CN105817775A - 利用激光的多层基板的加工方法以及加工装置 - Google Patents
利用激光的多层基板的加工方法以及加工装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105817775A CN105817775A CN201510770294.0A CN201510770294A CN105817775A CN 105817775 A CN105817775 A CN 105817775A CN 201510770294 A CN201510770294 A CN 201510770294A CN 105817775 A CN105817775 A CN 105817775A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- laser
- base plate
- multilager base
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract description 18
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 claims description 14
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 15
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 241000931526 Acer campestre Species 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
Abstract
本案发明涉及一种利用激光的多层基板的加工方法以及加工装置。可利用简单的构成且在不使装置成本变高的情况下对多层基板进行加工。该加工方法是对多层基板照射激光而进行加工的方法,包含准备步骤以及加工步骤。在准备步骤中,准备包含经积层的至少第1层及第2层的多层基板。在加工步骤中,从第1层侧照射能够对第1层进行加工且相对于第1层具有能够透过的特定的吸收率、并且能够对第2层进行加工的波长的激光,从而同时加工第1层及第2层。
Description
技术领域
本发明涉及一种多层基板的加工方法,尤其是涉及一种对多层基板照射激光而进行加工的加工方法以及加工装置。
背景技术
作为多层基板的一例的薄膜太阳电池是在玻璃基板上形成有作为下部电极层的Mo层,并且在Mo层的上部形成有CIGS(CopperIndiumGalliumSelenide,铜铟镓硒)层等半导体层。而且还在半导体层的上部形成有透明的上部电极层。
此外,作为另一例的触摸面板是在玻璃基板的上部形成有透明电极膜,且还在该透明电极膜的上部形成有树脂制保护罩。
在利用激光对具有如上所述的多层的基板进行加工的情况下,激光被上部层吸收,因此难以加工下部层。因此,如果提高激光的功率以使激光到达下部层,则对上部层造成的损伤变大,此外飞散物变多。
因此,提出有如专利文献1所示的激光加工装置。在该专利文献1的装置中,首先通过调制器件将从激光振荡器输出的激光调制为第1激光、及波长较第1激光短的第2激光。这些激光通过聚光透镜聚光并照射至基板。另外,第1激光被导入至与第2激光不同的光路,且控制第1激光的至到达聚光透镜为止的光路长。此外,第1激光与第2激光的光量通过偏光器控制。
[背景技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开平5-192779号公报
发明内容
[发明要解决的问题]
在专利文献1的装置中,可利用一台装置将不同的两种波长的激光选择性地或者同时照射至基板。但是,有装置构成复杂且装置成本变高的问题。
本发明的课题在于可利用简单的构成且在不使装置成本变高的情况下对多层基板进行加工。
[解决问题的技术手段]
本发明的一形态的利用激光的多层基板的加工方法包含准备步骤以及加工步骤。准备步骤是准备包含经积层的至少第1层及第2层的多层基板。加工步骤是从第1层侧照射能够对第1层进行加工且相对于第1层具有能够透过的特定的吸收率、并且能够对第2层进行加工的波长的激光,从而同时加工第1层及第2层。
此处,对包含第1层及第2层的多层基板从第1层侧照射特定波长的激光。激光一面被第1层吸收,一面一部分透过第1层并到达第2层而被第2层吸收。因此,可利用一种波长的激光同时加工第1层及第2层。
在本发明的另一形态的利用激光的多层基板的加工方法中,激光相对于第1层的吸收率为50%以下且10%以上,且相对于第2层的吸收率为10%以上。
此处,与所述同样地,激光一面被第1层吸收一面一部分透过第1层并到达第2层而被第2层吸收。因此,可利用一种波长的激光同时加工第1层及第2层。
在本发明的又一形态的利用激光的多层基板的加工方法中,激光是脉冲宽度为10psec以上且200nsec以下的脉冲激光。
在本发明的又一形态的利用激光的多层基板的加工方法中,激光为连续波激光。
在本发明的又一形态的利用激光的多层基板的加工方法中,在加工步骤中,在第1层及第2层形成沟槽。
在本发明的又一形态的利用激光的多层基板的加工方法中,在加工步骤中,对第1层及第2层进行改质。
在本发明的又一形态的利用激光的多层基板的加工方法中,在加工步骤中,在第1层及第2层形成龟裂。
本发明的利用激光的多层基板的加工装置是用以对多层基板照射激光而进行加工的装置,具备支撑器件以及加工器件。支撑器件支撑包含经积层的至少第1层及第2层的多层基板。加工器件是从第1层侧照射能够对第1层进行加工且相对于第1层具有能够透过的特定的吸收率、并且能够对第2层进行加工的波长的激光,从而同时加工第1层及第2层。
[发明的效果]
在以上所述的本发明中,可利用一种激光同时加工多层基板,并且可使用低价的装置且在短时间进行加工。
附图说明
图1是利用本发明的一实施方式的方法进行加工的触摸面板的截面局部构成图。
图2是表示ITO(IndiumTinOxides,氧化铟锡)与聚酯层(保护罩)的相对于激光波长的透过率的图。
图3是利用本发明的另一实施方式的方法进行加工的集成型非晶太阳电池的截面局部构成图。
图4是表示ITO、非晶矽层、铝层(背面电极)的相对于激光波长的透过率的图。
图5是本发明的一实施方式的加工装置的概略构成图。
具体实施方式
[第1实施方式]
图1表示利用本发明的第1实施方式的方法进行加工的触摸面板(多层基板的一例)。该触摸面板1是将作为保护罩的聚酯膜11(第1层)及作为透明电极膜的ITO12(第2层)积层于玻璃基板10而形成。更详细而言,在玻璃基板10的上表面形成ITO12,进而在该ITO12的上表面形成聚酯膜11。
此处,图2表示聚酯膜11与ITO12的相对于激光的波长(nm)的透过率(%)。图中,P1表示聚酯膜11的透过率,P2表示ITO12的透过率。
自该图2明确得知,如果从聚酯膜11的上方将波长为1064nm的激光照射至触摸面板1,则所照射的激光大体透过(透过率为80%以上)聚酯膜11而可对ITO12进行加工。此外,可知如果照射波长为355nm的激光,则相对于聚酯膜11的透过率为0%,因此激光不会到达ITO12而仅可对聚酯膜11进行加工。
因此,如果从聚酯膜11侧照射能够对聚酯膜11进行加工且相对于聚酯膜11具有能够透过的透过率(吸收率)、并且能够对ITO12进行加工的波长的激光,则能够同时加工聚酯膜11及ITO12。
具体而言,如果将例如波长为885nm的半导体激光照射至触摸面板1,则该激光相对于聚酯膜11的透过率为约83%(吸收率13%、反射率4%)。因此,可对聚酯膜11进行加工,并且激光透过聚酯膜11而到达ITO12。此外,该激光相对于ITO12的透过率为约63%(吸收率约37%、界面的反射率为1%以下),从而也能够对ITO12进行加工。即,可同时加工聚酯膜11及ITO12。
[第2实施方式]
图3表示本发明的第2实施方式。此处,采用集成型非晶太阳电池作为所要加工的多层基板的例。该太阳电池2是将作为透明导电膜的ITO21(第1层)、非晶矽层22(第2层)、以及作为背面电极的铝层积层于玻璃基板20而形成。更详细而言,在玻璃基板20的上表面形成有ITO21,且在ITO21的上表面形成有非晶矽层22,进而在非晶矽层22的上表面形成有铝层23。另外,在该例中,从玻璃基板20侧照射激光。
图4表示各层21~23的相对于激光的波长(nm)的透过率(%)。图中,Q1表示ITO21的透过率,Q2表示非晶矽层22的透过率,Q3表示铝层23的透过率。
如自图4所明确般,如果从玻璃基板20侧照射波长为885nm的激光,则所照射的激光被ITO21及非晶矽层22吸收一部分并到达铝层23。因此,可同时加工ITO21、非晶矽层22以及铝层23。
此外,如果照射波长为532nm的激光,则大体透过ITO21而到达非晶矽层22,但波长为532nm的激光相对于非晶矽层22的透过率为大致0%,因此不会到达铝层23。
根据以上所述,如果从ITO21侧照射能够对ITO21及非晶矽层22进行加工且相对于ITO21及非晶矽层22具有能够透过的透过率(吸收率)、并且能够对铝层23进行加工的波长的激光,则可同时加工这些层21~23。
[总结]
自以上实施方式得知,通过在以下的条件下对多层基板进行加工,而可利用一种波长的激光同时加工多层基板。另外,此处的“加工”包含在各层形成沟槽、对各层进行改质、以及在各层形成龟裂。
(1)如果从第1层侧照射能够对第1层(被激光照射的侧的层)进行加工且相对于第1层能够透过、并且能够对积层于第1层的第2层进行加工的波长的激光,则能够利用一种波长的激光同时加工多层基板。
(2)作为激光的波长,较理想的是相对于第1层的吸收率为50%以下且10%以上。虽根据所要加工的材料而不同,但可使用例如300nm以上且1600nm以下的激光。
(3)优选为激光的脉冲宽度为10psec以上且200nsec以下的激光。此外,也可为连续波激光。
[加工装置]
图5表示用以实施如上所述的加工方法的加工装置的概略构成。该加工装置25具有:激光光线振荡单元26,包含激光光线振荡器26a及激光控制部26b;传输光学系统27,包含用以将激光向特定方向引导的多个镜片;以及聚光透镜28,用以使来自传输光学系统27的激光聚光。从激光光线振荡单元26出射光束强度等照射条件经控制的脉冲激光。由激光光线振荡单元26、传输光学系统27以及聚光透镜28构成对多层基板照射激光的加工器件。
例如,通过使用具有振荡的激光的频率或脉冲宽度的切换机构的振荡器作为激光光线振荡器26a,而可变更多层基板的第1层及第2层的吸收率。
多层基板G载置在平台29上。平台29通过驱动控制部30驱动控制而能够在水平面内移动。即,载置在平台29上的多层基板G与从聚光透镜28照射的激光光线能够在水平面内相对移动。此外,激光与载置多层基板G的平台29能够相对地在上下方向移动。激光控制部26b及驱动控制部30通过加工控制部21控制。
另外,加工控制部31由微型计算机构成,控制激光控制部26b及驱动控制部30而执行如上所述的加工。
[其它实施方式]
本发明并不限定于如上所述的实施方式,可在不脱离本发明的范围的情况下进行各种变化或修正。
[符号的说明]
10、20玻璃基板
11聚酯膜(保护罩)
12、21ITO
22非晶矽层
23铝层(背面电极)
Claims (8)
1.一种利用激光的多层基板的加工方法,其是对多层基板照射激光而进行加工的方法,且包含:
准备步骤,准备包含经积层的至少第1层及第2层的多层基板;以及
加工步骤,从所述第1层侧照射能够对所述第1层进行加工且相对于所述第1层具有能够透过的特定的吸收率、并且能够对所述第2层进行加工的波长的激光,从而同时加工所述第1层及所述第2层。
2.根据权利要求1所述的利用激光的多层基板的加工方法,其中所述激光相对于所述第1层的吸收率为50%以下且10%以上,且相对于两层的吸收率为100%以下且10%以上。
3.根据权利要求1或2所述的利用激光的多层基板的加工方法,其中所述激光是脉冲宽度为10psec以上200nsec以下的脉冲激光。
4.根据权利要求1或2所述的利用激光的多层基板的加工方法,其中所述激光为连续波激光。
5.根据权利要求1或2所述的利用激光的多层基板的加工方法,其中在所述加工步骤中,在所述第1层及所述第2层形成沟槽。
6.根据权利要求1或2所述的利用激光的多层基板的加工方法,其中在所述加工步骤中,对所述第1层及所述第2层进行改质。
7.根据权利要求1或2所述的利用激光的多层基板的加工方法,其中在所述加工步骤中,在所述第1层及所述第2层形成龟裂。
8.一种利用激光的多层基板的加工装置,其是用以对多层基板照射激光而进行加工的装置,且具有:
支撑器件,支撑包含经积层的至少第1层及第2层的多层基板;以及
加工器件,从所述第1层侧照射能够对所述第1层进行加工且相对于所述第1层具有能够透过的特定的吸收率、并且能够对所述第2层进行加工的波长的激光,从而同时加工所述第1层及所述第2层。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015-012891 | 2015-01-27 | ||
JP2015012891A JP6685082B2 (ja) | 2015-01-27 | 2015-01-27 | レーザ光による多層基板の加工方法及び加工装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105817775A true CN105817775A (zh) | 2016-08-03 |
CN105817775B CN105817775B (zh) | 2020-10-23 |
Family
ID=56514576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510770294.0A Expired - Fee Related CN105817775B (zh) | 2015-01-27 | 2015-11-12 | 利用激光的多层基板的加工方法以及加工装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6685082B2 (zh) |
KR (1) | KR20160092475A (zh) |
CN (1) | CN105817775B (zh) |
TW (1) | TWI709451B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108155212A (zh) * | 2016-12-02 | 2018-06-12 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7429913B2 (ja) * | 2019-06-07 | 2024-02-09 | Toppanホールディングス株式会社 | シート加工方法、および、シート加工装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08174262A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エキシマレーザ加工方法 |
CN1256780A (zh) * | 1998-02-24 | 2000-06-14 | 索尼株式会社 | 光记录介质 |
WO2005111728A3 (en) * | 2004-05-10 | 2006-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Composite sheet material selection method for use in ultra-fast laser patterning |
JP2007057622A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Ricoh Co Ltd | 光学素子及びその製造方法、光学素子用形状転写型の製造方法及び光学素子用転写型 |
CN1954418A (zh) * | 2004-05-13 | 2007-04-25 | 富士通株式会社 | 半导体装置及其制造方法、半导体基板及其制造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05192779A (ja) | 1992-01-17 | 1993-08-03 | Toshiba Corp | レーザ加工装置 |
-
2015
- 2015-01-27 JP JP2015012891A patent/JP6685082B2/ja active Active
- 2015-10-13 TW TW104133584A patent/TWI709451B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-10-23 KR KR1020150147812A patent/KR20160092475A/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-11-12 CN CN201510770294.0A patent/CN105817775B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08174262A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エキシマレーザ加工方法 |
