CN105683408B - 圆筒形溅射靶用靶材的制造方法和圆筒形溅射靶 - Google Patents
圆筒形溅射靶用靶材的制造方法和圆筒形溅射靶 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105683408B CN105683408B CN201580002336.4A CN201580002336A CN105683408B CN 105683408 B CN105683408 B CN 105683408B CN 201580002336 A CN201580002336 A CN 201580002336A CN 105683408 B CN105683408 B CN 105683408B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- emery wheel
- grinding
- target
- sintered body
- cylindrical shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 104
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 236
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 225
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910001651 emery Inorganic materials 0.000 claims description 237
- 238000007373 indentation Methods 0.000 claims description 53
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 35
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 27
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 27
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 14
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 description 6
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N SnO2 Inorganic materials O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 2
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000000205 computational method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920003225 polyurethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 231100000241 scar Toxicity 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B5/00—Machines or devices designed for grinding surfaces of revolution on work, including those which also grind adjacent plane surfaces; Accessories therefor
- B24B5/02—Machines or devices designed for grinding surfaces of revolution on work, including those which also grind adjacent plane surfaces; Accessories therefor involving centres or chucks for holding work
- B24B5/12—Machines or devices designed for grinding surfaces of revolution on work, including those which also grind adjacent plane surfaces; Accessories therefor involving centres or chucks for holding work for grinding cylindrical surfaces both externally and internally with several grinding wheels
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
本发明涉及的圆筒形溅射靶用靶材的制造方法包括外周面磨削工序、内周面磨削工序和精磨工序。在外周面磨削工序中,对陶瓷制的溅射靶材的外周面进行磨削。在内周面磨削工序中,对溅射靶材的内周面进行磨削。在精磨工序中,在外周面磨削工序和内周面磨削工序中的至少一个工序中,以2个以上的磨削方向进行磨削。
Description
技术领域
本发明涉及圆筒形溅射靶用靶材的制造方法和圆筒形溅射靶。
背景技术
已知一种磁控管式旋转阴极溅射装置,其在圆筒形靶材的内侧具有磁场发生装置,从内侧对该靶材进行冷却,进而一边使该靶材旋转一边进行溅射。在这种溅射装置中,靶材的外周表面的整个面为刻蚀区而被均匀地刻蚀。因此,相对于使用効率为20~30%的现有的平板式磁控管溅射装置,磁控管式旋转阴极溅射装置能够获得70%以上的非常高的使用効率。
此外,在磁控管式旋转阴极溅射装置中,一边使靶材旋转一边进行溅射,因此与平板式磁控管溅射装置相比能够在每单位面积投入较大的功率,所以能够获得较高的成膜速度。
这种旋转阴极溅射方式因采用容易加工成圆筒形状且机械强度较强的金属制靶材而广泛普及。与此相对,陶瓷制靶材具有与金属制靶材相比机械强度较低且脆这样的特性。
而且,陶瓷材料的热膨胀系数小于作为圆筒形衬管而使用的金属材料的热膨胀系数,所以在溅射过程中由于圆筒形靶材与衬管的热膨胀量不同而容易在靶材上产生裂纹。因此,关于陶瓷制的圆筒形靶材,一直在研究克服这些问题的对策(例如参照专利文献1、2)。
专利文献1:日本特开2005-281862号公报
专利文献2:日本特开2009-30165号公报
发明内容
然而,在上述的现有技术中,还是无法得到可充分地抗破损的靶材,还有进一步改善的余地。
实施方式的一种方式是鉴于上述问题而完成的,其目的在于提供一种能够进一步抑制在制作中产生裂纹的圆筒形溅射靶用靶材的制造方法和圆筒形溅射靶。
实施方式涉及的圆筒形溅射靶用靶材的制造方法包括外周面磨削工序、内周面磨削工序和精磨工序。在外周面磨削工序中,对陶瓷制的溅射靶材的外周面进行磨削。在内周面磨削工序中,对上述溅射靶材的内周面进行磨削。在精磨工序中,在上述外周面磨削工序和上述内周面磨削工序中的至少一个工序中,以2种以上的磨削方向进行磨削。
根据实施方式的一种方式,能够提供一种能够进一步抑制在制作中产生裂纹的圆筒形溅射靶用靶材的制造方法和圆筒形溅射靶。
附图说明
图1A是表示圆筒形溅射靶的结构的概要的示意图。
图1B是图1A的A-A’截面图。
图2A是表示实施方式涉及的圆筒形溅射靶用靶材的制造方法的概要的说明图。
图2B是表示实施方式涉及的圆筒形溅射靶用靶材的制造方法的概要的说明图。
图3A是表示纵向磨削的一个示例的说明图。
图3B是图3A的部分放大图。
图4A是表示纵向磨削的一个示例的说明图。
图4B是图4A的部分放大图。
图5是表示实施方式1涉及的圆筒形溅射靶用靶材的制造方法的概要的说明图。
图6是表示实施方式2涉及的圆筒形溅射靶用靶材的制造方法的概要的说明图。
图7是表示实施方式涉及的圆筒形溅射靶用靶材的制造方法的一个示例的流程图。
具体实施方式
以下,参照附图,对本发明公开的圆筒形溅射靶用靶材的制造方法和圆筒形溅射靶的实施方式进行详细说明。另外,本发明不局限于以下所示的实施方式。
首先,使用图1A、图1B,对能够应用由实施方式涉及的圆筒形溅射靶用靶材的制造方法制作的圆筒形溅射靶用靶材的圆筒形溅射靶进行说明。
图1A是表示圆筒形溅射靶的结构的概要的示意图,图1B是图1A的A-A’截面图。另外,为了使说明容易理解,在图1A和图1B中示出了包括以铅垂向上为正方向、铅垂向下为负方向的Z轴的三维正交坐标系。该正交坐标系也会在后述说明所用的其它附图中示出。
如图1A和图1B所示,圆筒形溅射靶(以下称为“圆筒形靶”)1包括陶瓷制的圆筒形溅射靶用靶材(以下称为“圆筒形靶材”)2和衬管3。圆筒形靶材2和衬管3由接合材料4接合。
这里,圆筒形靶材2由加工成圆筒形状的陶瓷制材料构成,利用后述的制造方法制作。作为能够制作该圆筒形靶材2的陶瓷制材料例如有ITO(In2O3-SnO2)、IGZO(In2O3-GA2O3-ZnO)和AZO(Al2O3-ZnO)等,不过不局限于此。
此外,作为衬管3,可以适当选择目前所用的衬管使用。例如能够应用不锈钢、钛、钛合金等,不过不局限于此。
此外,作为接合材料4,可以适当选择目前所用的接合材料使用。例如有铟或铟锡合金等,不过不局限于此。
另外,上面说明的圆筒形靶1是在1个衬管3的外侧接合有1个圆筒形靶材2的示例,不过不局限于此。例如也可以使用在1个或2个以上的衬管3的外侧在同一轴线上排列接合有2个以上的圆筒形靶材2的靶来作为圆筒形靶1。
接着,说明陶瓷制的圆筒形靶材2的制造方法的一个示例。圆筒形靶材2是经过下述工序制作的:对含有陶瓷原料粉末和有机添加物的浆料进行造粒来制作颗粒体的造粒工序;使该颗粒体成型来制作圆筒形的成型体的成型工序;以及对该成型体进行烧制来制作烧成体的烧成工序。另外,烧成体的制作方法不局限于上述方法,可以是任何方法。
在上述烧成工序中得到的烧成体被制作成,与作为圆筒形靶材2预先设计的尺寸相比,其长度和外径较大且内径较小。然后,对于烧成体的长度方向例如进行切断加工,对于外径和内径进行磨削加工,以使它们分别加工成所设计的尺寸。
此外,实施方式涉及的圆筒形靶材2的制造方法还包括外周面磨削工序、内周面磨削工序、精磨工序和端面加工工序。通过上述各工序,将烧成体的外径、内径和长度加工成预先设计的尺寸。以下,首先使用图2A、图2B,依次对外周面磨削工序和内周面磨削工序的一个示例进行说明。
图2A、图2B是实施方式涉及的圆筒形靶材2的制造方法中特别表示磨削工序的概要的说明图。以下,首先对外周面磨削工序进行说明。
外周面磨削工序是对用于制造圆筒形靶材2的陶瓷制烧成体(靶材)12的外周面进行磨削将外径调整成预先设定的尺寸的工序。如图2A、图2B所示,烧成体12以圆筒轴(未图示)作为旋转轴可旋转地被支承。此外,用于磨削外周面12a的砂轮5a被配置成与烧成体12的外周面12a相向。
砂轮5a构成为,以配置成与烧成体12的圆筒轴平行的轴5b作为旋转轴旋转,并且能够在与该轴5b平行的方向、即与烧成体12的圆筒轴平行的方向上前进后退移动。另外,在以下的说明中,为了便于说明,将砂轮5a从烧成体12的端部e1侧向端部e2侧的移动规定为“前进”,从端部e2侧向端部e1侧的移动规定为“后退”。
在这样的结构中,对于以圆筒轴为旋转轴且以固定速度旋转的烧成体12的外周面12a,砂轮5a对烧成体12的外周面12a的磨削以下述方式进行。即,使以轴5b作为旋转轴进行高速旋转的砂轮5a向烧成体12侧移动,并且进行调整使其与烧成体12的圆筒轴之间的距离变小,这样相应于调整后的砂轮5a的配置,烧成体12的外周面12a侧就被磨削掉一定的厚度(深度)。将此时被磨削掉的烧成体12的厚度称为切入量(或者切入深度)。
这里,作为对要成为圆筒形靶材2的烧成体12的外周面12a进行磨削的方法,有纵向磨削和切入磨削这2种方式。以下,首先,使用图3A~图4B对纵向磨削进行说明。
图3A是表示纵向磨削的一个示例的说明图。另外,图3A中的烧成体12和砂轮5a的配置及旋转方向与图2A及图2B相同。
纵向磨削是指一边使砂轮5a在与烧成体12的圆筒轴平行的方向上移动一边进行磨削的方式。如图3A所示,如果使相对于烧成体12的切入量固定并使砂轮5a前进移动,则以圆筒轴作为旋转轴进行旋转的烧成体12的外周面12a就与烧成体12的旋转和砂轮5a的前进移动对应地被磨削掉。
此时,在烧成体12的外周面12a上残留有由于砂轮5a对烧成体12的磨削而产生的刻痕d。该刻痕d能够视为是表示砂轮5a的磨削方向的痕迹。即,如果分别使烧成体12的转速和砂轮5a的前进移动的速度固定来进行磨削,则在烧成体12的外周面12a作为刻痕d而残留的磨削方向就呈直线状。以下,使用图3B对这一点进一步说明。
图3B是放大观察图3A所示的区域6的图。如图3B所示,放大观察烧成体12的外周面12a的一部分、即区域6,刻痕d相对于与平行于圆筒轴的直线L1垂直的直线L2具有正的角度θ1(其中,0°<θ1<90°)。这里,如图3B所示,“正的角度”是指,在区域6中规定了以与圆筒轴平行的直线L1为横轴、以穿过该直线L1与刻痕d的交点P且与直线L1垂直的直线L2为纵轴的平面时,刻痕d具有向右转(顺时针旋转)的斜度。与此相对,也能够形成为刻痕d相对于与平行于圆筒轴的直线L1垂直的直线L2具有“负的角度”即向左转(逆时针旋转)的斜度。以下,使用图4A、图4B,对该情况下的一个示例进行说明。
图4A是表示纵向磨削的另一个示例的说明图,图4B是放大观察图4A所示的区域6的图。除了使砂轮5a后退移动以外,图4A、图4B的结构具有与图3A和图3B相同的结构。
如图4A所示,如果一边使砂轮5a后退移动一边对烧成体12的外周面12a进行磨削,则与烧成体12的旋转和砂轮5a的后退移动对应地被磨削掉。此时,如果分别使烧成体12的转速和砂轮5a的后退移动的速度固定来进行磨削,则刻痕d相对于与平行于圆筒轴的直线L1垂直的直线L2所构成的角就为负的角度θ1(其中,-90°<θ1<0°)。
这样,在纵向磨削中,即使在使烧成体12以固定的方向和速度旋转的情况下,通过变更砂轮5a的前进后退移动的方向和/或速度,也能够变更与平行于圆筒轴的直线L1垂直的直线L2与刻痕d构成的角。
接着,对切入磨削进行说明。切入磨削是不使砂轮5a前进后退移动而仅实施切入方向的移动进行磨削的方法。在该方法中,烧成体12的外表面12a在与平行于圆筒轴的直线L1构成的角度为90°的磨削方向上,即与垂直于直线L1的直线L2平行的磨削方向上被磨削。
返回图2B,对内周面磨削工序进行说明。内周面磨削工序是对烧成体12的内周面12b进行磨削的工序。如图2B所示,在烧成体12的内周面12b侧配置有用于磨削内周面12b的砂轮6a。
砂轮6a以配置成与烧成体12的圆筒轴平行的轴6b作为旋转轴旋转,并且能够在与该轴6b平行即与烧成体12的圆筒轴平行的方向上前进后退移动。另外,在以下的说明中,与上述的砂轮5a的说明一样,将砂轮6a从烧成体12的端部e1侧向端部e2侧的移动规定为“前进”,从端部e2侧向端部e1侧的移动规定为“后退”。
在由具有这种结构的砂轮6a磨削后的烧成体12的内周面12b上,与砂轮6a的磨削方向对应地形成有刻痕d,其与砂轮5a在烧成体12的外周面12a上形成的刻痕相同。即,如果使砂轮6a以固定的切入量在与烧成体12的圆筒轴平行的方向上前进后退移动,则烧成体12的内周面12b与烧成体12的旋转和砂轮6a的前进后退移动对应地被纵向磨削,而在内周面12b上形成刻痕d。
另一方面,如果不使砂轮6a前进后退移动而仅实施切入方向的移动来进行切入磨削,则烧成体12的内表面12b就以与平行于圆筒轴的直线L1所构成的角度为90°的方式被磨削。
这样,烧成体12的外周面12a由砂轮5a、内周面12b由砂轮6a分别根据设定的切入量和磨削方向进行磨削。另外,作为对烧成体12进行磨削的磨削装置,例如可以使用配置有砂轮5a、6a双方的1个磨削盘,也可以分别使用例如配置有砂轮5a的圆筒磨削盘和配置有砂轮6a的内圆磨削盘。
这里,烧成体12的转速能够根据烧成体12的强度和大小来设定,例如能够将其设为10rpm~150rpm。如果烧成体12的转速为10rpm以下,则磨削时间太长,而如果烧成体12的转速超过150rpm,则施加于烧成体12的负荷太大,例如有可能在磨削过程中烧成体12容易产生裂纹。
此外,砂轮5a、6a的移动速度例如分别优选采用3000mm/min以下,在纵向磨削的情况下例如优选采用1mm/min以上3000mm/min以下。如果砂轮5a、6a的移动速度超过3000mm/min,则根据砂轮5a、6a对烧成体12的切入深度,施加于砂轮5a、6a的负荷会增大,砂轮容易产生缺口。
此外,在上面说明的是砂轮5a、6a都能够在烧成体12的圆筒轴方向上前进后退的结构,不过只要是砂轮5a、6a相对于烧成体12能够相对地前进后退的结构即可,例如可以是烧成体12能够在圆筒轴方向上前进后退的结构。而且,还可以是烧成体12和砂轮5a、6a双方都能够在圆筒轴方向上前进后退的结构。
接着,对精磨工序进行说明。精磨工序是指在烧成体12的外周面12a及内周面12b的各磨削工序的最后进行的、对烧成体12的外周面12a及内周面12b进行磨削的工序。在实施方式涉及的磨削処理工序中,烧成体12的外周面12a及内周面12b在2个以上的磨削方向上被磨削。以下,利用图5对这一点进行说明。
图5是表示实施方式1涉及的圆筒形靶材2的制造方法的概要的说明图,相当于放大观察图3A、图4A所示的区域6中的烧成体12的外周面12a的图。在图5中,线d2表示由于精磨工序中的最后磨削而形成于烧成体12的外周面12a的刻痕d。此外,线d1表示由于在形成作为线d2的刻痕d的磨削之前的精磨而形成于烧成体12的外周面12a的刻痕d。
如图5所示,烧成体12的外周面12a在线d1、d2这2个磨削方向上被磨削。因此,与在精磨工序中仅在同一磨削方向上对烧成体12进行磨削而得到的圆筒形靶材2相比,能够抑制在制作圆筒形靶1时产生裂纹。其理由大致如下所述。
即,在陶瓷制的圆筒形靶材2的外周面12a上,会因反复进行的磨削而累积损伤。特别是,此时如果在精磨工序中在同一磨削方向上反复进行磨削,则在特定的方向上累积磨削损伤,导致圆筒形靶材2的表面变脆,所以圆筒形靶材2容易产生裂纹。而在本发明的实施方式涉及的圆筒形靶材2的制造方法中,由于在精磨工序中设有2个以上的磨削方向,所以磨削损伤会分散,因此能够抑制沿着特定方向产生裂纹。
这里,“精磨工序”是指可对所制作的圆筒形靶材2的强度产生影响这种程度的、对非常靠近圆筒形靶材2的表面的部分进行磨削的工序。具体而言,例如是指对烧成体12的外周面12a进行最后的20μm以下的磨削。即,以至少使最后20μm的磨削方向为2个磨削方向的方式对烧成体12的外周面12a进行磨削,由此能够抑制圆筒形靶材2产生裂纹。
如图5所示,作为第一刻痕d的线d1形成为,相对于与平行于圆筒形靶材2的圆筒轴的直线L1垂直的直线L2具有正的角度θ1。此外,作为第二刻痕d的线d2形成为,相对于与平行于圆筒形靶材2的圆筒轴的直线L1垂直的直线L2具有负的角度θ2(其中,-90°<θ2<0°)。
这里,在以线d1为刻痕d的磨削方向上的精磨例如能够通过使砂轮5a前进移动的纵向磨削来进行(参照图3A、图3B)。此外,在以线d2为刻痕d的磨削方向上的精磨例如能够通过使砂轮5a后退移动的纵向磨削来进行(参照图4A、图4B)。即,能够通过使砂轮5a在与圆筒轴平行的方向上前进后退移动而在该两个方向上进行精磨来实现。
在图5的情况下,线d1和d2交叉的角度θ3(其中,0°<θ3<180°)能够表示为θ3=|θ1-θ2|。线d1和d2交叉的角度θ3至少要求不是0,优选为0.3°≤θ3≤15°,更优选为0.3°≤θ3≤6°。如果角度θ3小于0.3°,则存在抑制圆筒形靶材2产生裂纹的効果不明确的情况。此外,如果角度θ3超过15°,则制作本身就困难,而且在对烧成体12进行磨削时容易在外周面12a产生伤痕或缺口。另外,上述角度θ1和θ2能够基于在对烧成体12进行磨削时的砂轮5a的移动速度和烧成体12的转速、以及圆筒形靶材2的外径、内径的尺寸等计算。
此外,上述精磨工序之后的外周面12a的表面粗糙度Ra优选为1.5μm以下,更优选为0.1μm以上1.5μm以下。如果外周面12a的表面粗糙度Ra超过1.5μm,则在圆筒形靶1的制作中容易产生裂纹。这里,表面粗糙度Ra是指相当于JIS B0601:2013的“算术平均粗糙度Ra”的值。另外,对于表面粗糙度Ra,能够通过改变精磨所用的砂轮5a的粒度号来进行控制。
此外,在上述的实施方式1中,示出了通过在砂轮5a前进后退移动的两个方向上对烧成体12的外周面12a进行精磨,由此在2个磨削方向上进行磨削的示例,不过在利用其它方法进行精磨的情况下也能够在2个磨削方向上进行磨削。以下,利用图6对这一点进行说明。
图6是表示实施方式2涉及的圆筒形靶材2的制造方法的概要的说明图,与图5一样,相当于放大观察图3A、图4A所示的区域6中的烧成体12的外周面12a的图。对图6中与图5相同的结构标注相同的符号,并省略其说明。
如图6所示,线d1相对于直线L2具有正的角度θ1。此外,线d2相对于直线L2具有与θ1不同的正的角度θ2。
以线d1和线d2为刻痕d的磨削方向上的精磨是,例如能够通过使每个行程的移动速度改变地执行使砂轮5a前进移动的纵向磨削来实现。在图6的情况下,线d1和d2交叉的角度θ3与图5的情况一样,能够表示为θ3=|θ1-θ2|。以下,也将该角度θ3称为“刻痕d的交叉角度θ3”,或者简称为“交叉角度θ3”。
这样,在实施方式涉及的圆筒形靶材2的制造方法中,通过在2个磨削方向上进行外周面12a的精磨,能够抑制在圆筒形靶1制作时产生裂纹。
最后,对端面加工工序进行说明。端面加工工序是对端面进行加工来制作规定长度的圆筒形靶材2的工序。端面加工例如可以通过切断来进行,也可以通过切削或磨削来进行。此外,也可以将切断或切削与磨削组合,对加工方法没有限制。
另外,在上述的实施方式中,对在2个磨削方向上对烧成体12的外周面12a进行精磨的示例进行了说明,不过也可以在2个以上的磨削方向上进行精磨。在这种情况下,可以将其交叉角为最大的2个刻痕d所构成的角规定为与图5及图6中说明的线d1与d2交叉的角度θ3相当的、磨削方向所构成的角。
此外,在上述的实施方式中,说明了对烧成体12的外周面12a进行精磨的示例,不过也可以替代成对内周面12b进行精磨,或者也可以对外周面12a和内周面12b双方都进行精磨。由于即使进行溅射内周面12b侧也不会消耗,所以被认为对圆筒形靶材2或圆筒形靶1的尤其是长期的机械强度是有贡献的。另外,除了使用砂轮6a来替代图2B所示的砂轮5a以外,内周面12b的精磨能够由与外周面12a的精磨相同的方法来进行,因此省略详细的说明。
此外,在上述的实施方式中说明的是在精磨中以固定的速度使砂轮5a移动的示例,不过也可以在途中改变速度。
此外,在上述实施方式中说明的是通过纵向磨削进行精磨的示例,不过也可以组合切入磨削。但是,即使是应用切入磨削的情况下,也优选在精磨工序中包含纵向磨削。
接着,利用图7对实施方式涉及的制造圆筒形靶材2的方法进行详细说明。图7是表示实施方式涉及的制造圆筒形溅射靶用靶材2的处理步骤的流程图。
如图7所示,首先,对靶材12的外周面12a进行磨削(步骤S11),接着,对靶材12的内周面12b进行磨削(步骤S12)。作为靶材12,能够使用陶瓷制的烧成体。
接着,对靶材12的内周面12b进行精磨(步骤S13),接着,对靶材12的外周面12a进行精磨(步骤S14)。最后,对靶材12的端面进行端面加工(步骤S15)。
通过以上各工序,实施方式涉及的一系列的圆筒形靶材2的制造完成。另外,步骤S11和步骤S12可以调换顺序。此外,步骤S13和步骤S14可以调换顺序。而且,步骤S13也可以包含在步骤S12中,同样,步骤S14也可以包含在步骤S11中。
实施例
实施例1
ITO圆筒形靶。内周面、外周面均实施纵向往复精磨
调配由BET(Brunauer-Emmett-Teller)法测量出的比表面积(BET比表面积)为5m2/g的SnO2粉末10质量%和BET比表面积为5m2/g的In2O3粉末90质量%,并利用氧化锆球在罐中进行球磨混合,由此调制出原料粉末。
在该罐中,对于上述原料粉末100质量份,分别添加0.3质量份的聚乙烯醇、0.2质量份的聚羧酸铵、0.5质量份的聚乙二醇和50质量份的水,并进行球磨混合调制出浆料。接着,将该浆料供给到喷雾干燥装置,在雾化转速为14,000rpm、入口温度为200℃、出口温度为80℃的条件下进行喷雾干燥,由此调制出颗粒体。
向具有外径为150mm的圆柱状型芯(芯棒)的内径为220mm(壁厚为10mm)、长度为450mm的圆筒形状的聚氨酯橡胶模中,一边振荡一边填充该颗粒体,将橡胶模密闭后,在800kgf/cm2的压力下进行CIP(Cold Isostatic Pressing,冷等静压)成型,制作出大致圆筒形的成型体。
在600℃下将该成型体加热10个小时来除去有机成分。升温速度在400℃以下的温度范围内为20℃/h,在高于400℃的温度范围内为50℃/h。对加热后的成型体进一步进行烧制,由此制作出烧成体12。烧制是在氧气环境中,在烧成温度为1550℃、烧成时间为12个小时、升温速度为300℃/h的条件下进行。此外,降温速度在1550℃至800℃的范围内为50℃/h,在800℃以下为30℃/h。
接着,对得到的烧成体12进行磨削加工。首先,通过切入磨削将外周面12a加工至烧成体12的外径为153.2mm,然后通过切入磨削将内周面12b加工至烧成体12的内径为134.8mm。
接着,通过纵向磨削进行烧成体12的内周面12b的精磨。砂轮6a使用以陶瓷(vitrified)作为结合剂的、磨粒粒度为#170的砂轮。对于使砂轮6a在前进方向上从端部e1移动至端部e2的1个行程,将砂轮6a的切入量设为0.01mm、砂轮6a在圆筒轴方向(前进方向)上的移动速度设为300mm/min、烧成体12的转速设为70rpm,来进行精磨。
接着,对于使砂轮6a在后退方向上从端部e2移动至端部e1的1个行程,将砂轮6a的切入量设为0.01mm、砂轮6a在圆筒轴方向(后退方向)上的移动速度设为300mm/min、烧成体12的转速设为70rpm,来进行精磨。
反复交替地使砂轮6a在前进方向和后退方向上移动的上述纵向磨削各进行1个行程直至烧成体12的内径达到135mm之后,以切入量为0的方式使砂轮6a在前进方向和后退方向上移动的光磨进行2个行程(即1个往复)。
接着,通过纵向磨削进行烧成体12的外周面12a的精磨。砂轮5a使用以陶瓷作为结合剂的、磨粒粒度为#600的砂轮。对于使砂轮5a在前进方向上从端部e1移动至端部e2的1个行程,将砂轮5a的切入量设为0.002mm、砂轮5a在前进方向上的移动速度设为150mm/min、烧成体12的转速设为20rpm,来进行精磨。
接着,对于使砂轮5a在后退方向上从端部e2移动至端部e1的1个行程,将砂轮5a的切入量设为0.002mm、砂轮5a在圆筒轴方向上的移动速度设为150mm/min、烧成体12的转速设为20rpm,来进行精磨。
反复交替地使砂轮5a在前进方向和后退方向上移动的纵向磨削各进行1个行程直至烧成体12的外径达到153mm之后,以切入量为0的方式使砂轮5a在圆筒轴方向上移动的光磨进行2个行程。最后,将烧成体12的两端切断,将长度加工成300mm,由此制造出外径为153mm、内径为135mm、长度为300mm的圆筒形靶材2。
准备9个上述的圆筒形靶材2,使用In焊料作为接合材料4将9个圆筒形靶材2分别接合在外径为133mm、内径为123mm、长度为3200mm的钛制衬管3上,由此制作出圆筒形靶1。各靶材2之间的间隔(分割部的长度)为0.5mm。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有分别在正方向和负方向上各1个方向的刻痕d。2个刻痕d的交叉角度θ3可基于砂轮的移动速度、烧成体12的转速、圆筒形靶材2的尺寸来算出。以内周面12b的正方向为例在烧成体12旋转1圈的期间内砂轮6a前进4.3mm。由于圆筒形靶材2的内周面12b的内径为135mm,所以基于底边为135mm、高度为4.3mm的直角三角形,能够计算出刻痕d的正方向的角度为θ1=1.8°。同样,计算出另一个角度为θ2=-1.8°。将上述结果应用于上述交叉角度θ3的计算式|θ1-θ2|,得到交叉角度为θ3=3.6°。以下,交叉角度θ3的计算方法都相同。此外,对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合的9个圆筒形靶材2进行评价,均确认没有裂纹。其结果示出在表1中。
实施例2
IGZO圆筒形靶。内周面、外周面均实施纵向往复精磨
调配BET比表面积为4m2/g的ZnO粉末44.2质量%、BET比表面积为7m2/g的In2O3粉末25.9质量%、和BET比表面积为10m2/g的GA2O3粉末29.9质量%,并在罐中利用氧化锆球进行球磨混合,由此调制出原料粉末。
在该罐中,对于上述原料粉末100质量份,分别添加0.3质量份的聚乙烯醇、0.4质量份的聚羧酸铵、1.0质量份的聚乙二醇和50质量份的水,并进行球磨混合调制出浆料。
接着,用与实施例1相同的方法进行颗粒体的调制、成型体的制作、以及从成型体中除去有机成分。进而,在烧成温度为1400℃、烧成时间为10小时、升温速度为300℃/h、降温速度为50℃/h的条件下进行成型体的烧制,由此制作出烧成体12。
然后,与实施例1同样地对得到的烧成体12进行磨削和切断来制造圆筒形靶材2、并且进行圆筒形靶材2与衬管3的接合,由此制作出圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有分别在正方向和负方向上各1个方向的刻痕d。与实施例1一样基于θ3=|θ1-θ2|来计算交叉角度θ3。此外,对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,均确认没有裂纹。其结果示出在表1中。
实施例3
AZO圆筒形靶。内周面、外周面均实施纵向往复精磨
调配BET比表面积为4m2/g的ZnO粉末95质量%、和BET比表面积为5m2/g的Al2O3粉末5质量%,并利用氧化锆球在罐中进行球磨混合,由此调制出陶瓷原料粉末。
在该罐中,对于上述原料粉末100质量份,分别添加0.3质量份的聚乙烯醇、0.4质量份的聚羧酸铵、1.0质量份的聚乙二醇和50质量份的水,并进行球磨混合调制出浆料。
接着,用与实施例1相同的方法进行颗粒体的调制、成型体的制作、以及从成型体中除去有机成分。进而,在烧成温度为1400℃、烧成时间为10小时、升温速度为300℃/h、降温速度为50℃/h的条件下进行成型体的烧制,由此制作出烧成体12。
然后,与实施例1同样地对得到的烧成体12进行磨削和切断加工来制造圆筒形靶材2、并且进行圆筒形靶材2与衬管3的接合,由此制作出圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有分别在正方向和负方向上各1个方向的刻痕d。与实施例1一样基于θ3=|θ1-θ2|来计算交叉角度θ3。此外,对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,均确认没有裂纹。其结果示出在表1中。
实施例4
变更实施例1的交叉角度
对与实施例1同样得到的烧成体12(ITO)进行加工,制造出外径为153mm、内径为135mm、长度为300mm的圆筒形靶材2。首先,通过切入磨削将外径加工至153.2mm,然后通过切入磨削将内径加工至134.8mm。
接着,通过纵向磨削进行烧成体12的内周面12b的精磨。砂轮6a使用以陶瓷作为结合剂的、磨粒粒度为#170的砂轮。对于使砂轮6a在前进方向上移动的1个行程,将砂轮6a的切入量设为0.01mm、砂轮6a在前进方向上的移动速度设为70mm/min、烧成体12的转速设为150rpm,来进行精磨。
接着,对于使砂轮6a在后退方向上移动的1个行程,将砂轮6a的切入量设为0.01mm、砂轮6a在后退方向上的移动速度设为70mm/min、烧成体12的转速设为150rpm,来进行精磨。
反复交替地使砂轮6a在前进方向和后退方向上移动的上述纵向磨削各进行1个行程直至烧成体12的内径达到135mm之后,将光磨进行2个行程。
接着,通过纵向磨削进行烧成体12的外周面12a的精磨。砂轮5a使用以陶瓷作为结合剂的、磨粒粒度为#600的砂轮。对于使砂轮5a在前进方向上移动的1个行程,将砂轮5a的切入量设为0.002mm、砂轮5a在前进方向上的移动速度设为50mm/min、烧成体12的转速设为100rpm,来进行精磨。
接着,对于使砂轮5a在后退方向上移动的1个行程,将砂轮5a的切入量设为0.002mm、砂轮5a在后退方向上的移动速度设为50mm/min、烧成体12的转速设为100rpm,来进行精磨。
反复交替地使砂轮5a在前进方向和后退方向上移动的纵向磨削各进行1个行程直至烧成体12的外径达到153mm之后,将光磨进行2个行程。最后,将烧成体12的两端切断,将长度加工成300mm,由此制造出外径为153mm、内径为135mm、长度为300mm的圆筒形靶材2。
然后,与实施例1同样地进行圆筒形靶材2与衬管3的接合,由此制作出圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有分别在正方向和负方向上各1个方向的刻痕d。与实施例1一样基于θ3=|θ1-θ2|来计算交叉角度θ3。此外,对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,均确认没有裂纹。其结果示出在表1中。
实施例5
变更实施例2的交叉角度
使用与实施例2同样得到的烧成体12(IGZO),除此之外与实施例4同样地制作出圆筒形靶材2和圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有分别在正方向和负方向上各1个方向的刻痕d。对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的交叉角度θ3和表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,均确认没有裂纹。其结果示出在表1中。
实施例6
变更实施例3的交叉角度
使用与实施例3同样得到的烧成体12(AZO),除此之外与实施例4同样地制作出圆筒形靶材2和圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有分别在正方向和负方向上各1个方向的刻痕d。与实施例1一样基于θ3=|θ1-θ2|来计算交叉角度θ3。此外,对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,均确认没有裂纹。其结果示出在表1中。
实施例7
内周面、外周面均实施改变砂轮的移动速度的单向纵向精磨
对与实施例1同样得到的烧成体12(ITO)进行加工,制造出外径为153mm、内径为135mm、长度为300mm的圆筒形靶材2。首先,通过切入磨削将外径加工至153.2mm,然后通过切入磨削将内径加工至134.8mm。
接着,通过纵向磨削进行烧成体12的内周面12b的精磨。砂轮6a使用以陶瓷作为结合剂的、磨粒粒度为#170的砂轮。对于使砂轮6a在前进方向上移动的1个行程,将砂轮6a的切入量设为0.01mm、砂轮6a在前进方向上的移动速度设为400mm/min、烧成体12的转速设为70rpm,来进行精磨。
接着,对于使砂轮6a在前进方向上移动的1个行程,将砂轮6a的切入量设为0.01mm、砂轮6a在前进方向上的移动速度设为200mm/min、烧成体12的转速设为70rpm,来进行精磨。
反复交替地使砂轮6a在前进方向上的移动速度变更的上述纵向磨削各进行1个行程直至烧成体12的内径达到135mm之后,以切入量为0的方式使砂轮6a在前进方向和后退方向上移动的光磨进行2个行程。
接着,通过纵向磨削进行烧成体12的外周面12a的精磨。砂轮5a使用以陶瓷作为结合剂的、磨粒粒度为#600的砂轮。对于使砂轮5a在前进方向上移动的1个行程、将砂轮5a的切入量设为0.002mm、砂轮5a在前进方向上的移动速度设为300mm/min、烧成体12的转速设为20rpm,来进行精磨。
接着,对于使砂轮5a在前进方向上移动的1个行程,将砂轮5a的切入量设为0.002mm、砂轮5a在前进方向上的移动速度设为150mm/min、烧成体12的转速设为200rpm,来进行精磨。
反复交替地使砂轮5a在前进方向上的移动速度变更的上述纵向磨削各进行1个行程直至烧成体12的外径达到153mm之后,将光磨进行1个行程。最后,将烧成体12的两端切断,将长度加工成300mm,由此制造出外径为153mm、内径为135mm、长度为300mm的圆筒形靶材2。
然后,与实施例1同样地进行圆筒形靶材2与衬管3的接合,由此制作出圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有在正方向上2个方向的刻痕d。与实施例1一样基于θ3=|θ1-θ2|来计算交叉角度θ3。此外,对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,均确认没有裂纹。其结果示出在表1中。
实施例8
内周面、外周面均实施改变砂轮的移动速度的单向纵向精磨
使用与实施例2同样得到的烧成体12(IGZO),除此之外与实施例7同样地制作出圆筒形靶材2和圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有在正方向上2个方向的刻痕d。与实施例1一样基于θ3=|θ1-θ2|来计算交叉角度θ3。此外,对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,均确认没有裂纹。其结果示出在表1中。
实施例9
内周面、外周面均实施改变砂轮的移动速度的单向纵向精磨
使用与实施例3同样得到的烧成体12(AZO),除此之外与实施例7同样地制作出圆筒形靶材2和圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有在正方向上2个方向的刻痕d。与实施例1一样基于θ3=|θ1-θ2|来计算交叉角度θ3。此外,对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,均确认没有裂纹。其结果示出在表1中。
实施例10
变更实施例1的交叉角度
对与实施例1同样得到的烧成体12(ITO)进行加工,制造出外径为153mm、内径为135mm、长度为300mm的圆筒形靶材2。首先,通过切入磨削将外径加工至153.2mm,然后通过切入磨削将内径加工至134.8mm。
接着,通过纵向磨削进行烧成体12的内周面12b的精磨。砂轮6a使用以陶瓷作为结合剂的、磨粒粒度为#170的砂轮。对于使砂轮6a在前进方向上移动的1个行程,将砂轮6a的切入量设为0.01mm、砂轮6a在前进方向上的移动速度设为50mm/min、烧成体12的转速设为150rpm,来进行精磨。
接着,对于使砂轮6a在后退方向上移动的1个行程,将砂轮6a的切入量设为0.01mm、砂轮6a在后退方向上的移动速度设为50mm/min、烧成体12的转速设为150rpm,来进行精磨。
反复交替地使砂轮6a在前进方向和后退方向上移动的上述纵向磨削各进行1个行程直至烧成体12的内径达到135mm之后,将光磨进行2个行程。
接着,通过纵向磨削进行烧成体12的外周面12a的精磨。砂轮5a使用以陶瓷作为结合剂的、磨粒粒度为#600的砂轮。对于使砂轮5a在前进方向上移动的1个行程,将砂轮5a的切入量设为0.002mm、砂轮5a在前进方向上的移动速度设为30mm/min、烧成体12的转速设为100rpm,来进行精磨。
接着,对于使砂轮5a在后退方向上移动的1个行程,将砂轮5a的切入量设为0.002mm、砂轮5a在后退方向上的移动速度设为30mm/min、烧成体12的转速设为100rpm,来进行精磨。
反复交替地使砂轮5a在前进方向和后退方向上移动的纵向磨削各进行1个行程直至烧成体12的外径达到153mm之后,将光磨进行1个行程。最后,将烧成体12的两端切断,将长度加工成300mm,由此制造出外径为153mm、内径为135mm、长度为300mm的圆筒形靶材2。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有分别在正方向和负方向上各1个方向的刻痕d。与实施例1一样基于θ3=|θ1-θ2|来计算交叉角度θ3。此外,对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,确认到其中1个有裂纹。其结果示出在表1中。
实施例11
变更实施例2的交叉角度
使用与实施例2同样得到的烧成体12(IGZO),除此之外与实施例10同样地制作出圆筒形靶材2和圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有分别在正方向和负方向上各1个方向的刻痕d。与实施例1一样基于θ3=|θ1-θ2|来计算交叉角度θ3。此外,对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,确认到其中1个有裂纹。其结果示出在表1中。
实施例12
变更实施例3的交叉角度
使用与实施例3同样得到的烧成体12(AZO),除此之外与实施例10同样地制作出圆筒形靶材2和圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有分别在正方向和负方向上各1个方向的刻痕d。与实施例1一样基于θ3=|θ1-θ2|来计算交叉角度θ3。此外,对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,确认到其中2个有裂纹。其结果示出在表1中。
实施例13
变更实施例7的交叉角度
对与实施例1同样得到的烧成体12(ITO)进行加工,制造出外径为153mm、内径为135mm、长度为300mm的圆筒形靶材2。首先,通过切入磨削将外径加工至153.2mm,然后通过切入磨削将内径加工至134.8mm。
接着,通过纵向磨削进行烧成体12的内周面12b的精磨。砂轮6a使用以陶瓷作为结合剂的、磨粒粒度为#170的砂轮。对于使砂轮6a在前进方向上移动的1个行程,将砂轮6a的切入量设为0.01mm、砂轮6a在前进方向上的移动速度设为300mm/min、烧成体12的转速设为70rpm,来进行精磨。
接着,对于使砂轮6a在前进方向上移动的1个行程,将砂轮6a的切入量设为0.01mm、砂轮6a在前进方向上的移动速度设为330mm/min、烧成体12的转速设为70rpm,来进行精磨。
反复交替地使砂轮6a在前进方向上的移动速度变更的上述纵向磨削各进行1个行程直至烧成体12的内径达到135mm之后,以切入量为0的方式使砂轮6a在前进方向和后退方向上移动的光磨进行2个行程。接着,通过纵向磨削进行烧成体12的外周面12a的精磨。砂轮5a使用以陶瓷作为结合剂的、磨粒粒度为#600的砂轮。对于使砂轮5a在前进方向上移动的1个行程,将砂轮5a的切入量设为0.002mm、砂轮5a在前进方向上的移动速度设为150mm/min、烧成体12的转速设为20rpm,来进行精磨。
接着,对于使砂轮5a在前进方向上移动的1个行程,将砂轮5a的切入量设为0.002mm、砂轮5a在前进方向上的移动速度设为165mm/min、烧成体12的转速设为20rpm,来进行精磨。
反复交替地使砂轮5a在前进方向上的移动速度变更的上述纵向磨削各进行1个行程直至烧成体12的外径达到153mm之后,将光磨进行1个行程。最后,将烧成体12的两端切断,将长度加工成300mm,制造出外径为153mm、内径为135mm、长度为300mm的圆筒形靶材2。
然后,与实施例1同样地进行圆筒形靶材2与衬管3的接合,由此制作出圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有在正方向上2个方向的刻痕d。与实施例1一样基于θ3=|θ1-θ2|来计算交叉角度θ3。此外,对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,确认到其中2个有裂纹。其结果示出在表1中。
实施例14
变更实施例8的交叉角度
使用与实施例2同样得到的烧成体12(IGZO),除此之外与实施例13同样地制作出圆筒形靶材2和圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有在正方向上2个方向的刻痕d。与实施例1一样基于θ3=|θ1-θ2|来计算交叉角度θ3。此外,对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,确认到其中1个有裂纹。其结果示出在表1中。
实施例15
变更实施例9的交叉角度
使用与实施例3同样得到的烧成体12(AZO),除此之外与实施例13同样地制作出圆筒形靶材2和圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有在正方向上2个方向的刻痕d。与实施例1一样基于θ3=|θ1-θ2|来计算交叉角度θ3。此外,对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,确认到其中1个有裂纹。其结果示出在表1中。
实施例16
变更实施例1的表面粗糙度Ra
使对烧成体12(ITO)的内周面12b进行磨削的砂轮6a的磨粒粒度为#80、对外周面12a进行磨削的砂轮5a的磨粒粒度为#140,除此之外与实施例1同样地制作出圆筒形靶材2和圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有分别在正方向和负方向上各1个方向的刻痕d。与实施例1一样基于θ3=|θ1-θ2|来计算交叉角度θ3。此外,对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,确认到其中1个有裂纹。其结果示出在表1中。
实施例17
变更实施例2的表面粗糙度Ra
使用与实施例2同样得到的烧成体12(IGZO),除此之外与实施例16同样地制作出圆筒形靶材2和圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有分别在正方向和负方向上各1个方向的刻痕d。与实施例1一样基于θ3=|θ1-θ2|来计算交叉角度θ3。此外,对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,确认到其中1个有裂纹。其结果示出在表1中。
实施例18
变更实施例3的表面粗糙度Ra
使用与实施例3同样得到的烧成体12(AZO),除此之外与实施例16同样地制作出圆筒形靶材2和圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有分别在正方向和负方向上各1个方向的刻痕d。与实施例1一样基于θ3=|θ1-θ2|来计算交叉角度θ3。此外,对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,确认到其中2个有裂纹。其结果示出在表1中。
实施例19
仅对内周面实施纵向往复精磨
对与实施例1同样得到的烧成体12(ITO)进行加工,制造出外径为153mm、内径为135mm、长度为300mm的圆筒形靶材2。首先,通过切入磨削将外径加工至153.2mm,然后通过切入磨削将内径加工至134.8mm。
接着,通过纵向磨削进行烧成体12的内周面12b的精磨。砂轮6a使用以陶瓷作为结合剂的、磨粒粒度为#170的砂轮。对于使砂轮6a在前进方向上从端部e1移动至端部e2的1个行程,将砂轮6a的切入量设为0.01mm、砂轮6a在圆筒轴向(前进方向)上的移动速度设为300mm/min、烧成体12的转速设为70rpm,来进行精磨。
接着,对于使砂轮6a在后退方向上从端部e2移动至端部e1的1个行程,将砂轮6a的切入量设为0.01mm、砂轮6a在圆筒轴向(后退方向)上的移动速度设为300mm/min、烧成体12的转速设为70rpm,来进行精磨。
反复交替地使砂轮6a在前进方向和后退方向上移动的上述纵向磨削各进行1个行程直至烧成体12的内径达到135mm之后,以切入量为0的方式使砂轮6a在前进方向和后退方向上移动的光磨进行2个行程(即1个往复)。
接着,通过纵向磨削进行烧成体12的外周面12a的精磨。砂轮5a使用以陶瓷作为结合剂的、磨粒粒度为#600的砂轮。对于使砂轮5a在前进方向上移动的1个行程,将砂轮5a的切入量设为0.002mm、砂轮5a在前进方向上的移动速度设为150mm/min、烧成体12的转速设为20rpm,来进行精磨。
反复进行砂轮5a在前进方向上的移动方向和移动速度固定的上述纵向磨削,直至烧成体12的外径达到153mm之后,将光磨进行2个行程。最后,将烧成体12的两端切断,将长度加工成300mm,由此制造出外径为153mm、内径为135mm、长度为300mm的圆筒形靶材2。
然后,与实施例1同样地进行圆筒形靶材2与衬管3的接合,由此制作出圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的仅内周面12b上形成有分别在正方向和负方向上各1个方向的刻痕d。与实施例1一样基于θ3=|θ1-θ2|来计算交叉角度θ3。此外,对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,确认到其中2个有裂纹。其结果示出在表1中。
实施例20
仅对外周面实施纵向往复精磨
对与实施例1同样得到的烧成体12(ITO)进行加工,制造出外径为153mm、内径为135mm、长度为300mm的圆筒形靶材2。首先,通过切入磨削将外径加工至153.2mm,然后通过切入磨削将内径加工至134.8mm。
接着,通过纵向磨削进行烧成体12的内周面12b的精磨。砂轮6a使用以陶瓷作为结合剂的、磨粒粒度为#170的砂轮。对于使砂轮6a在前进方向上移动的1个行程,将砂轮6a的切入量设为0.01mm、砂轮6a在前进方向上的移动速度设为300mm/min、烧成体12的转速设为70rpm,来进行精磨。
反复进行砂轮6a在前进方向上的移动方向和移动速度固定的上述纵向磨削,直至烧成体12的内径达到135mm之后,将光磨进行2个行程。
接着,通过纵向磨削进行烧成体12的外周面12a的精磨。砂轮5a使用以陶瓷作为结合剂的、磨粒粒度为#600的砂轮。对于使砂轮5a在前进方向上移动的1个行程,将砂轮5a的切入量设为0.002mm、砂轮5a在前进方向上的移动速度设为150mm/min、烧成体12的转速设为20rpm,来进行精磨。
接着,对于使砂轮5a在后退方向上移动的1个行程,将砂轮5a的切入量设为0.002mm、砂轮5a在后退方向上的移动速度设为150mm/min、烧成体12的转速设为20rpm,来进行精磨。
反复交替地使砂轮5a在前进方向和后退方向上移动的上述纵向磨削各进行1个行程直至烧成体12的外径达到153mm之后,将光磨进行2个行程。最后,将烧成体12的两端切断,将长度加工成300mm,由此制造出外径为153mm、内径为135mm、长度为300mm的圆筒形靶材2。
然后,与实施例1同样地进行圆筒形靶材2与衬管3的接合,由此制作出圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的仅外周面12a上形成有分别在正方向和负方向上各1个方向的刻痕d。与实施例1一样基于θ3=|θ1-θ2|来计算交叉角度θ3。此外,对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,确认到其中2个有裂纹。其结果示出在表1中。
实施例21
内周面、外周面均实施改变砂轮的移动速度的纵向磨削
对与实施例1同样得到的烧成体12(ITO)进行加工,制造出外径为153mm、内径为135mm、长度为300mm的圆筒形靶材2。首先,通过切入磨削将外径加工至153.2mm,然后通过切入磨削将内径加工至134.8mm。
接着,通过纵向磨削进行烧成体12的内周面12b的精磨。砂轮6a使用以陶瓷作为结合剂的、磨粒粒度为#170的砂轮。对于使砂轮6a在前进方向上从端部e1移动至端部e2的1个行程,将砂轮6a的切入量设为0.01mm、砂轮6a在圆筒轴向(前进方向)上的移动速度设为300mm/min、烧成体12的转速设为70rpm,来进行精磨。
接着,对于使砂轮6a在后退方向上从端部e2移动至端部e1的1个行程,将砂轮6a的切入量设为0.01mm、砂轮6a在圆筒轴向(后退方向)上的移动速度设为300mm/min、烧成体12的转速设为70rpm,来进行精磨。
接着,对于使砂轮6a在前进方向上从端部e1移动至端部e2的1个行程,将砂轮6a的切入量设为0.01mm、砂轮6a在圆筒轴向(前进方向)上的移动速度设为70mm/min、烧成体12的转速设为150rpm,来进行精磨。
进而,对于使砂轮6a在后退方向上从端部e2移动至端部e1的1个行程,将砂轮6a的切入量设为0.01mm、砂轮6a在圆筒轴向(后退方向)上的移动速度设为70mm/min、烧成体12的转速设为150rpm,来进行精磨。
反复交替地使改变砂轮6a的移动速度和烧成体12的转速并使砂轮6a在前进方向和后退方向上移动的上述纵向磨削各进行1个行程直至烧成体12的内径达到135mm之后,将光磨进行2个行程(即1个往复)。
接着,通过纵向磨削进行烧成体12的外周面12a的精磨。砂轮5a使用以陶瓷作为结合剂的、磨粒粒度为#600的砂轮。对于使砂轮5a在前进方向上移动的1个行程,将砂轮5a的切入量设为0.002mm、砂轮5a在前进方向上的移动速度设为150mm/min、烧成体12的转速设为20rpm,来进行精磨。
接着,对于使砂轮5a在后退方向上移动的1个行程,将砂轮5a的切入量设为0.002mm、砂轮5a在后退方向上的移动速度设为150mm/min、烧成体12的转速设为20rpm,来进行精磨。
接着,对于使砂轮5a在前进方向上移动的1个行程,将砂轮5a的切入量设为0.002mm、砂轮5a在后退方向上的移动速度设为50mm/min、烧成体12的转速设为100rpm,来进行精磨。
进而,对于使砂轮5a在后退方向上移动的1个行程,将砂轮5a的切入量设为0.002mm、砂轮5a在后退方向上的移动速度设为50mm/min、烧成体12的转速设为100rpm,来进行精磨。
反复交替地使改变砂轮5a的移动速度和烧成体12的转速并使砂轮5a在前进方向和后退方向上移动的上述纵向磨削各进行1个行程直至烧成体12的外径达到153mm之后,将光磨进行2个行程。最后,将烧成体12的两端切断,将长度加工成300mm,由此制造出外径为153mm、内径为135mm、长度为300mm的圆筒形靶材2。
然后,与实施例1同样地进行圆筒形靶材2与衬管3的接合,由此制作出圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有分别在正方向和负方向上各2个方向的刻痕d。与实施例1一样基于θ3=|θ1-θ2|来计算交叉角度θ3。此外,对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,均确认到没有裂纹。其结果示出在表1中。
比较例1
通过切入磨削进行精磨
对与实施例1同样得到的烧成体12(ITO)进行加工,制造出外径为153mm、内径为135mm、长度为300mm的圆筒形靶材2。首先,通过切入磨削将外径加工至153.2mm,然后通过切入磨削将内径加工至134.8mm。
接着,通过切入磨削进行烧成体12的内周面12b的精磨。砂轮6a使用以陶瓷作为结合剂的、磨粒粒度为#170的砂轮。将砂轮6a的切入速度设为0.03mm/min、烧成体12的转速设为70rpm,来进行精磨直至烧成体12的内径达到135mm之后,以切入量为0的磨削进行5秒钟。
接着,通过切入磨削进行烧成体12的外周面12a的精磨。砂轮5a使用以陶瓷作为结合剂的、磨粒粒度为#600的砂轮。将砂轮5a的切入速度设为0.04mm/min、烧成体12的转速设为20rpm,来进行精磨直至烧成体12的外径达到153mm之后,以切入量为0的磨削进行5秒钟。最后,切断烧成体12的两端,将长度加工成300mm,由此制造出外径为153mm、内径为135mm、长度为300mm的圆筒形靶材2。
