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CN104953044A - 柔性oled及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种柔性OLED及其制作方法。该柔性OLED通过在第二电极(12)上覆盖辅助导电层(13)，能够减小第二电极(12)的电阻，增强导电能力，使得各个像素的电压均匀，改善显示均一性，并可减薄第二电极(12)，节省第二电极(12)的材料。该柔性OLED的制作方法通过在第二电极(12)上形成覆盖该第二电极(12)的辅助导电层(13)，能够减小第二电极(12)的电阻，增强导电能力，使得各个像素的电压均匀，改善显示均一性，并可减薄第二电极(12)，节省第二电极(12)的材料。

Description

柔性OLED及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性OLED及其制作方法。
背景技术
有机发光二级管显示装置(Organic Light Emitting Diode，OLED)，具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，开始逐渐取代传统液晶显示器，被广泛地应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。OLED与传统的液晶显示器不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。
请参阅图1，为一种现有的柔性OLED的剖面结构示意图，包括基板100、间隔设于所述基板100上的第一栅极210、及第二栅极220、设于所述第一栅极210、第二栅极220、及基板100上的栅极绝缘层300、位于所述第一栅极210上方设于所述栅极绝缘层300上的第一半导体层410、位于所述第二栅极220上方设于所述栅极绝缘层300上的第二半导体层420、设于所述第一半导体层410、第二半导体层420、及栅极绝缘层300上的蚀刻阻挡层500、设于所述蚀刻阻挡层500上的第一源极610、第一漏极620、第二源极630、与第二漏极640、设于所述第一源极610、第一漏极620、第二源极630、第二漏极640、及蚀刻阻挡层500上的层间绝缘层700、设于所述层间绝缘层700上的平坦层800、设于所述平坦层800上的第一电极900、设于所述第一电极900与平坦层800上的具有开口的像素定义层1000、于所述像素定义层1000的开口内设于所述第一电极900上的发光层1100、设于所述像素定义层1000与发光层1100上的第二电极1200、设于所述第二电极1200上的干燥剂层1300、及设于所述干燥剂层13000与像素定义层1000上的封装薄膜1400。
所述第一源极610接触第一半导体层410与第二栅极220，所述第一漏极610接触第一半导体层410，所述第二源极630接触第二半导体层420，所述第二漏极640接触第二半导体层420。所述第一栅极210、第一半导体层410、第一源极610、及第一漏极620构成开关TFT T10，所述第二栅极220、第二半导体层420、第二源极630、及第二漏极640构成驱动TFT T20。所述第一电极900接触所述第二源极630。所述像素定义层1000的开口暴露出部分第一电极900。
所述第一电极900作为像素电极即OLED的阳极，第二电极1200作为OLED的阴极。通常所述第二电极1200的厚度较薄，尤其是在顶发光型OLED中，需制作透明阴极，因此需要更薄的第二电极1200。然而，在第二电极1200较薄的情况下，电阻较大，导电能力较弱，针对大尺寸OLED显示器有可能造成各个像素的电压不均，影响显示的均一性，出现亮度不均(mura)等问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种柔性OLED，能够减小第二电极的电阻，增强导电能力，使得各个像素的电压均匀，改善显示均一性，并可减薄第二电极，节省第二电极的材料。
本发明的目的还在于提供一种柔性OLED的制作方法，由该方法制作的柔性OLED能够减小第二电极的电阻，增强导电能力，使得各个像素的电压均匀，改善显示均一性，并可减薄第二电极，节省第二电极的材料。
为实现上述目的，本发明提供一种柔性OLED，包括TFT基板，设于所述TFT基板上的第一电极及像素定义层，所述像素定义层具有开口以暴露出部分第一电极；
有机发光层，所述有机发光层对应所述像素定义层的开口设于所述第一电极上；
第二电极，所述第二电极设于有机发光层与像素定义层上；
辅助导电层，所述辅助导电层覆盖第二电极；
干燥剂层，所述干燥剂层设于辅助导电层上；及
封装薄膜，所述封装薄膜设于干燥剂层与像素定义层上。
所述第二电极的方块电阻数值范围为0.1～100Ω/□。
所述第二电极的厚度为。
所述辅助导电层的材料为导电银胶、纳米银线、或石墨烯。
所述辅助导电层呈网格状。
本发明还提供一种柔性OLED的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、首先提供一TFT基板，在所述TFT基板上依次形成像素电极、及具有开口以暴露出部分第一电极的像素定义层；
接着对应所述像素定义层的开口在所述第一电极上形成有机发光层；
然后在有机发光层与像素定义层上形成第二电极；
