Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

CN107039563B - 光器件晶片的加工方法 - Google Patents

光器件晶片的加工方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107039563B
CN107039563B CN201610862695.3A CN201610862695A CN107039563B CN 107039563 B CN107039563 B CN 107039563B CN 201610862695 A CN201610862695 A CN 201610862695A CN 107039563 B CN107039563 B CN 107039563B
Authority
CN
China
Prior art keywords
optical device
sapphire substrate
shield tunnel
device wafer
emitting layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610862695.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107039563A (zh
Inventor
大庭龙吾
诸德寺匠
桐原直俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN107039563A publication Critical patent/CN107039563A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107039563B publication Critical patent/CN107039563B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02686—Pulsed laser beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
    • H01L21/2011—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate the substrate being of crystalline insulating material, e.g. sapphire
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
    • H01S5/0202—Cleaving
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

提供光器件晶片的加工方法，将光器件晶片分割成一个个的光器件芯片，该光器件晶片在蓝宝石基板的正面上形成有发光层且在由格子状的多条分割预定线划分出的多个区域中分别形成有光器件，该方法包含：盾构隧道形成工序，将对于蓝宝石基板具有透射性的波长的脉冲激光光线的聚光点从蓝宝石基板的背面侧定位在内部而沿着与分割预定线对应的区域进行照射，形成由细孔和对细孔进行盾构的非晶质构成的盾构隧道；发光层层叠工序，在实施了盾构隧道形成工序的蓝宝石基板的正面上层叠发光层而形成光器件晶片；以及分割工序，对实施了发光层层叠工序的光器件晶片施加外力，而沿着分割预定线将光器件晶片分割成一个个的光器件芯片。

Description

光器件晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及光器件晶片的加工方法，沿着分割预定线将光器件晶片分割成一个个的光器件芯片，在该光器件晶片中，在蓝宝石基板的正面上形成有发光层，在通过格子状的多条分割预定线划分出的多个区域中分别形成有光器件。
背景技术
在光器件制造工艺中，在作为大致圆板形状的蓝宝石基板的正面上层叠了由n型氮化镓半导体层和p型氮化镓半导体层构成的发光层(外延层)，在由呈格子状形成的多条分割预定线划分出的多个区域中形成有发光二极管、激光二极管等光器件而构成光器件晶片。并且，通过沿着分割预定线切断光器件晶片而对形成有光器件的区域进行分割从而制造出一个个的光器件芯片。
上述的光器件晶片的沿着分割预定线的切断通常是通过被称为切割机的切削装置而进行的。该切削装置具有：卡盘工作台，其对被加工物进行保持；切削单元，其用于对保持在该卡盘工作台上的被加工物进行切削；以及切削进给单元，其使卡盘工作台与切削单元相对地移动。切削单元包含主轴、装配于该主轴的切削刀具、以及对主轴进行旋转驱动的驱动机构。切削刀具由圆盘状的基台和装配于该基台的侧面外周部的环状的切削刃构成，关于切削刃，通过电铸将例如粒径为3μm左右的金刚石磨粒固定于基台，厚度形成为20μm左右。
但是，由于构成光器件晶片的蓝宝石基板的莫氏硬度较高，因此基于上述切削刀具的切断必然不容易。此外，由于切削刀具具有20μm左右的厚度，因此作为划分器件的分割预定线，宽度需要为50μm左右。因此，分割预定线所占的面积比例变高，存在生产性变差这样的问题。
为了解决上述的问题，作为沿着分割预定线分割光器件晶片的方法提出了如下的方法：通过沿着分割预定线照射对于蓝宝石基板具有吸收性的波长的脉冲激光光线而形成作为断裂的起点的激光加工槽，通过沿着形成有作为该断裂的起点的激光加工槽的分割预定线施加外力而进行割断(例如，参照专利文献1)。
