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CN106716642A - 具有分开的配线图案的显示装置 - Google Patents

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CN106716642A CN201580052541.1A CN201580052541A CN106716642A CN 106716642 A CN106716642 A CN 106716642A CN 201580052541 A CN201580052541 A CN 201580052541A CN 106716642 A CN106716642 A CN 106716642A
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Abstract

提供了一种具有多个创新的柔性显示器,其被构造成使得一部分或多个部分能够弯曲以减小明显较大的尺寸并且/或者使用组装柔性显示器的侧表面。

Description

具有分开的配线图案的显示装置
技术领域
本发明一般地涉及电子装置,更具体地,涉及具有显示器的电子装置。
背景技术
电子装置通常包括显示器。例如,移动电话和便携式计算机包括用于向用户呈现信息的显示器。用于电子装置的部件,包括但不限于显示器,可以安装在由塑料或金属制成的壳体中。
组装显示器可以包括显示面板和用于提供各种功能的许多部件。例如,用于控制显示面板的一个或更多个显示器驱动电路可以包括在显示组件中。驱动电路的示例包括栅极驱动器、发射(源极)驱动器、电源(VDD)布线、静电放电(ESD)电路、多路复用(mux)电路、数据信号线、阴极接触部和其他功能元件。可以存在包括在显示组合件中的用于提供各种不同类型的额外功能(例如触摸感测或指纹识别功能)的多个外围电路。
一些部件可以设置在显示面板自身上,通常在显示区域周围的区域中,在本公开中其被称为非显示区域和/或非有源区域。当这样的部件设置在显示面板中时,它们占据显示面板的很大一部分。大的非有源区域趋向于使显示面板庞大,使得难以将其合并到电子装置的壳体中。大的非有源区域还可能需要显示面板的很大一部分被过大的遮蔽物(例如,框、边界、覆盖材料)覆盖,导致装置缺乏美感。
尺寸和重量在设计现代电子装置中至关重要。此外,有源区域尺寸与非有源区域尺寸相比的高比例(其有时被称为屏幕与边框比例)是最期望的特征之一。在以下方面存在限制:仅仅使用用于将部件连接到显示面板的单独的柔性印刷电路(FPC),对于更高的屏幕与边框比例非有源区域的尺寸可以减少多少。用于可靠地附接信号线和沿着显示面板的边缘扇出导线所需的空间仍然需要设置在显示面板的非有源区域中。
非常期望使其上形成有非有源区域和具有像素的有源区域的基底基板弯曲。这将真正地使显示面板的需要隐藏在遮蔽物或装置壳体下方的非有源区域最小化。不仅基底基板的弯曲将使需要从视野中隐藏的非有源区域的尺寸最小化,而且还将开启各种不同的新的显示装置设计的可能性。
然而,在提供这样的柔性显示器时存在各种不同的需要解决的新挑战。与显示像素一起直接形成在基底基板上的部件倾向于具有不能宽限的误差容许的非常小的尺寸。此外,这些部件需要形成在极薄的片上以提供柔性,使得这些部件对于在制造和/或使用显示器期间产生的各种机械和环境应力极其脆弱。
进一步的复杂性产生于直接在具有显示像素的基底基板上制造的部件常常与那些像素的操作紧密相关的事实。如果不小心,来自柔性显示器的弯曲的机械应力可能不利地影响可靠性或甚至导致部件完全失效。即使其部件中的微小缺陷也可能对显示像素的性能和/或可靠性具有破坏性影响,结果废弃整个显示面板而无法修复。
例如,电线中的几微米尺度的裂纹可能导致各种异常显示问题,并且甚至可能使显示面板的部分或若干行中的像素完全不激活。因此,当设计要在柔性基底基板上与显示像素一起制造的电导线方案时,必须考虑各种不同的特殊参数。简单地增加弯曲半径可能使得难以在使显示面板的基底基板弯折时获得任何显著的益处。因此,期望提供一种即使在来自极端弯曲半径的弯曲应力下也可以可靠地操作的柔性显示器。
发明内容
本公开的一个方面涉及柔性显示器,其包括配线迹线的构造以承受弯曲应力来用于柔性显示器的可靠操作。
在一个实施方案中,一种显示装置包括在其上设置有像素电路阵列和驱动电路的基底层。在连接至像素电路阵列或驱动电路的多条导线迹线中,导线迹线中的至少一条被设置有应用应变减小迹线设计的部分。具有应变减小迹线设计的导线迹线的部分位于基底层的与显示装置的其中基底层被弯折的弯曲部对应的部分。围绕具有应变减小迹线设计的导线迹线的部分,设置在导线迹线下方和/或导线迹线上的一个或更多个无机绝缘层被图案化为围绕导线迹线的具有应变减小迹线设计的部分。
具有应变减小迹线设计的导线迹线的部分包括在彼此接触的第一网格部与第二网格部之间的伸长的凹陷通道。第一网格部和第二网格部中的每一个具有并排布置并且彼此接触的多条菱形链导线迹线。
由于每个部中被邻接的减少数量的菱形链迹线可以减小微涂层的粘性阻力。更重要的是,配线迹线的网格部分之间的伸长的凹陷通道改善微涂层的润湿性,并且减小了微涂层的粘性阻力。因此,微涂层的最大散布直径的增加可以通过将一个或更多个轨定位在具有网格状应变减小迹线设计的配线内来实现。
在另一实施方案中,一种显示装置包括第一部、第二部、以及显示装置的第一部与第二部之间的弯曲容许部。在显示装置的第一部中,设置有多个有机发光二极管(OLED)元件。在弯曲容许部中,设置有显示装置的电源导线迹线。电源导线迹线包括通过伸长的凹陷通道间隔开的至少两条网格条。在弯曲容许部中,在电源导线迹线上方设置有微涂层。
配线迹线的网格部之间的伸长的凹陷通道改善了微涂层的润湿性,并且减小了微涂层的粘性阻力。这使得能够减少没有被微涂层覆盖的不期望的暴露区域的形成。
附图说明
图1示出了根据本公开的实施方案的示例性显示装置的示意图。
图2示出了根据本公开的实施方案的显示装置的基本平坦部和弯曲部的示例性布置。
图3A至3B示出了根据本公开的实施方案的显示装置的有源区域的示例性布置。
图4示出了根据本公开的实施方案的示例性显示装置中的部件的简化堆叠结构。
图5示出了适用于便于显示装置的弯曲的弯曲图案的各种不同示例。
图6A至6C是根据本公开的实施方案的显示装置中的部件的示意性布置的截面图。
图7A至7B示出了根据本公开的实施方案的多层导线和绝缘层的示例性构造的示意图。
图8示出了根据本公开的实施方案的可以用于显示装置中的导线的示例性非分裂应变减小迹线设计的示意图。
图9A至9C示出了根据本公开的实施方案的具有以一定间隔分裂和合并的多条子迹线的示例性应变减小配线迹线设计的示意图。
图10A至10B是围绕导线迹线的绝缘层的示例性构造的截面图。
图11A至11B示出了根据本公开的实施方案的具有适合于使柔性显示器的穿过凹陷区域的修改部分的示例性应变减小配线迹线设计的示意图。
图12A示出了根据本公开的实施方案的凹陷通道和裂纹偏转金属/绝缘迹线的示例性构造的示意图。
图12B至12C示出了设置在缺口线与弯曲容许部之间的缓冲蚀刻区域的示例性构造的示意图。
图13A至13C示出了根据本公开的实施方案的设置有微涂层的柔性显示器的示意图。
图14A至14B示出了根据本公开的实施方案的设置有微涂层的在弯曲状态下的柔性显示器的实施方案的示意图。
图15示出了设置有用于改进微涂层的分散动力学的伸长的凹陷通道的示例性应变减小配线迹线设计的示意图。
具体实施方式
柔性显示器
图1示出了可以结合在电子装置中的示例性柔性显示器100。参照图1,柔性显示器100包括其中形成有显示像素阵列的至少一个有源区域(即,显示区域)。可以在有源区域的外围设置一个或更多个非有源区域。即,非有源区域可以与有源区域的一个或更多个侧相邻。在图1中,非有源区域围绕矩形有源区域。然而,应当理解,有源区域的形状和与有源区域相邻的非有源区域的布置不被特别限制为图1所示的示例性柔性显示器100。有源区域和非有源区域可以是适合于采用柔性显示器100的电子装置的设计的任何形状。柔性显示器100中的有源区域形状的非限制性的示例包括五边形形状、六边形形状、圆形形状、椭圆形形状等。
有源区域中的每个像素可以与像素电路相关联,像素电路包括在柔性显示器100的背板上的至少一个开关薄膜晶体管(TFT)和至少一个驱动TFT。每个像素电路可以电连接到栅极线和数据线,以与位于柔性显示器100的非有源区域中的驱动电路(例如,栅极驱动器和数据驱动器)连通。
例如,一个或更多个驱动电路可以使用在如图1所示的非有源区域中制造的TFT来实现。这样的栅极驱动器可以被称为板内栅极(GIP)。此外,部件中的一些(例如数据驱动器-IC)可以安装在单独的印刷电路上,并且使用印刷电路膜(例如,柔性印刷电路板(FPCB)、膜上芯片(COF)、带载封装(TCP)或任何其它合适的技术)耦接到设置在非有源区域中的连接接口(焊盘/凸点)。如将在下面进一步详细描述的,具有连接接口的非有源区域可以远离中心部弯曲,使得印刷电路膜(例如COF、FPCB等)位于柔性显示器100的背侧,以减小要被边框隐藏的非有源区域的尺寸。
柔性显示器100可以包括用于产生各种不同信号或以其他方式操作有源区域中的像素的各种附加部件。例如,可以在柔性显示器100的非有源区域中设置逆变器电路、复用器、静电放电(ESD)电路等。柔性显示器100还可以包括与除了用于操作柔性显示器100的像素之外的其他功能相关联的部件。例如,柔性显示器100可以包括用于为采用柔性显示器100的电子装置提供触摸感测功能、用户认证功能(例如,指纹扫描)、多级压力感测功能、触觉反馈功能和/或各种其它功能的部件。这些部件可以设置在非有源区域中或者设置在连接至柔性显示器100的连接接口的单独的印刷电路上。
平坦/弯曲部
柔性显示器100的多个部分可以沿着弯曲线BL弯曲。柔性显示器100中的弯曲线BL可以水平地(例如,图1中所示的X轴)、垂直地(例如,图1中所示的Y轴)或甚至斜向地(对角地)延伸。因此,柔性显示器100可以基于柔性显示器100的期望设计以水平、垂直和/或斜向(对角)的方向的任何组合弯曲。
如上所述,柔性显示器100的一个或更多个边缘可以沿着弯曲线BL远离中心部的平面弯曲。尽管弯曲线BL被描绘为位于柔性显示器100的边缘附近,但是应当注意,弯曲线BL可以延伸跨越中心部或者在柔性显示器100的一个或更多个角处斜向地延伸。这样的构造将使得柔性显示器100能够提供在折叠的显示器的两个外侧上具有显示像素的双侧显示器或可折叠显示器。
利用弯曲柔性显示器100的一个或更多个部分的能力,柔性显示器100的一部分可以由基本平坦的部分和弯曲的部分限定。柔性显示器100的可以保持基本上平坦的部分称为柔性显示器100的基本平坦部。柔性显示器100的一部分可以从相邻部分的平面以一定的弯曲角度弯曲,并且这样的部分被称为柔性显示器100的弯曲部。弯曲部包括可以以一定的弯曲半径主动弯曲的弯曲容许部。
应当理解,术语“基本平坦”包括可能不是完全平坦的部分。例如,图2所示的凹入中心部和凸起中心部可以被描述为在本公开中讨论的一些实施方案中的基本平坦部。在图2中,一个或更多个弯曲部存在于凸起或凹入的中心部分旁边,并且关于弯曲轴以弯曲角度沿着弯曲线向内或向外弯曲。弯曲部的弯曲半径小于中心部的弯曲半径。换言之,术语“基本平坦部”是指具有比柔性显示器100的相邻弯曲容许部的曲率小的曲率的部分。
根据柔性显示器100中的弯曲线BL的位置,弯曲线的一侧上的部分可以被定位成朝向柔性显示器100的中心,而弯曲线BL的相反侧上的部分被定位成朝向柔性显示器100的边缘部分。朝向中心的部分可以被称为中心部,朝向边缘的部分可以被称为柔性显示器100的边缘部。虽然可能不总是这样的情况,但是柔性显示器100的中心部可以是基本平坦部,并且边缘部可以是柔性显示器100的弯曲部。应当注意,也可以在柔性显示器100的边缘部中提供基本平坦部。此外,在柔性显示器100的一些构造中,两个基本平坦部可以通过中间的弯曲容许部连接。
如上所述,使非有源区域弯曲使得能够最小化或消除从组装的柔性显示器100的前侧看到的非有源区域。非有源区域的从前侧保持可见的一部分可以用边框覆盖。边框可以例如由安装到盖层114、壳体或柔性显示器100的其他合适部件的独立边框结构形成。从前侧保持可见的非有源区域也可以被隐藏在不透明掩模层(例如,黑色墨(例如,填充有炭黑的聚合物))或不透明金属层下。这样的不透明掩模层可以设置在包括在柔性显示器100中的各种层(例如,触摸传感器层、偏振层、盖层和其他合适的层)的一部分上。
有源区域
在一些实施方案中,柔性显示器100的弯曲部可以包括能够从弯曲部显示图像的有源区域,其在下文中被称为次级有源区域。即,弯曲线BL可以位于有源区域中,使得有源区域的至少一些显示像素包括在柔性显示器100的弯曲部中。
图3A和3B各自示出了本公开的柔性显示器100的一个实施方案中的有源区域的示例性构造。在图3A中描绘的构造中,弯曲部的次级有源区域中的像素矩阵可以从中心部的有源区域中的像素的矩阵连续延伸。可替选地,在图3B中描绘的构造中,柔性显示器100的弯曲部内的次级有源区域和中心部内的有源区域可以由柔性显示器100的弯曲容许部彼此分开。中心部和弯曲部中的一些部件可以经由跨柔性显示器100的弯曲容许部布置的一条或更多条导线迹线120电连接。
次级有源区域中的像素和中心有源区域中的像素可以通过驱动电路(例如,栅极驱动器、数据驱动器等)被寻址,就好像它们在单个矩阵中一样。在这样的情况下,中心有源区域的像素和次级有源区域的像素可以由相同组的驱动电路操作。以示例的方式,中心有源区域的第N行像素和次级有源区域的第N行像素可以被构造为接收来自相同栅极驱动器的栅极信号。如图3B所示,栅极线的跨弯曲容许部(即,弯曲容许区域)的部分或用于连接两个有源区域的栅极线的桥可以具有弯曲应力减小设计,这将在下面更详细地描述。
根据次级有源区域的功能,次级有源区域的像素可以相对于中心有源区域中的像素被独立地驱动。即,次级有源区域的像素可以被显示器驱动电路识别为与中心有源区域中的像素矩阵分开的独立的像素矩阵。在这样的情况下,中心有源区域的像素和次级有源区域的像素可以接收来自中心有源区域采用的驱动电路中的至少一个独立的驱动电路的信号。
不管构造如何,弯曲部中的次级有源区域可以用作为柔性显示器100中的次级显示区域。另外,弯曲部中的次级有源区域可以用作柔性显示器100中的次级显示区域。次级有源区域的尺寸没有特别限制。次级有源区域的大小可以取决于其在电子装置内的功能。例如,次级有源区域可以用于提供图像和/或文本(例如图形用户界面、按钮、文本消息等)。在一些情况下,次级有源区域可用于为各种不同目的(例如,状态指示灯)提供各种不同颜色的光,因此次级有源区域的尺寸不需要与柔性显示器100的中心部中的有源区域一样大。
堆叠结构
图4是示出了本公开的实施方案中的柔性显示器100的示例性堆叠结构的简化截面图。为了便于解释,柔性显示器100的中心部被示出为基本上平坦的并且柔性显示器100的弯曲部位于在图4的边缘处。
如所示出的,一个或更多个弯曲部可以以关于弯曲轴的一定弯曲角度θ和弯曲半径R远离基本平坦部的平面弯曲。远离中心部被弯曲的每个弯曲部的尺寸不需要相同。即,基底层106的在每个弯曲部处从弯曲线BL到基底层106的外边缘的长度可以与其他弯曲部不同。此外,围绕弯曲轴的弯曲角度θ和弯曲轴的弯曲半径R可以在弯曲部之间变化。
在图4所示的示例中,右侧弯曲部具有90°的弯曲角度θ,并且弯曲部包括基本平坦的部分。弯曲部可以以更大的弯曲角度θ弯曲,使得作为柔性显示器100的左侧上的弯曲部的弯曲部的至少一些部分在柔性显示器100的中心部的平面下方。此外,弯曲部可以以小于90°的弯曲角θ弯曲。
在一些实施方案中,柔性显示器100中的弯曲部的曲率半径(即,弯曲半径)可以在约0.1mm至约10mm之间,更优选地在约0.1mm至约5mm之间,更优选地在约0.1mm至约1mm之间,更优选在约0.1mm至约0.5mm之间。柔性显示器100的弯曲部的最小弯曲半径可以小于0.5mm。
可以在基底层106的下侧处设置一个或更多个支承层108,以增加柔性显示器100的选择部分的刚性。例如,支承层108可以设置在基底层106的在柔性显示器100的基本平坦部处的内表面上。支承层106还可以设置在弯曲部的位于柔性显示器100的中心部下方的基底层106上。柔性显示器100的选择部分处的增加的刚性可以有助于确保在制造和使用柔性显示器100期间各种部件的准确构造和布置。此外,支承层106可以不设置在需要更多柔性的弯曲容许部中。
基底层106和支承层108可以各自由聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、其它合适的聚合物、这些聚合物的组合等形成的薄塑料膜制成。然而,支承层108应该比基底层106更加刚性。可以用于形成基底层106和支承层108的其它合适的材料包括薄玻璃、覆盖有电介质材料的金属箔、多层聚合物堆叠体和包括与分散在其中的纳米颗粒或微米颗粒结合的聚合物材料的聚合物复合膜等。设置在柔性显示器100的各个不同部分中的支承层108无需由相同材料制成。例如,虽然对于边缘部分使用薄塑料膜作为支承层108,然而对于柔性显示器100的中心部可以使用薄玻璃层作为支承层108。
基底层106的过高的厚度使得难以在柔性显示器100的一些弯曲部处以所期望的非常小的弯曲半径弯曲。基底层106的过高的厚度还可能增加对设置在基底层106上的部件的机械应力。因此,基底层106的厚度可以取决于基底层106在弯曲部处的弯曲半径。另一方面,具有低于特定水平的厚度的基底层106可能不够牢固以可靠地支承设置在其上的各种不同部件。
因此,基底层106可以具有在约5μm至约50μm的范围内,更优选地在约5μm至约30μm的范围内,并且更优选地在约5μm至约16μm的范围内的厚度。支承层108可以具有约100μm至约125μm,约50μm至约150μm,约75μm至200μm,小于150μm或大于100μm的厚度。在一个合适的示例性构造中,基底层106由厚度为约10μm至16μm的聚酰亚胺层形成,并且支承层108由厚度为约100μm至约125μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成。
在制造期间,柔性显示器100的一部分可以暴露于穿过基底层106的外部光。一些部件或用于制造设置在基底层106上的部件的材料中可能由于在制造柔性显示器100期间的曝光而经历不期望的状态变化(例如,TFT中的阈值电压偏移)。柔性显示器100的一些部分可能比其他部分更多地暴露于外部光,并且这可能导致显示不均匀性(例如,亮度不均匀、阴影缺陷等)。为了使这样的问题最小化,在柔性显示器100的一些实施方案中,基底层106和/或支承层108可以包括能够使穿过的外部光的量减少的一种或更多种材料。
以示例的方式,阻光材料(例如氯化物改性的炭黑)可以混合在基底层106的组成材料(例如,聚酰亚胺)中。以这样的方式,基底层106可以由具有暗部的聚酰亚胺形成,使得基底层106可以提供阻光功能。这样的暗基底层106还可以通过减少从柔性显示器100的前侧进入的外部光的反射来提高在柔性显示器100上显示的图像内容的可视性。
与基底层106不同,支承层108可以包括减少从柔性显示器100的后侧(即,支承层108附接侧)进入的光的量的阻光材料。支承层108的组成材料可以以与上述基底层106类似的方式与一种或更多种阻光材料混合。此外,基底层106和支承层108可以包括一种或更多种阻光材料。这里,在基底层106和支承层108中使用的阻光材料不需要相同。
虽然如上所述使基底层106和支承层108阻挡不需要的外部光可以改善显示均匀性并且减少反射,但是识别用于部件的准确定位或用于实施制造过程的对准标记会变得困难。例如,在柔性显示器100的弯曲期间,部件在基底层106上的准确定位或者对准可能变得困难,这是因为层的定位可能需要通过比较层的重叠部分的外边缘确定。此外,如果基底层106和/或支承层108阻挡光谱的大部分范围(即,可见光、紫外线和红外线光谱中的波长等),则检查柔性显示器100中的不想要的碎片或其它异物会有问题。
因此,在一些实施方案中,可以包括在基底层106和/或支承层108中的阻光材料被构造为使在柔性显示器100的一个或更多个制造和/或测试过程中可用的一定偏振态的光和/或在特定波长范围内的光穿过。以示例的方式,支承层108可以使在制造柔性显示器100期间的质量检查、对准过程中使用的光(例如,UV、IR光谱光)穿过,但是过滤掉可见光波长范围内的光。有限的波长范围可以帮助减小显示器不均匀性问题,该问题可能由附接到基底层106的印刷电路膜产生的阴影引起,特别是如果基底层106包括如上所述的阻光材料时。
应当注意,基底层106和支承层108可以一起在阻挡和使特定类型的光通过中起作用。例如,支承层108可以改变光的偏振态,使得光将不能通过基底层106。这样,在柔性显示器100的制造期间,一定类型的光可以用于各种不同的目的穿透支承层108,但是不能穿透基底层106来对设置在基底层106的相反侧上的部件造成不期望的影响。
在基底层106上实施有柔性显示器100的背板。在一些实施方案中,柔性显示器100的背板可以使用利用低温多晶硅(LTPS)半导体层作为其有源层的TFT来实现。因此,像素电路和驱动电路(例如,GIP)使用NMOS LTPS TFT实现。在一些其它实施方案中,柔性显示器100的背板可以使用N型LTPS TFT和P型LTPS TFT的组合来实现。例如,柔性显示器100可以设置有通过使用N型LTPS TFT和P型LTPS TFT两者来实现的CMOS GIP。
此外,在一些实施方案中,柔性显示器100可以采用多种TFT来实现非有源区域中的驱动电路和/或有源区域中的像素电路。即,可以使用氧化物半导体TFT和LTPS TFT的组合来实现柔性显示器100的背板。在背板中,可以根据TFT在相应的电路内的操作条件和/或要求来选择TFT的类型。
低温多晶硅(LTPS)TFT通常即使在小的分布下亦表现出优异的载流子迁移率,使得它们适合于实现集中驱动电路。LTPS TFT的优异载流子迁移率使其成为需要快速工作的部件的理想选择。尽管具有上述优点,但是由于多晶硅半导体层的晶界,在LTPS TFT中的初始阈值电压可能变化。
另一方面,采用基于氧化物材料的半导体层(例如铟镓锌氧化物(IGZO)半导体层)的TFT(以下称为“氧化物TFT”)在许多方面与LTPS TFT不同。尽管氧化物TFT具有比LTPSTFT低的迁移率,但是在其关断状态期间减少漏电流方面,氧化物TFT通常比LTPS TFT更有利。换句话说,氧化物TFT通常表现出比LTPS TFT更高的电压保持率(VHR)。当不需要像素的高帧率驱动时,氧化物TFT的较高VHR对于以降低的帧率驱动像素是非常有利的。
柔性显示器100可以设置有以下特征,其中整个有源区域或有源区域的选择部分的像素在特定条件下以降低的帧速率被驱动。以示例的方式,像素可以根据从柔性显示器100显示的内容以降低的刷新速率被刷新。此外,有源区域的显示静止图像数据(例如,用户界面、文本)的部分与有源区域的显示快速变化的图像数据(例如,电影)的其它部分相比可以以更低的速率被刷新。以降低的刷新速率驱动的像素可以具有其中数据信号没有被提供至像素的增加的空白时段。这将使因向像素提供相同图像数据而浪费的功率最小化。在这样的实施方案中,氧化物TFT可以用于实现柔性显示器100的像素电路和/或驱动电路的TFT中的一些,以使空白时段期间的漏电流最小化。通过减少来自像素电路和/或驱动电路的电流泄漏,即使当像素以降低的速率被刷新时,也可以从像素获得更稳定的亮度水平。
在稳定性方面,氧化物TFT不经受与LTPS TFT一样多的晶体管至晶体管初始阈值电压变化的问题。当增加柔性显示器100的尺寸时,这样的特性可以是非常有利的。另一方面,就正向偏压温度应力(PBTS)和负向偏压温度应力(NBTS)而言,LTPS TFT可以比氧化物TFT更好,正向偏压温度应力(PBTS)和负向偏压温度应力(NBTIS)在使用柔性显示器100期间可以引起不期望的阈值电压偏移。
考虑到LTPS TFT和氧化物TFT的优点和缺点,本文公开的柔性显示器100的一些实施方案可以采用LTPS TFT和氧化物TFT的组合。特别地,柔性显示器100的一些实施方案可以使用LTPS TFT来在非有源区域中实现驱动电路(例如,GIP),并且使用氧化物TFT来在有源区域中实现像素电路。由于LTPS TFTS的优异的载流子迁移率,使用LTPS TFT实现的驱动电路与使用氧化物TFT实现的驱动电路相比可以以更快的速度操作。此外,可以使用LTPSTFT提供更加集中的驱动电路,这减小了柔性显示器100中的非有源区域的尺寸。使用在像素电路中使用的氧化物TFT的优异的电压保持率,可以减少来自像素的泄漏。这还使得能够在预定条件下(例如,当显示静止图像时)以减小的帧速率刷新有源区域的选择部分中的像素或者以减小的帧速率驱动像素,同时使由漏电流引起的显示缺陷最小化。
在一些实施方案中,柔性显示器100的非有源区域中的驱动电路可以使用N型LTPSTFT和P型LTPS TFT的组合来实现,而像素电路使用氧化物TFT实现。例如,N型LTPS TFT和P型LTPS TFT可以用于实现CMOS栅极驱动器(例如,CMOS GIP,数据驱动器),而氧化物TFT被用于像素电路的至少一些部分。与完全由P型或N型LTPS TFT形成的GIP不同,来自CMOS栅极驱动器的栅极输出信号可以由DC信号或逻辑高/低信号控制。这使得能够在空白时段期间更稳定地控制栅极输出节点,使得可以实现对像素电路的电流泄漏的抑制或对连接栅极节点的像素的不期望的激活。
应当注意,CMOS栅极驱动器可以通过使用LTPS TFT和氧化物TFT的组合来实现。同样地,在一些实施方案中,有源区域中的像素电路可以通过使用LTPS TFT和氧化物TFT二者来实现。当在像素电路和/或驱动电路中采用两种类型的TFT时,LTPS TFT可以用于电路的经受延长的偏压应力(例如,PBTS,NBTS)周期的TFT。此外,电路中的连接到存储电容器的TFT可以由氧化物TFT形成,以使由其的泄漏最小化。
有机发光二极管(OLED)元件层102设置在基底层106上。OLED元件层102包括多个OLED元件,其由在基底层106上实现的驱动电路和像素电路以及连接至基底层106上的连接接口的任何其它驱动电路控制。OLED元件层包括可以发射特定光谱颜色(例如,红色,绿色,蓝色)的光的有机发光材料层。在一些实施方案中,有机发光材料层可以具有发射实质上是多种彩色光的组合的白色光的堆叠构造。
封装部104设置在OLED元件层102上。封装部104可以包括多层材料,用于减少空气和水分的渗透以保护其下面的OLED元件。在一些实施方案中,封装部104可以以薄膜形式提供。
柔性显示器100还可以包括用于控制柔性显示器100的显示特性(例如,外部光反射、颜色精度、亮度等)的偏振层110。盖层114可以用于保护柔性显示器100。
可以在盖层114的内表面上和/或偏振层110的至少一个表面处形成用于感测来自用户的触摸输入的电极。如果需要,可以在柔性显示器100中设置单独的独立层,该层包括触摸传感器电极和/或与触摸输入感测相关联的其他部件(下文称为触摸传感器层112)。触摸传感器电极(例如,触摸驱动/感测电极)可以由透明导电材料(例如氧化铟锡)、碳基材料(例如石墨烯或碳纳米管)、导电聚合物、由各种不同的导电和非导电材料的混合物制成的混合材料形成。此外,金属网(例如,铝网、银网等)也可以用作触摸传感器电极。
触摸传感器层112可以包括由一种或更多种可变形介电材料形成的层。一个或更多个电极可以与触摸传感器层112对接或位于触摸传感器层112附近,并且加载有一个或更多个信号,以便于在触摸传感器层112变形时测量一个或更多个电极上的电改变。可以分析该测量以评估柔性显示器100上的多个离散水平和/或水平范围处的压力量。
在一些实施方案中,触摸传感器电极可用于识别用户输入的位置以及评估用户输入的压力。在柔性显示器100上识别触摸输入的位置和测量触摸输入的压力可以通过测量来自触摸传感器层112的一侧上的触摸传感器电极的电容变化来实现。此外,测量压力量可以使用除了触摸传感器电极之外的至少一个电极来测量至少一个其他信号,其可以与来自触摸传感器电极的触摸信号同时地获得或在不同的定时获得。
包括在触摸传感器层112中的可变形材料可以是电活性材料,其变形的幅度和/或频率由电信号和/或电场控制。这样的可变形材料的示例包括压电陶瓷、电活性聚合物(EAP)等。因此,触摸传感器电极和/或单独设置的电极可以激活可变形材料以使柔性显示器100朝期望的方向弯曲。此外,这样的电活性材料可以被激活以在期望的频率下振动,从而在柔性显示器100上提供触觉和/或纹理反馈。应当理解,柔性显示器100可以使用多个电活性材料层,使得柔性显示器100的弯曲和振动可以同时或在不同的定时被提供。这样的组合可以用于从柔性显示器100产生声波。
柔性显示器100的部件可能使得难以使柔性显示器100沿着弯曲线BL弯曲。元件中的一些(例如支承层108、触摸传感器层112、偏振层110等)可能对柔性显示器100增加了太多的刚性。此外,这样的元件的厚度使得柔性显示器100的中性面偏移,并且因此部件中的一些可能经受比其他部件更大的弯曲应力。
为了便于使柔性显示器100更容易地弯曲并且为了增强柔性显示器100的可靠性,柔性显示器100的弯曲部中的部件的构造不同于柔性显示器100的基本平坦部。存在于基本平坦部中的部件中的一些可以不设置在柔性显示器100的弯曲部中,或者可以以不同的厚度设置。弯曲部可以没有支承层108、偏振层110、触摸传感器层114、滤色器层和/或可能阻碍柔性显示器100的弯曲的其他部件。如果弯曲部待被从视线隐藏或者对于柔性显示器100的用户来说不可访问的话,则在弯曲部中可能不需要这样的部件。
即使次级有源区域在弯曲部中用于向用户提供信息,次级有源区域也可以根据次级有源区域提供的信息的使用和/或类型而不需要这些部件中的一些。例如,当次级有源区域用于简单地发射彩色光、在对比颜色组合(例如,在白色背景中的黑色的文本或图标)中显示文本或简单的图形用户界面时,在弯曲部中可以不需要偏振层110和/或滤色器层。此外,如果在弯曲部中不需要这样的功能,则柔性显示器100的弯曲部可以没有触摸传感器层114。如果需要,即使在弯曲部中没有设置用于显示信息的次级有源区域,弯曲部也可以设置有触摸传感器层112和/或电活性材料层。
由于弯曲容许部受到弯曲应力的最大影响,因此各种弯曲应力降低特性被施加到弯曲容许部的基底层106上的部件。为此,中心部中的一些元件可以不形成在弯曲部的至少一些部分中。可以通过选择性地移除柔性显示器100的弯曲容许部处的元件使得弯曲容许部没有各个元件,来使得中心部和弯曲部中的部件之间分开。
如图4所示,通过在基底层106弯曲容许部处的下方不设有支承层108,中心部中的支承层108和弯曲部中的支承层108可以彼此分开。与使用附接到基底层106的支承层108不同,可以如上所述将支承构件116的圆化端部定位在基底层106的位于弯曲容许部处的下侧。各种不同的其它部件(例如偏振层110和触摸传感器层114等)也可以不存在在柔性显示器100的弯曲容许部中。元件的去除可以通过切割、湿法蚀刻、干法蚀刻、划线和断裂、或其它合适的材料去除方法来完成。不切割或另外地移除元件,而是可以在选择部(例如,基本平坦部和弯曲部)处形成单独的元件部分,以使弯曲容许部没有这样的元件。
与从弯曲部完全移除不同,一些元件可以沿着弯曲线和/或弯曲容许部内的部分设置有弯曲图案,以减小弯曲应力。图5示出了示例性弯曲图案300的平面图和截面图。上述弯曲图案300可以用在支承层108、偏振层110、触摸传感器层114和柔性显示器100的各种不同的其它元件中。
柔性显示器100可以使用多于一种类型的弯曲图案。应当理解,部件所使用的弯曲图案的数量和弯曲图案300的类型不受限制。如果需要,图案的深度可以不用深到完全穿透部件,而是仅部分地穿过相应的层。如将在下面进一步描述的,也可以使弯曲图案设置位于基底层106与TFT之间的缓冲层以及覆盖导线迹线的钝化层来用于减小弯曲应力。
支承构件
如所示,支承层108可以不存在于弯曲容许部处,以便于更容易地使基底层106弯曲。然而,在没有支承层108的情况下,弯曲容许部处的曲率可以容易地因外力而改变。为了支承基底层106并且保持弯曲容许部处的曲率,柔性显示器100还包括支承构件116,其也可以被称为“心轴”。图4中描绘的示例性支承构件116具有伸长的主体部和圆化端部。基底层106和支承构件116被布置成使得支承构件116的圆化端部位于基底层106的与柔性显示器100的弯曲容许部对应的下侧处。
在弯曲部设置在柔性显示器100的边缘处的实施方案中,支承构件116可以设置在柔性显示器100的边缘处。在该设置中,基底层106的一部分可以如图4所示围绕支承构件116的圆化端部并且被定位在支承构件116的下侧。可以在位于柔性显示器100的背侧的基底层106上设置有柔性显示器100的非有源区域中的各种电路和部件(例如,用于连接柔性板上芯片(COF)和柔性印刷电路板(FPCB)的驱动IC和接口)。以这种方式,甚至可以将不具有足够柔性以在柔性显示器100期望的弯曲半径下弯曲的部件布置在柔性显示器100的有源区域下方。
支承构件116可以由诸如聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、其他合适的聚合物、这些聚合物的组合等的塑料材料形成。由这种塑料材料形成的支承构件116的刚性可以由支承构件116的厚度和/或通过提供用于增加刚性的添加剂来控制。支承构件116可以形成为期望的颜色(例如,黑色、白色等)。此外,支承构件116也可以由玻璃、陶瓷、金属或其他刚性材料或上述材料的组合形成。
支承构件116的圆化端部的尺寸和形状可以根据柔性显示器100的弯曲容许部处期望的最小曲率而变化。在一些实施方案中,圆化端部的厚度和伸长的主体部的厚度可以基本相同。在其它实施方案中,具有平面形状的伸长的主体部可以比支承构件116的圆化端部薄。在伸长的主体部处具有较薄轮廓的情况下,支承构件116可以支承弯曲容许部,同时避免柔性显示器100中的不必要的厚度增加。
由于弯曲容许部处的支承由支承构件116的圆化端部提供,所以朝向柔性显示器100的基本平坦部延伸的伸长的平面部不需要延伸到有源区域中。尽管由于各种原因,伸长的主体部可以在有源区域下方延伸,但是伸长的主体部的从圆化端部分朝向相反端部的长度是足够的,只要它提供足够的表面面积用于将支承构件116固定在柔性显示器100的期望位置中即可。
为了将支承构件116固定在柔性显示器100中,可以在支承构件116的表面上设置粘合剂层118。粘合剂层118可以包括压敏粘合剂、泡沫型粘合剂、液体粘合剂、光固化粘合剂或任何其它合适的粘合剂材料。在一些实施方案中,粘合剂层118可以由可压缩材料形成或以其它方式包括可压缩材料形成,并且用作由粘合剂层118粘合的部件的衬垫。作为示例,粘合剂层118的组成材料可以是可压缩的。粘合剂层118可以由多层形成,其包括插入在粘合剂材料的上层和下层之间的垫层(例如聚烯烃泡沫)。
粘合剂层118可以布置在支承构件116的伸长的主体部的上表面和下表面中的至少一个上。当柔性显示器100的弯曲部环绕支承层116的圆化端部时,可以在伸长的主体部的下表面(即,面向背侧的表面)和上表面(即,面向前侧的表面)二者上设置粘合剂层118。如果需要,可以在支承构件116的圆化端部的表面与基底层106的内表面之间设置粘合剂层118。
在弯曲期间,柔性显示器100的在支承构件116的一侧上的部分可以被拉向支承构件116,并且基底层106可能被圆化端部的最高和最低边缘损坏。因此,支承构件116与基底层106之间的粘合剂层118和支承层108的高度可以至少等于或大于圆化端部的最高边缘与伸长的主体部的其中布置粘合剂层118的表面之间的垂直距离。换句话说,由支承构件116的圆化端部与伸长的主体部之间的厚度差产生的空间的高度可以等于或小于支承层108和粘合层118的总厚度。
根据支承构件116的形状,伸长的主体部的上表面和下表面上的粘合剂层118的厚度可以不同。例如,比圆化端部薄的伸长的主体部可以不在支承构件116的圆化端部的中心。在这种情况下,支承构件116的一侧上的空间可以大于相反侧上的空间。
在另一个示例中,圆化端部的最低边缘可以与伸长的主体部的底表面成一直线,使得仅在伸长的主体部的一侧上提供空间。在这种情况下,支承构件116的伸长的主体部的一侧上的粘合剂层118可以比相对侧上的粘合剂层118更厚。应当理解,为了更简单的解释的目的,图4中的支承构件116的尺寸可以被放大。
示例性布置
图6A、6B和6C是示出柔性显示器100的各种实施方案中的元件的示例性布置的简化截面图。在一个合适的构造中,如图6A所示,支承构件116A的圆化端部和伸长的主体部的厚度可以基本上相同。这种支承构件116A可以由上述塑料材料形成。支承构件116A也可以由折叠的薄金属片(例如,SUS)形成。在这种情况下,金属片的折叠边缘可以用作支承构件116A的圆化端部。即使当使用金属片来形成支承构件时,圆化端部亦可以具有比伸长的主体部更大的厚度。例如,可以在折叠金属片的用于伸长的主体部的部分上施加压力,以使该部分比折叠边缘薄。
在图6A中,粘合剂层118A被示出为被施加在支承构件116A的上表面、下表面以及圆化端部的表面上。由于支承构件116A在圆化端部和伸长的主体部处的厚度大致相同,所以粘合剂层118A的厚度可以在支承构件116A的表面上具有基本均匀的厚度。然而,应当注意,粘合剂层118A在支承构件116A的选择部分处可以更薄和/或更厚。
在另一种合适的构造中,支承构件116的伸长的主体部比其圆化端部薄。在这种情况下,伸长的主体部的底表面与圆化端部的最低边缘一致,从而提供具有如图6B所示的具有平坦底面的支承构件116B。在该示例性构造中,支承构件116B可以由前述塑料材料(例如,聚碳酸酯)中的一种或其组合形成。此外,设置在伸长的主体部的上表面上的粘合剂层118B比设置在支承构件116B的伸长的主体部的底表面上的粘合剂层118B厚。伸长的主体部的上表面上的粘合剂层118B可以包括上述垫层,而下表面上的粘合剂层118B不包括上述垫层。
在图6C所示的另一个合适的构造中,支承构件116C的伸长的主体部的顶表面和底表面都不与圆形部分的最高/最低边缘一致。支承构件116C可以由前述塑料材料(例如,聚碳酸酯)中的一种或其组合形成。在该示例中,伸长的主体部偏离中心(即,更靠近圆形部分的最低边缘),并且伸长的主体部的上表面上的粘合剂层118C比下表面上的粘合剂层118C厚。伸长的主体部的上表面上的粘合剂层118C可以包括上述垫层,而下表面上的粘合剂层118C不包括上述垫层。
在图6A至6C所示的示例性构造中,支承构件116的上侧上的支承层108比在其上的封装部114更朝向弯曲容许部延伸出来。换言之,基底层106的朝向弯曲容许部的部分没有被封装部114覆盖,而是在其下设置有支承层108。支承层108的额外的长度可以有助于保持弯曲容许部的稳定的曲率。支承部件116下方的支承层108的边缘可以从弯曲容许部移开。在一些实施方案中,支承层108的朝向弯曲容许部的边缘可以设置有凸缘,该凸缘甚至如图6A所示进一步朝向弯曲容许部延伸。在一个示例中,凸缘可以通过切割或以其它方式图案化支承层108,以具有渐缩边缘来制成。在另一个示例中,凸缘可以通过堆叠至少两个支承层来提供,其中所述至少两个支承层的边缘彼此偏移。虽然在图6B和6C中省略,但是在那些实施方案中也可以设置凸缘。
应当理解,上面参考图6A至6C描述的构造仅仅是说明性的。具有相同厚度的粘合剂层可以设置在支承构件的上表面和下表面上,而不管伸长的主体部的位置如何。此外,在支承构件的上表面和下表面二者上的粘合剂层可以包括垫层。
配线迹线
若干导线包括在柔性显示器100中,用于其中的各种部件之间的电互连。在有源区域和非有源区域中制造的电路可以经由一条或更多条导线传输各种信号,以在柔性显示器100中提供多个功能。如简要讨论的,一些导线可以用于提供柔性显示器100的中心部和弯曲部中的电路和/或其他部件之间的互连。
如本文所使用,导线广泛地指用于将任何类型的电信号、功率和/或电压从柔性显示器100中的一个点传输到另一点的导电路径的迹线。因此,导线可以包括TFT的源电极/漏电极以及用于将来自非有源区域中的一些显示器驱动电路(例如,栅极驱动器,数据驱动器)中的信号传输到有源区域中的像素电路的栅极线/数据线。同样地,一些导线(例如触摸传感器电极、压力传感器电极和/或指纹传感器电极)可以在柔性显示器100上提供用于感测触摸输入或识别指纹的信号。导线还可以提供在柔性显示器100的中间部中的有源区域的像素与弯曲部中的次级有源区域的像素之间的互连。应当理解,柔性显示器100中的导线的上述功能仅仅是说明性的。
柔性显示器100的一些导线可以具有多层结构,这可以使得具有更大的柔性,并且具有较少的断裂机会。图7A和7B各自示出了导线迹线120的示例性堆叠结构。在图7A中,导线迹线120可以具有多层结构,其中初级导电层122夹在次级导电层124之间。初级导电层122可以由具有比次级导电层124的电阻低的电阻的材料形成。用于初级导电层122的材料的非限制性示例包括铜、铝、透明导电氧化物或其它柔性导体。次级导电层124应当由当在初级导电层122上方的堆叠体中形成时可以表现出足够低的欧姆接触电阻的导电材料形成。
这样的组合的示例包括夹在钛层之间的铝层(Ti/Al/Ti)、夹在上钼层与下钼层之间的铝层(Mo/Al/Mo)、夹在钛层之间的铜层(Ti/Co/Ti)和夹在上钼层和下钼层之间的铜层(Mo/Co/Mo)。然而,导电层堆叠体的低欧姆接触电阻不是选择用于柔性显示器100中的导线迹线120的材料的唯一因素。
用于形成导线迹线120的材料应当满足最小机械应力要求,同时满足柔性显示器100的严格的电和热要求(例如,电阻、发热等)。因此,初级导电层122和次级导电层124二者应当由具有低脆性的材料形成。在这点上,Al具有约71GPa的模量,Ti具有116GPa的模量,并且Mo具有329GPa的模量。因此,Al的脆性为Mo的脆性的约1/4,并且Ti的脆性为Mo的脆性的约1/3。因此,在一些实施方案中,柔性显示器100的导线迹线120的至少一些由包括Al和Ti的堆叠体形成。由于初级导电层122应当具有比次级导电层124更低的电阻,所以导线迹线120可以以Ti/Al/Ti的堆叠体形成。特别地,设置在弯曲容许部中的导线迹线120中的至少一些可以形成为Ti/Al/Ti的堆叠体。
在一些实施方案中,柔性显示器100可以在湿度环境下工作。例如,柔性显示器100可以用在可穿戴电子装置或浸入式电子装置中。在一些情况下,水分可以到达导线迹线120。异种金属和合金具有不同的电极电势,并且当两种或更多种在电解质中接触时,一种金属用作阳极,另一种用作阴极。异种金属之间的电势差是用于加速侵蚀电偶的阳极构件的驱动力,该电偶是Ti/Al/Ti堆叠体中的初级导电层202。阳极金属溶解到电解质中,并且沉积物聚集在阴极金属上。
对于图7A中所示的多层导电迹线120,电偶腐蚀可以由在多层导线迹线120的截面侧接触的电解质开始。因此,在一些实施方案中,至少一些导电120设置有以下结构:其中初级导电层122被次级导电层124包围,使得初级导电层122如图7B所示被次级导电层124覆盖。以此方式,初级导电层122因电偶腐蚀的损失可以最小化,并且进一步降低导电性断开的可能性。
这样的多层导线120可以通过首先在次级导电层124(例如,Ti)上方沉积用于初级导电层122(例如,Al)的材料来产生。这里,在初级导电层122下面的次级导电层124可以具有更大的宽度。在这两层的堆叠体上方形成有蚀刻抗蚀剂材料并且该材料被蚀刻(例如,干法蚀刻、湿法蚀刻等)以形成所需的导线迹线(例如,菱形迹线设计)。在剥离蚀刻电阻材料之后,在图案化结构(即,Ti/Al)上方沉积另一次级导电层124(即,Ti)的层。再一次地,在初级导电层122的顶部上的次级导电层124可以具有更大的宽度,使得初级导电层122被包围在次级导电层124内。对抗蚀刻材料进行另一轮干法蚀刻和剥离以在期望的导线迹线设计中形成多层结构的堆叠体(即,Ti/Al/Ti)。
导线中的一些可以从柔性显示器100的基本平坦部延伸到柔性显示器100的弯曲部。在这样的情况下,导线的一些部分可以与其他部分以不同方式被构造以承受弯曲应力。特别地,导线的在柔性显示器100的弯曲容许部上方布置的部分可以包括用于减少导线的裂纹和断裂以保持适当互连的若干特征。
另外,可以在导线迹线120的下侧和/或上侧形成各种不同绝缘层,例如缓冲层126、钝化层128、栅极绝缘层(GI层)、以及层间介电层(ILD层)。这些绝缘层可以由有机和域无机材料形成或者包括由无机材料形成的子层。
在柔性显示器100的各种不同的绝缘层中,由无机材料形成的层通常比导线迹线120的金属更不易延展。在给定相同量的弯曲应力的情况下,裂纹通常从绝缘层而非导线迹线120开始。即使导线迹线120具有足够的模量来承受弯曲应力而没有裂纹,从绝缘层开始的裂纹趋于生长并传播到导线120中,这将产生差的电接触点并且使柔性显示器100无法使用。因此,在绝缘层和导线120两者中使用各种弯曲应力减小技术。
迹线设计
迹线设计在减小导线迹线120和绝缘层两者中的弯曲应力方面起重要作用。为了便于说明,在下面的描述中将导线迹线120和覆盖导线迹线120的至少一部分的绝缘层(即,钝化层128)的迹线统称为“配线迹线”。
应当通过考虑导线迹线120的电要求以及在导线迹线120上传输的信号的类型来确定迹线设计。此外,可以在设计迹线时考虑用于形成导线迹线120和绝缘层的材料的性质(例如,杨氏模量)。应当注意,可能需要考虑各种其他因素(例如用于部分以及整个导线迹线120和绝缘层的厚度、宽度、长度、布局角度),以提供具有用于柔性显示器100的足够的电气和机械可靠性的迹线设计。
考虑到这些因素,可以基于其关于柔性显示器100的弯曲方向(即,弯曲形貌的切线向量)的设置和取向,针对导线迹线120和绝缘层特别地定制配线迹线设计。配线迹线会随着配线迹线延伸的方向与弯曲形貌的切线向量更加对准而受到更多的弯曲应力。换句话说,当与弯曲形貌的切线向量对准的配线迹线的长度减小时,配线迹线将更好地抵抗弯曲应力。
为了减少与弯曲形貌的切线向量对准的配线迹线部分的长度,柔性显示器100的配线迹线可以采用图8中所示的正弦波、方波、蛇形、锯齿形和倾斜线迹线设计中的任何一条或更多条。在这样的构造中,弯曲应力可以分布到以偏离弯曲形貌的切线向量的角度取向的迹线部分。图8中所示的应变减小迹线设计仅仅是示例性的,并且不应被解释为对可以在柔性显示器100的实施方案中使用的迹线设计的限制。
一些导线迹线120可以采用与柔性显示器100的其他导线迹线120不同的应变减小迹线设计。在一些实施方案中,导线迹线120可以具有变化的尺寸以便于导线之间的紧密间隔。例如,第一配线迹线的凸起侧可以布置在第一导线迹线旁边的第二导线迹线的凹进侧中。
为了防止或最小化由导线迹线120中的裂纹引起的互连的分离,配线迹线可以分成多条子迹线,其以特定间隔会聚回到单个迹线中。也就是说,单个导线迹线120可以包括两条或更多条子迹线,其在每个节点X处分裂和合并。从第一节点X,子迹线中的一个沿远离弯曲形貌的切线向量的第一方向延伸预定距离,然后沿朝向第二节点X的第二方向延伸。从第一节点X到第二节点X的至少一个其他子迹线以类似的方式布置,但是是以相对于弯曲形貌的切线向量的镜像取向布置。导线120的在两个相邻节点X之间的两个子迹线围绕没有导线迹线120的开放区域。
其中子迹线布置在两个相邻节点X之间的距离和方向限定了导线迹线120以及由子迹线围绕的开放区域的形状和尺寸。此外,覆盖具有上述应变减小迹线设计的导线迹线120的表面的绝缘层在对应于导线迹线120的迹线设计中被图案化。因此,由导线迹线120的被子迹线包围的开放区域没有无机绝缘层,或者具有比导电迹线120下方和/或上方的区域更薄层的无机绝缘层。
以示例的方式,图9A中描绘的导线迹线120包括在两个相邻的节点X-1和X-2之间分裂和再合并的子迹线A和B。从第一节点X-1,子迹线A从弯曲形貌的切线向量沿第一角度方向延伸预定距离,然后从弯曲形貌的切线向量沿第二角度方向延伸以到达第二节点X-2。在该示例中,导线120的在节点X-1与X-2之间的形状类似于具有子迹线A和子迹线B围绕开放区域的菱形。开放区域的形状可以对应于导线迹线120的形状。利用附加的节点X,导线迹线120形成菱形链,因此迹线设计可以被称为菱形迹线设计。
与图8所示的非分裂应变减小迹线设计相比,图9A所示的应变减小迹线设计可以在电性能方面提供显著的优点。例如,设置有菱形迹线设计的配线迹线可提供比采用山迹线设计、正弦波迹线设计或其他单线应变减小迹线设计的配线迹线低得多的电阻。此外,在其中子迹线之一因裂纹损坏或切断的情况下,子迹线可以用作备用电通路。
因此,在一些实施例中,柔性显示器的弯曲部分中的导线迹线120中的至少一些具有菱形迹线设计。菱形迹线设计可应用于导线迹线的在弯曲容许部处的部分。图9A的应变减小迹线设计包括布置成沿远离弯曲的切向向量的方向延伸的子迹线。这减小了与弯曲形貌的切线向量对准的导线线路120的长度。如上所述,弯曲应力的分布取决于子迹线相对于弯曲方向的向量(即,分离角)。因此,具有远离弯曲方向(即,弯曲形貌的切线向量)的较大分离角度的子迹线将经受较小的弯曲应力。
由于裂纹通常从覆盖导线迹线的表面的无机绝缘层开始,因此与弯曲形貌的切线向量对准的绝缘层迹线的长度也必须最小化。为此,在设计应变减小迹线设计时必须考虑各种参数。在单线应变减小设计中,导线迹线的宽度和形状以及与导线迹线的表面接合的图案化无机绝缘层的宽度应当保持最小。
在如上所述的基于多条子迹线的应变减小迹线设计中,必须考虑各种附加因素。给定导线迹线120和无机绝缘层的宽度,在节点X之间分开和合并所呈现的角度应足够大,使得覆盖在节点X处与子迹线的在两个相邻节点X之间改变其方向的点的导线迹线120的无机绝缘层之间存在足够的偏移。此外,子迹线的从节点X延伸到在其方向朝向下一节点X变化以再合并之前的部分的长度还应当有助于在覆盖导线迹线的表面的绝缘层的所述部分之间产生所述偏移。换句话说,由两个节点X之间的子迹线包围的开放区域应具有一定尺寸和形状,以使得配线迹线的无机绝缘层迹线的平行于弯曲形貌的切线向量延伸的长度最小化。
在图9A所描绘的菱形迹线设计中,覆盖导线迹线120的外表面的缓冲层126和钝化层128形成从导线120的外部迹线具有预定边缘的绝缘层迹线。因此,除了具有保留的以覆盖导线迹线的预定边缘的绝缘层之外,由子迹线A和B包围的开放区域没有绝缘层。
在从弯曲方向的正交方向测量的没有绝缘层的开放区域的长度大于在相同方向测量的节点X处的无机绝缘层迹线的宽度。在该设置中,由子迹线A和B包围的开放区域以及与节点X相邻的区域可以没有无机绝缘层,或者以其他方式设置有减少数量的无机绝缘层。由绝缘层的在子迹线的中间处和在节点X处的部分之间的偏移提供的这些区域减小了配线迹线中以连续的直线延伸的绝缘层的长度。
参考图9A,没有绝缘层的区域FA1防止两个节点X1和X2之间的子迹线A和子迹线B的绝缘层以连续的直线延伸。类似地,没有绝缘层的区域FA2禁止两个节点X1和X2之间的绝缘层以连续的直线延伸。因此,与弯曲形貌的切线向量对准的绝缘层迹线的每个段的长度被减小。
菱形迹线设计不仅提供低得多的裂纹开始速率,而且还阻止裂纹传播到导线迹线120。可以通过减小导线迹线120和覆盖导线迹线120的绝缘层的宽度获得与弯曲形貌的切线向量对准的绝缘层迹线的长度的进一步减小。导线迹线120的宽度的减小量受限于图8所示的单线应变减小迹线设计,这是因为导线迹线120的电阻可能变得太高而不能用于柔性显示器100。然而,通过分裂和合并导线迹线120而产生的附加电通路在导线迹线120中产生低得多的电阻。
通过在高弯曲应力区域中选择性地增加导线迹线中的子迹线的角度,在配线迹线中提供较少产生裂纹的可能。使用以远离弯曲方向的更大的角度分裂和合并的子迹线,沿弯曲形貌的切线向量延伸的绝缘层和导线迹线120的长度的减少更彻底。这样,可以避免不必要的电阻增加。
应当注意,子迹线的分裂角度可以影响菱形迹线设计中两个相邻节点X之间的距离。节点X之间的距离不需要在整个导线迹线上是均匀的。基于施加在配线迹线的部分上的弯曲应力的水平,迹线分裂和合并的间隔可以在单个配线迹线内变化。对于配线迹线的部分朝向柔性显示器100的经受较高弯曲应力的区域(例如,具有较小弯曲半径的区域、具有较大弯曲角度的区域)节点X之间的距离可以逐渐缩短。相反,节点X之间的距离可以朝向经受较低弯曲应力的区域逐渐变宽。
在图9B的示例性迹线设计中,在端部部分中的迹线的节点X之间的距离处于第一距离(例如,27μm),但是该距离朝着迹线的中间部分逐渐变短。在中间部分中,节点X之间的距离减小一半。图9B所示的迹线的端部可以是用于柔性显示器100的弯曲容许部的开始端附近的配线迹线的部分,并且迹线的中间部分可以是用于柔性显示器100的弯曲容许部的中间或其附近的部分。
即使使用应变减小迹线设计,在迹线的某些点(即,应力点)仍不可避免地保留弯曲应力。应力点的位置很大程度上取决于迹线的形状以及弯曲方向。因此,对于给定的弯曲方向,配线迹线可以设计成使得剩余的弯曲应力会集中在其迹线的期望部分处。知道了配线迹线中应力点的位置,可以提供抗裂纹区域以使得配线迹线能够更长时间地抵抗弯曲应力。
再参考图9A,当具有菱形迹线设计的配线布线在弯曲方向上弯曲时,弯曲应力趋向于在成角度的角(即,每个菱形链节的顶点)处聚焦,这被表示为应力点A和应力点B。例如,在应力点A处,裂纹可以从内部配线迹线820开始并且朝向外部配线迹线830生长。类似地,裂纹可以从外部配线迹线830开始并且在应力点B处朝向内部配线迹线820生长。
因此,可以选择性地增加在应力点A处的导线迹线120的宽度,以用作抗裂纹区域。如图9A所示,在垂直于弯曲方向的方向上测量的导线迹线120在应力点A和B处的宽度(WA,WB)可以长于导线迹线120在应力点A和B之间的部分的宽度(W)。应力点处的额外宽度可以使得导线迹线120在应力点发生完全断开之前保持更长时间。
应当提醒的是,与弯曲方向对准的绝缘层的连续部分长度应当保持最小。因此,在一些实施方案中,在与应力点A处的弯曲形貌的切线向量垂直的方向上测量的导线迹线120的宽度范围为约2.5μm至约8μm,更优选地为约3.5μm至约6μm,更优选约4.5μm至约8.5μm,更优选约4.0μm。
在应力点B处沿裂纹生长方向测量的导线迹线120的宽度也应该以与导线迹线120在应力点A处的宽度类似的方式保持。因此,配线的宽度在应力点B可以为约2.5μm至约8μm,更优选为约3.5μm至约6μm,更优选为约4.5μm至约8.5μm,更优选为约4.0μm。由于成角度的角部的紧密接近以及它们在应力点B处的裂纹生长方向,导线迹线120在应力点B处的宽度可以大于在应力点A处的宽度。
为了使裂纹从内部配线迹线820和外部配线迹线830两者开始的机会最小化,配线迹线中的至少一侧可以不与应力点A处的其他迹线一样尖锐地成角。在如图9A所示的实施方案中,在应力点A处的内部迹线820具有成角度的角,并且在应力点A处的外部迹线830与弯曲方向基本平行(例如,±5°)。然而,外部迹线830在弯曲方向上过度延伸的长度L可能首先破坏使用应变降低迹线设计的目的。因此,外部迹线830的基本上平行于弯曲方向延伸的部分的长度L可以等于或稍微偏离(例如,在±2.5μm内)配线迹线的宽度W。
替选地,可以用外部迹线830形成尖角,而在应力点A处的内部迹线820基本上平行于弯曲方向。在这两种情况下,较不尖锐成角的迹线可以简单地更圆,而不是为如图9A所示的直线迹线。
配线迹线可以分裂成附加数量的子迹线,从而在柔性显示器100中产生网格状的配线迹线。作为示例,子迹线可以被构造为如图9C所示的菱形迹线形状的网状物。这种迹线设计对于传输公共信号或需要减小电阻的配线迹线特别有用。例如,用于在柔性显示器100中提供VSS和VDD的配线迹线可以具有网格状迹线设计。子迹线的数量和网格状迹线设计的子迹线的形状都没有特别限制为图9C所示的示例性设计。
在一些实施方案中,形成网格状配线迹线的分裂的子迹线可以会聚回到单线配线迹线中或形成图9A所示的菱形迹线。在一些情况下,网格状配线迹线的每个菱形迹线的尺寸可以大于菱形链迹线的每个菱形迹线的尺寸,以减小电阻。
上面讨论的应变减小迹线设计可以用于导线迹线120的全部或部分。在一些实施方案中,柔性显示器100的弯曲部中的导线迹线120的部分可以采用这样的应变减小迹线设计。导线迹线120的在具有应变降低迹线设计的部分之前或之后的部分可以具有相同的迹线设计。如果需要,应变减小迹线设计可以应用于导线迹线120的多个部分。
图案化绝缘层
如上所述,应当注意,裂纹主要从无机绝缘层开始。因此,通过从易于产生裂纹的区域中选择性地除去无机绝缘层,能够抑制裂纹的传播。为了实现这一点,可以在柔性显示器100的各个不同部分处选择性地蚀刻掉一个或更多个无机绝缘层和/或包括无机材料层的绝缘层的堆叠体。
例如,导线迹线120下方的绝缘层可以被蚀刻掉。导线迹线120下方的绝缘层可以是缓冲层126,缓冲层126可以包括一个或更多个无机材料层。缓冲层126可以由SiNx层和SiO2层中的一个或更多个形成。在一个适当的构造中,缓冲层126可以由SiNx层和SiO2层的交替堆叠体形成。缓冲层126设置在基底层126上,但在TFT下方。
为了便于使柔性显示器100更容易弯曲,缓冲层126的一部分可以在柔性显示器100的弯曲部中被蚀刻掉。因此,形成在基底层106的基本平坦部上的缓冲层126可以比基底层106的弯曲部上方的缓冲层126厚。当缓冲层126形成为多个子层的堆叠体时,柔性显示器100的基本平坦的部分中的缓冲层126与柔性显示器100的弯曲部中的缓冲层相比可以包括一个或更多个附加子层。
例如,基本平坦的部分中的缓冲层126可以包括SiNx层和SiO2层的多个堆叠体,而弯曲部中的缓冲层126包括SiNx层和SiO2层的单个堆叠体。在弯曲部的一些部分中也可以仅具有SiNx层或SiO2层的单层。在一个合适的构造中,缓冲层126中的每个SiNx层和SiO2层可以具有约1000A的厚度。因此,柔性显示器的弯曲部中的缓冲层126的厚度可以在约100A至约2000A的范围内。
在柔性显示器100的基本平坦的部分中,可以在TFT的半导体层的正下方设置附加的无机层,其可以被称为有源缓冲层。在一些实施方案中,。位于TFT的有源层最近下方的无机层可以比缓冲层126的各个无机层厚得多。
弯曲容许部中的缓冲层126可以被进一步蚀刻以暴露基底层106,同时使缓冲层126完整地保持在导线迹线120下方。换句话说,在柔性显示器100的弯曲部中提供凹陷区域和突出区域。突出区域包括设置在基底层106上的缓冲层126,而凹陷区域具有露出的在其上没有设置缓冲层126的基底层106。
在图10A所示的一个示例性构造中,导线迹线120位于突出区域上,钝化层128位于突出区域上的导线迹线120上方。虽然钝化层128可以暂时沉积在凹陷区域上方,但是可以通过干法蚀刻或湿法蚀刻工艺从凹陷区域去除钝化层128。因此,凹陷区域可以基本上没有钝化层128。当从凹陷区域蚀刻钝化层128时,基底层106的一部分也可以被蚀刻掉。因此,基底层106在凹陷区域处的厚度可以低于基底层106在柔性显示器100中其他地方的厚度。当缓冲层126如图10A所示被蚀刻掉时,裂纹从缓冲层126的一部分到缓冲层126的另一部分的传播可以被凹陷区域中的空间阻止。类似地,裂纹通过钝化层128的传播也被凹陷区域的空间被阻止。因此,可以减少因裂纹的传播对导线迹线120的损坏。
在图10B所示的另一适合的构造中,凹陷区域包括被蚀刻到某一深度的基底层106,并且导线迹线120被沉积在凹陷区域的基底层106上。在该设置中,导线迹线120的该部分设置在基底层106内。导线迹线120的一些部分也被沉积在缓冲层126的提供突出区域的部分上。钝化层128可以沉积在导线迹线120上,然后从凹陷区域被蚀刻掉以暴露凹陷区域中的导线迹线120。
因此,钝化层128保留在位于突出区域上的导线迹线120上。在该构造中,保留在缓冲层126上的钝化层128可以抑制电偶腐蚀,这是因为其覆盖多层导线迹线120的截面侧表面。虽然从缓冲层126产生的裂纹可以穿透到缓冲层126的侧表面上的导线迹线120,但到达导线迹线120的位于基底层106内的部分将会是困难的。
当导线迹线120具有上述多层结构时,导线迹线120在凹陷区域中的部分不需要被钝化层128覆盖。使用从凹陷区域中的导线迹线120的表面移除的钝化层128,也可以防止从钝化层128的裂纹传播。此外,电偶腐蚀通常从导线迹线120的在缓冲层上的边缘开始,并且由此如果缓冲层126上的导线迹线120与基底层106中的导线迹线120彼此足够间隔开,则可以不需要在缓冲层126上的覆盖导线120的边缘的钝化层128
在一些实施方案中,图案化绝缘层也可以应用于有源区域与弯曲容许部之间的布线区域以及COF接合区域与弯曲容许部之间的布线区域中。
去除柔性显示器100的TFT附近的无机绝缘层可能影响柔性显示器100中的部件的电特性。例如,当缓冲层126的一些部分被去除时,可以导致TFT的阈值电压的不期望的偏移。为了保持TFT的稳定性,可以在TFT的半导体层下方形成附加的屏蔽金属层。屏蔽金属层可以在缓冲层126之下或插入在缓冲层126的无机层之间。在一些实施方案中,屏蔽金属层可以电连接到TFT的源电极或栅电极。
如上所述,一些结构元件可以不存在于柔性显示器100的一些区域中以便于弯曲。例如,诸如触摸传感器层112、偏振层110等的元件可以不在柔性显示器100的弯曲区域中。另外,一些绝缘层,例如缓冲层126可以在某种程度上被蚀刻,使得与柔性显示器100中的其它区域相比,绝缘层在一个区域处具有减小的厚度或具有更少数量的子层。这些部件和层的缺乏或简化将产生其中配线迹线和/或绝缘层迹线可能需要跨过的许多不均匀表面。
当在这种不平坦表面上铺设配线迹线时,配线迹线的部分的平面高度可以不同。处于不同的平面高度,弯曲应力的量和方向以及由弯曲应力产生的应变甚至在配线迹线的部分之间也可以不同。为了适应差异,用于配线迹线的应变减小迹线设计可以包括针对不平坦表面上的配线迹线的部分的改进的迹线设计。
图11A是示出柔性显示器100的示例性背板构造的放大截面图,其中从弯曲部移除了若干绝缘层以便于更可靠的弯曲。
可以在基底层106与OLED元件层102之间形成有几个有机层和无机层。在该特定示例中,SiNx和SiO2层的交替堆叠体可以设置在基底层106上以用作缓冲层126。TFT的半导体层可以夹在有源缓冲层与由SiO2层形成的栅极绝缘层之间。TFT的栅极设置在层间电介质层(ILD)上,并且具有如上所述的多层结构的TFT的源极/漏极夹在ILD与钝化层之间。这里,ILD可以由SiNx和SiO2的堆叠体形成,并且钝化层由SiNx形成。然后,在钝化层上设置平坦化层,从而可以在其上设置用于OLED的阳极。
如上所述,应变减小迹线设计的使用不仅限于配线迹线在弯曲部内的部分。另外,应变减小迹线设计可以应用于弯曲容许部之外的布线区域中的配线迹线的部分。在这样的布线区域中使用用于配线迹线的应变减小迹线设计可以增加抵抗弯曲应力的配线迹线的保护。
然而,在布线区域中,可以不存在基底层106与OLED元件层102之间的几层有机材料层和/或无机材料层,以便于柔性显示器100的弯曲。这种有机层和/或无机层——包括但不限于ILD、栅极绝缘层、缓冲层、钝化层、平坦化层等——可以不存在于柔性显示器100的弯曲部分中。这些层中的一些可以通过几次蚀刻过程从该区域移除。以示例的方式,可以通过第一蚀刻过程蚀刻缓冲层126上的几个绝缘层,其后是蚀刻掉有源缓冲层和缓冲层126的一部分(例如,SiNx层和SiO2层)的第二蚀刻过程。这些蚀刻过程产生如图11A所示的多个台阶区域,所述台阶区域具有一个或更多个垂直倾斜表面和水平地同高度的表面,其中配线迹线设置在其上。布置在垂直倾斜表面和水平地同高度表面上的配线迹线将具有几个弯曲点,例如EB1区域和EB2区域。
当使柔性显示器100在弯曲方向上弯曲时,配线迹线可在台阶区域处或附近经历更多的应变。许多测试和实验表明,在跨越EB1区域与EB2区域之间的台阶区域的配线迹线中,开裂的机会特别高。因此,在一些实施例中,用于配线迹线的应变降低迹线设计具有在由柔性显示器的绝缘层提供的高水平的表面与低水平的表面之间的台阶区域处或附近的增强部分。
在图11B所示的示例中,配线迹线在其两端具有简单的直线迹线。导线的跨过在弯曲点EB1和EB2之前和之后的部分使用改进的迹线设计被加强。在改进部分处,导线被设置有较宽宽度的额外宽度WR,以确保导线迹线120的固持,即使裂纹从弯曲点EB1和EB2附近的绝缘层开始亦如此。导线120以增加的宽度WR增强的增强部分的距离DR取决于由蚀刻过程产生的阶梯区域的尺寸以及第一水平表面(例如,弯曲点EB1)和第二水平表面(例如,弯曲点EB2)之间的距离。
经改进部分(即,增强部分)之后,配线迹线被示为具有在之前图9A描述的应变减小迹线设计(即,菱形链迹线设计)。然而,应用了改进部分的配线迹线的应变减小迹线设计不限于图11B所示的应变减小迹线设计。应变减小迹线设计的各种实施方案可以包括配线迹线的对应于两个不同水平表面之间的台阶区域的部分的改进迹线设计。
尽管这可能并不总是这样,但是与弯曲容许部相邻的布线区域可以是柔性显示器100的基本平坦部。在这样的情况下,弯曲点EB1和EB2将位于弯曲部中的弯曲容许部的刚刚外部开始处。
增强的导线迹线120部分的增加的宽度WR可以在弯曲容许部的曲率相对较小的开始和端部处或附近很好地用于其目的。配线迹线的较宽的宽度WR和其中应用改进的迹线部的长度可以增加配线迹线的与弯曲方向成直线的长度。这将使得配线迹线更难抵抗具有较大弯曲半径的区域处的弯曲应力。
为此,应当限制使用增强部分的距离DR,使得增强导线部分不会朝向弯曲容许部内延伸太远。换句话说,可以限制增强导线部分的距离DR,使得增强导线部分的迹线设计不延伸超过具有多于一个阈值弯曲角度的弯曲容许部。作为示例,增强的导线部分可以不延伸超过其远离弯曲的切平面弯曲30°的点。上述阈值弯曲角度可以小于20°,例如10°,更优选地小于7°。
具有增强部分的配线迹线可以延伸跨越弯曲容许部,并且被布线至COF的焊盘或柔性显示器100的其他部件。在这样的情况下,在弯曲容许部的相反端处或相反端附近可能存在额外的台阶区(类似于EB1和EB2)。在这样的弯曲点处或弯曲点附近的导线可以以与图11B中所示的相对端处的配线迹线的修改部分类似的方式被增强。如果需要,位于弯曲容许部的相反端处的台阶区域处或附近的增强导线部分可以具有与如图11B所示不同的形状。
柔性显示器100的划线和/或倒角线附近的区域可以是另外的薄弱点。例如,在对柔性显示器进行划线或对基底层106的部分进行倒角期间,裂纹可以从绝缘层开始。在柔性显示器100的远端处产生的裂纹可以朝向中心部传播。来自柔性显示器100的倒角线的裂纹可以传播到弯曲区域和与弯曲区域相邻的布线区域中。在一些情况下,在所述非有源区域的边缘处的裂纹可以朝向有源区域传播并且损坏非有源区域中的各种电路例如GIP。
因此,沿着柔性显示器100的一个或更多个划线的选定区域可以基本上没有无机材料层。例如,柔性显示器100中的基底层106的一个或更多个边缘处的区域(在图12A中表示为“回缩区域”)可以基本上没有缓冲层126。在回缩区域中,基底层106可以是暴露的,或者可以仅保留缓冲层126的预定最小厚度。虽然在图12A中的柔性显示器100的顶部边缘和底部边缘处标记了回缩区域,但是设置有回缩区域的一个或更多个边缘的侧面,回缩区域的尺寸和形状没有特别限制。
也可以在柔性显示器100的边缘(即,划线/倒角线)与有源区域和中心部之间的区域中设置几个侧裂纹阻挡部结构。例如,可以通过蚀刻如图12A中的有源区域的左侧边缘所示的绝缘层而在非有源区域中形成凹陷通道。在一些实施方案中,可以在位于非有源区域中的电路与非有源区域的外边缘之间设置虚拟配线迹线图案以改变裂纹朝向电路传播的方向。例如,可以在GIP与柔性显示器100的边缘之间形成如图9A(右侧)所描绘的具有应变减小图案的金属迹线和覆盖金属迹线的绝缘层。
应当注意,有源区域的左侧上的凹陷通道也可以设置在有源区域的右侧上。同样地,具有设置在非有源区域的右侧上的应变减小图案的金属迹线也可以设置在非有源区域的左侧上。在一些实施方案中,凹陷通道和具有应变减小图案的金属迹线可以设置在有源区的两侧上。在该构造中,从非有源区域的外边缘朝向GIP的方向上传播的裂纹可以由于在GIP之前形成的菱形金属/绝缘迹线的角度而改变其路线。
绝缘层的去除也可以在有源区域与弯曲容许部之间的布线区域以及COF接合区域与弯曲容许部之间的布线区域中执行。此外,可以从倒角线(即,缺口线)旁边的区域去除无机材料层,使得裂纹不从倒角线侧朝向导线120传播。
图12B是倒角线(缺口线)附近的弯曲容许部的放大图。为了减少来自倒角线附近的无机层的裂纹开始和传播,绝缘层在配线迹线(VSS线)至倒角线之间的区域中被蚀刻掉。特别地,可以去除设置在弯曲容许部中最接近倒角线的导线120(例如,VSS线)与倒角线之间的区域中的基底层106上的缓冲层126。在该区域中,可以暴露基底层106(例如,PI)或者可以仅留下具有有限厚度(即,比导线迹线120下方的缓冲层126薄)的缓冲层126。因此,可以通过缓冲层被去除的区域来阻止裂纹从倒角线开始和传播。
如图12B所描绘的,当蚀刻倒角线附近的缓冲层126时,可以在倒角线与最近的导线迹线120之间留下缓冲层126的条。这样的缓冲层条可以用作堤部用于抑制其它异物的水分从柔性显示器100的倒角侧到达导线迹线120。
上述缓冲层被蚀刻区域也可以应用在倒角线与最近的导线120之间的布线区域中。缓冲层126的条也可以设置在布线区域中。此外,导线120下方的缓冲层126和导线120上的钝化层128可以在整个布线区域被图案化以对应于导线120的迹线,以进一步减少由布线区域中的无机绝缘层引起的裂纹传播的机会。例如,图10A和10B中描绘的结构也可以应用于布线区域中的导线迹线120。
图12C是倒角线附近的设置有另一类型裂纹阻挡部结构的弯曲容许部的放大图。在本实施方案中,在倒角线和导线迹线120(例如,VSS)之间设置有具有菱形迹线图案的辅助导线130。辅助导线130下方的缓冲层126和辅助导线130上的钝化层128可以以与图10A和10B所示类似的方式被蚀刻。因此,辅助导线130可以抑制裂纹从倒角线传播到导线迹线120。辅助导线130可以是浮置线。如果需要,辅助导线130可以朝向柔性显示器100的底部边缘延伸到布线区域外部。在一些实施方案中,辅助导线130可以与相邻导线120接触。除了辅助导线130之外,也可以设置缓冲层126的条以阻止水分或其它异物朝向辅助导线130行进。
MCL
具有从柔性显示器100的弯曲部蚀刻掉的无机绝缘层,弯曲部中的配线迹线可以易受到水分和其他异物影响。特别地,可以对用于在制造柔性显示器100期间测试部件的各种焊盘和导线进行倒角,并且这可以使导线在柔性显示器100的缺口边缘处出来。这样的导线可以容易地受到水分的腐蚀,并且造成其他附近的导线迹线也被腐蚀。
因此,可以在弯曲部中的配线迹线上方布置可以被称为“微涂层”的保护涂层,以提供免受水分和其他异物的影响。除了具有良好的抗水分性之外,微涂层应该具有足够的柔性,使得其可以被用在柔性显示器100的弯曲部中。另外,微涂层的材料可以是能够在有限时间内使用低能量的可固化材料,使得微涂层下方的部件在固化过程期间不被损坏。
图12A是在柔性显示器100的实施方案中的微涂层132的一个适合的示例性构造的示意图。微涂层132可以作为光固化(例如,UV光、可见光、UV LED)树脂被提供,并且被涂覆在柔性显示器100的期望区域上方。关于此点,微涂层132被涂覆在封装部114与附接在非有源区域中的COF 134之间的区域上方。然而,根据微涂层132的粘附特性,微涂层132可以从封装层114和/或COF 134分离。微涂层132与封装层114或COF 132之间的任何空间可以变成水分可以穿透的缺陷点。
因此,微涂层132可以被涂覆以溢流到封装层114的顶表面的一部分中用于封装层114与微涂层132之间的增强的密封。微涂层132与封装层114的表面之间的附加的接触区域可以提供更强的接合,并且减小配线迹线在柔性显示器100的弯曲部处的裂纹和腐蚀。同样地,微涂层132可以被涂覆在COF 134的至少一些部分上用于微涂层132与COF 134之间的更强的接合。
参照图13B和13C,涂覆有微涂层134的封装层114的宽度(表示为溢流_W1)和涂覆有微涂层134的COF 134的宽度(表示为溢流_W2)没有特别限制,并且可以根据微涂层132的粘附性而变化。如图13B所示,柔性显示器100可以包括封装层114上的微涂层132与偏振层110的侧壁间隔开的部分。在一些实施方案中,柔性显示器100可以包括如图13C所示封装部114上的微涂层132与设置在封装部114上的偏振层110接触的部分。
在一个适合的构造中,微涂层132可以在两个相对的角(表示为“POL_CT”)处与偏振层110接触,同时微涂层132仅覆盖封装层114在两个相对角之间的区域中的一些部分。在弯曲过程之后,柔性显示器100的微涂层132与偏振层110间隔开的部分可以如图14A所示被构造。在微涂层132被构造成与偏振层110接触的区域中,柔性显示器100可以如图14B所示被构造。
应该注意,微涂层132以树脂形式被分散,并且可以散布在分散的表面上。散布动力取决于微涂层132的黏度以及微涂层132被分散的表面能量。因此,溢流到封装层114中的微涂层132可以到达偏振层110。当微涂层132到达偏振层114的侧壁时,微涂层132可以攀爬到偏振层110的上方。微涂层132的这样的侧壁湿涂可以在偏振层132的表面上方造成不均匀的边缘,这可能导致在其上布置另一层时的各种问题。因此,可以对分散在目标表面上的微涂层134的量进行调整以控制微涂层134在封装层114上的宽度。
微涂层132可以涂覆成预定厚度以调整柔性显示器100在弯曲部处的中性面。更具体地,通过微涂层132在柔性显示器100的弯曲部处增加的厚度可以改变中性面,使得配线迹线的平面更加靠近中性面偏移。
在一些实施方案中,从基底层106的表面测量的在封装部114与COF134之间的区域中的微涂层132的厚度可以基本上和基底层106的表面至封装部104的顶表面之间的距离相等。在这样的实施方案中,弯曲容许部中的微涂层132的顶表面与封装层114的顶表面之间的垂直距离可以小于25μm。
可以使用各种树脂分散方法(例如,狭缝涂覆、喷射涂覆等)来在目标表面处分散微涂层132。以示例的方式,微涂层132可以通过使用喷射阀来分散。可以在涂覆过程期间调整从喷射阀的分散速度,用于准确地控制微涂层132在目标表面处的厚度和散布尺寸。此外,可以使用附加量的喷射阀以在微涂层132通过UV照射被固化之前减少分散时间并且限制散布量。
分开的VSS-VDD配线迹线
微涂层132在配线迹线上的散布动力学可以受到配线迹线的迹线设计的影响。更具体地,在柔性显示器100的弯曲部分中沿着配线迹线的绝缘层的图案化产生基本上变为将被微涂层132覆盖的微沟槽表面的凹陷区域和突出区域。
当在配线迹线中应用应变减小迹线设计时,围绕分裂子迹线的绝缘层的图案化产生凹陷的开放区域,其被导线迹线和在导线迹线下方和上方的绝缘层的突出堆叠体包围。在涂覆微涂层132期间,微涂层液滴的一些部分可以渗透到凹陷的开放区域中。其可阻止微涂覆层132在这样的微沟槽表面上的散布并减小其最大散布直径,并且导致弯曲部的一些部分在没有微涂覆层132的情况下暴露。
通过凹陷区域和突出区域的分布导致的微涂层132的润湿性的降低可以在施加图9C所示的网格状迹线设计的配线迹线上方的区域中更大地放大。为了抵消粘性阻力,在一些实施方案中,包括并排邻接的多条菱形链迹线的配线迹线可以在配线迹线的两个部分之间设置有导轨。
参考图15,具有网格状迹线应变减小迹线设计的配线设置有伸长的的凹陷通道。在伸长的凹陷通道内,不形成导线迹线120。此外,基底层106上的无机绝缘层中的至少一些在伸长的凹陷通道中被去除。在配线迹线的部分之间的伸长的凹陷通道从配线迹线的信号提供侧延伸到信号接收侧。也就是说,伸长的凹陷通道可以沿基本上平行于弯曲方向的方向延伸。配线迹线的在伸长的凹陷通道的一侧上的部分连接到配线迹线的在伸长的凹陷通道的相对侧上的部分,并且因此配线迹线的这两个部分传送相同的信号。可以通过可以为配线迹线的一部分导电路径在配线迹线的一个或两个端部处实现配线迹线的分开部分的连接。配线迹线的分开部分的连接可以在弯曲容许部的外部实现。
即使伸长的凹陷通道的每一侧上的配线迹线的部分具有网格状迹线设计,在每个部分中邻接的减少数量的菱形链迹线可以减少微涂层的粘性阻力。更重要的是,配线迹线部分之间的伸长的凹陷通道用作改善微涂层132的润湿性的通道。总之,微涂层132的最大散布直径的增加可以通过将一个或更多个导轨定位在具有网格状应变减小迹线设计的配线内来实现。
应当注意,配线迹线的电阻可以随着将配线分为多个部分的伸长的凹槽而增加。当被提供信号时,配线的电阻的增加可以提高配线迹线的温度。因此,设置在单个配线迹线中的伸长的凹陷通道的数量可以取决于经由配线迹线传输的信号。在一些情况下,网格状配线迹线的每个菱形迹线的尺寸可以大于菱形链迹线的每个菱形迹线的尺寸,以减小电阻。
在一个合适的构造中,柔性显示器100的功率信号线中的一条或更多条(例如VDD和/或VSS)具有由并排邻接的多条菱形链迹线形成的网格状配线迹线。如图15所示,功率信号线包括在伸长的凹陷通道的两侧上的两个分开的网格部分之间的单个伸长的凹陷通道,所述伸长的凹陷通道的两侧在功率信号线的两端被连接。分开的网格部分的尺寸可以基本相同。也就是说,在伸长的凹陷通道的一侧上形成网格部分的菱形链迹线的数量可以与在相对侧上形成网格部分的菱形链迹线的数量相同。然而,如果需要,彼此邻接以形成一个网格部分的菱形链迹线的数量可以不同于形成另一个网格部分的菱形链的数量。
在另一种合适的构造中,电源信号线迹线可以包括一个伸长的的凹陷通道,其将功率信号线迹线分成在配线迹线开始和结束时连接的两个网格部分。
虽然上面参照OLED显示技术描述了本公开中的概念和教导,但是应当理解,几个特征可以传播到任何形式的柔性显示技术(例如电泳、液晶、电致变色、包括柔性基板上的分立无机LED发射器的显示器、电流体和电动显示器),以及任何其它合适形式的显示技术。
如上所述,柔性显示器100可以包括多个创新,其被构造为允许一个或更多个部分的弯曲以减小组装的柔性显示器100的明显边界尺寸和/或利用组装的柔性显示器100的所述侧表面。在一些实施方案中,可以仅在仅具有导线迹线120而不具有有源显示部件或外围电路的弯曲部和/或弯曲容许部中执行弯曲。在一些实施方案中,可以加热基底层106和/或待弯曲的其它层和基板以促进弯曲而不断裂,然后在弯曲之后冷却。在一些实施方案中,可以使用诸如具有无源电介质层的不锈钢的金属而不是上面讨论的聚合物材料作为基底层106。可以在几个识别和对准处理步骤中使用光学标记,以确保在没有敏感部件断裂的情况下适当的弯曲。在装置组装和弯曲操作期间可以主动监视柔性显示器100的部件,以监视对部件和互连的损坏。
导线迹线120和/或绝缘层的组成材料可以被优化以促进拉伸和/或压缩而不是在弯曲区域内断裂。导线迹线120的厚度可以跨弯曲区域和/或弯曲容许部而变化,以最小化关于柔性显示器100的弯曲部或弯曲容许部周围的应力。导线迹线120和绝缘层的迹线设计可以远离弯曲方向(即,弯曲形貌的切线向量)成角度、弯曲、呈波形或以其它方式布置以减小弯曲期间断开的可能性。导线迹线120、绝缘层和其它部件的厚度可以在柔性显示器100的弯曲部中改变或优化,以减少弯曲期间的断裂。除了所公开的封装层之外,通过在部件上方添加保护性微涂层,可以减少弯曲应力。导电膜可以在修复过程中弯曲之前、期间或之后施加到导线迹线120。此外,柔性显示器100的基本平坦区域中的导线迹线120的构成材料和/或结构可以与弯曲部和/或弯曲容许部中的导线迹线120不同。
所描述的实施方案的这些各个方面、实施方案、实现或特征可以单独使用或以任何组合使用。前述内容仅仅是对本发明的原理的说明,并且在不脱离本发明的范围的情况下,本领域技术人员可以进行各种修改。

Claims (14)

1.一种显示装置,包括:
基底层;
在所述基底层上的像素电路阵列和驱动电路;以及
连接至所述像素电路阵列或驱动电路的多条导线迹线,其中所述多条导线迹线中的至少一个包括具有应变减小迹线设计的部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中具有所述应变减小迹线设计的所述导线迹线的部分位于所述基底层上与所述显示装置的弯曲部对应。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中设置在所述导线迹线下方和/或所述导线迹线上的一个或更多个无机绝缘层被图案化为围绕所述导线迹线的具有所述应变减小迹线设计的部分。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中具有所述应变减小迹线设计的所述导线迹线的部分包括在彼此接触的第一网格部与第二网格部之间的伸长的凹陷通道。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中所述第一网格部和所述第二网格部中的每一个具有并排布置并且彼此接触的多条菱形链导线迹线。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中所述伸长的凹陷通道沿与弯曲方向基本平行的方向延伸。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中所述第一网格部和所述第二网格部在所述导线迹线的一端或两端处彼此连接。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其中具有所述应变减小迹线设计的所述导线迹线的部分在弯曲容许部上,以及其中所述第一网格部和所述第二网格部在所述显示装置的所述弯曲容许部的外部彼此接触。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中所述导线迹线的具有所述应变减小迹线设计的部分被微涂层覆盖。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中所述导线迹线部分的所述第一网格部和所述第二网格部具有相同尺寸。
11.一种显示装置,包括:
基底层,所述基底层在所述显示装置的第一部、第二部、以及所述第一部与所述第二部之间的弯曲容许部中;
在所述显示装置的所述第一部上的多个有机发光二极管(OLED)元件;
在所述显示装置的所述弯曲容许部处的电源导线迹线,所述导线迹线具有通过伸长的凹陷通道间隔开的至少两个网格条;以及
微涂层,所述微涂层设置在所述显示装置的所述弯曲容许部中的所述电源导线迹线上方。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中每个网格条包括彼此邻接的多条菱形链形迹线。
13.根据权利要求12所述的显示装置,还包括在所述显示装置的所述弯曲容许部处的多条信号供应导线迹线,所述多条信号供应导线迹线具有菱形链形状。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中所述电源供应导线中的每个菱形迹线的尺寸大于所述信号供应导线迹线的每个菱形迹线的尺寸。
CN201580052541.1A 2014-09-30 2015-09-03 具有分开的配线图案的显示装置 Active CN106716642B (zh)

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CN (1) CN106716642B (zh)
WO (1) WO2016052869A1 (zh)

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107195253A (zh) * 2017-07-26 2017-09-22 武汉天马微电子有限公司 可折叠柔性显示装置
CN107479752A (zh) * 2017-08-14 2017-12-15 业成科技(成都)有限公司 触控显示装置
CN107943292A (zh) * 2017-11-24 2018-04-20 无锡南理工新能源电动车科技发展有限公司 一种基于Kinect体感设备抛掷盛接系统
CN107946319A (zh) * 2017-11-27 2018-04-20 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN108022958A (zh) * 2016-10-31 2018-05-11 乐金显示有限公司 可折叠显示装置
CN108198827A (zh) * 2018-01-29 2018-06-22 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
CN108231800A (zh) * 2018-02-02 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法、显示装置
CN108242462A (zh) * 2018-01-12 2018-07-03 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示面板及其制备方法、显示装置
CN108648632A (zh) * 2018-07-18 2018-10-12 昆山国显光电有限公司 柔性显示器件和显示装置
CN108984008A (zh) * 2017-06-01 2018-12-11 乐金显示有限公司 触摸显示装置和触摸显示面板
CN109037281A (zh) * 2018-07-24 2018-12-18 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN109494315A (zh) * 2018-10-16 2019-03-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示装置及制备方法
CN109585509A (zh) * 2018-11-29 2019-04-05 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示装置及制作显示面板的方法
CN109616493A (zh) * 2018-10-31 2019-04-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及显示装置
CN109698220A (zh) * 2017-10-24 2019-04-30 三星显示有限公司 显示装置
JP2019079538A (ja) * 2017-10-25 2019-05-23 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド タッチディスプレーパネル及びタッチディスプレー装置
CN109860203A (zh) * 2017-11-30 2019-06-07 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制造方法及显示屏
WO2019127378A1 (zh) * 2017-12-29 2019-07-04 深圳市柔宇科技有限公司 柔性显示屏及柔性设备
CN109994528A (zh) * 2018-01-03 2019-07-09 三星显示有限公司 显示装置
WO2019153436A1 (zh) * 2018-02-07 2019-08-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 曲面显示器件的制作方法、曲面显示器件及显示装置
CN110221730A (zh) * 2019-06-17 2019-09-10 京东方科技集团股份有限公司 触控面板及触控显示装置
CN110391252A (zh) * 2018-04-19 2019-10-29 群创光电股份有限公司 电子装置
CN110518021A (zh) * 2019-09-10 2019-11-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法和显示面板
CN110519911A (zh) * 2019-08-30 2019-11-29 京东方科技集团股份有限公司 一种覆晶薄膜及其制备方法、显示装置
CN110660323A (zh) * 2018-06-29 2020-01-07 乐金显示有限公司 柔性显示设备
CN110752232A (zh) * 2019-09-29 2020-02-04 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
CN110828479A (zh) * 2019-10-30 2020-02-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制备方法
CN111199685A (zh) * 2018-11-19 2020-05-26 群创光电股份有限公司 拼接装置和电子装置
US10833135B2 (en) 2018-10-16 2020-11-10 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Flexible organic light emitting diode display device and method of fabricating same
CN112670310A (zh) * 2020-12-22 2021-04-16 业成科技(成都)有限公司 显示器及其制造方法
US12147637B2 (en) 2022-01-29 2024-11-19 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Touch display panel, touch display apparatus and touch display mother board

Families Citing this family (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9515099B2 (en) * 2014-07-31 2016-12-06 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with wire having reinforced portion and manufacturing method for the same
US9450038B2 (en) * 2014-07-31 2016-09-20 Lg Display Co., Ltd. Flexible display
US9349758B2 (en) * 2014-09-30 2016-05-24 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with divided power lines and manufacturing method for the same
JP2016081051A (ja) * 2014-10-10 2016-05-16 株式会社半導体エネルギー研究所 機能パネル、装置、情報処理装置
US9627463B2 (en) * 2014-11-28 2017-04-18 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with space reducing wire configuration
US9780157B2 (en) * 2014-12-23 2017-10-03 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with gate-in-panel circuit
KR102323242B1 (ko) * 2015-03-10 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
KR102577239B1 (ko) * 2015-12-16 2023-09-08 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
TWI614694B (zh) * 2016-01-21 2018-02-11 友達光電股份有限公司 指紋感測裝置
KR102542963B1 (ko) * 2016-02-04 2023-06-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10288974B2 (en) * 2016-04-06 2019-05-14 Amazon Technologies, Inc. Borderless display with curved edges
KR102559838B1 (ko) * 2016-04-08 2023-07-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102587229B1 (ko) 2016-04-22 2023-10-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102596956B1 (ko) * 2016-05-23 2023-11-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102559837B1 (ko) * 2016-06-02 2023-07-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102696805B1 (ko) * 2016-08-12 2024-08-21 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20180021965A (ko) 2016-08-22 2018-03-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102603654B1 (ko) * 2016-08-24 2023-11-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102688970B1 (ko) * 2016-09-19 2024-07-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107845640B (zh) * 2016-09-19 2020-05-19 上海和辉光电有限公司 一种显示模块及显示设备
US20180090720A1 (en) * 2016-09-27 2018-03-29 Universal Display Corporation Flexible OLED Display Module
KR102717104B1 (ko) * 2016-09-27 2024-10-16 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20180051739A (ko) 2016-11-08 2018-05-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102675011B1 (ko) * 2016-11-28 2024-06-17 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN106783920B (zh) * 2016-12-21 2019-10-25 深圳市华星光电技术有限公司 基于柔性oled的显示面板、无缝拼接显示装置及其制作方法
KR102708773B1 (ko) 2016-12-26 2024-09-23 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR102648794B1 (ko) * 2016-12-30 2024-03-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10312228B2 (en) 2017-01-25 2019-06-04 Innolux Corporation Display device
KR20180098451A (ko) 2017-02-24 2018-09-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2018179213A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 シャープ株式会社 表示装置およびその製造方法
CN108695340A (zh) * 2017-04-05 2018-10-23 上海和辉光电有限公司 一种显示面板及显示装置
TWI621250B (zh) * 2017-04-19 2018-04-11 友達光電股份有限公司 軟性面板及其製作方法
CN110459527A (zh) * 2017-04-28 2019-11-15 京东方科技集团股份有限公司 走线结构、显示基板及显示装置
US12004392B2 (en) 2017-04-28 2024-06-04 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and display device
KR101903888B1 (ko) * 2017-05-10 2018-10-02 동우 화인켐 주식회사 광학 적층체 및 이를 포함하는 플렉서블 디스플레이
CN107293570B (zh) 2017-05-12 2019-10-22 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
KR102381286B1 (ko) 2017-05-18 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107123634B (zh) * 2017-05-18 2019-06-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的布线结构及其布线方法、显示基板、显示装置
JP2018205337A (ja) * 2017-05-30 2018-12-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10693087B2 (en) * 2017-06-23 2020-06-23 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel with a metal wire array disposed on the bending region of a flexible substrate
JP2019012719A (ja) * 2017-06-29 2019-01-24 株式会社Joled フレキシブル配線板、及び、表示装置
US10021762B1 (en) 2017-06-30 2018-07-10 Innolux Corporation Display device
JP6917806B2 (ja) * 2017-06-30 2021-08-11 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107390965A (zh) * 2017-07-25 2017-11-24 业成科技(成都)有限公司 触控薄膜与触控面板
CN107331800B (zh) 2017-08-16 2019-04-30 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置
KR102341412B1 (ko) * 2017-08-29 2021-12-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107393421A (zh) * 2017-08-31 2017-11-24 京东方科技集团股份有限公司 走线结构、显示基板及显示装置
KR102423192B1 (ko) * 2017-09-06 2022-07-21 삼성디스플레이 주식회사 폴딩 가능한 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102381901B1 (ko) 2017-09-07 2022-04-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102404974B1 (ko) * 2017-09-12 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102375126B1 (ko) * 2017-11-02 2022-03-17 엘지이노텍 주식회사 연성 회로기판 및 이를 포함하는 칩 패키지, 및 이를 포함하는 전자 디바이스
KR102337750B1 (ko) * 2017-11-06 2021-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102432006B1 (ko) * 2017-11-21 2022-08-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102465788B1 (ko) * 2017-11-30 2022-11-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN107909927B (zh) * 2017-12-14 2024-02-13 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法
KR102104981B1 (ko) * 2017-12-19 2020-05-29 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102126552B1 (ko) 2017-12-19 2020-06-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102185116B1 (ko) * 2017-12-19 2020-12-01 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102173434B1 (ko) 2017-12-19 2020-11-03 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102507096B1 (ko) * 2018-01-05 2023-03-08 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치
KR102493587B1 (ko) * 2018-01-12 2023-02-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
JP2019124792A (ja) * 2018-01-15 2019-07-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102021094B1 (ko) * 2018-01-31 2019-09-11 황종수 각 변환 가능한 디스플레이용 플라스틱 패널
KR102550504B1 (ko) 2018-02-09 2023-07-03 삼성전자주식회사 복수개의 배선층을 벤딩 영역에 포함하는 디스플레이
CN108258026B (zh) * 2018-02-11 2020-09-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的绑定区结构及其制作方法、显示面板
CN108376685B (zh) * 2018-02-11 2021-02-09 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN108336099B (zh) 2018-03-28 2021-09-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
US20190326329A1 (en) * 2018-04-19 2019-10-24 Innolux Corporation Electronic device
KR102522469B1 (ko) * 2018-07-18 2023-04-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109103345B (zh) * 2018-08-17 2021-03-05 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN109300857A (zh) * 2018-08-30 2019-02-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示装置
KR102538829B1 (ko) * 2018-09-18 2023-06-02 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
CN109545823A (zh) * 2018-10-23 2019-03-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、该阵列基板的制备方法及显示面板
CN109658826B (zh) * 2018-11-06 2022-05-17 Oppo广东移动通信有限公司 柔性屏和电子设备
CN109859625A (zh) * 2018-11-06 2019-06-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
KR102562604B1 (ko) * 2018-11-08 2023-08-01 엘지디스플레이 주식회사 플렉시블 전계발광 표시장치
EP3654320B1 (en) * 2018-11-19 2024-07-03 InnoLux Corporation Tiled device and electronic device
CN109377890B (zh) * 2018-12-21 2020-01-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示装置
CN109326228B (zh) * 2018-12-21 2020-10-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示器
CN109728165B (zh) * 2019-01-04 2021-09-21 京东方科技集团股份有限公司 一种显示背板及其制作方法、显示装置
CN109887971B (zh) * 2019-02-26 2021-03-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种折叠屏弯折区走线结构、显示装置及其制造方法
US11087661B2 (en) 2019-03-05 2021-08-10 Innolux Corporation Display device having curved portion
US10712862B1 (en) * 2019-03-22 2020-07-14 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte Ltd Open/close detection of foldable touch screen using touch screen controller
KR20200115751A (ko) * 2019-03-25 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102441330B1 (ko) 2019-03-27 2022-09-13 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
EP3739427B1 (en) * 2019-03-29 2022-04-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic apparatus including coating for protecting window
KR20210011781A (ko) 2019-07-23 2021-02-02 삼성전자주식회사 메탈 메쉬 터치 전극을 포함하는 전자 장치
TWI724807B (zh) * 2019-07-24 2021-04-11 友達光電股份有限公司 可撓式裝置
CN113287028B (zh) * 2019-09-30 2023-01-31 京东方科技集团股份有限公司 电子基板及其制作方法、显示面板
WO2021088037A1 (zh) 2019-11-08 2021-05-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
CA3159185A1 (en) * 2019-12-02 2021-06-10 Jiun Lang Wong Object-detecting container apparatus
KR20210083441A (ko) 2019-12-26 2021-07-07 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102720198B1 (ko) 2019-12-30 2024-10-18 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN113096569A (zh) * 2020-01-09 2021-07-09 北京小米移动软件有限公司 校准检测方法及装置、校准方法、显示屏装置及移动终端
CN113632232B (zh) * 2020-01-22 2024-10-15 京东方科技集团股份有限公司 驱动背板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN112103329B (zh) * 2020-11-05 2021-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
KR20220092212A (ko) * 2020-12-24 2022-07-01 엘지디스플레이 주식회사 표시 모듈 및 표시 장치
TWI760038B (zh) * 2020-12-30 2022-04-01 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板
CN112965308B (zh) * 2021-02-04 2022-07-29 豪威半导体(上海)有限责任公司 Lcos结构及其形成方法
CN113470529A (zh) * 2021-06-30 2021-10-01 云谷(固安)科技有限公司 显示装置
KR20230128757A (ko) * 2022-02-28 2023-09-05 동우 화인켐 주식회사 디지타이저 및 이를 포함하는 화상 표시 장치
CN115394212B (zh) * 2022-08-29 2023-07-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及拼接显示屏

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050280157A1 (en) * 2004-06-16 2005-12-22 Honeywell International Inc. Novel conductor geometry for electronic circuits fabricated on flexible substrates
CN101996535A (zh) * 2009-08-25 2011-03-30 精工爱普生株式会社 电光学装置和电子设备
US20130076649A1 (en) * 2011-09-27 2013-03-28 Scott A. Myers Electronic Devices With Sidewall Displays
US20140042406A1 (en) * 2012-08-07 2014-02-13 Apple Inc. Flexible Displays
US20140217373A1 (en) * 2013-02-01 2014-08-07 Lg Display Co., Ltd. Flexible display substrate, flexible organic light emitting display device and method for manufacturing the same
US20140232956A1 (en) * 2013-02-15 2014-08-21 Lg Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting display device and method for manucaturing the same

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090256825A1 (en) * 2008-04-11 2009-10-15 Gunnar Klinghult Pen stylus enabled capacitive touch system and method
JP5240827B2 (ja) * 2008-04-15 2013-07-17 Necカシオモバイルコミュニケーションズ株式会社 フレキシブル配線基板、及び電子機器
WO2010086416A1 (en) * 2009-01-30 2010-08-05 Imec Stretchable electronic device
WO2010086034A1 (en) * 2009-01-30 2010-08-05 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Stretchable electronic device
GB2529346A (en) * 2011-03-31 2016-02-17 Plasyl Ltd Improvements for electrical circuits
US9247637B2 (en) * 2012-06-11 2016-01-26 Mc10, Inc. Strain relief structures for stretchable interconnects
KR102004409B1 (ko) 2012-08-23 2019-07-29 삼성전자주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제어 방법
US9601557B2 (en) * 2012-11-16 2017-03-21 Apple Inc. Flexible display
KR102117890B1 (ko) 2012-12-28 2020-06-02 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 플렉서블 표시 장치 제조 방법
KR102222680B1 (ko) 2013-02-01 2021-03-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101796812B1 (ko) * 2013-02-15 2017-11-10 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102085961B1 (ko) * 2013-12-24 2020-03-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102234317B1 (ko) * 2014-06-10 2021-03-31 삼성디스플레이 주식회사 접이 영역을 구비한 가요성 표시 장치
US10582612B2 (en) * 2014-06-30 2020-03-03 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with reduced bend stress wires and manufacturing method for the same
US9349758B2 (en) * 2014-09-30 2016-05-24 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with divided power lines and manufacturing method for the same
US9600112B2 (en) * 2014-10-10 2017-03-21 Apple Inc. Signal trace patterns for flexible substrates
KR102207839B1 (ko) * 2014-10-14 2021-01-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050280157A1 (en) * 2004-06-16 2005-12-22 Honeywell International Inc. Novel conductor geometry for electronic circuits fabricated on flexible substrates
CN101996535A (zh) * 2009-08-25 2011-03-30 精工爱普生株式会社 电光学装置和电子设备
US20130076649A1 (en) * 2011-09-27 2013-03-28 Scott A. Myers Electronic Devices With Sidewall Displays
US20140042406A1 (en) * 2012-08-07 2014-02-13 Apple Inc. Flexible Displays
US20140217373A1 (en) * 2013-02-01 2014-08-07 Lg Display Co., Ltd. Flexible display substrate, flexible organic light emitting display device and method for manufacturing the same
US20140232956A1 (en) * 2013-02-15 2014-08-21 Lg Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting display device and method for manucaturing the same

Cited By (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108022958A (zh) * 2016-10-31 2018-05-11 乐金显示有限公司 可折叠显示装置
CN108022958B (zh) * 2016-10-31 2021-12-17 乐金显示有限公司 可折叠显示装置
CN108984008A (zh) * 2017-06-01 2018-12-11 乐金显示有限公司 触摸显示装置和触摸显示面板
CN108984008B (zh) * 2017-06-01 2022-01-11 乐金显示有限公司 触摸显示装置和触摸显示面板
US10996785B2 (en) 2017-06-01 2021-05-04 Lg Display Co., Ltd. Touch display device and touch display panel having a bend area including a dielectric layer with a compensation pattern
CN107195253A (zh) * 2017-07-26 2017-09-22 武汉天马微电子有限公司 可折叠柔性显示装置
CN107479752A (zh) * 2017-08-14 2017-12-15 业成科技(成都)有限公司 触控显示装置
CN107479752B (zh) * 2017-08-14 2020-06-05 业成科技(成都)有限公司 触控显示装置
CN109698220B (zh) * 2017-10-24 2024-04-09 三星显示有限公司 显示装置
CN109698220A (zh) * 2017-10-24 2019-04-30 三星显示有限公司 显示装置
JP2019079538A (ja) * 2017-10-25 2019-05-23 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド タッチディスプレーパネル及びタッチディスプレー装置
US10768732B2 (en) 2017-10-25 2020-09-08 Lg Display Co., Ltd. Touch display panel and touch display device
CN107943292A (zh) * 2017-11-24 2018-04-20 无锡南理工新能源电动车科技发展有限公司 一种基于Kinect体感设备抛掷盛接系统
CN107946319A (zh) * 2017-11-27 2018-04-20 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
US10714510B2 (en) 2017-11-27 2020-07-14 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and display device
CN109860203B (zh) * 2017-11-30 2020-11-17 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制造方法及显示屏
CN109860203A (zh) * 2017-11-30 2019-06-07 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制造方法及显示屏
CN111433834A (zh) * 2017-12-29 2020-07-17 深圳市柔宇科技有限公司 柔性显示屏及柔性设备
WO2019127378A1 (zh) * 2017-12-29 2019-07-04 深圳市柔宇科技有限公司 柔性显示屏及柔性设备
US11127669B2 (en) 2017-12-29 2021-09-21 Shenzhen Royole Technologies Co. Flexible display screen and flexible device
CN109994528A (zh) * 2018-01-03 2019-07-09 三星显示有限公司 显示装置
US11036958B2 (en) 2018-01-12 2021-06-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Light emitting display panel and manufacture method thereof, display device
CN108242462B (zh) * 2018-01-12 2020-08-18 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示面板及其制备方法、显示装置
CN108242462A (zh) * 2018-01-12 2018-07-03 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示面板及其制备方法、显示装置
CN108198827A (zh) * 2018-01-29 2018-06-22 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
CN108198827B (zh) * 2018-01-29 2021-02-23 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
CN108231800B (zh) * 2018-02-02 2019-10-29 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法、显示装置
US11269377B2 (en) 2018-02-02 2022-03-08 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Flexible display panel, method for manufacturing the same, and display device
CN108231800A (zh) * 2018-02-02 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法、显示装置
WO2019148909A1 (zh) * 2018-02-02 2019-08-08 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及其制备方法、显示装置
WO2019153436A1 (zh) * 2018-02-07 2019-08-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 曲面显示器件的制作方法、曲面显示器件及显示装置
CN110391252A (zh) * 2018-04-19 2019-10-29 群创光电股份有限公司 电子装置
CN110660323A (zh) * 2018-06-29 2020-01-07 乐金显示有限公司 柔性显示设备
US11360517B2 (en) 2018-06-29 2022-06-14 Lg Display Co., Ltd. Flexible display apparatus
CN108648632B (zh) * 2018-07-18 2024-03-26 昆山国显光电有限公司 柔性显示器件和显示装置
CN108648632A (zh) * 2018-07-18 2018-10-12 昆山国显光电有限公司 柔性显示器件和显示装置
CN109037281B (zh) * 2018-07-24 2021-12-03 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN109037281A (zh) * 2018-07-24 2018-12-18 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
US10833135B2 (en) 2018-10-16 2020-11-10 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Flexible organic light emitting diode display device and method of fabricating same
CN109494315A (zh) * 2018-10-16 2019-03-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示装置及制备方法
CN109616493A (zh) * 2018-10-31 2019-04-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及显示装置
CN111199685A (zh) * 2018-11-19 2020-05-26 群创光电股份有限公司 拼接装置和电子装置
CN115909911A (zh) * 2018-11-19 2023-04-04 群创光电股份有限公司 拼接装置和电子装置
US11348993B2 (en) 2018-11-19 2022-05-31 Innolux Corporation Tiled device and electronic device including conductive wire with openings
CN109585509A (zh) * 2018-11-29 2019-04-05 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示装置及制作显示面板的方法
CN110221730B (zh) * 2019-06-17 2022-06-07 京东方科技集团股份有限公司 触控面板及触控显示装置
CN110221730A (zh) * 2019-06-17 2019-09-10 京东方科技集团股份有限公司 触控面板及触控显示装置
CN110519911A (zh) * 2019-08-30 2019-11-29 京东方科技集团股份有限公司 一种覆晶薄膜及其制备方法、显示装置
US11537165B2 (en) 2019-09-10 2022-12-27 Mianyang Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate, method for manufacturing the same, and display panel
CN110518021A (zh) * 2019-09-10 2019-11-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法和显示面板
CN110752232A (zh) * 2019-09-29 2020-02-04 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
CN110752232B (zh) * 2019-09-29 2021-12-07 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
CN110828479A (zh) * 2019-10-30 2020-02-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制备方法
CN112670310A (zh) * 2020-12-22 2021-04-16 业成科技(成都)有限公司 显示器及其制造方法
US12147637B2 (en) 2022-01-29 2024-11-19 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Touch display panel, touch display apparatus and touch display mother board

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Publication number Publication date
US20170323934A1 (en) 2017-11-09
KR102413890B1 (ko) 2022-06-27
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KR20170066535A (ko) 2017-06-14
EP3201902A4 (en) 2017-10-25
KR20230066141A (ko) 2023-05-12

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