然后,与实施例1同样地进行圆筒形靶材2与衬管3的接合,由此制作出圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有与直线L2同方向的刻痕d。对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,确认到其中4个有裂纹。其结果示出在表1中。
比较例2
通过切入磨削进行精磨
使用与实施例2同样得到的烧成体12(IGZO),除此之外与比较例1同样地制作出圆筒形靶材2和圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有与直线L2同方向的刻痕d。对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,确认到其中4个有裂纹。其结果示出在表1中。
比较例3
通过切入磨削进行精磨
使用与实施例3同样得到的烧成体12(AZO),除此之外与比较例1同样地制作出圆筒形靶材2和圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有与直线L2同方向的刻痕d。对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,确认到其中5个有裂纹。其结果示出在表1中。
比较例4
内周面、外周面均实施单向纵向精磨
对与实施例1同样得到的烧成体12(ITO)进行加工,制造出外径为153mm、内径为135mm、长度为300mm的圆筒形靶材2。首先,通过切入磨削将外径加工至153.2mm,然后通过切入磨削将内径加工至134.8mm。
接着,通过纵向磨削进行烧成体12的内周面12b的精磨。砂轮6a使用以陶瓷作为结合剂的、磨粒粒度为#170的砂轮。对于使砂轮6a在前进方向上移动的1个行程,将砂轮6a的切入量设为0.01mm、砂轮6a在前进方向上的移动速度设为300mm/min、烧成体12的转速设为70rpm,来进行精磨。
反复进行砂轮6a在前进方向上的移动方向和速度固定的上述纵向磨削直至烧成体12的内径达到135mm之后,将光磨进行2个行程。
接着,通过纵向磨削进行烧成体12的外周面12a的精磨。砂轮5a使用以陶瓷作为结合剂的、磨粒粒度为#600的砂轮。对于使砂轮5a在前进方向上移动的1个行程,将砂轮5a的切入量设为0.002mm、砂轮5a在前进方向上的移动速度设为150mm/min、烧成体12的转速设为20rpm,来进行精磨。
反复进行砂轮5a在前进方向上的移动方向和速度固定的上述纵向磨削直至烧成体12的外径达到153mm之后,将光磨进行2个行程。最后,将烧成体12的两端切断,将长度加工成300mm,由此制造出外径为153mm、内径为135mm、长度为300mm的圆筒形靶材2。
然后,与实施例1同样地进行圆筒形靶材2与衬管3的接合,由此制作出圆筒形靶1。
这样得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有在正方向上1个方向的刻痕d。对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,确认到其中4个有裂纹。其结果示出在表1中。
比较例5
内周面、外周面均实施单向纵向精磨
使用与实施例2同样得到的烧成体12(IGZO),除此之外与比较例4同样地制作出圆筒形靶材2和圆筒形靶1。
在得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有在正方向上1个方向的刻痕d。对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,确认到其中3个有裂纹。其结果示出在表1中。
比较例6
内周面、外周面均实施单向纵向精磨
使用与实施例3同样得到的烧成体12(AZO),除此之外与比较例4同样地制作出圆筒形靶材2和圆筒形靶1。
在得到的圆筒形靶材2的内周面12b和外周面12a上,均形成有在正方向上1个方向的刻痕d。对9个圆筒形靶材2,测量内周面12b和外周面12a的表面粗糙度Ra,并分别计算其平均值。此外,通过目视对接合后的9个圆筒形靶材2进行评价,确认到其中5个有裂纹。其结果示出在表1中。
表1
本领域技术人员能够容易地导出其它效果和变形例。因此,本发明的更广泛的形态不局限于以上所述的特定的详细内容以及代表性的实施方式。因此,不脱离附带的权利要求书的范围及其等同物所定义的概括的发明的概念的主旨或范围内,能够进行各种变更。
符号说明
1 圆筒形溅射靶(圆筒形靶)
2 圆筒形溅射靶用靶材(圆筒形靶材)
3 衬管
4 接合材料
5a、6a 砂轮
5b、6b 轴
6 区域
12 烧成体(靶材)
12a 外周面
12b 内周面
Claims (7)
1.一种圆筒形溅射靶用靶材的制造方法,其特征在于,包括:
外周面磨削工序,对陶瓷制的溅射靶材的外周面进行磨削;
内周面磨削工序,对所述溅射靶材的内周面进行磨削;以及
精磨工序,在所述外周面磨削工序和所述内周面磨削工序中的至少一个工序中,以2个以上的磨削方向进行磨削,
在所述精磨工序中,对所述溅射靶材进行磨削的所述2个以上的磨削方向以0.3°以上6°以下的角度交叉,
所述精磨工序后的表面粗糙度Ra为1.5μm以下。
2.根据权利要求1所述的圆筒形溅射靶用靶材的制造方法,其特征在于:
规定了以与圆筒轴平行的直线(L1)为横轴、以穿过所述直线(L1)与刻痕(d)的交点(P)且与所述直线(L1)垂直的直线(L2)为纵轴的平面时,在所述精磨工序中,对所述溅射靶材进行磨削的所述2个以上的磨削方向具有相对于所述直线(L2)为正和负的两种角度。
3.根据权利要求1所述的圆筒形溅射靶用靶材的制造方法,其特征在于:
规定了以与圆筒轴平行的直线(L1)为横轴、以穿过所述直线(L1)与刻痕(d)的交点(P)且与所述直线(L1)垂直的直线(L2)为纵轴的平面时,在所述精磨工序中,对所述溅射靶材进行磨削的所述2个以上的磨削方向仅具有相对于所述直线(L2)为正和负的角度中的任一种。
4.根据权利要求1所述的圆筒形溅射靶用靶材的制造方法,其特征在于:
所述精磨工序包括纵向磨削,
使所述溅射靶材或者对所述溅射靶材进行磨削的砂轮在与圆筒轴平行的方向上前进后退移动,在所述前进后退移动这两个方向上进行所述溅射靶材的所述精磨。
5.根据权利要求1所述的圆筒形溅射靶用靶材的制造方法,其特征在于:
包括一边使所述溅射靶材和对所述溅射靶材进行磨削的砂轮中的至少一方以2种以上的速度移动一边通过纵向磨削进行精磨的工序。
6.根据权利要求1所述的圆筒形溅射靶用靶材的制造方法,其特征在于:
所述外周面磨削工序和所述内周面磨削工序均包括以2个以上的磨削方向进行磨削的所述精磨工序。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的圆筒形溅射靶用靶材的制造方法,其特征在于:
所述溅射靶材为ITO、IGZO或AZO。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014-169808 | 2014-08-22 | ||
JP2014169808 | 2014-08-22 | ||
PCT/JP2015/070427 WO2016027599A1 (ja) | 2014-08-22 | 2015-07-16 | 円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法および円筒形スパッタリングターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105683408A CN105683408A (zh) | 2016-06-15 |
CN105683408B true CN105683408B (zh) | 2017-07-28 |
Family
ID=55350547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201580002336.4A Active CN105683408B (zh) | 2014-08-22 | 2015-07-16 | 圆筒形溅射靶用靶材的制造方法和圆筒形溅射靶 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5941232B1 (zh) |
KR (1) | KR20160074577A (zh) |
CN (1) | CN105683408B (zh) |
TW (1) | TWI558504B (zh) |
WO (1) | WO2016027599A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5909006B1 (ja) | 2015-03-23 | 2016-04-26 | Jx金属株式会社 | 円筒型スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP6376101B2 (ja) * | 2015-10-27 | 2018-08-22 | 住友金属鉱山株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
TWI607107B (zh) * | 2016-09-20 | 2017-12-01 | Linco Technology Co Ltd | Reinforced magnetic field generator for sputter target and its cylindrical sputtering target device |
CN113275951A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-20 | 芜湖映日科技股份有限公司 | 一种ito旋转靶材表面制备工艺 |
CN113857953B (zh) * | 2021-09-13 | 2024-07-19 | 先导薄膜材料(广东)有限公司 | 一种氧化镉靶材的加工方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61284370A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Taisei Kikai Kk | ラミツクスの内面高速研削加工法 |
JP3460506B2 (ja) * | 1996-11-01 | 2003-10-27 | 三菱マテリアル株式会社 | 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット |
JP3628554B2 (ja) * | 1999-07-15 | 2005-03-16 | 株式会社日鉱マテリアルズ | スパッタリングターゲット |
JP2001131737A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-05-15 | Nikko Materials Co Ltd | スパッタリングターゲット及びその研削方法 |
JP2002322560A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP4270971B2 (ja) * | 2003-07-24 | 2009-06-03 | 三井金属鉱業株式会社 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
EP1666630A4 (en) * | 2003-09-12 | 2012-06-27 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | SPUTTERTARGET AND METHOD FOR FINISHING THE SURFACE OF SUCH A TARGET |
JP4961672B2 (ja) | 2004-03-05 | 2012-06-27 | 東ソー株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲット並びにセラミックス焼結体及びその製造方法 |
CN100440326C (zh) * | 2004-03-31 | 2008-12-03 | Hoya株式会社 | 磁盘用玻璃基板以及磁盘 |
JP2007231392A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Tosoh Corp | 酸化物焼結体よりなるスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
TW200825194A (en) * | 2006-12-15 | 2008-06-16 | Solar Applied Mat Tech Corp | Sputtering target, surface treatment, and film thereof |
JP5467735B2 (ja) * | 2007-07-02 | 2014-04-09 | 東ソー株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲット |
JP5158355B2 (ja) * | 2008-03-19 | 2013-03-06 | 東ソー株式会社 | 酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット |
WO2010070832A1 (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | 出光興産株式会社 | 複合酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット |
JP5139409B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2013-02-06 | 株式会社神戸製鋼所 | 純AlまたはAl合金スパッタリングターゲット |
TW201249600A (en) * | 2011-06-08 | 2012-12-16 | Thintech Materials Technology Co Ltd | Processing method for silicon target surface |
JP5750060B2 (ja) * | 2012-01-18 | 2015-07-15 | 三井金属鉱業株式会社 | セラミックス円筒形スパッタリングターゲット材およびその製造方法 |
-
2015
- 2015-07-16 JP JP2015562228A patent/JP5941232B1/ja active Active
- 2015-07-16 KR KR1020167013039A patent/KR20160074577A/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-07-16 CN CN201580002336.4A patent/CN105683408B/zh active Active
- 2015-07-16 WO PCT/JP2015/070427 patent/WO2016027599A1/ja active Application Filing
- 2015-08-10 TW TW104125915A patent/TWI558504B/zh active
-
2016
- 2016-05-18 JP JP2016099803A patent/JP6496681B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105683408A (zh) | 2016-06-15 |
KR20160074577A (ko) | 2016-06-28 |
TWI558504B (zh) | 2016-11-21 |
WO2016027599A1 (ja) | 2016-02-25 |
JP6496681B2 (ja) | 2019-04-03 |
JP5941232B1 (ja) | 2016-06-29 |
TW201611944A (en) | 2016-04-01 |
JP2016176148A (ja) | 2016-10-06 |
JPWO2016027599A1 (ja) | 2017-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105683408B (zh) | 圆筒形溅射靶用靶材的制造方法和圆筒形溅射靶 | |
CN101688293B (zh) | 圆筒形溅射靶 | |
CN104150882B (zh) | 一种氧化铝微珠制备方法 | |
CN107419226A (zh) | 陶瓷圆筒形溅射靶材及其制造方法 | |
CN105050770A (zh) | 粘结磨料制品 | |
KR20210152429A (ko) | 원통형 스퍼터링 타겟, 원통형 성형체, 및 원통형 스퍼터링 타겟, 원통형 소결체, 및 원통형 성형체의 제조 방법 | |
CN107253855A (zh) | Ito 溅射靶材及其制造方法 | |
JP6464666B2 (ja) | 円筒形ターゲット材とその製造方法、および、円筒形スパッタリングターゲットとその製造方法 | |
CN104385065B (zh) | 基于激光裂纹预修复的石英玻璃延性域磨削方法 | |
CN105382366A (zh) | 带气膜冷却槽的高温合金锥形薄壁构件的钎焊方法 | |
CN106965076A (zh) | 板状体的研磨方法及板状体的研磨装置 | |
CN105917022A (zh) | 溅射靶用靶材的制造方法以及爪部件 | |
TWI679085B (zh) | 玻璃板之去角方法、及玻璃板之製造方法 | |
CN107109637A (zh) | 陶瓷圆筒形靶材及圆筒形溅镀靶 | |
CN104178761B (zh) | 一种结晶辊表面锥形孔缺陷在线复原方法 | |
CN102059638A (zh) | 一种计算机控制小工具抛光方法 | |
CN107267939B (zh) | 一种旋转铬靶材及其制备方法 | |
CN207900960U (zh) | 一种用于面板修磨加工的砂轮棒 | |
CN113547389B (zh) | 一种钨合金复杂曲面零件的超精密磨削工艺 | |
CN106584296A (zh) | 非api螺纹环规电镀超硬磨料成型砂轮基体结构设计方法 | |
CN104723187B (zh) | 螺帽的加工方法 | |
EP3243601A1 (en) | Grinding wheel for grinding spiral-shaped profiles |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |