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CN105097840A - 一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置 - Google Patents

一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置 Download PDF

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CN105097840A CN201510455126.2A CN201510455126A CN105097840A CN 105097840 A CN105097840 A CN 105097840A CN 201510455126 A CN201510455126 A CN 201510455126A CN 105097840 A CN105097840 A CN 105097840A
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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置，该阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上依次形成包括第一电极、第一绝缘层、薄膜晶体管、第二绝缘层、有机层和第二电极的图形；即在形成有机层之后，仅进行第二电极的常温沉积和湿法刻蚀，与现有的阵列基板的制作方法相比，无需进行绝缘层的高温沉积和干法刻蚀，从而可以避免高温环境使有机层释放出一定的气体和杂质而污染成膜设备和干法刻蚀设备；并且，在形成第一绝缘层之后无需对其进行构图工艺，与现有的需要对绝缘层进行光刻和干法刻蚀处理以露出接线端子的制作方法相比，可以简化阵列基板的制作工艺，降低生产成本。

Description

一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置。
背景技术
在现有的显示装置中，液晶显示器(LCD，LiquidCrystalDisplay)具有功耗低、显示质量高、无电磁辐射以及应用范围广等优点，是目前较为重要的显示装置。
液晶显示器主要由阵列基板、对向基板以及位于该两基板之间的液晶层组成；其中，阵列基板，如图1所示，一般包括：衬底基板101，以及位于衬底基板101上依次层叠设置的薄膜晶体管102、第一绝缘层103、有机层104、像素电极105、第二绝缘层106、公共电极107和公共电极线108。该阵列基板的制作过程一般包括如下步骤：首先，在衬底基板101上形成薄膜晶体管102；然后，依次形成第一绝缘层薄膜和有机层薄膜，对有机层薄膜进行曝光、显影处理后，对第一绝缘层薄膜进行刻蚀处理，以露出薄膜晶体管102中的漏极以及位于非显示区域109内的与数据线电性连接的第一接线端子和与栅线电性连接的第二接线端子110，获得第一绝缘层103和有机层104；接着，形成像素电极105，像素电极105通过第一绝缘层103和有机层104中的过孔与薄膜晶体管102中的漏极电性连接；之后，沉积第二绝缘层薄膜，对第二绝缘层薄膜进行光刻和干法刻蚀处理，以露出第一接线端子和第二接线端子110，获得第二绝缘层106；最后，形成公共电极107和公共电极线108。
在上述阵列基板的制作过程中，在沉积第二绝缘层时，衬底基板上已形成有有机层，而第二绝缘层的沉积温度一般会达到240℃左右的高温，因此，在沉积第二绝缘层的过程中，高温环境会使有机层释放出一定的气体和杂质，从而会对成膜设备造成严重的污染；并且，后续对第二绝缘层进行的干法刻蚀处理也会达到120℃左右的高温，同样会使有机层释放出一定的气体和杂质，从而会对干法刻蚀设备造成一定的污染。
因此，如何避免有机层释放气体和杂质而污染设备，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置，用以避免有机层释放气体和杂质而污染设备。
因此，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上依次层叠设置的第一电极、第一绝缘层、薄膜晶体管、第二绝缘层、有机层和第二电极。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极；
还包括：位于所述公共电极与所述有机层之间或位于所述公共电极上的公共电极线。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；
还包括：位于所述公共电极与所述衬底基板之间或位于所述公共电极与所述第一绝缘层之间的公共电极线。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述薄膜晶体管，包括：在所述第一绝缘层上依次层叠设置的栅极、栅绝缘层、有源层、以及源极和漏极；
所述像素电极通过贯穿所述第二绝缘层和所述有机层的第一过孔与所述漏极电性连接。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第二绝缘层和所述有机层具有贯穿所述第二绝缘层和所述有机层以露出与数据线电性连接的第一接线端子的第二过孔。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述有机层、所述第二绝缘层和所述栅绝缘层具有贯穿所述有机层、所述第二绝缘层和所述栅绝缘层以露出与栅线电性连接的第二接线端子的第三过孔。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述有机层、所述第二绝缘层、所述栅绝缘层和所述第一绝缘层具有贯穿所述有机层、所述第二绝缘层、所述栅绝缘层和所述第一绝缘层以露出与所述公共电极线电性连接的第三接线端子的第四过孔。
本发明实施例还提供了一种液晶显示面板，包括：本发明实施例提供的上述阵列基板和与所述阵列基板相对而置的对向基板，以及位于所述阵列基板与所述对向基板之间的液晶层。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：本发明实施例提供的上述液晶显示面板。
本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：
在衬底基板上依次形成包括第一电极、第一绝缘层、薄膜晶体管、第二绝缘层、有机层和第二电极的图形。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，形成包括第一电极的图形，具体包括：形成包括像素电极的图形；形成包括第二电极的图形，具体包括：形成包括公共电极的图形；
在形成包括有机层的图形之后，在形成包括公共电极的图形之前，或在形成公共电极的图形之后，还包括：形成包括公共电极线的图形。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，形成包括第一电极的图形，具体包括：形成包括公共电极的图形；形成包括第二电极的图形，具体包括：形成包括像素电极的图形；
在形成包括公共电极的图形之前，或在形成包括公共电极的图形之后，在形成包括第一绝缘层的图形之前，还包括：形成包括公共电极线的图形。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，形成包括薄膜晶体管的图形，具体包括：形成包括栅极的图形；在形成有所述栅极的图形的衬底基板上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成包括有源层的图形；在形成有所述有源层的图形的衬底基板上形成包括源极和漏极的图形；
形成包括第二绝缘层和有机层的图形，具体包括：
形成第二绝缘层薄膜；
在所述第二绝缘层薄膜上形成有机层薄膜；
以所述有机层薄膜为光刻胶对所述第二绝缘层薄膜进行构图工艺，形成贯穿所述第二绝缘层薄膜和所述有机层薄膜以电性连接漏极与将要形成的像素电极的图形的第一过孔。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，以有机层薄膜为光刻胶对第二绝缘层薄膜进行构图工艺，形成第一过孔的同时，还包括：
形成贯穿所述第二绝缘层薄膜和所述有机层薄膜以露出与数据线电性连接的第一接线端子的第二过孔。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，以有机层薄膜为光刻胶对第二绝缘层薄膜进行构图工艺的同时，还包括：
以所述有机层薄膜为光刻胶对所述第二绝缘层薄膜和所述栅绝缘层进行构图工艺，形成贯穿所述有机层薄膜、所述第二绝缘层薄膜和所述栅绝缘层以露出与栅线电性连接的第二接线端子的第三过孔。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，以有机层薄膜为光刻胶对第二绝缘层薄膜进行构图工艺的同时，还包括：
以所述有机层薄膜为光刻胶对所述第二绝缘层薄膜、所述栅绝缘层和所述第一绝缘层进行构图工艺，形成贯穿所述有机层薄膜、所述第二绝缘层薄膜、所述栅绝缘层和所述第一绝缘层以露出与所述公共电极线电性连接的第三接线端子的第四过孔。
本发明实施例提供的上述阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置，该阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上依次形成包括第一电极、第一绝缘层、薄膜晶体管、第二绝缘层、有机层和第二电极的图形；即在形成有机层之后，仅进行第二电极的常温沉积和湿法刻蚀，与现有的阵列基板的制作方法相比，无需进行绝缘层的高温沉积和干法刻蚀，从而可以避免高温环境使有机层释放出一定的气体和杂质而污染成膜设备和干法刻蚀设备；并且，在形成第一绝缘层之后无需对其进行构图工艺，与现有的需要对绝缘层进行光刻和干法刻蚀处理以露出接线端子的制作方法相比，可以简化阵列基板的制作工艺，降低生产成本。
附图说明
图1为现有的阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图；
图4a-图4i分别为本发明实例一中阵列基板的制作方法在执行各步骤后的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明实施例提供的阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
附图中各膜层的形状和厚度不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供的一种阵列基板，如图2所示，包括：衬底基板1，位于衬底基板1上依次层叠设置的第一电极2、第一绝缘层3、薄膜晶体管4、第二绝缘层5、有机层6和第二电极7。
本发明实施例提供的上述阵列基板，在有机层的上方仅设置有第二电极，即在形成有机层之后，仅进行第二电极的常温沉积和湿法刻蚀，与现有的阵列基板的制作方法相比，无需进行绝缘层的高温沉积和干法刻蚀，从而可以避免高温环境使有机层释放出一定的气体和杂质而污染成膜设备和干法刻蚀设备；并且，在形成第一绝缘层之后无需对其进行构图工艺，与现有的需要对绝缘层进行光刻和干法刻蚀处理以露出接线端子的制作方法相比，可以简化阵列基板的制作工艺，降低生产成本。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2所示，第一电极2可以为公共电极，则第二电极7为像素电极；或者，第一电极也可以为像素电极，则第二电极为公共电极；在此不做限定。
具体地，在第一电极为像素电极，第二电极为公共电极时，本发明实施例提供的上述阵列基板，还可以包括：位于公共电极与有机层之间或位于公共电极上的公共电极线。
具体地，如图2所示，在第一电极2为公共电极，第二电极7为像素电极时，本发明实施例提供的上述阵列基板，还可以包括：位于公共电极(即第一电极2)与衬底基板1之间或位于公共电极(即第一电极2)与第一绝缘层3之间(如图2所示)的公共电极线8。
需要说明的是，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2所示，第一电极2为公共电极，第二电极7为像素电极，像素电极至少需要通过贯穿第二绝缘层5和有机层6的过孔与薄膜晶体管4中的漏极405以及数据线电性连接，与第一电极为像素电极、第二电极为公共电极(像素电极仅需通过贯穿第一绝缘层中的过孔与薄膜晶体管中的漏极以及数据线电性连接)相比，可以降低像素电极与数据线之间的集成电容，降低阵列基板的功耗。本发明下面给出的实施例均以第一电极为公共电极、第二电极为像素电极为例进行说明。
一般地，公共电极的材料为透明导电材料，例如氧化铟锡(IndiumTinOxides,ITO)等，公共电极线的材料为不透明的金属材料；由于一般将薄膜晶体管设置于黑矩阵所在区域内以避免出现漏光的问题，因此，一般将公共电极线在衬底基板的正投影设置于薄膜晶体管在衬底基板的正投影内，这样，不会影响阵列基板的开口率。
当然，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，公共电极线的设置位置并非局限于上述几种情况，公共电极线还可以与薄膜晶体管中的栅极同层设置，这样，可以简化阵列基板的制作工艺，但可能会影响阵列基板的开口率。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2所示，薄膜晶体管具体可以为顶栅型结构；或者，也可以为底栅型结构，在此不做限定；本发明下面给出的实施例均以底栅型结构的薄膜晶体管为例进行说明，如图2所示，薄膜晶体管4，可以包括：在第一绝缘层3上依次层叠设置的栅极401、栅绝缘层402、有源层403、以及源极404和漏极405；像素电极(即第二电极7)通过贯穿第二绝缘层5和有机层6的第一过孔A与漏极405电性连接。
一般地，阵列基板中的数据线、与数据线电性连接的第一引线和第一接线端子均与源极和漏极同层设置，因此，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2所示，第二绝缘层5和有机层6可以在阵列基板的非显示区域内具有贯穿第二绝缘层5和有机层6以露出与数据线电性连接的第一接线端子的第二过孔，这样，印刷电路板(PrintedCircuitBoard，PCB)可以通过该第二过孔和与数据线电性连接的第一接线端子绑定。
一般地，阵列基板中的栅线、与栅线电性连接的第二引线和第二接线端子均与栅极同层设置，因此，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2所示，第二绝缘层5、有机层6和栅绝缘层402可以在阵列基板的非显示区域(如图2所示的虚线框包围的区域，即包围显示区域的边界闭合的边框区域)内具有贯穿第二绝缘层5、有机层6和栅绝缘层402以露出与栅线电性连接的第二接线端子9的第三过孔B，这样，PCB可以通过该第三过孔B和与栅线电性连接的第二接线端子9绑定。
一般地，阵列基板中的公共电极线、与公共电极线电性连接的第三引线和第三接线端子同层设置，因此，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2所示，第二绝缘层5、有机层6、栅绝缘层402和第一绝缘层3可以在阵列基板的非显示区域内具有贯穿第二绝缘层5、有机层6、栅绝缘层402和第一绝缘层3以露出与公共电极线8电性连接的第三接线端子的第四过孔，这样，PCB可以通过该第四过孔和与公共电极线电性连接的第三接线端子绑定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种液晶显示面板，包括：本发明实施例提供的上述阵列基板和与阵列基板相对而置的对向基板，以及位于阵列基板与对向基板之间的液晶层；其中，对向基板的具体结构与现有的对向基板的结构类似，在此不做赘述。该液晶显示面板的实施可以参见上述阵列基板的实施例，重复之处不再赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：本发明实施例提供的上述液晶显示面板，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述液晶显示面板的实施例，重复之处不再赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：
在衬底基板上依次形成包括第一电极、第一绝缘层、薄膜晶体管、第二绝缘层、有机层和第二电极的图形。
本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法，在形成有机层之后，仅进行第二电极的常温沉积和湿法刻蚀，与现有的阵列基板的制作方法相比，无需进行绝缘层的高温沉积和干法刻蚀，从而可以避免高温环境使有机层释放出一定的气体和杂质而污染成膜设备和干法刻蚀设备；并且，在形成第一绝缘层之后无需对其进行构图工艺，与现有的需要对绝缘层进行光刻和干法刻蚀处理以露出接线端子的制作方法相比，可以简化阵列基板的制作工艺，降低生产成本。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述方法中，在形成第一绝缘层时，可以利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法采用氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种材料形成第一绝缘层。当然，还可以利用其他类似的沉积方法采用其他类似的绝缘材料形成第一绝缘层，在此不做限定。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述方法中，形成包括第一电极的图形，具体可以包括：形成包括公共电极的图形；形成包括第二电极的图形，具体可以包括：形成包括像素电极的图形；或者，形成包括第一电极的图形，也可以具体包括：形成包括像素电极的图形；形成包括第二电极的图形，也可以具体包括：形成包括公共电极的图形；在此不做限定。
具体地，在形成包括第一电极的图形具体包括形成包括像素电极的图形，形成包括第二电极的图形具体包括形成包括公共电极的图形时，在本发明实施例提供的上述方法中，在形成包括有机层的图形之后在形成包括公共电极的图形之前，或在形成公共电极的图形之后，还可以包括：形成包括公共电极线的图形。
具体地，在形成包括第一电极的图形具体包括形成包括公共电极的图形，形成包括第二电极的图形具体包括形成包括像素电极的图形时，在本发明实施例提供的上述方法中，在形成包括公共电极的图形之前，或在形成包括公共电极的图形之后在形成包括第一绝缘层的图形之前，还可以包括：形成包括公共电极线的图形；
需要说明的是，在本发明实施例提供的上述方法中，第一电极为公共电极，第二电极为像素电极，像素电极至少需要通过贯穿第二绝缘和有机层的过孔与薄膜晶体管中的漏极以及数据线电性连接，与第一电极为像素电极、第二电极为公共电极(像素电极仅需通过贯穿第一绝缘层中的过孔与薄膜晶体管中的漏极以及数据线电性连接)相比，可以降低像素电极与数据线之间的集成电容，降低阵列基板的功耗。本发明下面给出的实施例均以第一电极为公共电极、第二电极为像素电极为例进行说明。
在具体实施时，采用本发明实施例提供的上述方法制作的阵列基板中，薄膜晶体管可以为顶栅型结构；或者，也可以为底栅型结构，在此不做限定。本发明下面给出的实施例均以底栅型结构的薄膜晶体管为例进行说明。本发明实施例提供的上述方法中，形成包括薄膜晶体管的图形，具体可以包括如下步骤：首先，形成包括栅极的图形；然后，在形成有栅极的图形的衬底基板上形成栅绝缘层；接着，在栅绝缘层上形成包括有源层的图形；最后，在形成有有源层的图形的衬底基板上形成包括源极和漏极的图形；此时，形成包括第二绝缘层和有机层的图形，如图3所示，具体可以包括如下步骤：
S301、形成第二绝缘层薄膜；具体地，第二绝缘层薄膜的材料可以为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种，在此不做限定；
S302、在第二绝缘层薄膜上形成有机层薄膜；具体地，有机层薄膜的材料可以为树脂材料，或者，也可以为其他有机材料，在此不做限定；
S303、以有机层薄膜为光刻胶对第二绝缘层薄膜进行构图工艺，形成贯穿第二绝缘层薄膜和有机层薄膜以电性连接漏极与将要形成的像素电极的图形的第一过孔。具体地，以有机层薄膜为光刻胶对第二绝缘层薄膜进行构图工艺，可以包括如下步骤：首先，对有机层薄膜进行曝光、显影处理，以露出薄膜晶体管中的漏极正上方的第二绝缘层薄膜；然后，对露出的第二绝缘层薄膜进行刻蚀处理，形成贯穿第二绝缘层薄膜和有机层薄膜且露出薄膜晶体管中部分漏极的第一过孔，这样，后续形成的像素电极可以通过该第一过孔与薄膜晶体管中的漏极电性连接。
一般地，阵列基板中的数据线、与数据线电性连接的第一引线和第一接线端子均与源极和漏极同层设置，因此，在执行本发明实施例提供的上述方法中的步骤S303，以有机层薄膜为光刻胶对第二绝缘层薄膜进行构图工艺，形成第一过孔的同时，如图3所示，还可以包括以下步骤：
S304、形成贯穿第二绝缘层薄膜和有机层薄膜以露出与数据线电性连接的第一接线端子的第二过孔；其中，该第二过孔位于阵列基板的非显示区域内；这样，PCB可以通过该第二过孔和与数据线电性连接的第一接线端子绑定。
一般地，阵列基板中的栅线、与栅线电性连接的第二引线和第二接线端子均与栅极同层设置，因此，在执行本发明实施例提供的上述方法中的步骤S303，以有机层薄膜为光刻胶对第二绝缘层薄膜进行构图工艺的同时，如图3所示，还可以包括以下步骤：
S305、以有机层薄膜为光刻胶对第二绝缘层薄膜和栅绝缘层进行构图工艺，形成贯穿有机层薄膜、第二绝缘层薄膜和栅绝缘层以露出与栅线电性连接的第二接线端子的第三过孔；其中，该第三过孔位于阵列基板的非显示区域内；这样，PCB可以通过该第三过孔和与栅线电性连接的第二接线端子绑定。
一般地，阵列基板中的公共电极线、与公共电极线电性连接的第三引线和第三接线端子同层设置，因此，在执行本发明实施例提供的上述方法中的步骤S303，以有机层薄膜为光刻胶对第二绝缘层薄膜进行构图工艺的同时，如图3所示，还可以包括以下步骤：
S306、以有机层薄膜为光刻胶对第二绝缘层薄膜、栅绝缘层和第一绝缘层进行构图工艺，形成贯穿有机层薄膜、第二绝缘层薄膜、栅绝缘层和第一绝缘层以露出与公共电极线电性连接的第三接线端子的第四过孔；其中，该第四过孔位于阵列基板的非显示区域内；这样，PCB可以通过该第四过孔和与公共电极线电性连接的第三接线端子绑定。
下面通过一个具体的实例对本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法的具体实现方式进行详细的说明。
实例一：如图2所示的阵列基板(第一电极2为公共电极、第二电极7为像素电极)的制作方法，如图4a-图4i所示，具体可以包括如下步骤：
1、在衬底基板1上形成包括公共电极(即第一电极2)的图形，如图4a所示；
具体地，可以通过包括沉积、光刻和湿法刻蚀的构图工艺形成公共电极(即第一电极2)的图形；
2、在形成有公共电极(即第一电极2)的图形的衬底基板1上形成包括公共电极线8和与公共电极线8电性连接的第三引线和第三接线端子的图形，如图4b所示；
具体地，可以通过包括沉积、光刻和湿法刻蚀的构图工艺形成公共电极线8和与公共电极线8电性连接的第三引线和第三接线端子的图形；
3、在形成有公共电极线8、第三引线和第三接线端子的图形的衬底基板1上形成第一绝缘层3，如图4c所示；
具体地，可以通过PECVD的方法采用氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种材料沉积第一绝缘层3；
4、在形成有第一绝缘层3的衬底基板1上形成包括栅极401、栅线、与栅线电性连接的第二引线和第二接线端子9的图形，如图4d所示；
具体地，可以通过包括沉积、光刻和湿法刻蚀的构图工艺形成栅极401、栅线、第二引线和第二接线端子9的图形；
5、在形成有栅极401、栅线、第二引线和第二接线端子9的图形的衬底基板1上形成栅绝缘层402，如图4e所示；
具体地，栅绝缘层402一般包括氧化硅(SiO2)膜层、氮氧化硅(SiON)膜层和氮化硅(SiNx)膜层三层；
6、在形成有栅绝缘层402的衬底基板1上形成包括有源层403的图形，如图4f所示；
具体地，可以通过包括沉积、光刻和湿法刻蚀的构图工艺形成有源层403的图形；
7、在形成有有源层403的图形的衬底基板1上形成包括源极404、漏极405、数据线、与数据线电性连接的第一引线和第一接线端子的图形，如图4g所示；
具体地，可以通过包括沉积、光刻和湿法刻蚀的构图工艺形成源极404、漏极405、数据线、第一引线和第一接线端子的图形；
8、在形成有源极404、漏极405、数据线、第一引线和第一接线端子的图形的衬底基板1上依次形成第二绝缘层薄膜10和有机层薄膜11，如图4h所示；
具体地，可以采用氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种材料沉积第二绝缘层薄膜10，可以采用树脂材料通过涂覆的方式形成有机层薄膜11；
9、以有机层薄膜11为光刻胶采用一次构图工艺形成贯穿有机层薄膜11和第二绝缘层薄膜10的第一过孔A和第二过孔，贯穿有机层薄膜11、第二绝缘层薄膜10和栅绝缘层402的第三过孔B，以及贯穿有机层薄膜11、第二绝缘层薄膜10、栅绝缘层402和第一绝缘层3的第四过孔，第二绝缘层薄膜10变为第二绝缘层5的图形，有机层薄膜11变为有机层6的图形，如图4i所示；
具体地，首先，使用一张掩膜板对有机层薄膜11进行曝光处理；然后，对经过曝光处理后的有机层薄膜11进行显影处理，以露出漏极405正上方、与数据线电性连接的第一接线端子正上方、与栅线电性连接的第二接线端子9正上方以及与公共电极线8电性连接的第三接线端子正上方的第二绝缘层薄膜10；接着，对露出的漏极405正上方的第二绝缘层薄膜10进行刻蚀处理，形成贯穿有机层薄膜11和第二绝缘层薄膜10的第一过孔A，对露出的与数据线电性连接的第一接线端子正上方的第二绝缘层薄膜10进行刻蚀处理，形成贯穿有机层薄膜11和第二绝缘层薄膜10的第二过孔，对露出的与栅线电性连接的第二接线端子9正上方的第二绝缘层薄膜10和栅绝缘层402进行刻蚀处理，形成贯穿有机层薄膜11、第二绝缘层薄膜10和栅绝缘层402的第三过孔B，对露出的与公共电极线8电性连接的第三接线端子正上方的第二绝缘层薄膜10、栅绝缘层402和第一绝缘层3进行刻蚀处理，形成贯穿有机层薄膜11、第二绝缘层薄膜10、栅绝缘层402和第一绝缘层3的第四过孔；
10、在形成有第一过孔A、第二过孔、第三过孔B和第四过孔的衬底基板1上形成包括像素电极(即第二电极7)的图形，如图2所示。
具体地，可以通过包括沉积、光刻和湿法刻蚀的构图工艺形成像素电极(即第二电极7)的图形。
需要说明的是，本发明实例一中的阵列基板的制作方法总共需要经过七次(公共电极的图形→公共电极线的图形→栅极的图形→有源层的图形→源极和漏极的图形→第一过孔、第二过孔、第三过孔和第四过孔→像素电极的图形)构图工艺，而现有的如图1所示的阵列基板的制作方法总共需要经过八次(栅极→有源层→源极和漏极→第一绝缘层→像素电极→第二绝缘层→公共电极→公共电极线)构图工艺，因此，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法与现有的阵列基板的制作方法相比，可以简化制作工艺，降低生产成本。
本发明实施例提供的一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置，该阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上依次形成包括第一电极、第一绝缘层、薄膜晶体管、第二绝缘层、有机层和第二电极的图形；即在形成有机层之后，仅进行第二电极的常温沉积和湿法刻蚀，与现有的阵列基板的制作方法相比，无需进行绝缘层的高温沉积和干法刻蚀，从而可以避免高温环境使有机层释放出一定的气体和杂质而污染成膜设备和干法刻蚀设备；并且，在形成第一绝缘层之后无需对其进行构图工艺，与现有的需要对绝缘层进行光刻和干法刻蚀处理以露出接线端子的制作方法相比，可以简化阵列基板的制作工艺，降低生产成本。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (16)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上依次层叠设置的第一电极、第一绝缘层、薄膜晶体管、第二绝缘层、有机层和第二电极。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极；
还包括：位于所述公共电极与所述有机层之间或位于所述公共电极上的公共电极线。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；
还包括：位于所述公共电极与所述衬底基板之间或位于所述公共电极与所述第一绝缘层之间的公共电极线。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管，包括：在所述第一绝缘层上依次层叠设置的栅极、栅绝缘层、有源层、以及源极和漏极；
所述像素电极通过贯穿所述第二绝缘层和所述有机层的第一过孔与所述漏极电性连接。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层和所述有机层具有贯穿所述第二绝缘层和所述有机层以露出与数据线电性连接的第一接线端子的第二过孔。
6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述有机层、所述第二绝缘层和所述栅绝缘层具有贯穿所述有机层、所述第二绝缘层和所述栅绝缘层以露出与栅线电性连接的第二接线端子的第三过孔。
7.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述有机层、所述第二绝缘层、所述栅绝缘层和所述第一绝缘层具有贯穿所述有机层、所述第二绝缘层、所述栅绝缘层和所述第一绝缘层以露出与所述公共电极线电性连接的第三接线端子的第四过孔。
8.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1-7任一项所述的阵列基板和与所述阵列基板相对而置的对向基板，以及位于所述阵列基板与所述对向基板之间的液晶层。
9.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求8所述的液晶显示面板。
10.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上依次形成包括第一电极、第一绝缘层、薄膜晶体管、第二绝缘层、有机层和第二电极的图形。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，形成包括第一电极的图形，具体包括：形成包括像素电极的图形；形成包括第二电极的图形，具体包括：形成包括公共电极的图形；
在形成包括有机层的图形之后，在形成包括公共电极的图形之前，或在形成公共电极的图形之后，还包括：形成包括公共电极线的图形。
12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，形成包括第一电极的图形，具体包括：形成包括公共电极的图形；形成包括第二电极的图形，具体包括：形成包括像素电极的图形；
在形成包括公共电极的图形之前，或在形成包括公共电极的图形之后，在形成包括第一绝缘层的图形之前，还包括：形成包括公共电极线的图形。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，形成包括薄膜晶体管的图形，具体包括：形成包括栅极的图形；在形成有所述栅极的图形的衬底基板上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成包括有源层的图形；在形成有所述有源层的图形的衬底基板上形成包括源极和漏极的图形；
形成包括第二绝缘层和有机层的图形，具体包括：
形成第二绝缘层薄膜；
在所述第二绝缘层薄膜上形成有机层薄膜；
以所述有机层薄膜为光刻胶对所述第二绝缘层薄膜进行构图工艺，形成贯穿所述第二绝缘层薄膜和所述有机层薄膜以电性连接漏极与将要形成的像素电极的图形的第一过孔。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，以有机层薄膜为光刻胶对第二绝缘层薄膜进行构图工艺，形成第一过孔的同时，还包括：
形成贯穿所述第二绝缘层薄膜和所述有机层薄膜以露出与数据线电性连接的第一接线端子的第二过孔。
15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，以有机层薄膜为光刻胶对第二绝缘层薄膜进行构图工艺的同时，还包括：
以所述有机层薄膜为光刻胶对所述第二绝缘层薄膜和所述栅绝缘层进行构图工艺，形成贯穿所述有机层薄膜、所述第二绝缘层薄膜和所述栅绝缘层以露出与栅线电性连接的第二接线端子的第三过孔。
16.如权利要求13所述的方法，其特征在于，以有机层薄膜为光刻胶对第二绝缘层薄膜进行构图工艺的同时，还包括：
以所述有机层薄膜为光刻胶对所述第二绝缘层薄膜、所述栅绝缘层和所述第一绝缘层进行构图工艺，形成贯穿所述有机层薄膜、所述第二绝缘层薄膜、所述栅绝缘层和所述第一绝缘层以露出与所述公共电极线电性连接的第三接线端子的第四过孔。
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