R1与R2在大小上可以相互补偿以使R0达到预期的分布。例如，可以通过R2补偿不同位置处的R1之间的差异，使得各个位置处的R0均保持一致；再如，可以通过R2过度补偿不同位置处的R1之间的差异，使得R0与R1负相关。如此，可以使第一环状部111为阴极导电层12提供具有预期大小分布的阴极电压。

在一个示例中，如图1所示，所有桥接部113均位于第一环状部111与第二环状部112之间，并且第一环状部111与第二环状部112之间的径向间距处处相同。即，所有桥接部113在第一端到第二端的方向(即其远离显示区A1的延伸方向)上的长度均为相同数值。由于第二环状部112的形成材料具有一定电阻率，因此第二环状部112上越远离连接阴极电压连接端13的位置处与阴极电压连接端13之间的电阻值R1越大，相应节点处的电压偏离原始的阴极电压的幅度也越大。而如图1所示，沿着第二环状部112上R1逐渐增大的方向，桥接部113在第一端到第二端的垂直方向上的长度(以下简称宽度)也逐渐增大。即，多个桥接部113中，桥接部113的第二端到阴极电压连接端13的电阻值与桥接部113的宽度正相关。应理解的是，相同电阻率下，具有相同厚度和长度的桥接部113在第一端与第二端之间的电阻值与宽度负相关。因此，第一端所对应的R1越大的桥接部113在第一端与第二端之间的电阻值R2越小。

在一个对比示例中，图1中所有桥接部113均具有相同的宽度，因而所有桥接部113在第一端与第二端之间的电阻值均是相同的。如此，桥接部113在第一端与第二端之间的电阻值将不会影响第一环状部111上的各位置处电压的大小关系，总体上第一环状部111和第二环状部112上阴极电压的偏离幅度都会从上至下逐渐增大，传导至阴极导电层13上阴极电压的偏离幅度也会从上至下逐渐增大，在显示产品上将表现为整体的显示亮度从显示区的一侧至另一侧逐渐增大或逐渐减小，并且显示区尺寸越大的显示产品表现的越明显。

相比之下，在如图1所示的示例性结构中，第一环状部111上各位置处的电压大小关系可以通过各桥接部113的R2进行调节，例如可以使第一环状部111上各位置的阴极电压的偏离幅度全部一致，从而使得阴极导电层13在与第一环状部111之间的接触面上接收到均匀分布的阴极电压。再如，还可以在补偿R1所导致的阴极电压偏离幅度差异的基础上，通过调节第一环状部111上阴极电压的大小分布补偿其他原因所导致的亮度不均。在一个示例中，由于自发光器件的阳极电压会因传导材料的电阻而沿着远离电源端的方向不断下降，因此可以通过例如测试的方式获取阳极电压在各位置处下降的幅度，然后依此适应性调节第一环状部111上的阴极电压的大小分布，以使阳极电压所下降的幅度得到补偿。在一种实现方式中，阳极电压连接端与阴极电压连极端一同设置在电路区中，而阳极电压与阴极电压的偏离幅度在总体上都是向着远离电路区的方向逐渐增大的；此时可以通过调节各桥接部113的R2使第一环状部111上的阴极电压总体上沿着远离电路区的方向逐渐下降，并且其逐渐下降的速率与阳极电压在同一方向上逐渐下降的速率相同，从而使得此方向上自发光器件接收到的阳极电压与阴极电压之间的差值保持一致。

可以看出，本公开实施例基于导电引线所具有的结构和特性，可以对阴极电压在传导过程中的幅值下降进行一定的补偿，从而使得第二环状部能够为阴极导电层提供具有期望幅值分布的阴极电压，有助于提升自发光显示产品的亮度均匀性。应理解的是，所述期望幅值分布可以是均匀分布，也可以是适应于其他亮度均匀性的补偿方式的幅值分布；而且由R1所决定的阴极电压偏离幅度的上升方向是不会改变的，因此为了补偿由R1所造成的亮度不均，R2总体上的大小趋势会与R1的大小趋势相反，即形成上述R1与R2之间的负相关关系。

应理解的是，上述R1与R2之间的负相关关系指的是整体上的变化趋势相反，而不需要严格体现在每一桥接部所对应的R1和R2的数值上。在一个示例中，相邻的多个桥接部在第一端到第二端的电阻值相同，比如n个桥接部为一组(n为大于1的整数)，每组内的所有桥接部均具有同样的形状和构造，而各组之间的R2与R1(平均后的数值)之间负相关。在又一示例中，所述多个桥接部中的部分桥接部满足R1和R2负相关的数值趋势，而其余的桥接部不满足。比如，靠近显示区A1一侧边缘中央位置的桥接部比周围的桥接部具有数值更小的R2，如此可以补偿显示区中央亮度比四周亮度更低的亮度不均。

还应理解的是，图1中仅以示意图形表示出了部分上文所述及的结构，例如引线电极的结构的真实形状可以不同于图1所示出的那样，而且显示基板还可以包括其他未示出的结构。

图2A和图2B是本公开一个实施例中显示基板内的导电引线的局部示意图。参见图2A和图2B，忽略引线部，本实施例中的导电引线整体上是环绕在显示区A1周围的导电材料形成的环形线，导电引线中设置有排列方向及延伸方向均与导电引线的延伸方向一致的若干个细孔，沿着排列方向排列的若干个细孔内侧的导电引线即上述第一环状部111，沿着排列方向排列的若干个细孔外侧的导电引线即上述第二环状部112，相邻细孔之间即上述桥接部113。如图2A和图2B所示，桥接部113在第一端到第二端方向上的长度Lx即上述细孔的宽度，而桥接部113在第一端到第二端的垂直方向上的长度Ly即相邻细孔之间的间距。比较图2A和图2B可知，较大的细孔间距可以得到具有较大Ly和较大R2的桥接部113，而统一的细孔宽度可使不同桥接部113之间具有相同的Lx。如此，可以在进行显示基板中某个导电材料层结构的图案设计时，通过设计上述环形线和环形线中细孔的形状、大小、位置、排列方式等来实现上述导电引线。

图3A和图3B是本公开又一实施例中显示基板内的导电引线的局部示意图。参见图3A和图3B，忽略引线部，本实施例中的导电引线整体上是环绕在显示区A1周围的导电材料形成的环形线，导电引线中设置有排列方向与导电引线的延伸方向一致、延伸方向与导电引线的宽度方向一致的若干个细孔，沿着排列方向排列的若干个细孔内侧的导电引线即上述第一环状部111，沿着排列方向排列的若干个细孔外侧的导电引线即上述第二环状部112，相邻细孔之间的部分即上述桥接部113。如图3A和图3B所示，桥接部113在第一端到第二端方向上的长度Lx即上述细孔的长度，而桥接部113在第一端到第二端的垂直方向上的长度Ly即相邻细孔之间的间距。比较图3A和图3B可知，较大的细孔长度可以得到具有较大Lx和较小R2的桥接部113，而统一的细孔间距可以使不同桥接部113之间具有相同得Ly。如此，可以在进行显示基板中某个导电材料层结构的图案设计时，通过设计上述环形线和环形线中细孔的形状、大小、位置、排列方式等来实现上述导电引线。

图4A和图4B是本公开又一实施例中显示基板内的导电引线的局部示意图。参见图4A和图4B，忽略引线部，本实施例中的导电引线整体上是环绕在显示区A1周围的导电材料形成的环形线，导电引线中设置有排列方向与导电引线的延伸方向一致的若干个通孔，沿着排列方向排列的若干个通孔的内侧的导电引线即上述第一环状部111，沿着排列方向排列的若干个通孔的外侧的导电引线即上述第二环状部112，相邻两个通孔之间的部分即上述桥接部113。如图4A和图4B所示，桥接部113在第一端到第二端方向上的长度Lx即上述通孔在垂直于导电引线的延伸方向的方向上的长度，而桥接部113在第一端到第二端的垂直方向上的长度Ly即相邻通孔之间的间距。比较图4A和图4B可知，较大的孔径可以得到具有较大Lx、较大Ly和较小R2的桥接部113。如此，可以在进行显示基板中某个导电材料层结构的图案设计时，通过设计上述环形线和环形线中通孔的形状、大小、位置、排列方式等来实现上述导电引线。

应理解的是，导电引线的实现方式可以不仅限于以上示例。例如，上述细孔和通孔均为贯穿导电引线所在膜层的结构，但在其他方面均不变的情况下还可以将其设置为盲孔或埋孔，同样可以实现上述R1与R2之间的负相关关系。

还应理解的是，上文给出了三种设置桥接部的R2的方式示例——设置桥接部的宽度(桥接部在第一端到第二端的垂直方向上的长度)以得到所期望的R2、设置桥接部的长度(桥接部在第一端到第二端的方向上的长度)以得到所期望的R2、设置桥接部的长度和宽度以得到所期望的R2。以此为例，还可以基于电阻定律参照上述示例得到其他设置桥接部的R2的方式，而不需要局限于以上示例。需要说明的是，虽然上文中均以桥接部位于第一环状部与第二环状部之间作为示例进行说明，但公开目的的实现并不依赖于此。例如，桥接部与第一环状部和/或第二环状部部分重叠(桥接部与两个环状部不同层)时，以及桥接部有部分位于第一环状部内部和/或第二环状部外部时，依然可以实现上述R1与R2之间的负相关关系。应理解的是，将桥接部设置在第一环状部与第二环状部之间相比而言更有利于减小导电引线在显示基板中所占据的布局空间。

还需要说明的是，虽然上文始终以第一环状部和第二环状部的形状均为闭合的环形进行说明，但由于阴极电压的传导并不依赖于第一环状部或第二环状部的闭合，所以即便将第一环状部和第二环状部中的至少一个改为不闭合的形状也依然能够实现阴极电压连极端与阴极导电层之间的电压传导。应理解的是，将第一环状部和/或第二环状部的形状设置为闭合的环形有助于避免彼此断开的位置之间产生较大电位差，因而更有利于显示均匀性的提升。

图5是本公开一个实施例中一种显示基板的制造方法的步骤流程示意图，所述显示基板可以是上述任意一种的显示基板，包括显示区和周边电路区，其中周边电路区环绕在显示区周围。参见图5，所述制造方法包括：

步骤501、形成包括阴极电压连接端和导电引线的图形。

其中，所述阴极电压连接端和所述导电引线均位于所述周边电路区内，所述阴极电压连接端和所述导电引线的形成材料可以是例如包括铁、铜、铝、钼、镍、钛、银、锌、锡、铅、铬、锰中至少一个元素的金属材料，并可以依照所期望的电导率进行设置。所述导电引线包括：环绕在所述显示区周围的第一环状部，所述第一环状部与所述阴极导电层接触连接；环绕在所述第一环状部周围的第二环状部，所述第二环状部与所述阴极电压连接端连接；多个桥接部，每个所述桥接部均具有连接所述第一环状部的第一端和与连接所述第二环状部的第二端；所述多个桥接部中，桥接部的第二端到所述阴极电压连接端的电阻值与桥接部在第一端与第二端之间的电阻值负相关。

步骤502、形成阴极导电层。

其中，至少部分所述阴极导电层位于所述显示区内，所述阴极导电层的形成材料可以例如是包括铟锡氧化物(ITO)、石墨烯、金属网格、导电聚合物、纳米导电材料中至少一个的透明导电材料，还可以是例如是银薄膜一类的半透明的导电材料，并可以不仅限于此。

需要说明的是，上述步骤501和步骤502的执行顺序可以相互颠倒，例如组成部分基本相同的顶发射式OLED显示面板与底发射式OLED显示面板的制造过程中上述步骤501和步骤502的执行顺序可以是相互颠倒的。

还需要说明的是，依照上述任意一种显示基板的相关说明，可以按照与形状和/或构造相对应的方式制作相应的结构，在此不再赘述。

由上文可知，本公开实施例基于导电引线所具有的结构和特性，可以对阴极电压在传导过程中的幅值下降进行一定的补偿，从而使得第二环状部能够为阴极导电层提供具有期望幅值分布的阴极电压，有助于提升自发光显示产品的亮度均匀性。

图6是本公开又一实施例提供的显示基板的制造方法的步骤流程示意图，图7是一种采用图6所示的步骤流程制作的显示基板在厚度方向上的结构示意图。参见图6，本实施例的显示基板的制造方法包括：

步骤601、形成包括栅极导电层、阴极电压连接端和导电引线的图形。

在一个示例中，该步骤包括：在对衬底基板(材质例如是玻璃、硅片、有机聚合物等等)的表面进行清洗和烘干之后，在衬底基板的表面上采用金属材料的物理气相沉积工艺(Physical Vapor Deposition，PVD)沉积一层金属材料薄膜，膜层厚度等参数的设置可以通过例如调整相关工艺参数的手段来实现。在此基础之上，对整面分布的金属材料薄膜进行图案化处理：在还未图案化的金属材料薄膜上采用例如旋涂的方式涂覆一层光刻胶(此处以正性光刻胶为例进行说明)，采用紫外光透过掩膜板照射全部待刻蚀区域内的光刻胶以使其充分曝光，再将其置于显影液中以通过显影将待刻蚀区域内的光刻胶全部去除，将余留下来的光刻胶作为掩膜对未图案化的栅极导电层进行刻蚀，刻蚀完成后再去除剩余的光刻胶。作为一种示例，图7中示出了包括栅极导电层21、还包括导电引线中的第一环状部111、第二环状部112和桥接部113的导电材料层，可以看出栅极导电层21位于显示区A1内，而导电引线位于周边区A21内。

步骤602、形成第一绝缘层。

在一个示例中，该步骤包括在衬底基板和导电材料层之上采用化学气相沉积工艺(Chemical Vapor Deposition，CVD)沉积覆盖在基板和导电材料层的栅绝缘层(作为第一绝缘层)的过程，其中栅绝缘层的膜层厚度可能需要满足对于薄膜晶体管的栅绝缘层的厚度的相关要求，对于膜层厚度等参数的设置可以通过例如调整相关工艺参数的手段来实现。作为一种示例，图7中第一绝缘层22布满显示区A1，而且部分第一绝缘层22位于周边区A21内。

步骤603、形成包括有源层的图形。

在一个示例中，该步骤包括在第一绝缘层上形成半导体材料层，并对半导体材料层进行图案化处理，以形成具有预期图案的有源层。其中，形成有源层的半导体材料可以包括非晶硅、多晶硅、单晶硅、金属氧化物半导体等等，并可以依照所要实现的薄膜晶体管的特性对至少部分区域进行掺杂。作为一种示例，图7中的有源层23位于显示区A1内，并与栅极导电层21彼此交叠。

步骤604、形成包括源漏导电层的图形。

在一个示例中，该步骤包括在第一绝缘层和有源层上采用金属材料的物理气相沉积工艺沉积还未图案化的源漏导电层，膜层厚度等参数的设置可以通过例如调整相关工艺参数的手段来实现。在此基础之上，对整面分布的源漏导电层进行图案化处理：在还未图案化的源漏导电层上采用例如旋涂的方式涂覆一层光刻胶(此处以正性光刻胶为例进行说明)，采用紫外光透过掩膜板照射全部待刻蚀区域内的光刻胶以使其充分曝光，再将其置于显影液中以通过显影将待刻蚀区域内的光刻胶全部去除，将余留下来的光刻胶作为掩膜对未图案化的源漏导电层进行刻蚀，刻蚀完成后再去除剩余的光刻胶。作为一种示例，图7中的源漏导电层24位于显示区A1内，并包括分别在不同位置处接触有源层23的两个部分，以分别作为薄膜晶体管的源电极和漏电极。

步骤605、形成第二绝缘层。

在一个示例中，该步骤包括在第一绝缘层、有源层和源漏导电层之上采用化学气相沉积工艺沉积覆盖在第一绝缘层、有源层和源漏导电层之上的钝化层(作为第二绝缘层)的过程。作为一种示例，图7中第二绝缘层25布满显示区A1，而且部分第二绝缘层25位于周边区A21内。

步骤606、在第二绝缘层中形成第一过孔。

在一个示例中，该步骤包括在第二绝缘层上采用例如旋涂的方式涂覆一层光刻胶，采用紫外光透过掩膜板照射全部过孔区域内的光刻胶以使其充分曝光，再将其置于显影液中以通过显影将过孔区域内的光刻胶全部去除，将余留下来的光刻胶作为掩膜对第二绝缘层进行刻蚀，刻蚀完成后再去除剩余的光刻胶。作为一种示例，图7中第一过孔H1处于源漏电极层24需要与其他结构相连接的位置处。作为又一种示例，图7中第一绝缘层22和第二绝缘层25中的第二过孔H2(位于周边区A21，用于形成阴极导电层12与第一环状部111之间的接触连接)可以与第一过孔H1一同在上述过程中形成。

步骤607、形成包括阳极导电层的图形。

在一个示例中，该步骤包括在第二绝缘层上采用透明导电材料的物理气相沉积工艺沉积还未图案化的阳极导电层，膜层厚度等参数的设置可以通过例如调整相关工艺参数的手段来实现。在此基础之上，对整面分布的透明导电材料进行图案化处理：在还未图案化的阳极导电层上采用例如旋涂的方式涂覆一层光刻胶(此处以正性光刻胶为例进行说明)，采用紫外光透过掩膜板照射全部待刻蚀区域内的光刻胶以使其充分曝光，再将其置于显影液中以通过显影将待刻蚀区域内的光刻胶全部去除，将余留下来的光刻胶作为掩膜对未图案化的阳极导电层进行刻蚀，刻蚀完成后再去除剩余的光刻胶。作为一种示例，图7中的阳极导电层位于显示区A1内，并通过第一过孔H1与源漏导电层24接触连接。作为又一种示例，部分阳极导电层位于上一步骤中形成的第二过孔H2当中，从而通过与阴极导电层12相同的透明导电材料帮助形成阴极导电层12与第一环状部111之间的接触连接。

步骤608、形成有机发光层。

在一个示例中，有机发光层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，其中发光层包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，以分别分布在显示基板的若干个子像素区域中。作为一种示例，可以采用任一种有机发光二极管的制作工艺形成上述有机发光层。作为一种示例，图7中位于阳极导电层26与阴极导电层12之间的部分有机发光层271(显示区A1内)能够从厚度方向上的两侧接收载流子，并通过载流子复合而成的激子发出预期颜色的光；而周边区A21内的有机发光层27不包含发光层，作为层间介质设置在第二绝缘层25和第三绝缘层28之间。

步骤609、在第一绝缘层、第二绝缘层和有机发光层中形成第二过孔。

在一个示例中，该步骤包括在有机发光层上采用例如旋涂的方式涂覆一层光刻胶，采用紫外光透过掩膜板照射全部过孔区域内的光刻胶以使其充分曝光，再将其置于显影液中以通过显影将过孔区域内的光刻胶全部去除，将余留下来的光刻胶作为掩膜对第一绝缘层、第二绝缘层和有机发光层进行刻蚀，刻蚀完成后再去除剩余的光刻胶。作为一种示例，图7中的第二过孔H2位于阴极导电层12与第一环状部111相交叠的区域(周边区A21内)。作为又一种示例，在第一绝缘层22和第二绝缘层25中已经形成有部分第二过孔H2的情况下，可以在上述过程中仅刻蚀有机发光层27来制作剩余部分的第二过孔H2。

步骤610、形成包括阴极导电层的图形。

在一个示例中，该步骤包括在有机发光层上采用透明导电材料的物理气相沉积工艺沉积还未图案化的阴极导电层，膜层厚度等参数的设置可以通过例如调整相关工艺参数的手段来实现。在此基础之上，对整面分布的透明导电材料进行图案化处理：在还未图案化的阴极导电层上采用例如旋涂的方式涂覆一层光刻胶(此处以正性光刻胶为例进行说明)，采用紫外光透过掩膜板照射全部待刻蚀区域内的光刻胶以使其充分曝光，再将其置于显影液中以通过显影将待刻蚀区域内的光刻胶全部去除，将余留下来的光刻胶作为掩膜对未图案化的阴极导电层进行刻蚀，刻蚀完成后再去除剩余的光刻胶。作为一种示例，图7中部分阴极导电层12位于显示区A1内，部分阴极导电层12位于周边区A21内，并且阴极导电层12通过第二过孔H2与第一环状部111接触连接。

步骤611、形成第三绝缘层。

在一个示例中，该步骤包括在有机发光层和阴极导电层之上采用化学气相沉积工艺沉积覆盖在有机发光层和阴极导电层之上的平坦化层(作为第三绝缘层)的过程。作为一种示例，图7中第三绝缘层28的上表面即显示基板的一侧表面，对其下方的其他结构起到保护和平坦化等作用。

可以看出，通过上述步骤流程，可以形成上述任意一种的显示基板，并可以用于形成例如有机发光二极管显示面板的自发光显示产品。需要说明的是，虽然上文中以导电引线与栅极导电层通过同一次掩膜工艺形成为例进行说明，但导电引线实际上还可以与源漏导电层通过同一次掩膜工艺形成，或者，部分导电引线与栅极导电层通过同一次掩膜工艺形成、部分导电引线与源漏导电层通过同一次掩膜工艺形成，并可以不仅限于此。应理解的是，将导电引线与栅极导电层和/或源漏导电层同时制作有助于简化显示基板的步骤流程。此外，虽然使导电引线的每个部分均由相同材料形成更有利于简化导电引线的制作过程，但导电引线的各个部分并不需要均由同一种材料形成。而且，一般在一次掩膜工艺中形成的导电引线的每个部分在所述显示基板上的厚度均是相同的，但还可以通过例如多层导电材料层叠的方式减少导电引线中部分区域的电阻，从而用于实现上述R1与R2之间的负相关关系。

基于同样的公开构思，本公开实施例提供一种显示装置，该显示装置包括上述任意一种的显示基板。本公开实施例中的显示装置可以为：显示面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。作为一种示例，图8是本公开一个实施例提供的显示装置的结构示意图。所述显示装置包括作为上述任意一种显示基板，该显示基板的显示区内行列设置有子像素区域Px。基于所包含的显示基板所具有的优点，所述显示装置也具有相对应的优点。

需要说明的是，清晰起见，本公开的附图中仅示出了用于说明技术方案的结构；在实际产品中，还可以在可能的范围内在本公开附图的基础上进行添加、删除或变形，而不影响技术方案的实现。

以上所述仅为本公开的实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括显示区和周边电路区，所述周边电路区环绕在所述显示区周围，所述显示基板还包括：

至少部分位于所述显示区内的阴极导电层；以及，

位于所述周边电路区内的阴极电压连接端和导电引线；

其中，所述导电引线包括：

环绕在所述显示区周围的第一环状部，所述第一环状部与所述阴极导电层接触连接；

环绕在所述第一环状部周围的第二环状部，所述第二环状部与所述阴极电压连接端连接；

多个桥接部，每个所述桥接部均具有连接所述第一环状部的第一端和连接所述第二环状部的第二端；所述多个桥接部中，桥接部的第二端到所述阴极电压连接端的电阻值与桥接部在第一端与第二端之间的电阻值负相关。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，

所述多个桥接部中，桥接部的第二端到所述阴极电压连接端的电阻值与桥接部在第一端到第二端的方向上的长度负相关；

和/或，

所述多个桥接部中，桥接部的第二端到所述阴极电压连接端的电阻值与桥接部在第一端到第二端的垂直方向上的长度正相关。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，部分所述阴极导电层位于所述周边电路区内，所述第一环状部在厚度方向上的一侧的表面与所述阴极导电层在厚度方向上的一侧的表面相接触。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二环状部与所述阴极电压连接端接触连接；或者，

所述导电引线还包括至少一个引线部，所述至少一个引线部将所述第二环状部连接至所述阴极电压连接端。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述导电引线的每个部分的形成材料均是相同的。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述导电引线的每个部分的形成材料均是相同的，所述导电引线的每个部分在所述显示基板上的厚度均是相同的。

7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括栅极导电层，至少部分的所述导电引线与所述栅极导电层通过同一次掩膜工艺形成；和/或，

所述显示基板还包括源漏导电层，至少部分的所述导电引线与所述源漏导电层通过同一次掩膜工艺形成。

8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多个桥接部均位于所述第一环状部与所述第二环状部之间。

9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一环状部和/或第二环状部的形状为闭合的环形。

10.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阴极导电层布满所述显示区。

11.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述显示基板包括显示区和周边电路区，所述周边电路区环绕在所述显示区周围，所述制造方法包括：

形成包括阴极电压连接端和导电引线的图形，所述阴极电压连接端和所述导电引线均位于所述周边电路区内；

形成阴极导电层，至少部分所述阴极导电层位于所述显示区内；

其中，所述导电引线包括：

环绕在所述显示区周围的第一环状部，所述第一环状部与所述阴极导电层接触连接；

环绕在所述第一环状部周围的第二环状部，所述第二环状部与所述阴极电压连接端连接；

多个桥接部，每个所述桥接部均具有连接所述第一环状部的第一端和与连接所述第二环状部的第二端；所述多个桥接部中，桥接部的第二端到所述阴极电压连接端的电阻值与桥接部在第一端与第二端之间的电阻值负相关。

12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至10中任意一项所述的显示基板。