步骤2、在所述第二电极上形成覆盖该第二电极的辅助导电层；
步骤3、在所述辅助导电层上填充干燥剂层；
步骤4、在所述干燥剂层、及像素定义层上形成封装薄膜。
所述步骤2通过涂布、喷墨印刷、或沉积的方式形成所述辅助导电层。
所述辅助导电层的材料为导电银胶、纳米银线、或石墨烯。
所述第二电极的方块电阻数值范围为0.1～100Ω/□；所述第二电极的厚度为。
所述辅助导电层呈网格状。
本发明的有益效果：本发明提供的一种柔性OLED，通过在第二电极上覆盖辅助导电层，能够减小第二电极的电阻，增强导电能力，使得各个像素的电压均匀，改善显示均一性，并可减薄第二电极，节省第二电极的材料。本发明提供的一种柔性OLED的制作方法，通过在第二电极上形成覆盖该第二电极的辅助导电层，能够减小第二电极的电阻，增强导电能力，使得各个像素的电压均匀，改善显示均一性，并可减薄第二电极，节省第二电极的材料。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为一种现有的柔性OLED的剖面结构示意图；
图2为本发明的柔性OLED的剖面结构示意图；
图3为本发明的柔性OLED中辅助导电层的一种实施方式的平面俯视示意图；
图4为本发明的柔性OLED的制作方法的流程图；
图5为本发明的柔性OLED的制作方法的步骤1的示意图；
图6为本发明的柔性OLED的制作方法的步骤2的示意图；
图7为本发明的柔性OLED的制作方法的步骤3的示意图；
图8为本发明的柔性OLED的制作方法的步骤4的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明首先提供一种柔性OLED，包括TFT基板TS、设于所述TFT基板TS上的第一电极9及像素定义层10、有机发光层11、第二电极12、辅助导电层13、干燥剂层14、以及封装薄膜15。
具体地，所述TFT基板TS包括基板1、间隔设于所述基板1上的第一栅极21、及第二栅极22、设于所述第一栅极21、第二栅极22、及基板1上的栅极绝缘层3、位于所述第一栅极21上方设于所述栅极绝缘层3上的第一半导体层41、位于所述第二栅极22上方设于所述栅极绝缘层3上的第二半导体层42、设于所述第一半导体层41、第二半导体层42、及栅极绝缘层3上的蚀刻阻挡层5、设于所述蚀刻阻挡层5上的第一源极61、第一漏极62、第二源极63、与第二漏极64、设于所述第一源极61、第一漏极62、第二源极63、第二漏极64、及蚀刻阻挡层5上的层间绝缘层7、及设于所述层间绝缘层7上的平坦层8。
所述第一电极9设于所述平坦层8上，所述像素定义层10具有开口101,暴露出部分第一电极9，以定义出像素区的形状。
所述第一源极61接触第一半导体层41与第二栅极22，所述第一漏极61接触第一半导体层41，所述第二源极63接触第二半导体层42，所述第二漏极64接触第二半导体层42；所述第一栅极21、第一半导体层41、第一源极61、及第一漏极62构成开关TFT T1，所述第二栅极22、第二半导体层42、第二源极63、及第二漏极64构成驱动TFT T2；所述第一电极9接触所述第二源极63。进一步地，所述第一源极61、第一漏极62分别经由贯穿钝化层5的第一过孔51、第二过孔52接触所述第一半导体层41，所述第二源极63、第二漏极64分别经由贯穿钝化层5的第三过孔53、第四过孔54接触所述第二半导体层42，所述第一源极61经由贯穿钝化层5与栅极绝缘层3的第五过孔35接触所述第二栅极22，所述第一电极9经由贯穿平坦层8与层间绝缘层7的第六过孔87接触所述第二源极63。
所述第一半导体层41与第二半导体层42的材料为多晶硅半导体、或金属氧化物半导体，如铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)半导体等；
所述第一栅极21、第二栅极22、第一源极61、第一漏极62、第二源极63、与第二漏极64的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合；
所述栅极绝缘层3与层间绝缘层7的材料为氮化硅、氧化硅、或二者的组合；
所述第一电极9为像素电极，通常用作OLED的阳极，选用氧化铟锡(IndiumTin Oxide，ITO)等为材料。
所述有机发光层11对应所述像素定义层10的开口101设于所述第一电极9上。
所述第二电极12设于有机发光层11与像素定义层10上。该第二电极12通常用作OLED的阴极。
所述辅助导电层13覆盖第二电极12。优选的，所述辅助导电层13呈如图3所示的网格状。所述辅助导电层13的材料为导电银胶、纳米银线、或石墨烯，所谓纳米银线是指具有纳米级别银线导电网格的透明的导电薄膜，纳米银线的线宽约为50nm。
所述干燥剂层14设于辅助导电层13上，用于去除水汽。
所述封装薄膜15设于干燥剂层14与像素定义层10上，用于保护OLED内部结构。
通常，第二电极为一整块的平面型公共电极。在如图1所示的现有的顶发光型OLED中，由于需制作透明阴极，第二电极1200即阴极的厚度必须很薄，厚度薄必然会增加电阻率，造成第二电极1200的中间区域与四周边缘区域的电压差异，阻碍电流由第二电极1200的四周边缘向其中心导入，引起电流差异，从而使得OLED的发光亮度有差异，产生亮度不均的问题。而本发明的柔性OLED在第二电极12上添加了辅助导电层13，借助该辅助导电层13将电流由第二电极12的四周边缘向其中心导入，能够减少第二电极12的中间区域与四周边缘区域的电压差异，从而减少电流差异，减少OLED的亮度差异，改善亮度不均的问题；即使将第二电极12的厚度减薄，依然可以借助辅助导电层13增强导电能力，使第二电极12的中间区域与四周边缘区域的电压差异较小。
现有技术中第二电极的方块电阻数值范围为0.5～500Ω/□，而本发明的柔性OLED增加所述辅助导电层13后，所述第二电极12的方块电阻数值范围减小为0.1～100Ω/□。
现有技术中第二电极的厚度为，而本发明的柔性OLED增加所述辅助导电层13后，所述第二电极12的厚度减薄至。
由以上比较可知，本发明的柔性OLED通过在第二电极12上覆盖辅助导电层13，能够减小第二电极12的电阻，增强导电能力，使得各个像素的电压均匀，改善显示均一性，并可减薄第二电极12，节省第二电极12的材料。
请参阅图4，基于同一发明构思，本发明还提供一种制作柔性OLED的方法，包括如下步骤：
步骤1、如图5所示，首先提供一TFT基板TS，在所述TFT基板TS上依次形成像素电极9、及具有开口101以暴露出部分第一电极9的像素定义层10；
接着对应所述像素定义层10的开口101在所述第一电极9上形成有机发光层11；
然后在有机发光层11与像素定义层10上形成第二电极12。
具体地，所述TFT基板TS包括基板1、间隔设于所述基板1上的第一栅极21、及第二栅极22、设于所述第一栅极21、第二栅极22、及基板1上的栅极绝缘层3、位于所述第一栅极21上方设于所述栅极绝缘层3上的第一半导体层41、位于所述第二栅极22上方设于所述栅极绝缘层3上的第二半导体层42、设于所述第一半导体层41、第二半导体层42、及栅极绝缘层3上的蚀刻阻挡层5、设于所述蚀刻阻挡层5上的第一源极61、第一漏极62、第二源极63、与第二漏极64、设于所述第一源极61、第一漏极62、第二源极63、第二漏极64、及蚀刻阻挡层5上的层间绝缘层7、及设于所述层间绝缘层7上的平坦层8。
所述第一源极61接触第一半导体层41与第二栅极22，所述第一漏极61接触第一半导体层41，所述第二源极63接触第二半导体层42，所述第二漏极64接触第二半导体层42；所述第一栅极21、第一半导体层41、第一源极61、及第一漏极62构成开关TFT T1，所述第二栅极22、第二半导体层42、第二源极63、及第二漏极64构成驱动TFT T2；所述第一电极9接触所述第二源极63；所述像素定义层10的开口101暴露出部分第一电极9，以定义出像素区的形状。进一步地，所述第一源极61、第一漏极62分别经由贯穿钝化层5的第一过孔51、第二过孔52接触所述第一半导体层41，所述第二源极63、第二漏极64分别经由贯穿钝化层5的第三过孔53、第四过孔54接触所述第二半导体层42，所述第一源极61经由贯穿钝化层5与栅极绝缘层3的第五过孔35接触所述第二栅极22，所述第一电极9经由贯穿平坦层8与层间绝缘层7的第六过孔87接触所述第二源极63。
所述第一半导体层41与第二半导体层42的材料为多晶硅半导体、或金属氧化物半导体，如IGZO半导体等；
所述第一栅极21、第二栅极22、第一源极61、第一漏极62、第二源极63、与第二漏极64的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合；
所述栅极绝缘层3与层间绝缘层7的材料为氮化硅、氧化硅、或二者的组合；
所述第一电极9为像素电极，通常用作OLED的阳极，选用ITO等为材料；
所述第二电极12通常用作OLED的阴极。
步骤2、如图6所示，通过涂布、喷墨印刷、或沉积的方式在所述第二电极12上形成覆盖该第二电极12的辅助导电层13。
优选的，所述辅助导电层13呈如图3所示的网格状。
具体地，所述辅助导电层13的材料为导电银胶、纳米银线、或石墨烯等。所谓纳米银线是指具有纳米级别银线导电网格的透明的导电薄膜，纳米银线的线宽约为50nm。使用纳米银线形成如图3所示的辅助导电层13的过程为：先涂布纳米银线墨水材料，然后利用镭射光刻技术，刻画出纳米银线的导电网格图案。
步骤3、如图7所示，在所述辅助导电层13上填充干燥剂层14，用于去除水汽。
步骤4、如图8所示，在所述干燥剂层14、及像素定义层10上形成封装薄膜15，用于保护OLED内部结构。
上述柔性OLED的制作方法，通过在第二电极12上形成覆盖该第二电极12的辅助导电层13，借助辅助导电层13将电流由第二电极12的四周边缘向其中心导入，能够减少第二电极12的中间区域与四周边缘区域的电压差异，从而减少电流差异，减少OLED的亮度差异，改善亮度不均的问题；即使将第二电极12的厚度减薄，依然可以借助辅助导电层13增强导电能力，使第二电极12的中间区域与四周边缘区域的电压差异较小。
现有技术制作出的第二电极的方块电阻数值范围为0.5～500Ω/□，而本发明的柔性OLED的制作方法在第二电极12上形成覆盖该第二电极12的辅助导电层13后，所述第二电极12的方块电阻数值范围减小为0.1～100Ω/□。
现有技术制作出的第二电极的厚度为，而本发明的柔性OLED的制作方法在第二电极12上形成覆盖该第二电极12的辅助导电层13后，所述第二电极12的厚度减薄至。
综上所述，本发明的柔性OLED，通过在第二电极上覆盖辅助导电层，能够减小第二电极的电阻，增强导电能力，使得各个像素的电压均匀，改善显示均一性，并可减薄第二电极，节省第二电极的材料。本发明的柔性OLED的制作方法，通过在第二电极上形成覆盖该第二电极的辅助导电层，能够减小第二电极的电阻，增强导电能力，使得各个像素的电压均匀，改善显示均一性，并可减薄第二电极，节省第二电极的材料。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种柔性OLED，其特征在于，包括：
TFT基板(TS)，设于所述TFT基板(TS)上的第一电极(9)及像素定义层(10)，所述像素定义层(10)具有开口(101)以暴露出部分第一电极(9)；
有机发光层(11)，所述有机发光层(11)对应所述像素定义层(10)的开口(101)设于所述第一电极(9)上；
第二电极(12)，所述第二电极(12)设于有机发光层(11)与像素定义层(10)上；
辅助导电层(13)，所述辅助导电层(13)覆盖第二电极(12)；
干燥剂层(14)，所述干燥剂层(14)设于辅助导电层(13)上；及
封装薄膜(15)，所述封装薄膜(15)设于干燥剂层(14)与像素定义层(10)上。
2.如权利要求1所述的柔性OLED，其特征在于，所述第二电极(12)的方块电阻数值范围为0.1～100Ω/□。
3.如权利要求1所述的柔性OLED，其特征在于，所述第二电极(12)的厚度为
4.如权利要求1所述的柔性OLED，其特征在于，所述辅助导电层(13)的材料为导电银胶、纳米银线、或石墨烯。
5.如权利要求1所述的柔性OLED，其特征在于，所述辅助导电层(13)呈网格状。
6.一种柔性OLED的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、首先提供一TFT基板(TS)，在所述TFT基板(TS)上依次形成像素电极(9)、及具有开口(101)以暴露出部分第一电极(9)的像素定义层(10)；
接着对应所述像素定义层(10)的开口(101)在所述第一电极(9)上形成有机发光层(11)；
然后在有机发光层(11)与像素定义层(10)上形成第二电极(12)；
步骤2、在所述第二电极(12)上形成覆盖该第二电极(12)的辅助导电层(13)；
步骤3、在所述辅助导电层(13)上填充干燥剂层(14)；
步骤4、在所述干燥剂层(14)、及像素定义层(10)上形成封装薄膜(15)。
7.如权利要求6所述的柔性OLED的制作方法，其特征在于，所述步骤2通过涂布、喷墨印刷、或沉积的方式形成所述辅助导电层(13)。
8.如权利要求6所述的柔性OLED的制作方法，其特征在于，所述辅助导电层(13)的材料为导电银胶、纳米银线、或石墨烯。
9.如权利要求6所述的柔性OLED的制作方法，其特征在于，所述第二电极(12)的方块电阻数值范围为0.1～100Ω/□；所述第二电极(12)的厚度为
10.如权利要求6所述的柔性OLED的制作方法，其特征在于，所述辅助导电层(13)呈网格状。
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105789259A (zh) * 2016-03-29 2016-07-20 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置
CN106058076A (zh) * 2016-08-19 2016-10-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置及制作方法
CN106328825A (zh) * 2016-10-31 2017-01-11 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示器
CN106898633A (zh) * 2017-02-24 2017-06-27 深圳市华星光电技术有限公司 发光二极管显示器及其制作方法
CN107359274A (zh) * 2017-06-27 2017-11-17 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN107634012A (zh) * 2017-09-13 2018-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种封装基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN108807497A (zh) * 2018-08-06 2018-11-13 京东方科技集团股份有限公司 一种amoled显示面板及其制备方法
CN109004105A (zh) * 2018-07-31 2018-12-14 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件、其制备方法及显示装置
US10217955B2 (en) 2017-04-24 2019-02-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for manufacturing display panel, and display device
CN109494311A (zh) * 2018-11-16 2019-03-19 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制备方法、显示面板
CN109524437A (zh) * 2018-10-16 2019-03-26 云谷（固安）科技有限公司 Oled结构及其制备方法、显示面板以及电子设备
CN110071155A (zh) * 2019-04-26 2019-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其封装方法、显示装置
CN110739335A (zh) * 2019-10-21 2020-01-31 广东聚华印刷显示技术有限公司 一种显示面板及显示面板的制作方法
CN112736118A (zh) * 2020-12-28 2021-04-30 广东聚华印刷显示技术有限公司 Oled显示面板、显示设备及制备方法
WO2021082050A1 (zh) * 2019-10-30 2021-05-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极体器件和其制作方法
CN113053978A (zh) * 2021-03-12 2021-06-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109065751A (zh) * 2018-07-25 2018-12-21 武汉华星光电技术有限公司 显示模组及电子装置
CN110211994B (zh) * 2019-05-17 2021-11-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制造方法、有机发光二极管显示器

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1471065A (zh) * 2002-07-05 2004-01-28 ��ʽ����뵼����Դ�о��� 发光器件及其制造方法
US20090042326A1 (en) * 2003-09-19 2009-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
CN101551541A (zh) * 2008-03-31 2009-10-07 卡西欧计算机株式会社 显示用基板及其制造方法以及显示装置
CN101783395A (zh) * 2009-01-20 2010-07-21 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制造方法
CN101945965A (zh) * 2007-12-28 2011-01-12 3M创新有限公司 柔性封装膜系统
CN102074167A (zh) * 2010-12-15 2011-05-25 四川虹视显示技术有限公司 Oled照明面板辅助电极排布结构
CN104124259A (zh) * 2013-04-23 2014-10-29 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN104247567A (zh) * 2012-04-23 2014-12-24 柯尼卡美能达株式会社 透明电极、电子器件及有机电致发光元件

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6559594B2 (en) * 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US6812637B2 (en) * 2003-03-13 2004-11-02 Eastman Kodak Company OLED display with auxiliary electrode
KR100552972B1 (ko) * 2003-10-09 2006-02-15 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
US7427783B2 (en) * 2004-04-07 2008-09-23 Samsung Sdi Co., Ltd. Top emission organic light emitting diode display using auxiliary electrode to prevent voltage drop of upper electrode
TWI282708B (en) * 2005-08-03 2007-06-11 Ind Tech Res Inst Vertical pixel structure for emi-flective display and method for making the same
KR101708847B1 (ko) * 2010-04-08 2017-02-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JPWO2013076948A1 (ja) * 2011-11-24 2015-04-27 パナソニック株式会社 Ｅｌ表示装置およびその製造方法
US10483104B2 (en) * 2012-03-30 2019-11-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for producing stacked electrode and method for producing photoelectric conversion device
KR101926072B1 (ko) * 2012-08-21 2018-12-07 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR101933567B1 (ko) * 2012-09-19 2018-12-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널 및 이를 포함하는 휴대용 표시 장치
KR102023896B1 (ko) * 2013-02-15 2019-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시기판 및 그 제조방법
SG11201508014WA (en) * 2013-05-02 2015-10-29 Tera Barrier Films Pte Ltd Encapsulation barrier stack comprising dendrimer encapsulated nanop articles
KR20150004652A (ko) * 2013-07-03 2015-01-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이를 포함하는 표시 장치 및 이를 이용하는 영상 표시 방법
KR20150006125A (ko) * 2013-07-08 2015-01-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR102227455B1 (ko) * 2013-10-08 2021-03-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN103715231B (zh) * 2013-12-31 2016-11-23 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示面板、显示装置
CN103943654B (zh) * 2014-03-05 2017-02-01 上海天马有机发光显示技术有限公司 Oled阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置
KR102273654B1 (ko) * 2014-10-08 2021-07-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102293981B1 (ko) * 2014-10-13 2021-08-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시패널 및 그 제조방법
US10032844B2 (en) * 2014-12-29 2018-07-24 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR102372091B1 (ko) * 2015-01-16 2022-03-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20170005962A (ko) * 2015-07-06 2017-01-17 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1471065A (zh) * 2002-07-05 2004-01-28 ��ʽ����뵼����Դ�о��� 发光器件及其制造方法
US20090042326A1 (en) * 2003-09-19 2009-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
CN101945965A (zh) * 2007-12-28 2011-01-12 3M创新有限公司 柔性封装膜系统
CN101551541A (zh) * 2008-03-31 2009-10-07 卡西欧计算机株式会社 显示用基板及其制造方法以及显示装置
CN101783395A (zh) * 2009-01-20 2010-07-21 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制造方法
CN102074167A (zh) * 2010-12-15 2011-05-25 四川虹视显示技术有限公司 Oled照明面板辅助电极排布结构
CN104247567A (zh) * 2012-04-23 2014-12-24 柯尼卡美能达株式会社 透明电极、电子器件及有机电致发光元件
CN104124259A (zh) * 2013-04-23 2014-10-29 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105789259A (zh) * 2016-03-29 2016-07-20 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置
CN106058076A (zh) * 2016-08-19 2016-10-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置及制作方法
CN106328825B (zh) * 2016-10-31 2019-01-15 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示器
CN106328825A (zh) * 2016-10-31 2017-01-11 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示器
CN106898633A (zh) * 2017-02-24 2017-06-27 深圳市华星光电技术有限公司 发光二极管显示器及其制作方法
WO2018152894A1 (zh) * 2017-02-24 2018-08-30 深圳市华星光电技术有限公司 发光二极管显示器及其制作方法
CN106898633B (zh) * 2017-02-24 2019-09-10 深圳市华星光电技术有限公司 发光二极管显示器及其制作方法
US10249602B2 (en) 2017-02-24 2019-04-02 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Light emitting diode display and manufacture method thereof
US10217955B2 (en) 2017-04-24 2019-02-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for manufacturing display panel, and display device
CN107359274A (zh) * 2017-06-27 2017-11-17 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN107634012A (zh) * 2017-09-13 2018-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种封装基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN107634012B (zh) * 2017-09-13 2021-05-07 京东方科技集团股份有限公司 一种封装基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN109004105A (zh) * 2018-07-31 2018-12-14 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件、其制备方法及显示装置
CN108807497A (zh) * 2018-08-06 2018-11-13 京东方科技集团股份有限公司 一种amoled显示面板及其制备方法
US11171303B2 (en) 2018-08-06 2021-11-09 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and method for fabricating the same
CN109524437A (zh) * 2018-10-16 2019-03-26 云谷（固安）科技有限公司 Oled结构及其制备方法、显示面板以及电子设备
CN109494311A (zh) * 2018-11-16 2019-03-19 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制备方法、显示面板
CN110071155A (zh) * 2019-04-26 2019-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其封装方法、显示装置
US11296181B2 (en) 2019-04-26 2022-04-05 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel packaging method
CN110739335A (zh) * 2019-10-21 2020-01-31 广东聚华印刷显示技术有限公司 一种显示面板及显示面板的制作方法
WO2021082050A1 (zh) * 2019-10-30 2021-05-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极体器件和其制作方法
CN112736118A (zh) * 2020-12-28 2021-04-30 广东聚华印刷显示技术有限公司 Oled显示面板、显示设备及制备方法
CN113053978A (zh) * 2021-03-12 2021-06-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
US11925095B2 (en) 2021-03-12 2024-03-05 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and display device

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US20170155077A1 (en) 2017-06-01
CN104953044B (zh) 2017-11-07
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