CN105425484A - 阵列基板结构及阵列基板断线修复方法 - Google Patents
阵列基板结构及阵列基板断线修复方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105425484A CN105425484A CN201510801303.8A CN201510801303A CN105425484A CN 105425484 A CN105425484 A CN 105425484A CN 201510801303 A CN201510801303 A CN 201510801303A CN 105425484 A CN105425484 A CN 105425484A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- line
- repair
- sweep trace
- repair line
- array base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 37
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 14
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H01L27/1244—
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
- G02F1/136263—Line defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种阵列基板结构及阵列基板断线修复方法，通过在数据线(41)下方设置与扫描线(21)同一层的第一修复线(22)，在扫描线(21)上方设置与数据线(41)同一层的第二修复线(42)，当出现数据线(41)或扫描线(21)断线时，能够利用激光直接将扫描线(21)断线的两端分别和位于该扫描线(21)上方的第二修复线(42)熔接或利用激光直接将数据线(41)断线的两端分别和位于该数据线(41)下方的第一修复线(22)熔接，相比于现有技术，不需要改变液晶显示面板外围电路和驱动电路即能简单便捷地修复阵列基板断线，修复成功率高，且不会提高驱动负载，保证驱动效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板结构及阵列基板断线修复方法。
背景技术
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(BacklightModule)。液晶显示面板的结构是由一彩色滤光片基板(ColorFilter，CF)、一薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)以及一配置于两基板间的液晶层(LiquidCrystalLayer)所构成，其中在阵列基板上有许多竖直和水平的细小电线。液晶显示面板的工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
请参阅图1，现有的阵列基板结构包括：多条相互平行并依次排列的竖直的数据线10、多条相互平行并依次排列的水平的扫描线20、与所述数据线10及扫描线20电性连接的多个呈阵列排式布的薄膜晶体管30、及与所述薄膜晶体管30电性连接的像素电极40。其中，所述扫描线20由第一金属层形成，所述数据线10由第二金属层形成。
所述扫描线20向薄膜晶体管30提供扫描信号，所述数据线10向薄膜晶体管30提供数据信号，以控制液晶显示面板显示画面。在阵列基板的生产过程中，由于生产工序复杂，受生产工艺或厂房环境的影响，可能出现扫描线20或数据线10断线的情况，导致在显示画面中产生黑线，严重影响画面显示质量，此时需要对断线的扫描线20或数据线10进行修复。请参阅图2和图3，图2、图3分别为图1所示现有的阵列基板结构A-A处和B-B处的剖面图，如图2所示，数据线10设于栅极绝缘层50上，栅极绝缘层50设于衬底基板70上，数据线10上还设有钝化层60，如图3所示，所述扫描线20设于基板70上，扫描线20上设有栅极绝缘层50，栅极绝缘层50上设有钝化层60。对于上述现有的阵列基板结构，当数据线10或扫描线20断裂后，只能在外围进行长线修复，外围修复后液晶显示面板的驱动负载会大大增加，因此修复后的驱动效果会明显降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板结构，能够在不改变液晶显示面板外围电路和驱动电路的前提下，便捷地修复阵列基板断线，提高修复成功率。
本发明的目的还在于提供一种阵列基板断线修复方法，该方法简单便捷，能够在不改变液晶显示面板外围电路和驱动电路的前提下修复阵列基板断线，修复成功率高。
为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板结构，包括：衬底基板、设于衬底基板上的多条扫描线与第一修复线、设于所述多条扫描线与第一修复线上的绝缘层、设于绝缘层上的多条数据线与第二修复线、及设于所述多条数据线与第二修复线上的钝化层；
所述多条扫描线相互平行并依次水平排列，所述多条数据线相互平行并依次竖直排列；
所述第一修复线位于所述数据线的下方、相邻两扫描线之间，且与所述相邻两数据线断开；所述扫描线与第一修复线均由第一金属层图案化形成；
所述第二修复线位于所述扫描线的上方、相邻两数据线之间，且与所述相邻两数据线断开；所述数据线与第二修复线均由第二金属层图案化形成。
所述多条数据线与扫描线相互绝缘交错出多个呈阵列式排布的像素单元，每一像素单元均包括一薄膜晶体管、及与所述薄膜晶体管电性连接的像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电性连接，源极与所述数据线电性连接，漏极与所述像素电极电性连接。
所述扫描线、第一修复线、数据线、及第二修复线的材料均为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或几种的堆栈组合。
所述绝缘层及钝化层的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。
所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线、第一修复线位于同一层，所述薄膜晶体管的源极、漏极与所述数据线、第二修复线位于同一层。
本发明还提供一种阵列基板断线修复方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一阵列基板；
所述阵列基板的结构包括：衬底基板、设于衬底基板上的多条扫描线与第一修复线、设于所述多条扫描线与第一修复线上的绝缘层、设于绝缘层上的多条数据线与第二修复线、及设于所述多条数据线与第二修复线上的钝化层；
所述多条扫描线相互平行并依次水平排列，所述多条数据线相互平行并依次竖直排列；
所述第一修复线位于所述数据线的下方、相邻两扫描线之间，且与所述相邻两数据线断开；所述扫描线与第一修复线均由第一金属层图案化形成；所述第二修复线位于所述扫描线的上方、相邻两数据线之间，且与所述相邻两数据线断开；所述数据线与第二修复线均由第二金属层图案化形成。
步骤2、检测所述扫描线、或数据线出现断线的位置；
步骤3、对于出现扫描线断线的位置，通过激光将扫描线断线的两端分别和位于该扫描线上方的第二修复线熔接；对于出现数据线断线的位置，通过激光将数据线断线的两端分别和位于该数据线下方的第一修复线熔接。
所述步骤1中阵列基板的多条数据线及扫描线相互绝缘交错出多个呈阵列式排布的像素单元，每一像素单元均包括一薄膜晶体管、及与所述薄膜晶体管电性连接的像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电性连接，源极与所述数据线电性连接，漏极与所述像素电极电性连接。
所述扫描线、第一修复线、数据线、及第二修复线的材料均为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或几种的堆栈组合。
所述绝缘层及钝化层的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。
所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线、第一修复线位于同一层，所述薄膜晶体管的源极、漏极与所述数据线、第二修复线位于同一层。
本发明的有益效果：本发明提供的一种阵列基板结构及阵列基板断线修复方法，通过在数据线下方设置与扫描线同一层的第一修复线，在扫描线上方设置与数据线同一层的第二修复线，当出现数据线或扫描线断线时，能够利用激光直接将扫描线断线的两端分别和位于该扫描线上方的第二修复线熔接或利用激光直接将数据线断线的两端分别和位于该数据线下方的第一修复线熔接，相比于现有技术，不需要改变液晶显示面板外围电路和驱动电路即能简单便捷地修复阵列基板断线，修复成功率高，且不会提高驱动负载，保证驱动效果。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的阵列基板结构的俯视图；
图2为图1所示现有的阵列基板结构A-A处的剖面图；
图3为图1所示现有的阵列基板结构B-B处的剖面图；
图4为本发明的阵列基板结构的俯视图；
图5为图4所示本发明的阵列基板结构C-C处的剖面图；
图6为图4所示本发明的阵列基板结构D-D处的剖面图；
图7为本发明的阵列基板结构进行断线修复的示意图暨本发明的阵列基板断线修复方法的步骤3的示意图；
图8为本发明的阵列基板断线修复方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请同时参阅图4、图5和图6，本发明首先提供一种阵列基板结构，包括：衬底基板1、设于衬底基板1上的多条扫描线21及与第一修复线22、设于所述多条扫描线21与第一修复线22上的绝缘层3、设于绝缘层3上的多条数据线41与第二修复线42、及设于所述多条数据线41与第二修复线42上的钝化层5。
所述多条扫描线21相互平行并依次水平排列，所述多条数据线41相互平行并依次竖直排列。
所述第一修复线22位于所述数据线41的下方、相邻两扫描线21之间，且与所述相邻两扫描线21断开。所述扫描线21与第一修复线22均由第一金属层图案化形成，所述第一金属层的材料为钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)中的一种或几种的堆栈组合。
所述第二修复线42位于所述扫描线21的上方、相邻两数据线41之间，且与所述相邻两数据线41断开。所述数据线41与第二修复线42均由第二金属层图案化形成，所述第二金属层的材料为Mo、Ti、Al、Cu、Ni中的一种或几种的堆栈组合。
所述多条数据线41与扫描线21相互绝缘交错出多个呈阵列式排布的像素单元8，每一像素单元8均包括一薄膜晶体管81、及与所述薄膜晶体管81电性连接的像素电极82，所述薄膜晶体管81的栅极与所述扫描线21电性连接，源极与所述数据线41电性连接，漏极与所述像素电极82电性连接。
具体地，所述衬底基板1为透明基板，优选玻璃基板。所述薄膜晶体管81的栅极与所述扫描线21、及第一修复线22位于同一层，所述薄膜晶体管81的源极、漏极与所述数据线41、及第二修复线42位于同一层。所述像素电极82的材料为氧化铟锡(IndiumTinOxide，ITO)，所述像素电极82设于所述钝化层5上，并通过贯穿所述钝化层5的过孔与所述薄膜晶体管81的漏极形成电性连接。所述绝缘层3及钝化层5的材料为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、或二者的组合。
特别地，如图7所示，当出现数据线或扫描线断线时，本发明的阵列基板结构能够通过激光直接将扫描线21断线的两端分别和位于该扫描线21上方的第二修复线42熔接或通过激光直接将数据线41断线的两端分别和位于该数据线41下方的第一修复线22熔接，相比于现有技术，不需要改变液晶显示面板外围电路和驱动电路即能简单便捷地修复阵列基板断线，修复成功率高，且不会提高驱动负载，保证驱动效果。
请参阅图8，本发明还提供一种阵列基板断线修复方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一阵列基板；
如图4、图5、和图6所示，所述阵列基板的结构包括：衬底基板1、设于衬底基板1上的多条扫描线21及与第一修复线22、设于所述多条扫描线21与第一修复线22上的绝缘层3、设于绝缘层3上的多条数据线41与第二修复线42、及设于所述多条数据线41与第二修复线42上的钝化层5。
所述多条扫描线21相互平行并依次水平排列，所述多条数据线41相互平行并依次竖直排列。
所述第一修复线22位于所述数据线41的下方、相邻两扫描线21之间，且与所述相邻两扫描线21断开。所述扫描线21与第一修复线22均由第一金属层图案化形成，所述第一金属层的材料为钼Mo、Ti、Al、Cu、Ni中的一种或几种的堆栈组合。
所述第二修复线42位于所述扫描线21的上方、相邻两数据线41之间，且与所述相邻两数据线41断开。所述数据线41与第二修复线42均由第二金属层图案化形成，所述第二金属层的材料为Mo、Ti、Al、Cu、Ni中的一种或几种的堆栈组合。
所述多条数据线41与扫描线21相互绝缘交错出多个呈阵列式排布的像素单元8，每一像素单元8均包括一薄膜晶体管81、及与所述薄膜晶体管81电性连接的像素电极82，所述薄膜晶体管81的栅极与所述扫描线21电性连接，源极与所述数据线41电性连接，漏极与所述像素电极82电性连接。
具体地，所述衬底基板1为透明基板，优选玻璃基板。所述薄膜晶体管81的栅极与所述扫描线21、第一修复线22位于同一层，所述薄膜晶体管81的源极、漏极与所述数据线41、及第二修复线42位于同一层。所述像素电极82的材料为ITO，所述像素电极82设于所述钝化层5上，并通过贯穿所述钝化层5的过孔与所述薄膜晶体管81的漏极形成电性连接。所述绝缘层3及钝化层5的材料为氧化SiOx、SiNx、或二者的组合。
步骤2、检测所述扫描线21、或数据线41出现断线的位置。
步骤3、如图7所示，对于出现扫描线21断线的位置，通过激光将扫描线21断线的两端分别和位于该扫描线21上方的第二修复线42熔接；对于出现数据线41断线的位置，通过激光将数据线41断线的两端分别和位于该数据线41下方的第一修复线22熔接。
至此完成对阵列基板断线的修复。
与现有技术相比，本发明的阵列基板断线修复方法利用激光直接将扫描线21断线的两端分别和位于该扫描线21上方的第二修复线42熔接或直接利用激光直接将数据线41断线的两端分别和位于该数据线41下方的第一修复线22熔接，能够在不改变液晶显示面板外围电路和驱动电路的前提下简单便捷地修复阵列基板断线，修复成功率高。
综上所述，本发明的阵列基板结构及阵列基板断线修复方法，通过在数据线下方设置与扫描线同一层的第一修复线，在扫描线上方设置与数据线同一层的第二修复线，当出现数据线或扫描线断线时，能够利用激光直接将扫描线断线的两端分别和位于该扫描线上方的第二修复线熔接或利用激光直接将数据线断线的两端分别和位于该数据线下方的第一修复线熔接，相比于现有技术，不需要改变液晶显示面板外围电路和驱动电路即能简单便捷地修复阵列基板断线，修复成功率高，且不会提高驱动负载，保证驱动效果。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板结构，其特征在于，包括：衬底基板(1)、设于衬底基板(1)上的多条扫描线(21)与第一修复线(22)、设于所述多条扫描线(21)与第一修复线(22)上的绝缘层(3)、设于绝缘层(3)上的多条数据线(41)与第二修复线(42)、及设于所述多条数据线(41)与第二修复线(42)上的钝化层(5)；
所述多条扫描线(21)相互平行并依次水平排列，所述多条数据线(41)相互平行并依次竖直排列；
所述第一修复线(22)位于所述数据线(41)的下方、相邻两扫描线(21)之间，且与所述相邻两扫描线(21)断开；所述扫描线(21)与第一修复线(22)均由第一金属层图案化形成；
所述第二修复线(42)位于所述扫描线(21)的上方、相邻两数据线(41)之间，且与所述相邻两数据线(41)断开；所述数据线(41)与第二修复线(42)均由第二金属层图案化形成。
2.如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，所述多条数据线(41)与扫描线(21)相互绝缘交错出多个呈阵列式排布的像素单元(8)，每一像素单元(8)均包括一薄膜晶体管(81)、及与所述薄膜晶体管(81)电性连接的像素电极(82)，所述薄膜晶体管(81)的栅极与所述扫描线(21)电性连接，源极与所述数据线(41)电性连接，漏极与所述像素电极(82)电性连接。
3.如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，所述扫描线(21)、第一修复线(22)、数据线(41)、及第二修复线(42)的材料均为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或几种的堆栈组合。
4.如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，所述绝缘层(3)及钝化层(5)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。
5.如权利要求2所述的阵列基板结构，其特征在于，所述薄膜晶体管(81)的栅极与所述扫描线(21)、第一修复线(22)位于同一层，所述薄膜晶体管(81)的源极、漏极与所述数据线(41)、第二修复线(42)位于同一层。
6.一种阵列基板断线修复方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一阵列基板；
所述阵列基板的结构包括：衬底基板(1)、设于衬底基板(1)上的多条扫描线(21)与第一修复线(22)、设于所述多条扫描线(21)与第一修复线(22)上的绝缘层(3)、设于绝缘层(3)上的多条数据线(41)与第二修复线(42)、及设于所述多条数据线(41)与第二修复线(42)上的钝化层(5)；
所述多条扫描线(21)相互平行并依次水平排列，所述多条数据线(41)相互平行并依次竖直排列；
所述第一修复线(22)位于所述数据线(41)的下方、相邻两扫描线(21)之间，且与所述相邻两扫描线(21)断开；所述扫描线(21)与第一修复线(22)均由第一金属层图案化形成；所述第二修复线(42)位于所述扫描线(21)的上方、相邻两数据线(41)之间，且与所述相邻两数据线(41)断开；所述数据线(41)与第二修复线(42)均由第二金属层图案化形成；
步骤2、检测所述扫描线(21)、或数据线(41)出现断线的位置；
步骤3、对于出现扫描线(21)断线的位置，通过激光将扫描线(21)断线的两端分别和位于该扫描线(21)上方的第二修复线(42)熔接；对于出现数据线(41)断线的位置，通过激光将数据线(41)断线的两端分别和位于该数据线(41)下方的第一修复线(22)熔接。
7.如权利要求6所述的阵列基板断线修复方法，其特征在于，所述步骤1中阵列基板的多条数据线(41)及扫描线(21)相互绝缘交错出多个呈阵列式排布的像素单元(8)，每一像素单元(8)均包括一薄膜晶体管(81)、及与所述薄膜晶体管(81)电性连接的像素电极(82)，所述薄膜晶体管(81)的栅极与所述扫描线(21)电性连接，源极与所述数据线(41)电性连接，漏极与所述像素电极(82)电性连接。
8.如权利要求6所述的阵列基板断线修复方法，其特征在于，所述扫描线(21)、第一修复线(22)、数据线(41)、及第二修复线(42)的材料均为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或几种的堆栈组合。
9.如权利要求6所述的阵列基板断线修复方法，其特征在于，所述绝缘层(3)及钝化层(5)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。
10.如权利要求7所述的阵列基板断线修复方法，其特征在于，所述薄膜晶体管(81)的栅极与所述扫描线(21)、第一修复线(22)位于同一层，所述薄膜晶体管(81)的源极、漏极与所述数据线(41)、第二修复线(42)位于同一层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510801303.8A CN105425484A (zh) | 2015-11-19 | 2015-11-19 | 阵列基板结构及阵列基板断线修复方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510801303.8A CN105425484A (zh) | 2015-11-19 | 2015-11-19 | 阵列基板结构及阵列基板断线修复方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105425484A true CN105425484A (zh) | 2016-03-23 |
Family
ID=55503789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510801303.8A Pending CN105425484A (zh) | 2015-11-19 | 2015-11-19 | 阵列基板结构及阵列基板断线修复方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105425484A (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105911784A (zh) * | 2016-06-28 | 2016-08-31 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种配线修复结构 |
| CN106158915A (zh) * | 2016-08-04 | 2016-11-23 | 深圳爱易瑞科技有限公司 | 有机发光二极管显示面板以及有机发光二极管显示装置 |
| CN106206659A (zh) * | 2016-08-04 | 2016-12-07 | 深圳爱易瑞科技有限公司 | 有机发光二极管显示装置和面板的制作方法 |
| CN106549021A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板、柔性显示装置及其修复方法 |
| CN109254431A (zh) * | 2018-11-12 | 2019-01-22 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 阵列基板和阵列基板的断线修复方法 |
| CN110377176A (zh) * | 2018-04-12 | 2019-10-25 | 夏普株式会社 | 带触摸面板的显示装置及其修正方法 |
| CN111341791A (zh) * | 2020-03-10 | 2020-06-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Goa电路、goa膜层结构、goa膜层结构制备方法和显示面板 |
| CN111768702A (zh) * | 2019-07-24 | 2020-10-13 | 友达光电股份有限公司 | 可挠性电子装置 |
| CN118711547A (zh) * | 2024-08-30 | 2024-09-27 | 惠科股份有限公司 | 驱动电路、显示面板、显示装置及驱动电路的修复方法 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1877399A (zh) * | 2006-07-06 | 2006-12-13 | 广辉电子股份有限公司 | 自动修补液晶显示器的结构 |
| US7193664B2 (en) * | 2004-10-08 | 2007-03-20 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Pixel structure and method of repairing the same |
| CN101051642A (zh) * | 2007-04-28 | 2007-10-10 | 上海广电光电子有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其修复方法 |
| CN101114655A (zh) * | 2007-08-07 | 2008-01-30 | 上海广电光电子有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、修复方法 |
| CN201252101Y (zh) * | 2008-04-15 | 2009-06-03 | 上海广电光电子有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板 |
| CN101639595A (zh) * | 2009-07-15 | 2010-02-03 | 上海广电光电子有限公司 | 具有自修复断线功能的液晶显示阵列基板 |
| CN101666948A (zh) * | 2008-09-03 | 2010-03-10 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd像素结构、制造方法和断线修复方法 |
| CN102169267A (zh) * | 2011-05-23 | 2011-08-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 平面显示面板及其修复方法 |
| CN201984264U (zh) * | 2010-10-29 | 2011-09-21 | 北京京东方光电科技有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板、液晶显示装置及已修复的阵列基板 |
| CN102213879A (zh) * | 2010-04-12 | 2011-10-12 | 北京京东方光电科技有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造、修复方法 |
| CN103698951A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-04-02 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板、显示装置及其修复方法 |
-
2015
- 2015-11-19 CN CN201510801303.8A patent/CN105425484A/zh active Pending
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7193664B2 (en) * | 2004-10-08 | 2007-03-20 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Pixel structure and method of repairing the same |
| CN1877399A (zh) * | 2006-07-06 | 2006-12-13 | 广辉电子股份有限公司 | 自动修补液晶显示器的结构 |
| CN101051642A (zh) * | 2007-04-28 | 2007-10-10 | 上海广电光电子有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其修复方法 |
| CN101114655A (zh) * | 2007-08-07 | 2008-01-30 | 上海广电光电子有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、修复方法 |
| CN201252101Y (zh) * | 2008-04-15 | 2009-06-03 | 上海广电光电子有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板 |
| CN101666948A (zh) * | 2008-09-03 | 2010-03-10 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd像素结构、制造方法和断线修复方法 |
| CN101639595A (zh) * | 2009-07-15 | 2010-02-03 | 上海广电光电子有限公司 | 具有自修复断线功能的液晶显示阵列基板 |
| CN102213879A (zh) * | 2010-04-12 | 2011-10-12 | 北京京东方光电科技有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造、修复方法 |
| CN201984264U (zh) * | 2010-10-29 | 2011-09-21 | 北京京东方光电科技有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板、液晶显示装置及已修复的阵列基板 |
| CN102169267A (zh) * | 2011-05-23 | 2011-08-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 平面显示面板及其修复方法 |
| CN103698951A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-04-02 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板、显示装置及其修复方法 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105911784B (zh) * | 2016-06-28 | 2019-05-17 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种配线修复结构 |
| CN105911784A (zh) * | 2016-06-28 | 2016-08-31 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种配线修复结构 |
| CN106158915A (zh) * | 2016-08-04 | 2016-11-23 | 深圳爱易瑞科技有限公司 | 有机发光二极管显示面板以及有机发光二极管显示装置 |
| CN106206659A (zh) * | 2016-08-04 | 2016-12-07 | 深圳爱易瑞科技有限公司 | 有机发光二极管显示装置和面板的制作方法 |
| CN106158915B (zh) * | 2016-08-04 | 2019-12-27 | 深圳爱易瑞科技有限公司 | 有机发光二极管显示面板以及有机发光二极管显示装置 |
| CN106206659B (zh) * | 2016-08-04 | 2019-11-05 | 深圳市景方盈科技有限公司 | 有机发光二极管显示装置和面板的制作方法 |
| US10304874B2 (en) | 2016-12-02 | 2019-05-28 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Flexible display substrate, flexible display device, and method for repairing the same |
| CN106549021B (zh) * | 2016-12-02 | 2018-10-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板、柔性显示装置及其修复方法 |
| WO2018099064A1 (zh) * | 2016-12-02 | 2018-06-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板、柔性显示装置及其修复方法 |
| CN106549021A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板、柔性显示装置及其修复方法 |
| CN110377176A (zh) * | 2018-04-12 | 2019-10-25 | 夏普株式会社 | 带触摸面板的显示装置及其修正方法 |
| CN110377176B (zh) * | 2018-04-12 | 2023-06-16 | 夏普株式会社 | 带触摸面板的显示装置及其修正方法 |
| CN109254431A (zh) * | 2018-11-12 | 2019-01-22 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 阵列基板和阵列基板的断线修复方法 |
| CN111768702A (zh) * | 2019-07-24 | 2020-10-13 | 友达光电股份有限公司 | 可挠性电子装置 |
| CN111341791A (zh) * | 2020-03-10 | 2020-06-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Goa电路、goa膜层结构、goa膜层结构制备方法和显示面板 |
| CN118711547A (zh) * | 2024-08-30 | 2024-09-27 | 惠科股份有限公司 | 驱动电路、显示面板、显示装置及驱动电路的修复方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105425484A (zh) | 阵列基板结构及阵列基板断线修复方法 | |
| CN204595382U (zh) | 阵列基板及液晶显示面板及装置及已修复阵列基板 | |
| CN105487315A (zh) | Tft阵列基板 | |
| US10121804B2 (en) | TFT substrate and manufacturing method thereof | |
| CN105467706A (zh) | 阵列基板结构及阵列基板断线修复方法 | |
| CN105511175A (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| CN105301809A (zh) | 阵列基板结构及阵列基板的数据线断线修复方法 | |
| CN105655353A (zh) | Tft阵列基板结构及其制作方法 | |
| CN203870358U (zh) | 显示面板与显示装置 | |
| US10355027B2 (en) | Display device | |
| CN104966501A (zh) | 用于窄边框lcd的goa电路结构 | |
| CN104423102B (zh) | 一种液晶显示屏、显示装置及其改善显示不良的方法 | |
| CN104597640A (zh) | 阵列基板及其断线修补方法 | |
| CN105158994A (zh) | 像素单元及阵列基板 | |
| CN102608816B (zh) | 液晶显示面板以及其制造方法 | |
| CN105336747A (zh) | 阵列基板及其修复方法 | |
| US20190251885A1 (en) | Detection method for display panel and detection apparatus for display panel | |
| CN104460071A (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板 | |
| CN105445977A (zh) | 检测液晶显示面板良率的方法 | |
| CN104597679A (zh) | 阵列基板及其断线修补方法 | |
| CN103235433B (zh) | 液晶显示面板的短接条结构及液晶显示面板 | |
| KR102526508B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
| CN100367102C (zh) | 光学补偿双折射型液晶显示面板 | |
| CN105572989A (zh) | Tft阵列基板、液晶显示面板及其修复方法 | |
| CN110262146A (zh) | 显示面板的十字线修复方法及显示面板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160323 |