但是，存在如下的问题：当沿着构成光器件晶片的蓝宝石基板的正面上所形成的分割预定线照射激光光线而形成激光加工槽时，由于发光二极管等光器件的外周被烧蚀而导致被称为碎屑的熔融物附着，因此亮度降低，光器件的品质降低。
为了解决这样的问题，在下述专利文献2中公开了如下的加工方法：从未形成发光层(外延层)的蓝宝石基板的背面侧将对于蓝宝石基板具有透射性的波长的激光光线的聚光点定位在内部而沿着分割预定线进行照射，在蓝宝石基板的内部沿着分割预定线形成改质层，由此沿着因形成改质层而强度降低的分割预定线对蓝宝石基板进行分割。
但是，存在如下的问题：当在蓝宝石基板的内部沿着分割预定线形成改质层时，光器件的外周被改质层覆盖，光器件的抗折强度降低，并且无法在从背面到正面的范围中垂直地分割。
为了解决这样的问题，在下述专利文献3中公开如下的激光加工方法：在对脉冲激光光线进行聚光的聚光透镜的数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(N)而得到的值为0.05～0.2的范围内设定聚光透镜的数值孔径(NA)，照射由该聚光透镜聚光的脉冲激光光线而在定位于单晶基板的聚光点与脉冲激光光线所入射的一侧之间使细孔和对该细孔进行盾构的非晶质生长从而形成盾构隧道。
专利文献1：日本特开平10-305420号公报
专利文献2：日本特许第3408805号公报
专利文献3：日本特开2014-221483号公报
能够通过在上述专利文献3中记载的激光加工方法对由蓝宝石基板构成的光器件晶片沿着分割预定线实施激光加工，而在蓝宝石基板的从背面到正面的范围中使细孔和对该细孔进行盾构的非晶质生长从而形成盾构隧道，因此能够沿着分割预定线垂直地分割光器件晶片，并且能够防止因碎屑的飞散导致的光器件的品质和抗折强度的降低。
但是，存在如下的问题：因蓝宝石基板的从背面到正面的范围中生长的盾构隧道而给层叠于蓝宝石基板的正面的由n型氮化镓半导体层和p型氮化镓半导体层构成的发光层(外延层)带来损害，导致光器件的亮度的降低。
发明内容
本发明是为了解决上述情况而完成的，其主要的技术课题在于，提供光器件晶片的加工方法，能够不会对蓝宝石基板的正面上所层叠的发光层带来损害而分割成一个个的光器件芯片。
为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供光器件晶片的加工方法，将光器件晶片分割成一个个的光器件芯片，该光器件晶片在蓝宝石基板的正面上形成有发光层并且在由呈格子状形成的多条分割预定线划分出的多个区域中分别形成有光器件，该光器件晶片的加工方法的特征在于，包含如下的工序：盾构隧道形成工序，将对于蓝宝石基板具有透射性的波长的脉冲激光光线的聚光点从蓝宝石基板的背面侧定位在内部而沿着与分割预定线对应的区域进行照射，使细孔和对该细孔进行盾构的非晶质生长而沿着与分割预定线对应的区域形成盾构隧道；发光层层叠工序，在实施了该盾构隧道形成工序的蓝宝石基板的正面上层叠发光层而形成光器件晶片；以及分割工序，对实施了该发光层层叠工序的光器件晶片施加外力，而沿着分割预定线将光器件晶片分割成一个个的光器件芯片。在该盾构隧道形成工序中，在蓝宝石基板的背面与盾构隧道之间留出不构成盾构隧道的非加工区域，形成包含从该非加工区域起至该蓝宝石基板的正面的细孔和对该细孔进行盾构的非晶质的盾构隧道，在实施了该发光层层叠工序之后且在实施该分割工序之前实施将该非加工区域全部去除的非加工区域去除工序。
在本发明的光器件晶片的加工方法中，实施盾构隧道形成工序，将对于蓝宝石基板具有透射性的波长的脉冲激光光线的聚光点从蓝宝石基板的背面侧定位在内部而沿着与分割预定线对应的区域进行照射，使细孔和对该细孔进行盾构的非晶质生长而沿着与分割预定线对应的区域形成盾构隧道，然后实施发光层层叠工序，在蓝宝石基板的正面上层叠发光层而形成光器件晶片，因此解决了因形成盾构隧道给发光层带来损害而导致光器件的亮度的降低的问题。
附图说明
图1是蓝宝石基板的立体图。
图2是用于实施盾构隧道形成工序的激光加工装置的主要部分立体图。
图3的(a)～(e)是示出盾构隧道形成工序的第1实施方式的说明图。
图4的(a)～(e)是示出盾构隧道形成工序的第2实施方式的说明图。
图5的(a)～(c)是发光层层叠工序的说明图。
图6的(a)、(b)是放大示出通过实施发光层层叠工序而形成的光器件晶片的立体图和主要部分的剖视图。
图7是放大示出将图6所示的光器件晶片粘贴于环状的框架上所装配的划片带的正面上的状态的立体图。
图8的(a)、(b)是保护部件粘贴工序的说明图。
图9的(a)～(c)是非加工区域去除工序的说明图。
图10的(a)～(c)是分割工序的说明图。
标号说明
2：蓝宝石基板；2c：定向平面；20：发光层(外延层)；203：分割预定线；204：光器件；21：盾构隧道；3：激光加工装置；31：激光加工装置的卡盘工作台；32：激光光线照射单元；322：聚光器；5：外延生长装置；6：磨削装置；61：磨削装置的卡盘工作台；62：磨削单元；634：磨削轮；7：分割装置。
具体实施方式
以下，参照附图更详细地说明本发明的光器件晶片的加工方法。
在图1中示出形成光器件晶片的蓝宝石基板的立体图。图1所示的蓝宝石(Al2O3)基板2的厚度为500μm且具有形成为相互平行的正面2a和背面2b，在外周形成有表示结晶方位的定向平面2c。
要想使用上述的蓝宝石基板2来实施本发明的光器件晶片的加工方法，首先，实施盾构隧道形成工序，将对于蓝宝石基板2具有透射性的波长的脉冲激光光线的聚光点从蓝宝石基板2的背面侧定位在内部而沿着与后述的分割预定线对应的区域进行照射，使细孔和对该细孔进行盾构的非晶质生长而沿着与后述的分割预定线对应的区域形成盾构隧道。该盾构隧道形成工序是使用图2所示的激光加工装置3来实施的。图2所示的激光加工装置3具有：卡盘工作台31，其对被加工物进行保持；激光光线照射单元32，其对保持在该卡盘工作台31上的被加工物照射激光光线；以及拍摄单元33，其对保持在卡盘工作台31上的被加工物进行拍摄。卡盘工作台31构成为对被加工物进行吸引保持，通过未图示的加工进给单元而在图2中箭头X所示的加工进给方向(X轴方向)上移动，并且通过未图示的分度进给单元而在图2中(Y轴方向)所示的分度进给方向上移动。
上述激光光线照射单元32包含实质上水平配置的圆筒形状的壳体321。在壳体321内配设有具有未图示的脉冲激光光线振荡器及重复频率设定单元的脉冲激光光线振荡单元。在上述壳体321的前端部装配有具有聚光透镜322a的聚光器322，该聚光透镜322a用于对从脉冲激光光线振荡单元振荡出的脉冲激光光线进行聚光。该聚光器322的聚光透镜322a的数值孔径(NA)被设定为如下。即，关于聚光透镜322a的数值孔径(NA)，将数值孔径(NA)除以蓝宝石(Al2O3)基板的折射率而得到的值设定在0.05～0.2的范围。因此，由于蓝宝石(Al2O3)基板的折射率是1.7，因此将聚光透镜322a的数值孔径(NA)设定在0.085～0.34的范围。另外，上述激光光线照射单元32具有聚光点位置调整单元(未图示)，该聚光点位置调整单元(未图示)用于对由聚光器322的聚光透镜322a聚光的脉冲激光光线的聚光点位置进行调整。
构成上述激光光线照射单元32的壳体321的前端部上所装配的拍摄单元33由显微镜或CCD照相机等光学单元构成，将拍摄到的图像信号发送给未图示的控制单元。
对使用上述的激光加工装置3实施盾构隧道形成工序的第1实施方式进行说明。首先，在上述的图2所示的激光加工装置3的卡盘工作台31上载置蓝宝石基板2的正面2a侧。并且，通过使未图示的吸引单元工作，而将蓝宝石基板2保持在卡盘工作台31上(蓝宝石基板保持工序)。因此，保持在卡盘工作台31上的蓝宝石基板2的背面2b成为上侧。这样，对蓝宝石基板2进行吸引保持的卡盘工作台31被未图示的加工进给单元定位在拍摄单元33的正下方。
当将卡盘工作台31定位在拍摄单元33的正下方时，通过拍摄单元33和未图示的控制单元检测定向平面2c是否与加工进给方向(X轴方向)平行地定位，假设在定向平面2c与加工进给方向(X轴方向)不平行的情况下对卡盘工作台31进行转动调整而将定向平面2c调整为与加工进给方向(X轴方向)平行(对准工序)。通过实施该对准工序，而使保持在卡盘工作台31上的蓝宝石基板2定位为在正面2a上层叠了后述的发光层的状态。
在实施了上述的对准工序之后，如图3的(a)所示，使卡盘工作台31向照射激光光线的激光光线照射单元32的聚光器322所在的激光光线照射区域移动，将与蓝宝石基板2的正面2a上所层叠的后述的发光层上所形成的规定的分割预定线对应的区域定位在聚光器322的正下方。此时，如图3的(a)所示，蓝宝石基板2被定位为与分割预定线对应的区域的一端(在图3的(a)中为左端)位于聚光器322的正下方。并且，以由聚光器322的聚光透镜322a聚光的脉冲激光光线LB的聚光点P从蓝宝石基板2的背面定位在厚度方向上的期望的位置的方式使未图示的聚光点位置调整单元工作而使聚光器322在光轴方向上移动(定位工序)。另外，脉冲激光光线的聚光点P在本实施方式中从蓝宝石基板2的背面2b设定在期望位置(例如从背面2b向正面2a侧76μm的位置)。
在像上述那样了实施定位工序之后，实施盾构隧道形成工序，使激光光线照射单元32工作，从聚光器322照射脉冲激光光线LB而从定位于蓝宝石基板2的聚光点P附近(背面2b)朝向正面2a使细孔和对该细孔进行盾构的非晶质生长从而形成盾构隧道。即，从聚光器322照射对于蓝宝石基板2具有透射性的波长的脉冲激光光线LB并且使卡盘工作台31在图3的(a)中箭头X1所示的方向上以规定的进给速度移动(盾构隧道形成工序)。并且，如图3的(b)所示，在与分割预定线对应的区域的另一端(在图3的(b)中为右端)到达激光光线照射单元32的聚光器322的激光光线照射位置之后，停止脉冲激光光线的照射，并且停止卡盘工作台31的移动。
另外，上述的盾构隧道形成工序被设定为如下所示的加工条件。
波长：1030nm
重复频率：40kHz
脉冲宽度：10ps
平均输出：0.5W
光斑直径：
Figure GDA0002684277510000061
加工进给速度：400mm/秒
聚光透镜的数值孔径：0.25
通过实施上述的盾构隧道形成工序，而在蓝宝石基板2的内部，像图3的(c)所示那样从脉冲激光光线LB的聚光点P附近(背面2b)朝向正面2a使细孔211与形成于该细孔211的周围的非晶质212生长，沿着与分割预定线对应的区域按照规定的间隔(在本实施方式中为10μm的间隔(加工进给速度：400mm/秒)/(重复频率：40kHz))形成非晶质的盾构隧道21。这样形成的盾构隧道21像图3的(d)和(e)所示那样由形成于中心的直径为
Figure GDA0002684277510000071
左右的细孔211和形成于该细孔211的周围的直径为
Figure GDA0002684277510000072
的非晶质212构成，在本实施方式中采用以相互邻接的非晶质212彼此连接的方式相连地形成的形态。
在像上述那样沿着与规定的分割预定线对应的区域实施上述盾构隧道形成工序之后，使卡盘工作台31在箭头Y所示的方向上分度移动与后述的分割预定线的间隔对应的距离(分度工序)，并实施上述盾构隧道形成工序。在这样沿着与第1方向上所形成的所有的分割预定线对应的区域实施了上述盾构隧道形成工序之后，使卡盘工作台31转动90度，而沿着与上述第1方向上所形成的分割预定线垂直的方向上所形成的分割预定线所对应的区域实施上述盾构隧道形成工序。
接着，关于盾构隧道形成工序的第2实施方式，参照图4进行说明。
在实施了上述的对准工序之后，与上述图3的(a)至(e)所示的第1实施方式同样，以像图4的(a)所示那样与在蓝宝石基板2的正面2a上所层叠的后述的发光层上所形成的规定的分割预定线对应的区域的一端(在图4的(a)中为左端)位于聚光器322的正下方的方式进行定位。并且，将由聚光器322的聚光透镜322a聚光的脉冲激光光线LB的聚光点P从蓝宝石基板2的背面2b定位在向正面2a侧80～85μm的位置(定位工序)。
在像上述那样实施了定位工序之后，实施盾构隧道形成工序，使激光光线照射单元32工作，从聚光器322照射脉冲激光光线LB而从定位于蓝宝石基板2的聚光点P附近朝向正面2a使细孔和对该细孔进行盾构的非晶质生长从而形成盾构隧道。即，与上述图3的(a)至(e)所示的第1实施方式同样、从聚光器322照射对于蓝宝石基板2具有透射性的波长的脉冲激光光线LB并且使卡盘工作台31在图4的(a)中箭头X1所示的方向上以规定的进给速度移动(盾构隧道形成工序)。并且，在像图4的(b)所示那样与分割预定线对应的区域的另一端(在图4的(b)中为右端)到达激光光线照射单元32的聚光器322的激光光线照射位置之后，停止脉冲激光光线的照射，并且停止卡盘工作台31的移动。另外，上述盾构隧道形成工序的第2实施方式的加工条件可以与上述第1实施方式相同。
通过实施上述的盾构隧道形成工序的第2实施方式，而在蓝宝石基板2的内部，像图4的(c)所示那样从脉冲激光光线LB的聚光点P附近朝向下表面(正面20a)使细孔211和形成于该细孔211的周围的非晶质212生长，沿着与分割预定线对应的区域形成盾构隧道21。该盾构隧道21像图4的(d)和(e)所示那样由形成于中心的直径为
Figure GDA0002684277510000081
左右的细孔211和形成于该细孔211的周围的直径为
Figure GDA0002684277510000082
的非晶质212构成，在本实施方式中采用以相互邻接的非晶质212彼此连接的方式形成的形态。并且，在上述的盾构隧道形成工序的第2实施方式中，由于将脉冲激光光线LB的聚光点P定位在距蓝宝石基板2的脉冲激光光线所入射的上表面(背面2b)80～85μm的位置，因此在与蓝宝石基板2的背面2b之间留出5～10μm的厚度的非加工区域22而形成盾构隧道21。沿着与蓝宝石基板2的正面2a上所层叠的后述的发光层上所形成的所有的分割预定线对应的区域实施该盾构隧道形成工序的第2实施方式。
接着，实施发光层层叠工序，在实施了上述的盾构隧道形成工序的蓝宝石基板2的正面2a上层叠发光层而形成光器件晶片。该发光层层叠工序由公知的外延生长法实施。
即，像图5的(a)所示那样使实施了上述的盾构隧道形成工序的蓝宝石基板2的正面2a朝向上侧而将背面2b载置在外延生长装置5的基板支承工作台51上。并且，使三甲基镓或NH3等原料气体52从水平方向流向蓝宝石基板2的正面2a，为了将原料气体52推压于蓝宝石基板2的正面2a而使H2或N2等惰性气体53从与蓝宝石基板2的正面2a垂直的方向流入，在蓝宝石基板2的正面2a上使GaN膜生长，如图5的(b)或者(c)所示，由n型氮化镓半导体层201和p型氮化镓半导体层202构成的发光层20按照例如10μm的厚度层叠而形成。另外，图5的(b)示出在实施了上述的盾构隧道形成工序的第1实施方式的蓝宝石基板2的正面2a上形成发光层20的例子，图5的(c)示出在实施了上述的盾构隧道形成工序的第2实施方式的蓝宝石基板2的正面2a上形成发光层20的例子。在实施该发光层层叠工序时，当如图5的(b)所示，像实施了上述的盾构隧道形成工序的第1实施方式的蓝宝石基板2那样在从背面到正面的范围中形成盾构隧道21时，存在沿着盾构隧道21破裂的担忧，如图5的(c)所示，像实施了上述的盾构隧道形成工序的第2实施方式的蓝宝石基板2那样，由于通过在盾构隧道21与背面2b之间形成有非加工区域22而使刚性变高，因此不存在产生破裂的担忧。
通过像上述那样实施在蓝宝石基板2的正面2a上层叠发光层20的发光层层叠工序，而构成图6的(a)和(b)所示的光器件晶片10。构成图6的(a)和(b)所示的光器件晶片10的发光层20中，在由呈格子状形成的多条分割预定线203划分出的多个区域中分别形成有光器件204。在层叠有这样形成的发光层20的蓝宝石基板2中，在与多条分割预定线203对应的区域中在上述的盾构隧道形成工序中形成盾构隧道21。
在实施了上述的发光层层叠工序之后，实施晶片支承工序，将构成光器件晶片10的蓝宝石基板2的正面2a上所层叠的发光层20侧粘贴在外周部被安装成覆盖环状的框架的内侧开口部的划片带的正面上。在本实施方式中，如图7所示，将构成光器件晶片10的蓝宝石基板2的正面2a上所层叠的发光层20侧粘贴在外周部被安装成覆盖环状的框架F的内侧开口部的划片带T的正面上。因此，关于在划片带T的正面上所粘贴的光器件晶片10，蓝宝石基板2的背面2b成为上侧。
另外，在上述的盾构隧道形成工序中，在通过实施第2实施方式而在蓝宝石基板2的背面2b与盾构隧道21之间形成有非加工区域22的光器件晶片10的情况下，实施将非加工区域22去除的非加工区域去除工序。在实施该非加工区域去除工序时，首先，实施保护部件粘贴工序，为了保护在构成光器件晶片10的蓝宝石基板2的正面2a上所层叠的发光层20，而在发光层20的正面上粘贴保护部件。即，像图8所示那样在构成光器件晶片10的蓝宝石基板2的正面2a上所层叠的发光层20的正面上粘贴作为保护部件的保护带PT。另外，关于保护带PT，在本实施方式中由厚度为100μm的聚氯乙烯(PVC)构成的片状基材的正面上涂布有厚度5μm左右的丙烯酸树脂系的糊。
在实施了上述的保护部件粘贴工序之后，实施非加工区域去除工序，将在构成光器件晶片10的蓝宝石基板2的背面2b与盾构隧道21之间所形成的非加工区域22去除。该非加工区域去除工序是使用图9的(a)所示的磨削装置6来实施的。图9的(a)所示的磨削装置6具有：作为保持单元的卡盘工作台61，其对被加工物进行保持；以及磨削单元62，其对保持在该卡盘工作台61上的被加工物进行磨削。卡盘工作台61构成为在上表面上对被加工物进行吸引保持，通过未图示的旋转驱动机构而在图9的(a)中箭头61a所示的方向上旋转。磨削单元62具有：主轴机壳631；主轴632，其旋转自如地支承于该主轴机壳631，被未图示的旋转驱动机构旋转；安装座633，其装配于该主轴632的下端；以及磨削轮634，其安装于该安装座633的下表面。该磨削轮634由圆环状的基台635和呈环状地装配于该基台635的下表面的磨削磨石636构成，基台635被紧固螺栓637安装于安装座633的下表面。
要想使用上述的磨削装置6来实施上述非加工区域去除工序，需要像图9的(a)所示那样将构成光器件晶片10的发光层20的正面上所粘贴的保护带PT侧载置在卡盘工作台61的上表面(保持面)上。并且，通过未图示的吸引单元在卡盘工作台61上隔着保护带PT对光器件晶片10进行吸附保持(晶片保持工序)。因此，关于保持在卡盘工作台61上的光器件晶片10，蓝宝石基板2的背面2b成为上侧。当这样在卡盘工作台61上隔着保护带PT对光器件晶片10进行吸引保持之后，使卡盘工作台61在图9的(a)中箭头61a所示的方向上以例如300rpm旋转，并且使磨削单元62的磨削轮634在图9的(a)中箭头634a所示的方向上以例如6000rpm旋转，而像图9的(b)所示那样使磨削磨石636与作为被加工面的构成光器件晶片10的蓝宝石基板2的背面2b接触，使磨削轮634像箭头634b所示那样以例如1μm/秒的磨削进给速度向下方(与卡盘工作台61的保持面垂直的方向)磨削进给的规定的量。其结果为，像图9的(c)所示那样对蓝宝石基板2的背面2b进行磨削而将非加工区域22去除，盾构隧道21在蓝宝石基板2的背面2b上露出。
在像上述那样实施了非加工区域去除工序之后，实施晶片支承工序，将在构成光器件晶片10的蓝宝石基板2的正面2a上所层叠的发光层20的正面上所粘贴的作为保护部件的保护带PT剥离，而像上述图7所示那样在外周部被安装成覆盖环状的框架的内侧开口部的划片带T的正面上粘贴蓝宝石基板2的正面2a上所层叠的发光层20侧。
接着，实施分割工序，对光器件晶片10施加外力，沿着分割预定线203将光器件晶片10分割成一个个的具有光器件204的芯片。该分割工序是使用图10的(a)所示的分割装置7来实施的。即，对于隔着划片带T支承实施了上述晶片支承工序的光器件晶片10的环状的框架F，以使划片带T侧朝上的方式载置在圆筒状的基座71的载置面71a上，并利用配设于圆筒状的基座71的外周的夹具72固定。并且，将光器件晶片10的蓝宝石基板2载置在构成弯曲载荷赋予单元73的平行地配设的圆柱状的多个支承部件731上。此时，如图10的(b)所示，以将与上述分割预定线203对应的区域中所形成的盾构隧道21定位在支承部件731与731之间的方式进行载置。并且，从构成光器件晶片10的蓝宝石基板2的正面2a上所层叠的发光层20的正面上所粘贴的划片带T侧通过按压部件732沿着分割预定线203进行按压。其结果为，沿着与分割预定线203对应的区域中所形成的盾构隧道21对于光器件晶片10作用弯曲载荷而对蓝宝石基板2的背面2b上露出的盾构隧道21侧产生拉伸载荷，如图10的(c)所示，在与分割预定线203对应的区域中所形成的盾构隧道21成为分割的起点而沿着分割预定线203进行分割。
并且，在沿着第1方向上所形成的分割预定线203所对应的区域中所形成的盾构隧道21进行分割之后，使圆筒状的基座71转动90度，而沿着与上述第1方向垂直的方向上所形成的分割预定线203所对应的区域中所形成的盾构隧道21实施上述分割作业，由此能够将光器件晶片10分割成具有一个个的光器件204的芯片。另外，由于分割成一个个的光器件芯片的正面粘贴于划片带T，因此不会散乱而维持光器件晶片10的形态。
像以上那样，在本发明的光器件晶片的加工方法中，实施盾构隧道形成工序，将对于蓝宝石基板2具有透射性的波长的脉冲激光光线的聚光点从蓝宝石基板2的背面2b侧定位在内部而沿着与分割预定线对应的区域进行照射，使细孔211和对该细孔211进行盾构的非晶质212生长而沿着与分割预定线对应的区域形成盾构隧道21，然后实施发光层层叠工序，在蓝宝石基板2的正面2a上层叠发光层20而形成光器件晶片，因此解决了因形成盾构隧道21而给发光层20带来损害，导致光器件的亮度的降低的问题。
另外，在上述的实施方式中，示出了如下的例子：将蓝宝石基板2的一方的面定义为正面，将另一方的面定义为背面，从作为另一方的面的背面侧照射脉冲激光光线而实施盾构隧道形成工序，而在作为一方的面的正面上层叠发光层20，但在将蓝宝石基板2的一方的面定义为背面、将另一方的面定义为正面的情况下，从作为一方的面的背面侧照射脉冲激光光线而实施盾构隧道形成工序，而在作为另一方的面的正面上层叠发光层20。

Claims (1)

1.一种光器件晶片的加工方法，将光器件晶片分割成一个个的光器件芯片，该光器件晶片在蓝宝石基板的正面上形成有发光层并且在由呈格子状形成的多条分割预定线划分出的多个区域中分别形成有光器件，该光器件晶片的加工方法的特征在于，包含如下的工序：
盾构隧道形成工序，将对于蓝宝石基板具有透射性的波长的脉冲激光光线的聚光点从蓝宝石基板的背面侧定位在内部而沿着与分割预定线对应的区域进行照射，使细孔和对该细孔进行盾构的非晶质生长而沿着与分割预定线对应的区域形成盾构隧道；
发光层层叠工序，在实施了该盾构隧道形成工序的蓝宝石基板的正面上层叠发光层而形成光器件晶片；以及
分割工序，对实施了该发光层层叠工序的光器件晶片施加外力，而沿着分割预定线将光器件晶片分割成一个个的光器件芯片，
在该盾构隧道形成工序中，在蓝宝石基板的背面与盾构隧道之间留出不构成盾构隧道的非加工区域，形成包含从该非加工区域起至该蓝宝石基板的正面的细孔和对该细孔进行盾构的非晶质的盾构隧道，
在实施了该发光层层叠工序之后且在实施该分割工序之前实施将该非加工区域全部去除的非加工区域去除工序。
CN201610862695.3A 2015-10-06 2016-09-28 光器件晶片的加工方法 Active CN107039563B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015198571A JP6625854B2 (ja) 2015-10-06 2015-10-06 光デバイスウエーハの加工方法
JP2015-198571 2015-10-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107039563A CN107039563A (zh) 2017-08-11
CN107039563B true CN107039563B (zh) 2021-01-12

Family

ID=58447595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610862695.3A Active CN107039563B (zh) 2015-10-06 2016-09-28 光器件晶片的加工方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10109527B2 (zh)
JP (1) JP6625854B2 (zh)
KR (1) KR102486694B1 (zh)
CN (1) CN107039563B (zh)
TW (1) TWI703623B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6906845B2 (ja) * 2017-06-22 2021-07-21 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
JP7015668B2 (ja) * 2017-10-11 2022-02-03 株式会社ディスコ 板状物の分割装置
JP7045843B2 (ja) 2017-12-12 2022-04-01 株式会社ディスコ 被加工物の分割方法
JP7184455B2 (ja) * 2018-06-27 2022-12-06 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7106217B2 (ja) * 2018-08-22 2022-07-26 株式会社ディスコ ファセット領域の検出方法及び検出装置
US11387383B2 (en) * 2019-02-14 2022-07-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Method of transferring light emitting device for display and display apparatus

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003077295A1 (en) * 2002-03-12 2003-09-18 Hamamatsu Photonics K.K. Method for dicing substrate
JP2006245062A (ja) * 2005-02-28 2006-09-14 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び発光素子
CN102290505A (zh) * 2011-09-09 2011-12-21 上海蓝光科技有限公司 GaN基发光二极管芯片及其制造方法
CN103066018A (zh) * 2013-01-05 2013-04-24 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种半导体单元的分离方法
TWI435471B (zh) * 2010-11-16 2014-04-21 Epistar Corp 發光二極體晶粒及其製法
JP2014221483A (ja) * 2013-05-13 2014-11-27 株式会社ディスコ レーザー加工方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
TWI326626B (en) * 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
CN1241253C (zh) * 2002-06-24 2006-02-08 丰田合成株式会社 半导体元件的制造方法
JP2004188475A (ja) * 2002-12-13 2004-07-08 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法
JP4563097B2 (ja) * 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP2005268752A (ja) * 2004-02-19 2005-09-29 Canon Inc レーザ割断方法、被割断部材および半導体素子チップ
JP4890746B2 (ja) * 2004-06-14 2012-03-07 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP4571850B2 (ja) * 2004-11-12 2010-10-27 東京応化工業株式会社 レーザーダイシング用保護膜剤及び該保護膜剤を用いたウエーハの加工方法
JP4694845B2 (ja) * 2005-01-05 2011-06-08 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP2006269897A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
JP2006286727A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Denso Corp 複数の半導体装置を備えた半導体ウェハおよびそのダイシング方法
JP4717545B2 (ja) * 2005-08-01 2011-07-06 シャープ株式会社 光電変換素子の製造方法
JP4923874B2 (ja) * 2005-11-16 2012-04-25 株式会社デンソー 半導体ウェハ
JP4907984B2 (ja) * 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
US8587124B2 (en) * 2007-09-21 2013-11-19 Teramikros, Inc. Semiconductor device having low dielectric insulating film and manufacturing method of the same
JP2009123835A (ja) * 2007-11-13 2009-06-04 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体デバイスの製造方法
JP2009290148A (ja) * 2008-06-02 2009-12-10 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP5537081B2 (ja) * 2009-07-28 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP2011129765A (ja) * 2009-12-18 2011-06-30 Showa Denko Kk 半導体発光素子の製造方法
JP2011134955A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Disco Abrasive Syst Ltd 板状材料からのチップ状部品の生産方法
JP5589942B2 (ja) * 2011-04-15 2014-09-17 豊田合成株式会社 半導体発光チップの製造方法
US8673741B2 (en) * 2011-06-24 2014-03-18 Electro Scientific Industries, Inc Etching a laser-cut semiconductor before dicing a die attach film (DAF) or other material layer
US8871613B2 (en) * 2012-06-18 2014-10-28 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor die singulation method
JP6147982B2 (ja) * 2012-10-09 2017-06-14 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6208430B2 (ja) * 2013-01-25 2017-10-04 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP6062287B2 (ja) * 2013-03-01 2017-01-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6121281B2 (ja) * 2013-08-06 2017-04-26 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6208521B2 (ja) * 2013-10-07 2017-10-04 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US9676167B2 (en) * 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US10442719B2 (en) * 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US9165832B1 (en) * 2014-06-30 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Method of die singulation using laser ablation and induction of internal defects with a laser
US9130057B1 (en) * 2014-06-30 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Hybrid dicing process using a blade and laser

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003077295A1 (en) * 2002-03-12 2003-09-18 Hamamatsu Photonics K.K. Method for dicing substrate
JP2006245062A (ja) * 2005-02-28 2006-09-14 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び発光素子
TWI435471B (zh) * 2010-11-16 2014-04-21 Epistar Corp 發光二極體晶粒及其製法
CN102290505A (zh) * 2011-09-09 2011-12-21 上海蓝光科技有限公司 GaN基发光二极管芯片及其制造方法
CN103066018A (zh) * 2013-01-05 2013-04-24 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种半导体单元的分离方法
JP2014221483A (ja) * 2013-05-13 2014-11-27 株式会社ディスコ レーザー加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20170098579A1 (en) 2017-04-06
JP6625854B2 (ja) 2019-12-25
US10109527B2 (en) 2018-10-23
KR102486694B1 (ko) 2023-01-09
JP2017073443A (ja) 2017-04-13
TWI703623B (zh) 2020-09-01
CN107039563A (zh) 2017-08-11
KR20170041141A (ko) 2017-04-14
TW201715598A (zh) 2017-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107039563B (zh) 光器件晶片的加工方法
CN102201502B (zh) 光器件晶片的加工方法
KR102196934B1 (ko) 웨이퍼 가공 방법
CN106992151B (zh) 晶片的加工方法
US9761492B2 (en) Processing method of optical device wafer
TWI692017B (zh) 單晶基板之加工方法
JP6495056B2 (ja) 単結晶基板の加工方法
KR102163442B1 (ko) 단결정 기판의 가공 방법
KR20120028215A (ko) 광디바이스 웨이퍼의 가공 방법
KR20170066250A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP5623807B2 (ja) 光デバイスウエーハの分割方法
TWI693633B (zh) 單晶基板之加工方法
JP2013219271A (ja) 光デバイスウエーハの加工方法
KR20110058667A (ko) 광 디바이스의 제조 방법
JP5623795B2 (ja) サファイア基板の加工方法
JP6510933B2 (ja) 光デバイスウエーハの加工方法
US20110244612A1 (en) Optical device wafer processing method
JP2013219076A (ja) 光デバイスウエーハの加工方法
JP5623798B2 (ja) サファイア基板の加工方法
JP6576782B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6529414B2 (ja) ウエーハの加工方法
KR102727198B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP6046452B2 (ja) 光デバイスウエーハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant