CN107378255B - 一种激光加工晶圆的方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种激光加工晶圆的方法及装置，所述方法包括：向晶圆上表面Low‑K层发射一检测光束；获取检测光束的反射光；根据所述反射光得出晶圆上表面Low‑K层的表面均匀度的改变信息，并按所述表面均匀度的改变信息调整激光光束对晶圆上表面Low‑K层进行刻蚀。本发明能够通过一检测光束实现对所述晶圆上表面Low‑K层的表面均匀度的检测；进而根据所述晶圆上表面Low‑K层的表面均匀度实时调整用于加工晶圆上表面Low‑K层的激光光束，提高了所述激光加工的精度和分离晶圆的均匀性作用。
Description
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种激光加工晶圆的方法及装置。
背景技术
近年来，随着半导体器件特征尺寸的不断减小以及芯片集成度的不断提高，金属互连线之间、多层布线之间的寄生电容以及金属导线的电阻急剧增大，导致了RC延迟、功耗增加等一系列问题，限制了高速电子元器件的发展。当器件特征尺寸小于90nm后，晶圆必须使用低介电常数材料来代替传统的SiO2层(K＝3.9～4.2)，常用的Low-K材料有道康宁公司的FOx及多孔SiLK材料、应用材料公司的黑金刚石系列低K薄膜材料、Novellus System的CORAL、英特尔的CDO以及NEC公司的FCN+有机层等等。
Low-K材料的使用也带来了一些问题。不论是机械强度还是粘附性，Low-K材料都远远不如SiO2，这对划片工艺提出了挑战。最为常见的问题是，在划片过程中由于较低的机械强度及粘附力，使得Low-K材料粘连在划片刀上，这不仅降低了划片的效率，同时也带来了绝缘层从金属层表面被剥离以及产生碎屑并扩散到其它功能区域等严重影响良率的后果。激光加工具有非接触、精度高、适用材料范围广、加工路径灵活可控等优点，是用来对晶圆划片以及解决上述问题的有力方案。据了解，苹果公司已经强制要求供应商提供的晶圆必须采用激光切割Low-K材料的工艺(即：Laser Grooving工艺)，这使得封测厂对此类工艺技术及设备的需求大为提升。严格地说，激光束不是“切割”Low-K材料，而是依靠激光能量产生的高温融化金属层及层间介质层，这样的激光切割产生械应力很小，因而不会发生分层或剥离等问题。另外，滨松光子学株式会社还发明了“隐形切割”的技术，这种技术是利用对晶圆具有透射性波长的激光聚焦在晶圆内部形成改质层，再借助外力使晶圆沿着改质层裂开为单独的芯片。利用隐形切割技术，可以避免在划片过程中产生碎屑对芯片功能区造成污染，但是当晶圆上面覆盖有隔离层或其它功能层时，这将会影响激光的透过，从而影响改质层的形成。因此，在使用隐形切割时，也应首先使用激光去除晶圆上表面Low-K层等材料。
但是，当晶圆上覆盖有Low-K介电层后，由介电层厚度的不均匀会导致激光加工效果不均匀的情况，从而影响了加工的质量。
发明内容
本发明提供的激光加工晶圆的方法及装置，能够通过一检测光束实现对所述晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的检测；进而根据所述晶圆上表面Low-K层的表面均匀度实时调整用于加工晶圆上表面Low-K层的激光光束，提高了所述激光加工的精度和分离晶圆的均匀性作用。
第一方面，本发明提供一种激光加工晶圆的方法，包括：
向晶圆上表面Low-K层发射一检测光束；
获取检测光束的反射光；
根据所述反射光得出晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息，并按所述表面均匀度的改变信息调整激光加工光束对晶圆上表面Low-K层进行刻蚀。
可选地，所述根据所述反射光得出晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息，包括：
根据所述反射光的反射率变化计算得出所述晶圆上表面Low-K层的厚度改变信息；
根据所述厚度改变信息确定晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息。
可选地，所述检测光束倾斜射入所述晶圆上表面Low-K层，并且所述检测光束与所述晶圆上表面Low-K层之间所形成的夹角为倾斜角。
可选地，所述倾斜角和反射率分别与不同Low-K材料厚度改变信息相对应，其对应关系储存在控制器中。
可选地，在根据所述反射光得出晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息之后，还包括：
获取激光加工光束的光束阵列信息；
根据所述均匀度的改变信息和光束阵列信息确定光斑组合的拓扑图案分布信息；
按所述拓扑图案分布信息对所述激光加工光束进行整形处理并形成具有所述拓扑图案分布的光斑组合。
可选地，所述激光加工光束包括至少两个激光子光束且由所述激光子光束形成光束阵列，并通过将各激光子光束分别进行整形处理为方形平顶光斑，圆形平顶光斑，矩形平顶光斑，椭圆形平顶光斑或可定制形多边形平顶光斑。
可选地，在根据所述反射光得出晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息之后，还包括：
根据所述均匀度的改变信息确定激光加工光束的光强度。
第二方面，本发明提供一种激光加工晶圆的装置，包括：
激光器，用于发射激光光束；
分束器，用于将激光光束分为检测光束和激光加工光束，其中，所述检测光束用于发射至晶圆上表面Low-K层；所述激光加工光束用于对晶圆上表面Low-K层进行刻蚀；
检测构件，用于获取检测光束的反射光；
控制器，用于根据所述反射光得出晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息，并按所述表面均匀度的改变信息调整激光加工光束对晶圆上表面Low-K层进行刻蚀。
可选地，所述装置还包括：
整形元件，用于按所述拓扑图案分布信息对所述激光加工光束进行整形处理并形成具有所述拓扑图案分布的光斑组合。
可选地，所述装置还包括：
微调元件，用于根据所述均匀度的改变信息确定激光加工光束的光强度。
可选地，所述微调单元为光强调整器件，或相控型硅基液晶，或偏振控制器，或声光调制器，或电光调制器。
本发明实施例提供的激光加工晶圆的方法及装置解决了由于晶圆上表面Low-K层为透明材质，因此无法直接测量所述晶圆上表面Low-K层的表面均匀度问题，本实施例中主要是通过检测所述晶圆上表面Low-K层的厚度改变信息，进而将所述厚度改变信息通过算法进行计算得出所述晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息，其中，所述厚度改变信息与表面均匀度的改变信息相对应，其对应关系存储在控制器内。本实施例所述方法一方面能够通过一检测光束和检测构件即可实现对所述晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的检测；另一方面，本实施例所述方法能够根据所述晶圆上表面Low-K层的表面均匀度实时调整用于加工晶圆上表面Low-K层的激光加工光束，提高了所述激光加工的精度和分离晶圆的均匀性作用。
附图说明
图1为本发明一实施例激光加工晶圆的方法的流程图；
图2为本发明另一实施例激光加工晶圆的方法的流程图；
图3为本实施例一实施例中拓扑图案分布的示意图；
图4为本实施例另一实施例中拓扑图案分布的示意图；
图5为本实施例另一实施例中拓扑图案分布的示意图；
图6为本发明一实施例激光加工晶圆的装置的结构示意图；
图7为本发明另一实施例激光加工晶圆的装置的结构示意图；
图8为本发明一实施例检测光束示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种激光加工晶圆的方法，如图1所示，所述方法包括：
S21、向晶圆上表面Low-K层发射一检测光束；
S22、获取检测光束的反射光；
S23、根据所述反射光得出晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息，并按所述表面均匀度的改变信息调整激光加工光束对晶圆上表面Low-K层进行刻蚀。
本发明实施例提供的激光加工晶圆的方法解决了由于晶圆上表面Low-K层为透明材质，因此无法直接测量所述晶圆上表面Low-K层的表面均匀度问题，本实施例中主要是通过检测所述晶圆上表面Low-K层的厚度改变信息，进而将所述厚度改变信息通过算法进行计算得出所述晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息，其中，所述厚度改变信息与表面均匀度的改变信息相对应，其对应关系存储在控制器内。本实施例所述方法一方面能够通过一检测光束和检测构件即可实现对所述晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的检测；另一方面，本实施例所述方法能够根据所述晶圆上表面Low-K层的表面均匀度实时调整用于加工晶圆上表面Low-K层的激光加工光束，提高了所述激光加工的精度和分离晶圆的均匀性作用。
可选地，如图2所示，所述根据所述反射光得出晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息，包括：
根据所述反射光的反射率变化计算得出所述晶圆上表面Low-K层的厚度改变信息；
根据所述厚度改变信息确定晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息。
具体的，本实施例中所述晶圆包括基材和晶圆上表面Low-K层，因此，所述检测光束射入所述晶圆上表面Low-K层33后，并经基材34表面反射至晶圆上表面Low-K层，最后由所述晶圆上表面Low-K层射出并形成反射光。由于，所述晶圆上表面Low-K层的厚度不均匀，因此导致所述晶圆上表面Low-K层的表面不均匀，同时，所述检测光束经不同厚度的晶圆上表面Low-K层反射后所形成的反射光光程不同，进而对应不同的反射率。
综上所述，所述方法首先通过反射率确定所述晶圆上表面Low-K层的厚度改变信息，然后由厚度改变信息确定所述晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息；并且，还能够根据所述表面均匀度的改变信息和基材34表面信息重构所述晶圆上表面晶圆上表面Low-K层的表面情况。
可选地，所述检测光束倾斜射入所述晶圆上表面Low-K层，并且所述检测光束与所述晶圆上表面Low-K层之间所形成的夹角为倾斜角。
可选地，所述倾斜角和反射率分别与不同Low-K材料厚度改变信息相对应，其对应关系储存在控制器中。
具体的，本实施例中所述激光光束经过分束器21分出一检测光束后，所述检测光束经反射镜31反射并倾斜射入所述晶圆上表面Low-K层，其中，由于基材34表面对不同角度射入的检测光束在所述晶圆上表面Low-K层的所经光程不同，因此，为了能够更加精确的获得所述晶圆上表面Low-K层的厚度改变信息，需要通过所述反射光的反射率和倾斜角进行确定。例如，如图8所示本实施例中激光光束在介质中传播时，入射的强度为I0，则出射强度I＝I0e-al，其中a为材料的吸收系数，l为激光光束在介质中传播的长度。在给定材料的情况下，出射光的强度与激光光束在介质中传播的长度相关。当所使用的Low-K层折射率为n时，入射角与出射角满足如下关系而激光光束在Low-K内部传播的距离为根据已知的入射光强度、测量得到的出射光强度以及倾斜角，可以得到材料厚度信息
可选地，在根据所述反射光得出晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息之后，还包括：
获取激光加工光束的光束阵列信息；
根据所述均匀度的改变信息和光束阵列信息确定光斑组合的拓扑图案分布信息；
按所述拓扑图案分布信息对所述激光加工光束进行整形处理并形成具有所述拓扑图案分布的光斑组合。
具体的，如图3-5所示，本实施例所述方法为了能够更加精确的加工所述晶圆上表面Low-K层，使得晶圆分离更加均匀，因此，本实施例中根据所述晶圆上表面Low-K层的均匀度的改变信息匹配最佳的拓扑图案分布，通过将均匀度的改变信息与划片的激光加工光束能量分布进行优化匹配，使得在晶圆上表面形成的凹槽更加均匀，热影响区更小且均一性更高，进而提高在晶圆上表面的激光加工效果。例如，当所述晶圆上表面Low-K层中切割道中部较厚、两边较薄，则可采用“H”形拓扑图案，或由一大椭圆光斑和一小椭圆光斑纵向排布的拓扑图案；当中部较薄、两边较厚时，则可采用“工”形拓扑图案。
其中，如图3所示，所述“H”形拓扑图案所采用的整形元件为定制化的“H”型方形整形元件，并配合凸透镜可以实现“H”型阵列方形平顶光斑加工效果。一方面，由于激光器对所述Low-K层产生较大的热影响效果，可能导致Low-K层的热胀冷缩效应使得加工精度降低，并且热效应的扩散也有可能损坏晶圆的有效区域，从而降低产品合格率。因此将激光加工光束定制化的分束成“H”型阵列光斑组合。使得预定切割道边缘的加工热效应更多的向加工槽中间扩散，即保留了加工效率，又有效的控制了产品损坏情况。并且，在切割道的中间区域保留了一束子光斑的加工效果，可以对中间一部分区域实现等一定的刻蚀效果。因此，还能够在随后的刀片开槽处理中极大的减小剩余low-k材料对刀片的阻力，并且位于最中心的射光刻蚀的沟道能有效的将束缚住刀片的运动轨迹，从而提高刀片运行精度。另一方面，所述“H”型阵列光斑组合能够在预定切割道边缘的加工热效应更多的向加工槽中间扩散，进而对中间部分的加工效果更好，能够刻蚀更多，进而提高了所述激光加工的精确和良品率。
同时，如图5所示，所述激光加工光束分为两束激光子光束。其中前一激光子光束能量远远大于后面的激光子光束。本实施例所述方法中一方面能够将前一束激光子光束主要用于激光开槽，而后一束激光子光束占有总激光的20-30％，被用来去除槽底的碎屑，优化槽形结构。这样的分束效果可以在最大限度的保证加工效率的同时，对槽形实现进一步的改善，从而避免后续的机械切割时，可能出现的剩余Low-K材料被粘附于刀片上，并飞溅到晶圆的有效区域，影响了产品良率。
另一方面，由于椭圆形光斑的能量主要是集中于中心，因此能够对中部刻蚀更多，保证中部较高的部分全部刻蚀，进而提高了所述激光加工的精确和切割均匀度。
另外，如图4所示，所述激光加工光束分束成为“工”型阵列光斑并实现整形的加工效果图。所用整形元件为定制化的“工”型方形整形元件，并配合凸透镜可以实现“工”型阵列方形平顶光斑加工效果。一方面，本实施例能够有效的控制阵列光斑热影响区域的扩散，将激光定制化的分束成“工”型阵列光斑组合。使得预定切割道边缘的加工热效应更多的向加工槽中间扩散，即保留了加工效率，又有效的控制了产品损坏情况。在切割道的中间区域保留了一束子光斑的加工效果，可以对中间一部分区域实现等一定的刻蚀效果。因此有可能在随后的刀片开槽处理中极大的减小剩余low-k材料对刀片的阻力，并且位于最中心的射光刻蚀的沟道能有效的将束缚住刀片的运动轨迹，从而提高刀片运行精度。最后一道光束的组合，还能有效的对前面的刻蚀槽形进行修缮，将槽底的残留物进行去除。
另一方面，当切割道中部较浅、两边较厚时，本实施例采用“工”形拓扑结构时，由于中部的激光子光束分布少，对Low-K层刻蚀较少；两边的激光子光束分不多，Low-K层刻蚀更少，进而保证切割道底部的均匀性。
可选地，所述激光加工光束包括至少两个激光子光束且由所述激光子光束形成光束阵列，并通过将各激光子光束分别进行整形处理为方形平顶光斑，圆形平顶光斑，矩形平顶光斑，椭圆形平顶光斑或可定制形多边形平顶光斑。
可选地，在根据所述反射光得出晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息之后，还包括：
根据所述均匀度的改变信息确定激光加工光束的光强度。
具体的，本实施例所述方法还可根据所述晶圆上表面Low-K层的表面均匀度调整激光加工光束的光强度，使得激光加工更加的精确，在较厚的位置采用大功率的激光加工光束进行加工；在较薄的位置采用小功率的激光加工光束进行加工。或者，所述激光加工光束在较厚的位置光强度较强，在较薄的位置光强度较弱。
并且，所述均匀度的改变信息与激光加工光束的光强分布相对应，其对应关系储存在控制器中。
可选的，在根据所述反射光得出晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息之后，还包括：
根据所述均匀度的改变信息确定激光加工光束的聚焦位置。
具体的，所述方法还能够根据晶圆上表面Low-K层的表面均匀度调整所述激光加工光束的聚焦位置，使得激光加工所形成的切割道底部更加的均匀；例如，当中部较厚，两边较薄时，则激光子光束在中部的焦点低于两边的焦点。
本发明实施例还提供一种激光加工晶圆的装置，如图6所示，所述装置包括：
激光器1，用于发射激光光束；
分束器21，用于将激光光束分为检测光束和激光加工光束，其中，所述检测光束用于发射至晶圆上表面Low-K层；所述激光加工光束用于对晶圆上表面Low-K层进行刻蚀；
检测构件22，用于获取检测光束的反射光；
控制器15，用于根据所述反射光得出晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息，并按所述表面均匀度的改变信息调整激光加工光束对晶圆上表面Low-K层进行刻蚀。
本发明实施例提供的激光加工晶圆的装置通过激光器1发射激光光束，并由所述分束器21分为检测光束和激光加工光束，其中，所述检测光束通过反射镜31反射至晶圆上表面Low-K层；所述激光加工光束通过反射镜31平行射入所述微调元件32，并根据所述晶圆上表面Low-K层的均匀度的改变信息对激光加工光束进行调制，然后通过反射镜31将调制后的激光加工光束射入聚焦元件7用于加工晶圆上表面Low-K层33。一方面，所述装置能够通过一检测光束、反射镜31和检测构件22即可实现对所述晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的检测，简化了装置的结构并提高了所述激光加工装置的精确；另一方面，本实施例所述装置能够控制检测构件根据所述晶圆上表面Low-K层的表面均匀度实时调整用于加工晶圆上表面Low-K层的激光加工光束，提高了所述激光加工的精度和分离晶圆的均匀性作用。
同时，在所述聚焦元件之前还可包括整形元件，将调制后的激光加工光束整形处理后再射入聚焦元件。
可选地，，所述装置还包括：
整形元件，用于按所述拓扑图案分布信息对所述激光加工光束进行整形处理并形成具有所述拓扑图案分布的光斑组合。
可选地，所述装置还包括：
微调元件32，用于根据所述均匀度的改变信息确定激光加工光束的光强度。
可选地，所述微调单元为光强调整器件，或相控型硅基液晶，或偏振控制器，或声光调制器，或电光调制器。
如图7所示，本实施例中采用相控型硅基液晶作为微调元件并对激光加工光束进行微调以及激光加工光束的调制。同时，所述装置包括光纤准直器2、起偏器3、扩束准直元件4对激光器发出的激光光束进行前期处理，然后由分束器21分为检测光束和激光加工光束，并将所述检测光束发射至晶圆上表面Low-K层，然后反射至检测构件22；将所述激光加工光束发射至下一个分束器5并将激光加工光束分为至少两子光束，第一子光束经过相控型硅基液晶6微调后射入聚焦元件7、光阑8进而对晶圆上表面进行加工；第二子光束射入分束器11并分为第三子光束和第四子光束，并将第三子光束射入平凸透镜12、CCD13进行光强分布、焦点位置的检测；通过监测光源17射入分束器18实现对槽型的监测并避免激光灌输对CCD的影响，并将第四子光束依次射入分束器18、平凸透镜19、CCD20或成像装置20实现对激光光斑的成像功能。
同时，所述装置还包括：
晶圆加工平台，用于夹持住所述晶圆并改变所述激光加工光束与晶圆上表面的相对位置以在晶圆上表面Low-K层形成凹槽，用以实现对晶圆上表面Low-K层激光刻蚀，其中，所述晶圆加工平台包括晶圆夹持平台9、三轴位移装置10，所述晶圆夹持平台9与三轴位移装置10连接，并由三轴位移装置10带动晶圆夹持平台9移动；
位移检测装置16，用于获取晶圆的位置信息，进而调整晶圆的位置用以实现对晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的检测和激光加工；
温度检测装置，设置于所述相控型硅基液晶四周并与控制器连接，用以检测空间光调制器的环境温度，提高相控型硅基液晶的调制精度。
本实施例的装置，可以用于执行上述方法实施例的技术方案，其实现原理和技术效果类似，此处不再赘述。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种激光加工晶圆的方法，其特征在于，包括：
向晶圆上表面Low-K层发射一检测光束；
获取检测光束的反射光；
根据所述反射光得出晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息，并按所述表面均匀度的改变信息调整激光加工光束对晶圆上表面Low-K层进行刻蚀；
其中，在根据所述反射光得出晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息之后，还包括：
获取激光加工光束的光束阵列信息；
根据所述均匀度的改变信息和光束阵列信息确定光斑组合的拓扑图案分布信息；
按所述拓扑图案分布信息对所述激光加工光束进行整形处理并形成具有所述拓扑图案分布的光斑组合。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述反射光得出晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息，包括：
根据所述反射光的反射率变化计算得出所述晶圆上表面Low-K层的厚度改变信息；
根据所述厚度改变信息确定晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述检测光束倾斜射入所述晶圆上表面Low-K层，并且所述检测光束与所述晶圆上表面Low-K层之间所形成的夹角为倾斜角。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述倾斜角和反射率分别与不同Low-K材料厚度改变信息相对应，其对应关系储存在控制器中。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光加工光束包括至少两个激光子光束且由所述激光子光束形成光束阵列，并将各激光子光束分别进行整形处理为方形平顶光斑，圆形平顶光斑，矩形平顶光斑，椭圆形平顶光斑或可定制形多边形平顶光斑。
6.根据权利要求1-2、4-5任一所述的方法，其特征在于，在根据所述反射光得出晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息之后，还包括：
根据所述均匀度的改变信息确定激光加工光束的光强度。
7.一种激光加工晶圆的装置，其特征在于，包括：
激光器，用于发射激光光束；
分束器，用于将激光光束分为检测光束和激光加工光束，其中，所述检测光束用于发射至晶圆上表面Low-K层；所述激光加工光束用于对晶圆上表面Low-K层进行刻蚀；
检测构件，用于获取检测光束的反射光；
控制器，用于根据所述反射光得出晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息，并按所述表面均匀度的改变信息调整激光加工光束对晶圆上表面Low-K层进行刻蚀，其中，在根据所述反射光得出晶圆上表面Low-K层的表面均匀度的改变信息之后，还包括：获取激光加工光束的光束阵列信息；根据所述均匀度的改变信息和光束阵列信息确定光斑组合的拓扑图案分布信息；按所述拓扑图案分布信息对所述激光加工光束进行整形处理并形成具有所述拓扑图案分布的光斑组合。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
整形元件，用于按所述拓扑图案分布信息对所述激光加工光束进行整形处理并形成具有所述拓扑图案分布的光斑组合。
9.根据权利要求7或8所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
微调元件，用于根据所述均匀度的改变信息确定激光加工光束的光强度。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述微调元件为相控型硅基液晶，偏振控制器，声光调制器或电光调制器中一种。
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