CN105807502A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种显示装置。根据示例性实施例的显示装置包括:柔性的基底;栅极线和数据线,位于基底上;薄膜晶体管,连接到栅极线和数据线;像素电极,连接到薄膜晶体管;垫,位于栅极线和数据线的端部;驱动器,连接到垫;以及密封剂,覆盖垫和驱动器,其中,密封剂在其中包括气泡或颗粒。
Description
本申请要求于2015年1月19日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0008683号韩国专利申请的优先权和权益,该申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本申请涉及一种显示装置,更具体地讲,涉及一种可以防止垫由于外部冲击而损坏的显示装置。
背景技术
液晶显示器是已经最广泛使用的平板显示器之一,并且包括其上形成有诸如像素电极和共电极的场发生电极的两片显示面板以及设置在两片显示面板之间的液晶层。液晶显示器通过施加电压到场发生电极来对液晶层施加电场,并且通过这样做,通过确定液晶分子的方向并控制入射光束的偏振来显示图像。
构成液晶显示器的两片显示面板可以包括薄膜晶体管阵列显示面板和对向显示面板。在薄膜晶体管阵列显示面板中,传输栅极信号的栅极线和传输数据信号的数据线被形成,同时交叉,并且可以形成栅极线和数据线所连接到的薄膜晶体管以及连接到薄膜晶体管的像素电极。在对向显示面板上,可以形成阻光构件、滤色器、共电极等。在一些情况下,阻光构件、滤色器和共电极可以形成在薄膜晶体管阵列显示面板上。
最近,为了提高观看者的注意力,已经开发了弯曲的液晶显示器,并且为了改善便携性,弯曲的液晶显示器可以被卷绕或者被弯曲。在卷绕或者弯曲的过程中,存在液晶显示器的垫(pad)被损坏的问题。
在该背景部分所公开的上述信息仅用于增强对背景的理解,因此它可以包含不形成对于本领域的普通技术人员在本国已知的现有技术的信息。
发明内容
实施例提供了一种可以防止垫因外部冲击而损坏的显示装置。
根据示例性实施例的显示装置包括:柔性的基底;栅极线和数据线,位于基底上;薄膜晶体管,连接到栅极线和数据线;像素电极,连接到薄膜晶体管;垫,位于栅极线和数据线的端部;驱动器,连接到垫;以及密封剂,覆盖垫和驱动器,其中,密封剂在其中包括气泡或颗粒。
显示装置还可以包括形成在像素电极上以通过多个微腔与像素电极分隔开的顶层、填充微腔的液晶层和位于顶层上并且密封微腔的包封层。
密封剂可以接触包封层。
每单位面积的气泡或颗粒的数目可以多于20/mm2。
每单位面积的气泡或颗粒的数目可以多于100/mm2。
密封剂可以包括气泡并可以不包括颗粒。
密封剂可以包括颗粒并可以不包括气泡。
密封剂可以包括气泡和颗粒。
密封剂可以包括至少两种颗粒。
垫可以包括位于栅极线的端部的栅极垫;驱动器可以包括被构造成产生栅极信号的栅极驱动器;并且栅极驱动器可以连接到栅极垫。
栅极驱动器可以包括覆晶薄膜。
栅极驱动器可以包括第一电路板和位于第一电路板上的栅极驱动芯片。
垫可以包括位于数据线的端部的数据垫;驱动器可以包括被构造成产生数据信号的数据驱动器;并且数据驱动器可以连接到数据垫。
数据驱动器可以包括覆晶薄膜。
数据驱动器可以包括第二电路板和位于第二电路板上的数据驱动芯片。
每单位面积的气泡或颗粒的数目可以多于20/mm2。
每单位面积的气泡或颗粒的数目可以多于100/mm2。
根据示例性实施例的显示装置具有防止垫因外部冲击而损坏的技术效果。
附图说明
图1A和图1B是示出根据示例性实施例的显示装置的透视图。
图2是示出根据示例性实施例的显示装置的俯视平面图。
图3是示出沿图2的线III-III截取的根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
图4是示出沿图2的线IV-IV截取的根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
图5是根据示例性实施例的液晶显示器的一个像素的等效电路图。
图6是示出根据示例性实施例的显示装置的一部分的布局图。
图7是根据示例性实施例的沿线VII-VII截取的图6的显示装置的剖视图。
图8是根据示例性实施例的沿线VIII-VIII截取的图6的显示装置的剖视图。
图9、图10、图11和图12是示出根据示例性实施例的显示装置的一部分的剖视图。
图13A、图13B、图13C和图13D是示出根据示例性实施例的显示装置的密封剂的图。
图14A、图14B、图14C和图14D以及图15A、图15B、图15C和图15D示出了实验结果,其呈现了施加于密封剂下部的冲击的程度。
具体实施方式
在下文中,将参照示出示例性实施例的附图更充分地描述本发明构思。然而,可以以各种形式实施本发明构思,并且本发明构思的范围不限制于在这里所描述的实施例。
在附图中,为了清楚,夸大层、膜、面板、区域等的厚度。遍及说明书,相同的附图标记指的是相同的元件。将理解的是,当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时,所述元件可以直接在所述另一元件上或也可以存在中间元件。另一方面,当元件被称为“直接在”另一元件“上”时,不存在中间元件。
首先,参照图1A和图1B,将在下面描述根据示例性实施例的显示装置。
图1A和图1B是示出根据示例性实施例的显示装置的透视图。
如图1A和图1B中所示,根据示例性实施例的显示装置1000可以被弯曲。使用平面的基底制造平坦显示装置并通过弯曲它来使用平坦显示装置。
如图1A中所示,可以通过弯曲显示装置1000以具有预定的曲率来形成弯曲的显示装置。由于弯曲的显示装置具有比平坦显示装置更广的视角,因此更大量的信息刺激视觉细胞并且更多的视觉信息通过视神经传递到大脑。据此,可以提高真实感和注意力,并且可以有用地用于大型TV等。
如图1B中所示,可以通过卷起显示装置1000形成圆柱形显示装置。圆柱形显示装置可以减小体积,并且由于容易变形而适合于便携式装置。
在下文中,通过参照图2至图4,将描述根据示例性实施例的显示装置。
图2是示出根据示例性实施例的显示装置的俯视平面图,图3是示出沿图2的线III-III截取的根据示例性实施例的显示装置的剖视图,图4是示出沿图2的线IV-IV截取的根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
如图2中所示,根据示例性实施例的显示装置包括由诸如玻璃、塑料等的材料制成的基底110。基底110由柔性材料制成。
被顶层360覆盖的微腔305形成在基底110上。顶层360在行方向上延伸,并且多个微腔305形成在一个顶层360之下。
微腔305可以以矩阵形式设置,第一谷V1位于在列方向上彼此相邻的微腔305之间,第二谷V2位于在行方向上彼此相邻的微腔305之间。
多个顶层360跨过第一谷V1被分离。微腔305可以在接触第一谷V1的部分被暴露于外部,不被顶层360覆盖。这被称为注入孔307a和307b。
注入孔307a和307b形成在微腔305的两个边缘处。注入孔307a和307b包括第一注入孔307a和第二注入孔307b。第一注入孔307a形成为延伸至微腔305的第一边缘的侧面并暴露微腔305的第一边缘的侧面,并且第二注入孔307b形成为延伸至微腔305的第二边缘的侧面并暴露微腔305的第二边缘的侧面。微腔305的第一边缘的侧面和第二边缘的侧面彼此面对。
每个顶层360形成为远离相邻的第二谷V2之间的基底110,并形成微腔305。即,顶层360形成为覆盖微腔305的其他侧表面,除了形成有注入孔307a和307b的第一边缘和第二边缘的侧表面之外。
对于上述微腔305、顶层360、第一谷V1、第二谷V2、注入孔307a和307b等,布局是可以是能够各种各样地改变的。例如,多个顶层360可以在第一谷V1处彼此连接,每个顶层360的一部分形成为在第二谷V2处与基底110分隔开并且相邻的微腔305可以因此彼此连接。
垫(pad,或称作“盘”、“焊盘”)400和500位于基底110的边缘上。垫400和500包括栅极垫400和数据垫500。栅极垫400连接到栅极线121,将在后面描述,数据垫500连接到数据线171,将在后面描述。
在平面图中,示出了栅极垫400位于基底110的左边缘上并且数据垫500位于基底110的上边缘上,但是实施例不限制于此,并且栅极垫400和数据垫500的位置可以各种各样地改变。栅极垫400和数据垫500可以位于同一边缘上。
形成分别连接到垫400和500的驱动器600和700。驱动器600和700包括栅极驱动器600和数据驱动器700。
栅极驱动器600连接到栅极垫400。栅极驱动器600产生栅极信号并将栅极信号传输至栅极线121。栅极驱动器600包括第一电路板610和位于第一电路板610上的栅极驱动芯片620。栅极驱动器600可以形成为覆晶薄膜(COF)。
数据驱动器700连接到数据垫500。数据垫700产生数据信号并将数据信号传输至数据线171。数据驱动器700包括第二电路板710和位于第二电路板710上的数据驱动芯片720。数据驱动器700可以形成为覆晶薄膜(COF)。
密封剂900位于垫400和500以及驱动器600和700上。密封剂900覆盖垫400和500以及驱动器600和700。密封剂900在其中包括气泡910。多个气泡910位于密封剂900内部,并且每单位面积的气泡910的数目可以大于约20个气泡/mm2。即,20个或更多气泡910位于1mm2的面积内。优选地,每单位面积的气泡910的数目可以是大约100个气泡/mm2或更多。
气泡910的尺寸可以是各种各样的。气泡910的尺寸可以是均匀的或彼此不同的。例如,气泡910的尺寸可以是1nm至10μm。
密封剂900可以保护垫400和500以及驱动器600和700免受外部冲击。例如,密封剂900可以防止它们被物理地压迫或流入潮气等。然而,如果施加到基底110的力足够强以致将基底110弯曲,则在没有密封剂900的情况下可能会损坏垫400和500。在本示例性实施例中,气泡910包括在密封剂900内部,并且由于气泡910的缓冲作用,可以防止垫400和500受到损坏。
每单位面积的气泡910的数目越多,缓冲的效果越大。
现将参照图5简略地描述根据示例性实施例的显示装置的像素。
图5是根据示例性实施例的显示装置的像素PX的等效电路图。
根据示例性实施例的显示装置包括多条信号线121、171h和171l以及连接到它们的像素PX。尽管没有示出,但是多个像素PX可以以包括多个像素PX行和多个像素PX列的矩阵形状布置。
每个像素PX可以包括第一子像素PXa和第二子像素PXb。第一子像素PXa和第二子像素PXb可以设置在上面和下面。第一谷V1可以沿着像素行方向位于第一子像素PXa与第二子像素PXb之间,并且第二谷V2可以位于多个像素列之间。
信号线121、171h和171l包括传输栅极信号的栅极线121以及传输不同数据电压的第一数据线171h和第二数据线171l。
形成连接到栅极线121和第一数据线171h的第一薄膜晶体管Qh,并且形成连接到栅极线121和第二数据线171l的第二薄膜晶体管Ql。
连接到第一薄膜晶体管Qh的第一液晶电容器Clch形成在第一子像素PXa中,并且连接到第二薄膜晶体管Ql的第二液晶电容器Clcl形成在第二子像素PXb中。
第一薄膜晶体管Qh的第一端子连接到栅极线121,第二端子连接到第一数据线171h,并且第三端子连接到第一液晶电容器Clch。
第二薄膜晶体管Ql的第一端子连接到栅极线121,第二端子连接到第二数据线171l,并且第三端子连接到第二液晶电容器Clcl。
现在来看根据示例性实施例的显示装置的操作,如果栅极导通电压施加到栅极线121,则它使连接到栅极线121的第一薄膜晶体管Qh和第二薄膜晶体管Ql进入导通状态,并且相继地,第一液晶电容器Clch和第二液晶电容器Clcl由通过第一数据线171h和第二数据线171l传输的不同的数据电压充电。通过第二数据线171l传输的数据电压低于通过第一数据线171h传输的数据电压。因此,通过用比第一液晶电容器Clch的电压低的电压对第二液晶电容器Clcl充电,可以改善侧面可视性。
然而,实施例不限制于此,并可以各种各样地改变用于对两个子像素PXa和PXb施加不同电压的薄膜晶体管的布局设计。像素PX可以包括两个或更多个子像素,或可以包括单个像素。
在下文中,参照图6至图8,将描述根据示例性实施例的显示装置的像素的结构。
图6是示出根据示例性实施例的显示装置的一部分的布局图,图7是根据示例性实施例的沿线VII-VII截取的显示装置的剖视图,图8是根据示例性实施例的沿线VIII-VIII截取的显示装置的剖视图。
参照图6至图8,栅极线121与从栅极线121突出的第一栅电极124h和第二栅电极124l形成在基底110上。
栅极线121在第一方向上延伸并传输栅极信号。栅极线121位于在列方向上彼此相邻的两个微腔305之间。即,栅极线121位于第一谷V1处。在平面图上,第一栅电极124h和第二栅电极124l在栅极线121上方突出。第一栅电极124h和第二栅电极124l彼此连接并形成为突出部分。然而,实施例不限制于此,并且可以各种各样地改变第一栅电极124h和第二栅电极124l的突出形状。
连接到栅极线121的栅极垫125形成在基底110上。栅极垫125连接到栅极线121的端部。栅极垫125可以形成为具有比栅极线121更宽的宽度。栅极信号通过栅极驱动器600施加到栅极垫125,通过栅极垫125传输至栅极线121,并通过栅极线121施加到第一栅电极124h和第二栅电极124l。
还在基底110上形成存储电极线131与从存储电极线131突出的存储电极133和135。
存储电极线131沿着与栅极线121相同的方向延伸,并形成为与栅极线121分隔开。恒定的电压可以施加到存储电极线131。在存储电极线131上方突出的存储电极133形成为围绕第一子像素PXa的边缘。在存储电极线131下方突出的存储电极135形成为邻近于第一栅电极124h和第二栅电极124l。
栅极绝缘层140形成在栅极线121、第一栅电极124h、第二栅电极124l、存储电极线131以及存储电极133和135上。栅极绝缘层140可以由诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)等的无机绝缘材料形成。此外,栅极绝缘层140可以是单层或多层。
第一半导体154h和第二半导体154l形成在栅极绝缘层140上。第一半导体154h可以位于第一栅电极124h上,并且第二半导体154l可以位于第二栅电极124l上。第一半导体154h可以形成在第一数据线171h下方,并且第二半导体154l可以形成在第二数据线171l下方。第一半导体154h和第二半导体154l可以由非晶硅、多晶硅、金属氧化物等形成。
在第一半导体154h和第二半导体154l中的每个上还可以形成欧姆接触构件(未示出)。欧姆接触构件可以由诸如硅化物或掺杂有高浓度n型杂质的n+氢化非晶硅的材料形成。
第一数据线171h、第二数据线171l、第一源电极173h、第一漏电极175h、第二源电极173l和第二漏电极175l形成在第一半导体154h、第二半导体154l和栅极绝缘层140上。
第一数据线171h和第二数据线171l传输数据信号并在第二方向上延伸以与栅极线121和存储电极线131交叉。数据线171位于在行方向上彼此相邻的两个微腔305之间。即,数据线171位于第二谷V2处。
统称为数据线171的第一数据线171h和第二数据线171l传输不同的数据电压。例如,由第二数据线171l传输的数据电压低于由第一数据线171h传输的数据电压。
第一源电极173h形成为在第一栅电极124h上方从第一数据线171h突出,并且第二源电极173l形成为在第二栅电极124l上方从第二数据线171l突出。第一漏电极175h和第二漏电极175l包括宽的端部和杆状的另一端。第一漏电极175h和第二漏电极175l的宽端部与在存储电极线131的下方突出的存储电极135叠置。第一漏电极175h和第二漏电极175l的棒状的另一端被第一源电极173h和第二源电极173l分别部分地围绕。
第一栅电极124h和第二栅电极124l、第一源电极173h和第二源电极173l以及第一漏电极175h和第二漏电极175l与第一半导体154h和第二半导体154l分别构成第一薄膜晶体管(TFT)Qh和第二薄膜晶体管(TFT)Ql。第一薄膜晶体管Qh和第二薄膜晶体管Ql的沟道形成在源电极173h和173l的每个与漏电极175h和175l的每个之间的半导体154h和154l的每个上。
还可以形成连接到数据线171的数据垫177h和177l。数据垫177h和177l包括第一数据垫177h和第二数据垫177l。第一数据垫177h连接到第一数据线171h的端部。第二数据垫177l连接到第二数据线171l的端部。数据垫177h和177l可以形成为具有比数据线171更宽的宽度。数据信号由数据驱动器700施加到数据垫177h和177l,由数据垫177h和177l传输至数据线171h和171l,并通过数据线171h和171l施加到源电极173h和173l。
钝化层180形成在:暴露在第一源电极173h与第一漏电极175h之间的第一半导体154h上;第一源电极173h上;和第一漏电极175h上。钝化层180还形成在:暴露在第二源电极173l与第二漏电极175l之间的第二半导体154l上;第二源电极173l上;和第二漏电极175l上。钝化层180可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料形成,并可以是单层或多层。
滤色器230在每个像素PX内形成在钝化层180上。
每个滤色器230可以显示红色、绿色和蓝色的三原色中的任一种。滤色器230不限于红色、绿色和蓝色的三原色,而是可以显示青色、品红色、黄色、白色等。滤色器230可以不形成于第一谷V1和/或第二谷V2处。
阻光构件220形成在相邻的滤色器230之间的区域中。阻光构件220形成在像素PX与薄膜晶体管Qh和Ql的边界上并可以防止漏光。即,阻光构件220可以形成于第一谷V1和第二谷V2处。滤色器230和阻光构件220可以在该区域的一部分处叠置。
还可以在滤色器230和阻光构件220上形成第一绝缘层240。第一绝缘层240可以由有机绝缘材料形成,并起到使滤色器230和阻光构件220的上侧平坦的作用。第一绝缘层240可以形成为双层,该双层包括由有机绝缘材料形成的层和由无机绝缘材料形成的层。在一些情况下,可以省略第一绝缘层240。
延伸至第一漏电极175h的宽端部并暴露第一漏电极175h的宽端部的第一接触孔181h和延伸至第二漏电极175l的宽端部并暴露第二漏电极175l的宽端部的第二接触孔181l形成在钝化层180和第一绝缘层240中。延伸至栅极垫125的至少一部分并暴露栅极垫125的至少一部分的第三接触孔185形成在栅极绝缘层140、钝化层180和第一绝缘层240中。延伸至第一数据垫177h的至少一部分并暴露第一数据垫177h的至少一部分的第四接触孔187h和延伸至第二数据垫177l的至少一部分并暴露第二数据垫177l的至少一部分的第五接触孔187l形成在钝化层180和第一绝缘层240中。
像素电极191形成在第一绝缘层240上。像素电极191可以由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等的透明金属氧化物形成。
像素电极191包括彼此划分开并使栅极线121和存储电极线131置于其间的第一子像素电极191h和第二子像素电极191l。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l设置在像素PX的上方和下方,栅极线121和存储电极线131作为中心。即,第一子像素电极191h和第二子像素电极191l被分开,同时在其间具有第一谷V1。第一子像素电极191h位于第一子像素PXa处,第二子像素电极191l位于第二子像素PXb处。
第一子像素电极191h通过第一接触孔181h连接到第一漏电极175h,第二子像素电极191l通过第二接触孔181l连接到第二漏电极175l。因此,当第一薄膜晶体管Qh和第二薄膜晶体管Ql被导通时,不同的数据电压分别从第一漏电极175h和第二漏电极175l被施加到第一子像素电极191h和第二子像素电极191l上。
第一子像素电极191h和第二子像素电极191l中的每个的整体形状是四边形。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l中的每个包括十字形的主干部分,所述主干部分包括水平主干部分193h和193l以及竖直主干部分192h和192l。此外,第一子像素电极191h和第二子像素电极191l包括多个细小的分支部分194h和194l。
像素电极191由水平主干部分193h和193l及竖直主干部分192h和192l分成四个子区域。细小的分支部分194h和194l从水平主干部分193h和193l及竖直主干部分192h和192l倾斜地延伸,并且倾斜方向的角度可以是相对于栅极线121或水平主干部分193h和193l的大约45度或135度。细小的分支部分194h和194l朝着两个相邻的子区域延伸所沿的方向可以彼此正交。
在本示例性实施例中,第一子像素电极191h和第二子像素电极191l还可以包括分别围绕第一子像素PXa和第二子像素PXb外部的外部主干部分。
此外,还可以在第一绝缘层240上形成辅助栅极垫195、第一辅助数据垫197h和第二辅助数据垫197l。辅助栅极垫195、第一辅助数据垫197h和第二辅助数据垫197l可以与像素电极191位于同一层上,并可以由相同的材料形成。
辅助栅极垫195位于栅极垫125上并通过第三接触孔185连接到栅极垫125。栅极垫125和辅助栅极垫195形成上面描述的栅极垫400。
第一辅助数据垫197h位于第一数据垫177h上并通过第四接触孔187h连接到第一数据垫177h。第二辅助数据垫197l位于第二数据垫177l上并通过第五接触孔187l连接到第二数据垫177l。第一数据垫177h、第二数据垫177l、第一辅助数据垫197h和第二辅助数据垫197l形成上面描述的数据垫500。
上面描述的像素的布局、薄膜晶体管的结构和像素电极的形状仅是示例,并且实施例不限制于此并可以各种各样地改变。
共电极270形成在像素电极191上,同时与像素电极191分隔开预定的距离。微腔305形成在像素电极191与共电极270之间。即,微腔305由像素电极191和共电极270围绕。共电极270在行方向上形成在微腔305上和第二谷V2处。共电极270形成为覆盖微腔305的上表面和侧表面。微腔305的宽度和面积可以根据显示装置的尺寸和分辨率各种各样地改变。
然而,实施例不限制于此,并且绝缘层可以形成在像素电极191与共电极270之间。微腔305可以形成在共电极270上。
共电极270可以由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等的透明金属氧化物形成。恒定的电压可以施加到共电极270,并且可以在像素电极191与共电极270之间形成电场。
取向层11和21形成在像素电极191的上方与共电极270的下方。
取向层11和21包括第一取向层11和第二取向层21。第一取向层11和第二取向层21可以是垂直取向层,并可以由诸如聚酰胺酸、聚硅氧烷、聚酰亚胺等的取向材料形成。第一取向层11和第二取向层21可以在微腔305的边缘的侧壁连接。
第一取向层11形成在像素电极191上。第一取向层11可以直接形成在不被像素电极191覆盖的第一绝缘层240上。
第二取向层21形成在共电极270的下方,面对第一取向层11。
由液晶分子310制成的液晶层形成在位于像素电极191与共电极270之间的微腔305内。液晶分子310具有负介电各向异性,并且在不施加电场的状态下可以沿基底110的垂直方向取向。即,可以形成垂直取向。
被施加数据电压的第一子像素电极191h和第二子像素电极191l与共电极270产生电场,并确定位于两个电极191与270之间的微腔305内的液晶分子310的方向。根据如此确定的液晶分子310的方向,改变穿过液晶层的光的亮度。
还可以在共电极270上形成第二绝缘层350。第二绝缘层350可以由诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)等的无机绝缘材料形成,而且在一些情况下可以被省略。
顶层360形成在第二绝缘层350上。顶层360可以由有机材料形成。顶层360形成在行方向上,并且形成在微腔305上和第二谷V2处。顶层360形成为覆盖微腔305的上表面和侧表面。顶层360通过固化工艺被硬化,并可以起维持微腔305的形状的作用。顶层360形成为与像素电极191分隔开并且使微腔305在顶层360与像素电极191之间。
共电极270和顶层360形成为不覆盖微腔305的边缘的侧表面的一部分,没有被共电极270和顶层360覆盖的微腔305的该部分被称为注入孔307a和307b。注入孔307a和307b包括延伸至微腔305的第一边缘的侧表面并暴露微腔305的第一边缘的侧表面的第一注入孔307a与延伸至微腔305的第二边缘的侧表面并暴露微腔305的第二边缘的侧表面的第二注入孔307b。第一边缘和第二边缘彼此面对,例如,在平面图上,第一边缘可以是微腔305的上边缘并且第二边缘可以是微腔305的下边缘。在显示装置的制造工艺中,微腔305可以通过注入孔307a和307b被暴露,并且取向剂、液晶材料等可以通过注入孔307a和307b被注入到微腔305中。
还可以在顶层360上形成第三绝缘层370。第三绝缘层370可以由诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)等的无机绝缘材料形成。第三绝缘层370可以形成为覆盖顶层360的上表面和/或侧表面。第三绝缘层370起到保护由有机材料形成的顶层360的作用,并在一些情况下可以被省略。
包封层390形成在第三绝缘层370上。包封层390形成为覆盖注入孔307a和307b,注入孔307a和307b将微腔305的一部分暴露于外部。即,包封层390能够密封微腔305,以防止形成在微腔305内部的液晶分子310漏出。由于包封层390可以接触液晶分子310,因此它适合于由不与液晶分子310反应的材料形成。例如,包封层390可以由聚对二甲苯等形成。
包封层390可以是诸如双层、三层等的多层。双层可以包括由不同的材料形成的两层。三层可以包括三个层,并且相邻的层中的每个由不同的材料形成。例如,包封层390可以包括由有机绝缘材料制成的层与由无机绝缘材料制成的层。
辅助栅极垫195、第一辅助数据垫197h和第二辅助数据垫197l不被包封层390覆盖,而是暴露到外部。第一电路板610位于辅助栅极垫195上,并且第二电路板710位于第一辅助数据垫197h与第二辅助数据垫197l上。密封剂900位于辅助栅极垫195、第一辅助数据垫197h、第二辅助数据垫197l、第一电路板610和第二电路板710上。密封剂900在其中包括气泡910。密封剂900接触包封层390。
尽管没有示出,但是还可以在显示装置的上侧和底侧上形成偏振器。偏振器可以由第一偏振器和第一偏振器组成。第一偏振器可以附于基底110的底侧,第二偏振器可以附于包封层390。
在上面的描述中描述了密封剂包括气泡,但是实施例不限制于此,并且密封剂可以包括其他材料。在下文中,将参照图9至图12描述包括在密封剂中的各种材料。
图9至图12是示出根据示例性实施例的显示装置的一部分的剖视图。图9至图12示出栅极垫400的边界。
如图9所示,栅极垫400位于基底110上并连接到栅极驱动器600。密封剂900覆盖栅极垫400和栅极驱动器600。密封剂900包括位于其中的第一颗粒920。每单位面积的第一颗粒920的数目可以是大约20个颗粒/mm2或更多。即,多于20个第一颗粒920可以位于1mm2的面积内。优选地,每单位面积的第一颗粒920的数目可以是大约100个颗粒/mm2或更多。由于密封剂900包括第一颗粒920,因此增大了密封剂900的强度并可以防止栅极垫400的损坏。当每单位面积的第一颗粒920的数目越大时,强度越大。
如图10所示,密封剂900包括位于内部的气泡910和第一颗粒920。每单位面积的气泡910和第一颗粒920的数目是大约20/mm2或更多。即,20个气泡910和第一颗粒920或更多可以位于1mm2的面积内。优选地,每单位面积的气泡910和第一颗粒920的数目可以是大约100/mm2或更多。由于密封剂900包括在一起的气泡910和第一颗粒920,因此可以通过改善缓冲效果和强度来防止栅极垫400的损坏。
如图11所示,密封剂900包括位于其中的第一颗粒920和第二颗粒930。第一颗粒920和第二颗粒930可以由不同的材料形成。另外,除了第一颗粒920和第二颗粒930之外的其他颗粒可以包括在密封剂900内部。即,密封剂900可以包括多于两种的颗粒。每单位面积的第一颗粒920和第二颗粒930的数目可以是大约20个颗粒/mm2或更多。即,20个或更多的第一颗粒920和第二颗粒930可以位于1mm2的面积内。优选地,每单位面积的第一颗粒920和第二颗粒930的数目可以是大约100个颗粒/mm2或更多。由于密封剂900包括第一颗粒920和第二颗粒930,因此可以增大强度并可以防止栅极垫400的损坏。
第一颗粒920和第二颗粒930的尺寸可以是各种各样的。第一颗粒920和第二颗粒930的尺寸可以是均匀的或彼此不同。例如,第一颗粒920和第二颗粒930的尺寸可以是1nm至10μm。第一颗粒920和第二颗粒930的材料可以是各种各样的。例如,第一颗粒920和第二颗粒930的材料可以是除了金属材料之外的高聚物。
如图12所示,密封剂900可以包括气泡910、第一颗粒920和第二颗粒930。每单位面积的气泡910、第一颗粒920和第二颗粒930的数目可以是大约20/mm2或更多。即,20个或更多的气泡910、第一颗粒920和第二颗粒930可以位于1mm2的面积内。优选地,每单位面积的气泡910、第一颗粒920和第二颗粒930的数目可以是大约100/mm2或更多。由于密封剂900包括气泡910、第一颗粒920和第二颗粒930,因此可以增大强度并可以防止栅极垫400的损坏。
在图9至图12中,仅示出栅极垫400的边界部分,但是也可以各种各样地改变位于数据垫500周围的密封剂900中包括的材料。即,代替气泡的颗粒可以包括在密封剂内部,颗粒的种类可以是两种或更多,并且颗粒可以与气泡一起被包括。
随后,将参照图13A至图15D描述密封剂900中包括的气泡910的每单位面积的数目对缓冲操作的影响。
图13A、图13B、图13C和图13D是示出根据示例性实施例的显示装置的密封剂。图14A、图14B、图14C和图14D以及图15A、图15B、图15C和图15D示出了实验结果,其呈现了施加于密封剂下部的冲击的程度。图14A、图14B、图14C和图14D示出当施加大约0.05MPa至大约0.2MPa的冲击时的实验结果。图15A、图15B、图15C和图15D示出当施加大约0.5MPa至大约2.5MPa的冲击时的实验结果。在实验中,压敏纸位于密封剂下方,并且当冲击施加于密封剂时,测量变红程度。意味着,压敏纸变得越红,在密封剂下方感测到越大的冲击。即,压敏纸的变红程度越大,在密封剂下方感测到越大的冲击。
图13A示出包括在密封剂中的气泡的每单位面积的数目是大约2个气泡/mm2至大约3个气泡/mm2的情况。图13B示出包括在密封剂中的气泡的每单位面积的数目是大约7个气泡/mm2至大约8个气泡/mm2的情况。图13C示出包括在密封剂中的气泡的每单位面积的数目是大约20个气泡/mm2的情况。图13D示出包括在密封剂中的气泡的每单位面积的数目是大约100个气泡/mm2的情况。
图14A示出当大约0.05MPa至大约0.2MPa的冲击施加于图13A中所示的密封剂时压敏纸的变红程度。图14B示出当大约0.05MPa至大约0.2MPa的冲击施加于图13B中所示的密封剂时压敏纸的变红程度。图14C示出当大约0.05MPa至大约0.2MPa的冲击施加于图13C中所示的密封剂时压敏纸的变红程度。图14D示出当大约0.05MPa至大约0.2MPa的冲击施加于图13D中所示的密封剂时压敏纸的变红程度。
参照图14A、图14B、图14C和图14D,可以知道的是,当每单位面积的气泡的数目变得更高时,冲击减小。可以证实的是,如果包括在密封剂中的气泡的每单位面积的数目是大约100个气泡/mm2或更多,则压敏纸几乎不变红。因此,如果包括在密封剂中的气泡的每单位面积的数目是大约100个气泡/mm2或更多,则外部的冲击不会传递到密封剂的下部。
图15A示出当大约0.5MPa至大约2.5MPa的冲击施加于图13A中所示的密封剂时压敏纸的变红程度。图15B示出当大约0.5MPa至大约2.5MPa的冲击施加于图13B中所示的密封剂时压敏纸的变红程度。图15C示出当大约0.5MPa至大约2.5MPa的冲击施加于图13C中所示的密封剂时压敏纸的变红程度。图15D示出当大约0.5MPa至大约2.5MPa的冲击施加于图13D中所示的密封剂时压敏纸的变红程度。
参照图15A、图15B、图15C和图15D,可以知道的是,当每单位面积的气泡的数目变得更高时,冲击减小。可以证实的是,如果包括在密封剂中的气泡的每单位面积的数目是大约20个气泡/mm2或更多,则压敏纸几乎不变红。因此,如果包括在密封剂中的气泡的每单位面积的数目是大约20个气泡/mm2或更多,则外部的冲击不会传递到密封剂的下部。
将图14A、图14B、图14C和图14D以及图15A、图15B、图15C和图15D的实验结果放到一起,当每单位面积的气泡或颗粒的数目是大约20/mm2或更多时,可以防止位于密封剂下部的垫的损坏。优选地,当每单位面积的气泡或颗粒的数目是大约100/mm2或更多时,可以更多地防止位于密封剂下部的垫的损坏。
<符号说明>:
110:基底121:栅极线
125:栅极垫171:数据线
177h,177l:数据垫191:像素电极
195:辅助栅极垫197h,197l:辅助数据垫
270:共电极305:微腔
360:顶层390:包封层
400:栅极垫500:数据垫
600:栅极驱动器700:数据驱动器
900:密封剂910:空气滴(或气泡)
920:第一颗粒930:第二颗粒
虽然已经结合目前认为是实际的示例性实施例的内容描述了本发明构思,但是将理解的是,本发明构思不限制于所公开的实施例,而是,相反,意图涵盖包括在权利要求的精神和范围之内的各种修改和等同布置。
Claims (17)
1.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:
柔性的基底;
栅极线和数据线,位于所述基底上;
薄膜晶体管,连接到所述栅极线和所述数据线;
像素电极,连接到所述薄膜晶体管;
垫,位于所述栅极线和所述数据线的端部;
驱动器,连接到所述垫;以及
密封剂,覆盖所述垫和所述驱动器,
其中,所述密封剂在其中包括气泡或颗粒。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括:
顶层,形成在所述像素电极上,以通过多个微腔与所述像素电极分隔开;
液晶层,填充所述微腔;以及
包封层,位于所述顶层上并密封所述微腔。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述密封剂接触所述包封层。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,每单位面积的所述气泡或所述颗粒的数目多于20/mm2。
5.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,每单位面积的所述气泡或所述颗粒的数目多于100/mm2。
6.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述密封剂包括所述气泡并且不包括所述颗粒。
7.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述密封剂包括所述颗粒并且不包括所述气泡。
8.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述的密封剂包括所述气泡和所述颗粒。
9.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述密封剂包括至少两种所述颗粒。
10.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于:
所述垫包括位于所述栅极线的端部处的栅极垫;
所述驱动器包括被构造成产生栅极信号的栅极驱动器;以及
所述栅极驱动器连接到所述栅极垫。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其特征在于,所述栅极驱动器由覆晶薄膜组成。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其特征在于,
所述栅极驱动器包括:
第一电路板;以及
栅极驱动芯片,位于所述第一电路板上。
13.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于:
所述垫包括位于所述数据线的端部处的数据垫;
所述驱动器包括被构造成产生数据信号的数据驱动器;以及
所述数据驱动器连接到所述数据垫。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其特征在于,所述数据驱动器由覆晶薄膜组成。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其特征在于,
所述数据驱动器包括:
第二电路板;以及
数据驱动芯片,位于所述第二电路板上。
16.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,每单位面积的所述气泡或所述颗粒的数目多于20/mm2。
17.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,每单位面积的所述气泡或所述颗粒的数目多于100/mm2。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1684559A (zh) * | 2004-04-16 | 2005-10-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件、其制造方法以及电子设备 |
CN101009312A (zh) * | 2006-01-26 | 2007-08-01 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光显示装置及其制造 |
CN101198201A (zh) * | 2006-12-06 | 2008-06-11 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光显示设备及其制造方法 |
US8179510B2 (en) * | 2004-12-31 | 2012-05-15 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and fabricating method thereof |
CN104216174A (zh) * | 2013-05-30 | 2014-12-17 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11125834A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-05-11 | Canon Inc | マトリクス基板及び液晶表示装置と投写型液晶表示装置 |
JP3510509B2 (ja) * | 1998-12-01 | 2004-03-29 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
KR100688958B1 (ko) | 2000-12-14 | 2007-03-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 액정패널 및 그의 제조방법 |
KR20060110196A (ko) * | 2005-04-19 | 2006-10-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 기판 합착용 실런트 및 이를 이용한 액정표시장치와 그제조방법 |
JP2008033117A (ja) | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶パネル |
KR20080049193A (ko) | 2006-11-30 | 2008-06-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 컬럼 스페이서를 구비한 액정 표시패널 및 그 제조 방법 |
JP2008242031A (ja) | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Citizen Holdings Co Ltd | 液晶素子およびその製造方法 |
KR20090103240A (ko) | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 김경용 | 고온용 무선주파수 식별시스템의 태그 안테나 설계기술 |
KR101094301B1 (ko) * | 2009-09-09 | 2011-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 실링재 및 상기 실링재를 사용하는 표시 장치 |
KR20110039776A (ko) * | 2009-10-12 | 2011-04-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 듀얼패널 타입 유기전계발광소자 |
KR101074805B1 (ko) | 2009-12-04 | 2011-10-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR101605821B1 (ko) | 2010-09-10 | 2016-03-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101879410B1 (ko) * | 2011-08-31 | 2018-08-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 |
KR20130124827A (ko) | 2012-05-07 | 2013-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102041883B1 (ko) | 2012-07-09 | 2019-11-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 커브드 프레임 및 이를 갖는 커브드 표시장치 |
KR20140122884A (ko) * | 2013-04-11 | 2014-10-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20150043604A (ko) | 2013-10-11 | 2015-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기 발광 표시 장치 |
-
2015
- 2015-01-19 KR KR1020150008683A patent/KR102221554B1/ko active IP Right Grant
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1684559A (zh) * | 2004-04-16 | 2005-10-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件、其制造方法以及电子设备 |
US8179510B2 (en) * | 2004-12-31 | 2012-05-15 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and fabricating method thereof |
CN101009312A (zh) * | 2006-01-26 | 2007-08-01 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光显示装置及其制造 |
CN101198201A (zh) * | 2006-12-06 | 2008-06-11 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光显示设备及其制造方法 |
CN104216174A (zh) * | 2013-05-30 | 2014-12-17 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9507226B2 (en) | 2016-11-29 |
KR20160089574A (ko) | 2016-07-28 |
CN105807502B (zh) | 2021-01-26 |
KR102221554B1 (ko) | 2021-03-02 |
US20160209696A1 (en) | 2016-07-21 |
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