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CN107611280A - 有机发光二极管基板及其制造方法 - Google Patents

有机发光二极管基板及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种有机发光二极管基板及其制造方法。有机发光二极管基板包括：设置在基底上像素定义层，以及设置在像素区域内的阳极、有机发光二极管OLED功能层和阴极，所述像素定义层包括依次叠设的第一像素定义层、辅助阴极和第二像素定义层，所述辅助阴极与所述阴极连接。本发明通过在两个像素定义层之间形成辅助阴极，在像素区域形成阴极，且阴极与辅助阴极连接，不仅有效改善了视角色偏问题，而且阴极电压分布均匀，具有较高的亮度均匀性，同时提高了OLED的透光性和导电性。

Description

有机发光二极管基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种有机发光二极管基板及其制造方法。
背景技术
在显示技术领域，液晶(Liquid Crystal Display，LCD)显示装置和有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示装置已经逐步取代CRT显示器。由于OLED显示装置具有亮度高、色彩饱和、轻薄、可弯曲和成本低等优点，有望成为继LCD显示技术之后的下一代平板显示技术，是平板显示技术中倍受关注的技术之一。有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)显示装置是OLED显示装置的一种，主要由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)和OLED构成。
按照出光方向，OLED基板可以分为三种：底发射OLED、顶发射OLED与双面发射OLED。具体的，底发射OLED中光从基板射出，顶发射OLED中光从顶部方向射出，双面发射OLED中光同时从基板和顶部射出。其中，与底发射OLED相比，顶发射OLED具有开口率高、色纯度高、容易实现高分辨率(Pixels per inch，PPI)等优点，因此成为目前主流的有机电致发光器件结构。
对于顶发射OLED，由于出光方向在阴极一侧，因此阴极的设计对显示性能有至关重要的影响。目前设计中，要求阴极具有较好的透光性和导电性，但同时满足透光性和导电性要求则存在较大的难度。例如，为了满足透光性要求，必然要求阴极的厚度较薄，但此时阴极的电阻较大，不仅会导致电压上升、功耗增大的问题，而且导致阴极上各处电压分布不均匀，出现亮度不均匀的问题。为了满足导电性要求，必然要求阴极的厚度较大，但此时阴极的透过率较低，会出现视角色偏问题。
因此，顶发射OLED结构设计中如何同时提高透光性和导电性，是本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种有机发光二极管基板及其制造方法，以同时提高透光性和导电性。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种有机发光二极管基板，包括：
设置在基底上像素定义层，以及设置在像素区域内的阳极、有机发光二极管OLED功能层和阴极，所述像素定义层包括依次叠设的第一像素定义层、辅助阴极和第二像素定义层，所述辅助阴极与所述阴极连接。
可选地，所述第一像素定义层的厚度为300～350nm，所述第一像素界定层边缘的坡度角和第二像素定义层边缘的坡度角为85°～90°。
可选地，所述阳极与所述辅助阴极同层设置且通过一次工艺形成。
可选地，所述阴极的厚度为6～10nm。
可选地，所述辅助阴极包括依次叠设的厚度为5～20nm的第一透明导电层、厚度为130～170nm的金属层和厚度为5～20nm的第二透明导电层。
可选地，所述OLED功能层包括厚度为dR的红色OLED功能层、厚度为dG的绿色OLED功能层、厚度为dB的蓝色OLED功能层，且：dB>dP1-dA1-dA2-dA3-dY；dR<dP1；dR>dG>dB；
其中，dP1为第一像素界定层图案的厚度，dA1为第一透明导电层的厚度，dA2为金属层的厚度，dA3为第二透明导电层的厚度，dY为阴极的厚度。
可选地，所述辅助阴极包括厚度为160～170nm的透明导电层。
可选地，所述OLED功能层包括厚度为dR的红色OLED功能层、厚度为dG的绿色OLED功能层、厚度为dB的蓝色OLED功能层，且：dB>dP1-dZ-dY；dR<dP1；dR>dG>dB；
其中，dP1为第一像素界定层图案的厚度，dZ为透明导电层的厚度，dY为阴极的厚度。
本发明实施例还提供了一种显示面板，包括前述的有机发光二极管基板。
为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种有机发光二极管基板的制造方法，包括：
在基底上形成第一像素定义层；
在所述第一像素定义层上形成辅助阴极，在所述第一像素定义层所限定的像素区域内形成阳极；
在所述辅助阴极上形成第二像素定义层；
在所述阳极上形成有机发光二极管OLED功能层和阴极，所述阴极与所述辅助阴极连接。
可选地，所述在基底上形成第一像素定义层，包括：沉积一像素界定薄膜，对所述像素界定薄膜进行曝光、显影和刻蚀，形成第一像素界定层；所述第一像素界定层的厚度为300nm～350nm，第一像素界定层边缘的坡度角为85°～90°。
可选地，所述在所述第一像素定义层上形成辅助阴极，在所述第一像素定义层所限定的像素区域内形成阳极，包括：
依次沉积厚度为5～20nm的第一透明导电层、厚度为130～170nm的金属层和厚度为5～20nm的第二透明导电层，在第一像素界定层所限定的像素区域形成阳极，在第一像素界定层上形成辅助阴极。
可选地，所述在所述第一像素定义层上形成辅助阴极，在所述第一像素定义层所限定的像素区域内形成阳极，包括：沉积厚度为160～170nm的透明导电层，在第一像素界定层所限定的像素区域形成阳极，在第一像素界定层上形成辅助阴极。
可选地，所述在所述阳极上形成有机发光二极管OLED功能层和阴极，所述阴极与所述辅助阴极连接，包括：
在所述阳极上形成OLED功能层；
在所述OLED功能层上形成厚度为6～10nm的阴极，所述阴极与所述辅助阴极连接。
可选地，所述在所述阳极上形成OLED功能层包括：
在所述阳极上分别形成厚度为dR的红色OLED功能层、厚度为dG的绿色OLED功能层、厚度为dB的蓝色OLED功能层，且：
dB>dP1-dA1-dA2-dA3-dY；dR<dP1；dR>dG>dB；或者，
dB>dP1-dZ-dY；dR<dP1；dR>dG>dB；
其中，dP1为第一像素界定层图案的厚度，dA1为第一透明导电层的厚度，dA2为金属层的厚度，dA3为第二透明导电层的厚度，dZ为透明导电层的厚度，dY为阴极的厚度。
本发明实施例提供了一种有机发光二极管基板及其制造方法，通过在两个像素定义层之间形成辅助阴极，在像素区域形成阴极，且阴极与辅助阴极连接，不仅有效改善了视角色偏问题，而且阴极电压分布均匀，具有较高的亮度均匀性，同时提高了OLED的透光性和导电性。
当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
图1为本发明实施例有机发光二极管基板的制备方法的流程图；
图2为本发明第一实施例形成第一像素定义层图案后的示意图；
图3为本发明第一实施例形成阳极和辅助阴极图案后的示意图；
图4为本发明第一实施例形成第二像素定义层图案后的示意图；
图5为本发明第一实施例形成OLED功能层和阴极图案后的示意图；
图6为图5结构中像素区域的放大图；
图7为本发明第一实施例形成封装层图案后的示意图；
图8为本发明第二实施例有机发光二极管基板的结构示意图。
附图标记说明:
11—基底； 12—驱动结构层； 13—第一像素界定层；
14—阳极； 15—辅助阴极； 16—第二像素定义层；
17—OLED功能层； 18—阴极； 19—封装层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
为了同时提高顶发射OLED的透光性和导电性，本申请实施例提供了一种有机发光二极管基板的制造方法。图1为本发明实施例有机发光二极管基板的制备方法的流程图。如图1所示，有机发光二极管基板的制备方法包括：
S1、在基底上形成第一像素定义层；
S2、在所述第一像素定义层上形成辅助阴极，在所述第一像素定义层所限定的像素区域内形成阳极；
S3、在所述辅助阴极上形成第二像素定义层；
S4、在所述阳极上形成有机发光二极管OLED功能层和阴极，所述阴极与辅助阴极连接。
其中，步骤S1包括：沉积一像素界定薄膜，对所述像素界定薄膜进行曝光、显影和刻蚀，形成第一像素界定层，所述第一像素界定层的厚度为300nm～350nm，第一像素界定层边缘的坡度角为85°～90°。
在一个实施例中，步骤S2包括：依次沉积厚度为5～20nm的第一透明导电层、厚度为130～170nm的金属层和厚度为5～20nm的第二透明导电层，在第一像素界定层所限定的像素区域形成阳极，在第一像素界定层上形成辅助阴极。
在另一个实施例中，步骤S2包括：沉积厚度为160～170nm的透明导电层，在第一像素界定层所限定的像素区域形成阳极，在第一像素界定层上形成辅助阴极。
其中，步骤S3包括：沉积一像素界定薄膜，对所述像素界定薄膜进行曝光、显影和刻蚀，形成第二像素界定层，所述第二像素界定层边缘的坡度角为85°～90°，第二像素界定层在基底上的正投影与第一像素界定层在基底上的正投影重叠。
其中，步骤S4包括：
S41、在所述像素区域内形成有机发光二极管OLED功能层，所述OLED功能层包括功能层和有机发光层；
S42、在所述OLED功能层上形成阴极，所述阴极与辅助阴极连接。
其中，步骤S41包括：在所述像素区域内依次形成厚度为dR的红色OLED功能层、厚度为dG的绿色OLED功能层、厚度为dB的蓝色OLED功能层；且：
dB>dP1-dA1-dA2-dA3-dY；dR<dP1；dR>dG>dB；或者，
dB>dP1-dZ-dY；dR<dP1；dR>dG>dB。
其中，dP1为第一像素界定层图案的厚度，dA1为第一透明导电层的厚度，dA2为金属层的厚度，dA3为第二透明导电层的厚度，dZ为透明导电层的厚度，dY为阴极的厚度。
其中，步骤S42包括：在所述OLED功能层上形成厚度为6～10nm的阴极，所述阴极与辅助阴极连接。
本发明实施例所提供的有机发光二极管基板的制备方法，在两个像素定义层之间形成较厚的辅助阴极，在像素区域形成的较薄的阴极，且阴极与辅助阴极连接，不仅有效改善了视角色偏问题，而且阴极电压分布均匀，具有较高的亮度均匀性。
下面通过有机发光二极管基板的制备过程进一步说明本发明实施例的技术方案。本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是现有成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。
第一实施例
图2～7为本发明第一实施例制备有机发光二极管基板的示意图。下面结合图2～7对本实施例有机发光二极管基板的制备方法进行详细说明。
(1)通过构图工艺在基底11上形成驱动结构层12图案。本实施例中，驱动结构层12包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，驱动结构层的结构和制备过程与现有制备过程相同。例如，制备过程可以包括：先对基底进行清洗，然后通过构图工艺在基底上依次制备栅电极、绝缘层、有源层、源漏电极和平坦层。基底的材料可以采用玻璃、石英、聚对苯二甲酸乙二醇脂(Polyethylene Terephthalate，PET)或经表面处理的聚合物软膜等，薄膜晶体管可以是底栅结构，也可以是顶栅结构，可以是非晶硅(a-Si)薄膜晶体管，也可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管或氧化物(Oxide)薄膜晶体管，在此不做具体的限定。
(2)在形成前述图案的基底上形成第一像素定义层图案。形成第一像素定义层图案包括：在形成前述图案的基底上沉积一像素界定薄膜，采用单色调掩膜版对像素界定薄膜进行曝光显影，经刻蚀后形成第一像素界定层13图案，第一像素界定层13图案边缘的坡度角为85°～90°，如图2所示。第一像素定义层13图案用于限定多个露出发光区域的像素区域。本实施例中，第一像素界定层图案边缘的坡度角是指第一像素界定层图案边缘与基底的夹角。
本实施例中，像素界定薄膜可以采用聚酰亚胺或亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯，可以采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)方式，所形成的第一像素界定层13图案的厚度dP1为300nm～350nm，优选地，第一像素界定层13的厚度dP1为330nm。曝光显影后，可以采用干法刻蚀工艺，利用干法刻蚀工艺刻蚀精度高的特点，控制第一像素定义层图案边缘的坡度角。
(3)在形成前述图案的基底上形成阳极和辅助阴极图案。形成阳极和辅助阴极图案包括：在形成前述图案的基底上依次沉积第一透明导电层、金属层和第二透明导电层，在第一像素界定层13所限定的像素区域内形成阳极14图案，在第一像素界定层13上形成辅助阴极15图案，如图3所示。其中，阳极14和辅助阴极15的结构层相同，包括依次叠设的第一透明导电层、金属层和第二透明导电层。
由于在形成第一像素界定层13图案时，第一像素界定层13图案的表面与边缘之间的夹角接近于直角，即第一像素界定层的边缘轮廓线几乎垂直于上表面和基底，因此沉积的透明导电层和金属层在像素界定层的边缘出现断裂，使第一像素界定层之上的导电层和第一像素界定层所限定的像素区域内的导电层相互隔离，在像素区域内形成阳极14图案，在第一像素界定层上形成辅助阴极15图案。
本实施例中，第一透明导电层、金属层和第二透明导电层可以采用溅射(Sputter)方式依次沉积，第一透明导电层的厚度dA1为5～20nm，金属层的厚度dA2为130～170nm、第二透明导电层的厚度dA3为5～20nm。优选地，第一透明导电层的厚度dA1为5～10nm，金属层的厚度dA2为150nm、第二透明导电层的厚度dA3为5～10nm。第一透明导电层和第二透明导电层可以采用铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)或铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)等材料，金属层可以是镁Mg、银Ag、铝Al、铜Cu、锂Li等金属材料的一种，或上述金属材料的合金，如镁合金MgxAg(1-x)，锂合金LixAl(1-x)、LixCa(1-x)、LixAg(1-x)等。
(4)在形成前述图案的基底上形成第二像素定义层16图案，第二像素定义层16图案与第一像素定义层13图案相同，即第二像素界定层16在基底11上的正投影与第一像素界定层13在基底11上的正投影重叠，如图4所示。本实施例中，形成第二像素定义层的方式与形成第一像素定义层的方式相同，这里不再赘述。
(5)在形成前述图案的基底上形成OLED功能层17和阴极18图案。其中，OLED功能层17和阴极18图案均形成在第一像素定义层13和第二像素定义层16图案所限定的像素区域内，且阴极18与辅助阴极15连接，如图5所示。优选地，阴极18与辅助阴极15的金属层连接。阴极18的厚度为6～10nm。优选地，阴极18的厚度为8nm。本实施例中，制备OLED功能层和发光层可以采用涂覆、旋涂或喷墨打印方式，制备阴极可以采用真空蒸镀方式。
本实施例中，OLED功能层17包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、有机发光层(EML)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)，有机发光层包括红色发光层(REML)、绿色发光层(GEML)和蓝色发光层(BEML)。在实际实施时，OLED功能层的结构也可以采用其它结构形式，发光层也可以由其它颜色的发光层组成，在此不做具体限定。阴极可以是镁Mg、银Ag、铝Al、铜Cu、锂Li等金属材料的一种，或上述金属材料的合金，如镁合金MgxAg(1-x)，锂合金LixAl(1-x)、LixCa(1-x)、LixAg(1-x)等。
本实施例中，为了实现阴极18与辅助阴极15连接，OLED功能层中各膜层厚度需要满足相关条件。图6为图5结构中像素区域的放大图，示意出各膜层结构的厚度。其中，dP1为第一像素界定层图案的厚度，dY为阴极的厚度，阳极14的厚度和辅助阴极15的厚度dZ均为dA1+dA2+dA3，dA1为第一透明导电层的厚度，dA2为金属层的厚度，dA3为第二透明导电层的厚度。dR、dG、dB分别为红色、绿色、蓝色OLED功能层的厚度，红色OLED功能层厚度dR＝空穴注入层HIL厚度+空穴传输层HTL厚度+电子阻挡层EBL厚度+红色发光层REML厚度+空穴阻挡层HBL厚度+电子传输层ETL厚度+电子注入层EIL厚度；绿色OLED功能层厚度dG＝空穴注入层HIL厚度+空穴传输层HTL厚度+电子阻挡层EBL厚度+绿色发光层GEML厚度+空穴阻挡层HBL厚度+电子传输层ETL厚度+电子注入层EIL厚度；蓝色OLED功能层厚度dB＝空穴注入层HIL厚度+空穴传输层HTL厚度+电子阻挡层EBL厚度+蓝色发光层BEML厚度+空穴阻挡层HBL厚度+电子传输层ETL厚度+电子注入层EIL厚度。
本实施例中，各膜层需要满足下述条件：
①dZ+dB+dY>dP1；
即dB>dP1-dZ-dY＝dP1-dA1-dA2-dA3-dY。
②dZ+dR<dP1+dZ，即dR<dP1。
③dR>dG>dB。
优选地，各膜层需要满足下述条件：
①dZ+dB>dP1，即dB>dP1-dZ＝dP1-dA1-dA2-dA3。
②dZ+dR+dY<dP1+dZ，即dR<dP1-dY。
③dR>dG>dB。
进一步优选地，为了实现阴极18与辅助阴极15中的金属层连接，各膜层需要满足下述条件：
①dZ+dB>dP1+dA1，即dB>dP1+dA1-dZ＝dP1-dA2-dA3。
②dZ+dR+dY<dP1+dA1+dA2，即dR<dP1+dA1+dA2-dZ-dY＝dP1-dA3-dY。
③dR>dG>dB。
在实际实施时，本实施例各膜层的厚度可以按照下表设计：
红色、绿色、蓝色发光层的厚度可以按照下表设计：
(6)在形成前述图案的基底上涂覆封装材料，形成封装层19，如图7所示。
实际实施时，还可以在阴极上形成光取出层(CPL)，光取出层的厚度为50～70nm。优选地，光取出层的厚度为60nm。
通过上述制备流程可以看出，本实施例有机发光二极管基板的结构是在两个像素定义层之间形成较厚的辅助阴极，在像素区域形成的较薄的阴极，且阴极与辅助阴极连接。由于像素区域的阴极较薄，因而透过率高，有效改善了视角色偏问题；由于两个像素定义层之间的辅助阴极较厚，电阻较小，不仅避免了电压上升、功耗增大的问题，而且使得各像素区域的阴极电压分布均匀，具有较高的亮度均匀性。现有结构中，阴极通常为一整体薄膜结构，由于薄膜较薄，电阻较大，因此外围驱动电路需要施加较高的电压才能保证位于中部显示区域的阴极的电压，且因像素区域的位置不同，各阴极上的电压也不同，造成电压分布不均匀。本实施例通过设置辅助阴极，较厚的辅助阴极起到了传输线的作用，将外围驱动电路的电压引导到每个阴极附近再传输给阴极，因而各阴极上的电压完全相同，电压分布均匀，具有较高的亮度均匀性，同时避免了电压上升、功耗增大的问题。由于设置了起到传输线作用的辅助阴极，因而可以将阴极设计的很薄，最大限度地提高透光性，最大限度地改善视角色偏问题。因此，与现有结构相比，本实施例同时提高了OLED的透光性和导电性。
在本实施例中，虽然需要分二次制备像素定义层，但只需采用一个掩膜版，其它膜层的制备与现有技术相近，因此本实施例制备方法对现有工艺修改较小，工艺简单，便于实施，具有较好的应用前景。
本实施例制备方法所制备的有机发光二极管基板包括：
基底11；
设置在基底11上的驱动结构层12；
设置在驱动结构层12上用于限定像素区域的像素界定层，所述像素界定层包括依次叠设的第一像素界定层13、辅助阴极15和第二像素定义层16；
设置在像素区域内的阳极14；
设置在阳极14上的OLED功能层17；
设置在OLED功能层17上的阴极18，阴极18与辅助阴极15连接；
覆盖上述图案的封装层19。
其中，阳极14和辅助阴极15结构层相同，均包括依次叠设的厚度为5～20nm的第一透明导电层、厚度为130～170nm的金属层和厚度为5～20nm的第二透明导电层。优选地，阳极14与辅助阴极15同层设置且通过一次工艺形成，阴极18与辅助阴极15的金属层连接。
其中，第一像素定义层的厚度为300nm～350nm，第一像素界定层13和第二像素定义层16边缘的坡度角为85°～90°，阴极的厚度为6～10nm。
其中，所述OLED功能层包括厚度为dR的红色OLED功能层、厚度为dG的绿色OLED功能层、厚度为dB的蓝色OLED功能层，且：dB>dP1-dA1-dA2-dA3；dR<dP1；dR>dG>dB；
其中，dP1为第一像素界定层图案的厚度，dA1为第一透明导电层的厚度，dA2为金属层的厚度，dA3为第二透明导电层的厚度。
在实际实施时，驱动结构层包括设置在基底上的薄膜晶体管，薄膜晶体管的漏电极电连接阳极，通过栅扫描信号逐行打开每行的薄膜晶体管，由薄膜晶体管传输数据电压至阳极，阳极与阴极配合形成驱动有机发光层发光的电压差，实现自主发光。
第二实施例
图8为本发明第二实施例有机发光二极管基板的结构示意图。本实施例有机发光二极管基板的主体结构与前述第一实施例相同，所不同的是，本实施例阳极14和辅助阴极15仅由一透明导电层形成，透明导电层的厚度为140～210nm。优选地，透明导电层的厚度为160～170nm。
本实施例制备有机发光二极管基板的过程也与前述第一实施例相近，所不同的是，在制备第一像素界定层图案后，采用溅射方式沉积透明导电层，在像素区域内形成阳极14图案，在第一像素界定层上形成辅助阴极15图案，阳极14和辅助阴极15仅包括透明导电层。
有关各膜层的材料、厚度以及各膜层厚度关系，参见前述第一实施例，这里不再赘述。
本实施例制备方法所制备的有机发光二极管基板包括：
基底11；
设置在基底11上的驱动结构层12；
设置在驱动结构层12上用于限定像素区域的像素界定层，所述像素界定层包括依次叠设的第一像素界定层13、辅助阴极15和第二像素定义层16；
设置在像素区域内的阳极14；
设置在阳极14上的OLED功能层17；
设置在OLED功能层17上的阴极18，阴极18与辅助阴极15连接；
覆盖上述图案的封装层19。
其中，阳极14和辅助阴极15结构层相同，均包括厚度为140～210nm的透明导电层。优选地，阳极14与辅助阴极15同层设置且通过一次工艺形成。
其中，第一像素定义层的厚度为300nm～350nm，第一像素界定层13和第二像素定义层16边缘的坡度角为85°～90°，阴极的厚度为6～10nm。
其中，OLED功能层包括厚度为dR的红色OLED功能层、厚度为dG的绿色OLED功能层、厚度为dB的蓝色OLED功能层，且：dB>dP1-dZ-dY；dR<dP1；dR>dG>dB；
其中，dP1为第一像素界定层图案的厚度，dZ为透明导电层的厚度，dY为阴极的厚度。
第三实施例
本发明实施例还提供了一种显示面板，显示面板为顶发射结构，包括前述实施例的有机发光二极管基板。显示面板可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
进一步地，本发明实施例还提供了一种显示装置，显示装置包括前述的显示面板。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (15)

1.一种有机发光二极管基板，其特征在于，包括：
设置在基底上像素定义层，以及设置在像素区域内的阳极、有机发光二极管OLED功能层和阴极，所述像素定义层包括依次叠设的第一像素定义层、辅助阴极和第二像素定义层，所述辅助阴极与所述阴极连接。
2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第一像素定义层的厚度为300～350nm，所述第一像素界定层边缘的坡度角和第二像素定义层边缘的坡度角为85°～90°。
3.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述阳极与所述辅助阴极同层设置且通过一次工艺形成。
4.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述阴极的厚度为6～10nm。
5.根据权利要求1～4任一所述的基板，其特征在于，所述辅助阴极包括依次叠设的厚度为5～20nm的第一透明导电层、厚度为130～170nm的金属层和厚度为5～20nm的第二透明导电层。
6.根据权利要求5所述的基板，其特征在于，所述OLED功能层包括厚度为dR的红色OLED功能层、厚度为dG的绿色OLED功能层、厚度为dB的蓝色OLED功能层，且：dB>dP1-dA1-dA2-dA3-dY；dR<dP1；dR>dG>dB；
其中，dP1为第一像素界定层图案的厚度，dA1为第一透明导电层的厚度，dA2为金属层的厚度，dA3为第二透明导电层的厚度，dY为阴极的厚度。
7.根据权利要求1～4所述的基板，其特征在于，所述辅助阴极包括厚度为160～170nm的透明导电层。
8.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，所述OLED功能层包括厚度为dR的红色OLED功能层、厚度为dG的绿色OLED功能层、厚度为dB的蓝色OLED功能层，且：dB>dP1-dZ-dY；dR<dP1；dR>dG>dB；
其中，dP1为第一像素界定层图案的厚度，dZ为透明导电层的厚度，dY为阴极的厚度。
9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～8任一所述的有机发光二极管基板。
10.一种有机发光二极管基板的制造方法，其特征在于，包括：
在基底上形成第一像素定义层；
在所述第一像素定义层上形成辅助阴极，在所述第一像素定义层所限定的像素区域内形成阳极；
在所述辅助阴极上形成第二像素定义层；
在所述阳极上形成有机发光二极管OLED功能层和阴极，所述阴极与所述辅助阴极连接。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述在基底上形成第一像素定义层，包括：沉积一像素界定薄膜，对所述像素界定薄膜进行曝光、显影和刻蚀，形成第一像素界定层；所述第一像素界定层的厚度为300nm～350nm，第一像素界定层边缘的坡度角为85°～90°。
12.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一像素定义层上形成辅助阴极，在所述第一像素定义层所限定的像素区域内形成阳极，包括：
依次沉积厚度为5～20nm的第一透明导电层、厚度为130～170nm的金属层和厚度为5～20nm的第二透明导电层，在第一像素界定层所限定的像素区域形成阳极，在第一像素界定层上形成辅助阴极。
13.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一像素定义层上形成辅助阴极，在所述第一像素定义层所限定的像素区域内形成阳极，包括：沉积厚度为160～170nm的透明导电层，在第一像素界定层所限定的像素区域形成阳极，在第一像素界定层上形成辅助阴极。
14.根据权利要求10～13任一所述的制备方法，其特征在于，所述在所述阳极上形成有机发光二极管OLED功能层和阴极，所述阴极与所述辅助阴极连接，包括：
在所述阳极上形成OLED功能层；
在所述OLED功能层上形成厚度为6～10nm的阴极，所述阴极与所述辅助阴极连接。
15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述在所述阳极上形成OLED功能层包括：
在所述阳极上分别形成厚度为dR的红色OLED功能层、厚度为dG的绿色OLED功能层、厚度为dB的蓝色OLED功能层，且：
dB>dP1-dA1-dA2-dA3-dY；dR<dP1；dR>dG>dB；或者，
dB>dP1-dZ-dY；dR<dP1；dR>dG>dB；
其中，dP1为第一像素界定层图案的厚度，dA1为第一透明导电层的厚度，dA2为金属层的厚度，dA3为第二透明导电层的厚度，dZ为透明导电层的厚度，dY为阴极的厚度。
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