CN1256780A (zh) * | 1998-02-24 | 2000-06-14 | 索尼株式会社 | 光记录介质 |
WO2005111728A3 (en) * | 2004-05-10 | 2006-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Composite sheet material selection method for use in ultra-fast laser patterning |
CN1954418A (zh) * | 2004-05-13 | 2007-04-25 | 富士通株式会社 | 半导体装置及其制造方法、半导体基板及其制造方法 |
JP2007057622A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Ricoh Co Ltd | 光学素子及びその製造方法、光学素子用形状転写型の製造方法及び光学素子用転写型 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108155212A (zh) * | 2016-12-02 | 2018-06-12 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN108155212B (zh) * | 2016-12-02 | 2022-12-23 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6685082B2 (ja) | 2020-04-22 |
CN105817775B (zh) | 2020-10-23 |
JP2016137499A (ja) | 2016-08-04 |
TW201627095A (zh) | 2016-08-01 |
KR20160092475A (ko) | 2016-08-04 |
TWI709451B (zh) | 2020-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102303178B1 (ko) | 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법 | |
US8828891B2 (en) | Laser processing method | |
JP5748811B2 (ja) | フレキシブルディスプレイ用途のための薄い積層ガラス基板のレーザ分割 | |
US20060207976A1 (en) | Laser material micromachining with green femtosecond pulses | |
CN104339081A (zh) | 用于在透明材料内执行激光成丝的方法和设备 | |
JP2007260773A (ja) | 基板切断方法及びこれを用いた基板切断装置 | |
KR20110109771A (ko) | Ito필름 패터닝 방법, 가요성 표시장치 제조 방법 및 가요성 표시장치 | |
US20120327501A1 (en) | Laser processing system | |
KR20100015811A (ko) | 초경량 반도체 장치의 레이저 스크라이빙을 위한 방법 및 장치 | |
CN105935838A (zh) | 积层基板的加工方法及利用激光的积层基板的加工装置 | |
CN105817775A (zh) | 利用激光的多层基板的加工方法以及加工装置 | |
EP2437317A3 (en) | Method and system for scribing a multilayer panel | |
KR20120018701A (ko) | 레이저 리프트오프 방법 및 레이저 리프트오프 장치 | |
CN215658436U (zh) | 一种太阳能电池薄膜清边光路系统 | |
KR101999336B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조 방법 | |
CN115485097A (zh) | 复合材料的截断方法 | |
CN103846554B (zh) | 激光加工方法及激光加工装置 | |
JP2009190943A (ja) | 基板の分断装置、基板の分断方法、及びその方法を用いて製造された基板 | |
JP2007015169A (ja) | スクライブ形成方法、スクライブ形成装置、多層基板 | |
US20220259092A1 (en) | Method for dividing composite material | |
JP2007229793A (ja) | レーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器 | |
JP2016164101A (ja) | 積層基板の加工方法及びレーザ光による積層基板の加工装置 | |
KR101398562B1 (ko) | 투명도전성 필름 가공 방법 | |
JP6673689B2 (ja) | レーザー加工装置、レーザー加工方法、および、接合体の製造方法 | |
JP2011062714A (ja) | レーザー加工装置および太陽電池パネルの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20201023 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |