CN108075016A - 一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法 - Google Patents
一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108075016A CN108075016A CN201810070689.3A CN201810070689A CN108075016A CN 108075016 A CN108075016 A CN 108075016A CN 201810070689 A CN201810070689 A CN 201810070689A CN 108075016 A CN108075016 A CN 108075016A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solar cell
- silicon solar
- crystal silicon
- cell sheet
- component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 72
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 72
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 71
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 claims description 12
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 8
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000011712 cell development Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000009432 framing Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法，包括以下步骤：S1：先对晶体硅太阳能电池片进行检测，然后对检测后的晶体硅太阳能电池片进行标记；S2：根据S1中所述，将检测结果为优秀的晶体硅太阳能电池片挑选出来，然后进行串接；S3：根据S2中所述，先裁制EVA和TPT，然后再按照一定顺序对玻璃、EVA、TPT、串接好的晶体硅太阳能电池片进行敷设；S4：根据S3中所述，将敷设好的组件放入层压机中进行层压；S5：根据S4中所述，对层压完成后的组件进行固化。本发明制作流程完善，选择优秀的晶体硅太阳能电池片可以提高电池的利用率，从而提高组件的生产效率，且美观性大大增强。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池片组件的制造技术领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法。
背景技术
随着能源危机与环境污染的日益严重，作为一种清洁、高效和永不衰竭的可再生能源，太阳能的开发成为世界各国持续发展能源的战略决策；在太阳能的运用中，光伏发电因为其无噪音、免维护、无排放等优点逐渐得到普及；目前，在光伏发电中，晶硅电池由于其低成本、高效率、性能稳定、技术相对成熟仍是市场的主宰；但是随着市场竞争的加剧，晶硅电池想进一步稳固自己的地位，必须提高自己的效率，高转化效率成为晶体硅太阳电池的发展趋势；背接触型晶体硅电池片，由于其可以通过改变电池片电极位置和结构来降低前表面栅线及导电焊带的遮挡，成为当前提升电池片转换效率的重要途径之一。
专利号为CN103456843A的专利文件提供了一种背接触型晶体硅太阳能电池片组件的制作方法，并解决了背接触型晶体硅太阳能电池片组件制作过程中的电池片间移位、操作繁琐、组件正面焊带露出及局部电路不导通等问题，可有效提高生产效率，增强组件美观性，但是其制作过程不是很具体，且提高生产效率有限，美观性也不是很强，所以我们提出一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法，用于解决上述提出的问题。
发明内容
基于背景技术存在的技术问题，本发明提出了一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法。
本发明提出的一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法，包括以下步骤：
S1：先对晶体硅太阳能电池片进行检测，然后对检测后的晶体硅太阳能电池片进行标记；
S2：根据S1中所述，将检测结果为优秀的晶体硅太阳能电池片挑选出来，然后进行串接；
S3：根据S2中所述，先裁制EVA和TPT，然后再按照一定顺序对玻璃、EVA、TPT、串接好的晶体硅太阳能电池片进行敷设；
S4：根据S3中所述，将敷设好的组件放入层压机中进行层压；
S5：根据S4中所述，对层压完成后的组件进行固化；
S6：根据S5中所述，对固化完成后的组件进行装框，然后对装框完成的组件进行检测，并包装入库。
优选地，所述S1中，准备万用表，利用万用表对待测晶体硅太阳能电池片的电流和电压进行检测，并根据检测结果，对检测完成的晶体硅太阳能电池片进行分类并进行标记。
优选地，所述S2中，对标记的晶体硅太阳能电池片进行对比，并选取电流和电压都相对较大的晶体硅太阳能电池片作为组件的基体。
优选地，所述S2中，准备焊带，然后将焊带焊接在晶体硅太阳能电池片正面的主栅线上，接着再将多个晶体硅太阳能电池片串接成一个组件串，并将晶体硅太阳能电池片背面的负极与主栅线焊接在一起，最后在组件串的正负极上焊接出引线。
优选地，所述S3中，准备钢化玻璃，然后根据钢化玻璃的大小裁制EVA和TPT，且裁制的EVA和TPT要比钢化玻璃大。
优选地，所述S3中，将组件所需的材料按照从下到上的顺序进行放置，先将钢化玻璃放置在最下层、接着放置EVA、然后放置串接好的晶体硅太阳能电池片、最后放置TPT。
优选地，所述S4中，准备层压机，并将敷设好的组件放入层压机中进行层压，并在真空高温的条件下将各部分材料粘合成一个整体的层压件。
优选地，所述S4中，准备切刀，并利用切刀将层压后的组件周边所产生的毛边切除。
优选地，所述S6中，准备铝合金边框，并对固化后的组件安装铝合金边框，然后利用硅胶将层压件与铝合金边框相接触的部分进行密封。
优选地，所述S6中，对装框完成的组件分别进行型号、类别、清洁度、各种电性能的参数以及对组件优劣登记的判定和区分，然后将产品的信息进行记录和归纳，并将归纳结果在电脑中进行备份。
本发明的有益效果：
1、利用万用表对待测晶体硅太阳能电池片进行检测，并选出电流和电压都相对较大的晶体硅太阳能电池片，可以提高电池的利用率，做出质量合格的电池组件；
2、通过将组件所需的材料安装顺序进行放置，可以使得层压效果更好，并通过切刀将层压后组件周边的毛边切除，可以增加组件的美观性；
3、装框之后再对组件进行检测并记录，可以对组件的性能进行判定和区分，记录之后可以便于使用和后期查找以及后期的数据调用。
本发明制作流程完善，选择优秀的晶体硅太阳能电池片可以提高电池的利用率，从而提高组件的生产效率，且美观性大大增强。
附图说明
图1为本发明提出的一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法的工作流程图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步解说。
参照图1
本实施例中提出了一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法，包括以下步骤：
S1：先对晶体硅太阳能电池片进行检测，然后对检测后的晶体硅太阳能电池片进行标记；
S2：根据S1中所述，将检测结果为优秀的晶体硅太阳能电池片挑选出来，然后进行串接；
S3：根据S2中所述，先裁制EVA和TPT，然后再按照一定顺序对玻璃、EVA、TPT、串接好的晶体硅太阳能电池片进行敷设；
S4：根据S3中所述，将敷设好的组件放入层压机中进行层压；
S5：根据S4中所述，对层压完成后的组件进行固化；
S6：根据S5中所述，对固化完成后的组件进行装框，然后对装框完成的组件进行检测，并包装入库。
本实施例中，S1中，准备万用表，利用万用表对待测晶体硅太阳能电池片的电流和电压进行检测，并根据检测结果，对检测完成的晶体硅太阳能电池片进行分类并进行标记，S2中，对标记的晶体硅太阳能电池片进行对比，并选取电流和电压都相对较大的晶体硅太阳能电池片作为组件的基体，准备焊带，且焊带的长度约为晶体硅太阳能电池片边长的两倍，然后将焊带焊接在晶体硅太阳能电池片正面的主栅线上，接着再将多个晶体硅太阳能电池片串接成一个组件串，并将晶体硅太阳能电池片背面的负极与主栅线焊接在一起，最后在组件串的正负极上焊接出引线，S3中，准备钢化玻璃，并将钢化玻璃洗干净，然后在钢化玻璃上涂上一层试剂，以增加钢化玻璃与EVA之间的粘结度，接着根据钢化玻璃的大小裁制EVA和TPT，且裁制的EVA和TPT比钢化玻璃略大，将组件所需的材料按照从下到上的顺序进行放置，先将钢化玻璃放置在最下层、接着放置EVA、然后放置串接好的晶体硅太阳能电池片、最后放置TPT，S4中，准备层压机，并将敷设好的组件放入层压机中进行层压，并在真空高温的条件下将各部分材料粘合成一个整体的层压件，准备切刀，并利用切刀将层压后的组件周边所产生的毛边切除，S6中，准备铝合金边框，并对固化后的组件安装铝合金边框，然后利用硅胶将层压件与铝合金边框相接触的部分进行密封，然后再次检测组件的输出功率、电性能以及组件本身的质量，然后对检测完成的组件分别进行型号、类别、清洁度、各种电性能的参数以及对组件优劣登记的判定和区分，接着将产品的信息进行记录和归纳，并将归纳结果在电脑中进行备份，便于后期使用和查找，利用万用表对待测晶体硅太阳能电池片进行检测，并选出电流和电压都相对较大的晶体硅太阳能电池片，可以提高电池的利用率，做出质量合格的电池组件，通过将组件所需的材料安装顺序进行放置，可以使得层压效果更好，并通过切刀将层压后组件周边的毛边切除，可以增加组件的美观性，装框之后再对组件进行检测并记录，可以对组件的性能进行判定和区分，记录之后可以便于使用和后期查找以及后期的数据调用，本发明制作流程完善，选择优秀的晶体硅太阳能电池片可以提高电池的利用率，从而提高组件的生产效率，且美观性大大增强。
对比常规的晶体硅太阳能电池片组件的制作方法所制作的晶体硅太阳能电池片组件与实施例晶体硅太阳能电池片组件的制作方法所制作的晶体硅太阳能电池片组件，对比结果如下表：
由上述表格可知，本发明提出的一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法具有明显提高。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：先对晶体硅太阳能电池片进行检测，然后对检测后的晶体硅太阳能电池片进行标记；
S2：根据S1中所述，将检测结果为优秀的晶体硅太阳能电池片挑选出来，然后进行串接；
S3：根据S2中所述，先裁制EVA和TPT，然后再按照一定顺序对玻璃、EVA、TPT、串接好的晶体硅太阳能电池片进行敷设；
S4：根据S3中所述，将敷设好的组件放入层压机中进行层压；
S5：根据S4中所述，对层压完成后的组件进行固化；
S6：根据S5中所述，对固化完成后的组件进行装框，然后对装框完成的组件进行检测，并包装入库。
2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法，其特征在于，所述S1中，准备万用表，利用万用表对待测晶体硅太阳能电池片的电流和电压进行检测，并根据检测结果，对检测完成的晶体硅太阳能电池片进行分类并进行标记。
3.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法，其特征在于，所述S2中，对标记的晶体硅太阳能电池片进行对比，并选取电流和电压都相对较大的晶体硅太阳能电池片作为组件的基体。
4.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法，其特征在于，所述S2中，准备焊带，然后将焊带焊接在晶体硅太阳能电池片正面的主栅线上，接着再将多个晶体硅太阳能电池片串接成一个组件串，并将晶体硅太阳能电池片背面的负极与主栅线焊接在一起，最后在组件串的正负极上焊接出引线。
5.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法，其特征在于，所述S3中，准备钢化玻璃，然后根据钢化玻璃的大小裁制EVA和TPT。
6.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法，其特征在于，所述S3中，将组件所需的材料按照从下到上的顺序进行放置，先将钢化玻璃放置在最下层、接着放置EVA、然后放置串接好的晶体硅太阳能电池片、最后放置TPT。
7.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法，其特征在于，所述S4中，准备层压机，并将敷设好的组件放入层压机中进行层压，并在真空高温的条件下将各部分材料粘合成一个整体的层压件。
8.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法，其特征在于，所述S4中，准备切刀，并利用切刀将层压后的组件周边所产生的毛边切除。
9.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法，其特征在于，所述S6中，准备铝合金边框，并对固化后的组件安装铝合金边框，然后利用硅胶将层压件与铝合金边框相接触的部分进行密封。
10.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法，其特征在于，所述S6中，对装框完成的组件分别进行型号、类别、清洁度、各种电性能的参数以及对组件优劣登记的判定和区分，然后将产品的信息进行记录和归纳，并将归纳结果在电脑中进行备份。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810070689.3A CN108075016A (zh) | 2018-01-25 | 2018-01-25 | 一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810070689.3A CN108075016A (zh) | 2018-01-25 | 2018-01-25 | 一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108075016A true CN108075016A (zh) | 2018-05-25 |
Family
ID=62156966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810070689.3A Pending CN108075016A (zh) | 2018-01-25 | 2018-01-25 | 一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108075016A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115889205A (zh) * | 2021-09-23 | 2023-04-04 | 环晟光伏(江苏)有限公司 | 一种叠瓦电池片小条识别选取方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101478010A (zh) * | 2008-07-07 | 2009-07-08 | 山东科明太阳能光伏有限公司 | 双面光伏电池幕墙组件及其制作方法 |
| CN105762230A (zh) * | 2016-04-13 | 2016-07-13 | 湖南工程学院 | 一种太阳能光伏组件的制造方法 |
| CN106098837A (zh) * | 2016-06-06 | 2016-11-09 | 正信光电科技股份有限公司 | 光伏组件生产工艺 |
-
2018
- 2018-01-25 CN CN201810070689.3A patent/CN108075016A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101478010A (zh) * | 2008-07-07 | 2009-07-08 | 山东科明太阳能光伏有限公司 | 双面光伏电池幕墙组件及其制作方法 |
| CN105762230A (zh) * | 2016-04-13 | 2016-07-13 | 湖南工程学院 | 一种太阳能光伏组件的制造方法 |
| CN106098837A (zh) * | 2016-06-06 | 2016-11-09 | 正信光电科技股份有限公司 | 光伏组件生产工艺 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115889205A (zh) * | 2021-09-23 | 2023-04-04 | 环晟光伏(江苏)有限公司 | 一种叠瓦电池片小条识别选取方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102820352B (zh) | 一种晶体硅光伏组件及其制备方法 | |
| CN108172648B (zh) | 一种太阳能电池组件及其制备工艺 | |
| CN202049982U (zh) | 一种电池片串并联式的太阳能光伏组件 | |
| CN109301004A (zh) | 一种叠瓦光伏组件及制造方法 | |
| CN106784105A (zh) | 一种高抗机械载荷太阳能电池组件及其制作方法 | |
| CN103456843A (zh) | 一种背接触型晶体硅太阳能电池片组件的制作方法 | |
| CN103258888A (zh) | 一种mwt太阳能电池组件及其制备方法 | |
| CN109728131A (zh) | 一种高密度叠瓦组件的制备工艺 | |
| CN102751360A (zh) | 光伏组件及其制作方法 | |
| CN103915519B (zh) | 一种太阳能夹层玻璃及其制造方法 | |
| CN208352314U (zh) | 一种光伏电池串及光伏组件 | |
| CN202042501U (zh) | 一种导电胶带连接的太阳能电池组件 | |
| CN210040217U (zh) | 一种叠焊太阳能组件 | |
| CN106856213B (zh) | 一种适合规模化量产的导电背板及其制备方法 | |
| CN106098809A (zh) | 一种串并联式薄膜电池组件的制备方法 | |
| CN208806267U (zh) | 切片太阳能电池光伏组件 | |
| CN105914263B (zh) | 一种太阳能电池组件的封装工艺 | |
| CN207765460U (zh) | 一种太阳能电池组件 | |
| CN108075016A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池片组件的制作方法 | |
| CN202758916U (zh) | 一种epe隔离太阳能电池组件 | |
| CN202443990U (zh) | 太阳能电池片互联带 | |
| CN202871809U (zh) | 一种基于电池片单元的太阳光伏能组件 | |
| CN106558631B (zh) | 无主栅双面电池组件及其制作工艺 | |
| CN206040652U (zh) | 一种太阳能电池双玻组件 | |
| CN203983304U (zh) | 一种高效太阳能电池双玻组件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180525 |